TWI364840B - Tandem organic light emitting device and method for assembling the same - Google Patents

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1364840 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種串聯式有機發光二極體更進 -步地’本發明係關於-種透過特定電洞注人層材料、電 子注入層材料及連接前述電洞注入層及電子注入層之金屬 層材料之選用，使串聯式有機發光二極體裝置之工作電壓 毋須隨串聯之有機電發光二極體元件數目^ 【先前技術】 有機發光二極體裝置或有機電激發Mi (Q_e UgimiUing Diode Device ’ 〇咖或 〇职士 electroluminescent (EL) device)诵沓 a a 、吊包含一陽極、一陰極 及-位於前述陽極與陰極間之有機發光二極 有機發光二極體單元之結構’包含L人層、電洞傳遞 層、有機發光層、電子傳遞層及電子注 動電壓、高發光強度、寬視角以及 二等：九 其被認為有機會成為次世代顯示器。王讀不之特性’使 由於有機發光二極體裝詈诵赍#、 光效率與電流密度正相關，㈣軸之’其發 度相反。因此如何在不提高電流===電流密 前提下提高發光效率，正是本技術期之 期，透過將已知之有機發光二極 ^先效率與發光週 有機發光二極體裝置之技術已經：成串聯式 合數個獨立之有機發光二極體單 過垂直叠 給相同電流密度之條件下以倍數提高發光二早-電源供 1364840 施加之工作電壓也必須倍增，以達相同電流密度，然而這 對於將有機發光二極體裝置應用於顯示器造成限制。為 此，開發一種串聯式有機發光二極體裝置，係為有機發光 二極體的商品化重要關鍵之一。 【發明内容】 有鑑於習知技術的缺失，本發明之目的在提供一種串 聯式有機發光二極體裝置，其可在相同電流密度下提高發 光效率，並且降低所需工作電壓之特性。 為達上述目的，本發明之串聯式有機發光二極體裝 置，其可包含a) —陽極；b) —陰極；c)至少二個位於陽極 與陰極間之有機發光二極體單元；其中有機發光二極體單 元包含依以下順序排列之各層：一電洞注入層、一電洞傳 遞層、一有機發光層、一電子傳遞層及一電子注入層；及 d)至少一連接層，其中每個連接層可位於有機發光二極體 單元間；本發明之有機發光二極體裝置中與連接層接觸之 電洞注入層可為同時具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型 材料；與連接層接觸之電子注入層可為同時具有電子與電 洞傳輸特性之非摻雜型材料。 本發明同時也關於一影像顯示系統，該影像顯示系統 包含如前述之一串聯式有機發光二極體裝置；以及一輸入 單元，耦接該串聯式有機發光二極體裝置，且藉由該輸入 單元傳輸訊號至該串聯式有機發光二極體裝置，以控制該 串聯式有機發光二極體裝置顯示影像。 本發明透過與連接層接觸之電洞注入層及與連接層接 6 1364840 觸之電子注入層之特殊材料之選用，可使串聯式有機發光 二極體裝置之工作電壓不需隨其所含之有機發光二極體元 件之數目而倍增。 【實施方式】 本發明之串聯式有機發光二極體裝置100可參考第一 圖，其可包含a)—陽極10 ; b)—陰極40 ; c)至少二個位於 陽極10與陰極40間之有機發光二極體單元20.1、20.2… 20.(N-1)、20.N;其中有機發光二極體單元可參考第二圖（以 20.1為例）包含依以下順序排列之各層：一電洞注入層 21.1、一電洞傳遞層22.1、一有機發光層23.1、一電子傳 遞層24.1及一電子注入層25.1 ;及d)至少一連接層30.1、 30.2···30.(Ν-1)(第一圖），其中每個連接層可位於有機發 光二極體單元間；其中，串聯式有機發光二極體裝置100 中與連接層30.1接觸之電洞注入層21.2 (參考第二圖）可 為同時具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材料；以及與 連接層30.1接觸之電子注入層25.1可為同時具有電子與電 洞傳輸特性之非摻雜型材料。 