TWI374475B - - Google Patents

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1374475 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關基板洗淨裝置及基板洗淨方法；尤其， 有關對被施加有電漿處理之基板，去除附著於其背面之異 物的基板洗淨裝置及基板洗淨方法。 【先前技術】

通常，半導體裝置之製程中，對被處理體亦即半導體 晶圓（以下稱爲「晶圓」），係施加有蝕刻或濺鍍、CVD (化學氣相沉積）等，使用了電漿的處理（以下稱爲「電 漿處理」）。 例如，用以施加電漿處理之電漿處理裝置80，係如 第8圖所示，具備收容晶圓之圓筒形容器8 1 ;和配置於 該圓筒形容器81之內部，做爲放置晶圓之放置台的感受 器 82;和向著晶圓被放置之面（以下稱爲「放置 面」），貫穿感受器82而配置的推進針83。感受器82, 在放置面具有配置了連接於直流電源84之電極的靜電夾 85;更且其內部，具有連接於高頻電源86的下部電極87 (例如參考專利文件1 )= 電漿處理裝置80中，靜電夾85以靜電吸附力將晶圓 吸附於放置面後，對下部電極87施加高頻電力，在圓筒 形容器81內之上面和感受器82之間產生高頻電場，使被 被圖 。 未 漿C 電環 η 1 產聚 而之 化圍 離包 游而 體圍 氣周 理圓 處晶 之於 內置 1 配 8由 器會 容 ’ 形漿 筒電 圓的 入生 導產 (2) (2)1374475 示）而集束於晶圓表面，來蝕刻晶圓表面形成的氧化膜。 又，施加了蝕刻處理的晶圓，會由推進針83自放置 面被抬起，藉由進入圓筒形容器81之純量（Scalar)臂 等搬運裝置（未圖示）而自圓筒形容器81被搬出。 電漿處理中產生的電漿中，沒有被集束至晶圓表面 者，會衝狀元筒形容器81之內壁而產生微粒。又，蝕刻 處理中會產生反應產生物。此等微粒和反應產生物，雖然 幾乎都會以未圖示之排氣裝置而自圓筒形容器 81被排 出，但留在圓筒形容器81內之一部分微粒或反應產生 物，會堆積於放置面。又，感受器82因電將等造成的微 粒也會堆積於放置面。此等堆積於放置面之微粒或反應產 生物，在晶圓被放置於放置面時，會成爲異物而附著於晶 圓背面。做爲去除此種附著於晶圓背面之微粒或反應產生 物的去除方法，已知有使用洗淨液等的濕洗淨。 又，做爲不使用洗淨液之方法，亦已知有在被推進針 抬起之晶圓和放置面之間產生電漿，藉由所產生之電漿的 離子之濺鏟作用，或是自由離子之化學反應作用，而去除 晶圓背面之爲例的去除方法（例如參考專利文件2)。 [專利文件1]日本特開平5-226291號公報（第1圖） [專利文件2]美國專利第4962049號說明書（第2欄 第67行至第3欄第17行） 【發明內容】 發明所欲解決之課題 (3) (3)1374475 然而，反覆洗淨晶圓之後，洗淨液會被污染。從而， 晶圓洗淨中會有因被污染之洗淨液所包含的微粒等，而污 染晶圓表面的問題。又，施加有蝕刻處理之晶圓，在之後 工程之室搬入等時，會有未被去除之微粒污染該室內部的 狀況。 又，以電漿去除晶圓背面之微粒時，被產生之電漿會 電晶圓扁面施加過度電漿處理，而損傷晶圓；例如，有對 晶圓表面施加過度晶圓處理，而產生過度蝕刻的問題》 本發明之目的，係提供一種不會損傷基板，而可充分 去除附著於基板背面之異物的，基板洗淨裝置。 用以解決課題之手段 爲了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之基 板洗淨裝置’其特徵係具備收容基板的收容室；和配置於 收容室內’放置上述基板的放置台；和配置於該放置台， 被施加電壓而將上述基板吸附於上述放置台的電極；和將 上述收容室內加以排氣的排氣裝置；和分離上述放置台及 上述基板’使上述放置台及上述基板之間產生空間的分離 裝置；和對上述空間供給氣體的氣體供給裝置；當上述空 間產生時’對上述電極施加電壓，上述氣體供給裝置會對 上述空間供給氣體’而上述排氣裝置則將上述收容室內排 氣。 申請專利範圍第2項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第]項所記載之基板洗淨裝置，其特徵爲更 -6 - (4) (4)1374475 具備在上述收容室內被減壓且產生上述空間時，將氣體導 入上述收容室內的氣體導入部者。 申請專利範圍第3項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板洗淨裝置，其 特徵爲上述電極係不連續的被施加電壓者。. 申請專利範圍第4項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第3項所記載之基板洗淨裝置，其特徵爲上 述電極係被交互施加極性不同的電壓者。 申請專利範圍第5項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第4項所記載之基板洗淨裝置，其特徵爲上 述電壓之絕對値係在5 Ο Ο V以上者。 申請專利範圍第6項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第5項所記載之基板洗淨裝置，其特徵爲上 述電壓之絕對値係在2kV以上者。 申請專利範圍第7項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第1項至第6項之任一項所記載之基板洗淨 裝置’其特徵爲上述排氣裝置在上述空間產生時，係保持 上述收容室內之壓力在133Pa以上者。 申請專利範圍第8項所記載之基板洗淨裝置，係針對 申請專利範圍第7項所記載之基板洗淨裝置，其特徵爲上 述排氣裝置在上述空間產生時，係保持上述收容室內之壓 力在1·33χ1〇3〜1.33x]04Pa的範圍者。 爲了達成上述目的，申請專利範圍第9項所記載之基 板洗 '淨裝置，其特徵係具備收容基板的收容室；和配置於 (5) (5)1374475 收容室內，放置上述基板的放置台；和將上述收容室內加 以排氣的排氣裝置；和分離上述放置台及上述基板，使上 述放置台及上述基板之間產生空間，同時接觸上述基板並 對上述基板施加電壓的分離裝置；和對上述空間供給氣體 的氣體供給裝置；和將氣體導入上述收容室內的氣體導入 部；當上述空間產生時，對上述電極施加電壓，上述氣體 供給裝置會對上述空間供給氣體，而上述排氣裝置則將上 述收容室內排氣’更且當上述收容室內被減壓且產生上述 空間時，上述氣體導入部會將氣體導入上述收容室內。 爲了達成上述目的，申請專利範圍第10項所記載之 基板洗淨方法，係去除附著於基板背面之異物的基板洗淨 方法；其特徵係具有將基板收容於收容室的收容步驟；和 將上述基板，放置於配置在上述收容室之放置台的放置步 驟；和使上述放置台及上述基板之間產生空間地，來分離 上述放置台及上述基板的分離步驟；和當上述空間產生 時’對配置於上述放置台之電極施加電壓的電壓施加步 驟；和當上述空間產生時，對上述空間供給氣體的氣體供 給步驟；和當上述空間產生時，將上述收容室內排氣的排 氣步驟。 申請專利範圍第1 1項所記載之基板洗淨方法.，係針 對申請專利範圍第I 0項所記載之基板洗淨方法，其特徵 爲更具備在上述收容室內被減壓且產生上述空間時，將氣 體導入上述收容室內的氣體導入步驟者。 