TWI364053B - - Google Patents

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1364053 九、發明說明 . 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關使用電漿來加工半導體晶圓212，而形 成半^導體裝置之配線構造的電漿處理裝置，或電漿處理方 $ ;尤其有關在做爲低壓之真空容器內之試料台上所放置 之半導體晶圓212表面，用以形成配線構造之複數層的膜 ’亦即蝕刻處理出具有用以絕緣上下層之膜之膜構造的電 φ 漿處理裝置或處理方法。 • 【先前技術】 _ 近年來，半導體積體電路裝置係大幅進展高度積體化 > MOS ( Metal Oxide Semiconductor)型半導體裝置更謀 求電晶體等元件之細微化、高性能化。尤其有關構成 MOS構造之一個要素，亦即閘極絕緣膜，其要對應上述 電晶體之細微化、高速動作及低電壓化的薄膜化係急速進 展。 做爲構成閘極絕緣膜之材料，一直以來係使用矽氧化 膜（Si02膜）。另一方面，隨著閘極電極之細微化而推進 閘極絕緣膜之薄膜化時，載子（電子及電洞）直接穿隧閘 極絕緣膜而產生的穿隧電流，亦即閘極洩漏電流會增加。 例如1 3 Onm節距之裝置所要求的閘極絕緣膜膜厚，就 Si 〇2膜係2nm左右，但這範圍是穿隧電流開始流動的範 圍。從而在使用Si02膜做爲閘極絕緣膜時，將無法抑制 閘極洩漏電流而導致消耗電力增加。 -5- 1364053 因此，進行有取代5丨02膜，使用介電率 來做爲閘極絕緣膜的硏究。做爲高介電率之絕 稱爲High-k膜或Hi-k膜），先前檢討有TiO 膜及A1205膜，但是最近Hf02膜、1^八10*膜：3 等在矽上之安定性較優良而受到矚目。 要處理此種High-k膜之處理條件，係例 本特開2005-45 1 26號公報（專利文件1)。 ，係揭示將形成於矽基板上之阻劑圖案、反射 (多晶矽）膜、High-k膜、絕緣膜（Si 02膜 的膜構造，使用含BC13及Ar之氣體來蝕刻時 分及電漿密度做爲特定範圍，來抑制閘極用矽 ，而提高形狀精確度者。 [專利文件1]日本特開2005-45 126號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課題 然而上述先前技術中，進行含High-k之 刻處理，雖揭示有提高形狀控制性的條件，但 行處理而提高重現性的條件則沒有充分考慮。 於真空容器內之處理室內之台上所放置的半導 等基板狀試料施加處理時，對於處理室內壓力 成試料台、處理室內壁之構件的溫度條件，其 詳。 亦即用以形成上述配線構造之多層膜 更高之材料 緣膜（以下 2 膜、Ta2 〇 5 乏HfSiOx膜 如揭示於曰 此先前技術 防止膜、矽 )等所構成 ，將氣體成 膜之邊蝕刻 多層膜的蝕 是就安定進 例如對配置 體晶圓2 1 2 ，試料或構 考慮不甚周 ’例如使用 -6- 1364053 ' High-k及金屬閘極膜的膜構造，其處理時的溫度條件較 . 嚴苛’若不精確實施此等而進行處理，則蝕刻率或形狀精 確度會降低，損及處理效率或生產率。這是因爲此種膜材 料之反應性，比先前用以實現閘極構造之膜亦即矽膜（多 晶矽膜）要小，若要提高此反應性而提升處理速度，則必 須提高處理中試料表面的溫度。 另一方面，若將試料表面做爲高溫來進行處理，則在 φ 成爲上述配線構造之膜上方，做爲遮罩之光阻劑膜會有軟 化或變形等劣化發生，降低做爲遮罩之功能，而有無法以 ' 高精確度實現形狀的問題。