TWI380358B - Single type substrate treating apparatus and method - Google Patents

Description

1380358 101年09月12日梭正替換頁

發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明是有關於一種半導體製造裝置及方法，特別是有 關於一種藉由一單一類型基板處理方法對一基板進行拋 光與清潔之基板處理裝置及其方法。 【先前技術】 [0002] 在一般的半導體元件製程裡，會重複地執行例如沉積、 微影及蝕刻的複數個製程，藉以於一晶圓上構成並疊置 多個薄膜層。此製程會重覆進行，直到在晶圓上構成一 所欲電路圖案為止，然在構成電路圖案之後晶圓的表面 會變得不均勻。近年來的高度整合半導體元件具有一多 層結構、諸多表面彎折，以及表面彎折之間的另增高度 差。例如微影製程中出現散焦之問題是由於晶圓的不均 勻表面所造成，因此應週期性地對晶圓的不均勻表面進 行拋光，藉此將晶圓的不均勻表面予以平面化。 [0003] 現已開發出各種表面平面化技術以將一晶圓的表面平面 化，且一種化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP)技術已廣泛地運用於此平面化技術中 ，原因在於可藉由利用CMP技術以將寬表面和狹窄表面平 面化而具備良好的平坦度。一種CMP裝置可藉由利用機械 摩擦及化學磨蝕以對一鍍有鎢或氧化物之晶圓的表面進 行拋光，並可利用此CMP裝置進行細緻拋光。 [0004] 此外，在具有極好的電路圖案之高密度、高度整合且高 效能半導體元件的情況下，其元件的特性及製程良率會 受到殘留於基板表面上例如顆粒之汙染物、有機汙染物 隱4498产單編號A〇101 第3頁/共35頁 1013346853-0 1380358 [0005] [0006] [0007] [0008] ioi年09月i2目 與金屬汗染物的顯著影響。因此，在半導體製程中，用 以移除各種貼附於基板表面上之污染物的清潔製程較以 往更加受到重視，且因而在進行各項半導體製程之前及 之後皆先執行此清潔製程以清潔基板。 【發明内容】 本發明提供-種單-類型基板處理裝置及其方法，使得 能夠藉由—種單—類型基板處理方法，其中是按逐一方 式處理基板，以在相同的製程腔體裡對_基板進行一拋 光製程及一清潔製程》 本發明之目的並不限於上述所述項目，並且熟諸本項技 藝的人士經由後文說明將即能顯知本發明之其他目的。 本發明具體實施例提供單一類型基板處理裝置，其中包 含：一製程腔體，於其内執行一基板處理製程；一基板 支撙單元’其設置於製程腔體内以供將—基板放置於基 板支撐單元上，忒基板支揮單元可旋轉該基板；一拋光 單元，其設置於製程腔體中之基板支撐單元之一側上， 以化學及機械方式對基板進行抛光；以及—清潔單元， 其設置於製程腔體中之基板支撐單元之另一側上，用以 清潔基板。 在一些具體實施例裡，拋光單元其包含：一拋光頭，其 上架置有一拋光墊以拋光基板；一第一驅動組件，其安 裝以抛光頭為中心紅轉轴·轉該抛光頭；一第二驅動組 件’其安裝用以在一水平面上移動振光頭；以及一第三 驅動組件，其安裝用以在一垂直平面移動拋光頭。 _49#單编號删1 第4頁/共35頁 1013346853-0 1380358 1101年.〇G 12曰按正雜頁 [0009] 在其他具體實施例裡，拋光頭可包含：一載殼，其具有 一具開放底側的圓柱形狀；一拋光墊座，其設置在載殼 的開放底側處以連接拋光墊；一垂直延展波紋管，其設 置於拋光墊座的一頂部表面上；以及一氣動組件，係安 裝用以將一氣壓施加於波紋管。 [0010] 又在其他的具體實施例裡，拋光墊可接附於一金屬板的 一側，並且拋光墊座可包含一磁鐵組件，係安裝於金屬 板之另一側，且藉由一磁力使其卸解地接附於拋光墊座 〇 [0011] 在甚又其他的具體實施例裡，第一驅動組件可包含：一 第一獎動馬達；一第一驅動滑輪，其係第一驅動馬達之 一旋轉輛插入於第一驅動滑輪内；一第一受驅動滑輪， 氣動組件係安裝於其内，·以及一第一皮帶，係纏繞於第 一驅動滑輪及第一受驅動滑輪’藉以將第一驅動馬達的 旋力自第一驅動滑輪傳動至第一受驅動滑輪。 [0012] 在仍又其他的具體實施例裡，第二驅動組件可包含：一 擺動支臂，其具有一端點，且水平連接载殼；一垂直支 臂’其係垂直連接於擺動支臂的另一端點；以及一第二 驅動馬達，係安裝用以對垂直支臂提供旋力。 [0013] 在進一步的具體實施例裡，單一類型基板處理裝置可進 一步包含：一第二驅動滑輪，其係第二驅動馬達之一旋 轉軸插入於其中；一第二受驅動滑輪，其垂直支臂係經 插入於其中；以及一第二皮帶，其纏繞於第二驅動滑輪 及第二受驅動滑輪，藉以將第二驅動馬達的旋力自第二 09714498於單編號 A〇101 第5頁/共35頁 1013346853-0 1380358 _^ ' Ιύϊ年09月12日核正音换頁 驅動滑輪傳動至第二受驅動滑輪。 [0014] 又在仍進一步之具體實施例裡，第一驅動組件之第一驅 · 動馬達及第一驅動滑輪可設置於擺動支臂内，第一皮帶 - 設置於擺動支臂的一内部區域且纏繞於第一驅動滑輪及 第一受驅動滑輪。 [0015] 在甚又進一步的具體實施例裡，第三驅動組件可含有： 一支撐塊，係安裝用以支撐具旋轉性的垂直支臂；以及 一線性驅動單元，係安裝用以線性地垂直移動支撐塊。 [0016] 又在尚進一步的具體實施例裡，單一類型基板處理裝置 ® 可進一步包含一導引組件，係安裝用以導引支撐塊線性 垂直移動》 [0017] 在一些具體實施例裡，第一驅動組件旋轉拋光頭之旋轉 方向與放置在基板支撐單元之基板的旋轉方向相反。 [0018] 在其他的具體實施例裡，單一類型基板處理裝置可進一 步包含一拋光墊整理單元，其係設置於基板支撐單元的 另一側，藉以對拋光單元的拋光墊進行拋光，以調整拋 · 光墊的表面粗縫度。 [0019] 又在其他的具體實施例裡，拋光墊整理單元可包含：一 · 製程槽，其具有一開放頂側，以供容納其上架置有拋光 墊之拋光頭的一端；以及一鑽石修整器，其係設置於製 程槽的底部表面，以供藉由接觸於拋光墊來對拋光墊進 行拋光β [0020] 在甚又其他具體實施例裡，鑽石修整器可為環形形狀， 09714498产單编號 Α〇101 第6頁/共35頁 1013346853-0 1380358 101年.09月12日梭正替換頁] 且可以複數個之方式而設置於製程槽的底部表面。 _又在其他的具體實施例裡，製程槽的底部表面可包含一 第-底部表面和―第二底部表面H部表面低於第 一底部表面，且鑽石修整器可設置於第一底部表面。 [0022] 纟冑#的具體實施例裡，單_類型基板處理裝置可進 一步包含：一第—去離子水供應組件，其係連接至第一 底部表面，藉以經由第一底部表面將去離子水供應至製 程槽的一内部區域；以及一排水組件，其係連接至第二 底部表面，藉以經由第二底部表面排出供應至製程槽之 内部區域的去離子水。 [0023] 又在仍進一步具體實施例裡，單一類型基板處理裝置可 進一步包含一第二去離子水供應組件，其係設置在製程 槽，藉以將去離子水供應至製程槽中朝向第一底部表面 的内部區域。 [0024] 在甚進一步的具體實施例裡，第三驅動組件可垂直移動 容納於製程槽内的拋光頭以帶動拋光墊而接觸於鑽石修 整器，第二驅動組件可在一水平面上移動抛光頭以在鑽 石修整器上掃描拋光頭，並且第一驅動組件可旋轉拋光 塾0 [0025] 在又進一步的具體實施例裡，清潔單元可包含：一清潔 液體供應組件，係安裝用以按一朝向基板的方向上供應 一清潔液體；以及一超音波清潔組件，係安裝用以對供 應至基板的清潔液體施予超音波。 [0026] 在本發明之其他具體實施例裡，茲提供單一類型基板處 1013346853-0 09714498^單編號 A0101 S 7 頁 / 共 35 頁 丄湖58 [0027] [0028] [0029] [0030] [0031] ϋόΓ年09月12曰鎌雜苜1 理方法，此方法包含帶動一拋光墊接觸於一基板的頂部 表面以拋光基板的頂部表面，其中拋光墊藉由延展設置 . 波紋管而以緊密接觸於基板，波紋營位於拋光墊之上側 〇 在—些具體實施例裡，當拋光墊之旋轉方向和基板之旋 轉方向相反，使拋光墊對基板進行拋光。 【實施方式】 後文中將參照於隨附圖式，其中顯示多項本發明示範性 具體實施例，以進一步詳細說明一單一類型基板處理裝 鲁 置及其方法。