TWI376698B - - Google Patents

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1376698 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種去除核能設施之組件表面或系統表面上 的氧化物層的方法。 【先前技術】

輕水式反應爐運轉時會在組件表面及系統表面上形成 一個氧化物層，這個氧化物層必須被去除，以盡可能降低 工作人員對輕水式反應爐進行檢修工作時承受的幅射劑 量。輕水式反應爐的組件及系統主要是以沃斯田鎳鉻鋼爲 材料製成，例如由72%的鐵、18%的鉻、以及1〇%的鎳構成 的沃斯田鎳鉻鋼製成。由於氧化作用的關係，在組件表面 及系統表面上會形成尖晶石結構狀的氧化物層，這種氧化 物的化學通式爲AB2〇4。在這個氧化物層中，鉻一定是三價 的，鎳一定是二價的，鐵則可以是二價的，也可以是三價 的。這種氧化物層幾乎是完全無法以化學方法溶解。因此 去除這種氧化物層的方法總是先利用一個氧化步驟將以三 價鍵結合的鉻轉變成以六價鍵結合的鉻。這個氧化步驟可 以將氧化物層原本緊密結合的尖晶石結構破壞，並形成易 溶於有機酸及礦物酸的所產生的氧化鐵、氧化鉻、以及氧 化鎳。在完成氧化步驟之後，接著通常是以一種有機複合 酸（例如草酸）將氧化鐵、氧化鉻、以及氧化鎳溶解。 前面提及的對氧化物層進行的氧化處理通常是以含有 高錳酸鉀及硝酸的酸性溶液進行，或是以含有高錳酸鉀及 氫氧化鈉的鹹性溶液進行。歐洲專利EP 〇 160 831 B1提出

1376698 的方法是以酸性溶液進行這個氧化 液並非含高錳酸鉀的酸性溶液，i 液。這種方法的缺點是，在氧化過 二氧化錳（MnO 2)的褐石，這種褐石 化物層上，並阻止氧化劑（高錳酸屋 因此這種常用的方法無法在一個步 化，而是必須在氧化步驟之間加上 氧化劑（高錳酸鹽離子）進入氧化物 而且這種還原步驟通常需要進行3 耗費時間的方法。這種常用的方法 生大量的二次廢料，這些二次廢料 劑去除錳而產生的。 根據文獻記載，除了以高錳酸 用臭氧的酸性水溶液並加入鉻酸鹽 價鹽作爲氧化劑。以臭氧在上述條 應溫度在40°C至60°C之間。但是在 溶性和耐熱性都相當的小，因此臭 到的濃度幾乎不可能高到足以在讓 氧化物層的尖晶石結構破壞掉的程 將臭氧溶解到大量的水中也是一件 氧進行氧化有這麼多的缺點，因此 酸進行氧化也有若干缺點，但仍是 法。 【發明內容】 Θ年\月/相修(¾正替換莫 步驟，^是所使用的溶^ ίή是含高錳酸的酸性溶 程中會形成一種成分爲 會沉澱在要被氧化的氧 g離子）進入氧化物層。 驟中將氧化物層完全氧 還原步驟，以便將阻止 層的褐石沉澱去除掉， 到5次，因此是一種很 的另外一個缺點是會產 主要是因爲以離子交換 鹽進行氧化外，也可以 、硝酸鹽、或是鈽的四 件下進行氧化需要的反 這種條件下，臭氧的可 氧在氧化物層上所能達 人可以接受的時間內將 度。另外一個缺點是要 很費事的事。由於以臭 雖然以高錳酸鹽或高錳 在全球被廣泛使用的方 13,76698 • c' r--— • 力年ν月日衝更)正替換肖 ' 本發明的目的是提出一種去除核能設k之組'件表ώ或--- • 系統表面上的氧化物層的方法，這種方法不只要能有效去 除氧化物層，而且還要能夠在一個步驟內完成去除氧化物 層的工作。

