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JP2001291690A - 研磨装置及び方法 - Google Patents

研磨装置及び方法

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Publication number
JP2001291690A
JP2001291690A JP2001019020A JP2001019020A JP2001291690A JP 2001291690 A JP2001291690 A JP 2001291690A JP 2001019020 A JP2001019020 A JP 2001019020A JP 2001019020 A JP2001019020 A JP 2001019020A JP 2001291690 A JP2001291690 A JP 2001291690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
work holding
holding plate
work
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001019020A
Other languages
English (en)
Inventor
Etsuo Kiuchi
悦男 木内
Toshiyuki Hayashi
俊行 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd, Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Priority to JP2001019020A priority Critical patent/JP2001291690A/ja
Publication of JP2001291690A publication Critical patent/JP2001291690A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】ワーク(ウェーハ等)の高効率、高精度鏡面加
工を可能とした研磨装置、研磨方法、ワークを効率的に
保持する新規なワーク保持盤及びワークを当該ワーク保
持盤へ高精度に接着することのできるワークの接着方法
を提供する。 【解決手段】研磨定盤29とワーク保持盤38とを有し
ワーク保持盤38に保持されたワークWを研磨剤溶液を
流しつつ研磨する研磨装置28であって、研磨動作時に
おける研磨定盤29の定盤表面の法線方向での変形量及
び/又はワーク保持盤38のワーク保持面の法線方向で
の変形量を100μm以下に抑制するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワーク、例えばシ
リコンウェーハ(単にウェーハということがある)等の
高効率、高精度鏡面加工を可能とした研磨装置、研磨方
法、ワーク(例えばウェーハ等)を効率的に保持する新
規なワーク保持盤及びワークの当該ワーク保持盤への接
着方法に関する。
【0002】
【関連技術】シリコンウェーハの大直径化とそれを用い
て製作されるデバイスの高精度化を反映して、研磨仕上
げされるシリコンウェーハ(研磨ウェーハ)の仕上げ精
度(厚さ均一性、平坦度、平滑性)に対する要求はます
ます高度化しつつある。
【0003】このような要求を満たすため、ウェーハの
研磨加工技術の向上が計られると共に、研磨加工装置の
開発、改善がなされてきた。
【0004】その一つとして、特に直径300mm、ない
し、それ以上の大直径ウェーハの研磨を目的に、いわゆ
る枚葉式研磨装置が新たに開発され、一部は実用に供さ
れている。
【0005】しかしながら、枚葉式研磨方法には生産
性の点でウェーハの価格低減への要求に対応が困難であ
り、最近のウェーハ周縁近傍(2mm以内)までの平坦
度の要求に十分対応できない、等の問題が生じてきた。
【0006】一方、従来から広く用いられてきた複数枚
のウェーハを同時に研磨するバッチ式研磨装置では、図
19に研磨作用に直接関与する部分の構成の概要を示し
たように、回転軸17により所定の回転速度で回転され
る研磨定盤10の上面に貼設された研磨布16の表面
に、1枚ないしは複数枚のウェーハWを接着等の手段に
よって回転シャフト18によって回転せしめられるワー
ク保持盤13の下面に保持して、例えば上部荷重15を
用いることによってウェーハの被研磨面を所定の荷重で
押し付け、同時に研磨剤供給装置(図示せず)より研磨
剤供給用配管14を通して所定の流量で研磨剤溶液(以
下スラリーということがある)19を研磨布16上に供
給し、この研磨剤溶液19を介してウェーハWの被研磨
面が研磨布16表面と摺擦されてウェーハWの研磨が行
われる。
【0007】このバッチ式研磨装置は、ウェーハの大直
径化と共に装置が大型化し、研磨定盤やワーク保持盤の
自重や研磨圧による撓み、研磨による発熱に起因する熱
変形の他に、さらにこれらが回転する時の種々の機械的
ブレが原因による研磨定盤やワーク保持盤の変形、変動
によってウェーハの仕上げ精度が影響されるために、ウ
ェーハの仕上げ面の精度に対する要求を満足することが
困難となりつつある。
【0008】このような課題に対処するため、研磨装置
の構造や材質、ならびに研磨装置の運転条件や研磨条件
について種々の創意工夫がなされてきた。例えば、装置
の構造、とくに(a)研磨定盤についてその熱変形を防
止するために、図20に示すように、上面に研磨布16
を貼付した上定盤12の裏面に、冷却水Hを循環させる
ための多数の凹部21を設けた下定盤23を別体として
設けると共に、研磨圧力による変形防止のために定盤背
面にリブを設けること、さらに熱変形の抑制を効果的に
実施するため、例えば特開平7−52034号公報や特
開平10−296619号公報に示される如く、研磨定
盤構造と冷却水流路の配置に工夫がなされてきた。
【0009】しかし、図20に示した従来の研磨定盤1
0においては、例えば、SUS410を上定盤12と
し、それに冷却水流路を設けたFC−30の如き鋳鋼製
の下定盤23とを上下に締結具11等で締め付けて結合
させる構造が用いられていて、研磨動作時に上定盤の上
下両面間に生じる温度差が従来の研磨方法では3℃以
上、多いときには5℃以上となるために、上定盤の上面
は上下面の間に温度差のない場合の上面を基準面として
場所によっては100μm以上の上下方向の高低差(変
形)が生じる不都合があった。
【0010】また、 (b)研磨定盤材料に熱膨張係数の
小さい(8×10-6/℃)材料を使用すること(WO9
4/13847号公報)、セラミックスを用いて冷却水
の循環流路を内部のほぼ全域にわたって設けた一体構造
の研磨定盤(実開昭59−151655号公報)等のほ
か、さらに(c)ワーク保持盤についても、同様にウェー
ハ保持面の温度均一性を向上させる目的で温度制御用流
体を保持盤内部に循環させること(特開平9−2959
1号公報)が提案されてきた。
【0011】又、研磨作用に伴なう発熱によるウェーハ
や研磨布の温度上昇を抑制するために、先述のワーク保
持盤や研磨定盤の冷却の他に、研磨作用面に直接供給す
る研磨剤溶液(通常コロイド状シリカの弱アルカリ性水
溶液が用いられる)にも冷却機能を持たせ、純粋に研磨
作用に必要な供給量以上の量を研磨布上に供給し、研磨
部位から排出された研磨剤溶液はコスト低減のために循
環使用することが行われてきた。
【0012】しかしながら、従来の研磨装置の構成並び
に上述のような冷却方式では研磨中の研磨布表面の温度
は研磨開始から次第に上昇し、特にウェーハの被研磨面
と摺擦される部分ではその値は通常10℃以上に達し、
その部分に相当する直下の研磨定盤の上面部分の温度も
3℃以上上昇する。
【0013】一方、定盤下面部分の温度は冷却水による
温度上昇抑制の効果もあって、その温度変化は1℃以内
に抑制される。したがって、研磨定盤の上面と下面の間
のみならず研磨定盤上面の高温部分と低温部分の間にも
少なくとも3℃以上の温度差が生じ、このために生じる
熱変形によって定盤表面形状は温度差が存在しない場合
に対し表面の法線方向に100μm以上変形変位する部
分が生ずる。
【0014】さらに、ワーク保持盤もシリコンウェーハ
の大直径化に対応して大型化し、例えば、直径8インチ
ウェーハの研磨用のワーク保持盤ではその直径がおよそ
600mmとなり、それと共にワーク保持盤の重量も増
大してきた。
【0015】したがって、研磨加工面における発熱によ
るワーク保持盤の熱変形のみならず自重による研磨時の
変形が問題となり、これを抑制するために、ワーク保持
盤の厚さを厚くしたり、或いはセラミック(シリコンカ
ーバイド、アルミナ)等の縦弾性係数の大きい材料を用
いて変形量を小さくすることが試みられてきた。
