TWI364575B - Method of manufacturing liquid crystal display device - Google Patents

Description

1364575 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於製造液晶顯示裝置之方法，尤其是關於製造 —呈現已改進光特徵而不增加微㈣刻步驟之液晶顯示裝 置。 【先前技術】 為了改進-主動矩陣型式液晶顯示裝置中之一反射式電 j的光㈣特徵具有突出部及凹處之有機膜係形成為 像素範圍之反射式電極的一底層膜，而該反射式電極係 形成於其上（IDR:單元内擴散反射器）。當一接觸孔係形成 在一薄膜電晶體（TFT)之閘極絕緣膜上時，在TFT形成後， 突出部及凹處會在一微影姓刻步射於該反射式豸圍形成 用於IDR，而後使用一用以形成接觸孔之遮罩，在一微影蝕 刻步驟及一蝕刻步驟中，於該閘極絕緣膜上形成接觸孔。 然而，上述方法需要用以形成iDR突出部與凹處及形成一 接觸孔之二個微影蝕刻步驟。從節省遮罩（減少微影蝕刻步 驟）之觀點而言’此係不合乎需求。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一製造液晶顯示裝置之方法，其 係能夠獲得一呈現已改進光特徵而不增加微影蝕刻步驟之 液晶顯示裝置。 依據本發明製造液晶顯示裝置之方法，其特徵在於包括 使用一光學壓紋材料在一絕緣膜上形成一具有突出部及凹 處之有機材料膜的一步驟，該絕緣膜係在一主動矩陣液晶 96267.doc 1364575 顯示裝置之薄膜電晶體的底 機材料膜而減少該有機材 ，藉由乾式蝕刻該有 形成範圍中之絕緣膜的一步輝.，度’以曝露在一接觸孔 絕緣臈以形成一接觸孔之—步帮。4由乾式钱刻該已曝露 依據此方法，可經由曝露 化。e p 4 夂供烤而無顯影以實現圖案 化坆使付從形成一有機膜到形成—桩緬方 :步ΤΙ 。此消除使用顯影步驟所需之清洗及乾 觸孔所二產量。此外，此方法消除用以形成一接 而之微影银刻步驟，因此該等步驟不會複雜。 依據本發明製造液晶顯示裝置之方法較佳是包含一在形 成該接觸孔令曝露該底層電極之步驟，及一藉由在該產生 結構上形成-反射式電極，而以該反射式電極接觸該已曝 露底層電極之步驟。 在根據本發明製造液晶顯示裝置之方法中，該光學壓紋 材料最好是一藉由曝露及烘烤步驟圖案化的材料。在此情 況下，該有機材料膜最好藉由在形成該有機材料膜中曝露 且烘烤§亥光學壓紋材料而形成。此外，在這種情況下，最 好於曝露中使用一網目遮罩或一繞射遮罩》 在根據本發明製造液晶顯示裝置之方法中，該乾式製程 最好是在從形成該有機材料膜到形成該接觸孔的步驟中施 行。此外’在根據本發明製造液晶顯示裝置之方法中，曝 露該絕緣膜的步驟及形成該接觸孔的步驟最好是在_單— 設備中施行。 在根據本發明製造液晶顯示裝置之方法中，在曝露該絕 96267.doc 1364575 緣膜之步驟中的乾式蝕刻製 ， #最好疋在一感應耦合電漿模 式或一反應式離子餘刻模式中施行 在根據本發明製造液晶顯 ^ ^ θ 衣直之方法中，該液晶顯示 裝置最好疋一反射型式之洛日 主八之液日日顯不裝置，或一半透反射 (transflective)型式液晶顯示裴置。 【實施方式】 現請參考附圖，本發明的且Μ,t I月的具體實施例將在以下詳盡說明 (具體實施例1) 個反射式電極及源/ 此具體實施例將描述一案例，其中_ 没極（底層電極）係經由一接觸孔連接。 圖6係顯示由一依據本發明具體實施例1製造液晶顯示裝 置之方法獲得的一液晶顯示裝置之部份的剖面圖。以下將 解釋之液晶顯示裝置係一半透反射刑 卞延汉耵型式的案例。