採用本發明申請專利範圍第1項的方法即到上述目 的，這種方法是以一種氣態氧化劑將氧化物層氧化，也就 是在氣相狀態進行氧化。這種方法的一大優點是能夠大幅 提高作用在氧化物層上的氧化劑濃度，而不會像現有技術 使用氧化劑的水溶液的方法，因受限於氧化劑在水中的溶 解度很小，而無法達到足夠的濃度。這種方法的另外一個 優點是，適於用來將前述之氧化物層氧化的氧化劑（例如臭 氧或氮氧化物）在氣相狀態的穩定性大於在水溶液中的穩 定性。此外，由於溶於水中的氧化劑（也就是溶於輕水式反 應爐的主要冷卻劑中的氧化劑）通常會有許多反應組分，因 此在從氧化處供給處到氧化物層的路程中，會有一部分的 氧化劑被消耗掉，而本發明的方法所使用的氣態氧化劑則 沒有這個缺點。 如果氧化物層是完全乾燥的，則氧化反應的速率會太 慢，尤其是三價鉻轉變成四價鉻的反應速率會太慢。因此 一種有利的方式是在處理氧化物層的過程中’在氧化物層 上保持一層水膜’並使用一種溶於水的氧化劑。這樣氧化 劑就可以在覆蓋在氧化物層上的水膜或氧化物層的充滿水 的氣孔中找到進行氧化反應所需的含水條件。如果是先將 充滿水的系統中的水排光’接著再進行氣相氧化’由於此 13,76698

β年吲曰修(幻正替換頁 時氧化物層已經被水沾濕或整個浸濕，也ά是說m化物曆--- 上已經有一層水膜，因此在這種情況下只需在氣相氧化的 過程中保持這層水膜不要被蒸發掉即可。最好是以水蒸氣 形成或保持所需的水膜。 本發明的方法有時可能會需要較高的反應溫度（視所 使用的氧化劑種類而定），以便在成本上可以接受的時間內 完成所需要的氧化反應。因此本發明的一種有利的實施方 式是以外部加熱裝置（而且最好是以熱蒸汽或熱空氣）將系 統表面或組件表面（或是系統表面或組件表面上的氧化物 層）加熱。如果是以熱蒸汽加熱，則除了可以達到加熱的效 果外，還可以同時在氧化物層上形成所需要的水膜。 本發明的一種特別有利的實施方式是以臭氧作爲氧化 劑。在這種實施方式中，發生在氧化層內或氧化物層上的 氧化還原反應將臭氧轉變成氧，這些氧不需經過再處理即 可被送入核能設施的排氣系統。此外，氣態的臭氧的穩定 性遠大於溶解在水中的臭氧的穩定性。使用氣態的臭氧的 另一個優點是不會像溶解在水中的臭氧會有溶解度過低的 問題（這個問題在高溫時更爲嚴重）。因此可以將很高劑量 的臭氧氣體引到被水沾濕的氧化物層上，以便加快氧化物 層的氧化反應（尤其是加快將三價鉻轉變成四價鉻的氧化 反應）’尤其是加快在溫度較高時的氧化反應。 和臭氧一樣，其他的氧化劑在酸性溶液中的氧化電位 也是高於在鹹性溶液中的氧化電位。以臭氧爲例，臭氧在 酸性溶液中的氧化電位爲2.08V，而在鹹性溶液中的氧化電 1376698 0年Μ /3日修(更)正替換頁 * 位則只有1.25V。因此本發明的另外一種有^的實施方式是~ - 在將氧化物層沾濕的水膜內創造一個酸性條件，尤其是以 通入氮氧化物的方式在水膜內創造一個酸性條件。如果是 以臭作爲氧化劑，最好是將水膜的pH値控制在1到2之 間。最好是利用氣態的酸酐將水膜酸化。氣態酸酐遇水會 在水膜內形成酸。