【0016】また、従来のバッチ式研磨においては、例
えば図21に示すごとく、研磨されるべきウェーハWは
ワーク保持盤20のワーク接着面20aに接着剤22を
介して接着する方式が用いられてきた。
【0017】その際、接着剤22層中やウェーハ又はワ
ーク保持盤20と接着剤22との界面にエアーが残留し
ないようにすることが重要である。そのために図21に
示したように加圧ヘッド25の下面に下方に凸状に湾曲
するように設けられたエアバッグ27を加圧シリンダー
26によってウェーハWの上面(接着される面と反対側
の面)に押し当て、ウェーハ被接着面の中心部から周縁
に向けて順次ワーク保持盤に押し付けることによって接
着部位のエアーをウェーハの外周縁部に向けて押し出す
ようにして接着される。しかし、このようなウェーハ加
圧用部材24による押圧方法によって、ウェーハWとワ
ーク保持盤との境界層におけるエアーは押し出される
が、他方接着剤層22の厚さはウェーハ中心部で薄くな
りやすく、そのためにウェーハWは撓んだ状態で接着さ
れるという不都合があった。
【0018】従来、ウェーハの接着に用いられる接着剤
には研磨時の研磨剤溶液に対する耐性、非潤滑性、研磨
発熱によるウェーハ温度上昇を介しての接着剤温度上昇
による特性変化等の要因を考えて、天然ロジン、合成ロ
ジンエステル、蜜蝋、フェノールレジン等が用いられて
きたが、この種の接着剤による接着作用は、主として物
理接着機構に依存しており、接着は次の様にして行われ
る。すなわち接着剤を溶媒に溶解して接着面に塗布後、
溶媒を蒸発除去したのち加熱によって接着剤を軟化溶融
状態に保ちつつウェーハをワーク保持盤に所定の圧力で
押し付け、その後常温に冷却することによって接着剤が
固化して接着が行われる。
【0019】このように接着工程において、ウェーハ及
びワーク保持盤を、例えば50〜100℃に加熱するこ
とが必要で、この際の熱履歴によるウェーハ、ワーク保
持盤の変形によって加工精度向上が阻害される。また、
そのために特別の装置設備とエネルギーを必要とするこ
と等、コストの面からも問題であった。
【0020】一方、常温で接着作用を実現しうる既存の
所謂常温接着剤は、研磨剤溶液に対する耐性、ウェーハ
のワーク保持盤からの剥離やウェーハ、ワーク保持盤か
らの接着剤の除去の困難さのため実用上使用が不可能で
あった。
【0021】また接着部位の接着剤層中に気泡が残留す
ることを防止するためにウェーハをその被接着面をワー
ク保持面に対し傾斜させた状態で、その一端から順次接
着剤を介してワーク保持盤に押し付けて、ウェーハ被接
着面とワーク保持面との間に介在するエアーをウェーハ
の被接着面の一端から他端へ向けて排除するようにして
接着する方法や、前述した図21に示すようにワーク保
持盤20に配置したウェーハWの上面より凸面形状の弾
性体(エアバッグ)27によってウェーハ中心部より順
次ワーク保持盤20に押し付けるようにしてエアーを外
方に排除する方法、さらにはワーク保持盤20全体或い
はウェーハW毎に、図22に示す如くワーク保持盤20
の保持面で気密を保つように囲撓し、その内部を減圧状
態にすることによってエアーを残留させない手段等が実
施されてきた。
【0022】図22において、1は真空容器、2はベロ
ーズ、3はベローズ昇降用シリンダー、4はベローズ内
圧調整用配管、5は真空容器内圧調整用配管、6は真空
吸着用配管、20はワーク保持盤及びWはウェーハであ
る。
【0023】図21に示したウェーハの被接着面の一部
から順次ワーク保持盤に押し付ける方法では接着剤層の
厚さが不均一(0.5μm以上)となる欠点が、又図2
2に示したウェーハ或いはワーク保持盤全体を減圧状態
として接着する方法では特別の装置、治具を必要とし、
工程が繁雑化すること、又装置、治具からの発塵が問題
となる。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにウェーハ
の研磨加工仕上げにおいては、研磨装置、中でも直接被
加工物であるウェーハを保持するワーク保持盤、及びウ
ェーハと接触する研磨布を貼着する研磨定盤の種々の原
因による変形や装置運転時の変動のみならずワーク保持
盤へのウェーハの接着方法においても、現在及び将来に
わたってデバイス製造技術の高度化に対応した高精度の
仕上げを達成するには障害となる種々の要因が存在す
る。
【0025】本発明者らは、高精度の研磨仕上げウェー
ハ、特には直径が300mm以上の大直径の高精度ウェー
ハを安定かつ効率よく生産するために、研磨装置の構
造、構成、材質のみならずウェーハの接着装置や接着方
法を含むウェーハ研磨に係る全工程について高精度加工
に障害となる要因を抜本的に検討し、かつ装置の試作、
システムの構成、ならびに運転条件等について実験的に
検討研究を行った結果、ウェーハ接着方法のみならず研
磨装置の機能、性能を総合的に高め、さらにその運転方
法を根本的に改善することによって高精度の研磨ウェー
ハを安定して製造することに成功した。
【0026】中でも、高精度(高平坦度)のウェーハ研
磨のためには研磨布を貼設し、研磨布の形状を保持する
ための基盤である研磨定盤或いはウェーハを保持する基
体であるワーク保持盤が研磨動作時において変形するこ
とがその大きな障害となることを見出し、その変形量が
研磨定盤の上面について、又ワーク保持盤のワーク保持
面についてそれぞれそれらの面の法線方向での変形量が
100μm、好ましくは30μm以下、さらに好ましくは
10μm以下に保つように研磨することが効果的である
ことを見出した。
【0027】本発明は、ワーク(ウェーハ等)の高効
率、高精度鏡面加工を可能とした研磨装置、研磨方法、
ワークを効率的に保持する新規なワーク保持盤及びワー
クを当該ワーク保持盤へ高精度に接着することのできる
ワークの接着方法を提供することを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の研磨装置の第1の態様は、研磨定盤とワー
ク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワークを研
磨剤溶液を流しつつ研磨する研磨装置であって、研磨動
作時における研磨定盤の定盤表面の法線方向での変形量
及び/又はワーク保持盤のワーク保持面の法線方向での
変形量を100μm以下に抑制したことを特徴とする。
これらの変形量を30μm以下に抑制すればさらに好適
である。
【0029】本発明の研磨装置の第2の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨剤溶液を流しつつ研磨する研磨装置であっ
て、該研磨定盤が鋳造によって一体として形成され、該
研磨定盤の構造は背面に複数の凹部及び/又はリブを有
しかつ定盤内部に温度調整用流体の流路を形成すると共
に該流路を形成しない部分は内部リブ構造として作用す
るようにしたことを特徴とする。
【0030】すなわち、本発明の研磨装置の一つの大き
な特徴である一体かつ温度調整用流体の流路及び定盤背
面に凹部及び/又はリブを有しかつ定盤内部にも内部リ
ブ構造を有する構造では、 (1)従来用いられてきた図16および図17に例示し
た上定盤12と下定盤13を締結具11で締め付ける構
造や特開平10−296619号公報に示される二層構
造の定盤に比べて強度が高く熱変形や冷却水圧力による
変形を低く抑えることができる。 (2)したがって、その分全体の定盤の厚さを薄く軽量
化を図ることが出来る。 (3)締結具の緩み等の経年変化がない。 (4)締結個所が不要のため、冷却用(温度調整用)流
体の流路を広く配置することが出来、伝熱面積を大きく
かつ流路による圧損を低減出来るので大量の流体を流す
ことが可能で、冷却効果が大幅に向上する。 (5)定盤の薄肉化が可能であるので定盤表面から冷却
水流路までの距離を短くすることが可能となりその分さ
らに冷却効果が高められる。 等の利点があり、定盤上面の基準面に対する変位も任意
の点において100μm以下、さらに下記に述べる本発
明の種々の構成を採用することによって30μm以下、
理想的な状態では10μm以下に抑制することができ
る。
【0031】上記研磨定盤の材料の熱膨張係数の値は、
5×10-6/℃以下であり、かつその耐食性がステンレ
ス鋼とほぼ同等であるのが好ましい。
【0032】上記研磨定盤の材料としては、インバー、
即ち、鋳鋼であるステンレスインバー材、例えば、SL
E−20A(新報国製鉄(株)製)を用いると熱膨張係数
(α=2.5×10-6/℃、αは線膨張係数)はSUS
410(α=1.03×10-5/℃)に比べおよそ1/
4となるので、変形量30μm以下が実現できる。さら
に、このように鋳鋼の鋳込みによって研磨定盤を製作す
ることによって一体構造が可能となりかつその後の定盤
の精密加工仕上げが容易となる。