申請專利範圍第1 2項所記載之基板洗淨方法，係針 -8- (6) (6)1374475 對申請專利範圍第1 0項或第Π項所記載之基板洗淨方 法，其特徵爲上述電壓施加步驟中，係對上述電極不連續 的施加電壓者。 申請專利範圍第1 3項所記載之基板洗淨方法，係針 對申請專利範圍第12項所記載之基板洗淨方法，其特徵 爲上述電壓施加步驟中，係對上述電極交互施加極性不同 的電壓者。 爲了達成上述目的，申請專利範圍第14項所記載之 基板洗淨方法，係去除附著於基板背面之異物的基板洗淨 方法；其特徵係具有將基板收容於收容室的收容步驟；和 將上述基板，放置於配置在上述收容室之放置台的放置步 驟；和使上述放置台及上述基板之間產生空間地，來分離 上述放置台及上述基板的分離步驟；和當上述空間產生 時，對上述基板施加電壓的電壓施加步驟.；和當上述空間 產生時’對上述空間供給氣體的氣體供給步驟；和當上述 空間產生時’將上述收容室內排氣的排氣步驟；和當上述 收容室內被減壓且產生上述空間時，將氣體導入上述收容 室內的氣體導入步驟。 發明效果 若依申請專利範圍第1項所記載之基板洗淨裝置，當 放置台及基板之間產生空間時，因對配置於放置台的電極 施加電壓’故上述空間中會產生靜電場，而於基板之背面 作用有靜電性作用力。依此，附著於基板背面之異物會脫 -9- (7) (7)1374475 離。又，上述空間產生時，因對空間供給有氣體，而收容 室內被排氣，故空間中會產生氣流，因該氣流而脫離之異 物會自空間被排除，進而自收容室被排氣。從而，基板洗 淨裝置可不損傷基板，而充分去除附著於基板背面之異 物。 若依申請專利範圍第2項所記載之基板洗淨裝置，當 收容室內被減壓時，因將氣體導入收容室內，故收.容室內 會產生行進衝擊波，以該衝擊波，使附著於基板背面之異 物脫離至空間中。從而，基板洗淨裝置可不損傷基板，而 充分去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第3項所記載之基板洗淨裝置，因 對電極不連續的施加電壓，故對電極的電壓施加是反覆進 行。依此，基板之背面會反覆作用有靜電的作用力。從 而，可充分去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第4項所記載之基板洗淨裝置，因 交互施加有極性不同的電壓，故可防止基板帶電。若基板 帶電，藉由施加電壓而作用於基板背面的靜電性作用力會 變小。從而，藉由防止基板帶電，可防止附著於基板背面 之異物的去除效率低落。 若依申請專利範圍第5項所記載之基板洗淨裝置，因 空間產生時，施加於電極之電壓在5 00V以上，故可加大 作用於基板背面之靜電性作用力，而可確實的進行異物的 脫離。 若依申請專利範圍第6項所記載之基板洗淨裝置，因 -10- (8) (8)1374475 上述電壓在2kV以上，故可更加大上述靜電性作用力。 若依申請專利範圍第7項所記載之基板洗淨裝置，因 排氣裝置將收容室內的壓力維持在133Pa以上，故在空間 中可產生氣體流阻力較大的阻力流。自基板背面脫離的異 物，會被捲入阻力流中，與收容室內的氣體一同自收容室 被排氣。從而，可確實去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第8項所記載之基板洗淨裝置，因 排氣裝置會將收容室內之壓力保持在1.33X103〜1.33χ 104Pa的範圍，故可在空間中確實產生阻力流。 若依申請專利範圍第9項所記載之基板洗淨裝置，當 放置台及基板之間產生空間時，因對配置於放置台的電極 施加電壓’故上述空間中會產生靜電場，而於基板之背面 作用有靜電性作用力。依此，附著於基板背面之異物會脫 離。更且’當空間產生且收容室內被減壓時，因將氣體導 入收容室內，故收容室內會產生行進衝擊波，以該衝擊 波’使附著於基板背面之異物脫離至空間中。又，上述空 間產生時’因對空間供給有氣體，而收容室內被排氣，故 空間中會產生氣流，因該氣流而脫離之異物會自空間被排 除’進而自收容室被排氣。從而，基板洗淨裝置可不損傷 基板’而充分去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第1 〇項所記載之基板洗淨方法， 當放置台及基板之間產生空間時'因對配置於放置台的電 極施加電壓’故上述空間中會產生靜電場，而於基板之背 面作用有靜電性作用力。依此，附著於基板背面之異物會 -11 - (9) (9)1374475 脫離。又，上述空間產生時，因對空間供給有氣體，而收 容室內被排氣，故空間中會產生氣流，因該氣流而脫離之 異物會自空間被排除，進而自收容室被排氣。從而，基板 洗淨裝置可不損傷基板，而充分去除附著於基板背面之異 物。 若依申請專利範圍第11項所記載之基板洗淨方法， 當空間產生且收容室內被減壓時，因將氣體導入收容室 內，故收容室內會產生行進衝擊波，以該衝擊波，使附著 於基板背面之異物脫離至空間中。從而，基板洗淨裝置可 不損傷基板，而充分去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第1 2項所記載之基板洗淨方法， 因對電極不連續的施加電壓，故對電極的電壓施加是反覆 進行。依此，基板之背面會反覆作用有靜電的作用力。從 而，·可充分去除附著於基板背面之異物。 若依申請專利範圍第1 3項所記載之基板洗淨方法， 因交互施加有極性不同的電壓，故可防止基板帶電。若基 板帶電，藉由施加電壓而作甩於基板背面的靜電性作用力 會變小。從而，藉由防止基板帶電，可防止附著於基板背 面之異物的去除效率低落。 若依申請專利範圍第1 4項所記載之基板洗淨方法， 當放置台及基板之間產生空間時，因對配置於放置台的電 極施加電壓，故上述空間中會產生靜電場.，而於基板之背 面作用有靜電性作用力。依此，附著於基板背面之異物會 脫離。更且’當空間產生且收容室內被減壓時，因將氣體 -12 - (10) (10)1374475 導入收容室內，故收容室內會產生行進衝擊波，以該衝擊 波，使附著於基板背面之異物脫離至空間中。又，上述空 間產生時，因對空間供給有氣體，而收容室內被排氣，故 空間中會產生氣流，因該氣流而脫離之異物會自空間被排 除，進而自收容室被排氣。從而，基板洗淨裝置可不損傷 基板，而充分去除附著於基板背面之異物。 【實施方式】 以下，參考圖示說明本發明之實施方式。 首先詳細說明本發明之第1實施方式中，做爲基板洗 淨裝置之電漿處理裝置。 第1圖中，做爲對晶圓W施加蝕刻處理之蝕刻處理 裝置而構成的電漿處理裝置1’係具有金屬製，例如鋁或 不銹鋼製的圓筒型室（收容室）10;該室10內’配置有 做爲放置晶圓 w之平台的’圓柱狀感受器（放置台） 11- 室]〇之側壁和感受器1】之間，形成有做爲將感受器 11上方之氣體’排出至室】0之外之通路’而工作的排氣 通路12。此排氣通路12 ’中途配置有環狀的緩衝板13; 排氣通路12中比緩衝板13更下游之空間’係連通於可變 式蝴蝶閥，亦即自動壓力控制閥（Automatic Pressure control valve)(以下稱爲「APC」）14°APC14’ 係連 接於真空吸引用排氣栗’亦即渦輪分子泵（以下稱'爲 「TMP」）15，更且經由TMP15連接於乾泵（以下稱爲 -13 - (11)1374475

