TWI375281B - Semiconductor device and method of fabricating the same - Google Patents

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1375281 修正本 九、發明說明： 【交互參考之相關申請書】 本專利申請案主張在2 0 07年6月28日所申請之韓國專利 案第1〇_2〇07-64473號之優先權，在此將其完全納入供參 考， 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體元件及其製造方法，尤其是 一種包含具有凹陷閘極之電晶體的半導體元件及其製造方 •法。 【先前技術】 因爲最近發展之金氧半場效應電晶體（MOSFET)元件 之設計規則，已減少到次100 nm或更小，因此通道長度也 . 減少。結果，在離子佈値特定元件中所要求之MOSFET元 件的臨限電壓（Vt)標的時，現在的平面型電晶體結構由於 製程和元件而受到限制。因此，爲了防止Μ Ο S F ET元件的 φ短通道效應，已主動硏究具有三維凹陷閘極之MOSFET元 •件，其中閘極係形成在藉由蝕刻矽基板形成之凹槽中》 .但是，考慮到通道面積的增加，傳統的三維凹陷閘極 結構會有導通電流效應沒有相對於通道面積的增加而增加 的問題。 【發明内容】 本發明係針對一種半導體元件及其製造方法，其中在 一種包含具有凹陷閘極之電晶體的半導體元件中，相對於 -5- 1375281 . · 修正本 通道面積的增加導通電流效應可以獲得改善。 在本發明之一實施例中，一種半導體元件包含：許多 溝渠，在一方向，在平行於半導體基板的主動區形成：凹 陷閘極，形成在包含溝渠之半導體基板上且與溝渠交叉； 源極/汲極區，形成在包含溝渠之半導體基板，在凹陷閘極 ‘ 之兩側上；層間絕緣層，形成在包含凹陷閘極之半導體基 - 板上；接觸栓塞，透過在層間絕緣層之中的多工第一接觸 孔洞連接到溝渠底部的源極/汲極區，和透過在多個第一接 #觸孔洞之間的第二接觸孔洞連接到半導體基板中的源極/ 汲極區；及金屬線，連接到接觸栓塞。這些第一接觸孔洞 和第二接觸孔洞係相互連接，以形成多數接觸栓塞當做線 圖案形狀。 在另一實施例中，一種半導體元件包含：許多溝渠， 在一方向，在平行於在半導體基板的主動區形成；凹陷閘 極，形成在包含溝渠之半導體基板上且與溝渠交叉；源極/ 汲-區，形成在包含溝渠之半導體基板，在凹陷閘極之兩 ®側上；第一層間絕緣層，形成在包含凹陷閘極之半導體基 \ 板上；定位接觸栓塞，透過在第一層間絕緣層之中的這些 ' 第一接觸孔洞連接到溝渠底部的源極/汲極區；第二層間絕 緣層形成在包含定位接觸栓塞之第一層間絕緣層上；多數 金屬線接觸栓塞，透過在第二層間絕緣層中的多數第二接 觸孔洞連接到多數定位接觸栓塞，且透過在定位接觸栓塞 之間的多個第三接觸孔洞連接到半導體基板中的源極/汲 極區；及金屬線，連接到多數金屬線接觸栓塞。多數第二 -6- 1375281 修正本 接觸孔洞和第三接觸孔洞係相互連接，以形成多數金屬線 接觸栓塞當做線圖案形狀。 在本發明之再一實施例中，一種半導體元件的製造方 法包含：在一方向，在平行於半導體基板的主動區，形成 許多溝渠；在包含多數溝渠之半導體基扳上形成與多數溝 ‘渠交叉的凹陷閘極：在包含溝渠之半導體基板中，在凹陷 •閘極之兩側，形成源極/汲極區；在包含凹陷閘極之半導體 基板上，形成層間絕緣層；蝕刻層間絕緣層，以形成多數 Φ 接觸孔洞，經由該等接觸孔洞溝渠底部的源極/汲極區，和 半導體基板中的源極/汲極區，曝露在凹陷閘極兩側上；形 成接觸栓塞，以塡充接觸孔洞；及形成金屬線，以連接到 平行凹陷閘極之多數接觸栓塞。 這些接觸孔洞被分成可曝露溝渠底部之源極/汲極區 之多數第一接觸孔洞，和可曝露在半導體基板中的源極/汲 極區之多數第二接觸孔洞。