以下解說 的部份係靠近-主動矩陣型式液晶顯示裝置之閘極及閘極 絕緣膜的範圍。因此，其他不直接關於本發 說將予以省略。此等其他部份之結構係實質 結構。 明的部份之解 上類似於習知 在一係絕緣透明基板之玻璃基板u的一主要表面上是一 光屏蔽膜12,其防止光直接進入一TFT。此光屏蔽膜12:形 成在該玻璃基板上的一範圍中’該範圍係對應於包括介於 一源極及一汲極間之區域（間隙）的一範圍。—係層間絕緣膜 的氧化補（如，三氧切）⑽形成在其上形成該光屏蔽膜 12之玻璃基板丨丨上。在此，也可能使用一石英基板或一透 明塑膠基板而非該玻璃基板。當該液晶顯示裝置係一半透 96267.doc 1364575 反射型式時，可使用此一絕緣透明基板，但當液晶顯示裝 置係一反射型式時，也可使用一矽基板。在一反射型式液 晶顯示裝置之情況中，將不需要光屏蔽膜。 一源極及一汲極會形成在氧化矽膜13上。源極及汲極各 具有一ITO膜14及一形成於該汀〇膜14上之金屬膜15的一雙 層結構，ITO膜14及金屬膜〗5均為透明電極。源極及汲極不 限於雙層結構，且也可具有一單層或一三層結構。一間隙 會形成在該源極及汲極間，且一係半導體膜的a矽膜16會形 成在間隙上，及圍繞該間隙之源極及汲極上。 一係閘極絕緣膜的氮化矽膜（如，氮化矽）17會形成在該a 矽膜16上。一是閘極絕緣膜的氮化矽膜18會形成在該&矽膜 16 氮化矽膜1 7、及一源極與一汲極上。一接觸孔22係 形成在此氮化销（如，氮化邦8中。現在之情況係該間極 絕緣膜具有氮切膜17、18的雙層結構，但該閘極絕緣膜 也可具有一單層結構。 在包括氮化矽膜18之間隙的範圍中，會形成—閘極”。 一 IDR有機材料膜2〇b會形成在一具有此結構的反射範圍 (在其中會提供一反射式電極）上。在歐洲專利申請案第 03 102200.7號中描述的一光學壓紋材料係用作此有機材料 膜20b的材料。突出部及凹處會形成在此有機材料膜2〇b的 表面上，以提供具有—光擴散容量之反射式電極。一反射 式電極23會形成在有機材料膜2〇b之反射式範圍中。此反射 式電極23也形成在接觸孔22的側壁上。在該接觸孔22中， 金屬膜15除覆蓋有反射式電極23的部位外會被移除，且曝 96267.doc 1364575 露出該ITO膜14。閘極/5 A+斗，泰上 9及反射式電極23之材料係一般使用 的材料。 在八有此、，Ό構的液晶顯示裝置中，一具有一工⑽結構的 有機材料膜20b會具有—不均勻之形狀，且因此使用該脈 之有機材料膜2〇b可呈現足夠的光效應。 ’、人將使用圖1至6解釋根據本發明之具體實施例i製造 該液晶顯示裝置的方法。圖!至6係顯示依據本發明具體實 施例1製造液晶顯示裝置之方法的步驟之剖面圖。 如圖1中所不，作為一實例之鉻鉬膜係塗佈在玻璃基板u 上，且藉由一微影蝕刻步驟及一蝕刻步驟，僅留下對應於 佈線範圍之部份鉻鉬膜（包括源極及汲極間的間隙），而形成 光屏蔽膜12。其次，係一層間絕緣膜的氧化矽膜13係形成 在玻璃基板11及光屏蔽膜12上。 其次，ITO膜14及金屬膜15係一個接一個地形成在氧化矽 膜13上，且一開口（間隙）係在—微影蝕刻步驟及一蝕刻步驟 中形成在該閘極範圍内。此開口係設置有一漸縮表面，其 寬度向該氧化矽膜13漸減以改進將在其上形成之膜的覆蓋 率。在此部份之結構中，基本上汀〇膜14之邊緣應延伸超過 金屬膜15之邊緣’且最好漸減地設置。在形成該夕膜前照 射磷酸電漿至此一結構（將描述於後），會造成p原子被吸附 到ITO膜14之表面。結果，在該a矽及ιτο間會獲得一歐姆特 徵。 