CN111613577A - 阵列基板制备方法和半透光光罩 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，该阵列基板制备方法通过曝光第一光阻层时，采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜层制备时，第二光阻图案可以对有源层的沟道区进行保护，从而使得有源层的沟道区不被损伤，从而提高薄膜晶体管的稳定性，缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板制备方法和半透光光罩。
背景技术
现有LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)中，薄膜晶体管的电性稳定性会决定液晶显示面板的显示品质，在薄膜晶体管中，现有的制备方法是采用背沟道刻蚀或者刻蚀阻挡层技术形成薄膜晶体管，但背沟道刻蚀技术中，在有源层形成后，后续对其他膜层的制备时，会导致有源层的沟道区被蚀刻，从而导致有源层不完整，影响薄膜晶体管的稳定性，进而导致液晶显示面板显示效果较差或者无法显示。
所以，现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，用以缓解现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成有源层；
在所述有源层上涂布第一光阻层；
采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；
对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；所述第二光阻图案对应设置于所述沟道区；
在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；
在所述源漏极层上涂布第二光阻层；
采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；
对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案。
在一些实施例中，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：
对位所述半透光光罩和阵列基板，以使得所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；
采用光照对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案。
在一些实施例中，所述第一光阻区域的厚度与所述第二光阻区域的厚度的比值范围为四分之一至二分之一。
在一些实施例中，所述采用光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射，得到第一光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射。
在一些实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；
在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅，形成有源层。
在一些实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；
在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积氧化铟锌，形成有源层。
在一些实施例中，所述在所述源漏极层上涂布第二光阻层的步骤，包括：
提供与所述第一光阻层相同的材料；
在所述源漏极层上涂布所述材料，得到第二光阻层。
在一些实施例中，所述采用光透过光罩对第二光阻层进行照射，得到第三光阻图案的步骤，包括：
设置所述光罩的中间区域为全透光区域；
设置所述全透光区域的两侧为不透光区域；所述全透光区域的透光率大于所述不透光区域的透光率；
设置所述不透光区域的两侧为全透光区域，得到所述光罩；
采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案。
同时，本申请实施例提供一种半透光光罩，该半透光光罩用于制备上述实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩包括：
不透光区域，与所述有源层的沟道区对应；
半透光区域，设置于所述不透光区域两侧，所述半透光区域与所述有源层的导体区对应；
全透光区域，设置于所述半透光区域两侧；
其中，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率。
在一种实施例中，所述不透光区域的透光率范围为0至5％，所述半透光区域的透光率范围为50％至80％，所述全透光区域的透光率范围为90％至100％。
有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，该阵列基板制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层上涂布第一光阻层；采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂布第二光阻层；采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案；通过曝光第一光阻层时，采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜层制备时，第二光阻图案可以对有源层的沟道区进行保护，从而使得有源层的沟道区不被损伤，从而提高薄膜晶体管的稳定性，缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有阵列基板制备方法对应的阵列基板的示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第一示意图。