多數第一接觸孔洞和第二接觸 孔洞係相互連接，以形成線圖案之多數接觸栓塞。 ® 在本發明之再另一實施例中，一種半導體元件的製造 方法包含：在一方向，在平行於半導體基板的主動區，形 成許多溝渠；在包含多數溝渠之半導體基板上形成與多數 溝渠交叉的凹陷閘極；在包含溝渠之半導體基板中，在凹 陷閘極之兩側，形成源極/汲極區；在包含凹陷閘極之半導 體基板上，形成第一層間絕緣層；蝕刻第一層間絕緣層， 以形成多數第一接觸孔洞，經由這些接觸孔溝渠底部的源 極/汲極區被曝露在凹陷閘極兩側；形成塡充這些第一接觸 1375281 修正本 孔洞之多個定位接觸栓塞；在包含定位接觸栓塞之半導體 基板上，形成第二層間絕緣層；飩刻第二層間絕緣層，以 形成多數第二接觸孔洞，曝露定位接觸栓塞和在半導體基 板中的源極/汲極區；形成塡充這些第二接觸孔洞之多數金 屬線接觸栓塞；及彩成金屬線：達接到金屬線接觸栓塞平 '行凹陷閘極。 •多數第二接觸孔洞被分成多數第三接觸孔洞，經由此 等第三接觸孔而曝露定位接觸栓塞；和多數第四接觸孔 ® 洞，經此而曝露在半導體基板中的源極/汲極區。 在上述的實施例中，源極/汲極區係藉由0°到20°之傾 斜角和30°到40°之扭轉角的離子佈植N +雜質形成。源極/ 汲極區係藉由1 .0E 1 5到9.0E20離子/cm2之劑量和1 0到20 KeV之離子佈植能量的離子佈植N +雜質所形成。 源極/汲極區係藉由0°到20°之傾斜角和30°到40°之 扭轉角的離子佈植P +雜質形成。源極/汲極區係藉由1.0E 15 到9.0E20離子/cm2之劑量和10到20 KeV之離子佈植能量 ® 的離子佈植P+雜質形成。 【實施方式】 現在，將參考附圖詳細說明根據本發明之特定實施例。 參考第2A圖，墊氧化物層（未圖示）和墊氮化物層（未 圖示）順序形成在包含周邊區之半導體基板100上。光阻圖 案（未圖示）被形成在墊氮化物層上，隔離區之墊氮化物層 透過此光阻圖案而露出。隔離區的墊氮化物層，墊氧化物 層，和半導體基板100藉由使用光阻圖案當作遮罩之鈾刻 -8· 1375281 修正本 製程順序製成圖案，形成第一溝渠1〇2。然後移除光阻圖 案。 絕緣材料沉積在包含第一溝渠102和製成圖案的墊氮 化物層之半導體基板100上，形成塡充第一溝渠102之絕 緣層（未圖不）。飽刻絕緣層’直到曝露出塾氮化物層u此 時’可以藉由使用硏磨製程，如化學機械硏磨（CMP)製程或 •全體蝕刻製程，執行絕緣層蝕刻製程。因此，只剩下在第 —溝渠102之中的絕緣層，使得隔離層1〇3形成在半導體 ® 基板丨00的隔離區中。此時，主動區和隔離區係藉由隔離 層103界定。之後，製成圖案的墊氮化物層和製成圖案的 墊氧化物層順序被移除。 要被使用當作蝕刻障礙層之氧化物層（未圖示）和多晶 矽層（未圖示）順序被形成在包含隔離層103之半導體基板 100上。光阻（未圖示）被形成在多晶矽層上並製成圖案，以 曝露半導體基板1 00之將會形成凹陷閘極的主動區。多晶 矽層和氧化物層係藉由使用光阻圖案當作遮罩之蝕刻製程 ® 製成圖案。使在製成圖案的多晶矽層和製成圖案的氧化物 ·· 層之間的半導體基板100被凹陷，以在一方向形成平行半 '導體基板100的主動區之許多第二溝渠104»第二溝渠104 的尺寸可以根據通道寬度決定。例如，設若在形成具有 0.972 um通道寬度之電晶體，每一個第二溝渠1〇4的深度 和寬度都可以設定爲500埃（A)。再者，第二溝渠104的上 轉角要儘可能圓形化，以減緩磁場強度。之後移除光阻圖 案’製成圖案的多晶矽層，和氧化物層。 -9- 1375281 .. < · 修正本 參考第2B圖，閘極絕緣層106被形成在包含許多第二 溝渠104和隔離層103之半導體基板1〇〇上。閘極絕緣層 106可以爲藉由氧化製程形成之氧化矽（Si02)。 