更且爲了提高處理速度而提高 ' 溫度’同時爲了提升形狀控制性，而增加對試料台內之電 .極供給用以形成偏壓電位的高頻電力，則會加大對處理中 之膜構造的電荷損傷，或是加大上方遮罩之蝕刻的問題。 更且’做爲包含高熔點金屬材料所構成之膜的膜構造 ’來進行處理時，所產生之包含此等材料之化合物的反應 φ 產生物’在處理試溫度比試料表面溫度更低的情況下，會 再次附著於構成處理室內壁之構件而堆積。此堆積後之產 生物’會因爲溫度變化或電漿之交互作用而剝落，並有附 著於試料表面成爲異物之虞，故必須抑制產生物的附著。 亦即必須將處理室內壁之溫度提高到試料台的溫度以上， 但是如上述般爲了提高效率而在高溫下進行處理時，就必 須有使處理室內壁更爲高溫的構造，讓處理裝置構造更加 複雜’而提高製造成本。又，當真空容器之外表面超過 5 0 °C時，就必須有安全用設備，必須設置必要的隔熱材等 1364053 而要有多餘的設備，也要有設置空間，造成增加設置成本 的問題。 本發明之目的，係提供一種可高精確度、高效率蝕刻 出構成閘極構造之多層膜構造的電漿處理裝置，或電漿處 理方法。或是提供低成本且簡單之構造的電漿處理裝置。 用以解決課題之手段

上述目的，係以（申請專利範圍）來達成。 【實施方式】 以下使用圖示說明本發明之實施例。 實施例1 使用第1圖說明本發明之處理室。第1圖，係表示本 發明之電漿處理裝置中實施例之構造槪略的剖面圖。

本圖中，電漿處理裝置100係具備真空容器101，和 配置於此上部之電磁波供給手段，和配置於真空容器101 下部的真空排氣手段107。更且，真空容器101在內部有 略圓筒形狀的空間，其內側配置有處理做爲處理對象之試 料的處理室；而平面爲矩形形狀之側壁部，則連接於將試 料搬運到減壓後之內部空間的真空搬運容器1〇4。 真空容器101內之處理室，係連接於配置在真空搬運 容器104內部的搬運室；藉由後述之開關手段，在處理中 或處理後開放、關閉。亦即藉由配置在此等之間來開關的 -8 - 1364053 大氣閘閥111，使其間連通或切斷。在此閘閥111放之狀 態下，連通搬運室內部之空間與處理室內部之空間，兩者 的壓力會大略相同。在閘閥111開放時，試料亦即晶圓會 從搬運室內部被搬運到配置於處理室內部的試料台112上 來放置。 配置於真空容器101上方之電磁波供給手段，係具備 產生特定頻率之電波來對處理室內供給電場的手段，和由 φ 螺線管線圈103等所構成而產生磁場並供給磁場的手段。 本實施例之電場供給手段，係有配置在構成真空慶101之 天花板面之構件上方的波導管113，及配置於此波導管 ' 113前端之電漿激發用的磁控管114;以磁控管114產生 微波而經由波導管113導向處理室內。更且波導管113之 下方終端部，亦即處理室之天花板構件，具有將被傳播之 微波傳導到下方處理室內側，而由石英等介電質所構成的 平板.115;和配置於此石英平板正下方，將被供給之處理 Φ 用處理氣體分散到處理室內側，而形成有導入用之複數孔 的噴氣板1 1 6。 噴氣板116之下方，亦即形成於試料台112上方之空 間’係成爲放電室117，其對被供給之處理氣體，藉由透 過石英平板115導入之電波和磁場產生部所供給的磁場， 進行相互作用而形成電漿。更且石英平板115與噴氣板 1 1 6之間形成有隔著微小空隙的空間，先對此空間供給要 對放電室117供給的處理氣體，使其貫通噴氣板116，連 通此空間與放電室117,透過流通處理氣體之上述孔，而 -9 - 1364053 流入放電室117。