图4为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第二示意图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第三示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题，本申请实施例用以缓解该问题。
如图1所示，现有液晶显示面板中的薄膜晶体管的制备方法包括依次形成衬底111、栅极层112、栅极绝缘层113和有源层114，如图1中的(a)所示，在完成有源层114的制备后，如图1中的(b)所示，会直接在有源层114上形成源漏极层115，并刻蚀源漏极层115得到源漏极层图案，但在刻蚀源漏极层115时，会对有源层114产生刻蚀，导致有源层114不完整，导致有源层损伤，影响薄膜晶体管的稳定性，显示面板显示效果较差，即现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
如图2、图3、图4、图5所示，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括：
S1，提供衬底211；其制备结果如图3中的(a)所示；
S2，在所述衬底211上形成有源层214；其制备结果如图3中的(a)所示；
S3，在所述有源层214上涂布第一光阻层215；其制备结果如图3中的(b)所示；
S4，采用光32透过半透光光罩31对所述第一光阻层215进行光刻处理，得到第一光阻图案2151；所述半透光光罩31包括不透光区域313、半透光区域312和全透光区域311，所述不透光区域313的透光率小于所述半透光区域312的透光率，所述半透光区域312的透光率小于所述全透光区域311的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域313与所述沟道区对应，所述半透光区域312与所述导体区对应，所述第一光阻图案2151包括与所述不透光区域313对应的第一光阻区域2511、以及与所述半透光区域312对应的第二光阻区域2512，所述第一光阻区域2511的厚度L2大于所述第二光阻区域2511的厚度L1；其制备结果如图3中的(c)和(d)所示；
S5，对所述有源层214和第一光阻图案2151进行刻蚀，得到第二光阻图案2152和有源层图案2141；其制备结果如图4中的(a)所示；
S6，在所述有源层图案2141以及第二光阻图案2152上形成源漏极层216；所述第二光阻图案2152对应设置于所述沟道区；其制备结果如图4中的(b)所示；
S7，在所述源漏极层216上涂布第二光阻层217；其制备结果如图4中的(c)所示；
S8，采用光透过光罩33对所述第二光阻层217进行照射，其制备结果如图5中的(a)所示，得到第三光阻图案2171，其制备结果如图5中的(b)所示；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；
S9，对所述源漏极层216进行刻蚀，得到源漏极层图案2161；其制备结果如图5中的(b)所示。
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层上涂布第一光阻层；采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂布第二光阻层；采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案；通过曝光第一光阻层时，采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜层制备时，第二光阻图案可以对有源层的沟道区进行保护，从而使得有源层的沟道区不被损伤，从而提高薄膜晶体管的稳定性，缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
需要说明的是，源漏极层图案包括源极图案、漏极图案、数据线图案，但本申请实施例不限于此，源漏极层图案包括源漏极刻蚀形成的各个电极和走线。
在一种实施例中，源漏极层的材料包括钛/铝/钛叠层。
在一种实施例中，在所述对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案的步骤之后，还包括：
剥离所述第二光阻图案2152和第三光阻图案2171；其制备结果如图5中的(c)所示；
在所述源漏极层上形成平坦化层，得到阵列基板。
在一种实施例中，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：
对位所述半透光光罩和阵列基板，以使得所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；
采用光照对所述第一光阻层进行照射，得到第一光阻图案；在采用光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射时，先使得半透光光罩与阵列基板对应，如图3中的(c)所示，将半透光光罩31设置为不透光区域313、在不透光区域313两侧设置半透光区域312，在半透光区域312两侧设置全透光区域311，使得不透光区域对应沟道区，半透光区域对应导体区，使得光线在透过光罩时，光线的透过率不一致，从而保留有源层图案上方的光阻，同时，沟道区上方的光阻的厚度较大，使得光阻保护沟道区和导体区的导体区。
在一种实施例中，所述第一光阻区域的厚度与所述第二光阻区域的厚度的比值范围为四分之一至二分之一，在形成第一光阻图案时，第二光阻区域的厚度保持在一定范围，可以避免第二光阻区域的厚度过小，无法对有源层进行保护，也可以避免第二光阻区域的厚度过大，在后续形成源漏极图案时，无法去除第二光阻图案。
在一种实施例中，所述采用光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射，得到第一光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射，在对第一光阻层进行光照时，可以采用紫外光透过半透光光罩进行照射，从而使得光阻被曝光显影去除，从而根据半透光光罩去除第一光阻层，相应的后续可以根据第一光阻图案，刻蚀形成有源层图案。