參考第2C圖’導電層（未圖示）和硬式遮罩係以塡充許 多第一溝渠1 〇4之方式’形成在包含第二溝渠1 04之閘極 ' 絕緣層106上。光阻（未圖示）被形成在硬式遮罩上並製成 - 圖案，以曝露將不會形成凹陷閘極的區域之硬式遮罩。光 阻圖案被形成，以跨越在一方向彼此相互平行之許多第二 •溝渠104。此時，導電層可以具有多晶矽層或多晶矽層和 矽化鎢（WSix)層之堆疊層。 硬式遮罩，導電層’和閘極絕緣層106係藉由使用光 阻圖案當作遮罩之蝕刻製程製成圖案。因此，與許多第二 溝渠104相交之凹陷閘極108係形成在包含第二溝渠104 之半導體基板100上。如上所述，凹陷閘極108具有三維 結構，而部分塡充許多製成圖案的第二溝渠104，使得增 加之區域像形成的第二溝渠104之區域一樣多。因此，當 ®源極/汲極區係在後續製程形成時，通道區域可以增加像凹 陷閘極1 〇 8的增加區域一樣多。然後移除光阻圖案。 ' 雖然沒有圖式但是在包含凹陷閘極108之半導體基 板1 〇〇上形成絕緣層之後，可以執行間隔層蝕刻製程，以 在凹陷閘極1 0 8的兩個側壁上形成間隔層（未圖示）。 參考第2D圖，執行離子佈植製程，以在半導體基板 1 〇 〇之凹陷閘極1 0 8的兩側上及第二溝渠1 〇 4的側壁和底 部上’形成源極/汲極區110。此時，因爲源極/汲極區110 -10- 1375281 修正本 的區域由於三維凹陷閘極108的區域增加而增加時，通道 區域也會增加。 特別地，離子佈植製程可以在下列之條件下執行，其 中N +雜質，如砷（As)，劑量設定爲1.0E15到9.0E20離子 /cm3 ’離子倚植能量設定爲〗〇到20 KeV >傾斜角設定爲 0°到2 0°，和扭轉角設定爲3(Τ到40。，或P +雜質，如bf2， •劑量設定爲1.0E15到9·ΟΕ2〇離子/cm3，離子佈植能量設 定爲10到20 KeV，傾斜角設定爲0°到20°，和扭轉角設 ® 定爲30°到4 0°，以降低在後續製程形成之定位接觸拴塞和 金屬線接觸栓塞的介面電阻。於是完成包含閘極絕緣層 106，凹陷閘極1〇8，和源極/汲極區110之MOSFET結構 之電晶體。 參考第2E圖，在包含凹陷閘極108之半導體基板1〇〇 上沉積絕緣材料，形成第一層間絕緣層1 1 4。執行第一層 間絕緣層1 1 4的蝕刻製程，直到形成在凹陷閘極1 08上之 硬式遮罩（未圖示）的表面被曝露出來。此時，第一層間絕 ® 緣層1 14可以由任何種類的絕緣材料形成，如氧化矽 (Si02)，旋佈玻璃（SOG)，硼磷矽酸玻璃（BPSG)，磷矽酸玻 璃（PSG)，未掺雜矽酸玻璃（USG)，和四乙氧基矽烷 (TEOS)。第一層間絕緣層114的蝕刻製程可以藉由使用硏 磨製程，如化學機械硏磨（CMP)製程或全體蝕刻製程執行。 光阻（未圖示）形成在第_層間絕緣層1 1 4和凹陷閘極 108上，並且製成圖案，以曝露對應第二溝渠104之第一 層間絕緣層1 1 4。形成光阻圖案，以曝露在平行凹陷閘極 -11- 1375281 修正本 108之凹陷閘極108的兩側上對應第二溝渠104之第一層 間絕緣層11 4。 在凹陷閘極108的兩側上對應第二溝渠104之第一層 間絕緣層114藉由使用光阻圖案當作遮罩之蝕刻製程蝕 刻，彤成許多第一接觸孔洞1 1 6，經囱這些接鐲孔洞，曝 '露在第二溝渠104底部之半導體基板1〇〇。 •參考第2F圖，以將第一接觸孔洞116塡充之方式，將 導電材料沉積在包含第一接觸孔洞116之第一層間絕緣層 • 114上，形成導電層（未圖示）。蝕刻導電層，直到曝露出第 一層間絕緣層1 1 4。導電層可以由多晶矽層形成。第一層 間絕緣層1 1 4的蝕刻製程可以藉由使用硏磨製程，如化學 機械硏磨（CMP)製程或全體蝕刻製程執行。因此，導電層只 剩餘在許多第一接觸孔洞116之中，而形成定位接觸栓塞 118» 參考第2G圖，絕緣材料沉積在包含定位接觸栓塞118 之第一層間絕緣層1 1 4上，形成第二層間絕緣層1 2 0。