接著’該a矽膜16及氮化矽膜17係一個接一個地形成具有 開口之金屬膜15上，且a矽膜16及氮化矽膜17係經由一微影 96267.doc •9· 1364575 姓刻步驟及-钱刻步驟留在該閘極範圍（間隙，及圍繞該間 隙之源極及汲極）中。 其次’係閘極絕緣狀氮化石夕膜18會形成在該基板的整 個表面上。一用於該閘極19的金屬膜會進一步在其上形 成。在其頂部，有機材料膜20的材料係塗佈於其上，以形 成該有機材料膜20。此有機材料膜2〇係使用一網目遮罩21 圖案化。 現在，揭示於本申請人之歐洲專利申請案第〇31〇22〇〇 7 號的光學壓紋材料，係用作此有機材料膜2〇的材料。此申 請案内容之全部揭露書係以引用方式全數併入。此光學壓 紋材料係一藉由在曝露後應用一烘烤步驟使其失去光敏性 之材料。當一具有突出部及凹處之有機材料膜係使用此光 學壓紋材料形成時，其可藉由一曝露步驟及一烘烤步驟實 現圖案化。此消除一顯影步驟之需要且因此可省略溼式製 程。 此網目遮罩21係由一關閉光之光屏蔽部份2丨a、一只允許 部伤光通過之半透明部份21b及一允許所有光通過之透明 部份21 c組成。該網目遮罩2 1之透明部份2丨c係設置以對應 於开> 成接觸孔之閘極絕緣膜的範圍，光屏蔽部份2丨a係設置 以對應於包括該IDR有機材料膜之凸出部份的範圍，而半透 明部份21b係設置以對應包括該IDR有機材料膜之凹下部份 的範圍。 當使用此網目遮罩21使光學壓紋材料曝露在光中時（如 圖2中所示）’所有曝露光都通過透明部份21c而該曝露光的 96267.doc -10- 丄364575 一部份會通過該半透明部份21be另一方面，沒有曝露光會 通過光屏蔽部份21a。即，大多數與透明部份21c對應之範 圍的光學壓紋材料會被移除且留下的是所有中最薄的。另 一方面，與半透明部份21b對應的範圍之光學壓紋材料會被 部份地移走。與光屏蔽部份21a對應之範圍的所有光學壓紋 材料均被保留。一烘烤步驟會應用於剩餘之有機材料膜 2〇a’使该光學壓紋材料硬化。此產生具有突出部及凹處的 有機材料膜20a。 其次，一乾式蝕刻係應用於有機材料膜2〇a，減少有機材 料膜20a之全部厚度，以曝露一接觸孔形成範圍X的氮化矽 膜18(形成-開σ)。即，該有機材料膜係經由乾式钱刻如圖 2之點線所示留下。此時’當有機材料膜20a留在接觸孔形 成範圍X之氮化㈣膜18上時，最好使用灰化等移除有機材 料膜20a。 由於施行此乾式餘刻以移除在形成該接觸孔的範圍中之 有機材料膜20a，所使用之氣體及條件可在能達成此目的之 範圍内適當地修改。此外，所曝露之氮化石夕㈣(接觸孔形 成範圍）可藉由一EPD(終點偵測器）加以偵測。再者，可藉 由在:感應Μ合電漿（ICP)模式或一反應離子㈣（rie)模 式中貫行-乾式姓刻，以均勻地減少有機材料膜心之厚 度’且因此能在該乾式姓刻後保持不均句之形狀。以此方 式，可防止擴散反射特徵退化。 其-人，一乾式蝕刻係應用於圖3中所示之結構，以在其氮 化矽膜18如圖4中所示所曝露的範圍中形成接觸孔22。此 96267.doc

• 1U 1364575 時，蝕刻之施行係使用有機材料膜2〇b用作一遮罩。 由於施行此乾式姓刻以形成該接觸孔，所使用之氣體及 條件可在能達成此目的之範圍内適當地修改。 因此，可經由曝露及烘烤施行圖案化，即，使用能圖案 化而無須顯影之光學壓紋材料作為IDR有機材料膜的材 料，其可使用乾式製程（無任何溼式製程），實施從形成具有 犬出部及凹處的該有機材料膜之步驟，直到形成用於該有 機材料膜底層之絕緣膜的接觸孔之步驟的所有步驟。因 此，可在一單一設備中施行從形成該有機材料膜之步驟到 形成該接觸孔的步驟之複數個步驟，此增進產量。 其次如圖5中所示，一金屬臈係塗佈在該反射式範圍（包 括有機材料膜20b及該接觸孔的氮化矽膜丨8之側壁）上，以 形成該反射式電極23❶現在，接觸孔22之範圍也作為一透 射範圍。