TWI364789B - - Google Patents

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1364789 A7 B7 五、發明説明（！） 技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於半導體裝置之製造中的乾蝕刻方法， 特別是有關於一種在Shallow trench isolation ( S T I )中 針對單晶矽進行蝕刻，而形成所希望形狀的溝（trench)的 乾蝕刻方法。 背景技術 近年來在半導體裝置的製造領域中，元件分離技術則 大多採用所謂的Shallow trench isolation ( S T I )。 該ST I的過程是一藉由乾蝕刻在矽基板的S i控掘 溝（trench )，藉由C V D等將例如S i 0 2等的絕緣物埋 入到該溝中，而最後例如藉由C Μ P使其平坦化的過程。 經濟部智慧財產局員工消費合作社'印製 在該S Τ I中，必須要有一藉由異方性蝕刻在單晶矽 形成溝（trench )的溝蝕刻過程。在該溝蝕刻過程之前，首 先在由S i所構成的矽基板表面形成二氧化矽（S i 〇2) 等的熱氧化膜，與例如S i N膜，藉由通常所使用的光石 印技術來形成光阻圖案，以此作爲掩罩針對S i N膜以及 熱氧化膜實施圖案。 接著，在除去光阻圖案後，將S i N膜以及熱氧化膜 當作掩罩，而進行藉由乾蝕刻針對該掩罩的開口部實施異 方性蝕刻的溝蝕刻過程》 上述的溝蝕刻過程以往則是藉由將C 1 2、C 1 2與 〇2的混合氣體、C i2與HBr的混合氣體' C 12、 HBr、與〇2的混合氣體等當作蝕刻氣體來使用的電漿蝕 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4- 1364789 A7 _B7___ 五、發明説明（2 ) 刻處理等來進行。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述的ST I中，必須要將例如S i 〇2等的介電材 料埋入到形成在單晶矽的溝。因此，爲了要確實且容易地 埋入上述介電材料，乃將溝的側壁形成爲從溝底部朝著上 側開口部慢慢地擴展之所定角度的推拔狀。 然而，溝的側壁形狀，例如即使是在一個晶圓內，也 會因爲中央部與周緣部分等的位置的差異、或是溝寬的差 異而有變化的傾向，而有很難將所有的溝的形狀皆設成所 希望的形狀的問題。 又，最近半導體裝置的集成度B呈飛躍地提升，隨之 而來，連形成在矽基板上之各種元件的微細化也成爲一個 技術上要求的項目。隨著該微細化，在進行上述S T I過 程中的蝕刻處理時，由於蝕刻面積變小，因此，在矽基板 上的加工部分容易變尖，而使得用來分離元件的溝的開口 會變得更小，而很難將絕緣物埋入到該溝內。因此，隨著 各種元件的微細化，則要求一容易將絕緣物埋入之溝的形 狀。 經濟部智慈財產局8工消費合作社吖製 又，藉由將上述溝的形狀形成爲容易將絕緣物埋入的 形狀，可以提高分隔（isolation)的效率，能夠減少產生漏 電流以及在埋入後較不會被施加應力。該溝的形狀例如溝 的底部分儘量不要是尖的，最好是一具有圓角（round)的 形狀。又，在溝之側壁中之S i N膜及熱氧化膜的掩罩與 S i的邊界部分則最好是呈圓角（round) » 然而以往如上所述般，由於是藉由C 1 2等的處理氣體. 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1364789 A7 ___B7_ 五、發明説明（3 ) 等的電漿處理一次形成溝，因此非常困難在其溝的底部分 或側壁的掩罩與S i的邊界部分形成圓角。 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明的揭露 在此，本發明之目的在於提供一種即使是在溝的寬度 不同的情形下，也能夠將溝的側壁形狀設成所希望的形狀 ’而形成容易埋入絕緣物之形狀之溝的乾蝕刻方法。 本發明，其主要係針對一經由掩罩層而在矽單結晶（ 單晶矽）形成所希望形狀的溝的乾蝕刻方法，其特徵在於 利用一將基板配置在設於蝕刻室內之一對的對向電極 中的其中一者，且將高週波電力供給到上述雙方之對向電 極，而藉由電漿進行蝕刻的裝置， 將蝕刻氣體導入到上述蝕刻室內，藉由調整施加在位 於配置有上述基板之一側的上述對向電極的高週波電力來 控制上述溝的側壁形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社听製 又’本發明，其中上述蝕刻氣體至少是一包含有C 1 的氣體與包含有B r的氣體的混合氣體。 又’本發明，其中上述包含C 1的氣體爲C 1 2。 又’本發明，其中上述包含B r的氣體爲HB r。 又’本發明，其中上述蝕刻氣體包含氧。 又’本發明乃調整上述蝕刻氣體的總流量來控制上述 溝的側壁形狀。 又’本發明乃調整上述蝕刻氣體中的C 1 2的量來控制 本紙張尺度適用中.關家操準（〇叫44驗（21()/297公麓） -6- 1364789 經濟部智慧財產局肖工消費合作杜_製 A7 ________B7 _五、發明説明（4 ) 上述溝的側壁形狀。 又’本發明，施加在位於配置有上述基板之一側的上 述對向電極的高週波電力位在〇.157〜1·57W/ c m 2的範圍內。 又’本發明，在上述基板形成溝寬不同之多種的上述 溝。 又，本發明，其主要係針對一將處理氣體導入到氣密 的處理室內，藉由針對矽基板的矽實施電漿處理，而在上 述矽基板上形成溝的乾蝕刻方法，其特徵在於： 包含有： 將至少包含Η B I·與1^2的混合氣體當作上述處理氣體 來導入而實施電漿處理的第1過程； 在上述矽基板的矽實施用來形成上述溝的電漿處理的 第2過程及； 將至少包含Η B r與C 1 2的混合氣體當作上述處理氣 體來導入而實施電漿處理的第3過程。 又，本發明，其中上述第1過程是根據至少將在上述 處理室內的壓力設在6 . 