如果酸酐可以引起氧化反應，則這種酸酐可以同時作 爲氧化劑使用，以下將說明的本發明的一種有利的實施方 式就是以酸酐作爲氧化劑。 如前所述，升高溫度可以加快氧化反應。如果是以臭 氧作爲氧化劑，最佳的反應溫度是介於4 〇 〇c至7 〇 〇c之間。 當溫度升高到40 °C以上時，氧化物層內的氧化反應速率就 可以達到令人可以接受的程度。但是溫度最高只能升高到 7〇C ’原因是一旦溫度超過70 °C，臭氧在氣相中的分解就 會明顯增加。除了溫度外’對氧化物層進行氧化處理的時 間也會受到氧化劑的濃度的影響。如果是以臭氧作爲氧化 劑’則在前面提及的溫度範圍內（40。(：至70 °C)，當臭氧濃 度達到5 g/Nm3以上’就可以獲得可以接受的反應速率，而 最佳的臭氧濃度則是介於1 〇〇 g/Nm^丨2〇 g/Nm3之間。 本發明的另外一種有利的實施方式是以混合的氮氧化 物（NOx)作爲氧化劑，也就是將不同的氮氧化物（例如N〇、 N〇2、Nz〇、以及νζ〇4)混合在一起作爲氧化劑。同樣的，以 氮氧化物作爲氧化劑時也可以經由升高溫度達到加快反應 速率的目的，實驗證實當溫度升高到8〇r以上時即可查覺 13.76698 .:· ' --·〜 _ 乃年v月/3日修(¾正替換肖 * 到反應速率變快。以氮氧化物作爲氧化έΓ時，最佳的反_應— - 溫度爲110°C至180°c。此外’和以臭氧作爲氧化劑的情況 相同’以氮氧化物作爲氧化劑時，也可以經由氮氧化物的 濃度來影響反應速率。實驗證實，當氮氧化物的濃度低於 0.5 g/Nm3時’幾乎不會對加快反應速率有任何幫助，最佳 的氮氧化物濃度爲10 g/Nm3至50 g/Nm3。

在氧化處理結束後，最好是先以去離子劑沖洗組件表 面上經氧化處的氧化物層，然後再將組件表面上的氧化物 層去除。本發明的一種有利的實施方式是在氧化處理結束 後，以水蒸汽衝擊氧化物層，並使水蒸汽在氧化物層上凝 結。爲了使水蒸汽能夠凝結，必要時應將組件表面冷卻或 是將組件表面上的氧化物層冷卻到1 00°C以下。一個令人驚 訝的發現是，經過水蒸汽及凝結處理後，黏附在氧化物層 上、氧化物層內、或是組件表面上的放射性物質會以顆粒 狀、溶解狀、或是膠體狀滲入冷凝液中，並與冷凝液一起 從表面上被去除。這種去除效果在水蒸汽溫度超過100°c時 尤爲明顯。以水蒸汽處理的另外一個優點是所產生的冷凝 液的量相對較小。 將多餘的水蒸汽（也就是沒有在經過氧化處理的表面 上凝結的水蒸汽）從要去除氧化物層的系統或進行氧化理 處的容器中排出，並使這些水蒸汽凝結。然後將這些冷凝 水和從組件表面流下來的冷凝液一起通過一種陽離子交換 劑。經由這種方式可以去除冷凝液中的放射性物質’這樣 就可以放心的將冷凝液清除。在將冷凝液清除之前最好再 -10- 1376698 _ _ 111 * *- —, 乃卜月Θ日修(更)正替換 —r _ ·* 經過另外一個處理步驟，尤其是對因爲以氮氧化物將氧祀 - 物層氧化或將水膜酸化而含有硝酸鹽離子的冷凝液更應該 這麼做。這個處理步驟是以一種適當的還原劑（最好是聯 胺）將冷凝液中的硝酸鹽轉變成氣態的氮而去除掉。最好是 將硝酸鹽與聯胺的莫爾比控制在1:0.5至2:5之間。 【實施方式】 圖式中的流程圖顯示本發明之去除氧化物層的方法的

流程。這個流程的第一個步驟將去除氧化物層用的系統（1) 清空，例如將壓水反應爐的初級回路清空。在去除一個組 件（例如初級系統的管路）上的氧化物層時，應將這個組件 放置在一個容器內。這種容器就相當於流程圖中的系統 (1) 。系統（1)或這種容器連接一個氣密式的淨化環循（2)。在 啓動去除氧化物層的步驟之前應先抽真空檢驗淨化環循 (2) 及系統（1)的氣密性。接著將整個裝置加熱，也就是將淨 化環循（2)及系統（1)加熱。爲了進行加熱，在淨化環循（2) 內設有一個輸送熱空氣及/或熱蒸汽的輸送站（3)。熱空氣及 /或熱蒸汽是經由輸送管（4)輸入。此外，在淨化環循（2)內 還設有一個幫浦（5 )，其作用是將氣態介質壓送到系統（1)， 以及在需要的時候使這種氣態介質在整個裝置中環循流 動。利用熱空氣或熱蒸汽將系統（1)加熱到規定的反應溫 度，例如以臭氧作爲氧化劑時，應加熱到50°C至70°C。爲 了要在系統（1)或放置在容器內的組件上形成一層水膜，應 經由輸送站（3)輸入熱蒸汽。在系統出口（6)處自行分離或凝 結出來的水會被一個液體分離器（7)分離出來，然後經由一 1376698 _ ' - 月/;日修(¾正替坱肖i