在圖式中，構件是藉由參考編號所表示， 並且可按相同的參考標號以表示相同或類似構件。在後 文說明裡將不會對眾知結構與功能詳加說明，藉此避免 模糊本發明敘述。 第1圖係一外觀視圖，其中說明一根據本發明之一具體實 施例的單一類型基板處理裝置1。 參照第1圖，本具體實施例的單一類型基板處理裝置1包 | 含一製程容器100、一基板支撐單元200、清潔單元310 和320、一拋光單元400及一拋光墊整理單元5〇〇 ^根據 本具體實施例之單一類型基板處理裝置1，可在相同的製 程腔體10中對一基板進行拋光及淨化。因此，清潔單元 310和320、拋光單元400及拋光墊整理單元5〇〇可設置在 製程腔體10内之製程容器100及基板支撐單元2〇〇的附近 處β 製程容器100擁有一具開放頂側的圓柱形狀，並且提供一 〇_#單编號Α〇101 第8頁/共35頁 1013346853-0 1380358 101年.09月12日按正番换頁 可處理一基板W的空間。一基板W可經由製程容器1〇〇的開 放頂側而载入製程容器1〇〇中以及自製程容器1〇〇卸載。 基板支撐單元200係設置於製程容器1〇〇内。在一製程的 過程中，基板支撐單元200可將引入至製程容器1〇〇内的 基板W加以固定《清潔單元31〇和32〇、拋光單元4〇〇及拋 光墊整理單元500係設置於製程容器100附近。清潔單元 310可為一清潔液體供應組件，係安裝用以將清潔液體供 應至一固定於基板支撐單元2〇〇的基板评以供清潔基板w， 並且清潔單元3 2 0可為一超音波組件，係安裝用以將超音 波施加於供應至基板W的清潔液體，藉此提高清潔效率性 。拋光單元400係用於以化學及機械方式對基板w進行拋 光，並且拋光墊整理單元5〇〇係用於拋光拋光單元4〇〇的 一拋光垫以調整拋光墊的表面粗糙度。 [0032]第2圖係一側視截面視圖’其中說明第1圖中的製程容器 100及基板支撐單元200。 [0033]參照第2圖’製程容器1〇〇包含一第一收集桶11()、一第二 • 收集桶120及一第三收集桶130，其均具有一圓栓形狀。 在本具體實施例裡’製程容器100包含三個收集桶·然可 增加或減少收集桶的數量。第一、第二及第三收集桶110 、120及130係用以在一基板處理製程期間收集供應至基 板W的清潔液體。在基板拋光裝置1裡，基板w是在當基板 支撐單元200轉動基板ff時藉由清潔液體清潔基板w。因此 ’供應至基板W的清潔液體會自基板w濺散，第一、第二 及第三收集桶110、120與130即用以收集所濺散的清潔 液體。 1013346853-0 〇_8产單編號A〇101 1380358 __

1101年oi? 曰核正替接頁I

[_]第一、第二及第三收集桶110、120與130構成第一、第 二及第三收集空間SI、S2與S3，而自基板W所濺散的清潔 液體即獲引入於此些空間之内《第一收集桶11〇構成第一 收集空間S1，藉此收集首先用於處理基板W的第一清潔液 體。第一收集空間S2係構成於第一與第二收集桶110和 120之間，藉此收集一其次用於處理基板W的第二清潔液 體。第三收集空間S3係構成於第二與第三收集桶120和 130之間，藉此收集一第三次用於處理基板W的第三清潔 液體。 [0035] 第一收集桶11〇係連接至一第一收集線141。在第一收集 空間S1之中所收集的第一清潔液體會由第一收集線141而 排放至外部。第二收集桶120係連接至一第二收集線143 。在第二收集空間S2之中所收集的第二清潔液體會由第 二收集線143而排故至外部。第三收集桶130係連接至一 第三收集線145。在第三收集空間S3之中所收集的第三清 潔液體會經由第三收集線145而排玫。 [0036]-垂直移動器15〇可連接於製程容器1〇〇以改變製程容器 100的垂直位置。垂直移動器150係設置於第三收集桶 130的外壁處，藉此在當基板支撐單元2〇〇的垂直位置為 固定時以朝上及朝下移動製程容器1〇〇。因此，可改變製 程容器100及基板W的相對垂直位置，從而可在製程容器 100的收集空間SI、S2及S3中收集不同的清潔液體。 [0037]基板支樓早元200係設置於製程容器内。在一製程中 ，基板支撐單元200支撐基板W，並且可由一驅動單元230 (後文詳述）所轉動。