7Pa (50mTor r)以下 ，將Η B r的流量相對於上述處理氣體的^^2的流量的比設 在3以上，爲了要產生電漿，將施加在設在上述處理室內 之電極的偏壓用的高週波電力設在1 0 0W以上的條件來 實施電漿處理。 又，本發明，其中上述第1過程是根據至少將在上述 處理室內的壓力設在20Pa (150mTorr)以下 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I」-----.10! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Ψ .ΙΓ · 1364789 A7 B7 經 濟 部 智 % 財 產 局 消 費 合· 作 社 印· 製 五、發明説明（5 ) ’將Η B r的流量相對於上述處理氣體的的流量的比設 在2以上，爲了要產生電漿，將施加在設在上述處理室內 之電極的偏壓用的高週波電力設在5 0W以上的條件來實 施電漿處理。 又’本發明，在上述第1過程中實施電漿處理的時間 則較在上述第2過程中實施電漿處理的時間爲短。 又’本發明，其中上述第1過程，當將在上述第2過 程中實施電漿處理的時間設爲1時，則實施電漿處理一相 對於該時間爲0 _ 1 5〜0 · 5之比例的時間。 又，本發明，在上述第3過程中實施電漿處理的時間 則較在上述第2過程中實施電漿處理的時間爲短。 又，本發明，其中上述第3過程，當將在上述第2過 程中實施電漿處理的時間設爲1時，則實施電漿處理一相 對於該時間爲0 . 3〜0 . 7之比例的時間。 又，本發明，其主要係針對一將處理氣體導入到氣密 的處理室內，藉由針對矽基板的矽實施電漿處理，而在上 述矽基板上形成溝的乾蝕刻方法，其特徵在於： 包含有： 在進行針對上述矽基板的矽形成上述溝的過程之前’ 實施一在上述溝之側壁中之蝕刻用的掩罩與矽的邊界部分 形成圓角之蝕刻處理的過程及； 在進行完針對上述矽基板的矽形成上述溝的過程後’ 實施一在上述溝的底部分形成圓角之鈾刻處理的過程。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'〆297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 1364789 A7 _ B7__ 五、發明説明（6 ) 實施發明之最佳形態 以下請參照圖面針對實施形態來說明本發明的詳細內 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 容。 圖1爲爲了要說明本發明之一實施形態，以模型方式 將半導體晶圓（矽基板）之縱斷面的一部分放大來表示。 如同圖（a)所示，在半導體晶圓（矽基板）1〇1 上形成厚度例如約9 nm的二氧化矽層1 0 2、以及厚度 例如約16 0 nm的氮化矽層1 〇 3 ，該些爲了要具有用 來形成溝的開口部，乃被圖案化成所設定的形狀，而構成 所謂的硬式掩罩（hard mask)。 此外，在本實施形態中，經由由上述的氮化矽層 1 0 3等所構成的硬式掩罩（hard mask)，藉由餓刻氣體 使用至少包含有C 1 2與HB r的氣體的電漿蝕刻，針對由 單晶矽所構成的半導體晶圓1 0 1進行蝕刻，而如同圖（ b)所示般，在半導體晶圓101形成溝l〇4a、 10 4b。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述的溝1 0 4 a、1 0 4 b則分別形成爲所設定的 寬度，在圖中左側所示的溝1 0 4 a的寬度例如設爲 0 . 2 4 /zm，而圖中右側所示的溝1 〇 4 b的寬度例如 設爲1 · 0 0//Π1’兩者的寬度並不相同。該些的溝 104a 、l〇4b的側壁l〇5a 'l〇5b則分別形 成大約相同的推拔角度，且深度也形成爲大約相同。 圖2爲以模型方式來表示在本發明之實施形態中所使 用之電漿處理裝置之構成的一例。如同圖所示，電漿處理 本紙張尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' --— -9 - 1364789 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A 7 ___B7___五、發明説明（7 ) 裝置1 ，其中電極板乃上下平行相對著，且雙方皆連接有 高週波電源而構成電容結合型平行平板蝕刻裝置。 該蝕刻處理裝置1則具有由例如表面經過陽極氧化處 理所構成的鋁而形成爲圓筒形狀的室2，該室2則被接地 \ 。在室2內的底部則經由陶瓷等的絕緣板3而設有用來載 置晶圓W之大略爲圓柱狀的基座（suscepter )支撑台4 0在 該基座支撑台4之上則設有用來構成下部電極的基座（ suscepter) 5。在該基座5則連接有高通濾波器（HP F )6 〇 在基座支撑台4的內部設有溫度調節媒體室7，而在 該溫度調節媒體室7則經由導入管8而讓溫度調節媒體導 入而循環，且從排出管9被排出以將基座5控制在所希望 的溫度。 基座5的上中央部則形成爲凸狀的圓板狀，而在其上 設有與晶圓大略形狀的靜電夾頭11。靜電夾頭11是一 在絕緣材之間具有電極1 2的構造。此外，藉由從連接到 電極12的直流電源13施加例如1 . 5 kV的直流電壓 ，而藉由庫侖力以靜電來吸住晶圓W。 在絕緣板3、基座支撑台4、基座5.，更者，靜電夾 頭11 ，則在作爲被處理體之晶圓W的背面形成用來形成 傳熱媒體，例如H e氣體等的氣體通路1 4。此外，則經 由該傳熱媒體來進行基座5與晶圓W之間的熱傳導以將晶 圓W維持在所設定的溫度。 在基座5的上端周緣部則如包圍著被載置在靜電夾頭 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 1364789 A7 B7 五、發明説明（8 ) 1 1上的晶圓W般地配置有環狀的聚焦環1 5 〇該聚焦環 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 5是由陶瓷或是石英等的絕緣性材料所構成，而提高齡 刻的均勻性。 