______I •‘ 個冷凝液管路（8)被排出淨化環循（2)。爲了加快三價鉻轉變 . 爲六價鉻的氧化反應，故將覆蓋在要氧化的氧化物層上的 水膜酸化。這個酸化步驟是從淨化環循（2)的一個輸送站（9) 將氣態的氮氧化物或霧狀的硝酸/亞硝酸輸入。氮氧化物會 溶解在水中並形成硝酸或亞硝酸。輸入氮氧化物或硝酸/亞 ' 硝酸的劑量應使水膜的pH値維持在1至2的範圍。當系統

或表面上的氧化物層達到所需要的反應溫度及水膜已經形 成並達到所需的酸度時，即利用幫浦（5)持續不斷的將濃度 在100 g/Nm至120 g/Nm3之間的臭氧經由輸送站（10)輸入 系統（1)。如果有需要的話，在輸入臭氧的時候，應同時不 斷的輸入氮氧化物或硝酸，以維持水膜的酸性條件，以及 同時輸入熱空氣或熱蒸汽，以維持所需的反應溫度。位於 淨化環循（2)內的一部分氣體/蒸汽混合物會從系統出口（6) 被排出’以便能夠輸入與被排出的氣體/蒸汽混合物等量的 新鮮臭氧及其他必要的輔助物質（例如氮氧化物）。被排出 的氣體/蒸汽混合物必須先通過一個氣體洗滌器，以便將氮 氧化物、硝酸、以及亞硝酸分離出來，然後再通過觸媒轉 化器（12)將臭氧轉變成氧。不含臭氧的氧氣/空氣混合物（可 能含有水蒸汽）被送入核能發電廠的排氣系統。在氧化處理 的過程中’以一根測量探針（未在流程圖中繪出）在系統回 流段（13)測量臭氧濃度。在系統（1)內有設置—根監測溫度 用的溫度。氮氧化物的輸入劑量應視水蒸汽的輸入量而 定。每1 Nm3的水蒸汽至少需要搭配〇·! g的氮氧化物，才 能夠將水膜的p Η値維持在小於2的程度。 -12- 1376698 *****........! Μ 0日修(更)正替換身

當氧化物層內的三價鉻全部或至少大部分被轉變成六 價鉻時，即可停止輸入臭氧、氮氧化物、以及熱空氣，並 開始進行沖洗步驟。最好是以水蒸汽衝擊氧化物層，並使 組件表面或組件表面上的氧化物層的溫度降低到1 〇(TC以 下，以便水蒸汽可以在組件表面或組件表面的氧化物層上 凝結成水。如前所述，這個沖洗步驟可以將氧化物層內或 氧化物層上的放射性物質去除掉。此外，這個沖洗步驟還 可以將附著在組件表面或組件表面的氧化物層上酸（主要 是硝酸鹽）沖洗掉。這些附著在組件表面或組件表面上的酸 是在將氧化物層氧化，或是在將覆蓋在氧化物層上的水膜 酸化時所加入的氮氧化物與水反應所產生的。在以水蒸汽 進行的沖洗步驟結束後，會出現一種含有含水硝酸鹽及放 射性陽離子的溶液。接著先以一種適當的還原劑（最好是聯 胺）將這種溶液中的硝酸鹽轉變成氣態的氮，以便將硝酸鹽 從這種溶液中去除。爲了將硝酸鹽全部去除，加入的聯胺 數量應經過化學當量計算，也就是說，硝酸鹽與聯胺的莫 爾比應爲2:5。接著再將這種溶液通過一個陽離子交換器， 以便將溶液中的放射性陽離子去除掉。 當然將去離子劑注入系統（1)也可以達到沖洗經氧化 處理的氧化物層的目的。在將去離子劑注入系統（1)時，被 排出的氣體會通過觸媒轉換器（12)，以便將剩餘的臭氧還 原成氧氣，然後再將剩下的不含臭氧的氧氣/空氣混合物送 入核能發電廠的排氣系統。在要被去除氧化物層的組件表 面或是在該處殘留的氧化物層上因爲加入硝酸或氮氧化物 -13- 1376698 ·· ' - 力年v月6日修(更)正替換頁 ·* 的氧化而產生的滲氮會被去離子劑吸收，tk接下來的芬-- . 解氧化物層的過程中停留在分解氧化物層用的淨化溶液 中。爲了達到分解氧化物層的目的，應按照歐洲專利EP 0