第 ® 二層間絕緣層1 2 0可以由任何種類的絕緣材料形成，如 Si〇2 > SOG，BPSG，PSG，USG，或 TEOS。此時，在第二 ’層間絕緣層1 20形成之後，可以再執行第二層間絕緣層1 2 0 的上表面硏磨製程。 層 1 緣塞 絕栓 間觸 層接 二位 第定 在在 露 曝 圖 阻 光 成 形 上 間 層二 第 的 間 之 層 緣 案絕 示12 圖 未 其且 定 應 對 露 曝 洞 孔 觸 接二 第 數製 多刻 。 蝕 20之 1罩 層 遮 緣作 絕當 間案 二阻 第光 之用 8 使 11由 塞藉 栓係 觸22 接 1 位 -12- 1375281 .. , 1 修正本 程形成，而經由這些接觸孔洞曝露定位接觸栓塞118表 面。多數第三接觸孔洞丨24，係交替形成在第二接觸孔洞 122之間，經由這些第三接觸孔洞曝露半導體基板1〇〇中 源極/汲極區110。形成在周邊區之第二和第三接觸孔洞122 和〗24係與胞元區之多數位元線接觸孔洞同時形成" • 此時’在本發明之實施例中，上面已說明第二接觸孔 洞122和第三接觸孔洞124具有孔洞圖案形狀，而且平行

凹陷閘極108交替地形成。但是，在另一實施例中，第2G • 圖的第二接觸孔洞122和第三接觸孔洞124可以相互連 接，以形成具有平行於凹陷閘極1 0 8具有線圖案形狀之接 觸孔洞125，如第3圖所示。在此情形下，將在後續製程 形成之金屬線接觸栓塞也可以形成，以具有線圖案。然後 移除光阻圖案。 參考第2H圖’以將第二和第三接觸孔洞122和124 塡充的方式，將導電材料沉積在第二層間絕緣層120上， 形成導電層（未圖示）。蝕刻導電層，直到曝露出第二層間 •絕緣層120的表面。此時，導電層可以由多晶矽層形成。 第二層間絕緣層1 2 0的蝕刻製程可以藉由使用硏磨製程， • 如CMP製程或全體蝕刻製程形成。 因此，導電層只剩餘在第二.接觸孔洞122和第三接觸 孔洞124之中，如此形成金屬線接觸栓塞ι26。金屬線接 觸栓塞126係與位元線接觸栓塞同時形成在胞元區。 參考第21圖，導電材料沉積在包含金屬線接觸栓塞 126之第二層間絕緣層120上，形成導電層（未圖示）。光阻 -13- 1375281 修正本 (未圖示）形成在導電層上並製成圖案，以曝露除了對應金 屬線接觸栓塞126之區域以外的導電層。導電層可以由具 有低電阻之材料形成，如鎢（W)，鈦（TI)，氮化鈦（TiN)，鋁 (A1)，或鋁（A1)合金。 導電層係藉由使甩光阻圖案當作遮罩之蝕刻製程製成 圖案，形成連接到金屬線接觸栓塞126之金屬線128。此 時，金屬線128係平行凹陷閘極108，形成在凹陷閘極108 的兩側上。然後移除光阻圖案。 如上所述，在本發明之實施例中，只形成在既存的胞 元區中之定位接觸栓塞118而擴展到周邊區，然後形成在 藉由使凹陷半導體基板100所形成之許多第二溝渠104 中。然後金屬線接觸栓塞126形成在定位接觸栓塞118上。 因此，源極/汲極區1 1 0和金屬線1 2 8剛好形成在第二溝渠 1 〇4所形成之區域中，如此透過三維凹陷閘極1 08的形成， 導通電流可以增加像通道區域所增加的一樣多。 爲了方便說明，在本發明之實施例中，已說明定位接 觸栓塞118係形成在第二溝渠104之中，然後金屬線接觸 栓塞126形成在定位接觸栓塞118之上，以連接源極/汲極 區110和金屬線128。但是，定位接觸栓塞118可以不需 要形成。在此情形下，當金屬線接觸栓塞126形成時，它 們可以擴展進入第二溝渠104,以透過金屬線接觸栓塞126 連接源極/汲極區110和金屬線128。甚至在此情形下，透 過三維凹陷閘極1 08的形成，導通電流可以增加像通道區 域所增加的一樣多。 •14- 1375281 修正本 在DRAM的情形中，定位接觸栓塞可以藉由形成定位 接觸栓塞在胞元區之製程方式而形成在周邊區。