又’在基座5的上方則與該基座5呈平行地相對著設 有上部電極2 1。該上部電極2 1則經由絕緣材2 2而被 支撑在室2的內部，上部電極2 1是由具有多數的吐出孔 2 3的電極板2 4 (例如由石英所構成），以及用來支撑 該電極板24的電極支撑體25(由導電性材料例如表面 經陽極氧化處理的鋁所構成）。此外，基座5與上部電極 2 1的間隔則設成可以調節。 經濟部智慧財產局員工消費合·作社印製 在上部電極2 1之電極支撑體2 5的中央設有氣體導 入口 26。在該氣體導入口 26則連接有氣體供給管27 。更者，在該氣體供給管2 7則經由閥2 8、以及流量控 制閥2 9而連接有處理氣體供給器3 0。此外，則從該處 理氣體供給器3 0供給有用於電漿鈾刻的蝕刻氣體。此外 ’在圖2中則只表示3 1個由上述的處理氣體供給器3 0 等所構成的處理氣體供給系統，然而該些的處理氣體供給 系統可以設有多個。例如分別獨立地控制Η B r、C 1 2、 〇2、Ν2等的氣體的流量而供給到室2內。 另一方面，在室2的底部則連接有排氣管3 1 ，而在 該排氣管3 1則連接有排氣裝置3 5。排氣裝置3 5具備 有渦輪分子泵等的真空泵，藉此，可以將室2內抽真空到 所設定的減壓環境，例如IPa(7.5mT〇rr)以 下之所設定的壓力。又，在室2的側壁設有閘閥（gate 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1364789 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合.作社印製 五、發明説明（9 ) valve ) 3 2 »在打開該閘閥3 2的狀態下 9 晶 圓 W 在 室 2 與相 鄰的載入（load lock)室（未圖示）之 間 被 搬 送 〇 在上部電極21連接有第1高週波電 源 4 0 ) 而 將 整 4 1插入於其供電線。又，在上部電 極 2 1 則 連 接 有 低通 濾波器（CPF) 42。該第1高週 波 電 源 4 0 具 有 5 0 〜1 5 0MHz之範圍的頻率。藉由 施 加 如 此 般 的 高 頻率 ，可以在室2內形成處於最好的解離 狀 態 且 高 密 度 的 電漿 ，而能夠進行在較以往爲低壓的條件 下 的 電 漿 處 理 〇 該第 1高週波電源4 0的頻率最好是採用5 0 8 0 Μ Η ζ ，典型則如圖所示之6 0 Μ Η ζ或其 附 近 的 頻 率 0 在作爲下部電極的基座5則連接有第2 局 週 波 電 源 5 0 ，而整合器51則插入在其供電線。 該 第 2 商 週 波 電 源5 〇具有數百〜十數ΜΗ ζ的範圍的頻 率 〇 藉 由 施 加 如 此範 圍的頻率，可以在不對作爲被處理體 的 晶 圓 W 帶 來 損 傷的 情形下給予適當的離子作用。第2高 週 波 電 源 5 0 的 頻率 典型則採用如圖所示之1 3 . 56ΜΗ 2 或 8 0 0 k Η ζ等的頻率。 接著則針對藉由上述構造的電漿處理 裝 置 1 對 由 單 晶 矽所 構成的晶圓W實施鈾刻而形成溝的過程加 以 說 明 〇 首先，如上所述，打開閘閥3 2，將 已 形 成 有 由 二 氧 化矽 層1 0 2、氮化矽層1 0 3所構成之 掩 罩 ( mask ) 層 的晶 圓W，從未圖示的載入室搬入到室2 內 而 載 置 在 靜 電 夾頭 11上。此外，藉著從高壓直流電源 1 3 施加 直 流 電 壓， 而以靜電將晶圓W吸著在靜電夾頭11 上 〇 本紙張疋度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X297公釐〉 •12- 經濟部智慈財產局貸工消費合作社印製 1364789 A7 ____ B7 五、發明説明（10) 接著’則關閉閘閥3 2，藉由排氣裝置3 5 ，將室2 內實施真空抽成到所設定的真空度.爲止。之後，則打開閥 2 8，藉由流量控制器2 9來調整來自處理氣體供給器 3 0之主触刻用的飽刻氣體（例如HB r與C 1 2、或 HB r與、C 1 2與〇2)的流量，而通過處理氣體供給管 2 7、氣體導入口 2 6、上部電極2 1的中空部' 電極板 2 4的吐出孔2 3，如圖2之箭頭所示，對晶圓w均勻地 被吐出。 在此同時，在室2內的壓力則維持在所設定的壓力， 例如1 3 P a (.1 〇〇mT 〇 r r )左右的壓力。此外， 則從第1高週波電源4 0以及第2高週波電源5 0，將高 週波電壓施加在作爲上部電極21以及下部電極的基座5 ，將蝕刻氣體予以電漿化而進行晶圓W的蝕刻。+ 圖3 、4的說明圖（縱軸爲推拔角度、橫軸爲下部電 力（針對下部電極的供給電力））係表示在利用上述的触 刻處理裝置1針對8吋直徑的晶圓W進行蝕刻時，從第2 高週波電源5 0供給到作爲下部電極之基座5的電力，與 溝之側壁之推拔角度的關係。圖3爲溝寬爲〇.2 的情形、圖4爲溝寬爲1 . 00//m的情形。 又，在圖3 、4中，實線A、C表示晶圓w的中央部 分，虛線B、D表示在晶圓W之周邊部分的溝推拔角度。 此外，蝕刻條件爲 蝕刻氣體：Cl2(流量 15SCCM) + HBr(流量 285SCCM) + 〇2(流量 2.5SCCM) 本紙張尺度適用ί國國家標準（CNS ) A4規格（21& 297^釐） ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-13- 1364789 Α7 Β7 五、發明説明’（11) τ 1 m : ο 力 ο 電 1波 C週 a 高 P 加 3 施 1 極 : 電 力部 壓上 ο Γ Γ

W 電極間距離：80mm

He壓力（中央/邊緣）：4〇0/400Pa(3 T 〇 r r )

