TWI354163B

TWI354163B - Liquid crystal display device

Info

Publication number: TWI354163B
Application number: TW095131884A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Sano; Takashi Kunimori; Masanori Yasumori; Toshihiko Tanaka
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2005-08-31
Filing date: 2006-08-30
Publication date: 2011-12-11
Also published as: CN1932626A; KR100831822B1; TW201128279A; KR20070026188A; US20070046619A1; TW200715004A; CN100419557C; TWI448795B; JP2007065243A; US8379005B2

Description

1354163 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】 '' 本發明涉及液晶顯示器，本發明特別是涉及具有背照、燈、前照燈等的光源的液晶顯示器，此種液晶顯示器可對 . 應於外光的亮度，自動地改變光源的亮度。【先前技術】近年，不僅在資訊通信機器中，而且在普通的電氣機器中，液晶顯示器的應用正迅速普及。特別是，在可攜式 # 機器中，爲了減少耗電量，多採用不要求像透射型液晶顯示器中的背照燈甚至側照燈（在下面，將兩者統稱爲“背照燈”等）的反射型液晶顯示器，但是，對於此反射型液晶顯示器，由於將外光用作光源，故在較暗的室內等處，較難看清楚’因此正在開發採用前照燈的類型（參照下述的專利文獻η 、或同時具有透射型和反射型的性質的半透射型的液晶顯示器（參照下述的專利文獻2)。比如，在採用前照燈的反射型液晶顯示器中，在較暗 φ 的場所，點亮前照燈，顯示圖像，在較亮的場所，不點亮前照燈，可採用外光，顯示圖像，由此，不需要一直點亮前照燈，可大幅度地節省耗電量。另外，在半透射型液晶顯示器中，在一個像素內部，包括具有透明電極的透射部和具有反射電極的反射部，在較暗的場所，點亮背照燈等， ' 採用像素區域的透射部，顯示圖像，在較亮的場所，不點 . 亮背照燈等，在反射部，採用外光，顯示圖像，因此，同樣在這種情況下，不需要一直點亮背照燈等，因此具有可大幅度地節省耗電量的優點。 1354163 . 在上述般之反射型液晶顯示器’半透射型液晶顯示器中，隨著外光的強度，液晶顯示畫面的易可視性不同。因私* 此，爲了容易觀看液晶顯示畫面，最終用戶必須自行判斷 ‘ 外光的強度是否爲應點亮背照燈等，甚至前照燈的程度， • 而進行點亮，熄滅背照燈等，甚至前照燈的繁瑣的操作。 . 另外，在外光的亮度充分時，仍然點亮不需要的背照燈，甚至前照燈的情況，在此般情況，由於不必要的耗電量增加，故在攜帶電話等之攜帶型機器中，顯然存在電池的消 # 耗快的問題。解決此般問題的已有技術中，有下述的發明，其中，光學感測器設置於液晶顯示器中，通過此光學感測器，檢測外光的明暗，根據光學感測器的檢測結果，控制背照燈等的開/關（參照下述的專利文獻3 )。在下述的專利文獻3中記載的液晶顯示器中，在液晶顯示板的基板上設置具有光學感測器的光檢測部，採用作爲光學感測器的薄膜電晶體（TFT )，將此TFT同時製成 • 液晶顯示板之TFT ’檢測此TFT光學感測器的光洩漏電流，由此’對應於周圍的亮度，自動地進行背照燈的開/關。另外，在下述的專利文獻4的液晶顯示器中，採用作爲光學感測器的光電二極體，對應於周圍的亮度，向作爲背照燈的發光二極體，供給保證溫度的電流。此外’在下述的專利文獻5中，用作背照燈及機器的 • 動作顯示機構的發光二極體同時用作光學感測器，根據與周圍的亮度相對應的發光二極體的電動勢，控制背照燈的點亮。 