TWI357115B - Device having a compliant element pressed between - Google Patents

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狄、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明·係有關於具有扣壓於基材間之順應性元件的裝 【先前技術】 發明背景 製造微製造裝置時，常見將電元件置於二連結基材間 之乳密艙内部。某些用途，需要兩片連結基材間之電連結。 例如電元件可成形於二基材，二基材間之電連結提供二電 π件間之通訊。其它例中，二基材間之電連結允許位於基 材之—之組成元件由位於另一基材之組成元件抽取電力。 依據連結基材的整體組配狀態及尺寸決定，難以於二 土材間達成均勻連結。不均勻連結於高側繪微製造裝置（亦 即厚度大的裝置)特別普遍。此種連結不均勻，造成多項製 、1題對製造良率造成不良影響。例如若二基材於整個 封的外周邊縣緊密連結，職密封受損。此外，由於連 結不均勻，二基材間之分隔距離改變。結果，連結基材門 之導電接點可能未充分壓合來提供基材間的充分電連結。 共同讓與之美國專利第6,090,687號描述於連結基材門 形成氣密封之改良技術。如6,_，687專利案所述，顺應: 材料製成之氣密墊用來於二連結基材間形成氣密封。 墊之順應性允許於連結期間，當二基材壓合時，氣密墊畨 形。此種變形確保氣密墊整個周邊於連結期間緊密隨形2 二基材的輪廓，結果獲得較佳封。但極少數材料具有，好 I25984-1000407.doc 順應性及氣密性性質，而確實具有此種性質之少數材料經 常價格昂貴或與多種微製造方法不玎相容。 【發明内容】 發明概要 藉順應性接 通常本發明之具體例係有關具有連結基材 點接合之裝置》 根據本發明之一具體實施例，一種製造— 法，該方法包含：提供一第一基材及一第二基材 裝置之方 ;形成一 順應性第一材料製成之順應性元件於該第一基材上， 應性元件包含一端面以及一側面晚鄰於該端面；以— 二材料塗覆該侧面之至少一部分；朝向該順應性枓料 面加壓該第二基材，該加壓包括變形該順應性材料； 將二基材連結在一起。 該順 層第 之端 以及 基 根據本發明之一具體實施例，一種裝置包含一第 材、一第二基材以及一順應性元件。該順應性元件係由一 第一順應性材料介於該第一基材與該第二基材間所組成 該順應性材料具有一侧表面至少部分塗覆一層第二材料 該順應性元件具有變形符合已經壓合在—起之該第一式材 及一第二側。 若干具體例中，該第二材料為導電性，讓順應性 u I件 提供基材間之可靠電連結。其它具體例中，該第二材料可 增加順應性元件之氣密性，讓順應性元件提供基材間之 佳氣密封。 & 圖式簡單說明 125984-1000407.doc -6- 經由參照下列附圖將更了解本發明。附圖之各個元件 並非必要相對於彼此照比例繪製’反而可做強調來更明白 舉例說明本發明。此外數幅視圖可採用相同參考編號來表 示對應部分。 第1圖為根據本發明製造之裝置之剖面圖。 第2圖為流程圖顯示製造裝置之範例方法。 弟3圖為一基材之剖面圖’該基材具有順應性柱及一順 應性氣密墊成形於該基材之一表面上。 第4圖為第3圖所示基材之底視圖。 第5圖為於導電層成形於柱上，以及氣密層成形於基材 氣密墊上後，第3圖所示基材之剖面圖。 第6圖為欲連結至第5圖所示基材之一基材之頂視圖。 第7圖為隔件成形於基材之一表面後，第5圖所示基材 之剖面圖。 第8圖為第7圖所示基材之底視圖。 第9圖為第7圖基材連結另一基材之剖面圖。 第10圖為流程圖，顯示製造裝置之另一範例方法。 第11圖為一基材之剖面圖，該基材具有順應性柱及一 順應性氣密墊成形於基材之一表面上。 第12圖為導電層成形於基材之柱上後，第丨丨圖所示基 材之剖面圖。 第13圖為第12圖所示基材連結第6圖所示基材之剖面 圖。 第14圖為一旦氣密增高層塗覆於駐在二基材間之氣密 125984-1000407.doc 塾之向外側表面上時，第13圖所示基材之剖面圖。 第15圖為批次方式製造類似第14圖所示裝置之多重裝 置期間，使用的連結基材之頂視圖。 第16圖為-旦頂基材被切晶粒時，第15圖之基材之頂 視圖。 