室溫度（上部/底部/牆）：6 0/6 0/5 0 °C 蝕刻時間：4 7秒 如圖.3所示，當爲溝寬爲〇 . 2 4 之狹窄的溝 1 ◦ 4 a時，則顯示出隨著下部電力的上昇，推拔角度會 呈線性地增加的傾向。另一方面，如圖4所示，當爲溝寬 爲1 _ 0 0 之寬的溝時，則即使是讓下部電力變化， 推拔角度也幾乎不會變.化。 因此，在圖3 ' 4所示的例子中.，藉由將下部電力設 成100WCO.314W/cm2)，則可將溝寬狹窄的 溝1 0 4 a、與溝寬寬廣的溝1 〇 4 b之兩者的推拔角度 控制成大約相同。 此外，圖5、6的說明圖（縱軸爲推拔角度' 橫軸爲 針對上部電極的供給電力）係表示當利用上述蝕刻處理 裝置1來對8吋直徑的晶圓W進行蝕刻時，從第.1高週波 電源4 0供給到上部電極2 1的電力、與溝之側壁之推拔 角度的關係。圖5表示當溝寬爲〇.24ym的情形、圖 6表示當溝寬爲1.00#m的情形。 又’在圖5、6中’實線E、G表示晶圓w的中央部 分，虛線F或Η表示在晶圓W之周邊部分的溝的推拔角度 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS > A4規格（210 X 297公釐） II------#! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 Φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 1364789 經濟部智慧財產局員工消費舍作社印製 A7 B7五、發明説明（12) 0 如圖5、6所示般，即使是變更上部電力，推拔角度 也未見到顯著的變化，因此，當要控制推拔角度時，如上 所述，可知藉由調整下部電力可以有效地進行該控制。 此外，當下部電力太多時，在蝕刻速度上昇的同時由 於與作爲掩罩層的氮化矽等的選擇比會降低，因此最好最 大在5 0 0W左右。又，當遠低於上述的1 〇 〇W，而不 足5 0 W時，由於蝕刻速度降低，因此，針對8吋直徑的 晶圓最好爲5 0〜5 0 0 W左右，亦即，每單位面積的電 力最好是0 . 1 57〜1 . 57W/cm2的範圍。 圖7的說明圖（縱軸爲蝕刻深度（實質上爲蝕刻速度 )橫軸爲在鈾刻氣體中之C 1 2的比（C 1 2流量/總流量 ))，係表示在利用上述蝕刻處理裝置1針對8吋直徑的 晶圓W進行蝕刻時之蝕刻深度與C 1 2的比的關係，實線I 表示溝寬爲0.24#m的情形，虛線J爲溝寬爲 1 . 〇〇#m的情形。 又，圖8的說明圖（縱軸爲推拔角度、橫軸爲在蝕刻 氣體中的C 1 2的比（C 1 2流量/總流量），係表示在利 用上述蝕刻處理裝置1針對8吋直徑的晶圓W進行蝕刻時 之推拔角度C 1 2之比的關係，實線K表示溝寬爲〇 . 2 4 // m的情形，虛線L表示溝寬爲1 . 0 0 μ m的情形。 此外，蝕刻條件爲 蝕刻氣體：Ch + HBr(合計流量200SCCM) 添加CM流量1.6SCCM) $紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ' -15- II------4|丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1364789 A7 _____B7_ 五、發明説明（13) 壓力：1. 3 P a ( 1 〇 〇 m T 〇 r r ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 上部電極施加高週波電力：1 Ο 0 OW 下部電極施加高週波電力：2 0 OW 電極間距離：80mm

He壓力（中央/邊緣）：400/400Pa(3 T 〇 .r r ) 室溫度（上部/底部/牆）：6 0/6 0/5 0 °C 蝕刻.時間：8 3秒 如該些圖7、8的說明圖所示，藉由變更在蝕刻氣體 中的C 1 2的比可以改變蝕刻速度，又，推拔角度也會變化 。更者，如圖8所示，推拔角度的變化在溝寬爲0.24 時（實線K)、與溝寬爲1 · OO/zm時（虛線L) 並不相同。 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 因此，例如爲了要得到必要的蝕刻速度與推拔角度， 而要變更在蝕刻氣體中的C 1 2的比時，則溝寬狹窄的溝與 溝寬寬廣的溝會成爲不同之推拔角度的可能性會提高。此 時’如上所述，藉由調整下部電力可以控制消除上述推拔 角度的差距。亦即，當溝寬狹窄的溝的推拔角度較溝寬爲 寬廣的溝的推拔角度爲小時，則再加大下部電力。又，相 反地’當溝寬狹窄的溝的推拔角度較溝寬寬廣的溝的推拔 角度爲大時，則再減小下部電力。 圖9的說明·圖（縱軸爲蝕刻深度（實質上爲蝕刻速度 )橫軸爲在蝕刻氣體的總流量，係表示在利用上述蝕刻處 理裝置1針對8吋直徑的晶圓W進行蝕刻時之蝕刻深度與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- !364789 A7 B7 一 __ 五、發明説明（14) 蝕刻氣體之總流量的的關係，實線Μ表示溝寬爲〇 . 2 4 的情形，虛線Ν爲溝寬爲1 . 〇 〇 //m的情形。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，圖1 0的說明圖（縱軸爲推拔角度、橫軸爲蝕刻 氣體的總流量），係表示在利用上述蝕刻處理裝置1針對 8吋直徑的晶圓W進行蝕刻時之推拔角度與蝕刻氣體之總 流量的關係，實線〇表示溝寬爲0 . 24//m的情形，虛 線P表示溝寬爲1 · 〇〇/zm的情形》 此外/触刻條件爲 蝕刻氣體：Cl2 + HBr + 〇2Cl2 = 25%(對 Ch/HBr總流量） 〇2 = 0. 8%(對Cl"HBr總流量） 壓力：13Pa(lOOmTorr) 上部電極施加高週波電力：1 ο o ow 下部電極施加高週波電力：2 0 0 W 電極間距離·’ 8 0 m m