1354163 ^ 專利文獻1 : JP特開2002— 1 3 1 742號公報（申請專利範圍，第1〜3圖） * 專利文獻2 : JP特開200 1 — 350 1 58號公報（申請專利 • 範圍，第4圖） - 專利文獻3 : JP特開2002— 1 3 1 7 1 9號公報（申請專利範圍，段落[〇〇 1〇]〜[0013]，第1圖）專利文獻4 : JP特開2003— 2 1 5534號公報（申請專利範圍，段落[〇〇 07]〜[0019]，第1圖〜第3圖） φ 專利文獻5 ·· JP特開2004— 007237號公報（申請專利範圍，段落[002 3 ]〜[0028]，第1圖）【發明内容】但是，當在上述專利文獻3中記載的液晶顯示器般，光學感測器用TFT與製作顯示板用TFT，同時地製作於基板上，並且組裝於液晶顯示板上時，通常，此TFT感測器設置於接近液晶顯示板的像素部的位置，即，形成有液晶層的位置。 φ 然而，如果光學感測器設置於接近像素部的位置，由於在此像素部之相對側基板上，設置對向電極，故此光學感測器也與對向電極面對。如果光學感測器與對向電極面對，由於在此對向電極上，外加由通常爲幾個伏特的，矩形波形的對向電極電壓，故此矩形波電壓會影響光學感測 ' 器的檢測信號而成爲產生錯誤動作的原因。爲了消除此影 - 響，可藉由在光學感測器所面對的一側基板上，設置接地電極的方式來解決，但是，如果在基板上設置接地電極’ 1354163 , 則不只設置接地電極，還必須設置接地線和接地用轉換電極，基板電路的設計複雜，並且難以製造。 * 另外，以前的液晶顯示器中，由於藉由光學感測器， • 檢測周圍的亮度，自動地實現背照燈等的開/關，因此根據 - 預先設置的一定的亮度，自動地實現背照燈等的開/關。此時，在配備專門的光電二極體等的光學感測器，將其組裝於液晶顯示器中時，由於可對應於此光學感測器的特性，進行選擇，因此不需要過多地考慮光學感測器的特性差 • 異。但是，如上述專利文獻3的液晶顯示器，在液晶顯示板上組裝TFT光學感測器，或者如專利文獻5公開的發明所示般，將用作背照燈及機器的動作顯示機構的發光二極體兼用作光學感測器時，由於各別的光學感測器的特性差異較大，故具有無法根據預先設定的一定的亮度，自動地實現背照燈等的開/關的問題。因此，如果以固定的臨限値，識別背照燈等的開關，由於各個製品的背照燈等點亮/ 熄滅的亮度不同，故液晶顯示器的性能變差。另外，到目 φ 前的液晶顯示器並未考慮最終用戶按照可根據各自偏好的周圍亮度，自動地實現背照燈等的開/關的方式設定的情況。此外’如果在具有液晶層的地方，設置光學感測器，則在光檢測部動作時，直流電壓外加於液晶層上，則因此 ' 直流電壓，導致液晶的性能變差，且因此性能變差，導致 . 到達光檢測部的光量減少的問題。另外，如果液晶性能變差影響到顯示部，則還具有顯著降低顯示品質的情況。 1354163 本發明是爲了解決此般問題而提出者’本發明的目的在於提供一種液晶顯示器’其中’組裝於液晶顯示板上的 '* 光檢測部不受到顯示板用驅動信號的影響。 • 另外，本發明的另一目的在於提供一種液晶顯示裝 - 置，避免因組裝於液晶顯示板中的光檢測部，而導致液晶的性能變差。此外，本發明的還一目的在於提供一種液晶顯示器，其可按照下述方式設定，該方式爲：可對光學感測器的特 • 性的差異進行補償，根據預先設定的一定的亮度，自動地對背照燈等進行開/關控制，並且最終用戶可在任意的周圍亮度下，自動地實現背照燈等的開/關。解決課題的技術構成本發明的上述目的可藉由下述的構成而實現。即，本發明的第1態樣的液晶顯示器的發明，係一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括液晶顯示板，在該液晶顯示板中，在主動矩陣基板和具有對向電極的濾色基板之間，設置液瞻晶層：光檢測部，該光檢測部具有檢測外光的光學感測器；照明機構，該照明機構藉由上述光檢測部的輸出進行控制，其中：上述光檢測部設置於上述主動矩陣基板的顯示區域的周緣部’採用作爲上述光學感測器之薄膜電晶體，在該薄 * 膜電晶體的源極、汲極之間連接有電容器，在上述薄膜電 • 晶體的閘極電極上，外加一定的電壓，該一定的電壓低於外加於上述對向電極上的電壓，並經常與反偏壓相對應，上述電容器一邊端子側通過開關元件，與基準電壓源連 -10- 1354163 . 接’上述電容器中的另一邊端子側與上述對向電極連接，檢測從上述開關兀件斷開起的規定時間後的電容器的電场· 壓，由此，檢測外光。 ' 另外’最好，在上述第1態樣的液晶顯示器中，上述光檢測部的上述薄膜電晶體、電容器和開關元件係積體化 . 於上述顯示板上。