「DP」）16。以下雖將 APC14、TMP15 及 DP16 戶 排氣通路’稱爲「本排氣線路」，但此本排氣線g 是藉由APC14來進行室1〇內的壓力控制，亦藉注 及DP 16將室1〇內減壓至幾乎成爲真空狀態。 又’上述排氣通路12中比緩衝板13更下游；^ 連接有與本排氣線路不同的排氣通路（以下稱爲i 路」）（排氣裝置）。此吸引線路，係連通於上切 DP16;具備直徑例如爲25mm之排氣管]7，和画 氣管17之中圖的閥V2。此閥V2，可切斷上迸 DP16。吸引線路係藉由DP16，排出室10內的氣體 感受器Π，係經由整合器1 9，而電性連接， 生用之高頻電源18。此高頻電源18，係將特定之 例如13.56MHz之高頻電力，施加於感受器II。任 受器1 1會工作爲下部電極。 感受器U之內部上方，設置有爲了以靜電® 吸附晶圓W的，導電膜構成之圓板狀電極板20。 2 0，係電性連接於直流電源2 2。 晶圓W，係藉由自電源2 2施加於電極板2 0 壓所產生的庫倫力，或是 Johnson-Rahbek力，而 保存於感受器11的上面。又’砂（Si)等所構成 狀聚焦環24，係使產生於感受器】1之上方的電獎 晶圓W集束。 又，感受器1 1之內部’例如設置有延伸於圓 的，環狀的冷媒室2 5。此冷媒室2 5中’係經由配 ί構成之 系並不只 ΤΜΡ 1 5 :空間， 吸引線 [空間和 ί置於排 空間和 • 〇 _電漿產 .局頻5 i此，感 :附力來 電極板 .直流電 被吸附 ,之圓環 ，向著 周方向 管26， -14 - (12) (12)1374475 自冷卻單元（未圖示）被供給有特定溫度之冷媒，例如冷 卻水；以該冷媒之溫度，來控制感受器1 ]上晶圓W之處 理溫度》 感受器11 .上面吸附晶圓W之部分，開孔有複數導熱 氣體供給孔（氣體供給裝置）27。此等導熱氣體供給孔 27，係經由配置於感受器11內部之導熱氣體供給線路 28，連通於具有閥V3之導熱氣體供給管29，自連接於導 熱氣體供給管29之導熱氣體供給部（未圖示），將導熱 氣體例如He氣體，供給至感受器1 1之上面和晶圓W之 背面之間的間隙。依此，可提高晶圓W和感受器1 1之熱 傳導性。另外閥V3，可切斷導熱氣體供給孔27和導熱氣 體供給部。 又，感受器11上面吸附晶圓W之部分，做爲自感受 器 Π之上面自由突出的支撐針，係設置有複數推進針 (分離裝置）3 0。此等推進針3 0，係藉由以球螺桿等將 馬達（未圖示）之旋轉運動改變爲直線運動，而移動於圖 中之上下方向。晶圓 W被吸附保存於感受器11之上面 時，推進針30是被收容於感受器11 ;而施加鈾刻處理也 就是電漿處理結束之後的晶圓W，自室10被搬出時，推 進針30會自感受器11上面突出，使晶圓W自感受器11 分離而往上方抬起。此時，感受器Π之上面和晶圓W之 背面之間，形成有空間S。 室]〇之側壁，裝設有開關晶圓W之搬入搬出口 3 1 的閘閥3 2。又，室1 0之天花板部，配置有蓮蓬頭3 3來 -15 - (13) (13)1374475 做爲接地電位的上部電極。依此，來自高頻電源18之高 頻電源，會被施加於感受器11和蓮蓬頭33之間。 天花板部之蓮蓬頭33，係包含具有多數氣體通氣孔 之下面的電極板35，和可裝卸地支撐該電極板35的電極 支撐體36。又，該電極支撐體36之內部設置有緩衝室 37，此緩衝室37連接有來自處理氣體供給部（未圖示） 的處理氣體導入管38。此處理氣體導入管38，中途設置 有閥 VI。此閥VI，可切斷緩衝室37和處理氣體供給 部。又，室10之周圍，配置有延伸爲環狀或同心圓狀的 磁鐵3 9。 此電漿處理裝置1之室10內，藉由磁鐵39而形成向 著單一方向的水平磁場，同時藉由施加於感受器Π和蓮 蓬頭33之間之高頻電壓，而形成垂直方向的RF電場； 依此，室1〇內會經由處理氣體進行磁控管放電，而自感 受器Π之表面附近的處理氣體產生高密度電漿。 此電漿處理裝置1中，在蝕刻處理時，先使閘閥3 2 爲開狀態將加工對象的晶圓W搬入室1 0內，而放置於感 受器1 1上。然後藉由蓮蓬頭3 3，以特定之流量及流量比 將處理氣體（例如特定流量比率之C4F8氣體、〇2氣體及 Ar氣體所構成的混合氣體）導入室10內，再藉由APCI4 等將室10內之壓力做爲特定値。更且，藉由高頻電源18 對感受器Π供給高頻電力，藉由直流電源2 2對電極板 2 0施加直流電壓，而將晶圓W吸附於感受器1 1上。然 後，被蓮蓬頭33吐出之處理氣體會如上述搬被電漿化° -16- (14) 1374475 以此電漿所產生之自由基或離子，會被聚焦環24集束於 晶圓W之表面，而蝕刻晶圓W之表面。 上述之電漿處理裝置1中，被產生的電漿裡沒有被集 束至晶圓W表面者，會衝撞室10之內壁等而產生微粒。 .所產生之微粒中，沒有被本排氣線路和吸引線路所排出的 微粒，會堆積於感受器Π上。此堆積於上面的微粒，當 晶圓W被放置於感受器11上面時，會成爲異物而附著於 B 晶圓w之背面。對此，電漿處理裝置]在對晶圓W施加 蝕刻處理後，以推進針30將將圓W自感受器11上面分 離，而產生空間S時，係對電極板20施加高電壓，自導 熱氣體供給孔2 7對空間S供給N2氣體等，而室I 〇內藉 由吸引線路被排氣。更且，室I 〇內以吸引線路減壓的期 間，會自蓮蓬頭33對室10內導入處理氣體。依此，附著 於晶圓 W背面之微粒會被排除。以下，說明電漿處理裝 置1中所執行，排除附著於晶圓W背面之微粒的基板洗 φ 淨方法。 