He壓力（中央/邊緣）：400/400Pa(3 ηι T 〇 r r ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 室溘度（上部/底部/牆）：60/60/50 °C 蝕刻時間：8 3秒 如該些圖9、1 0的說明圖所示，藉由變更蝕刻氣體 中的總流量可以改變蝕刻速度，又，推拔角度也會變化。 更者，如圖10所示，推拔角度的變化在溝寬爲0 . 24 Mm時（實線K)、與溝寬1 . 00/zm時（虛線L)並 不相同。 因此，例如爲了要得到必要的蝕刻速度與推拔角度， 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 1364789 經濟部智慧財產局Μ工消費入7作社•印製 A7 ____B7_ 五、發明説明（彳5) 而要變更蝕刻氣體的總流量時，則溝寬狹窄的溝與溝寬寬 廣的溝會成爲不同之推拔角度的可.能性會提高。此時，如 上所述’藉由調整下部電力可以控制消除上述推拔角度的 差距。亦即，當溝寬狹窄的溝的推拔角度較溝寬爲寬廣的 溝的推拔角度爲小時，則再加大下部電力。又，相反地， 當溝寬狹窄的溝的推拔角度較該溝寬寬廣的溝的推拔角度 爲大時，則再減小下部電力。 如上.所述，本實施形態的乾蝕刻方法，除了蝕刻氣體 的總流量，在蝕刻氣體中的C 1 2的量（比）等外，也藉由 調整下部電力，即使混合存在有溝寬不同的溝，也能夠將 該些溝的側壁形狀如具有所希望的推拔角度般地設成所設 定的形狀。 · 因此，之後可將介電體良好地埋入，而能夠藉由· s T I良好地將元件分離。 接著請參照圖1 1來說明本發明之其他實施形態之 s T I過程中之針對S i實施蝕刻的過程。此外，圖示的 例子是表示爲了要進行S T I過程中的元件分離而形成用 來埋入S i 〇2等之絕緣物的溝的過程》 如圖1 1 ( a )所示，首先在由S i所構成的矽基板 2 0 2的表面形成例如1 0 nm左右的氧化矽（s i 〇2) 等的熱氧化膜2 0 4與S i N膜2 0 6，而藉由通常所使 用的光石印技術來形成光阻圖案，以此作爲掩罩而針對 S i N膜206、熱氧化膜204實施圖案。此外，針對 剩餘的光阻層進行灰化處理（ashing )而除去光阻圖案。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -18 - 1364789 A 7 _B7________ 五、發明説明（16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，以SiN膜206、熱氧化膜204作爲掩罩 ，藉由乾蝕刻針對開口部實施異方性蝕刻，而形成用於埋 入用來元件分離之絕緣物的溝。 在本實施形態中，在藉由例如已混合有C 1 2與〇2的 處理氣體來進行電漿處理之主過程（第2過程）之前，除 了爲了要在上述溝之側壁的上述掩罩與S i的邊界部分形 成圓角（round)而進行前置過程（第1過程）外，也在上 述主過程.（第2過程）後，爲了要在上述溝的底部分形成 圓角乃進行後置過程（第3過程）。 上述前置過程藉由包含HB 1"與^[2在內的混合氣體所 構成的處理氣體，針對作爲掩罩的S i N膜2 0 6與熱氧 化膜204實施電漿處理，而對S i進行蝕刻。 此時，至少在室2內的壓力，最好是一可以很容易藉 由蝕刻形成反應產生物（堆積）的圓角形狀，具體地說在 6 · 7Pa (50mTorr)以下，由實用的觀點來看 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，最好是在2.7Pa (20mTorr)以上，且 6 .7Pa (50mTorr)以下，處理氣體的HBr 與N 2的流量比，則最好蝕刻進行的程度，具體地說， Η B r的流量相對於1^2的流量在3以上，而施加在作爲下 部電極之基座5的偏壓用的高週波電力最好是在不至於發 生停止蝕刻（etch stop )程度，具體地說爲1 〇 〇W以上， 最好是在1 5 0W以上，又更好是在2 0 0W以上，而能 夠良好地實施電漿處理。 當藉由如此前置過程的電漿處理來進行蝕刻時，則如 本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1364789 經濟部智蚝財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7____ 五、發明説明（17) 圖11(b)所示將Si淺淺地挖掘，而在該所挖掘的溝 2 0 1的側壁形成圓角。在此狀態下當藉由主過程進行蝕 刻時，如圖1 1 ( c )所示，在溝2 1 0之側壁的上側部 分，例如掩罩與S i的邊界部分2 1 2形成圓角。 在此狀態下藉由主過程的電漿處理進行蝕刻。該主過 程，則與以往同樣地，藉由例如由包含有C 1 2與◦ 2的混 合氣體所構成的處理氣體等，針對作爲掩罩的S i N膜 2 0 6與熱氧化膜2 0 4實施電漿處理以對S i進行異方 性蝕刻。在此時的蝕刻條件則與以往相同。 具體地說當以例如包含有C 1 2與〇2在內的混合氣體 作爲處理氣體來進行鈾刻時，則將在室2內的壓力設爲 2-7Pa (20mTorr)，將施加在上部電極21 的高週波電力設爲2 0W，將上部電極2 1與基台5的間 隔設爲1 1 5mm，將處理氣體的C 1 2與〇2的氣體流量 比（C 1 2的氣體流量/ 〇2的氣體流量）設爲1 6 8 s c cm/32 s c cm。至於在室2內的設定溫度，則 將基台5設爲4 0 °C，上部電極2 1設爲8 0 °C，側壁部 設爲6 0 °C。 當藉由該主過程的電漿處理來進行蝕刻時，則如圖 11(c)所示，溝210的底部分214會被挖掘更深 ，而在溝2 1 0之側壁的掩罩與S i的邊界部分2 1 2留 下圓角。此外，在藉由該過程的電漿處理來進行蝕刻時， 如上述實施形態般藉由該設定條件可以控制溝2 1 0的推 拔角度。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -20- 1364789 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（18) 接著，藉由後置過程的電漿處理來進行蝕刻β該後置 過程，由於即使藉由前置過程以及主過程來蝕刻，溝的底 部分仍會有尖銳的部分，因此是一爲了將溝2 1 0的底部 分2 1 4形成圓角的過程。 