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 本發明之具體例通常係有關介於二連結基材間提供氣 密封或電連結之技術。通常，介於二連結基材間形成氣密 封或導電連狀_性元件(例如氣密钱⑻係成形於基 材之-上。該元件係由順練材料例如㈣亞胺製成。至 少部分順應性元件塗覆以-種材料，該材枓經選擇來提高 順應性元件之導電性或氣密性。 連結前或連結中，順應性元件係朝向另一基材加壓。 元件之順應性鱗錢形、且咖於縣材表^結果， 順應性元件職二連結基材間之較佳電連結或氣密封。 第1圖顯示根據本發明之—具體實施例製造之裝置 15。如第i圖所示’裝置15有二基材21及24…具體例中， 基材21及24各自係_製成^但基材取24於其它具體例 可由其它材料製成。第！圖所示裝置15有二導電柱27延伸於 基材2丨與期且㈣互連。各贿27之㈣㈣分別朝向 基材21及24扣f其它具體财可使用其它數目之導電柱 27。 各個導電柱27係由順應性材料例如聚酿亞胺或其它類 125984-1000407.doc 別之順應性聚合物製成。聚合物典型係用於習知微製造裝 置作為應力釋放層材料、或作為連結材料。但通常聚合物 為不良導體，先前未曾用於微製造裝置之二基材間提供電 連結。 各個柱27塗覆以導電材料薄層33。容後詳述，導電柱 27成形於基材21上，隨後基材21與24連結在一起。接觸導 電柱27用之導電襯塾36成形於基材24上。襯墊36提供相對 寬的導電面積讓各個柱27接觸，因而完成基材21與24間之 電連結。柱27可電連結至駐在基材21及/或24上之電路。 氣岔墊42環繞裝置15之周邊延伸。氣密墊42之相對兩 端分別朝向基材21及24加壓，氣密塾42對裝置15内部之搶 44提供氣密封。氣密墊42係由順應性材料如聚醯亞胺或其 它類型順應性聚合物組成。如前文說明，聚合物典型用於 習知微製造裝置作為應力釋放層材料或作為連結材料。但 聚合物通常具有不良氣密性質，先前未曾用來形成氣密封。 氣密墊42塗覆以可增加氣密墊42之氣密性的材料薄層 47，該材料例如金 '銅、玻璃或氮化矽。於平行於基材21 及24主面之平面，氣密塾42可具有任何適合配合將置於艘 44内部之組成元件的形狀(例如圓形、方形、矩型等）。襯墊 49可成形於基材24上，且沿氣密墊的整個周邊而與氣密墊 42接觸。 為了形成第1圖裝置15,柱27及氣密塾42初步係由順應 性材料於基材21主面上形成，如第2圖方塊52以及第3圖及 第4圖所示。各種微製造技術例如光刻術、蝕刻術及熱硬化 125984-1000407.doc •9· 皆可用來形成柱27及氣密墊42。一具體實施例中，柱27及 氣密墊42係經由沈積一層聚醯亞胺材料於基材21上形成。 然後使用光刻術、蝕刻及熱硬化製造柱27及氣密塾42。第4 圖中’柱27顯示於平行基材21主面之平面具有概略圓形截 面形狀。但氣密墊42及柱27於其它具體例有其它截面形 狀。此外’如第4圖所示’電路39可成形於基材21表面上， 電耦合至一或多個柱27。 如第5圖及第2圖方塊54所述，各個柱27塗覆以導電薄 層33，氣密墊42塗覆以可提高氣密墊42氣密性之薄層47。 可使用多種微製造技術例如濺鍍、蒸鍵、化學氣相沈積 (CVD)或電鍍來形成層33及47。一具體實施例中，為將柱27 塗覆以薄層33 ’使用蒸鍍或濺鍍來沈積薄晶種層於基材21 表面上’包括柱27及氣密墊42表面上。然後使用電鍍來沈 積導電材料層於晶種層上。然後使用光刻術之蝕刻來由基 材21全部部分(柱27除外）去除晶種層及導電層。結果導電材 料層33留在柱27上。 此外，為了對氣密墊42塗覆以金層47(舉例）’蒸鍍或濺 鍍用來沈積薄晶種層於基材表面上，包括柱27及氣密墊42 表面上。然後使用電鍍來沈積金於晶種層上。然後使用光 刻術及蝕刻來由基材21之全部部分（氣密墊42除外）去除晶 種層及金層。結果金層47留在氣密墊42。 其它具體例中，使用其它技術來形成柱27及氣密墊 42，金以外之材料用來形成層47。若層33及47係由相同材 料組成，則層33及47可同時根據前述技術形成。就此方面 125984-1000407.doc -10- 而言’於使用電鍍來沈積層33及47材料於基材21後，使用 光刻術及蝕刻由基材全部部分(柱27及氣密墊42除外）去除 此種材料。 第5圖所示具體實施例中，各個柱27完全塗覆以層33 材料，氣密墊42完全塗覆以層47材料。