第2圖，係第1圖之電漿處理裝置中所執行之基板洗 淨處理的程序圖。此基板洗淨處理，係對晶圓W施加蝕 刻處理後執行。 第2圖中’執行本處理之先決條件，係晶圓W被施 加有蝕刻處理，且依然放置在感受器11上面，電極板20 尙未被施加電壓（HV0) ，APC】4打開（Apc OPEN)且 Τ Μ P15在動作’也就是室10內以本排氣線路來減壓（真 空吸引），而閥 VI ~V 3圍全部關閉（V] CLOSE、V2 -17 - (15) (15)1374475 CLOSE、V3 CLOSE)的狀態。 首先，被收容於感受器11 (PIN DOWN)之推進針 30 ’會將晶圓 W自感受器11分離而抬往上方（PIN UP )。此時推進針30將晶圓W自感受器11抬起的高 度’雖沒有特別限制，但以10~20mm爲佳。依此，感受 器11之上面和晶圓w之背面之間會形成空間s。 接著關閉APC14(APC CLOSE)，打開排氣管17之 閥 V2及導熱氣體供給管 29之閥 V3 ( V2 OPEN、V3 OPEN)，導熱氣體供給孔27向著被抬起之晶圓W之背 面’對空間S噴出N2氣體，而吸引線路則將對空間S噴 出之N2氣體，和殘存於是1〇內的氣體一同向外排出。依 此’空間S中會產生自晶圓W背面向著感受器〗1之外周 部流動，氣體流阻力較大的阻力流。此時，若室10內是 在特定壓力以上，因爲容易產生阻力流，故吸引線路會使 室10內之壓力不低於例如133Pa ( 1 torr )地，理想上則 是使室10內之壓力爲持在特定壓力範圍，例如維持在 β 1.33xl〇3〜1.33x]〇4Pa(10〜100 torr)的範圍地，排出室 1〇內之N2氣體等。依此，可在空間S中確實產生阻力 流。阻力流會捲入後述自晶圓W之背面脫離的微粒，而 與室1〇內之氣體一同自室10被排出。 接著’直流電源22會對電極板20交互施加極性不同 之高電壓，例如+500V和-500V的電壓（HV +500V、 HV -500V)。此時，對電極板20施加高電壓造成室1〇 內’尤其在空間S產生靜電場，而於晶圓W之背面會作 -18 - (16) (16)1374475 用有靜電性作用力，例如馬克斯威爾（Maxwell)作用 力。依此，附著於晶圓W背面之微粒的附著力會變弱， 而該微粒會脫落。上述靜電性作用力，在對電極板20之 高電壓施加時和停止時，會有效的作用於晶圓W背面。 在此，電漿處理裝置1中因反覆進行對電極板20之高電 壓施加，故可有效的於晶圓W背面反覆作用有靜電性作 用力。從而，可充分去除附著於晶圓W背面之微粒。 對電極板20交互施加之電壓的絕對値，是較大者爲 佳；例如500V以上，而2kV以上較理想。依此，可增大 作用於晶圓W背面之靜電性作用力，而可確實進行微粒 之脫離。 又，若對電極板2 0反覆施加相同極性之高電壓，電 極板2 0會帶電（充電）結果會減少作用於晶圓W背面之 靜電性作用力，而有降低附著於晶圓W背面之微粒之去 除效率的情況。電漿處理裝置1中，因對電極板20交互 施加極性不同之高電壓，故電極板20不會帶電，而可防 止降低附著於晶圓W背面之微粒的去除效率。 另外如上所述，上述靜電性作用力的有效功用，有關 於對電極板2 0之高電壓施加次數，而不太關於對電極板 20之高電壓施加時間。從而，對電極板20之高電壓施加 時間只要是例如1秒以下即可6 上述中對電極板20交互施加極性不同之高電壓的期 間，處理氣體導入管38會打開閥V】（VI OPEN)，而自 蓮蓬頭3 3取代處理氣體的，將例如N2氣體導入室】0 -19 - (17) (17)1374475 內。此時，因室〗〇內被吸引線路減壓，故蓮蓬頭33之正 下方會產生急速的壓力上升；依此，被導入之N2氣體會 產生行進衝擊波，被產生的行進衝擊波會到達被抬起之晶 圓W。結果，晶圓W被施加衝擊力，使附著於晶圓W背 面之微粒脫離。此時，已脫離之微粒亦藉由上述阻力流， 自室1 0向外排出。 另外，電漿處理裝置1中，爲了在N2氣體導入時有 效進行室10內蓮蓬頭3 3正下方的壓力上升，在處理氣體 導入管38中較閥VI更下游，係不設置孔口（ Orifice ) 構造，例如不設置流量控制裝置（流量控制器）或降速閥 者爲佳。 然後，處理氣體導入管38之閥 VI維持打開（VI OPEN )，對電極板20之交互施加極性不同之高電壓的次 數，例如於圖中進行4次以後，關閉處理氣體導入管3 8 之閥 VI (VI CLOSE )，打開 APC14(APC OPEN )，同 時關閉排氣管17之閥V2及導熱氣體供給管29之.閥V3 (V2 CLOSE ' V3 CLOSE )，而結束本處理。 施加了上述基板洗淨處理之晶圓W，會經由搬入搬出 口 31自室]0被搬出，而被搬入搬運室例如取放室 (Load-Lock );但因附著於晶圓W背面之微粒已經充分 被去除，故取放室內不會被微粒污染。 若依上述之基板洗淨方法，當感受器1]及晶圓W之 間產生空間S時，因對電極板20交互施加極性不同之高 電壓，故空間S中會產生靜電場，而於晶圓w之背面作 -20- (18)1374475 用有靜電性作用力；更且，當空間S產生且以吸引線路將 室10內減壓時，因將N2氣體導入室10內，故室10內會 產生行進衝擊波，以被產生之行進衝擊波對晶圓W施加 衝擊力。依此’附著於晶圓W背面之微粒會脫離至空間 S。從而，微粒脫離並不需要電漿離子之濺鍍，或是自由 基之化學反應，而不會損傷晶圓W。