在上述後置過程中，以包含有C 1 2與HB r在內的混 合氣體針對作爲掩罩的S i N膜2 0 6與熱氧化膜2 0 4 的實施電漿處理以對S i進行蝕刻。此時，至少在室2內 的壓力要能夠使堆積多而容易形成圓角的程度，具體地說 最好是在20Pa (lSOmTorr)以上。處理氣體 的Η B r與C 1 2的流量比，則最好蝕刻進行的程度，具體 地說Η B I·的流量相對於C 1 2的流量在2以上。施加在作 爲下部電極之基台5之偏壓用的高週波電力最好是在不會 使蝕刻停止的程度，具體地說在5 0W以上進行電漿處理 〇 當藉由後置過程的電漿處理來進行蝕刻時，如圖1 1 (d )所示，在將溝2 1 0的底部分挖掘更深的同時，也 在該所挖掘之溝2 1 0的底部分形成圓角。如此般形成很 容易將絕緣物埋入到矽基板的S i的溝2 1 0的形狀。 前置過程以及後置過程的電漿處理則以較實施主過程 中之電漿處理的時間爲少的時間。例如當將實施主過程中 之電漿處理的時間爲1時，在前置過程中的電漿處理則依 0·15〜0.5之比例的時間來進行，而在後置過程中 的電漿處理則依0 . 3〜0 . 7比例的時間來進行。具體 地說在主過程進行3 0秒左右時，則前置過程只進行5〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -21 - 1364789 A7 _ B7 五、發明説明（19) 1 5秒左右的時間，而後置過程只進行1 〇〜2 0秒左右 的時間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉此，在前置過程中，可將S i繼續挖掘到在溝 2 1 0之側壁的掩罩與S i的邊界部分2 1 2形成圓角的 程度，又，在後置過程中，則可以將S i繼續挖掘到可在 溝210之底部分214形成圓角的程度。 在此，針對由本發明之蝕刻處理所形成的溝的形狀而 與以往的情形一邊比較一邊說明。首先，實際上在只藉由 以往的主過程來進行蝕刻時以及藉由前置過程以及主過程 來進行蝕刻時之溝的側壁部分的形狀分別表示在圖1 2、 圖1 3。 圖1 2爲表示以往的主過程，利用由包含C 1 2與〇2 在內的混合氣體所構成的處理氣體，將在室2內的壓力設 爲2 7Pa (2〇mTor r)，施加在上部電極21 的高週波電力設爲6 0 0W，施加在下部電極之基台5的 高週波電力設爲2 0 0W、上部電極2 1與基台5的間隔 設爲1 1 5mm、處理氣體C 1 2與〇2的氣體流量比（ 經濟部智慧財產局貞工消費合作社印製 C 1 2的氣體流量/〇2的氣體流量）設爲1 6 8 s c cm /3 2 s c cm，針對在室2內的設定溫度，依據將基台 5設爲4 0 °C、上部電極2 1設爲8 0 °C、側壁部設爲 6 0 °C的條件來進行電漿處理。 又，圖1 3爲藉由本發明之前置過程以及主過程來進 行蝕刻的情形，前置過程爲將在室2內的壓力設爲2 . 7 Pa (20mTorr)，將施加在上部電極21的高週 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1364789 A7 _____B7__ 五、發明説明（20) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 波電力設爲7 0 0W，將施加在作爲下部電極之基台5的 高週波電力設爲3 0 0W，將上部電極2 1與基台5的間 隔設爲1 1 5mm，將處理氣體B r與N2的氣體流量比（ HB r的氣體流量/N2的氣體流量）設爲3 0 0 s c cm /1 0 0 s c cm，至於在室2內的設定溫度，則依據將 基台5設爲5 0 °C、上部電極2 1設爲6 0 °C、側壁部設 爲6 0 °C的條件，將電漿處理只進行5〜1 5秒左右的短 時間。而主過程則依據與上述同樣的條件將電漿處理只進 行3 0秒左右的時間。 根據該實驗結果，在藉由以往的主過程來進行蝕刻時 ’則如圖1 2所示，在形成在S i的溝3 1 0的側壁的掩 罩（S i N膜206、熱氧化膜204)與S i的邊界部 分3 1 2則成爲直線。相較於此，在藉由本發明的前置過 程以及主過程來進行時，如圖1 3所示，可知在S i的溝 2 1 0的側壁的掩罩與S i的邊界部分2 1 2形成爲圓角 〇 經濟部智祛財產局員工消費合作社印製 接著，實際'上只藉由以往的主過程來進行蝕刻時，與 藉由後置過程進行蝕刻時的溝的底部分的形狀則分別表示 在圖1 4、圖1 5。 圖1 4爲在以與圖1 2的情形同樣的條件，藉由主過 程進行蝕刻所形成之溝3 1 0的底部分3 1 4的形狀。又 ’圖1 5則是在進行完與圖1 3的情形同樣的主過程後， 藉由後置過程來進行蝕刻時的情形。 有關該後置過程，則是以在室2內的壓力爲2 0 P a 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -23- 1364789 A7 _____B7 五、發明説明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 5 0 m Τ ο r r )，施加在上部電極21的高週波電 力爲5 0 0W'施加在作爲下部電極之基台5的高週波電 力爲5 0 0W上部電極2 1與基台5的間隔爲丨4 〇mm 、處理氣體HB r與C 1 2的氣體流量比（HB r的氣體流 量/C 12的氣體流量）爲225 s c cm/75 s c cm ’至於在室2內的設定溫度，則基台5爲4 Ot、上部電 極2 1爲8 0 °C、側壁部爲6 0 °C爲條件而只進行i 〇〜 2 0秒左右的短時間的電漿處理。 根據該實驗結果’當藉由以往的主過程來進行触刻時 ，如圖1 4所示，形成在S i的溝3 1 0的底部分3 1 2 則存在有尖的部分。