1 60 83 1 B1提出的方法將一種有機複合酸（最好是草酸）在 適當的溫度條件下（例如95°C )加到淨化溶液中。利用幫浦 (5)使淨化溶液在淨化循環（2)中循環，並經由一個分路（未 在流程圖中繪出）讓一部分的淨化溶液通過離子交換器，以 便使從氧化物層離析出來的陽離子被吸附在離子交換樹脂 上。淨化過程結束後，接著再按照歐洲專利EP 0 753 196 B1 的方法以紫外線將有機酸分解成二氧化碳及水。 以下描述的第一個實驗室實驗是對初級系統管路的一 段管路進行氣相氧化的實驗。這個實驗是依據本說明書所 附的流程圖來進行的。這個實驗用的管路來自於一.個已經 使用了 25年以上的壓水反應爐，而且管路內部有電鍍上一 層含有鐵、鉻、以及鎳的沃斯田鎳鉻鋼（DIN 1.4551)。管路 內壁覆蓋著一層很密而且很難溶解的氧化物層。第二個實 驗室實驗是以臭氧對一段已經使用了 22年的以英高鎳 3 (Inconel) 600製成的蒸汽產生管路在氣相中進行預氧化。第 —個實驗和第二個實驗都有搭配進行—個以高錳酸鹽作爲 氧化劑的對照實驗。其他的實驗室實驗都是以氮氧化物作 爲唯一的氧化劑對來自一個已經使用了 3年的壓水反應爐 的管路所進行的氣相氧化實驗。這些實驗的結果列於以下 的表2、以及表3中。在這些表格中提及的”循環”是指一個 預氧化步驟及一個淨化步驟所構成的循環。 -14- 1376698 • 癱 乃年^月日修(¾正替換飪

淨化方法 預氧化步驟 處理時間 [小時] 淨化步驟 處理時間 [小時] 淨化係數 (DF) 使用高錳酸鹽及草酸的淨化 方法 3個循環，溫度：90°C至95°C 40-60 20 10-17 使用氣相的臭氧/氮氧化物的 淨化方法 1個循環，溫度：50°C至55°C 12 6 300-400 表1:將來自一個壓水反應爐的初級管路的含有鐵 、鉻、以及 鎳的沃斯田鎳鉻鋼（DIN 1.455 1 )淨化（去除氧化物層）的 實驗 淨化方法 預氧化步驟 淨化步驟 淨化係數 處理時間 [小時] 處理時間 [小時] (DF) 使用高錳酸鹽及草酸的淨化 方法 3個循環，溫度：％°C至95°C 40-60 20 3-8 使用氣相的臭氧/氮氧化物的 淨化方法 1個循環，溫度：50°C至55°C 6 6 30-60 表2 :將來自壓水反應爐的以英高鎳（In con el) 6 00製成的蒸 汽產生管淨化（去除氧化物層）的實驗 13.76698 々年乂月/3日修(¾正替换肖 淨化方法 處理時間 淨化係數(DF) 使用高錳酸鹽及草酸的淨化方法 3個循環，溫度：卯艺至95°C 36小時 20-35 使用氮氧化物的淨化方法 1個循環，溫度：150°C至160°C 12小時 100-280 表3 :將來自壓水反應爐（材料·· 1 .45 50，使用時間3年）的 管路淨化（去除氧化物層）的實驗

從以上的表格可以看出，在低溫條件下以臭氧進行氣 相氧化所需的處理時間遠少於以高錳酸鹽進行預氧化所需 的時間。一個令人驚訝的發現是，在預氧化步驟結束後接 著在低溫條件下以臭氧進行的淨化步驟（也就是利用草酸 將經過預氧化處理的氧化物層溶解的淨化步驟）所需的時 間也是遠少於以高錳酸鹽進行的淨化步驟所需的時間。另 外一個令人驚訝的發現是，以本發明的方法能夠達到一個 # 非常高的淨化係數（DF)。由於這些實驗及與其相應的對照 實驗的後處理步驟都是一樣的，因此只能將這個實驗結果 (令人驚訝的發現）解釋爲在氣相中進行預氧化的關係。這 個預氧化步騾能夠將氧化物層解離成很容易在接下來的 '淨 化步驟中被草酸（或其他的有機複合酸）分解的氧化物層。 以氮氧化物作爲預氧化的唯一的氧化劑的實驗也能獲 得類似的結果（表格3)。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示本發明之去除氧化物層的方法的流程圖。 -1 6 - 1376698 1 0年I月日修(吏)正苷狭貝j 【元 件符 號 說 明 ] 11 系 統 12 淨 化 環 循 13 輸 送 站 14 管 路 15 幫 浦 16 系 統 出 □ 17 液 體 分 離 器 18 冷 凝 液 管 路 19 輸 送 站 20 輸 送 站 12 觸 媒 轉 化 器 13 系 統 回 流 段