上述空間，係成爲使處理氣體自複數孔 分散來流入放電室117而設置的緩衝室118。此處理氣體 ，係經由處理氣體管線119及處理氣體切斷閥120，從調 節氣體等流體對處理室之供給的控制器121來供給。 如此一來，會從複數孔分散處理氣體而導入放電室 117，同時此等孔主要配置在面對於在試料台112上放置 試料的位置，隨著可將氣體更平均分散之緩衝室118的動 作，可謀求電漿密度更爲平均。石英平板115及噴氣板 1 16之外周側，係配置有下部環122，此下部環122內部 設置有氣體通路，其連通於使處理氣體流通到緩衝室118 的氣體管線1 19。 更且，噴氣板116之下方，接觸下部環122與噴氣板 116之下面而配置的真空容器內側，配置有面對電漿而形 成放電室1 1 7之放電室外側壁構件1 23、內側壁構件1 24 。另外本實施例中，內側壁構件1 2 4、外側壁構件1 2 3分 別具有略圓筒形狀而構成爲幾乎同心。外側壁構件1 2 3之 外周面，纏繞配置有加熱器1 34，藉由調節外側壁構件 123之溫度，來調節接觸於此者之內側壁構件124的溫度 〇 此外側壁構件1 2 3之外周側，配置有接觸其下面的放 電室基底板125»在此放電室基底板125之下面，連接於 配置在其下方的真空室部。另外內側壁構件124對於在放 電室U7內部達到電漿電極任務的試料台112，也有接地 電極之作用，爲了使電漿電位安定而有必要的面積。爲了 此做爲接地電極之作用，在接觸連接之外側壁構件1 2 3或 -10- 1364053 蓋構件1 22之間，必須充分確保熱傳導和導電性。 本實施例中’係調節構成真空室之壁表面的溫度，來 調節其表面與電漿、電漿所包含之粒子、氣體、反應產生 物的相互作用。該溫度係確保比試料台的溫度更高溫。藉 由如此適當調節電漿與面對其之真空室壁面的相互作用， 可以將電漿密度或成分等電漿特性做爲期望狀態。 又，放電室基底板125下方，配置有構成真空容器之 φ 下部的下部容器壁15;和由下方連接此者，構成真空容 器底面的底部容器壁16;和內側下部處理室128;及配置 於其內部，使其上面接觸連結於放電室基底板125之下面 的內側處理室1 26 ;和連接於此內側處理室1 26下部，在 處理室內之空間內支撐試料台112的複數樑，亦即電極基 座127 ;以此等來形成處理室。 底部容器壁16之下部，配置有用以進行真空容器內 之排氣調節的真空排氣裝置107。本實施例之真空排氣裝 φ 置107 ’係配置有：配置於內側下部處理室128及底部容 器壁16的中央部，在排出處理室內氣體之開口下方，藉 由配置在連通於此之通路內而旋轉的複數板狀蓋板（flap )’調節開口之剖面積，來調節流量速度的流量調整閥 129;和連通於通路出口，由處理室內氣體之排氣用之渦 輪分子泵等主泵130所構成的排氣管線；和配置於處理室 內’進行開口下方之切斷的板狀閥板131。 連接於處理室之配管132，係配置有處理室之壓力調 整用的壓力計133。上述排氣用主泵130與壓力計133, -11 - 1364053 係選定具有達成0.1 Pa以下所需之功能者。 第2圖表示試料台112周邊的細節。第2圖，係放大 表示第1圖所示之實施例中試料台周邊之構造槪略的縱剖 面圖。配置於試料台112內部而由導電性構件所構成之下 部電極211內部，配置有冷媒循環用的溝213，其目的爲 以形成逾放電試117內之電漿來處理處理對象亦即半導體 晶圓212時，進行溫度調節。