相較於此，如本發明般，在主過程之 後，在進行完後置過程時，如圖1 5所示，+S i的溝 2 1 0的底部分2 1 4則可知整體形成爲圓角，尖的部分 會消失。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此般，以往的溝3 1 0的形狀由於具有尖的部分， 當例如藉由成膜而將S i ◦ 2等的絕緣物埋入到溝2 1 0 時，則由於成膜是1層1層地重疊在溝2 1 0的表面，因 此在將各層結合時會產生應力，而會有產生空洞或產生漏 電流的缺點。相較於此，藉由本發明之蝕刻方法所形成的 溝2 1 0 ，由於形成爲圓角，而尖的部分消失，因此容易 埋入絕緣物。亦即，提高分隔（isolation )的效率，也較不 會產生漏電流或是被施加埋入後的應力。 如此般，根據本實施形態，在s T I過程中，當在矽 基板的S i形成供用於元件分離的絕緣物埋入的溝2 1 0 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 1364789 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ___五、發明説明（22) 時，則在藉由主過程（第2過程）進行蝕刻之前’除了藉 由由包含Η B r與N 2在內之混合氣體所構成的處理氣體進 行短時間的電漿處理（前置過程：第1過程）外’在藉由 主過程進行完電漿處理後，則藉由由包含c 1 2與ΗΒ Γ在 內的混合氣體所構成的處理氣體進行短時間的電獎處理（ 後置過程：第3過程），藉以可以形成S i 〇2等的絕緣物 容易埋入的溝2 1 0。具體地說，溝2 1 0的形狀，如圖 1 1 ( d )所示，除了在溝2 1 0之側壁的掩罩與S i的 邊界部分（溝2 1 0的側面的上側部分）2 1 2形成爲圓 角外，在溝2 1 0的底部分2 1 4也形成圓角’而可以成 爲一沒有變尖之部分的形狀。 由於可以形成如此形狀的溝2 1 0，因此能夠提高分 隔的效果，而較不會產生漏電流或是被施加在埋入後的應 加藉此能夠使各種元件更加微細化。 此外，在本實施形態中，雖然是就在作爲上部電極 2 1與下部電極的基台5分別施加高週波電力的電漿蝕刻 處理裝置來加以說明，但也不一定限定於此，也可以適用 在只在下部電極施加高週波電力的電漿處理裝置。 產業上之可利用性 本發明之乾蝕刻方法可以使用在用來製造半導體裝置 的半導體製造產業等上。因此具有產業上的可利用性。 圖面之說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 1364789 A7 _ B7_ 五、發明説明（23) 圖1爲以模型方式來表示用來說明本發明之一實施形 態之晶圓斷面的構成的說明圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2爲在本發明之一實施形態中所使用之裝置之構成 之例子的說明圖。 圖3爲表示下部電力與溝寬爲0 . 2 之溝的推 拔（taper )角度之關係的說明圖。 圖4爲表示下部電力與溝寬爲1 . OO/zm之溝的推 拔角度之關係的說明圖。 圖5爲表示上部電力與溝寬爲0 . 2 4以〇1之溝的推 拔角度之關係的說明圖。 圖6爲表示上部電力與溝寬爲1·OOym之溝的推 拔角度之關係的說明圖。 圖7爲表示蝕刻深度與C 1 2之比的關係的說明圖。 圖8爲表示推拔角度與C 1 2之比的關係的說明圖。 圖9爲表示蝕刻深度與蝕刻氣體之總流量的關係的說 明圖。 經濟部智毡財產局8工消費合作社印製 圖1 0爲表示推拔角度與.鈾刻氣體之總流量的關係的 說明圖。 圖1 1爲以模型方式來表示用來說明本發明之其他實 施形態之晶圓斷面之構成的說明圖。 圖1 2爲以模型方式來表示當藉由以往之主過程來進 行電漿處理時之溝的側壁的一部分的說明圖》 圖1 3爲以模型方式來表示當藉由實施形態之前置過 程（第1過程）以及主過程（第2過程）來進行電漿處理 本紙張尺度適用中.國國家標準< CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -26- 1364789 Α7 Β7 五、發明説明（24) 時之溝之側壁的一部分的說明圖。 圖14爲以模型方式來表示當藉由以往的主過程來進 行電漿處理時之溝的底部分的說明圖。 圖15爲以模型方式來表示當藉由位在實施形態之主 過程（第2過程）之後的後置過程（第3過程）來進行電 漿處理時之溝的底部分的說明圖。 主要元件對照表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 蝕刻處理裝置 2 室 3 絕緣板 4 基座支撑台 5 基座 6 高通濾波器 7 溫度調節媒體室 8 導入管 9 推出管 1 1 靜電夾頭 1 2 電極 1 3 直流電源 1 4 氣體通路 1 5 聚焦環 2 1 上部電極 2 2 絕緣材 本纸张尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公釐） -27- 1364789 A7 B7 經濟部智慧財產局肖工消費合作社印製 五、發明説明（25) 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1 3 2 3 5 4 0 4 2 5 0 10 1 10 2 10 3 10 4a 2 0 4 2 0 6 2 10 2 12 2 14 3 10 吐出孔 電極板 電極支撑體 氣體導入口 氣體供給管 閥 流量控制器 處理氣體供給器 排氣管 閘閥 排氣裝置 第1高週波電源 低通濾波器 第2高週波電源 半導體晶圓 二氧化矽層 氮化砂層 10 4b 溝 熱氧化膜 S i N膜 溝 邊界部分 底部分 溝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 1364789 A7 B7 五、發明説明（26) 2 邊界部分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） -29-