本發明之技術特徵，在於發明人於研究過程中發現， 在串聯式有機發光二極體裝置中，當電洞注入層選用同時 具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材料；以及電子注入 層選用同時具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材料，並 且搭配適當之連接層材料時，電洞注入層材料之最低未填 滿分子軌域（LUMO)與電子注入層材料之最高已填滿分 子軌域（HOMO)間之能階差可相形較小，造成電子由電 子注入層躍遷至電洞注入層之能階差降低，此一效應具體 7 1364840 反映於串聯式有機發光二極體裝置中時，可發現串聯式有 機發光二極體裝置之工作電壓，不需達到其所包含之有機 發光二極體元件之工作電壓與其數目之積。 因此，當可輕易理解的是，與連接層接觸之電洞注入 層及與連接層接觸之電子注入層材料之選用以該材料是否 同時具有電子與電洞傳輸特性。 與連接層接觸之電洞注入層之材料可為一有機材料， 其中可為一 p型掺雜劑，常見之P型摻雜劑包含2,3,5,6-四 氟 -7,7,8,8- 四氰基蓖噚二甲烷 (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane ， F4-TCNQ)及其衍生物、碳氟化物（CFx)、氟化鋰（LiF)、 二氧化矽（Si02)、鐵氟龍（Teflon)、4,4，，4"-三-：^-萘基 苯 基胺基 ·三 苯基胺 (4,4,,4"-TRIS-N-naphthyl-N-phenylamino-triphenylamine ，TNATA)、4,4’，4”-三（3-甲基苯基笨基胺基）三苯基胺 ( 4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine，m-TDATA)或金屬氣化物如氣化鐵等。 與連接層接觸之電子注入層之材料可為一有機材料， 其中可為一 η型摻雜劑’常見之n型摻雜劑包含驗金組金 屬或其化合物、鹼土族金屬、0LED-T公司型號為ΕΕΙ-101 之材料或其化合物或其混合物等。在本發明之串聯式有機 發光二極體裝置中，形成連接層30.1之較佳材料可選自铭 或銀’更佳地可為鋁。連接層之厚度可介於1〜2〇〇α，較 佳地可介於10〜100Α，更佳地可為丨5〜50Α。 由於連接層可用以連接有機發光二極體元件，其可與 發光二極體元件之電洞注入層及電子注入層接觸。傳統形 8 1364840 成有機發光二極體元件各層之方法多採用麟之方式，然 而濺鍍之高溫^造成元件巾其他層之傷害，因此在本發明 之較佳實祕樣巾’連接狀形成可採取較低溫反應^件 之蒸鍍法，透過蒸鍍法的使用可使有機發光二極體元件中 之各層，特別是當與連接層接觸之電子注入層與電洞注入 層為非摻雜型之有機材料時，較不易受到損害。 本發明之串聯式有機發光二極體裴置，其可透過連接 層材料、與連接層接觸之電洞注入層材料及與連接層接觸 之電子注入層材料之選用達到降低驅動電壓之功效。因此 有機發光二極體裝置中之其他各層’包含電洞傳遞層、電 子傳遞層、有機發光層、陽極及陰極之材料並毋需限制之， 任何本技術領域已經揭示之各層適用之材料及各層材料間 之搭配當適用於本發明。 例如陽極層之材料可為氧化銦錫。陰極層之材料可為 鋁。電洞傳遞層之材料可為4,4’ -雙[N-(l-萘基)-N-苯基-胺基] 聯笨 (4,4'-bis[N-(l-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl ， NPB)、N，N’ -聯苯基-N，N，雙(3-曱基苯基-1,1，-聯苯基 _4,4_二胺（N，N’ -diphenyl-N，N’ bis(3-methylphenyl-l，l’ -biphenyl-4,-diamine，TPD )、N,N，-雙（1-萘基)-N，N，- 雙 O 萘基） 聯苯胺 (N,N'-bis(l-naphthyl)-N,N,-bis(2-naphthyl)benzidine ， TNB ) 、4,4’ 4” -三（N，N-二苯基胺基）三苯基胺 (4,4,,4,,-tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamine» TDATA) 等。 有機發光層中通常包含有機主發光體材料及螢光摻雜 1364840 體材料，有機主發光體材料常見之例如2-(1，卜二曱基乙 基卜9，1。- 雙 （2- 萘基）蒽 （2-(1，1 -dimethylethyl)-9,10-bis(2-naphthalenyl)anthracene ， TBADN ) 、 9,10-雙（2-萘基）蒽