換言之，第4圖所示 柱27的全部暴露區皆以層33覆蓋，第4圖所示氣密墊42之全 部暴露區皆以層47材料覆蓋。但其它具體例中，分別可以 層33及47塗覆部分柱27及氣密墊42。確實於後文將說明具 體實施例，其中只有氣密墊42之向外側表面塗覆以層47材 料。 若電路39確實係位於基材21表面上，則此種電路％可 以介電層或其它類型絕緣層沉積於基材21覆蓋，隨後形成 柱27及氣密墊42。此種層將保護電路39不接觸用於形成柱 27及氣密墊42的處理過程。為了進一步於柱27及氣密墊42 形成時保護電路，應避免使用超過電路可接受之溫度範圍 之製程。 第6圖顯示基材24之頂視圖。基材24有襯墊36及49形成 於其表面上。如比較第4圖及第6圖可知，於平行基材以主 面平面之襯墊36及49形狀分別可與平行基材21主面之平面 之柱27及氣料42截面雜相同。_塾36及49也可具有 與柱27及氣密塾42不同的截面形狀。此外，如第6圖所示， 電路51可形成於基材2G表面上，電輕合至—或多個概塾 36。此種具體财’—旦基材21及24連結在—起，電路 可透過-或多柱27而電耗合至基材21之電路39(第4圖），容 125984-1000407.doc •II · 後詳述。 如第2圖方塊56所示，基材21及24被壓合在一起，且藉 連、柱27、氧密墊42、及/或其它基材2丨的組成元件至基材 24來連結。特別基材21及24經校準且壓合在一起，讓杈27 接觸概塾36 ’以及氣密墊42接觸基材24襯墊49。柱27之順 應性釋放否則可能存在於柱27之應力 ，因而防止當基材21 與24之壓合在一起時’柱27破裂或以其它方式破損。此外， 基材21與24的壓合也將氣密墊42朝向基材24之襯墊49加 壓。氣雄'塾42之順應性讓氣密墊42於基材21與24壓合時變 形。氣密塾42的變形釋放出可能存在於氣密墊42的應力， 因而防止氣密墊42可能於基材21與24壓合時破裂或以其它 方式破損。基材21及24被壓合在一起時連結。多種已知之 連結技術或未來將發展的連結技術例如共溶金屬連結、熱 壓縮或膠黏皆可用來連結基材21與24 » 一具體實施例中，共熔金屬連結係形成於氣密墊42與 襯墊49間。特別層47係由金(Au)製成。此外，錫（sn)層沉積 於襯墊49上。然後基材21與24壓合在一起，加熱至可熔化 錫之溫度，造成錫於金層47擴散。結果於襯墊49與氣密墊 42間形成金-錫(Au-Sn)連結。其它具體例中，可使用其它類 別材料來形成基材21與24組成元件間之共熔金屬連結；可 使用其匕類型連結技術來連結基材21及24。此外，基材2i 及24可經由連結基材21及24之其它組成元件如柱27或其它 未特別顯示於第1圖之元件而連結。 柱27及氣密墊42之順應性允許柱27及氣密墊42各自與 125984-1000407.doc -12- 基材24做緊密均勻接觸，即使此等元件高度(於y方向測量) 略有變化或基材21或24之表面咼低地形略有變化亦如此。 例如若微製造方法之不完美造成柱27之一或氣密塾42之一 部分於柱27之另一者或氣密墊42之另一部分接觸基材24之 前與基材24接觸，則接觸基材24之柱27或氣密墊部分於基 材21與24進一步壓合在一起時將變形，來建立基材24與全 部柱27及氣密墊42全周邊間之接觸。 注思裝置15無需包括導電柱27及氣密墊42二者。如前 文說明’氣密墊42可提供基材21與24間之氣密封，而基材 21與24間並無導電連結。此外，可如前文說明，於基材以 與24間提供一或多個電連結，而基材21與24間並無氣密墊 42 〇 此外’塗覆柱27及氣密塾42之層33及47依據柱27及氣 密墊42之材料及尺寸而定可有不同厚度。氣密墊“及柱27 有足夠順應性來讓此等元件變形，而不會於朝向基材24加 壓期間破裂或以其它方式機械故障。此等材料之順應性通 常係由層33及47分別塗覆之順應性材料所提供。但用來形 成層33及47之多種類型材料實質上不具順應性。如此若層 33及47過厚，則柱27及氣密墊42之順應性將降低，至柱27 及氣密墊42朝向基材24加壓時，柱27及氣密墊42無法充分 變形的程度。若層33及47顯著降蹄27及氣密独之順應 性’則當基材21與24壓合時，柱27及氣密墊42可能出現破 裂或其它機械故障。