而形成定 位接觸栓塞之製程係爲習知技術，因此將省略說明。 根據本發明，在包含具有凹陷閘極之電晶體的半導體 元件中，接觸栓塞甚至係形成.在藉由使半導體基扳凹陷所 形成之許多溝渠的形成區域中。因此，金屬線和源極/汲極 區可以透過接觸栓塞連接，使得導通電流可以增加像通道 區域所增加的一樣多。 雖然本發明已參考特定實施例詳細說明，但是應當瞭 解那些熟悉本項技術之普通人士所做之變化例和修正例， 將不脫離本發明和所附之申請專利範圍的精神和範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖爲根據本發明實施例，包含具有凹陷閘極之電 晶體的半導體元件透視圖； 第2A圖到第21圖爲沿第1圖之線A-A’和B-B’所取的 橫截面圖，用以依序說明半導體製程；及 第3圖爲根據本發明另一實施例之半導體元件的橫截 面圖。 【主要元件符號說明】 100 半 導 體 基 板 102 第 —· 溝 渠 1 03 隔 離 層 1 04 第 二 溝 渠 106 閘 極 絕 緣 層 -15- 修正本 凹陷閘極 源極/汲極區 第一層間絕緣層 第一接觸孔洞 定位接觸拴塞 第二層間絕緣層 第二接觸孔洞 第三接觸孔洞 接觸孔洞 金屬線接觸栓塞 金屬線 -16-

Claims (1)

1375281 第96 1 43 3 95號「半導體元件及其製造方法」專利案 (2012年3月30日修正） 十、申請專利範圍： 1·—種半導體元件的製造方法，其包含下列步驟： 在半導體基板的主動區中沿著一個方同形或複數個溝 渠； 在包含該等溝渠之半導體基板上形成與該等溝渠交叉 的凹陷閘極； 在該凹陷閘極兩側的包含該等溝渠之半導體基板中形 成源極/汲極區； 在包含該凹陷閘極之半導體基板上·方形成層間絕緣 層： 蝕刻該層間絕緣層以形成多個接觸孔洞，經由該等接 觸孔洞在該凹陷閘極兩側曝露出溝渠底部的該源極/汲 極區和該半導體基板中的該源極/汲極區； 形成塡充該等接觸孔洞之接觸栓塞；及 形成連接至該等接觸栓塞且平行於該凹陷閘極的金屬 線。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等接觸孔洞包含： 多個第一接觸孔洞，該溝渠底部的該源極/汲極區經由其 而曝露出；和多個第二接觸孔洞，在該半導體基板中的 該源極/汲極區經由其而曝露出。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該等第一接觸孔洞 和該等第二接觸孔洞係相互連接，以形成線圖案形式的 1375281 多個接觸栓塞。 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以0°到20°之傾斜角和30。到40°之扭轉角離子佈植 N +雜質來形成。 5 -如申請專利範圍第1項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以1.0E15到9.0E20 離子/cm2之劑量和10到20 KeV 之離子佈植能量離子佈植N +雜質來形成。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以0°到20°之傾斜角和30。到40°之扭轉角離子佈植 P +雜質來形成。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以1.0E15到9.0E20 離子/ cm2之劑量和10到20 KeV 之離子佈植能量離子佈植P +雜質來形成。 