【0033】本発明の研磨装置の第3の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨する研磨装置であって、温度調整用流体の流
量及び/又は温度を制御することによって研磨動作時に
おける研磨定盤の温度変化及び/又はワーク保持盤の温
度変化を所定範囲内に制御することを特徴とする。
【0034】上記した研磨動作時における研磨定盤及び
/又はワーク保持盤の任意の位置における温度変動は3
℃以内とするのが好適であり、2℃以内とするのがさら
に好適である。この目的を達成するために温度調整用流
体流路を内部に形成する一体構造の研磨定盤は先述の様
に温度調整用流体と定盤との接触面積を大きくすること
が可能であって極めて有効である。
【0035】また、研磨を行う際に、上記研磨剤溶液の
温度及び/又は流量を制御して研磨動作時における研磨
布の研磨面の任意の位置における温度の変動を10℃以
下、好ましくは5℃以下に制御するのが好適である。
【0036】すなわち、従来の研磨装置によって所定の
研磨速度(0.5〜1.0μm/min)を達成するための通
常の条件の下では研磨作用に伴なう発熱によって研磨布
表面の温度が上昇し、特にウェーハ被研磨面と摺擦され
る部分においてはその温度変化の値は10℃を超える
が、本発明の基本理念である研磨動作中の研磨定盤、或
いはワーク保持盤或いはこれら両者の温度変化(変動)
を3℃以内に抑制し、それらの変形量特に研磨定盤の上
面、或いはワーク保持盤の保持面の法線方向の変形量を
100μm以下、好ましくは30μm、さらに好ましくは
10μm以下とするには研磨加工の際の発熱部位である
研磨布表面及びウェーハの温度変化を10℃以下、好ま
しくは5℃以下とすることが重要である。
【0037】実際の研磨の実行においては先述の通り研
磨定盤上面に研磨の目的と条件に最も適した研磨布を選
択してこれを貼設し、この研磨布とウェーハ被研磨面の
間に研磨剤溶液を供給しつつ、両者を所定の力で押し付
けつつ相対的運動によって摺擦するが、一般に研磨布の
熱伝導率はシリコンや研磨定盤、あるいはワーク保持盤
の材料の熱伝導率の値に比べ1〜3桁低い値を示す。通
常、研磨布の厚さは1〜2mmであって研磨定盤上面と温
度調整用流体流路までの距離(10〜50mm)やワーク
保持盤のワーク保持面と温度調整用流体流路までの伝熱
距離(10〜30mm)に比較して研磨布を通しての研
磨布表面から研磨定盤上面までの熱抵抗が最大となるの
で、研磨布表面温度の研磨動作時の温度変化を10℃好
ましくは5℃以下のできるだけ低い値に抑制すれば、研
磨定盤上面或いはワーク保持盤のワーク保持面の研磨動
作時の温度変化を3℃好ましくは2℃以下に抑制するこ
とが可能である。
【0038】この際、研磨定盤、或いはワーク保持盤の
温度調整用流体による冷却を有効に働かせることが重要
であり、研磨剤溶液の冷却効果を積極的に活用すること
も必要である。
【0039】以上研磨装置及びその運転(研磨)におい
て、研磨作用に直接に関与する部材である研磨定盤及び
ワーク保持盤と研磨剤溶液について本発明の基本理念を
実現するための重要な要件について述べたが、これらを
有効に実現するためには研磨装置の機構や制御に関する
要因も極めて重要である。即ち、研磨定盤の駆動(回
転)に伴なう機械的変動や温度制御の精度が一定の水準
をクリアしていることが必要であり、これらの具体的構
成を以下に記載する。
【0040】上記研磨定盤の回転ムラを1%以下に抑制
するのが好ましい。研磨定盤の回転ムラとは研磨動作時
の研磨定盤の回転数の変動の設定値に対する割合を意味
する。
【0041】上記研磨定盤の研磨面の回転時の面ブレを
15μm以下に抑制するのが好ましい。研磨定盤の研磨
面の回転時の面ブレとは、研磨動作時の研磨定盤の研磨
面の任意の位置における略垂直方向の変動を意味する。
【0042】上記研磨定盤の回転軸の回転ブレを30μ
m以下に抑制するのが好ましい。研磨定盤の回転軸の回
転ブレとは、研磨動作時の研磨定盤の回転軸の任意の位
置における略水平方向の変動を意味する。なお、上記し
た研磨定盤の回転ムラ、研磨定盤の研磨面の回転時の面
ブレ及び研磨定盤の回転軸の回転ブレは、研磨定盤の回
転系の精度を向上させることによりいずれも達成可能な
ことである。
【0043】また、上記ワーク保持盤が背面に凹部を形
成するか、又はリブ構造を有する構成とするのが好適で
ある。このように、ワーク保持盤も研磨定盤と同様にそ
の背面に凹部を形成するか又はリブ構造とすることによ
って強度を保ちつつ、軽量化を図るとともに、この凹部
を温度調整用流体の流路として活用することができる。
【0044】これまでに述べてきたように研磨装置にお
いてワーク保持盤は単にワークを物理的に保持するだけ
でなく、本発明の目的を達成するための重要な要因をな
すもので、とくに研磨動作時の変形を抑制することが重
要である。そのために、機械的強度と熱伝導率の値、加
工性、ウェーハの接着性やさらには経済性をも考慮し、
セラミックス材料、中でもアルミナ或いはシリコンカー
バイド(SiCと略記)を用いるのが好適である。
【0045】また、ウェーハのワーク保持盤への保持方
法には接着剤による以外にウェーハをワーク保持盤のワ
ーク保持面に吸引保持する方法が用いられ、そのために
ウェーハとワーク保持盤の接触領域内にワークを吸引保
持するための複数の細孔が開孔している構造が有用であ
る。
【0046】本発明の研磨方法の第1の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨する研磨方法であって、研磨動作時における
研磨定盤の定盤表面の法線方向での変形量及び/又はワ
ーク保持盤のワーク保持面の法線方向での変形量を10
0μm以下に抑制したことを特徴とする。これらの変形
量を30μm以下に抑制すればさらに好適である。
【0047】本発明の研磨方法の第2の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨剤溶液を流しつつ研磨する研磨方法におい
て、前記研磨定盤上に貼設された研磨布によって前記ワ
ークの被研磨面を研磨する際、研磨動作時における該研
磨布の研磨面の任意の位置における温度の変動を10℃
以下とすることを特徴とする。好ましくは変動を5℃以
下とするのが好適である。
【0048】本発明の研磨方法の第3の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨剤溶液を流しつつ研磨する研磨方法におい
て、研磨中における前記ワークの温度の変動を10℃以
下に抑制することを特徴とする。好ましくは変動を5℃
以下に抑制することが好適である。
【0049】上記研磨動作時における研磨布の研磨面の
任意の位置における温度及び/又はウェーハの温度の変
動を研磨剤溶液の温度及び/又は流量を制御して10℃
以下、好ましくは5℃以下に制御することが本発明の重
要な実施態様である。
【0050】本発明の研磨方法の第4の態様は、研磨定
盤とワーク保持盤とを有しワーク保持盤に保持されたワ
ークを研磨する研磨装置を用いる研磨方法であって、ワ
ーク保持盤に複数のウェーハを次式(1)の関係を2mm
以内の誤差で満足するように配置して保持することを特
徴とする。
【0051】
【数2】 (上式(1)中、R:ワーク保持盤径(mm)、r:ウェ
ーハ径(mm)、x:ウェーハ間距離(mm)、y:ウェー
ハとワーク保持盤外周端距離(mm)、N:ウェーハ枚数
/ワーク保持盤、π:円周率。ここで、ウェーハ間距離
xは隣接するウェーハ外周部の最近接距離である。)
【0052】一つのワーク保持盤に複数枚のウェーハを
保持する場合には保持面上のそれらの配置の仕方が極め
て重要である。すなわち、保持されるウェーハは微視的
にみても可能な限り同じ条件で研磨されること、すなわ
ち各ウェーハ間並びに1枚のウェーハの被研磨面内にお
いて、できる限り一様な研磨条件と研磨速度の実現を図
ることが重要であり、そのためには、被研磨面の温度、
研磨布への押圧力、研磨剤溶液の供給方法、研磨布との
間の相対的運動距離等が重要な因子であり、これらを総
合的に、かつ実験的に検討して上式の関係を得たもので
ある。
【0053】上記式(1)を200mm以上のウェーハ
に適用する場合、すなわちrが200mm以上の場合に
は、5N≦7,5x≦20,7≦y≦22とする必要が
ある。
【0054】ウェーハの直径(r)が増大し、300mm
以上のウェーハに対しては当然のこととしてワーク保持
盤の直径(R)が大きくなる。それに伴って、機械的変
形、温度変化による熱変形等を所定の値以下に抑制する
ためにはワーク保持盤の厚さ(d)を直径(R)に応じ
て大きくすることが必要となり、種々検討の結果、本発
明の基本理念である研磨動作時のワーク保持盤の保持面
の法線方向の変形量を100μm以下、好ましくは30
μm以下にするためには、ワーク保持盤の厚さdをaR
<d<bR(a=0.04〜0.08,b=0.10〜0.