此外’最好’在上述第〗態樣的液晶顯示器中，上述光檢測部的電容器係設置於上述顯示板的內部，上述開關 Φ 元件係設置於上述顯示板的外部。還有，最好，在上述第1態樣的液晶顯示器中，上述光學感測器包括完全擋光的光學感測器和不擋光的光學感測器’上述完全遮光的光學感測器的輸出和不遮光的光學感測器的輸出的差爲上述光學感測器的輸出。再有，在上述第1態樣的液晶顯示器中，作爲上述光學感測器的薄膜電晶體在製造步驟中，可以與形成於上述主動矩陣基板上的液晶顯示板的薄膜電晶體同時形成。 φ 另外，在上述第1態樣的液晶顯示器中，在上述對向電極上，可以外加按照一定的週期的矩形狀變化的電壓。此外，最好，在上述態樣中，在上述閘極上，外加下述電壓，該電壓按照與外加於上述對向電極上的電壓相同的振幅的矩形變化。還有，最好，在上述第1態樣的液晶顯示器中，在上 • 述光檢測部上，連接具有臨限値記憶部和比較部的控制機構，藉由該控制機構，在普通動作模式時，在上述比較部，對上述光檢測部的輸出與記億於上述臨限値記億部中的臨 -11 - 1354163 . 限値進行比較’根據此比較結果’進行上述照明機構的開/ 關控制，在初始設定模式時，一邊對上述光學感測器，照 ' 射作爲基準的光，一邊將上述光檢測部的輸出記憶於上述 ' 臨限値記億部中。 - 再有，最好，在上述態樣中，上述臨限値記憶部和比較部係設置在上述主動矩陣基板的周緣部所載置的驅動1C 內部。另外，本發明的第2態樣的液晶顯示器的發明，係一 # 種液晶顯示器，該液晶顯示器包括液晶顯示板，在該液晶顯示板中，在主動矩陣基板和具有對向電極的濾色基板之間，設置液晶層；光檢測部，該光檢測部具有檢測外光的光學感測器；照明機構，該照明機構藉由上述光檢測部的輸出進行控制，其中：上述光檢測部設置於上述主動矩陣基板的顯示區域的周緣部，採用作爲上述光學感測器之薄膜電晶體，在該薄膜電晶體的源極、汲極之間連接有電容器，該電容器中的 • 一邊端子側藉由第1、第2開關元件，與第1、第2基準電壓源連接，該電容器中的另一邊端子側與上述對向電極連接，在上述薄膜電晶體的閘極上，外加一定的電壓，該一定的電壓低於外加於上述對向電極上的電壓，並經常與反偏壓相對應’針對每個規定的幀期間，在較短時間，依次 ' 使上述第1、第2開關元件進行切換動作，將來自上述第1 • 或第2基準電壓源的基準電壓外加於上述電容器上而進行充電’檢測從斷開上述第1、第2開關元件起的規定時間後的上述電容器的電壓，由此，檢測外光。 -12- 1354163 . 此外，最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述光檢測部中的上述薄膜電晶體、電容器和開關元件係積體 '* 化於上述顯示板上。 ' 還有，最好’在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述 • 光檢測部的電容器係設置於上述顯示板的內部，上述開關元件係設置於上述顯示板的外部。再有，最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述開關元件係設置於放置在上述主動矩陣基板的周緣部上的 φ 驅動1C內。另外，最好’在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述光學感測器包括完全遮光的光學感測器和不遮光的光學感測器’上述完全遮光的光學感測器的輸出和上述不遮光的光學感測器的輸出的差爲上述光學感測器的輸出。此外’最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，在上述對向電極上，外加一定週期的矩形狀變化的電壓。還有’在上述第2態樣的液晶顯示器中，作爲上述光 φ 學感測器的薄膜電晶體在製造步驟中，可以與形成於上述主動矩陣基板上的液晶顯示板的開關元件的薄膜電晶體同時形成。再有’最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述規定的幀期間爲上述液晶顯示板用驅動信號中的垂直掃描 • 期間的整數倍。 - 另外，最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述第1、第2基準電壓源以外加於上述對向電極上的電壓爲基準’分別供給正的基準電壓和負的基準電壓，上述第1' -13- 1354163 . 