在一种实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底211上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案212；其制备结果如图3中的(a)所示；
在所述栅极层图案212上形成栅极绝缘层213；其制备结果如图3中的(a)所示；
在所述栅极绝缘层213上沉积非晶硅，形成有源层；在形成有源层时，可以采用非晶硅形成有源层，即本申请采用的阵列基板的制备方法适用于非晶硅薄膜晶体管，从而使得非晶硅薄膜晶体管正常工作，从而使得具有非晶硅薄膜晶体管的阵列基板正常工作。
需要说明的是，栅极层图案包括栅极图案、扫描线图案，但本申请实施例不限于此，栅极层图案包括栅极层刻蚀形成的各个电极和走线。
在一种实施例中，栅极层的材料包括铬、钨、钛、钼、铝、铜的单层金属或者任意两种或者多种金属的叠层。
在一种实施例中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；
在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积氧化铟锌，形成有源层；在形成有源层时，还可以采用氧化铟锌形成栅极绝缘层，从而使得针对氧化铟锌薄膜晶体管，可以使得氧化铟锌有源层不会被后续的制程刻蚀，从而使得氧化铟锌薄膜晶体管正常工作，阵列基板能够正常工作。
在一种实施例中，所述在所述源漏极层上涂布第二光阻层的步骤，包括：
提供与所述第一光阻层相同的材料；
在所述源漏极层上涂布所述材料，得到第二光阻层；在形成第二光阻层时，可以采用与第一光阻层相同的材料形成第二光阻层，从而使得第二光阻层保护源漏极层，相应的形成源漏极层图案。
在一种实施例中，所述采用光透过光罩对第二光阻层进行照射，得到第三光阻图案的步骤，包括：
设置所述光罩的中间区域为全透光区域；
设置所述全透光区域的两侧为不透光区域；所述全透光区域的透光率大于所述不透光区域的透光率；
设置所述不透光区域的两侧为全透光区域，得到所述光罩；
采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案；如图5中的(a)所示，设置光罩包括不透光区域332和全透光区域331，具体的，不透光区域332与全透光区域331的位置关系如图5中的(a)所示，通过设置不透光区域与全透光区域交替，使得在形成第三光阻层图案后，可以相应的刻蚀源漏极层形成源漏极层图案，从而使得通过光阻层形成源漏极图案，且由于第二光阻图案的存在，对源漏极层进行刻蚀时，有源层的沟道区不会被刻蚀，保护有源层完整，避免有源层被损伤。
在一种实施例中，所述采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案；在对第二光阻层进行曝光显影时，可以采用紫外光透过光罩对第二光阻层进行刻蚀，从而使得第二光阻层被曝光显影去除，相应的形成第三光阻图案，从而使得后续对源漏极层进行刻蚀时，根据第三光阻图案得到源漏极层图案。
在一种实施例中，所述对所述有源层进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案的步骤，包括：对有源层进行干刻，得到第二光阻图案和有源层图案；在对有源层进行刻蚀时，可以采用干刻或者湿刻形成。
如图3中(c)所示，本申请实施例提供一种半透光光罩，该半透光光罩用于制备上述任一实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩31包括：
不透光区域313，与所述有源层215的沟道区对应；
半透光区域312，设置于所述不透光区域313两侧，所述半透光区域312与所述有源层215的导体区对应；
全透光区域311，设置于所述半透光区域312两侧；
其中，所述不透光区域313的透光率小于所述半透光区域312的透光率，所述半透光区域312的透光率小于所述全透光区域311的透光率。
本申请实施例提供一种半透光光罩，该半透光光罩用于制备上述实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域与所述有源层的沟道区对应，所述半透光区域设置于所述不透光区域两侧，所述半透光区域与所述有源层的导体区对应，所述全透光区域设置于所述半透光区域两侧，其中，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；通过将半透光光罩设置为不透光区域、半透光区域和全透光区域，使得在制备有源层时，有源层的沟道区对应不透光区域，有源层的导体区对应半透光区域，从而使得有源层的沟道区上方保留光阻，有源层的导体区上方保留部分光阻，从而使得光阻对有源层的沟道区进行保护，并且在后续过程中可以剥离，不影响显示面板的正常工作，从而缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
在一种实施例中，所述不透光区域的透光率范围为0至5％，所述半透光区域的透光率范围为50％至80％，所述全透光区域的透光率范围为90％至100％；在设置不透光区域、半透光区域、全透光区域的透光率时，可以使得不透光区域的透光率为0，使得不透光区域无光线透过，从而保证沟道区的光阻保留，对沟道区进行保护，也可以使得不透光区域有较低的透光率，使得不透光区域的光阻被刻蚀一部分，保留一部分光阻，便于后续剥离，半透光区域的透光率大于不透光区域的透光率，使得半透光区域对应的第一光阻层能够保留一部分的光阻，从而对有源层进行保护，但由于半透光区域对应的光阻较少，在后续制程时较易去除，以在刻蚀形成有源层图案时，去除半透光区域的光阻，从而进行后续制程；全透光区域的透光率可以为100％，使得光线照射到光阻上，去除全透光区域对应的光阻，从而使得后续可以刻蚀掉全透光区域对应的有源层，形成有源层图案。