12)とするのが好ましい。
【0055】本発明の研磨方法の第5の態様は、上記し
た本発明の研磨装置を用いてシリコンウェーハを研磨す
ることを特徴とする。
【0056】上記第3の態様の研磨方法においては、温
度変化が±2℃以内の環境において実施するのが好まし
い。即ち、このような高精度研磨加工の実現には研磨装
置の稼動する周囲の環境温度の変動は所定の温度の±2
℃以内であることが好ましい。
【0057】ワーク(ウェーハ)のワーク保持盤への保
持の仕方、並びにその保持の状態の精度、即ちワーク保
持面の平坦度と共に保持面とウェーハの被接着面との間
隔の一様性が重要である。特に、接着剤を用いてウェー
ハをワーク保持盤へ接着保持する場合には、ウェーハと
ワーク保持盤との間の接着剤層中の残留気泡、接着時に
おけるウェーハの撓み、接着剤層の厚さとその均一性が
問題である。
【0058】そこで、本発明のワークの接着方法は、接
着領域内にワークを吸引保持するための複数の細孔が開
孔しているワーク保持盤を用いワーク保持盤背面側から
細孔を介してエアーを排気しつつウェーハを接着剤にて
ワーク保持盤に接着することを特徴とする。このような
構成により、前述した従来方法の欠点を除き、かつウェ
ーハとワーク保持盤の間の接着剤層の厚さを薄く、かつ
その厚さの均一性を高めることが可能となる。
【0059】この際、接着を容易に実行するためには接
着温度を常温(20℃〜30℃)で実施することが好ま
しく、接着を有効に実施しかつ接着後における接着剤層
の厚さの均一性(高精度のウェーハ加工には厚さの偏差
が0.015μm以内であることが望ましい)を高め、接
着剤層中の残留エアーを極力少なくするためには塗布時
から接着前の段階における接着剤の粘度が1mPa・s〜1
0mPa・sの間に調整することが好ましい。
【0060】研磨発熱をウェーハを介してワーク保持盤
の温度調整用流体によって有効に除去するためにはウェ
ーハとワーク保持盤の間に介在する接着剤層による熱抵
抗を極力低くすることが必要であり、又接着剤の弾性変
形による接着剤層厚みの変動を抑制するためにも接着剤
層の厚さはその平均値が0.5μm以下、好ましくは0.
3μm以下であることが好ましく、その厚さの偏差を0.
015μm以下とすることが望ましい。
【0061】本発明のワーク保持盤は、ワーク保持盤の
ワーク接着面の接着領域内にワークを真空吸着するため
の複数の吸着孔をワーク接着面からワーク保持盤背面ま
で貫通して設けたことを特徴とする。
【0062】上記した本発明のワーク保持盤を用いるこ
とによって、上記した本発明のワークの接着方法を効果
的に実施することが可能となる。
【0063】上記ワーク保持盤の背面に凹部又はリブ構
造を設けるのが好ましい。
【0064】上記した本発明のワークの接着方法でシリ
コンウェーハをワーク保持盤に接着保持して研磨するこ
とによって高精度のウェーハ研磨加工仕上げが可能とな
る。この際、上記した本発明の研磨装置を用いると本発
明の基本理念である研磨動作時の研磨定盤の定盤表面の
法線方向での変形量及び/又はワーク保持盤のワーク保
持面の法線方向での変形量を100μm以下、好ましく
は30μm以下に抑制して、高精度研磨加工を実現する
のに極めて有効である。
【0065】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面中図1〜図9に基づいて説明するが、本発明の技術
思想から逸脱しない限り、図示例以外にも種々の変形が
可能なことはいうまでもない。
【0066】図1は本発明の研磨装置の1例を示す一部
省略断面的説明図である。図2は本発明の研磨装置に用
いられる研磨定盤の1例の断面的説明図である。図3は
本発明の研磨装置に用いられるワーク保持盤の1例の断
面的説明図である。図4は本発明のワークの接着方法の
1例を示す説明図である。
【0067】図1において、28は本発明に係る研磨装
置で、研磨定盤29を有している。該研磨定盤29は、
図2に示されるごとく、一体として鋳造によって製作さ
れ、該研磨定盤29の定盤背面には多数の凹部34が設
けられている。該凹部34はシール部材30によって背
面側をシールされて温度調整用流体、例えば冷却水H 1
の流路を構成する。該冷却水H1の流路は後述する定盤
冷却水熱交換器K2と接続され、冷却水H1は該熱交換器
2において熱交換可能とされており、研磨時に研磨定
盤29に発生する熱の吸熱を行う。該研磨定盤29の研
磨面には研磨布31が貼着されている。
【0068】32は該研磨定盤29の背面中央部に設け
られた回転軸、35は該研磨定盤29の表面中央部に設
けられたセンターローラである。該回転軸32の中心部
長手方向には長孔33が穿設され、該長孔33は温度調
整用流体、例えば冷却水H2の流路の一部を構成し、該
冷却水H2の流路は後述する定盤回転軸冷却水熱交換器
4と接続され、研磨装置運転時における定盤回転軸3
2の回転に伴う機械的摩擦による発生熱の吸熱を行う。
7はフレームで、前記研磨定盤29の背面を支持プレー
ト43及びベアリング部材44を介して支持する。
【0069】14は研磨剤供給用配管で、研磨剤供給装
置(図示せず)によって所定の流量、温度に調節された
研磨剤41をセンターローラ35(ガイドローラは不図
示)に開口された研磨剤導入孔42に供給し、これを通
して研磨布31上に研磨剤41が供給される。
【0070】36はトップブロックで、その下面にはゴ
ム等の弾性体37を介してワーク保持盤38が取りつけ
られている。該ワーク保持盤38の接着面にはワーク、
例えばウェーハWが接着剤39によって接着されてい
る。40は該トップブロック36に立設された回転シャ
フトである。
【0071】47は前記回転シャフト40の中心部に設
けられた長孔で、該長孔47は温度調節用流体、例えば
冷却水H4の流路の一部を構成し、該回転シャフト40
に発生する熱の吸熱を行うものでワーク保持盤毎に設け
られる。該冷却水H4の流路は後述するワーク保持盤回
転軸冷却水熱交換器K5と接続され、ワーク保持盤回転
時に回転シャフト40に発生する熱の吸熱を行う。
【0072】図3に示されるごとく、前記ワーク保持盤
38の背面には多数の凹部50が穿設されている。45
は真空吸着用の吸着孔で、ウェーハ接着領域46の内側
に位置する該凹部50の底部から該ワーク保持盤38の
背面まで貫通して設けられている。該吸着孔45は、後
述するごとく、ワーク保持盤38のウェーハ接着領域4
6にウェーハWを接着剤39によって接着する際に、真
空吸引することによって接着を行うために用いられる
が、ウェーハWを研磨する際には該凹部50は温度調整
用流体、例えば冷却水H3の流路の一部を構成する。該
冷却水H3の流路は後述するワーク保持盤冷却水熱交換
器K3と接続され、冷却水H3は熱交換器K3において熱
交換可能とされており、ワーク保持盤38に発生する熱
の吸熱を行うもので、ワーク保持盤個々に設けられる。
【0073】次に、ウェーハWを上記したワーク保持盤
38に接着する方法について図4に基づいて説明する。
図4において、48は接着ベースで、ワーク保持盤38
のウェーハ接着領域46にウェーハWを接着剤39によ
って接着する際に用いられる。該接着ベース48の上面
の該ウェーハ接着領域46に対応する部位には、平底状
の凹部51が穿設されている。該凹部51の底部から該
接着ベース48の下面まで貫通して貫通孔49が開穿さ
れている。
【0074】該貫通孔49は真空ポンプ等による排気系
に接続して該貫通孔49、凹部51、ワーク保持盤38
の凹部50及び吸着孔45を減圧状態としてウェーハW
を該ワーク保持盤38のウェーハ接着領域46に吸引す
ることができる。この時、該ウェーハWと該ウェーハ接
着領域46の間には接着剤39が介在しているが、ウェ
ーハWの接着面が真空吸引されることにより、ウェーハ
Wは大気圧により均一に押圧されるので、接着剤39の
膜厚の均一性は極めて良好であり、又、エアーも下方に
吸引されてしまうため接着剤層中に残留するエアーもほ
とんどない状態で接着を行うことができる。
【0075】ワークWをワーク保持盤38に接着する際
に用いられる接着剤としては、20℃〜30℃の間で接
着能力を発揮することができ、接着時の粘度が1mPa