(9，10-bis(2-naphthalenyl)anthracene，AND )及其衍生物 等’螢光#雜體材料則包含，但不限於蒽（anthracene)、 併四笨（tetracene)、二苯併喃（xanthene)及其對應之衍 生物等。 電子傳遞層之材料包含，但不限於1,3-雙[對-第三丁 基]苯基 -1，3,4- 氧重 氮基）苯 (l,3-Bis[(p-tert-butyl)phenyl-l,3,4-oxadiazoyl]benzene， OXD-7 )、三（8-經基奎林）紹（Aluminum tris(8-hydroxyquinoline，Alq3)、4,7-二苯基-1，10-啡林 (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline j BPhen ) 、2,5-雙

(6，-2’，2” -雙吡啶基）-1,1-二曱基-3,4-二笨基噻咯 (2,5-bis(6’ -(2’，2” -bipyridyl))-l，l-dimethyl-3,4-diphen ylsilole，PyPySPyPy) 、2,9-二曱基·4,7-二苯基-1,10 啡林 (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-l，10-phenanthroline，BCP )、 10-苯併[h]奎林皱（10-benzo[h]quinolinol-beryllium， BeBq2)、2,2’ -[1，Γ -二苯基]-4,4’ 二基雙[4,6-(對-曱笨 基 ）-1，3,5- 三 吖 嗪 (2,2'-[1,Γ^ίρΗ6ηγ1]-4,4'-(ϋγ15ί8[4,6-(ρ-ίο1γ1)-193,5-ίπαζίη e，TRAZ)等本技術領域已知悉之電子傳遞材料。 本發明之串聯式有機發光二極體裝置’其在相同電流 密度下（例如20mA/cm2)之驅動電壓小於N倍之其所包 含之單一有機發光二極體單元之驅動電壓，N為串聯式有 1364840 機發光二極體裝置中之有機發光二極體單元數目，例如當 單一有機發光二極體時之工作電壓為V，且有機發光二極 體裝置中包含二個有機發光二極體單元時，有機發光二極 體裝置之工作電壓小於2V。此一技術特徵係為已知之串聯 式有機發光二極體裝置所未揭示之效果。 本發明降低串聯式有機發光二極體裝置之工作電壓之 方法，其可使用同時具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型 材料作為與連接層接觸之電洞注入層材料，以及使用同時 具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材料材料作為與前述 連接層接觸之電子注入層材料，其中包含連接層之相關元 件及其使用之材料定義如前述。本發明之方法可使串聯式 有機發光二極體裝置之工作電壓毋須依其所包含之有機發 光二極體元件之工作電壓與數目倍增。 本發明之串聯式有機發光二極體裝置可應用於各種 影像顯示系統。如第三圖所示，該圖係為本發明所述之 包含串聯式發光二極體裝置之影像顯示系統之配置示意 圖。一般來說，影像顯示系統200包含一顯示面板110， 該顯示面板具有本發明所述之串聯式有機發光二極體裝 置100(如第一圖所示）；及一輸入單元120,與該顯示 面板110耦接，其中該輸入單元120係傳輸訊號至該顯 示面板110，以使該顯示面板110顯示影像。該影像顯示 系統200可為一個人數位助理（PDA)、一行動電話 (cellular phone)、一數位相機、一電視、一全球定位系統 (GPS)、一車用顯示器、一航空用顯示器、一數位相框 (digital photo frame)、一筆記型電腦、一桌上型電腦或是 一可攜式DVD播放機。 本發明之串聯式有機發光二極體裝置也可應用於各 種照明裝置。 以下實施態樣係用於進一步了解本發明之優點，並非 用於限制本發明之申請專利範圍。 