基板支撐單元2〇〇包含一支撐板21() 1013346853-0 09714498^單编號第10頁/共35頁 Γ380358 1 [0038] 101年.09月12日修正替換頁 ’其具有-圓形頂部表面；一腳針組件211，其係設置於 支撑板210的頂部表面處以支樓基板w ;以及一支樓轴22〇 係連接至支樓板21〇的底側以支稽支樓板21〇，並且支撐 轴220可由連接至支撐轴22〇底側的驅動單元⑽所轉動 驅動單7C23G可為-馬達 '當切轴2簡由驅動單元 230轉動時’則帶動支撑板21〇及基板W旋轉。當將基板載 放至支撑板210上或自支樓板21〇上卸載時支撑板21〇 可藉驅動單元230而朝上或朝下移動。此外，可為其他目 的而朝上或朝下移動支撐板21〇。 第3圖係一外觀視圖，其中說明第j圖的拋光單元4〇〇，第 4圖係-侧視截面視圖，其中說明第3圖的拋光單元4〇〇， 並且第5圖係-放大視圖，其中說明第4圖的一抛光頭。 [0039] • 拋光單元400係運用於-以化學或機械方式將一基板之表 面予以平面化的拋光製程。參照第3至5圖，拋光單元4〇〇 包含拋光頭420，以及第-至第三驅動組件44〇、46〇及 480用以根據操作模式來驅動拋光頭。拋光墊係 架置於拋光頭420上以對一基板進行拋光。在一拋光製程 的過程中，第一驅動組件440以拋光頭42〇為中心旋轉軸 以轉動拋光頭420 ^第二驅動組件46〇在一水平面上移動 拋光頭420 ’藉此擺動拋光頭420。第三驅動組件48〇則 是朝上及朝下移動拋光頭420。 [0040] 拋光頭420包含一具有一開放底側的圓柱載殼42ι ^ 一板 狀抛光塾座422係設置於載殼421的開放底側處，並且拋 光塾423係連接於抛光塾座422的底部表面。抛光塾423 可為接附於一金屬板424的一側’並且一磁鐵組件“仏可 09714498#單編號A01(n 第11頁/共35頁 1013346853-0 1380358 ίϋι年〇9月i2_梭;正替#hi 架置於拋光墊座422内，藉此將一磁力施加於金屬板424 ，而供金屬板的另一側可卸離地接附於拋光墊座422。 [0041] 一波紋管425係設置於拋光墊座422的頂部表面上。波紋 管425可藉由一氣動組件426所施加的氣壓而垂直延展。 波紋管425可延展以在一拋光製程的過程中帶動拋光墊 423而緊密接觸於基板W。若是在拋光墊234緊密接觸於基 板W之表面的狀態下執行一拋光製程，則可更均勻地且有 效率地對基板W的表面進行拋光。 [0042] 氣動組件426係連接至波紋管425之一上方局部，並且可 ® 為由一中空桿狀組件所組成《氣動組件426的縱轴可垂直 對齊。氣動組件426是由轴承427a及427b按可旋轉方式 所支撐。一空氣供應線（未予圖示）係連接至氣動組件426 以將氣體供應至氣動組件426。可將一閥（未予圖示）安裝 於空氣供應線處，藉以關閉及開啟空氣供應線，並且可 將一氣流計（未予圖示）安裝於空氣供應線處，藉以控制 經由空氣供應線所供應之空氣的流率。元件的結構係屬 熟諳本項技藝之人士所眾知者，並因而將省略其細節說 · 明。 [0043] 在一拋光製程的過程中，第一驅動組件440以拋光墊423 為中心以轉動拋光墊423。第一驅動組件440包含一提供 旋力之第一驅動馬達441 ;以及一第一皮帶-滑輪裝置443 ，係安裝用以將旋力自第一驅動馬達441傳動至拋光墊 423。第一皮帶-滑輪裝置443可包含一第一驅動滑輪 443-1、一第一受驅動滑輪443-2及一第一皮帶443_3。 第一驅動滑輪443-1係設置於第一驅動馬達441的旋轉軸 1013346853-0 〇9714498产單编號A〇1〇l 第I2頁/共35頁 Γ380358 101年09月12日按正替換頁 441 a處。第一受驅動滑輪443-2係設置於具中空桿狀之 氣動組件426的外側。第一皮帶443-3係纏繞於第一驅動 滑輪443-1及第一受驅動滑輪443-2。第一驅動滑輪 443-1所設置處的第一驅動馬達441可設置於第二驅動組 件460之一擺動支臂461 (如後詳述）的一末端局部内， 並且第一皮帶443-3可經由擺動支臂461之内部而在擺動 支臂461的縱向方向上纏繞於第一驅動滑輪443-1及第一 受驅動滑輪443-2。 [0_ 第一驅動馬達441的旋力經由第一皮帶-滑輪裝置443而傳 動至氣動組件426以旋轉氣動組件426，並且當氣動組件 426轉動時，經循序地組裝於氣動組件426下方的波紋管 425、拋光墊座422及拋光墊423亦轉動《此時，第一驅 動組件440的第一驅動馬達441可按順時針或逆時針方向 旋轉。亦即，拋光墊423可按順時針或逆時針方向旋轉， 即如第6A及6B圖中所示者。由於拋光墊423的旋轉方向可 在順時針或逆時針方向改變，因此在當按與基板w之旋轉 方向相同的方向’或者按與基板#之旋轉方向相反的方向 轉動拋光墊423時，可對基板w進行拋光。 [0045]第二驅動組件460係用以在一水平面上移動拋光頭42〇， 藉以擺動在基板W上的拋光頭420。第二驅動組件460包含 擺動支臂461、一垂直支臂462、一第二驅動馬達463及 一第二皮帶_滑輪裝置464。擺動支臂461的一端係水平地 連接於地光頭420之載殼421的一側，並且垂直支臂421 係自擺動支臂461之底側而垂直地連接於擺動支臂461的 另一端。第二驅動馬達463經由第二皮帶-滑輪裝置464將 1013346853-0 09714498#·单編號A〇101 第13頁/共35頁 1380358 101:年.09月12日梭正替換頁 旋力提供予垂直支臂462。第二皮帶-滑輪裝置464可包含 一第二驅動滑輪464-1、一第二受驅動滑輪464-2及一第 二皮帶464-3。第二驅動滑輪464-1係設置於第二驅動馬 達463的旋轉轴處。第二受驅動滑輪464-2係設置於垂直 支臂的一外側處。第二皮帶4 6 4 - 3係纏繞於第二驅動滑輪 464-1及第二受驅動滑輪464-2。 [0046] 第二驅動馬達463的旋力經由第二皮帶-滑輪裝置464而傳 動至垂直支臂462以垂直支臂462為中心旋轉軸轉動垂直 支臂462，並且當垂直支臂462旋轉時，擺動支臂461於 垂直支臂462周圍擺動。如此，其上架置有拋光墊423的 拋光頭42 0即可沿一圓形曲線路徑而移動。 [0047] 第三驅動組件480是用以朝上及朝下移動拋光頭420。第 三驅動組件480包含一支撐塊482、一導引組件484及一 線性驅動單元486。支撐塊482支撐垂直支臂462，並且 垂直支臂462受轴承482a及482b可旋轉地支撐。線性驅 動單元486提供驅動力以供線性地朝上及朝下移動支撐塊 482。可利用一線性驅動組件，例如一汽缸組件或一線性 · 馬達’以作為線性驅動單元486。導引組件484導引支撐 塊482的線性移動。 [0048] 線性驅動單元486的線性驅動力被傳動至支撐塊482，藉 以將支撐塊482，並連同於由支撐塊482所支撐的垂直支 臂462 —起朝上及朝下方向移動。當垂直支臂朝上及朝下 移動時’其上架置拋光墊423的拋光頭420即朝上及朝下 移動。 09714498^單编號 Α0101 第14頁/共35頁 1013346853-0 Γ380358 1101年.09月12日按正替^頁 [0049] 在利用拋光墊423重複執行拋光製程的情況下，應週期性 地拋光拋光墊423的表面，藉此調整拋光墊423的表面粗 糙度。為此，即如第1圖所示，於製程腔體1()内在接近拋 光單元400的位置處提供拋光墊整理單元5〇〇。 [0050] 第7圖係一外觀視圖，其中說明第1圖的拋光墊整理單元 500，並且第8圖係一側視截面視圖，其中說明第7圖的拋 光墊整理單元500。第9及10圖為用以說明拋光墊整理單 元500之一操作狀態的視圖。 # [0051] 參照第7至10圖，抛光整整理單元5〇〇包含一製程槽51〇 ，其具有一圓筒形狀，並具有一開放頂部以供收納其上 架置拋光墊423之拋光頭420的一端。製程槽51〇包含有 一底壁512、一自底壁512之邊緣而朝上延伸的側壁514 以及一支撐框架516係設置於底壁512的底侧處。製程槽 510的底壁512可包含一第一底壁512a，其具有一第一高 度；以及一第二底壁512b ,其具有一低於第一高度的第 二高度。 ® [0052] 一鑽石修整器520係設置於製程槽51〇的第一底壁5123處 。鑽石修整器520係接觸於拋光墊423以對拋光墊423的 表面進行拋光。