・s〜10mPa・sである接着剤が好適に用いられる。ま
た、ワーク接着部分の接着剤の厚みの平均値が0.1μ
m〜0.5μmの範囲で、その厚みの偏差が0.015μ
m以内となるように均一接着するのが好適である。好ま
しい接着剤としてはポリオール系ポリウレタン接着剤が
例示され、この接着剤をメタノール、エタノール等のア
ルコール溶媒に溶解したもの、あるいは水性エマルジョ
ンとしたものが、好適である。また、硬化剤としてイソ
シアネート化合物を添加してもよい。
【0076】このようにワーク保持盤38に接着剤層中
に残留エアーがほとんどなく、かつその厚さが極めて高
い一様さで接着されたウェーハWを、図1に示すよう
に、トップブロック36の保持面に取りつけて、研磨定
盤29の研磨布31面に押圧することによってウェーハ
Wの研磨が行われる。
【0077】研磨に際しては、研磨定盤29の発熱は冷
却水H1によって吸熱され、回転軸32の発熱は冷却水
2によって吸熱され、ワーク保持盤38の発熱は冷却
水H3によって吸熱され、そして回転シャフト40の発
熱は冷却水H4によって吸熱される。
【0078】このように本発明の研磨装置28を構成す
る各研磨部材および回転機構にそれぞれ冷却水H1〜H4
を供給できるように構成してあるので、研磨動作時にお
ける研磨定盤29の上面の法線方向の変形量は100μ
m以下、好ましくは30μm以下、さらに理想的には1
0μm以下に、ワーク保持盤38のワーク保持面の法線
方向の変形量を100μm以下、好ましくは30μm以
下、さらに理想的には10μm以下にそれぞれ抑制する
ことが可能となる。
【0079】また、研磨定盤の材料の熱膨張係数の値は
5×10-6/℃以下のものを用いるのが好ましく、この
ような材料としてはFe−Co−Ni−Cr系の所謂ス
テンレスインバー材をあげることができる。
【0080】本発明の研磨装置28は、温度調整用流体
の流量及び/又は温度を制御することによって研磨動作
時における研磨定盤29の温度変化及び/又はワーク保
持盤38の温度変化を所定範囲内に制御することを特徴
的構成の一つとするものである。この特徴的構成は上記
した各冷却水H1〜H4の流量及び温度を制御することに
よって達成することが可能である。即ち、上記した各冷
却水H1〜H4の流量及び温度を抑制することによって研
磨動作時における研磨定盤29の温度変化及び/又はワ
ーク保持盤38のワーク保持面の温度変化を所定範囲、
例えば、好ましくは、それぞれ3℃以内、さらに好まし
くは2℃以内に制御することができる。
【0081】図1及び図2に示した研磨定盤29は本発
明の概念を説明するために模式化して図示したものであ
るが、さらに具体的な研磨定盤29の好ましい構造を図
5〜図7に基づいて説明する。図5は研磨定盤の他の例
について内部の温度調整用流体の流路の平面構造を示す
ための一部切欠き上面図である。図6は図5の研磨定盤
の上部流路部分及び下部流路部分、すなわちそれぞれO
−A線及びO−B線方向の縦断面図である。図7は図5
の研磨定盤の背面図である。
【0082】図5〜図7に示した研磨定盤29の表面2
9aは平面であり、使用時には図1に示したように研磨
布31が貼設される。該研磨定盤29の背面29bに
は、図6及び図7に示されるごとく、多数の環状又は放
射状のリブ8が設けられている。このように多数リブ8
を背面に形成しておくことによって強度を維持し、軽量
化が可能となる。
【0083】該研磨定盤29の内部には温度調整用流
体、例えば冷却水等の流路9a,9bが設けられ、この
うち上部の流路9aは蛇行させる構造とすることによっ
て熱交換が効率的に行われるように工夫されている。
【0084】該上部流路9aは下部流路9bと研磨定盤
の周辺部において連通していて、温度調整用流体を該流
路9に流す場合には、上部流路9aの中心部から周辺部
を経由して下部流路9bの周辺部から中心部へ、またそ
の反対に、下部流路9bの中心部から周辺部を経由して
上部流路9aの周辺部から中心部へ流すことができる。
【0085】続いて、本発明の研磨装置及び研磨方法に
おける特徴の一つである総合熱量制御の事例を図8及び
図9に基づいて説明する。図8は本発明における総合熱
量制御システムを示すブロック図である。図9は本発明
における総合熱量制御のフローチャートである。
【0086】図8及び図9において、Qは総合熱量制御
CPUで、スラリー熱量制御CPU(Q1)、定盤熱量
制御CPU(Q2)、ワーク保持盤熱量制御CPU
(Q3)、定盤の上部及び下部に埋設された温度センサ
2及びS3からの温度信号を電気信号に変換する変換器
1、ワーク保持盤の上部及び下部に埋設された温度セ
ンサS4及びS5からの温度信号を電気信号に変換する変
換器T2及び研磨布表面温度を表示する熱画像装置Uと
接続しており、各機器からの信号に応じて種々の命令を
スラリー熱量制御CPU(Q1)、定盤熱量制御CPU
(Q2)及びワーク保持盤熱量制御CPU(Q3)に対し
て発する作用を行う。なお、変換機T1及びT2は、温度
センサS2,S3及びS4,S5からの電流、赤外線、超音
波等の温度情報に関する信号を電気信号に変換する作用
を有する構成を採用するのが好適である。
【0087】該スラリー熱量制御CPU(Q1)は、ス
ラリー流量センサI1、スラリー出口温度センサS6、ス
ラリー入口温度センサS1、スラリー流量調節器V1、及
びスラリー熱交換器K1と接続しており、スラリー流量
センサI1、スラリー出口温度センサS6及びスラリー入
口温度センサS1からの情報に基づいてスラリー流量調
節器V1及びスラリー熱交換器K1にそれぞれ必要な命令
を出す。
【0088】該定盤熱量制御CPU(Q2)は、定盤冷
却水流量センサI2、定盤出口温度センサS8、定盤入口
温度センサS7、定盤冷却水流量調節器V2及び定盤冷却
水熱交換器K2と接続しており、定盤冷却水流量センサ
2、定盤出口温度センサS8、及び定盤入口温度センサ
7からの情報に基づいて定盤冷却水流量調節器V2及び
定盤冷却水熱交換器K2にそれぞれ必要な命令を発す
る。
【0089】該ワーク保持盤熱量制御CPU(Q3)は
ワーク保持盤個々に対応して設けられ、ワーク保持盤冷
却水流量センサI3、ワーク保持盤出口温度センサ
10、ワーク保持盤入口温度センサS9、ワーク保持盤
冷却水熱交換器K3及びワーク保持盤冷却水流量調節器
3と接続しており、ワーク保持盤冷却水流量センサ
3、ワーク保持盤出口温度センサS10及びワーク保持
盤入口温度センサS9からの情報に基づいてワーク保持
盤冷却水熱交換器K3及びワーク保持盤冷却水流量調節
器V3にそれぞれ必要な命令を出す。
【0090】又、同時に総合熱量制御CPU(Q)に
は、定盤回転軸熱量制御CPU(Q4)および個々のワ
ーク保持盤回転軸熱量制御CPU(Q5)が接続されて
おり、研磨作用に起因する発熱以外の研磨装置の運転に
伴う機械的作用に起因する発生熱量を除去し、研磨装置
の温度変化を抑制して所定の温度に制御する様に構成さ
れている。
【0091】この様に研磨動作時に発生する諸々の熱量
に起因する研磨装置の各構成要素の温度変動を各要素毎
に個々に抑制する事が好ましいが、状況によっては定盤
回転軸熱量制御系を定盤熱量制御系と一体として制御す
ること、あるいは個々のワーク保持盤毎にワーク保持盤
回転軸熱量制御系とワーク保持盤熱量制御系を一体とし
て制御することも可能である。
【0092】さらに定盤回転軸熱量制御系、あるいはワ
ーク保持盤回転軸熱量制御系の温度調整用流体を図示の
如く、例えば水の様な液体ではなくて、気体による外部
冷却方式によって実行することも可能である。
【0093】この際重要な事は、直接研磨作用に起因す
る発熱以外の装置の機械的動作に起因する発熱によっ
て、定盤やワーク保持盤の温度が影響を受けることを出
来るだけ少なくすることである。したがって、又、定盤
回転軸熱量制御CPUやワーク保持盤回転軸熱量制御C
PUを総合熱量制御CPUに接続せずにそれぞれのCP
Uでもって独立に各系統の熱量制御(温度制御)を実施
すること等、本発明の基本理念の実現を阻害しえない限
り各構成要素の温度制御については種々の変形が可能で
ある。
【0094】
【実施例】本発明の内容を実施例によってさらに詳細に