第2開關元件按照下述方式控制，該方式爲：在供給上述對向電極的電壓爲低位準時，上述正的基準電壓外加於上 -* 述電容器上，在供給上述對向電極的電壓爲高位準時，上 ' 述負的基準電壓外加於上述電容器上。 • 此外，最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，上述 . 第1、第2基準電壓源分別供給下述的電壓，該電壓爲外加於上述對向電極上的高位準的電壓和低位準的電壓的中間之電壓。 # 還有，最好，在上述第2態樣的液晶顯示器中，在上述光檢測部上，連接具有臨限値記憶部和比較部的控制機構，藉由該控制機構，在普通動作模式時，借助上述比較部，對上述光檢測部的輸出與記憶於上述臨限値記憶部中的臨限値進行比較，根據此比較結果，進行上述照明機構的開/關控制，在初始設定模式時，一邊對上述光學感測器，照射作爲基準的光，一邊將上述光檢測部的輸出記憶於上述臨限値記憶部中。 φ 發明的效果本發明藉由具有上述的構成，獲得在下面所示般的優良的效果。即，按照本發明的第1態樣的液晶顯示器，光檢測部的接地端子與濾色基板的對向電極連接，外加於此對向電極上的對向電極電壓用於光檢測部的動作，由此， ' 在不設置接地電極等新的電極的情況下，可以照原樣兼用 - 液晶顯示板的對向電極，或將其延伸到設置光檢測部的區域，從而可作對應而使光檢測部的結構簡單。即，由於在對向電極上通常外加數個伏特的矩形波，故如果光檢測部 -14- 1354163 . 與此對向電極相對，則此矩形波電壓構成影響光感測器的錯誤動作的原因，但是，如果如本發明所示，積極地採用對向電極電壓1則可在不另外採用接地電極、接地線等的 ' 情況下，解決上述問題。此外，由於在薄膜電晶體的閘極 - 電極上，係外加經常外加於規定的反偏壓之電壓而非外加 . 於對向電極上之電壓，故即使在外加於對向電極上的電壓爲直流或交流的情況下，由於考慮此影響的電壓係外加於閘極電極上，故即便對向電極與光檢測部面對，仍可進行 • 準確的光檢測。另外’在上述第1態樣中，薄膜電晶體、電容器和開關元件的設置位置係既可設置於顯示板的內部，也可設置於顯示板的外部，比如，在設置於顯示板的外部時，光感測器的設置位置的自由度可增加，另外，如果積體化於顯示板上，由於可小型化光檢測部，並且可與主動矩陣基板的作爲開關元件的TFT製造時同時製造，故不必爲了設置光檢測部的電容器和開關元件而特別地增加製造工數。此 • 時，如果光檢測部的TFT也與上述電容器和開關元件一起，積體化於上述顯示板上，則可進一步小型化光檢測部。另外’由於在TFT的閘極電極上外加反偏壓時的洩漏電流係與光的強度成比例，故可藉由測定從斷開開關元件起的規定時間後電容器的電壓，簡單且具有高靈敏度地檢測光 ' 的強度。 - 此外’在上述第1態樣中，如果光檢測部的電容器設置於顯示板內，而光檢測部的開關元件設置於顯示板外，由於光檢測部的電容器係設置於顯示板上，可將其與主動 -15- 1354163 . 矩陣基板的作爲開關元件的TFT之製造時同時製造，故不必爲了設置光檢測部的電容器，特別地增加製造工數。此時’如果TFT也與上述電容器一起，積體化於上述顯示板上’則可進一步小型化光檢測部。另外，由於光檢測部的 - 開關元件係設置於顯示板的外部，故開關元件的設置位置 . 的自由度增加。另外，由於在TFT的閘極電極上外加反偏壓時的洩漏電流係與光的強度成比例，故可藉由測定從斷開開關元件起的規定時間後的電容器的電壓，簡單而具有 # 高靈敏度地檢測光的強度。還有，在上述第1態樣中，如果光學感測器包括完全遮光的光學感測器和不遮光的光學感測器，則由於藉由完全遮光的光學感測器的輸出，暗基準輸出穩定，故光學感測器的輸出的差異小，即使在周圍溫度變化的情況下，特性的變化仍少。於是，可正確地按照預定的規定的亮度，自動地對照明機構進行開/關控制。再有，在上述第1態樣中/，如果光學感測器的薄膜電 •晶體藉由與形成於主動矩陣基板上的作爲開關元件的薄膜電晶體相同的製造步驟而形成，則不必爲了設置光學感測器，而特別地增加製造工數。另外，在上述第1態樣中，如果在對向電極上外加按照規定的週期按照矩形狀變化的電壓，具體來說係外加按 ' 照規定週期，其極性相反的電壓，則在平時不在此對向電 - 極和光學感測器之間產生直流成分的電壓，即使在此期間’形成液晶層，仍沒有液晶性能變差的危險。 -16- 1354163 ；此外，在上述第1態樣中，即使在外加於光檢測部上的對向電極電壓爲比如，按照規定的週期，極性相反的矩 • * 形波電壓的情況下，如果在薄膜電晶體的閘極電極上，外 • 加與對向電極電壓同步，並且振幅與此對向電極電壓相同 - 的矩形波電壓，由於仍可確實在光檢測時，使薄膜電晶體 _ 的閘極截止，故光學感測器可以具有較高的靈敏度檢測光的強度。還有，在上述第1態樣中，在光檢測部中，包括具有 • 臨限値記憶部和比較部的控制機構，在進行普通的光檢測的普通模式時，藉著比較部，採用記憶於此臨限値記憶部的內部的臨限値，對光檢測部的輸出進行比較，進行照明機構的開/關控制，在設定記憶於臨限値記憶部中的臨限値的初始設定模式時，藉著對光學感測器照射作爲基準的光，將此時的光學感測器的輸出記憶於臨限値記億部中，則即使在光學傳感器具有特性的差異的情況下，由於藉由在初始設定模式時，照射作爲基準的光而進行校正，故可 • 正確地根據預定的一定的亮度，自動地對照明機構進行開/ 關控制。另外，由於形成基準的光可由最終用戶任意地選擇，故最終用戶可按照任意的周圍的亮度，自動地對背照燈等進行開/關設定。再有，在上述第1態樣，如果臨限値記憶部和比較部 ' 係設置於主動矩陣基板的驅動1C內，則不必特別是爲了設 . 置臨限値記憶部和比較部，增加主動矩陣基板的周緣部的尺寸，可小型化對於所謂的圖像顯示無效的額緣部的尺寸。 -17- 1354163 . 按照本發明的第2態樣的液晶顯示器，由於光檢測部與對向電極連接’在此對向電極上，外加按照規定的週期的矩形狀變化的電壓，比如，針對每個規定幀期間極性不 ' 同的對向電極電壓，控制第1、第2開關元件，由此，在 - 每個規定幀期間，按照相對對向電極電壓，以基準電壓進 . 行正負電壓交替的方式充電，故在液晶顯示板的液晶層上’外加交流成分的電壓，在光檢測部動作時，不會一直外加直流成分，這樣，可防止液晶的性能變差。另外，比 • 如，即使在外加於光檢測部上的對向電極電壓爲具有規定振幅的矩形波電壓，由於在薄膜電晶體的閘極電極上，相對外加於對向電極上的電壓，經常外加規定的反偏壓，故在光檢測部的動作時，確實使薄膜電晶體的閛極截止，可以較高的靈敏度檢測光的強度。另外，在上述第 2態樣中，薄膜電晶體、電容器和開關元件的設置位置係既可在顯示板的內部，也可在外部，比如，當設置在顯示板的外部時，光感測器的設置 ® 部位的自由度可增加，另外，如果積體化於顯示板上，由於可小型化光檢測部，並且可與主動矩陣基板的作爲開關元件的TFT之製造時同時製造，故不必爲了設置光檢測部的電容器和開關元件，特別地增加製造工數。此時，如果光檢測部的TFT也與上述電容器和開關元件一 * 起，積體化於上述顯示板上，則可進一步小型化光檢測部。另外，由於在TFT的閘極電極上外加反偏壓時的洩漏電流係與光的強度成比例，故可藉由測定從斷開開關元件起的規定時 -18- V： 5 ) 1354163 間後的電容器的電壓’簡單而具有高靈敏度地檢測光的強度。此外’在上述第2態樣中，如果光檢測部的電容器設 • 置於顯示板內’光檢測部的開關元件設置於顯示板外，由 - 於光檢測部的電容器係設置於顯示板上，可將其與主動矩 . 陣基板的作爲開關元件的TFT之製造時同時製造，故不必爲了設置光檢測部的電容器，特別地增加製造工數。此時，如果TFT也與上述電容器一起，積體化於上述顯示板上， • 則可進—步小型化光檢測部。另外，由於光檢測部的開關元件係設置於顯示板的外部，故開關元件的設置位置的自由度增加。另外，由於在TFT的閘極電極上外加反偏壓時的洩漏電流係與光的強度成比例，故可藉由測定從斷開開關元件起的規定時間後的電容器的電壓，簡單而具有高靈敏度地檢測光的強度。還有，在上述第2態樣中，如果開關元件設置於驅動 1C內，由於在製造驅動1C時，開關元件也容易形成，故不 φ 必另外地形成開關元件。再有，在上述第2態樣中，如果光學感測器包括完全遮光的光學感測器和不遮光的光學感測器，則由於藉由完全遮光的光學感測器的輸出，暗基準輸出穩定，故光學感測器的輸出的差異小，即使周圍溫度變化的情況下，特性 ' 的變化仍少。於是，可準確地按照預先設定的一定亮度， . 自動地對照明機構進行開/關控制。再有’在上述第2態樣中，由於作爲光學感測器的薄膜電晶體可與主動矩陣基板上的作爲開關元件的薄膜電晶 -19- 'C： 5 > 1354163 ; 體製造時同時製造，故不必爲了設置光學感測器而特別地增加製造工數。 '* 另外，上述第2態樣中的規定幀期間爲液晶顯示板用 • 驅動信號的垂直掃描期間的整數倍，如果在此期間，改變 - 極性，將規定的基準電壓供給光檢測部，對電容器進行充電，由於在光檢測部動作時，在液晶顯示板的液晶層上，係外加交流成分的電壓，不會一直外加直流成分，故可防止液晶的性能變差，另外干擾減少。 φ 此外，在上述第2態樣中，如果外加於電容器上的基準電壓，係在對向電極電壓爲高位準時，相對此對向電極電壓爲負的基準電壓，另外在對向電極爲低位準時，相對此對向電極電壓爲正的基準電壓，由於在光檢測部動作時，在液晶顯示板的液晶層上被外加交流成分的電壓，不會一直外加直流成分，故可防止液晶的性能的變差。還有，在上述第2態樣中，藉著使上述基準電壓爲作爲外加於上述對向電極上的高位準的電壓和低位準的電壓 B 的中間的電壓，可容易形成基準電壓。再有，在上述第2態樣中，在光檢測部包括具有臨限値記憶部和比較部的控制機構，在進行普通的光檢測的普通模式時，藉由比較部，採用記憶於此臨限値記憶部內的臨限値，對光檢測部的輸出進行比較，進行照明機構的開/ ' 關控制，在設定記億於臨限値記憶部中的臨限値的初始設 . 定模式時，如果藉由對光學感測器，照射作爲基準的光，將此時的光學感測器的輸出記憶於臨限値記憶部中，則即使在光學傳感器具有特性的差異的情況下，由於藉由在初 -20- 1354163 . 始設定模式時，照射作爲基準的光，進行校正，故可準確地根據預定的規定的亮度，自動地對照明機構進行開/關控制。另外，由於作爲基準的光可由最終用戶任意地選擇， • 故最終用戶可按照任意的周圍的亮度，自動地對背照燈等 - 進行開/關控制的方式進行設定。【實施方式】用於實施發明之較佳形態下面，利用附圖，對實施本發明的較佳形態進行詳細 • 描述，但是，下面描述的實施例，係作爲用於具體實現本發明的技術構思的液晶顯示器的半透射型液晶顯示器的實例，並不在將本發明限定在此實施例，本發明只要在不脫離申請專利範圍所示的技術構思的情況下，可等同地適用於實現各種的變更。首先，利用第第1圖〜第3圖，對作爲光學感測器的 TFT (下面，稱爲“ TFT光學感測器”）的已知的動作原理和驅動電路進行描述。另外，第1圖爲表示TFT光學感測 φ 器的電壓一電流曲線的一實例的圖，第2圖爲採用TFT光學感測器的光檢測部的電路圖，第3圖爲表示亮度不同的場合的第2圖所示電路圖中電容器的兩端的電壓一時間曲線的圖。 TFT光學感測器具有實質上與用作主動矩陣型液晶顯 ' 示板的開關元件的TFT相同的結構。此TFT光學感測器， • 如第1圖所示，具有下述的特性，即，在遮光的場合，在閘極截止區域，流動有非常小的暗電流，但是如果光與溝道（channel )部時，則對應於此光的強度（亮度），洩漏 -21 - 1354163 ；電流增加。於是’如第2圖的光檢測部LS的電路圖所示’ 在TFT光學感測器的閘極電極心上外加形成閘極截止區域 * 的一·定的反偏壓（比如，一 10V)，在汲極電極Dl與源極 • 電極Si之間，並聯電容器C’開關元件SW接通，一定的 - 基準電壓Vs (比如，+2V)外加於電容器C的兩端上’然後，如果開關元件SW斷開，則電容器C的兩端的電壓係對應於TFT光學感測器的周圍的亮度，如第3圖所示，隨著時間而降低。於是，如果在從開關元件SW斷開起的規 φ 定時間t。後’測定電容器C的兩端的電壓，由於在此電壓和TFT光學感測器的亮度之間，反比例關係成立，故可求出TFT光學感測器的周圍的亮度。實施例1 其次，使用第4圖〜第5圖，對組裝有本發明實施例 1的光學感測器的半透射型液晶顯示器進行描述。另外，第4圖爲以透視液晶顯示器的濾色基板的方式表示主動矩陣基板的模式化平面圖，第5圖爲第4圖中V— V線剖開 φ 的剖視圖。液晶顯示器1，如第5圖所示，具有下述的結構，其中，在主動矩陣基板（下面稱爲“TFT基板” ）2和濾色基板（下面稱爲"CF基板” ）25之間，形成液晶層14，該主動矩陣基板2由在表面上裝載薄膜電晶體（TFT)等的， • 透明的，具有絕緣性的材料，比如，玻璃基板形成，在該 • 濾色基板25的表面上形成濾色器等。其中的TFT基板2’係在其顯示區域da，呈矩陣狀形成閘極線4和源極線5，在由閘極線4和源極線5圍繞的部 -22- < S ) 1354163 分’形成像素電極12，在閘極線4和源極線5的交叉部，形成與像素電極12連接的，作爲開關元件的TFT (參照第 7圖）。