又，上述空間S產生時，因爲會自導熱氣體供給孔 27對空間S噴出N2氣體，該被噴出至空間S之N2氣體 會由吸引線路而被排出至室10外，故空間S中會產生N2 氣體的阻力流。已脫離之微粒，會被捲入上述阻力流中， 而自空間S被排出至室1 0外。 從而，不會損傷晶圓W，而可充分去除附著於晶圓W 背面之微粒。 1

上述之電漿處理裝置1中，雖然是藉由吸引線路，不 使室10內之壓力低過特定壓力地排出室〗〇內之N2氣體 等，但亦可不使用吸引線路，藉由縮小APC14之開量， 不使室10內之壓力低過特定壓力地以本排氣線路排出室 10內之N2氣體等；依此，亦可於空間S產生阻力流。 又，本發明不僅是構成爲蝕刻處理裝置的電漿處理裝 置，亦可適用於其他電漿處理裝置，例如構成爲CVD裝 置或灰化裝置的電漿處理裝置。 其次，詳細說明本發明第2實施方式中，做爲基板洗 淨裝置之電漿處理裝置。 第2實施方式中，做爲基板洗淨裝置之電漿處理裝 -21 - (19)1374475

置，係與第〗實施方式相同，在以推進針40將 感受器U上面分離，而產生空間S時，會產与 於晶圓w之背面作用有靜電性作用力；但與第 式不同的是，靜電場並非是對電極板20施加ϋ 起，而是由推進針40對晶圓W施加高電壓而引 第3圖，係表示第2實施方式中，做爲基衫 之電漿處理裝置，其推進針之槪略構成的圖。 第3圖中，推進針40係導電體所構成的有 於晶圓 W背面之一端成形爲半球狀，而另一铕 接於直流電源4 1。又，推進針40之表面，爲了 表面放電，最好以介電質等覆蓋之：但半球狀之 面，爲了對晶圓 W施加高電壓，其導電體係露 針 4 〇，係藉由以球螺桿等將馬達（未圖示）之 改變爲直線運動，而移動於圖中之上下方向。 又，複數推進針40是被配置在感受器11上 有晶圓W之部分。然後推進針4 0會自感受器 突起’將晶圓W自感受器11分離而抬往上方。 第1實施方式相同，感受器1 1上面和晶圓W背 形成空間S。

第2實施方式中，做爲基板洗淨裝置之電 置’其中所執行之基板洗淨方法，與第I實施方 點’在於取代了對電極板20交互施加極性不 壓’而藉由推進針40對晶圓W交互施加極性不 壓者；但是空間S中會產生靜電場，於晶圓W 晶圓W自 L靜電場而 1實施方 ;電壓所引 起。 i洗淨裝置 &狀•接觸 則電性連 防止自該 .一端的表 出。推進 旋轉運動 面，吸附 1 1之上面 此時，與 面之間會 漿處理裝 式的不同 同之局電 同之局電 背面作用 -22- (20)1374475 有靜電性作用力’減低附著於晶圓W背面之微粒的 力’而使該微粒脫離者，則與第1實施方式相同》 更且’藉由推進針40對晶圓W施加之高電壓， 在500V以上，更理想是在2kV以上者，以及高電壓 加時間，以例如]秒以下爲佳者，與第1實施方式相 若依上述之基板洗淨方法，當感受器11及晶圓 間產生空間S時，因藉由推進針40對晶圓W交互施 性不同之高電壓’故空間S中會產生靜電場，而於晶 之背面作用有靜電性作用力；.更且，當空間S產生且 引線路將室10內減壓诗，因將N2氣體導入室10內 室1〇內會產生行進衝擊波，以被產生之行進衝擊波 圓W施加衝擊力。依此，附著於晶圓w背面之微粒 離至空間S。從而，微粒脫離並不需要電漿離子之濺 或是自由基之化學反應，而不會損傷晶圓W 〇 又，上述空間S產生時，因爲會自導熱氣體供 2 7對空間S噴出N2氣體，該被噴出至空間S之N2 會由吸引線路而被排出至室1 〇外，故空間S中會產i 氣體的阻力流。已脫離之微粒，會被捲入上述阻力流 而自空間S被排出至室1 0外。 從而，不會損傷晶圓W，而可充分去除附著於晶 背面之微粒。 其次，詳細說明本發明之第3實施方式之基板洗 置。 第3實施方式之基板處理裝置，與上述第1及第 附著 例如 之施 同。 W之 加極 圓W 以吸 ，故 對晶 會脫 鍍， 給孔 氣體 t n2 中， 圓W 淨裝 2實 -23- (21)1374475 施方式不同的點，是未對晶圓W施加電漿處理，而僅 行晶圓W之背面之洗淨者。 第4圖，係表示本發明之第3實施方式之基板洗淨 置之槪略構成的剖面圖。 第4圖中，基板洗淨裝置42係具有金屬製，例如 或不銹鋼至的箱型室43;該室43內，配置有放置晶圓 之圓柱狀平台44。