8. —種半導體元件的製造方法，包含下列步驟： 在半導體基板的主動區中沿一個方向形成複數個溝 渠； 在包含該等溝渠之半導體基板上形成與該等溝渠交叉 的凹陷閘極； 在該凹陷聞極兩側的包含該等溝渠之半導體基板中形 成源極/汲極區； 在包含該等凹陷閘極之半導體基板上方形成第一層間 絕緣層； 蝕刻該第一層間絕緣層以形成多個第一接觸孔洞，經 由該等第一接觸孔洞在該凹陷閘極兩側曝露出溝渠底部 -2- 1375281 的該源極/汲極區； 形成塡充該等第一接觸孔洞之多個定位接觸栓塞 (landing contact plug )； 在包含該等定位接觸栓塞之半導體基板上方形成第二 層間絕緣層； * · ， * · _ ' 蝕刻該第二層間絕緣層以形成多個第二接觸孔洞，經 - 由該等第二接觸孔洞曝露出該等定位接觸栓塞和在該半 導體基板中的該源極/汲極區； # 形成塡充該等第二接觸孔洞之多個金屬線接觸栓塞； 及 形成連接至該等金屬線接觸栓塞且平行於該凹陷閘極 的金屬線。 9.如申請專利範圍第8項之方法，其中該等第二接觸孔洞 包含：多個第三接觸孔洞，經由其曝露出該等定位接觸 栓塞；和多個第四接觸孔洞，經由其曝露出該半導體基 板中的該源極/汲極區。 • 10.如申請專利範圍第9項之方法，其中該等第三接觸孔洞 _ 和該等第四接觸孔洞係相互連接，以形成線圖案形式的 該等接觸栓塞。 11.如申請專利範圍第8項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以0°到20°之傾斜角和30°到40°之扭轉角離子佈植 N +雜質來形成。 1 2 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以1 ·0Ε1 5到9.0E20離子/cm2之劑量和1 0到20 KeV -3- 1375281 之離子佈植能量離子佈植N+雜質來形成。 13. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以〇°到20。之傾斜角和30。到40。之扭轉角離子佈植 P +雜質來形成。 14. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該源極/汲極區係藉 由以1.0E15到9.0E20離子/ cin2之劑量和10到20KeV 之離子佈植能量離子佈植P +雜質形成。 15· —種半導體元件，包含： 複數個溝渠，沿一個方向平行形成在半導體基板的主 動區中； 凹陷閘極，形成爲在包含該等溝渠之半導體基板上與 該等溝渠交叉； 源極/汲極區，形成在該凹陷閘極兩側之包含該等溝渠 之半導體基板中； 層間絕緣層，形成在包含該凹陷閘極之半導體基板上 方； 接觸栓塞，透過該層間絕緣層中的多個第一接觸孔洞 連接到溝渠底部的該源極/汲極區和透過位在該等第一 接觸孔洞之間的多個第二接觸孔洞連接到該半導體基板 中的該源極/汲極區：及 金屬線，連接到該等接觸栓塞。 16.如申請專利範圍第15項之半導體元件，其中該等第一接 觸孔洞和該等第二接觸孔洞係相互連接，以形成作爲線 圖案形狀的該等接觸栓塞。 -4- 1375281 17. —種半導體元件，包含： 複數個溝渠，沿一個方向平行形成於半導體基板的主 動區中； 凹陷閘極，形成爲在包含該等溝渠之半導體基板上與 該等溝渠交叉； 源極/汲極區，形成在該凹陷閘極兩側之包含該等溝渠 之半導體基板中； 第一層間絕緣層，形成在包含該凹陷閘極之半導體基 板上方； 定位接觸栓塞，經由該第一層間絕緣層中的該等第一 接觸孔洞連接到溝渠底部的該源極/汲極區； 第二層間絕緣層，形成在包含該等定位接觸栓塞之第 一層間絕緣層上； 多個金屬線接觸栓塞，經由第二層間絕緣層中的多個 第二接觸孔洞連接到該等定位接觸栓塞，且經由位在該 等定位接觸栓塞之間的第三接觸孔洞連接到該半導體基 板中的該源極/汲極區；及 金屬線，連接到該等金屬線接觸栓塞。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之半導體元件，其中該等第二接 觸孔洞和該等第三接觸孔洞係相互連接，以形成作爲線 圖案形狀的該金屬線接觸栓塞。 •5-