鑽石修整器520可為一環狀或圓形形狀。 鑽石修整器520可擁有-對應於第一底壁512a之大小的尺 寸。或另者，可提供複數個且均較第一底壁512a為小之 鑽石修整器520。 [0053] 第一及第二去離子水供應組件530及540係設置於製程槽 510處，藉以將去離子水供應至製程槽51()的第一底壁 09714498^單編號 A0101 第15頁/共35頁 1013346853-0 1380358 Ιύϊ年的月ΐ2θ梭正番換苜 512a ’以利移除當對拋光墊423進行拋光時所產生的顆粒 。第一去離子水供應組件530係連接至第一底壁512a，藉 以經由第一底壁512a而將去離子水供應至製程槽510内部 ’並且第二去離子水供應組件540係設置於製程槽510之 一側處’藉以自第一底壁512a的上側將去離子水供應至 第一底壁512a。自第一及第二去離子水供應組件530及 540所供應的去離子水在當沿第一底壁512a流過時可將顆 粒移除’接著含有顆粒之去離子水流至低於第一底壁 512a的第二底壁512b。可經由一連接至第二底壁512b之 排水組件550，而從第二底壁512b排放含有顆粒的去離子 水β [0054] 如第9圖所示，係在拋光頭420之一端放置於製程槽510内 的狀態下對拋光墊423進行拋光。此時，第三驅動組件 480 (參照第3圖）可將放置在製程槽510之内的拋光頭 420朝上及朝下移動，藉以帶動拋光墊423而接觸於鑽石· 修整器520。如第10圖所示，在此狀態下，第一驅動組件 440 (參照第3圖）轉動拋光墊423，並且第二驅動組件 460 (參照第3圖）在一水平面上移動拋光墊423,藉以於 鑽石修整器520上掃描（移動）拋光墊423。此時，第一及 第二去離子水供應組件530及540將去離子水供應至製程 槽510，藉此移除拋光墊423進行拋光時所產生的顆粒， 然後再經由排水組件550將去離子水排放至外部。 [0055] 根據本發明，可藉由一種單一類型基板處理方法，而其 中是按逐一方式處理基板，以在相同的製程腔體中抛光 並清潔半導體基板。 〇9714498^減删1 第16頁/共35頁 1013346853-0 1380358 101年.09月12日修正替換頁 [0056] [0057]

前揭主題項目應被視為示範性且非限制性，並且後載申 請專利範圍係為以涵蓋所有此等歸屬本發明之真實精神 與範疇内的修改、強化以及其他具體實施例。因此，即 以法律所允可之最大範圍，本發明範圍應由後文申請專 利範圍及其等同項目之最寬廣可容允解譯所決定，並且 不應受限或受制於前揭詳細說明。 【圖式簡單說明】 隨附圖式係納入以供進一步暸解本發明，並獲併入於本 規格文件中且組成其一部份。圖式說明多項本發明示範 性具體實施例，並連同本文說明以供解釋本發明原理。 在圖式_ : 第1圖係一外觀視圖，其中說明一根據本發明之一具體實 施例的單一類型基板處理裝置； 第2圖係一側視截面視圖，其中說明一製程容器及第1圖 的基板支撐單元； 第3圖係一外觀視圖，其中說明第1圖的拋光單元； 第4圖係一側視截面視圖，其中說明第3圖的拋光單元； 第5圖係一放大視圖，其中說明第4圖的拋光頭； 第6A及6B圖為視圖，此等係用以說明一利用一拋光墊的 示範性拋光製程； 第7圖係一外觀視圖，其中說明第1圖的拋光墊整理單元 第8圖係一側視截面視圖，其中說明第7圖的拋光墊整理 單元； 第9圖係一戴面視圖，此圖係用以說明拋光墊整理單元的 一操作狀態；以及 09714498#单編號 A0101 第17頁/共35頁 1013346853-0 1380358 101:年09月12日核正替_頁 第10圖係一平面視圖，此圖係用以說明拋光墊整理單元 的一操作狀態。 【主要元件符號說明】 [0058] 1單一類型基板處理裝置； 10製程腔體； 100製程容器； 110第一收集桶； 120第二收集桶； 130第三收集桶； 141第一收集線； 143第二收集線； 145第三收集線； 150垂直移動器； 200基板支撐單元； 210支撐板； 211腳針組件； 220支撐軸； 230驅動單元； 310清潔單元； 320清潔單元； 400拋光單元； 420拋光頭； 421載殼； 422拋光墊座； 422a磁鐵組件； 423拋光墊； 0971449#單魏 A〇101 第18頁/共35頁 1013346853-0 101年.09月12日核正替換頁 1380358 424金屬板； . 