紹等可用作反射式電極23的材料。其次，如圖6 中所示，使用如反射式電極23的相同光阻圖案，金屬膜15 係連續地蝕刻，且ITO膜14會曝露以形成該透射範圍◎蝕刻 後，該有機材料膜會被剝除。以此方式，底層電極（金屬膜 1 5)及反射式電極23係經由該接觸孔連接。使用鋁為反射式 電極23之材料，而鉻鉬合金作為金屬層15之材料，將可能 使用一單一蝕刻劑，且因此可如上述使用與反射式電極 之光阻相同的圖案持續地乾式蝕刻金屬膜丨5。 以此方式，會產生一陣列基板，且使用一普通方法產生 一相對基板，而後該陣列基板及該相對基板經組合以產生 一液晶顯示裝置。 96267.doc 12 1364575 因此，根據此具體實施例的方法，係使用一 料，在一主動矩陳也丨-V夕y* b '干塾紋材 底層電極上的一絕緣膜上薄膜電晶體中之 該有機材料膜被乾―減少該有機 :觸孔形成範圍之絕緣膜被曝露，該已曝露絕緣膜經二 蝕刻且形成一接觸孔。 沒乾式 構成此有機材料膜的材料可經由曝露及烘烤圖案化而I 須顯影’且因此可實現從形成該有機材料膜的步驟到开4 該接觸孔之步驟中，無須任㈣式製程之步肖除如 需顯影步驟時所需之清洗及乾燥步驟，且可増進產量 外’此方法無須形成該接觸孔所需之任何微影蝕刻步驟此 :此該等步驟不會複雜。在此方法中獲得的液晶顯示裝置 能在表面上形成-具有突出部及凹處的有機材料膜，且因 此能呈現如習知技術中的IDR效果。 ' (具體實施例2) 此具體實施例將描述—其中本發明係應用在—面板外之 端子形成位置的案例。圖7及8係顯示依據本發明具體實施 例2製造液晶顯示裝置之方法的剖面圖。在圖7及8中，虛線 的左側疋一面板範圍，而虛線右側（在密封範圍外）是一端子 形成範圍Y。 一氧化叾夕膜13係形成在一玻璃基板上，一 ITO膜14及一金 屬膜1 5係一個接一個地形成在其上且此等膜係已圖案化。 此時，會施行圖案化，使得^(^膜^與金屬膜15，及閘極19 不會彼此重疊。也可施行圖案化使得ITO膜14與金屬膜15， 96267.doc •13· 1364575 及閘極19彼此重疊。—氮化梦膜18在金屬膜15上形成，電 極19在形成其上且接著形成一舰有機材料膜。然後，此有 機材料膜係使用-在具體實施例丨之案例_的網目遮罩，經 由曝露及烘烤圖案化，且乾式㈣之方式使得—有機材料 膜鳥會留h此造成在接觸孔形成範圍从端子形成範圍 γ中之氮化矽膜18被曝露。 其-人，如圖8中所不，使用有機材料膜2〇b作為一遮罩而 乾式蝕刻氮化矽膜18，且接著-反射式電極23會形成於其 上。反射式電極23經圖案化，使得間極19及金屬膜】5會連 接。另一方面，在端子形成範圍，氮化矽膜“是使用有 機材料膜20b作為-遮罩而乾式㈣，而後使用該已飯刻之 氮化矽膜18為一遮罩蝕刻金屬膜15。依此方式會形成一端 子。 該等乾式蝕刻條件等等是與具體實施例丨中的相同。 因此，根據此具體實施例的方法，使用一光學壓紋材制 在-絕緣膜上形成-不均勻有機材料膜，一乾式蝕刻被應 用於该有機材料膜，該有機材料膜被之厚度減少，在該端 子形成範圍中之接觸孔形成範圍的絕緣膜被曝露，且該已 曝露之絕緣膜係經乾式蝕刻以形成一接觸孔。 / 構成此有機材料膜的材料可經由曝露及烘烤圖案化而須 無顯影，且因此可實現從形成該有機材料膜至形成該接觸 孔之步驟，無縣料式製輕之步H肖除❹顯影步 驟所需之清洗/乾燥步驟，且可增進產量。再者，此方法無 須形成該接觸孔所需之任何微影姓刻步驟，因此該等步驟 96267.doc 14 1364575 不會複雜。在此方法中獲得的液晶顯示裝置能在表面上形 成一具有突出部及凹處的有機材料膜，且因此能呈現如習 知技術中的IDR效果。 