冷媒用之溝213係經由連接 用之可撓性管218來連接於溫度調整用的循環調溫器217 。循環調溫器217係內裝有由溫度調整用之熱交換器與冷 凍機所構成的溫度調節部219，和循環泵220。 試料台112上面設置有靜電吸附用的介電質膜214, 使用連接於下部電極211之靜電吸附直流電源215，將半 導體晶圓212吸附於下部電極211，進行溫度調節。又爲 了進行半導體晶圓212表面之被蝕刻材的反應控制，高頻 電源2 1 6係平行連接於直流電源2 1 5。爲了進行半導體晶 圓212以外之下部電極211表面的保護，係在上側面設置 蓋 221。 在減壓後之真空搬運容器104內的搬運室內，由搬運 室內之機械手臂所搬運之處理對象的試料，亦即半導體晶 圓212，係被交接到以真空排氣裝置107之動作來減壓爲 與搬運室內相等之處理室內的試料台112上，加以放置。 被放置之半導體晶圓212，係被放置於介電質膜2M上， 藉由從靜電吸附直流電源215被供給有電力之介電質膜 214內的電極，來被吸附保持於介電質膜214上面。 -12- 1364053 • 在此狀態下被導入放電室117內之處理氣體，在透過 石英平板115及噴氣板116之微波所造成的電場，與螺線 管線圈103所供給之電場起相互作用，會激發處理氣體而 在放電室117內產生電漿。使用此電漿來處理試料台112 上的半導體晶圓212。又，在處理中係對配置於試料台 112內而由導電性構件所製造的下部電極211，供給來自 高頻電源216之特定頻率的高頻電力，在半導體晶圓212 φ 表面形成期望之偏壓電位，促進處理而實現期望之加工形狀 ，來將電漿中的帶電粒子引誘到半導體晶圓212表面。 ' 在處理中，係以上述加熱器1 3 4將放電室1 1 7之內側 壁構件124維持在特定溫度。又，即使在處理中，真空排 . 氣裝置107也會動作，將被供給之處理氣體、電漿，與隨 著處理所產生之產生物一起排出處理室外，而將處理室內 部維持在特定的壓力値。 第3圖，係以本發明之電漿處理爲對象，表示用於半 Φ 導體裝置之配線構造的膜構造。第3圖（a)係表示形成 於處理對象亦即半導體晶圓212表面，加工前之膜構造狀 態的示意圖。本圖中，上述膜構造係將矽基板311做爲下 方之基底，其上方依序配置Hi gh-k膜3 12、做爲半導體 裝置之閘極的閘極膜313，更在其上方具有做爲遮罩之構 圖加工後的氧化膜3 1 4。在此閘極膜3 1 3係由鈦（Ti)、鎳 (Ni)、鉬（Mo)、釕（Ru)、铪（Hf)、鉬（Ta)、鎢（W)、銶（Re) 、銥（Ir)、鉑（Pt)、鑭（La)、銪（Eu)、鏡（Yb)等高熔點金屬 材料所構成的單體或複合膜來構成。 -13- 1364053 更且，可在此等之上方，配置在氧化膜313加工時做 爲遮罩之樹脂等有機系材料所構成的光阻劑315。第4圖 ，係表示做爲遮罩而被構圖加工之膜315的材質，爲阻劑 遮罩的情況。 此種膜構造，係將光阻劑3 1 5做爲遮罩來蝕刻加工氧 化膜214之後，將此氧化膜314之蝕刻後的形狀做爲遮罩 ，而更進一步將配置於下方之閘極膜313及Hi gh-k膜 3 1 2加以蝕刻加工。加工後之形狀，分別表示於第3圖及 第4圖的（b )。 第5圖，係針對第1圖所示之實施例之電漿處理裝置 ，在處理第3圖或第4圖所示之膜構造之條件下，表示處 理溫度變化對於處理室內壓力變化之效果的圖表》本圖係 表示（1 )閘極材料爲钽（Ta )時以溴化氫（HBr)氣體 進行反應的情況，（2 )閘極材料爲給（H f)時以氯（C12 )氣體進行反應的情況，（3 )閘極材料爲飴時以溴化氫 氣體進行反應的情況，（4)閘極材料爲碳化钽（TaC) 時以溴化氫氣體進行反應的情況。 