另外，光檢測部LSI，係如下述，設置於顯示區域 DA的周緣部，更具體地說，係接近於塗敷顯示區域da的密封材料6部分的位置。此等之各佈線、TFT和像素電極，在第5圖中，將此等作爲第1結構物3而示意性地示出，具體的結構，係在第6圖〜第8圖中示出，在後面進行描述。在TFT基板2中，如第4圖所示，在其短邊部，設置可撓性佈線基板FPC，該可撓性佈線基板FPC用於連接驅動液晶顯示器1用的圖像供給裝置（圖中未示出），在此可撓性佈線基板FPC中，來自圖像供給裝置的資料線和控制線與驅動1C連接。VCOM信號、源極信號、閘極信號在驅動1C內產生，分別與TFT基板2上的公共線11、源極線5、閘極線4連接。另外，在TFT基板2的4個角部，設置多個轉移電極此等轉移電極10,-104透過公共線11，相互直接連接，或在驅動1C部相互連接而形成相同電位。各轉移電極1(^-104與後述的對向電極26電連接，從驅動1C輸出的對向電極電壓係外加於對向電極26般地形成。在CF基板25中，在玻璃基板的表面上，形成由R (紅）、G (綠）、B (藍）等的多種顏色形成的濾色器、黑色矩陣。此CF基板25與TFT基板2相對設置，並且黑色矩陣設置於至少與TFT基板2的閘極線4，源極線5相對應的位置，在藉由此黑色矩陣劃分的區域，設置有濾色 -23- 1354163 器。此等濾色器等具體的結構在圖中未示出，但是，在第 5圖中，此等部件作爲第2結構物27而以示意方式示出。另外’在CF基板25中，還設置有由藉由氧化銦' 氧化錫 • 等形成的透明電極構成的對向電極26»此對向電極26延伸 - 設置於與形成於TFT基板2上光檢測部LSI相對的位置（參照第5圖）。密封材料6塗敷於除了注入口（圖中未示出）以外的， TFT基板2的顯示區域DA的周圍。此密封材料6，比如， # 在環氧樹脂等熱硬化樹脂中，混合有絕緣性顆粒的塡料。另外’連接兩基板的接觸材料l〇a係由比如，在表面進行金屬電鍍的導電性顆粒和熱硬化樹脂所構成。在將兩基板2、25貼合時，按照下述的順序進行。首先’將TFT基板2置放於第1分配器上，按照規定圖案，塗敷密封材料6，接著’將TFT基板2置放於第2分配器上’在各轉移電極1〇,〜1〇4上塗敷接觸材料l〇a。然後，在 TFT基板2的顯示區域DA上均勻地散佈間隔件15，在CF # 基板25的密封材料6及接觸材料10a所接觸的部分，塗敷臨時固定用粘接劑。接著，將TFT基板2和CF基板25貼合’使臨時固定用粘接劑硬化，完成臨時固定。接著，當將已臨時固定的兩基板2，25進行加壓的同時，且進行加熱處理，則密封材料6和接觸材料丨〇a的熱硬化樹脂硬化， . 製成中空的液晶顯示板。從注入口（圖中未示出），將液 • 晶注入到此中空的液晶顯示板中，當用密封劑將此注入口封閉’則製成液晶顯示器1。另外，在TFT基板2的 -24- 1354163 下方’設置具有圖中未示出的公知的光源、導光片等的後照燈，及側照燈。其次，利用第6圖〜第7圖說明此液晶顯示結構。另外，第6圖爲以透視方式表示液晶顯ί 基的1像素分的平面圖，第7圖爲包括CF基板的 VII— VII剖視圖β 在TFT基板2的顯示區域DA上，按照等間地形成多個閘極線4，該多個閘極線4係由鋁、形成，另外，在相鄰的閘極線4之間的約略中間極線4同時平行地形成輔助電容線1 6，TFT的閘從閘極線4而延伸設置。另外，在TFT基板2上蓋閘極線4、輔助電容線16、閘極電極G的方式氮化矽或氧化矽等所形成的閘極絕緣膜1 7 »在閘上藉由閘極絕緣膜1 7，形成由非晶質矽，多結晶成的半導體層1 9，另外，在閘極絕緣膜1 7上，按線4相垂直的方式形成由鋁或鉬等的金屬所形成極線5，TFT的源極電極S從此源極線5延伸設濯電極S與半導體層19接觸。另外，其材料與源極極電極S相同且與它們同時形成的汲極電極D係極絕緣膜17上，此汲極電極D也與半導體層19 在追裏，由_極線4和源極線5圍繞的區域 1像素。另外，藉由閘極電極G、閘極絕緣膜1: 層19、源極電極S、汲極電極D，構成形成開關元1 在相應的各個像素上，形成此TFT。在此場合，電極D和輔助電容線1 6，形成各像素的輔助電溶 -25- 板、擴散器的像素 ^器的CF 第6圖的距而平行鉬等金屬處，與閘極電極G ，按照覆，堆積由極電極G 體矽等形照與閘極的多數源 :，此源極線5和源設置於閘接觸。係相當於、半導體尹的TFT，藉由汲極 1354163 . 