Claims (1)

1376698 ·‘' 修正本 f 第95143668號「去除核能設施之組件表面或系統表面上的 0 氧化物層的方法J專利案 (201 1年1 1月1 5日修正） 十、申請專利範園： 1. 一種去除核能設施之組件表面或系統表面上的氧化物層 的方法，其中在表面上形成一層酸性水膜，使水膜與一 種氣態酸酐接觸，再以氣態臭氧當作氧化劑處理該氧化 物層。 W 2.如申請專利範圍第1項的方法，其中該水膜的pH値$2。 3. 如申請專利範圍第1或2項的方法，其中使用一種氮氧 化物，做爲氣態酸酐。 4. 如申請專利範圍第3項的方法，其中在處理過程中，將 氮氧化物的濃度至少維持在0.1 g/Nm3。 5. 如申請專利範圍第4項的方法，其中氮氧化物的濃度在 0·2 g/Nm3至 0.5 g/Nm3之間。 6. 如申請專利範圍第1或2項的方法，其中將需要處理的 表面加熱到30°C至80°C之間。 7. 如申請專利範圍第6項的方法，其中溫度在6〇它至70 °c 之間》 8 ·如申請專利範圍第1或2項的方法，其中在處理過程中， 臭氧濃度至少保持在5 g/Nm3。 9. 如申請專利範圍第8項的方法，其中臭氧濃度是介於ι〇〇 g/Nm3至 120 g/Nm3之間。 10. 如申請專利範圍第1或2的方法，其中在處理過程中， 5= 1376698 修正本. • · —MW——•一 •. 在氧化物層上保持一層水膜。 /l7坪/7月V日修(更)正替換頁 H . . 1 1.如申請專利範圍第1 0項的方法，其中以水蒸汽形成水 膜。 12.如申請專利範圍第1或2項的方法，其中將表面或表面 上的氧化物層加熱。 * 1 3 .如申請專利範圍第1 2項的方法，其中利用熱蒸汽或熱空 氣加熱。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項的方法，其中利用外部加熱裝置 I加熱。 15.如申請專利範圍第1或2項的方法，其中在氧化處理結 束後’以水蒸汽處理經過氧化處理的表面，並使水蒸汽 在表面上凝結。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項的方法，其中水蒸汽的溫度高於 100〇C。 】7.如申請專利範圍第丨6項的方法，其中將多餘的水蒸汽凝 結。 18.如申請專利範圍第17項的方法，其中讓冷凝液通過陽離 子交換劑。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項的方法，其中以一種還原劑處理 冷凝液，以去除冷凝液中的硝酸鹽。 2〇·如申請專利範圍第19項的方法，其中以聯胺作爲還原 劑。 2 1 ·如申請專利範圍第20項的方法，其中硝酸鹽與聯胺的莫 耳比至少爲1 :〇.5。 1376698 _ r ·': · /dTC年/ /月/3¾修(更)正替換頁4正本 - 〆 ^， 22.如申請專利範圍第21項的方法，其中將硝酸鹽與聯胺的 莫耳比控制在1:0.5至2:5之間。 23.如申請專利範圍第1或2項的方法，其中在氧化處理結 束後，以一種有機酸的含水液處理氧化物層。 ' 24.如申請專利範圍第23項的方法，其中該有機酸爲草酸。

-«· 13,76698 饮、月/3日修(£)正替換頁 .· 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第1圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 系 統 2 淨 化 環 循 3 輸 送 站 4 管 路 5 幫 浦 6 系 統 出 □ 7 液 體 分 離 器 8 冷 凝 液 管 路 9 輸 送 站 10 輸 送 站 12 觸 媒 轉 化 器 13 系 統 回 流 段

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：