如本圖所示，（1)〜（4)之任一個於處理室內壓力 爲O.lPa以下的情況下，構成膜之材料會揮發，而試料溫 度急遽變化。亦即試料表面可以使產生物以一定比例揮發 的下限溫度，在O.lPa以下，尤其在〇.〇6Pa以下之壓力 會急遽降低。尤其在（1) 、 （2) 、（4)之情況下，會 急遽變化爲60°C以下。 半導體晶圓2 1 2之溫度’亦即下部電極之溫度若超過 -14- 1364053 6 〇 °C，則下部電極基材211爲鋁，而介電質膜214爲二氧 化鋁時，相對於鋁之線膨脹係數爲2·3χ1(Γ5 ( 1TC )，二 氧化鋁之線膨脹係數爲7.1 χ1 (Γ6 ( 1厂C );電極溫度在65 °C而溫度差在45°C時，會產生大約〇.2mm的尺寸差別。 若依此求出作用力則爲lxl05g/mm2，超過允許作用力5x 104g/mm2而會損毀，故因爲機構上之理由，60°C以上之 使用必須有材質變更等構造變更，但是因爲線膨脹係數較 φ 低之材料其熱反應性也會惡化，故會產生由電漿加熱造成 的溫度上升。 又，在60 °C以上處理試料表面的情況下，阻劑遮罩 之劣化會變大，而以此做爲遮罩之下方膜的處理形狀，其 加工精確度會降低。尤其碳化氫系材料所構成之光阻劑的 情況下。其變形或軟化會變大，同時若爲了做爲較高溫度 而提高供給到試料台之電極的偏壓電力，則阻劑與下方之 膜的選擇比會降低，使邊緣鈾刻變大而降低加工的精確度。

因此本實施例中，將處理室內做爲0.1 Pa以下，理想 爲維持在0.06Pa以下的壓力來處理試料，可藉此抑制上 述問題點而實現處理條件。亦即維持上述壓力條件而將試 料表面做爲60 °C以下’可以提高膜材料的反應性來處理 ’且可提高處理速度，同時達成抑制阻劑遮罩之劣化且提 高加工精確度。 做爲此種條件之範圍，從排氣效率來看壓力下限爲 〇_025Pa，理想爲〇.〇3Pa，.此時要達到特定揮發量之溫度 下限爲45°C。在第5圖上’此〇.〇25Pa、45°C之點粗 〇 1 P a、6 0 °C之點的連線上方範圍，係以6 〇 〇c以下之範圍 來進行處理，可以達到上述作用•效果。 -15- 1364053 具體來說’將試料或試料台112之溫度T定在 Τ = 200ρ + 40 (i) Τ :溫度（°C ) P :壓力（Pa) 之線的上方’亦即τ = 6〇°c以下的範圍爲處理之理想條件 範圍。本實施例可藉由加大可實現此種處理條件之壓力、 溫度的範圍，來加大試料之處理製法的選擇或設定自由度 〇 更且在本實施例中，放電室之內側壁構件124或內側 處理室126等處理室內，係將面對電漿之構件的溫度，維 持在比試料台112或試料爲高來實施處理。此時如本圖所 示，藉由將處理室內壓力維持在O.lPa以下，會使處理室 內所產生之反應產生物的揮發性提高，藉此抑制產生物對 處理室內表面之再次附著，和此堆積所造成的異物產生。 將配置於處理室內而面對電漿之構件的溫度，調節爲 與放置在試料台上之處理中試料其面對電漿的表面溫度一 樣高，可抑制隨著處理產生之產生物附著堆積於處理室內 部的構件表面。另一方面，本實施例中爲了如此調節處理 室內的構件溫度，係配置有包圍放電室外側壁構件1 23之 外側壁面，接觸此者而安裝的加熱器134;藉由此加熱器 1 34之動作，將熱傳達到處理室內側，而將處理室內構件 例如內側壁構件1 24的表面溫度，調節爲比試料亦即半導 體晶圓212的表面溫度爲高。 -16- 1364053 • 此時’當試料表面溫度超過較高溫度例如60 °C時， 則必須將處理室內之內側壁構件1 2 4的溫度也設定爲此溫 度以上’而加熱器134溫度要變的更高。爲了降低此加熱 部分在使用者、作業員接觸時的危險，必須有以隔熱構件 等覆蓋處理室外壁面的確保安全手段，使構造變的更複雜 ’也需要設置空間，而增加設置與運用的成本。 本實施例中，將試料之處理中溫度做爲，理想 φ 爲50 °C以下，藉此針對將處理室內壁溫度調節爲比此溫 度更高來處理的處理裝置，可比先前更降低加熱裝置的運 ' 轉溫度’而不需要處理室的隔熱構件等。此時藉由將試料 之處理中壓力做爲0· IPa以下，理想爲〇.〇6Pa，更理想爲 0_05Pa以下’則在第3圖所示之處理具備高熔點金屬材料 所構成之膜的膜構造時，可以在上述溫度以下處理此處理 中的試料表面，而可使用更簡單構造之處理裝置來降低處 理中之異物產生，控制生產率。

又，爲了實現〇 . 1 P a以下之低壓，係提高從晶圓上之 放電空間到排氣用泵爲止的電感，故必須將距離做爲最小 限度。此時將下部電極如第1圖般放在處理室中心最好， 而就使用未圖示之搬運用推高機構的缸筒或感測器的耐熱 溫度來看，電極溫度也以60°C以下爲佳。 又依本圖，在加工給之情況下，先前裝置使用溴化氫 做爲蝕刻氣體則可用較低溫度加工，但是藉由做爲低壓， 則氯氣也可以在60 °C以下進行蝕刻。藉此蝕刻用氣體種 類之選擇範圍會增加，可多方對應其他加工形狀之控制等 -17- 1364053 【圖式簡單說明】 [第1圖]表示本發明之電漿處理裝置中實施例之構造 槪略的剖面圖。 [第2圖]放大表示第1圖所示之實施例中試料台周邊 構造的示意圖。 [第3圖]以第1圖所示之實施例爲對象，用以實現半 導體裝置中配線構造之膜構造的示意圖。 [第4圖]以第1圖所示之實施例爲對象，用以實現# 導體裝置中配線構造之膜構造的示意圖。 [第5圖]針對第1圖所示之實施例之電漿處理裝置， 在處理第3圖或第4圖所示之膜構造之條件下，表示處理 溫度變化對於處理室內壓力變化之效果的圖表。 【主要元件符號說明】 111 :大氣閘閥 112 :試料台 1 1 3 :波導管 1 1 4 :磁控管 115 :平板 116 :噴氣板 1 17 :放電室 Π8 :緩衝室 -18- 1364053 119 :處理氣體管線 120 :切斷閥 1 2 1 :控制器 122 :下部環 123 :放電室外側壁構件 124 :內側壁構件

125 :放電室基底板 1 2 6 :內側處理室 1 2 7 :電極基座 1 2 8 :內側下部處理室 1 2 9 :流量調整閥 1 3 0 :排氣用主泵 1 3 1 :閥 1 3 2 :配管 1 3 3 :壓力計

1 3 4 :加熱器 211 :下部電極 2 1 2 :晶圓 2 1 3 :冷媒循環用溝 214 :介電質膜 2 1 5 :靜電吸附直流電源 2 1 6 :局頻電源 2 1 7 :循環調溫器 2 1 8 :可撓性管 -19- 1364053 219 :溫度調節部 220 :循環泵 221 :上側面蓋 3 1 1 :矽基板 312 : High，k 膜 3 1 3 :閘極膜 3 1 4 :含金屬之閘極膜

3 1 6 :阻劑遮罩

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Claims (1)