説明するが、本発明の内容はこれに限定されるものでは
なく、その基本理念を満たす限りにおいて例示した以外
の態様にも当然のこととして適用されるものである。
【0095】(実施例1)図1に示した研磨装置と同様
の基本的構成で、研磨定盤と四軸のワーク保持盤回転機
構を有するバッチ式研磨装置を以下のように構成した。 1.研磨定盤:インバー材(新報国製鉄(株)SLE−
20A(Fe−Co−Ni−Cr系)を用い、鋳造加工
によって一体構造とし、図5及び図6に示した冷却水流
路を構成した。さらに図5に定盤上面部分を一部切除し
温度調整用流体の流路9の一部を示したように、該流路
9は蛇行するように形成し、流路9内での流体が乱流と
なりやすく、かつ平均流速を大きくして、伝熱係数をで
きるだけ高めると共に流路9を構成しない部分は内部リ
ブ構造8aとして作用させて定盤強度を維持するように
設計されている。 2.ワーク保持盤:アルミナセラミックス(京セラ
(株)製)を用い、図3に示したようにウェーハ接着部
位に相当する背面に冷却水流路を形成し、かつこの領域
にワーク保持面からワーク保持盤背面に貫通する排気用
細孔(径0.3±0.1mmφ)を総計85個(ウェーハ
1枚当り17個)設けた。 3.研磨布:ロデール社製Suba600を研磨定盤上
面に貼設した。
【0096】4.その他の研磨装置の性能: a)定盤回転ムラ:±0.5% b)定盤上面回転ブレ:15μm c)定盤回転軸ブレ:30μm 5.温度調節系の構成 図8及び図9に示した総合熱量制御システムと同様に、
研磨定盤の温度調節用流体流路系、ワーク保持盤の温度
調節用流体流路系、研磨剤溶液循環系、研磨定盤回転軸
温度調節用流体流路系およびワーク保持盤毎にワーク保
持盤回転軸温度調節用流体流路系の各系統について流体
流量とその温度を調節するように構成した。 6.研磨操作の概要 200mmφのシリコンウェーハ(厚さ750μm)各5
枚を直径565mmの4つのワーク保持盤に次式を満たす
様に、その中心から半径175mmの円周上にウェーハの
中心が等分に分布するように25℃における粘度5mPa
・sに調整した接着剤(ポリオール系ポリウレタン接着
剤のメタノール溶液)を用いて室温(25℃)で接着し
た。接着剤の塗布はスピンコーティング装置を用い、ワ
ーク保持盤へのウェーハの接着は図4に示した装置を用
いて行った。
【0097】
【数3】 (上式(1)中、R:ワーク保持盤径(mm)、r:ウェ
ーハ径(mm)、x:ウェーハ間距離(mm)、y:ウェー
ハとワーク保持盤外周端距離(mm)、N:ウェーハ枚数
/ワーク保持盤、π:円周率)
【0098】この時、ワーク保持盤背面から各ウェーハ
の接着部位毎に別途準備した真空排気装置とワーク保持
盤背面吸引用治具を用いて排気しつつ接着し、接着が完
了するまで(0.5分間)200mmTorr以下に排気を
継続した。このように排気しつつ、接着することにより
接着部位における接着剤層の厚さはその平均値で各ウェ
ーハ毎に0.20〜0.22μmの間、各ウェーハ内での
厚みの偏差は0.012μm以内であった。接着剤層の厚
さはFilmetrics社製の薄膜測定装置である自
動膜厚マッピングシステムF50を用いて測定した。接
着剤層の厚さ測定はスピンコートによる接着剤塗布後に
行ったが、塗布後には溶媒揮散により接着剤の粘度が増
加するので、図4に示した装置を用いワーク保持盤背面
から排気を行っても、排気用細孔へ接着剤が吸引されて
しまうようなことがないことを確認しており、接着後の
接着剤層の厚さが、接着剤塗布後の接着剤層の厚さと実
質的に変わらないといえる。
【0099】このようにしてワーク保持盤に接着したウ
ェーハ合計20枚を以下の条件で研磨した。
【0100】(1)研磨定盤 回転数:30rpm±0.5% 冷却水:50 l/min以下で可変 入口温度:室温−1℃(±0.5℃以内) 出口温度:室温+1℃以下
【0101】(2)ワーク保持盤(自由回転) 付加荷重:ウェーハ面cm2当り250g 冷却水:(1基当り)20 l/min以下で可変 入口温度:室温−1℃(±0.5℃以内) 出口温度:室温+1℃以下
【0102】(3)研磨剤溶液 SiO2含有量:20g/l,pH10.5〜10.8,比重
1.02〜1.03 供給量:30 l/min (4)研磨時間:10min (5)研磨量:10μm (6)室温:25±1℃
【0103】この間各冷却水系統の温度制御を図8及び
図9に示した総合熱量制御システムによって実施した。
特に、研磨布の露出した表面の温度を研磨定盤の半径上
でワーク保持盤の直径に相当する範囲にわたって熱画像
センサを用いて測定し、その平均値が周辺温度(室温)
の3℃以内になるように研磨剤溶液の供給温度(スラリ
ー入口温度)を制御した。その経過を図10に示した。
【0104】このように研磨動作時の研磨布表面の温度
は室温(25℃)の3℃以内に制御された。この場合の
ワーク保持盤背面から研磨定盤下面にわたる温度分布を
解析すると図11のようになり、ワーク保持盤の温度、
研磨定盤の温度は研磨動作前の温度(環境温度=室温)
25℃に対し、その温度変化は3℃以内に抑制されてい
る。又、図23(b)に示す様に、この時の定盤上面は
研磨前に対しその法線方向の変位量はいずれの位置でも
10μm以下に抑制されていることがわかる。
【0105】以上の条件で研磨したウェーハを研磨終了
後、各ウェーハをワーク保持盤よりはがしたのち、純水
→アルカリ→NH4OH/H22→純水によって洗浄後、
仕上げ加工精度を測定した。その結果を表1に比較例1
の結果と対比して示した。
【0106】
【表1】
【0107】表1における略号は次の通りである。 GBIR:Global Back-side Ideal Range (=TTV)(ウ
ェーハの裏面を基準面とした全域での厚さの最大値と最
小値との差) SBIR:Site Back-sid e Ideal Range (=LTV) 〔ウ
ェーハの裏面を基準面とした一定領域(サイト)での最
大値と最小値との差〕 SFQR:Site Front least sQuares <site> Range
(サイト毎のウェーハ表面の高低差)
【0108】表1における測定条件は次の通りである。 測定機:ADE9600E+(ADEコーポレーション
社製) ウェーハ:8インチウェーハ 枚数:20枚(1バッチ) 測定領域:周縁より2mmを除外SFQRmax、SBIRm
ax共に測定面積は25mm×25mmに分割。
【0109】(比較例1)比較例1として従来技術によ
る研磨とその結果について実施例1と対比して一例を示
す。
【0110】研磨装置の基本構成は以下の通り。 1.研磨定盤:図16及び図17に示すように上定盤1
2(SUS410製平板)と、上面に冷却水流路となる
凹部21を加工した鋳鉄製(FC−30)下定盤23を
重ね合わせ、締結具11にて締め付けて研磨定盤10を
構成した。
【0111】2.ワーク保持盤:図18に示すようにア
ルミナセラミックス製のワーク保持盤13をゴム弾性体
13aを介して回転シャフト18を備えた上部の荷重1
5によって下方に押し付ける様に構成した。 3.研磨布:ロデール社製SuBa600を研磨定盤1
0の上面に貼設した。
【0112】4.その他の研磨装置の性能 a)定盤回転ムラ:±2% b)定盤上面回転ブレ:30μm c)定盤回転軸ブレ:140μm
【0113】5.総合熱量制御システムについては図1
4及び図15の様に構成した。図14及び図15は、ワ
ーク保持盤の温度調整流体供給系、研磨定盤回転軸温度
調整用流体系、ワーク保持盤回転軸温度調整用流体系が
存在しない点を除いては、図8及び図9と同様の構成で
あるので再度の説明は省略する。
【0114】6.研磨操作の概要 実施例1と同様に合計20枚のウェーハ(200mmφ、
厚さ750μm)各5枚を直径565mmの4つのワーク
保持盤に、その中心から半径の2/3(175mm)の円
周上に、ウェーハの中心がほぼ合致するように等分に接
着保持した。
【0115】接着は予めウェーハ被接着面(裏面)に日
化精工製ミツロウ系接着剤スカイリキッドHM−401
1をイソプロピルアルコールに溶解してスピンコーティ
ング装置で塗布したのち、ウェーハを50℃に加温して
約0.5分保持して溶媒を揮散除去する。その後ウェー