425波紋管； 4 2 6氣動組件； 427a抽承； 427b軸承； 440第一驅動組件； 441第一驅動馬達； 441a旋轉軸； 443第一皮帶-滑輪裝置； ® 443-1第-驅動滑輪； 443-2第一受驅動滑輪； 443-3第一皮帶； 460第二驅動組件； 461擺動支臂； 462垂直支臂； 463第二驅動馬達； 464第二皮帶-滑輪裝置； _ 464-1第二驅動滑輪； 464-2第二受驅動滑輪； 464-3第二皮帶； 480第三驅動組件； 482支撐塊； 4 8 2 a軸承； 4 8 2 b軸承； 484導引組件； 486線性驅動單元； 0971449# 單編號 A〇101 第19頁/共35頁 1013346853-0 101：年09月12自核正替换頁 1380358 500拋光墊整理單元； 510製程槽； 512底壁； 512a第一底壁； 512b第二底壁； 514側壁； 516支撐框架； 520鑽石修整器；

530第一去離子水供應組件； 540第二去離子水供應組件； 550排水組件； S1第一收集空間； S2第二收集空間； S3第三收集空間；以及 W基板。

0971449#單编號 A_ 第20頁/共35頁 1013346853-0

Claims (1)

1380358 101年09月12日修正替換頁 七 • 1 V申請專利範圍： .一種單一類型基板處理裝置，係包含： 一製程腔體，係於該製程腔體内進行一基板處理製程； 一基板支撐單元，係置放一基板並設置於該製程腔體内， 且該基板支撐單元用以旋轉該基板； 一拋光單元，係設置於該製程腔體内之該基板支撐單元之 一側，以化學及機械方式對該基板進行拋光，該拋光單元 更包含： • 一拋光頭，係架置一拋光墊於該拋光頭上，用以拋光該 基板，該拋光頭更包含： 一載殼，係具有一開放底側的圓柱形狀； 一拋光墊座，係設置於該載殼之該開放底側，用以連接該 拋光墊； 一波紋管，係設置於該拋光墊座的一頂部表面上；以及 一氣動組件，係用以將一氣壓施加於該波紋管； 一第一驅動組件，係以該拋光頭為中心旋轉軸作旋轉，用 • 以旋轉該拋光頭； 一第二驅動組件，係於一水平方向移動該拋光頭，該第二 驅動組件更包含： 一擺動支臂，係具有一端點，且水平連接該載殼； 一垂直支臂，係垂直接於該擺動支臂的另一端點；以及 一第二驅動馬達，係對該垂直支臂提供旋力；以及 一第三驅動組件，係於一垂直方向移動該拋光頭，該第三 驅動組件更包含： 一支撐塊，係用以支撐具旋轉性的該垂直支臂；以及 09714498ί 單編號 A_ 第21頁/共35頁 1013346853-0 1380358 ίοι年:〇9| i2自接正眷接頁 一線性驅動單元，係用以線性地垂直移動該支撐塊；以及 一清潔單元，係設置於該製程腔體内之該基板支撐單元之 另一側上，用以清潔該基板。 2 .如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該拋光墊係接附於一金屬板之一侧，且該拋光墊座係包 含一磁鐵組件，係安裝於該金屬板之另一側，且藉由一磁 力使其卸解地接附於該拋光墊座。 3.如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該第一驅動組件係包含： 一第一驅動馬達； 一第一驅動滑輪，係將該第一驅動馬達之一旋轉軸插入於 該第一驅動滑輪内；一第一受驅動滑輪，係於該第一受 驅動滑輪安裝該氣動組件；以及 一第一皮帶，係纏繞於該第一驅動滑輪及該第一受驅動滑 輪，藉以將該第一驅動馬達的旋力自該第一驅動滑輪傳動 至該第一受驅動滑輪。 4 .如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，係 更包含： 一第二驅動滑輪，係將該第二驅動馬達之一旋轉轴插入於 該第二驅動滑輪； 一第二受驅動滑輪，係將該垂直支臂插入於該第二受驅動 滑輪；以及 一第二皮帶，係纏繞於該第二驅動滑輪及該第二受驅動滑 輪，藉以將該第二驅動馬達的旋力自該第二驅動滑輪傳動 至該第二受驅動滑輪。 