進 裝 鋁 W 排 通 管 排 內 吸 板 直 力 氣 44 管 未 圓 室43之側壁與平台44之間，形成有排氣通路65 工作爲將平台44上方之氣體排出至室43外的通路。此 氣通路65，係連接於吸引線路。此吸引線路，具備連 排氣通路65與排氣泵亦即DP46，直徑約25mm的排氣 25;和配置於排.氣管45中途的閥V5。此閥V5可切斷 氣通路65和DP46。吸引線路則是以DP46排出室43 的氣體。 平台44之內部上方，配置有爲了以靜電吸附力來 附晶圓 W，由導電膜所構成的圓板狀電極板47;電極 47，係電性連接有直流電源48。晶圓W，係藉由以自 流電源48施加於電極板47之直流電壓所產生的庫倫 等，而被吸附保存在平台44的上面* 平台44上面吸附有晶圓W之部分，係開孔有複數 體供給孔49 »此等氣體供給孔49，係經由配置於平台 內部之氣體供給線路50，連通於具有閥V6之氣體供給 64，將來自連接於氣體供給管64之第1氣體供給部（ 圖示）的氣體，例如N2氣體，供給至平台44上面和晶 -24- (22) 1374475 W背面之間》另外閥V6，可切斷氣體供給孔49和第] 體供給部。 又’平台44上面吸附有晶圓W之部分，配置有自 台44上面突出的複數針5〗。針51係抬起被搬入室43 晶圓W，而自平台44分離。此時，平台44上面和晶圓 背面之間會形成空間S。此等針51，亦可與推進針3〇 樣的移動於圖中上下方向。 室4 3之側壁，安裝有開關晶圓W之搬入搬出口 的閘閥53。又，室43之天花板部，連接有將來自第2 體供給部（未圖示）的氣體，例如Ν2氣體，導入至室 內的氣體導入管54。此氣體導入管 54，中途設置有 V4。此閥V4，可切斷室43內和第2氣體供給部》 此基板洗淨裝置42，例如被配置於並聯型基板處 系統，將具備該基板處理系統之後述電漿處理裝置56 施加過電漿處理的晶圓W，其背面附著之微粒加以去除 第5圖，係表示配置有第4圖之基板處理裝置之基 處理系統，其槪略構成的圖。. 第5圖中基板處理系統5 5，係具備由蝕刻處理晶 W之電漿處理裝置56,及配置有對該電漿處理裝置56 送晶圓W之鏈結型單爪式搬運臂57的取放室58，所構 的處理艇（Process ship) 59;和收容可收取.1批份量 晶圓W的載具盒的，裝載埠60 ;和預先對準晶圓W的 對準器6〗；和上述之基板洗淨裝置42;和一種矩形之 通搬運通路，爲配置有純量型雙臂式搬運臂62的載運 氣 平 W 间 52 氣 43 閥 所 〇 板 圓 收 成 之 共 模 -25- (23) (23)1374475 組63。處理艇59、裝載埠60、對準器61及基板洗淨裝 置42，雖是可裝卸的連接於載運_模組61，但基板洗淨裝 置42是經由載運模組63與對準器61相對地，被配置於 在載運模組63之長邊方向的一端。 此基板處理系統55中，於電漿處理裝置56被施加了 電漿處理的晶圓W，係藉由取放室58內之搬運臂57,及 載運模組63內之搬運臂62，而被搬入基板洗淨裝置42。 基板洗淨裝置42，係執行後述之基板洗淨方法，來去除 附著於晶圓W背面的微粒。 以下，說明基板洗淨裝置4 2中所執行的基板洗淨方 法。 執行此基板洗淨方法的先決條件，係晶圓W被施加 有蝕刻處理，且依然被放置在平台44上面，電極板47未 施加有電壓，而閥V4〜V6爲全部關閉的狀態。 首先將被搬入至室43之晶圓W，放置於自平台44上 面突出的針5 1。此時，針5 1將晶圓W自平台44抬起的 高度，與第1實施方式相同，以10〜20mm爲佳。依此， 平台44上面和晶圓W背面之間，會形成空間S。 接著關閉閘閥53，同時打開排氣管45之閥V5及氣 體供給管64之閥V6，氣體供給孔49向著被抬起之晶圓 W背面，對空間S噴出N2氣體，而吸引線路將被噴出至 空間S之N2氣體排出至室43之外。依此，空間S中，會 產生自晶圓W背面向平台44之外周部流動的N2氣體阻 力流。此時，與第1實施方式相同，吸引線路使室43內 -26- (24) (24)1374475 之壓力不低於特定壓力地，排出室43內的1^2氣體等即 可。阻力流會捲入後述自晶圓W背面脫離之微粒，而自 室4 3被排出。 接著，直流電源48對電極板47交互施加極性不同的 高電壓。此時空間S中會產生靜電場，靜電性作用力會作 用於晶圓W背面，降低附著於晶圓W背面之微粒的附著 力；該微粒之脫離，和第1實施方式相同。然後脫離後之 微粒，會藉由上述阻力流，而自空間S被排出至室43 外。 更且，對電極板47施加之高電壓，例如在500V以 上，更理想是在2kV以上者，以及高電壓之施加時間， 以例如1秒以下爲佳者，與第1實施方式相同。 上述中對晶圓 W交互施加極性不同之高電壓的期 間，氣體導入管54會打開閥V4，而自氣體導入管54將 例如N2氣體導入室43內。此時，因室10內被吸引線路 減壓，故室43之天花板部之正下方會產生急速的壓力上 升，被導入之N2氣體會產生行進衝擊波，被產生的行進 衝擊波會對晶圓W施加衝擊力；而附著於晶圓W背面之 微粒脫離，與第〗實施方式相同。此時，脫離後之微粒， 亦會藉由上述阻力流，而自空間S被排出至室43外。另 外基板洗淨裝置42中，與第1實施方式相同，以在氣體 導入管54中較閥V4更下游之部分，設置孔口構造爲 佳。