ハを約90℃に加温してワックスを溶融(90℃におけ
る粘度1000mPa・s)したのち、同じく90℃に加温
したワーク保持盤のワーク保持面の所定の位置に配置
し、ウェーハの被研磨面(表面)を図21に示すゴム弾
性体を凸面形状に構成した接着用治具を押し付けて接着
部位の接着剤層中よりエアーを外部に押し出すようにし
たのち、接着治具を解除し、ウェーハを自己放冷によっ
て室温まで冷却した。
【0116】この方法で接着した場合にはワーク保持盤
とウェーハを90℃に加熱した状態で接着するため、ウ
ェーハとワーク保持盤、及びワックスの熱膨張係数の差
による変形、ゴム弾性体による押し付け時の力の付加の
不均一等の原因で接着剤層の厚さはウェーハ毎の平均値
が0.3〜0.8μm、1枚のウェーハについてはその偏
差が0.1μm程度であった。
【0117】7.研磨条件 (1)研磨定盤 回転数:30rpm±2% 冷却水:15 l/min 入口温度:12℃±1℃ 出口温度:成行
【0118】(2)ワーク保持盤(自由回転) 付加荷重:ウェーハ面cm2当り250g (3)研磨剤溶液 AJ−1325、pH10.5〜10.8、SiO2:20
g/l、比重:1.02〜1.03〔日産化学工業(株)製コロ
イダルシリカ研磨剤の商品名〕 供給量:10 l/min 供給側出口温度:23℃±1℃
【0119】(4)研磨時間:10min (5)研磨量:10μm
【0120】冷却水系統の温度制御は図14および図1
5に示した総合熱量制御システムによって制御し、研磨
動作時の経過は図12に示した。又、研磨布表面の温度
を実施例と同様に熱画像センサで測定したが、この場合
は研磨布表面温度は成行で特に制御は行っていない。こ
の時の研磨布表面温度の推移を図13中に併せて示した
が、その温度変化は研磨開始前のおよそ20℃から研磨
終了時にはおよそ32℃まで上昇した。この場合のワー
ク保持盤から研磨定盤にわたる温度分布は図13に示し
たように解析され、研磨定盤及びワーク保持盤の研磨前
の温度分布に対し10℃以上の温度変化を生じ、これに
よる研磨定盤の法線方向の熱変形量は図23(c)に示
す様に場所によっては100μm以上に達する。
【0121】得られたウェーハの研磨仕上げ精度は表1
に示したように実施例に比較して低い結果となった。
【0122】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の研磨装置及
び研磨方法によれば、ワーク、例えば8インチ〜12イ
ンチ以上の直径を有するウェーハの高精度鏡面加工を高
い効率で実施することが可能となる。また、本発明のワ
ークの接着方法によれば、ワーク、例えばウェーハをワ
ーク保持盤に撓みを生ずることなく均一に接着すること
ができ、ウェーハの高精度鏡面加工実現の一助となると
いう効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の研磨装置の1例を示す一部省略断面
的説明図である。
【図2】 本発明の研磨装置に用いられる研磨定盤の1
例を示す断面的説明図である。
【図3】 本発明の研磨装置に用いられるワーク保持盤
の1例を示す断面的説明図である。
【図4】 本発明のワークの接着方法の1例を示す説明
図である。
【図5】 本発明の研磨定盤の他の例の温度調整用流体
流路の平面形状を示す一部切欠き上面図である。
【図6】 図5の研磨定盤の上部流路部分及び下部流路
部分をそれぞれ縦方向に断面して示した縦断面図であ
る。
【図7】 図5の研磨定盤の背面図である。
【図8】 本発明における総合熱量制御システムにおけ
る各機器の配置を示すブロック図である。
【図9】 本発明における総合熱量制御システムの制御
動作を示すフローチャートである。
【図10】 実施例1における研磨時間と研磨布表面温
度、研磨剤溶液供給温度及び研磨剤溶液戻り温度との関
係を示すグラフである。
【図11】 実施例1におけるワーク保持盤背面から研
磨定盤下面にわたる温度分布の解析図である。
【図12】 比較例1における研磨時間と研磨布表面温
度、研磨剤溶液供給温度、研磨剤溶液戻り温度、研磨定
盤冷却水供給温度及び研磨定盤冷却水戻り温度との関係
を示すグラフである。
【図13】 比較例1におけるワーク保持盤背面から研
磨定盤下面にわたる温度分布の解析図である。
【図14】 比較例1で用いた総合熱量制御システムに
おける各機器の配置を示すブロック図である。
【図15】 比較例1で用いた総合熱量制御システムの
制御動作を示すフローチャートである。
【図16】 比較例1で用いた研磨定盤の上面図であ
る。
【図17】 図16の縦断面図である。
【図18】 比較例1で用いたワーク保持盤の縦断面図
である。
【図19】 従来のウェーハ研磨装置の1例を示す側面
説明図である。
【図20】 従来の研磨定盤の1例を示す断面説明図で
ある。
【図21】 ワーク保持盤へのウェーハの接着方法の従
来の1例を示す概略説明図で、(a)は加圧前、(b)
は加圧接着状態を示す図面である。
【図22】 ワーク保持盤へのウェーハの接着方法の従
来の他の例を示す概略説明図である。
【図23】 実施例1及び比較例1における研磨定盤の
研磨前及び研磨中の法線方向の変位量を示すグラフで、
(a)は測定位置を示し、(b)は実施例1における変
位量及び(c)は比較例1における変位量をそれぞれ示
す。
【符号の説明】
1:真空容器、2:ベローズ、3:ベローズ昇降用シリ
ンダー、4:ベローズ内圧調整用配管、5:真空容器内
圧調整用配管、6:真空吸着用配管、7:フレーム、
8:リブ、8a:内部リブ構造、9,9a,9b:温度
調整用流体流路、10:従来の研磨定盤、11:締結
具、12:上定盤、13,20:従来のワーク保持盤、
13a:ゴム弾性率体、14:研磨剤供給用配管、1
5:上部荷重、16,31:研磨布、17:回転軸、1
8:回転シャフト、19:研磨剤溶液、20a:接着
面、21,34,50,51,52:凹部、22:接着
剤、23:下定盤、24:ウェーハ加圧用部材、25:
加圧ヘッド、26:加圧シリンダー、27:エアバッ
グ、28:本発明の研磨装置、29:本発明の研磨定
盤、29a:研磨定盤表面、29b:研磨定盤背面、3
0:シール部材、32:回転軸、33:長孔、35:セ
ンターローラ、36:トップブロック、37:弾性体、
38:本発明のワーク保持盤、39:接着剤、40:回
転シャフト、41:研磨剤、42:研磨剤導入孔、4
3:支持プレート、44:ベアリング部材、45:吸着
孔、46:ウェーハ接着領域、47:長孔、48:接着
ベース、49:貫通孔、H,H1,H2,H3,H4:冷却
水、W:ワーク(ウェーハ)。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24B 37/04 B24B 37/04 A J (72)発明者 林 俊行 群馬県群馬郡群馬町保渡田2174番地1 三 益半導体工業株式会社上郊工場内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA14 AB04 AB08 AC01 AC04 BA08 CB01 DA17

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワーク
    保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研磨
    する研磨装置であって、研磨動作時における研磨定盤の
    定盤表面の法線方向での変形量及び/又はワーク保持盤
    のワーク保持面の法線方向での変形量を100μm以下
    に抑制したことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワーク
    保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研磨
    する研磨装置であって、該研磨定盤が鋳造によって一体
    として形成され、該研磨定盤の構造は背面に複数の凹部
    及び/又はリブを有し、かつ定盤内部に温度調整用流体
    の流路を形成するとともに該流路を形成しない部分は内
    部リブ構造として作用するようにしたことを特徴とする