實施例1:製備同時具有電子舆電洞傳輸能力之有機發光 二極艘裝置(元件一） 取一玻璃基材’於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成一 90nm厚之氧 化銦錫（no)作為陽極層，然後於IT〇層上形成一 100nm 厚之F^TCNQ作為作為電洞注入層，之後於電洞注入層上 形成一 150nm之鋁作為陰極。 實施例2 :製備同時具有電子與電洞傳輸能力之有機發光 二極艘裝置(元件二） 取一玻璃基材’於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於破璃基材上形成一 90nm厚之氧 化銦錫（ITO)作為陽極層，然後於IT0層上形成一 100nm 厚之α-NPD作為電洞傳輪層，然後於a_NpD層上形成一 50nm厚之F^TCNQ材料作為作為電子注入層，之後於電 子，主入層上形成一 15〇nm之铭作為陰極。 對照例1 :元件三 取一玻璃基材’於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 12 1364840 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成一 9〇nm厚之氧 化銦錫（ITO)作為陽極層，然後於ιτο層上形成一 1〇〇ηΐϊ1 厚之α-NPD作為電洞傳輸層，然後於上形成一 i50nm之 紹作為陰極。 量測前述製得之元件一、元件二與元件三之電壓與電 流密度之相對趨勢所得結果如第四圖所示，由圖形得知元 件一與二在正負電壓下均有電流注入，此結果顯示用於形 成電洞注入層之非摻雜型材料F4_TCNQ同時具有電子與電 洞注入之能力，而元件三僅單獨使用傳統電洞傳輸層材料 a -NPD，於負電壓下則沒有電流產生。 實施例3:製備同時具有電子與電洞傳輸能力之有機發光 二極想裝置（元件四） 取一玻璃基材，於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成一 90nm厚之氧 化銦錫（ITO)作為陽極層，然後於ITO層上形成一 lOOmn 厚之由OLED-T公司生產之型號EEI-101材料作為作為電 洞注入層’之後於電洞注入層上形成一 15〇ηιη之鋁作為陰 〇 實施例4:製備同時具有電子與電洞傳輸能力之有機發光 二極髏裝置(元件五） 取一玻璃基材’於該基材上利用蒸鍵法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成一 90nm厚之氧 化銦錫（ITO)作為陽極層，然後於ITO層上形成一 l〇〇nm 1364840 厚之Alq3作為電子傳輸層，然後於Alq3層上形成一 lnm 厚之由OLED-T公司生產之型號EEI-101材料作為作為電 子✓主入層，之後於電子注入層上形成一 15〇nm之作為陰 極0 對照例2 :元件六 取一玻璃基材，於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成一 9〇nm厚之氧 化銦錫（ιτο)作為陽極層，然後於IT0層上形成一 1〇〇nm 厚之Alq3作為電子傳輸層，然後於上形成一 15〇nm之鋁 作為陰極。 里測如述製知之元件四、元件五與元件六之電壓與電 流密度之相對趨勢所得結果如第五圖所示，由圖形得知元 件四與五在正負電壓下均有電流注入，此結果顯示用於形 成電子注入層之非摻雜型材料EEI-101同時具有電子與電 洞注入之能力，而元件六僅單獨使用傳統電子傳輸層材料 Alq3，於負電壓下則沒有電流產生。 實施例5 :製備串擲式有機發光二極艟裝置 取一玻璃基材，於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成-9Gnm厚之氧 化銦錫（ITO)作為陽極層，然後於IT〇層上形成一⑼⑽ 厚之mTDATA作為電洞注人層，之後於電洞注人層上形 υΊ1:·Νρΐ)作為電洞傳輸層，然後再形成-〃、有、，杂光摻雜材料之綠光主發光體材料作為有 1364840 機發光層’再於其上形成一 20nm厚之 遞層，然後再於其上形成—lnm厚，由〇 q2作為電子傳 之型號EEI-101材料作為電子注入層，之ED_T公司生產 之紹金屬作為連接層，然後形成一 厲$成一 2nrn厚 為電洞注入層，再於其上形成75nm厚之之 傳輸層，然後再形成一 40nm厚，摻雜°^ΝΡΙ)作為電洞 綠光主發光歸料作為有機發光層，再於摻雜材料之 ::注入層’最後於電子注入層上形成一 Η。