然後，氣體導入管54之閥V4依然打開，對晶圓W -27- (25) 1374475 施加特定次數的極性不同之高電壓之後，關閉氣體導入 54之閥V4、排氣管45之閥V5及氣體供給管64之 V6，而結束本處理。施加有上述之基板洗淨處理的晶 W，會經由搬入搬出口 52自室43被搬出，而被搬入載 模組63或裝載埠60 ;但因附著於晶圓W背面之微粒被 分去除，故載運模組63或裝載埠60內不會被微粒污染 若依上述之基板洗淨方法，當平台44極晶圓W之 B 形成空間S時，因對晶圓W交互施加有極性不同的高 壓，故上述空間S中會產生靜電場，而於晶圓W背面 用有靜電性作用力；更且，上述空間S產生且以吸引線 來減壓室43內時，因室43內導入有N2氣體，故事43 會產生行進衝.擊波，被產生的行進衝擊波會對晶圓W 加衝擊力。依此，附著於晶圓W背面之微粒會脫離至 間S中。從而，微粒脫離不需要電漿，而不會損傷晶 W » • 又，上述空間s產生時，因自氣體供給孔49對空 S噴出N2氣體，而吸引線路將被噴出至空間S之n2氣 排出至室43之外’故空間S中會產生N2氣體阻力流。 離後之微粒會被捲入上述阻力流，而自空間S被排出至 43外。 從而不會損傷晶圓W，而可充分去除附著於晶圓 背面之微粒。 上述之基板洗淨裝置42中，基板洗淨裝置42雖獨 具備有DP46，但亦可使基板洗淨裝置42及電漿處理裝 管 閥 圓 運 充 〇 間 電 作 路 內 施 空 圓 間 體 脫 室 W 白 置 -28- (26) 1374475 56共用DP;依此，·可簡單化基板處理系統55的構造。 上述之實施方式中，雖說明了電漿處理裝置做爲基板 洗淨裝置而工作的情況，或是設置專用之基板洗淨裝置的 情況，但構成基板處理系統之其他裝置，亦可做爲本發明 之基板洗淨裝置來工作。 例如，取放室做爲本發明之基板處理裝置而工作時， 該取放室具備搬運臂、和將取放室內排氣之排氣裝置、和 B 對取放室內導入氣體的氣體導入裝置；搬運臂以具有自晶 圓放置面突出的針、於晶圓W極晶圓放置面之間產生靜 電場的電極、及向著背面噴出氣體的氣體噴射裝置爲佳。 此取放室內，當以針將晶圓 W自放置面抬起，而產生空 間S時，是對電極施加高電壓，向著晶圓W背面噴射氣 體，而取放室內以排氣裝置被排氣。更且，取放室內以排 氣裝置減壓的期間，會自氣體導入裝置將氣體入至取放室 內。 [實施例] 其次，具體說明本發明之實施例。 以下之實施例，是被執行在上述之電漿處理裝置1 中〇 首先，準備背面附著了大量微粒之晶圓W，將該晶圓 W放置於室10內中，自感受器II突出的推進針上。 然後，以本排氣線路將是1〇內減壓後’關閉 APC14，同時打開排氣管]7之閥V2及導熱氣體供給管 -29- (27) (27)1374475 29之閥V3，穩定的將室10內持續排氣，，而自導熱氣體 供給孔27向著晶圓W背面噴出N2氣體。依此，室10內 維持在6.65xl〇3Pa(50 torr)以上，而於空間S產生阻 力流。 接著，打開閥VI，以流量7.0xl04SCCM對室10內 導入N2氣體。閥VI打開的期間，對電極板20交互施加 + 2kV和-2 kV的電壓，重複6次；之後，關閉閥VI。更 且，再次打開閥VI，以流量7.0xl04SCCM對室10內導 入N2氣體，在閥VI打開的期間，對電極板20交互施加 + 2kV和-2 kV的電壓，重複5次，之後再關閉閥VI。此 時’對空間S照射雷射光，以CCD攝影機來攝像微粒所 造成的散射光線，並觀測之。被攝像之散亂光線的形態， 表示於第6圖。 第6圖（a )，係模式化表示在閥V 1打開的期間，對 電極板20反覆交互施加+2kV和-2kV之電壓的情況下， 空間S之形態的圖。在此，藉由以被導入之N2氣體所產 生的行進衝擊波，和電壓交互施加而產生的靜電性作用 力’微粒係自晶圓 W背面大量脫離，而觀測到脫離後之 微粒形成一詳L的形態。 第6.圖（b )，係模式化表示自第6圖（a )經過數秒 之後，空間S之形態的圖。在此，觀測到於空間S中，藉 由自晶圓W背面向感受器1 1外周部流動的阻力流，使微 粒之一群L自空間S被持續排除的形態。 第6圖（c )，係模式化表示自第6圖（b )經過數秒 -30- (28) (28)1374475 之後，空間S之形態的圖。在此，觀測到微粒之一群L自 空間S被完全排除的形態。 彙整此等觀測結果，而表示於第7圖。 第7圖中，橫軸表示時間，縱軸表示微粒個數、電壓 値及壓力値。又，Ve表示被施加於電極板20之電壓，Vw 表示VE使晶圓W感應產生的電壓，P表示室1〇內的壓 力。更且，圖中被標定之各點，係表示各觀測時間中被觀 測到的微粒個數。另外，P値成爲一定的部分，係室1 〇 內之壓力超過可測定範圍的部分。 根據第7圖，得知打開閥V1而大量導入N2氣體至 室10之後，立刻藉由所產生之行進衝擊波使大量微粒自 晶圓W背面脫離；更且，藉由對電極板20反覆的交互施 加電壓，使微粒更加脫離。依此，得知藉由大量導入N2 氣體至室】〇內，及上述電壓之反覆交互施加，可充分使 附著於晶圓W背面之微粒脫離。更且，第2次對室1 0之 N2氣體大量導入，及上述電壓之反覆交互施加中，因脫 離之微粒數量減少，故得知進行一次對室10之N2氣體大 量導入，及上述電壓之反覆交互施加，可有效的使微粒脫 離。 又，同時以配置於吸引線路之中途，利用了雷射散射 法的微粒監視器，來觀測經由吸引線路而自室10內被排 出的微粒，而得到了與第7圖相同之觀測結果。依此，得 知了阻力流可有效的將脫離後之微粒自室]0內排出。 -31 - (29) (29)1374475 【圖式簡單說明】 [第1圖]做爲本發明第1實施方式之基板洗淨裝置， 表示電漿處理裝置之槪略構造的圖 [第2圖]第1圖之電漿處理裝置中所執行之基板洗淨 處理的程序圖 [第3圖]做爲本發明第2實施方式之基板洗淨裝置， 表示電漿處理裝置中推進針之槪略構造的圖 [第4圖]表示本發明第3實施方式之基板洗淨裝置之 槪略構造的圖 [第5圖]表示配置有第4圖之基板處理裝置之基板處 理系統之槪略構造的圖 [第6圖]模式化表示本發明之實施例中去除晶圓背面 之微粒之形態的圖；第6圖（a )，係模式化表示在閥V 1 打開的期間，對電極板20反覆交互施加+2kV和-2kV之 電壓的情況下，空間S之形態的圖；第6圖（b )，係模 式化表示自第6圖（a )經過數秒之後，空間S之形態的 圖；第6圖（c )，係模式化表示自第6圖（b )經過數秒 之後，空間S之形態的圖 [第7圖]針對本發明之實施例，表示微粒之去除之觀 測結果的圖表 [第8圖]表示用以對先前之晶圓W施加蝕刻處理之電 漿處理裝置之槪略構造的圖 【主要元件符號說明】 -32- (30)1374475

1 ' 56 電 漿 處 理 '裝 置 10 、4 3 室 1 1 感 受 器 12 '65 排 氣 通 路 13 緩 衝 板 14 APC 15 TMP 16 、46 DP 17 '45 排 氣 管 18 局 頻 電 源 19 整 合 器 20 ' 35 ' 47 電 極 板 22 >41' 48 直 流 電 源 24 聚 焦 環 25 冷 媒 室 26 配 管 2 7 導 熱 氣 體 供 給 孔 28 導 熱 氣 體 供 給 線路 29 導 熱 氣 體 供 給 管 30 ' 40 推 進 針 3 1 ' 5 2 搬 入 搬 出 □ 32 ' 53 閘 閥 3 3 蓮 蓬 頭 34 氣 體 通 氣 孔 -33- 1374475