此外，於裝置15__區的柱27或氣密塾 部分無法充分㈣，來允許另—她27或氣料42之其餘 125984-1000407.doc -13· 部分接觸基材24 » 如此為了避免前述問題，各導電層33製作成比其對應 柱27顯著更薄。層33製作成儘可能薄層符合提供基材21與 24間之低電阻電連結。此外也可經由讓層47比氣密墊42顯 著更薄來避免發生問題。層47符合對艙44提供規定氣密性 規格’製作成儘可能變薄，對大部分厚約5〇微米至聚合物 柱27及氣密塾42而言，典型厚約35微米導電層及氣密層33 及47可達成前述目的。但依據柱27及氣密墊42之材料及尺 寸、以及依據層33及47之材料而定，層33及47之適當厚度 係在前述範圍以外。 若干具體例中’層47係由導電材料(例如層33之相同材 料）製成，因此氣密墊42除了提供氣密封之外，也可提供基 材21與24間之電連結。當層47係由導電材料製成時，氣密 塾42也可用作為電屏，來提供搶44組成元件與擒44外側組 成元件間之電隔離。 前述具體例中，柱27及氣密墊42皆形成於基材21上。 但若有所需，柱27及氣密墊42可形成於不同基材上。例如 如前述’柱27可形成於基材21上，氣密塾42可形成於基材 24上，隨後將二基材21及24壓合與連結。 此外’可使用非順應性隔件來精準控制基材21與24間 的分隔距離，以及控制當基材21與24壓合時順應性組成元 件27及42的成形。此種隔件可未在基材21或基材24上。例 如第7圖及第8圖顯示其中四個非順應性隔件68成形於基材 21之具體例。其它具體例可有其它不同數目之隔件68。此 125984-1000407.doc •14· 外雖然第7圖及第8圖所示範例中，各個隔件68係位在氣密 墊42周邊外侧，因此位在艙44外側，但其它具體例中，一 或多個隔件68可位在氣密墊周邊内侧，因而位在艙44内部。 第7圖及第8圖之各個隔件68有相等高度（於y方向量 測）’該高度夠短俾允許基材24於接觸隔件68之前，於最小 公差條件下，基材24接觸全部柱27及氣密墊42。如此，當 基材21與24更緊密壓合時，柱27及氣密墊42將接觸基材 24，然後變形，說明如前。隔件68也夠短來允許柱27及氣 密墊42充分變形，如前文說明，該變形符合提供基材21與 24間之低電阻連結、及艙44之規定氣密性。如第9圖所示， 一旦基材24接觸隔件68，隔件68防止基材21與24更緊密移 動。如此，經由連結基材21及24於第9圖所述位置，基材21 與24之分隔距離精準匹配隔件68高度。 第10圖顯示根據本發明之另一具體例之範例方法，其 可用來於製造之裝置内形成電連結及氣密封。第1〇圖所示 方法中，於基材21與24連結後，氣密墊42塗覆以不同材料 層84。結果艙44之元件（例如電路39及51)不會暴露，因此於 氣密墊42塗覆過程受到保護。 如第11圖及第10圖方塊72所述，柱27及氣密墊42係由 順應性材料形成於基材21主面組成。然後如第12圖及第1〇 圖方塊74所示，各個柱27塗覆以一層33導電材料。如第13 圖及第10圖方塊76所述，基材21隨後朝向另一基材24加壓 及連結。特別基材21及24校準且壓合，讓柱27接觸襯墊36， 而氣密墊42接觸襯墊49。柱27及氣密墊42之順應性允許當 125984-1000407.doc •15- 1357115 基材21與24壓合時’柱27及氣密塾仏變形。如此由於前述 理由故’柱27及氣密㈣之順應性辅助確保於連結過程 中，氣密塾42的整個周邊及各個柱27緊密均勾接觸基材μ 的各個組成元件(例如襯塾36及49)。結果柱27形成基材^ 5與24間之更佳電連結，氣密墊42形成基材21與24間之更佳 氣密封。 t 於，次製造過程，對各個裝置，使用單一晶圓作為基 材21及單-晶圓作為基材μ，可同時微製造數千個元件。 此種具體例中，直到基材21被切晶粒，或直到通孔（圖中未 顯示Μ形延伸貫穿基材21厚度為止，任-元件之氣密塾42 皆無法接近進行塗覆。如此一旦於第1〇圖方塊76基材㈣ 24連結，如第1G圖方塊82所述，基材21沿第13圖之點線切 晶粒來接近氣密墊42。此種接近讓氣密墊42可使用習知微 製造技術，例如電鍍或化學氣相沈積(CVD)來塗覆以層84。 15如此，於第10圖方塊82之基材21切晶粒後，如第14圖及第 10圖方塊88所示，氣密墊42之向外側表面被塗覆以一層材 料(例如金)84’該層材料可增加氣密墊42之氣密性。