5.如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，其 單職删1 第22頁/共35頁 1013346853-0 Γ380358 101年09月12日梭正替換頁 中該第一驅動組件之該第一驅動馬達及該第一驅動滑輪係 設置於該擺動支臂内，且該第一皮帶係設置於該擺動支臂 之一内部區域，且纏繞該第一驅動滑輪及該第一受驅動滑 輪0 6 .如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，更 包含一導引組件，係用以導引該支撐塊線性地垂直移動。 7. 如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該第一驅動組件旋轉該拋光頭之一旋轉方向與放置在該 基板支撐單元上之基板的一旋轉方向相反。 8. 如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，更 包含一拋光墊整理單元，其係設置於該基板支撐單元的另 一側，藉以對.該拋光單元的拋光墊進行拋光以調整該拋光 墊的表面粗糙度。 9. 如申請專利範圍第8項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該拋光墊整理單元包含： 一製程槽，具有一開放頂側，以供容納其上架置有該拋光 墊之該拋光頭的一端；以及 一鑽石修整器，係設置於該製程槽的一底部表面，且藉由 接觸該拋光墊對該拋光墊進行拋光" 10 .如申請專利範圍第9項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該鑽石修整器係為環形形狀，且以複數個之方式設置於 該製程槽的底部表面。 11 .如申請專利範圍第9項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該製程槽的底部表面係包含一第一底部表面和一第二底 部表面，該第二底部表面係低於該第一底部表面，以及該 鑽石修整器係設置於該第一底部表面。 09714498产單編號 A〇101 第23頁/共35頁 1013346853-0 1380358 i 01牟—Ο 9月12曰修正替换頁 12 .如申請專利範圍第11項所述之單一類型基板處理裝置，更 包含： 一第一去離子水供應組件，係連接至該第一底部表面，且 經由該第一底部表面將去離子水供應至該製程槽的一内部 區域；以及 一排水組件，係連接該第二底部表面，且經由該第二底部 表面排出供應至該製程槽之該内部區域的去離子水。 13 .如申請專利範圍第12項所述之單一類型基板處理裝置，更 包含一第二去離子水供應組件，其係設置於該製程槽，藉 以將去離子水供應至該製程槽之該内部區域朝向該第一底 部表面。 14 .如申請專利範圍第9項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該第三驅動組件垂直移動容納於該製程槽内的拋光頭以 帶動該拋光墊而接觸於該鑽石修整器，該第二驅動組件於 一水平面上移動該拋光頭，且在該鑽石修整器上掃描該拋 光頭，以及該第一驅動組件旋轉該拋光墊。 15.如申請專利範圍第1項所述之單一類型基板處理裝置，其 中該清潔單元係包含：一清潔液體供應組件，係供應一 清潔液體於該基板的方向；以及 一超音波清潔組件，係施予超音波於該清潔液體，該清潔 液體係提供給該基板。 16 . —種單一類型基板處理方法，係應用於如申請專利範圍第 1項所述之一種單一類型基板處理裝置，其包含帶動該拋 光墊接觸一基板的頂部表面以拋光該基板的頂部表面，其 中該拋光墊藉由延屐設置該波紋管以緊密接觸於該基板， 該波紋管係位於該拋光墊之上側。 09714498#單编號 A〇101 第24頁/共35頁 1013346853-0 Γ380358 101年09月12日核正替換頁 17 如申請專利範圍第16項所述之單一類型基板處理方法，其 中該拋光墊對該基板進行拋光時，該拋光墊之旋轉方向和 該基板之旋轉方向相反。

0971449#單編號組01 第25頁/共35頁 1013346853-0