1364053 第096106455號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年11月17日修正 十、申請專利範圍 1·—種電漿處理方法，係將試料配置於真空容器內 部之處理室內’於該處理室內形成電漿進行處理者，該試 料係於表面具有包含高熔點金屬膜及配置於其下方之 High-k材料膜的膜構造者；其特徵爲具備：

將上述處理室內之壓力P設爲〇.1Pa以下之步驟；將 上述處理中之試料之溫度下調節爲60 °C以下，調節爲較 200P + 40高之値的步驟；及將上述處理室之內壁表面之溫 度調節爲較上述處理中之試料之溫度高之値的步驟。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理方法， 其中，上述高熔點金屬膜之下方的膜，係包含給（Hf)之 上述Hi-k材料的膜。

3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之電獎處 理方法，其中’上述高熔點金屬膜係由鈦（Ti )、鎳（Ni ) '鉬（Mo) '釕（Ru)、給（Hf)、鉬（Ta)、鎢（w )、鍊（Re )、銥（ir )、鈾（Pt )、鑭（La )、銪（Eu )、鏡（Yb)中之單體或複數物質的複合或化合物所構成 4_如申請專利範圍第1項或第2項所記載之電漿處 理方法，其中，上述真空容器內配置了具有鋁或其合金製 之基材與配置於其表面之陶瓷構成之絕緣體膜的試料台， 而上述試料放置於上述絕緣體膜上；藉由配置在上述基材 內之溫度調節手段，將上述試料之溫度調節成爲60°C以下 1364053 5. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之電漿處 埋方法，其中，對上述真空容器內供給氯（C1)或溴化氫 (HBr)，蝕刻上述閘極用膜來形成上述閘極構造。 6. —種電漿處理裝置，其特徵係具有： 配置於真空容器內而在其內側形成電漿的處理室； 試料台，其被配置於該處理室內之下部，上面載置有 上述電漿之處理對象之試料，該試料爲表面具有包含高熔 點之金屬膜及配置於其下方之High-k材料膜的膜構造者 :及 加熱器’被配置於上述處理室外，用於將上述處理室 中面對上述電漿之構件之表面，加熱到上述試料之處理中 之溫度以上； 在上述處理室內形成上述電漿，使上述處理室內之壓 力P成爲O.lPa以下，而且調節上述處理中之試料之溫度 T爲60°C以下’調節成爲較200P + 40高之値，而進行上述 試料的處理。 7. 如申請專利範圍第6項所記載之電漿處理裝置， 其中’上述高熔點金屬膜之下方的膜，係包含耠（Hf)之 上述Hi-k材料的膜。 8 ·如申請專利範圍第6項或第7項所記載之電漿處 理裝置’其中，上述高熔點金屬膜，係由鈦、鎳、鉬 '釕 、铪、鉅、鎢、銶、銥、鉑、鑭、銪、鏡中之單體或複數 物質的複合或化合物所構成^ 9.如申請專利範圍第6項或第7項所記載之電漿處 -2- I364〇53 理裝置’其中’於上述真空容器內被配置具有鋁或其合金 製之基材與配置於其表面之陶瓷構成之絕緣體膜的試料台 . ’上述試料被載置於上述絕緣體膜上；在上述基材內部被 供給調節成爲特定溫度的冷媒，而使上述試料之溫度調節 成爲6 0 °C以下。 10.如申請專利範圍第6項或第7項所記載之電漿處 理裝置’其中，對上述真.空容器內供給氯或溴化氫，蝕刻 # 上述閘極用膜來形成上述閘極構造。