本發明不限於具體實施例1、2，且能使用以各種方法修 改之材料及使用氣體等施行。例如，用於具體實施例丨、2 的材料及結構沒有限制，且其可使用呈現相同功能的一替 代性材料及一替代性結構。即具體實施例1、2已解說將氧 化矽臈用作一層間絕緣膜、一氮化矽膜用作一閘極絕緣 膜，且一鉻膜用作一光屏蔽膜之案例。然而，在本發明中， 汝果其等至少呈現等效功能，則可使用任何其他材料◊此 外，如果各膜至少呈現該膜之功能，則不特別限制各膜的 厚度。 、 再者，具體實施例1、2已解說使用網目遮罩之案例，但 在本發明中，可藉由使用一具有一光屏蔽部份、一透明部 伤及一半透明部份（等於或小於一解析度限制之微圖案區 段）之繞射遮罩，以形成一具有一厚膜區段及開口之有機材 料膜。在此繞射遮罩之案例中，會形成等於或小於該已曝 路裝置之解析度限制的一小圓案，且此部份係用作該半透 月°卩伤 ^光以此小圖案繞射時’弱光會通過該遮罩。 具體實施例1、2已解說液晶顯示裝置係一半透反射型式 之案例，但本發明係同樣可應用在該液晶顯示裝置係一反 射型式之案例中。除不需要光屏蔽膜外，反射型式的情況 實質上與半透反射型4之情況相同，且該反射式電極也形 成該氮化矽膜之開口中等。 96267.doc 1364575 …如上述，恢據製造液晶顯示裝置之方法，係使用一光學 壓紋材料在—主動矩陣液晶顯示裝置的薄膜電晶體中之底 層電極上的一絕緣膜上，形成一具有突出部及凹處之有機 材料膜’藉由對該有機材料膜的-乾式㈣以減少該有機 ㈣膜之厚度，在接觸孔形成範圍中之、絕緣膜被曝露，且 糟由乾式蝕刻該已曝露之絕緣膜以形成—接觸孔，且因此 »亥圖案化可經由曝露及烘烤施行而無須顯影。此使得可實 現從形成該有機膜的步驟到形成該接觸孔之步轉而無須任 何渔式製程之步驟。此消除使用於顯影步驟中所需之清洗/ 乾燥步驟’且可因此增進產量。再者，此方法消除形成該 接觸孔所需之微影蝕刻步驟，因此該等步驟不會複雜。 產業可應用性 本發明可應用於-反射型式之液晶顯示裝置及—半 射型式液晶顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係一顯示依據本發明具體實施例丨製造液晶顯示裝置 之方法的一步驟之剖面圖； 圖2係一顯示依據本發明具體實施例i製造液晶顯示裝置 之方法的一步驟之剖面圖； 圖3係一顯示依據本發明具體實施例丨製造液晶顯示裝置 之方法的一步驟之剖面圖； 圖4係一顯示依據本發明具體實施例1製造液晶顯示裴置 之方法的一步驟之剖面圖； 圖5係一顯示依據本發明具體實施例丨製造液晶顯示裝置 96267.doc • 16 - 1364575 之方法的一步驟之剖面圖； 圖6係一顯示由依據本發明具體實施例1製造液晶顯示裝 置之方法獲得的一液晶顯示裝置之剖面圖； 圖7係一顯示依據本發明具體實施例2製造液晶顯示裝置 之方法的一步驟之剖面圖；及 圖8係一顯示依據本發明具體實施例2製造液晶顯示裝置 之方法的一步驟之剖面圖。 【主要元件符號說明】 11 玻璃基板 12 光屏蔽膜 13 二氧化矽膜 14 ITO/氧化錫銦膜 15 金屬膜 16 a矽膜 17 氧化矽膜 18 氮化矽 19 閘極 20 有機材料膜 20a 有機材料膜 20b 有機材料膜 21 網目遮罩 21a 光屏蔽部份 21b 半透明部份 21c 透明部份 96267.doc 221364575 23 接觸孔 反射式電極

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Claims (1)