於第14 圖所示裝置92，各個經塗覆之柱27提供基材21與24間之電 連結，經塗覆之氣密墊42提供艙44之氣密性。 20 為了進一步舉例說明前文，參照第15圖.，第15圖為第 10圖方塊76，基材21與24已經連結後基材21之頂視圖。第 15圖所示具體例中，基材21與24間有9個氣密墊42，但以虛 線表示，原因在於實際上氣密墊係無法觀察到。第15圖之 氣密墊42不易接近來塗覆。 I25984-I000407.doc •16- 第10圖方塊82 ’基材21如第16圖所示切晶粒。就此方 面而言’基材21介於氣密墊42間之部分被去除。因此當於 第1〇圖方塊88進行電鍍或進行CVD時，材料可通過基材21 之其餘部分間’塗覆各個氣密塾42之向外側表面。隨後基 材24可切晶粒來形成9個第丨4圖所示之分開裝置92。另一具 體例中’可經由將基材24切晶粒而非基材21切晶粒而以相 同方式提供進接至氣密墊42。 【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明製造之裝置之剖面圖。 第2圖為流程圖顯示製造裝置之範例方法。 第3圖為一基材之剖面圖，該基材具有順應性枉及一順 應性氣密墊成形於該基材之一表面上。 第4圖為第3圖所示基材之底視圖。 第5圖為於導電層成形於柱上，以及氣密層成形於基材 氣密墊上後，第3圖所示基材之剖面圖。 第6圖為欲連結至第5圖所示基材之一基材之頂視圖。 第7圖為隔件成形於基材之一表面後，第5圖所示基材 之剖面圖。 第8圖為第7圖所示基材之底視圖。 第9圖為第7圖基材連結另一基材之剖面圖。 第10圖為流程圖，顯示製造裝置之另一範例方法。 第11圖為一基材之刳面圖，該基材具有順應性桂及— 順應性氣密墊成形於基材之一表面上。 第12圖為導電層成形於基材之柱上後，第11圖所示基 125984-1000407.doc •17- 1357115 材之剖面圖。 第13圖為第12圖所示基材連結第6圖所示基材之剖面 圖。 第14圖為一旦氣密增高層塗覆於駐在二基材間之氣密 5 墊之向外側表面上時，第13圖所示基材之剖面圖。 第15圖為批次方式製造類似第14圖所示裝置之多重裝 置期間，使用的連結基材之頂視圖。 第16圖為一旦頂基材被切晶粒時，第15圖之基材之頂 視圖。 10【圖式之主要元件代表符號表】 15…裝置 47...薄層 21，24...基材 49...襯墊 27...柱 51...電路 33...導電層 52-56，72-88...方塊 36…導電襯墊 68...隔件 39...電路 84...材料層 42.. .氣密塾 44.. .搶 92...裝置 125984-1000407.doc -18-

Claims (1)

1357115 拾、申請專利範圍： 1. 一種具有順應性元件之裝置，其包含： 一具有一上表面之第一基材，該第一基材之上表面 形成一氣密墊，該氣密墊係由一第一順應性材料所組 5 成，並將一氣密增高材料至少部分塗覆於該氣密墊； 一具有一上表面之第二基材，該第二基材之上表面 具有至少一導電性區域； 其中將該第一基材之上表面面對該第二基材之上 表面以將該第一基材及該第二基材壓合在一起，致使該 10 氣密墊變形；及 其中該氣密墊與該第二基材之上表面形成一氣密 封之密閉艙，且其中至少一導電性元件位於該密閉艙内 並直接接觸該第二基材之至少一導電性區域。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該導電性元件係為 15 一柱，其由一第二順應性材料所組成，並將一導電性材 料塗覆於該柱上。 3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第一順應性材料 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚合物。 4. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第一順應性材料 20 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚醯亞胺。 5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該氣密增高材料具 導電性。 