需要说明的是，不透光区域、半透光区域和全透光区域的大小根据实际设计中，有源层的沟道区的大小、有源层的图案大小设置。
在一种实施例中，本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括上述实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备的阵列基板。
在一种实施例中，所述衬底包括玻璃基板。
在一种实施例中，所述栅极绝缘层的材料包括氧化硅和氮化硅。
在一种实施例中，本申请实施例提供一种显示面板，该阵列基板包括上述实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备的阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
在一种实施例中，彩膜基板包括公共电极层、黑色矩阵层、色阻层。
在一种实施例中，本申请实施例提供一种阵列基板制备系统，该阵列基板制备系统使用上述实施例中任一所述的阵列基板制备方法制备阵列基板。
根据上述实施例可知：
本申请实施例提供一种阵列基板制备方法和半透光光罩，该阵列基板制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层上涂布第一光阻层；采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；在所述源漏极层上涂布第二光阻层；采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案；通过曝光第一光阻层时，采用半透光光罩曝光第一光阻层，可以在有源层的沟道区和导体区残留第一光阻图案，然后对有源层进行刻蚀，可以继续在有源层的沟道区残留第二光阻图案，从而使得在后续膜层制备时，第二光阻图案可以对有源层的沟道区进行保护，从而使得有源层的沟道区不被损伤，从而提高薄膜晶体管的稳定性，缓解了现有液晶显示面板的制备方法存在损伤有源层的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板制备方法和半透光光罩进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成有源层；
在所述有源层上涂布第一光阻层；
采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；
对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；所述第二光阻图案对应设置于所述沟道区；
在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；
在所述源漏极层上涂布第二光阻层；
采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；
对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案。
2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：
对位所述半透光光罩和阵列基板，以使得所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；
采用光照对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案。
3.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一光阻区域的厚度与所述第二光阻区域的厚度的比值范围为四分之一至二分之一。
4.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射。
5.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；
在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅，形成有源层。
6.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；
在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积氧化铟锌，形成有源层。
7.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述源漏极层上涂布第二光阻层的步骤，包括：
提供与所述第一光阻层相同的材料；
在所述源漏极层上涂布所述材料，得到第二光阻层。
8.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过光罩对第二光阻层进行照射，得到第三光阻图案的步骤，包括：
设置所述光罩的中间区域为全透光区域；
设置所述全透光区域的两侧为不透光区域；所述全透光区域的透光率大于所述不透光区域的透光率；
设置所述不透光区域的两侧为全透光区域，得到所述光罩；
采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案。
9.一种半透光光罩，其特征在于，用于制备如权利要求1至8任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩包括：
不透光区域，与所述有源层的沟道区对应；
半透光区域，设置于所述不透光区域两侧，所述半透光区域与所述有源层的导体区对应；
全透光区域，设置于所述半透光区域两侧；
其中，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率。
10.如权利要求9所述的半透光光罩，其特征在于，所述不透光区域的透光率范围为0至5％，所述半透光区域的透光率范围为50％至80％，所述全透光区域的透光率范围为90％至100％。
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