Claims (1)

1364789 A8 BS C8 D8__ 六、申請專利範圍 _____ 第9 1 1 1 2669號專利申請案义年《月ώ日修(餐)正本 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 8年4月 20日修正 1 . 一種乾蝕刻方法，其主要係針對一經由掩罩層而 在矽單結晶形成所希望形狀的溝的乾蝕刻方法，其特徵在 於： 利用一將基板配置在設於蝕刻室內之一對的對向電極 中的其中一者，且將高週波電力供給到上述雙方之對向電 極，而藉由電漿進行蝕刻的裝置， 將蝕刻氣體導入到上述蝕刻室內，藉由調整施加在位 於配置有上述基板之一側的上述對向電極的高週波電力來 控制上述溝的側壁形狀，在上述基板形成溝寬不同之多種 之上述溝，前述側壁形狀乃呈推拔角、溝寬狹窄之溝之推 拔角較溝寬爲寬之溝之推拔角小時，使下部電力更大、溝 寬狹窄之溝之推拔角較溝寬爲寬之溝之推拔角大時，使下 部電力更小者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項之乾蝕刻方法，其中上述 蝕刻氣體至少是一包含有C 1的氣體與包含有β r的氣體 的混合氣體。 3 .如申請專利範圍第2項之乾蝕刻方法，其中上述 包含C 1的氣體爲C 1 2。 4 .如申請專利範圍第2項之乾蝕刻方法，其中上述 包含B r的氣體爲Η B r。 5 .如申請專利範圍第1項之乾蝕刻方法，其中上述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1364789 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 蝕刻氣體包含氧。 6 ·如申請專利範圍第1項之乾蝕刻方法，其中調整 上述蝕刻氣體的總流量來控制上述溝的側壁形狀。 7 .如申請專利範圍第3項之乾蝕刻方法，其中調整 上述蝕刻氣體中的C 1 2的量來控制上述溝的側壁形狀。 8 .如申請專利範圍第1項之乾蝕刻方法，施加在位 於配置有上述基板之一側的上述對向電極的高週波電力爲 在0 . 157〜1 . 57W/cm2的範圍內。 9 . 一種乾蝕刻方法，其主要係針對一將處理氣體導 入到氣密的處理室內，藉由針對矽基板的矽實施電漿處理 ，而在上述矽基板上形成溝的乾蝕刻方法，其特徵在於： 包含有： 將至少包含Η B r與N2的混合氣體當作上述處理氣體 來導入而實施電漿處理的第1過程； 對上述矽基板的矽實施用來形成上述溝的電漿處理的 第2過程及； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將至少包含HB I·與C 1 2的混合氣體當作上述處理氣 體來導入而實施電漿處理的第3過程。 1 0 .如申請專利範圍第9項之乾蝕刻方法，其中上 述第1過程是根據至少將在上述處理室內的壓力設在6. 7 P a (50mTorr)以下，將HBr的流量相對於 上述處理氣體的N2的流量的比設在3以上，爲了要產生電 漿，將施加在設在上述處理室內之電極的偏壓用的高週波 電力設在1 0 0W以上的條件來實施電漿處理。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ' -2- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1364789 Α8 Β8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 1 1 .如申請專利範圍第9項之乾蝕刻方法，其中上 述第3過程是根據至少將在上述處理室內的壓力設在2 0 Pa (150mTorr)以上，將HBr的流量相對於 上述處理氣體的C 1 2的流量的比設在2以上，爲了要產生 電漿，將施加在設在上述處理室內之電極的偏壓用的高週 波電力設在5 0W以上的條件來實施電漿處理。 1 2 .如申請專利範圍第9項之乾蝕刻方法，在上述 第1過程中實施電漿處理的時間則較在上述第2過程中實 施電漿處理的時間爲短。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之乾蝕刻方法，其中 上述第1過程，當將在上述第2過程中實施電漿處理的時 間設爲1時，則實施電漿處理之時間相對於該時間爲〇 . 1 5〜0 · 5之比例。 1 4 .如申請專利範圍第9項之乾蝕刻方法，在上述 第3過程中實施電漿處理的時間則較在上述第2過程中實 施電漿處理的時間爲短。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之乾蝕刻方法，其中 上述第3過程，當將在上述第2過程中實施電漿處理的時 間設爲1時’則實施電漿處理之時間相對於該時間爲〇 . 3〜0 · 7之比例。 1 6 . —種乾蝕刻方法，其主要係針對一將處理氣體 導入到氣密的處理室內，藉由針對矽基板的矽實施電漿處 理’而在上述矽基板上形成溝的乾蝕刻方法，其特徵在於 本紙張用 辦（CNS ) A術^ ( 210X297公釐) " ' ----------^------訂.------^ (請先閱'#背面之注意事項再填寫本頁) -3- 1364789 A8 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍 將HBr及1^2做爲蝕刻氣體； 包含有： 在進行針對上述矽基板的矽形成上述溝的過程之前 實施一在上述溝之側壁中之蝕刻用的掩罩與矽的邊界部分 形成圓角之蝕刻處理的過程及； 在進行完針對上述矽基板的矽形成上述溝的過程後， 實施一在上述溝的底部分形成圓角之蝕刻處理的過程。 (請先聞请背面之注意事項再填寫本页) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1¾. -紙 本 A4 \—/ CNS /IV 準 標 家 國 國 中 用 適 公 7 9 2 -4-