6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該氣密增高材料不 具導電性。 125984-1000407.doc -19- 7·如申請專利範圍第W之裝置，其中該氣密塾具有一内 表面及外表面，且其中將該氣密增高材料塗覆於該氣 密塾之外表面、該第一基材之上表面之一部分及該第 一基材之上表面之一部分。 8·如申請專利範圍第旧之褒置，其進—步包含至少一非 順應性隔件，其形成於該第—基材及該第二基材之一 者。 9. 一種具有順應性元件之裝置，其包含： 一具有一上表面之第一基材，該第一基材之上表面 形成一氣密墊及至少一柱，該氣密墊係由一第一順應性 材料所組成，並將一氣密增高材料塗覆於該氣密墊，該 至少一柱係由一第二順應性材料所組成，並將一導電性 材料塗覆於該柱； 一具有一上表面之第二基材，該第二基材之上表面 具有至少一導電性區域； 其中將該第一基材之上表面面對該第二基材之上 表面以將該第一基材及該第二基材壓合在一起，致使該 氣密墊及該第一基材之至少一柱變形；及 其中該氣密墊與該第二基材之上表面形成一氣密 封之密閉艙，且該至少一柱係位於該艙内並直接接觸該 第二基材之至少一導電性區域。 10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該第一順應性材料 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚合物。 11. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該第一順應性材料 125984-1000407.doc -20· 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚醯亞胺。 12. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該氣密增高材料具 導電性。 13. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中該氣密增高材料不 具導電性。 14. 如申請專利範圍第9項之裝置，其進一步包含至少一非 順應性隔件，其形成於該第一基材及該第二基材之一 者。 15. —種具有順應性元件之裝置，其包含： 一具有一上表面之第一基材，該第一基材之上表面 形成一氣密塾及至少一柱，該氣密墊具有一内表面及一 外表面，並由一第一順應性材料所組成，該至少一柱係 由一第二順應性材料所組成，並將一導電性材料塗覆於 該柱， 一具有一上表面之第二基材，該第二基材之上表面 具有至少一導電性區域； 其中將該第一基材之上表面面對該第二基材之上 表面ά將該第一基材及該第二基材壓合在一起，致使該 氣密墊及該第一基材之至少一柱變形；及 其中將一氣密增高材料塗覆於該氣密墊之外表 面、該第一基材之上表面之一部分及該第二基材之上表 面之一部分，致使該氣密墊之内表面與該第二基材之上 表面形成一氣密封之密閉艙，且該至少一柱係位於該密 閉艙内，並直接接觸該第二基材之至少一導電性區域。 125984-1000407.doc -21 - 1357115 16. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該第一順應性材料 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚合物。 17. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該第一順應性材料 及該第二順應性材料之至少一者包含一種聚醯亞胺。 5 18.如申請專利範圍第15項之裝置，其中該氣密增高材料具 導電性。 19. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該氣密增高材料不 具導電性。 20. 如申請專利範圍第15項之裝置，其進一步包含至少一非 10 順應性隔件，其形成於該第一基材及該第二基材之一 者0

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