1. 第 93128718 號 修正日期:101 3 22 修JL本 十、申請專利範圍 -種製騎以之方法，該方 用一光學壓崎料在-絕緣M上形成―具有^下列步驟：使 材料膜，該絕緣膜係在—主動矩陣液晶顧 。及凹處之有機 之底層電極上； 、裝置的溥膜電晶體中 有機材料膜的—乾式咖減少 度而曝路在-接觸孔形成範圍中之該絕緣膜及 臈之厚 曝露絕緣膜的—乾式_以形成-接觸孔。 驟：·如h專利職第】項所述之方法，其進—步包含下列步 在形成該接觸孔中曝露該底層電極；及 藉由在該產生結構上形成—反射 接觸該已《之料電極。 ，而㈣反射式電極 3·如中請㈣範㈣⑷項所述之方法， 料倍一 πΤ* J* * n ^ u Χ无千紋材 了糟由一曝路步驟及-烘烤步驟圖案化的材料。 =中請專利範圍第3項所述之方法，其中該有機材料膜 5成該有機材料膜中曝露且供烤該光㈣紋材料而形成。、 .如申請專利範圍第4項所述之方法， 射遮罩係用於曝露。 八中網目遮罩或—繞 程是6在t申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該乾式钱刻梦 行攸形成該有機材料膜之步驟到形成該接觸孔的步驟中施 7_如申請專利範圍第_項所述之 之步驟及形成該接觸孔的步 m /、、〜’緣膜 /外亦.在—早—設備中施行。 第9j128718號 修正曰期:101 3 22修正本 膜之8:Γ利範圍第1或2項所述之方法，其中在曝露該絕緣 應離：:::：刻製程’係在-感應™式或-反 置係請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該液晶顯示裝 ϋ i式之H裝置’或—半透反射（t卿flective)型 式的液晶顯示裝置。 瓜如中料利朗第i項所述之方法，其中該遮罩包括一盘 對應之光屏蔽部份、—與該些凹處對應之半透明部份 及一/、該有機材料膜中的最薄區域對應之透明部份。 11·如申請專利範圍第】項所述之方法，其中 該有機材料膜中的最薄區域，而曝露該絕緣膜。 J 12· 一種製造液晶顯示I置之方法，該方法包含下列步驟： 在一基板上形成一薄膜電晶體； 在該薄膜電晶體上方形成一絕緣膜； 在該絕緣膜上設置一有機材料膜； 其中包括一對應於接 在該有機材料膜中形成突出部及凹部 觸孔形成範圍之最薄區域； 乾式姓刻該有機材料膜之最薄區域，而曝露該絕緣膜的—範 圍； 對該絕緣膜的曝露範圍乾式钱刻，而形成—接觸孔。 13. 如中請專職圍第12項所述之方法，其中财機材料膜包 括-光學敎材料，其Μ些突㈣及凹部之形成係藉由對該光 學麼紋材料使用-遮罩並使該光學壓紋曝露在光中。 14. 如申請專利範圍第i3項所述之方法，其中該遮罩包括—盘 1364575 第93128718號修正日期·物.3_22修正本 該些突it{部對應之光屏蔽部份、— 及一盘該有媸以紐^^ π 〜〜二凹處對應之半透明部份 /、有機材枓膜令的琅薄區域對應之透明部份。 請專利範圍第12項所述之方法，更包含下列步驟： 該電極層的_範圍；及 θ -中在接觸孔形成之後曝露 式電ΐ該ίΓ部及凹處及該電極層之曝露範圍上方形成一反射 >電和、、中該反射式電極接觸該電極層之曝露範圍。 I6·如申請專利範圍第12項所述之方法，里 膜的該些突出部及凹處乾絲刻以曝露該接觸孔。“材枓 的吾1請專利範圍第12項所述之方法，其中對該有機材料膜 、1品’乾Μ刻及對賴緣敎曝露範圍乾式蝴係在 一設備中施行。 早 18. 如”補第12韻述之方法，其中在曝露該絕緣膜 之步驟中的該乾絲刻製程，係在__感應輕合電Μ式或—反鹿 式離子钱刻模式中施行。 ^ 19. 如中請專利範圍第12項所述之方法，其中該液晶顯示裝置 係-反射型式之液晶顯示裝置，或—半透反射型式的液晶顯 置。 .、