麵之銘作 對照例製備-般結構之有機發光二極想裝置 基材於該基材上利用蒸鍍法依序形成以下 各有機及金屬層：首先於玻璃基材上形成-9Gnm厚之氧 化銦錫（ΠΌ)作為陽極層，然後於ιτ〇層上形成一 6〇胆 厚之m TDATA作為電洞注入層之後於電洞注入層上形 成一 ^0m厚之a_NpD作為電洞傳輸層，然後再形成一 1〇?上’雜有綠光摻雜材料之綠光主發光體材料作為有 号 %再於其上形成一 20nm厚之BeBq2作為電子傳 遞層β然後再於其上形成一 Inm厚，由OLED-T公司生產 之m_101材料作為電子注入層，然後再形成一 150nm 之鋁作為陰極。 :表係為上述實施例與對照例之有機發光二極體裝 置測付之工作特性比較： 表-、有機發光二極體裝置之工作特性比較 1364840 裝置 驅動電壓 (V) 電流密度 (mA/cm2) 亮度 (cd/m2) 電流效率 (cd/A) CIE(x，y) 實施例5 7.84 20 9083 45.41 (0.294,0.626) 對照例3 5.52 20 4055 20.28 (0.295,0.604) 上表之數據，係將實施例5與對照例3之有機發光二 極體裝置施以20 mA/cm2電流密度，偵測其驅動電壓大 小、亮度、電流效率以及發光波長。其中，在增加有機發

光二極體元件數目時’光（本實施例與對照例為綠光）之色 度（CIE)變化極為細小，光波長差距僅有8nm (本實施例 528nm，對照例520nm)，而如第六圖所示，當電流密度為 20 mA/cm2時，實施例5之串聯式有機發光二極體裝置之 驅動電壓係為7.84V，較對照例3之單一有機發光二極體 單元所需之驅動電壓高，但不到2倍，亦即驅動電壓不需 因有機發光二極體單元之數目倍增。

增之條件下’本發明之串聯式二^ 5)之亮度大於對照例3 光二極體農置㈤ 圖之結果更顯示，本發明^㈣2倍以上。而: 施例5)具有較對照例3高葬式有機發光二極體襞| 、綜合上述，本發明透過之^效率。 注入層及與連接層接觸之電 θ與連接層接觸之* 選用，可使串聯式有機發光二^二層之具特殊性質材; 其所含之有機發光二極體元教裝置之工作電壓不; 電流效率之數絲現上，目而倍增’且在亮) 佳。本發明之技娜有成= 1364840 其他實施態樣 在本說明書中所揭露的所有特徵都可能與其他方法結 合，本說明書中所揭露的每一個特徵都可能選擇性的以相 同、相等或相似目的特徵所取代，因此，除了特別顯著的 特徵之外，所有的本說明書所揭露的特徵僅是相等或相似 特徵中的一個例子。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾。 【圖式簡單說明】 第一圖係為本發明之串聯式有機發光二極體裝置示意 圖。 第二圖係為本發明之串聯式有機發光二極體裝置中之 有機發光二極體單元細部構造。 第三圖係為本發明之包含串聯式發光二極體裝置之影 像系統之配置示意圖。 第四圖係為實施例1製得之元件一、實施例2製得之 70件二與對照例1製得之元件三之電壓與電流密度關係趨 勢圖。 第五圖係為實施例3製得之元件四、實施例4製得之 兀件五與對照例2製得之元件六之電壓與電流密度關係趨 勢圖。 第六圖係為實施例5與對照例3製得之有機發光二極 體裝置之電流密度與驅動電壓關係趨勢圖。 第七圖係為實施例5與對照例3製得之有機發光二極 體裝置之亮度與驅動電壓關係趨勢圖。 第八圖係為實施例5與對照例3製得之有機發光二極 體裝置之電流效率與電流密度關係趨勢圖。 [基本元件符號對照說明] 10 陽極 20.1、 20.2···20.(Ν-1)、20.N 有機發光二極體元件 30.1、 30.2"·30.(Ν-1) 連接層 40 50 陰極 二組有機發光二極體元件 1364840 21.1 ' 21.2 22.1 ' 22.2 23.1 > 23.2 24.1、24.2 25.1 > 25.2 100 110 120 200 (含連接層） 電洞注入層 電洞傳輸層 有機發光層 電子傳輸層 電子注入層 串聯式有機發光二極體裝置 顯示面板 輸入單元 影像顯示系統

Claims (1)