    研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記研磨定盤を構成する材料の熱膨張係
    数の値が5×10-6/℃以下であり、かつその耐食性が
    ステンレス鋼とほぼ同等であることを特徴とする請求項
    1又は2記載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記研磨定盤の材料がインバーであるこ
    とを特徴とする請求項3記載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワーク
    保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研磨
    する研磨装置であって、温度調整用流体の流量及び/又
    は温度を制御することによって研磨動作時における研磨
    定盤の温度変化及び/又はワーク保持盤の温度変化を所
    定範囲内に制御することを特徴とする研磨装置。
  6. 【請求項6】 前記研磨動作時における前記研磨定盤及
    び/又は前記ワーク保持盤の任意の位置における温度の
    変動が3℃以内であることを特徴とする請求項5記載の
    研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記研磨剤溶液の温度及び/又は流量を
    制御して研磨動作時における研磨布の研磨面の任意の位
    置における温度の変動を10℃以下に制御することを特
    徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の研磨装置。
  8. 【請求項8】 前記研磨定盤の回転ムラを1%以下に抑
    制したことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記
    載の研磨装置。
  9. 【請求項9】 前記研磨定盤の研磨面の回転時の面ブレ
    を15μm以下に抑制したことを特徴とする請求項1〜
    8のいずれか1項記載の研磨装置。
  10. 【請求項10】 前記研磨定盤の回転軸の回転ブレを3
    0μm以下に抑制したことを特徴とする請求項1〜9の
    いずれか1項記載の研磨装置。
  11. 【請求項11】 前記ワーク保持盤が背面に凹部を形成
    するか、又はリブ構造を有することを特徴とする請求項
    1〜10のいずれか1項記載の研磨装置。
  12. 【請求項12】 前記ワーク保持盤の材料がアルミナセ
    ラミックス又はSiCであることを特徴とする請求項1
    1記載の研磨装置。
  13. 【請求項13】 前記ワーク保持盤の前記ワークとの接
    着領域内に該ワークを吸引保持するための複数の細孔が
    開孔していることを特徴とする請求項12記載の研磨装
    置。
  14. 【請求項14】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワー
    ク保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研
    磨する研磨装置を用い、研磨動作時における研磨定盤の
    定盤表面の法線方向での変形量及び/又はワーク保持盤
    のワーク保持面の法線方向での変形量を100μm以下
    に抑制することを特徴とする研磨方法。
  15. 【請求項15】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワー
    ク保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研
    磨する研磨方法において、前記研磨定盤上に貼設された
    研磨布によって前記ワークの被研磨面を研磨する際、研
    磨動作時における該研磨布の研磨面の任意の位置におけ
    る温度の変動を10℃以下とすることを特徴とする研磨
    方法。
  16. 【請求項16】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワー
    ク保持盤に保持されたワークを研磨剤溶液を流しつつ研
    磨する研磨方法において、研磨中における前記ワークの
    温度の変動を10℃以下に抑制することを特徴とする研
    磨方法。
  17. 【請求項17】 前記研磨剤溶液の温度及び/又は流量
    を制御して研磨動作時における研磨布の研磨面の任意の
    位置における温度及び/又はウェーハの温度の変動を1
    0℃以下に制御することを特徴とする請求項15又は1
    6記載の研磨方法。
  18. 【請求項18】 研磨定盤とワーク保持盤とを有しワー
    ク保持盤に保持されたワークを研磨する研磨装置を用い
    る研磨方法であって、ワーク保持盤に複数のウェーハを
    次式(1)の関係を2mm以内の誤差で満足するように配
    置して保持することを特徴とする研磨方法。 【数1】 (上式(1)中、R:ワーク保持盤径(mm)、r:ウェ
    ーハ径(mm)、x:ウェーハ間距離(mm)、y:ウェー
    ハとワーク保持盤外周端距離(mm)、N:ウェーハ枚数
    /ワーク保持盤、π:円周率)
  19. 【請求項19】 rが200mm以上で、5≦N≦7,5
    ≦x≦20,7≦y≦22であることを特徴とする請求
    項18記載の研磨方法。
  20. 【請求項20】 ワーク保持盤の厚さdがaR<d<b
    R(a=0.04〜0.08,b=0.10〜0.12)であ
    ることを特徴とする請求項19記載の研磨方法。
  21. 【請求項21】 請求項1〜13のいずれか1項記載の
    研磨装置を用いてシリコンウェーハを研磨することを特
    徴とする請求項14〜19のいずれか1項記載の研磨方
    法。
  22. 【請求項22】 温度変化が±2℃以内の環境において
    実施することを特徴とする請求項21記載の研磨方法。
  23. 【請求項23】 接触領域内にワークを吸引保持するた
    めの複数の細孔が開孔しているワーク保持盤を用いワー
    ク保持盤背面側から細孔を介してエアーを排気しつつウ
    ェーハを接着剤にてワーク保持盤に接着することを特徴
    とするワークの接着方法。
  24. 【請求項24】 前記接着を20℃〜30℃の間で行う
    ことを特徴とする請求項23記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記接着時の温度における接着剤の粘
    度が1mPa・s〜10mPa・sである接着剤を用いることを
    特徴とする請求項24記載の方法。
  26. 【請求項26】 ワーク接着部分の接着剤の厚みの平均
    値が0.1μm〜0.5μmの範囲であって、その厚みの
    偏差が0.015μm以内であることを特徴とする請求
    項23〜25のいずれか1項記載の方法。
  27. 【請求項27】 ワーク保持盤のワーク接着面の接着領
    域内にワークを真空吸着するための複数の吸着孔をワー
    ク接着面からワーク保持盤背面まで貫通して設けたこと
    を特徴とするワーク保持盤。
  28. 【請求項28】 ワーク保持盤の背面に凹部又はリブ構
    造を設けたことを特徴とする請求項27記載のワーク保
    持盤。
  29. 【請求項29】 請求項27又は28記載のワーク保持
    盤を用いることを特徴とする請求項23〜26のいずれ
    か1項記載の方法。
  30. 【請求項30】 請求項23〜26及び29のいずれか
    1項記載の方法でシリコンウェーハをワーク保持盤に接
    着保持して研磨することを特徴とする研磨方法。
  31. 【請求項31】 請求項1〜13のいずれか1項記載の
    研磨装置を用いることを特徴とする請求項30記載の研
    磨方法。
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