(31) 36 電極支撐體 37 緩衝室 38 處理氣體導入管 39 磁鐵 4 2 基板洗淨裝置 44 平台 49 氣體供給孔 50 氣體供給線路 5 1 針 54 氣體導入管 55 基板處理系統 57、62 搬運臂 5 8 取放室 59 處理艇 60 裝載埠 6 1 對準器 63 載運模組 64 氣體供給管 -34 -

Claims (1)

1374475 第0941 12570號專利申請案中文申請專圍修正本 民國10丰甸5

十、申請專利範圍 1. 一種基板洗淨裝置，其特徵係具備 收容基板的收容室； 和配置於收容室內，放置上述基板的放置台； 和配置於該放置台，被施加電壓而將上述基板吸附於 上述放置台的電極； 和將上述收容室內加以排氣的排氣裝置； 和分離上述放置台及上述基板，使上述放置台及上述 基板之間產生空間的分離裝置；. 和對上述空間供給氣體的氣體供給裝置； 當上述空間產生時，對上述電極施加電壓而在上述基 板和上述放置台之間使電場產生，並在上述基板之背面處 使靜電應力產生，而使附著於上述基板之背面處的異物之 對於上述基板的附著力減弱，並使附著在上述基板之背面 處的異物從上述基板之背面而脫離，再使上述氣體供給裝 置對於上述空間供給氣體，並使上述排氣裝置將上述收容 室內排氣，藉由此，而將從上述基板所脫離了的異物從上 述收容室內排出。 2.—種基板洗淨裝置，其特徵係具備 收容基板的收容室； 和配置於收容室內，放置上述基板的放置台； 和將上述收容室內加以排氣的排氣裝置； 1374415 丨年Γ月，: 和分離上述放置台及上述基板，使上述放置台及上述 基板之間產生空間，同時接觸上述基板並對上述基板施加 電壓的分離裝置； 和對上输空間供給氣體的氣體供給裝置； 和將氣體導入上述收容室內的氣體導入部； 當上述空間產生時，對上述基板施加電壓而在上述基 板和上述放置台之間使電場產生，並在上述基板之背面處 使靜電應力產生，而使附著於上述基板之背面處的異物之 對於上述基板的附著力減弱，並使附著在上述基板之背面 處的異物從上述基板之背面而脫離，再使上述氣體供給裝 置對於上述空間供給氣體，並使上述排氣裝置將上述收容 室內排氣’進而，當上述收容室內被作減壓且產生上述空 間時，藉由藉由使上述氣體導入部對於上述收容室內導入 氣體，而將從上述基板所脫離了的異物從上述收容室內排 出。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板洗 淨裝置，其中，更具備在上述收容室內被減壓且產生上述 空間時，將氣體導入上述收容室內的氣體導入部者。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之基板洗 淨裝置，其中，上述電極係不連續的被施加電壓者。 5. 如申請專利範圍第3項所記載之基板洗淨裝置， 其中，上述電極係被交互施加極性不同的電壓者。 6. 如申請專利範圍第4項所記載之基板洗淨裝置， 其中，上述電壓之絕對値係在500V以上者。 -2- 1374475 / ^11 7.如申請專利範圍第 項所記載之基板洗淨裝置 其中’上述電壓之絕對値係在2kV以上者。 8. 如申請專利範圍第丨項或第2項所記載之基板洗 淨裝置’其中，上述排氣裝置在上述空間產生時，係保持 上述收容室內之壓力在133Pa以上者。 9. 如申請專利範圍第7項所記載之基板洗淨裝置， 其中’上述排氣裝置在上述空間產生時，係保持上述收容 室內之壓力在1.33xl03~1.33xl04Pa的範圍者》 1〇· —種基板洗淨方法，係去除附著於基板背面之異 物的基板洗淨方法；其特徵係具有 將上述基板收容於收容室的收容步驟； 和將上述基板，放置於配置在上述收容室之放置台的 放置步驟； 和使上述放置台及上述基板之間產生空間地，來分離 上述放置台及上述基板的分離步驟； • 和當上述空間產生時，對配置於上述放置台之電極施 加電壓’而在上述基板和上述放置台之間使電場產生，並 以藉由上述電場而作用在上述基板之背面處的靜電性應 力’而使上述異物之對於上述基板的附著力減弱，並使附 著在上述基板之背面處的異物從上述基板之背面而脫離的 電壓施加步驟； 和當上述空間產生時’對上述空間供給氣體的氣體供 給步驟； 和當上述空間產生時，將上述收容室內排氣的排氣步 1374475

驟， 經由上述氣體供給步驟和上述排氣步驟，而將從上述 基板之背面所脫離了的異物從上述收容室內排出。 11.—種基板洗淨方法，係去除附著於基板背面之異 物的基板洗淨方法；其特徵係具有 將上述基板收容於收容室的收容步驟； 和將上述基板，放置於配置在上述收容室之放置台的 放置步驟： 和使上述放置台及上述基板之間產生空間地，來分離 上述放置台及上述基板的分離步驟： 和當上述空間產生時，對上述基板施加電壓，而在上 述基板和上述放置台之間使電場產生，並以藉由上述電場 而作用在上述基板之背面處的靜電性應力，而使上述異物 之對於上述基板的附著力減弱，並使附著在上述基板之背 面處的異物從上述基板之背面而脫離的電壓施加步驟； 和當上述空間產生時，對上述空間供給氣體的氣體供 給步驟； 和當上述空間產生時，將上述收容室內排氣的排氣步 驟； 和當上述收容室內被減壓且產生上述空間時，對於上 述收容室內導入氣體之氣體導入步驟， 經由上述氣體供給步驟、上述排氣步驟以及上述氣體 導入步驟，而將從上述基板之背面所脫離了的異物從上述 收容室內排出。 -4 - 1374475 作⑽|| 12·如申請專利範圍第10項或第11項所記載之基板 洗淨方法，其中，更具備在上述收容室內被減壓且產生上 述空間時，將氣體導入上述收容室內的氣體導入步驟者。 13·如申請專利範圍第10項或第11項所記載之基板 洗淨方法，其中，上述電壓施加步驟中，係對上述電極不 連續的施加電壓者》 14.如申請專利範圍第1 1項所記載之基板洗淨方 法，其中，上述電壓施加步驟中，係對上述電極交互施加 極性不同的電壓者。

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