1364840 ^月β日你更)正if國100年7月28日 十、申請專利範圍： 1. 一種串聯式有機發光二極體裝置，其係包含 a) —陽極； b) —陰極； c) 至少二個位於前述陽極與陰極間之有機發光二 極體單元；其中前述有機發光二極體單元包含依以下順序 排列之各層：一電洞注入層、一電洞傳遞層、一有激發光 層、一電子傳遞層及一電子注入層；及 d) 至少一連接層，其中每個連接層係位於前述有 機發光二極體單元間，且係與該有機發光二極體單元中之 一的電洞注入層以及另一個該有機發光二極體單元的電子 注入層直接接觸； 其中，前述串聯式有機發光二極體裝置中與前述 連接層接觸之電洞注入層係為同時具有電子與電洞傳輸特 性之非摻雜型材料；以及與前述連接層接觸之電子注入層 係為同時具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材料，並且 該連接層係由鋁或銀所構成。 2. 如申請專利範圍第1項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其於相同電流密度時之驅動電壓小於N倍之前述 單一之有機發光二極體單元之驅動電壓，N係為串聯式有 機發光二極體裝置中之有機發光二極體單元數目。 3. 如申請專利範圍第1項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其中前述具有電子與電洞傳輸特性之非摻雜型材 料被施以正電壓或負電壓時均有電流注入。 4. 如申請專利範圍第1項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其中前述電洞注入層材料為一 P型摻雜劑。 20 民國101年2月14日 5·如申請專利範圍第5項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其中前述p型摻雜劑為2,3,5,6-四氟_7,7,8,8_四氰 基蓖噚 二甲烷 (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane ， IVTCNQ)及其衍生物、碳氟化物（CFx)、氟化鋰（LiF)、 二氧化矽（Si02)、鐵氟龍（Teflon)、4,4，，4"-三-仏萘基 -N- 苯基胺 基-三 苯基胺 (4,4',4"-TRIS-N-naphthyl-N-phenylamino-triphenylamine ’ TNATA)、4,4’，4”-三（3·甲基苯基苯基胺基）三苯基胺 ( 4,4,,4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine ’ m-TDATA)或金屬氣化物。 6. 如申請專利範圍第1項所述之串聯式有機發光二極 體裝置’其中前述電子注入層材料為一 η型摻雜劑。 7. 如申請專利範圍第6項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其中前述η型摻雜劑為鹼金組金屬或其化合物、 鹼土族金屬、OLED-T公司型號為ΕΕΙ-101之材料或其化合 物或其混合物。 ' σ 8.如申請專利範圍第i項所述之串聯式有機發光二極 體裝置，其中前述連接層之厚度係為 辦/署如it利範圍第8項所述之串聯式有機發光二極 體裝置’其中，述連接層之厚度係為1()〜1〇〇A。 極俨置如m利範圍第9項所述之串聯式有機發光二 極體裝置：其中則述連接層之厚度係為ΐ5〜5〇Αβ 辦梦1j如:&利乾圍第1項所述之串聯式有機發光二極 體裝置’ 〃 w料接層係以紐法形成。 12.—種影像顯示系統，包含. 1364840 民國101年2月14日 如申請專利範圍第1項所述之一串聯式有機發光二 極體裝置；以及 一輸入單元，耦接該串聯式有機發光二極體裝置， 且藉由該輸入單元傳輸訊號至該串聯式有機發光二極體裝 置，以控制該串聯式有機發光二極體裝置顯示影像。 13. 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，係 用於一個人數位助理（PDA)、一行動電話（cellular phone)、一數位相機、一電視、一全球定位系統（GPS)、 一車用顯示器、一航空用顯示器、一數位相框（digital photo frame)、一筆記型電腦、一桌上型電腦或是一可攜 式DVD播放機。 14. 一種照明裝置，包含： 如申請專利範圍第1項所述之一串聯式有機發光二 極體裝置；以及 一輸入單元，耦接該串聯式有機發光二極體裝置，且 精由該輸入单元傳輸訊號至該串聯式有機發光二極體裝 置，以控制該串聯式有機發光二極體裝置產生照明。 22