按照覆蓋此等源極線5、TFT、閘極絕緣膜17的方式堆積由比如，無機絕緣材料所形成的保護絕緣膜18，在此 • · 保護絕緣膜18上，堆積由有機絕緣膜形成的層間膜20。在 ' 此層間膜20的表面上，在反射部R，形成微細的凹凸部， - 透射部T是平坦的。另外，在第7圖中，反射部R中的層間膜2 0的凹凸部省略。另外，在保護絕緣膜1 8和層間膜 20上，在與TFT的汲極電極D相對應的位置形成接觸孔 1 3。另外，在相應的各個像素中，在接觸孔1 3上和層間膜 Φ 20的表面的一部分上，在反射部r設置由比如，鋁金屬形成的反射電極R〇。在此反射電極R。的表面和透射部τ中的層間膜20的表面上，形成由比如，ITO形成的像素電極12。其次’使用第8圖，第9圖，說明光檢測部的結構及其動作。另外，第8圖爲基板上的光檢測部的剖視圖，第 9 A圖表示光檢測部的等效電路，第9 B圖爲表示光學感測器驅動時的各部分的輸出波形的時序圖。光檢測部LS1的電路結構係與第2圖的光檢測部LS • 約略相同，而不同之處在於與連接於汲極電極Di^和源極電極Si之間的電容器C連接的接地端子GR係通過轉移電極 1〇2，而與對向電極（第9圖中的VCOM) 26連接（參照第 5圖）。另外，此光檢測部LS 1的TFT光學感測器和開關元件SW係與設置於TFT基板2的顯示區域DA內部的作爲 • 開關元件的TFT同時地製作。 - 光檢測部LS 1係如第8圖和第9A圖所示，由TFT光學感測器和電容器C與由TFT形成的開關元件S W所構成。在TFT基板2的表面上，從下方，形成TFT光學感測 -26- 1354163 . 壓形成矩形波，在第9B圖中，高位準的對向電極電壓由 VCOMH表示，低位準的對向電極電壓由VCOML表示。另 • · 外，此VCOM係被外加於TFT光學感測器和電容器C上。 • 在TFT光學感測器的閘極電極Gi·上，照與此VCOM同步 • 地，外加規定的負電壓GV。此GV的其振幅與VCOM相同， . 並且電壓設定爲較VCOM的電壓，只低經常規定的反偏壓的量，比如10V。即，此GV的高位準的電壓的GVH爲VCOMH -10V，低位準的電壓的GVL被設定爲VCOML—10V。 Φ 在此狀態，在VCOM爲低位準時，如果關閉開關元件 SW，將基準電壓Vs外加於電容器C上，對其進行充電，由於在閘極電極上外加有GVL，故此電容器C的充電電壓因TFT光學感測器的光照射造成的洩漏電流而降低，獲得第9B圖所示的輸出電壓波形。另外，藉由檢測此電壓，可檢測外光。另外，在上述之實施例1中，在VCOML的期間，關閉開關元件SW，對電容器C進行基準電壓的充電，但是，也可利用VCOMH期間，進行充電。 • 另外，此光檢測部LS 1的輸出，被輸入到背照燈控制機構1A中，進行照明機構的開/關控制。此外，第10圖爲構成控制機構的方塊圖。光檢測部LS 1的輸出，係被感測器控制部30所處理，輸入到比較部3 3的一邊端子中，並且還輸入到模式控制部 ' 31中。模式控制部31藉由來自外部的輸入信號，切換普通 • 動作模式和初始設定模式，在初始設定模式時，感測器控制部30的輸出輸入到臨限値記憶部32中而被記憶，在普通動作模式時，實現感測器控制部3 0的輸出中斷，另外，

-28· 1354163 . 臨限値記憶部3 2將所記憶的臨限値輸出給比較部3 3的另一端子。 -· 此外，在普通動作模式時，比較部33對來自感測器控 ’ 制部30的輸入信號和來自臨限値記億部32的輸入信號進 - 行比較，在來自感測器控制部30的輸入信號大於記億於臨 . 限値記憶部32中的臨限値（較暗）的場合，藉由開關部34，減少背照燈等35的光量，反之在來自感測器控制部30的輸入信號小於記憶於臨限値記億部32中的臨限値（較亮） Φ 的場合，藉由開關部34，增加背照燈等35的光量。還有，在選擇初始設定模式的場合，在模式控制部3 1 中，由於將來自感測器控制部30的輸出記憶於臨限値記憶部32中，故可藉由對TFT光學感測器，照射預先設定的亮度的光，記憶與該光的亮度相對應的臨限値β於是，即使在TFT光學感測器的光一電特性具有差異的情況下，仍可以預定的亮度爲邊界，正確地對背照燈等進行開/關控制。在此場合，預定的光的亮度既可在製造步驟按照一致 φ 的値確定，也可由最終用戶按照偏好，以適合的亮度，自動地對背照燈等進行開/關控制的方式進行改變。另外，在比較部33中，由於不頻繁地對背照燈等進行開/關控制，故可還具有改變開時的亮度和關時的亮度，即，磁滯特性。此磁滯特性可藉由在比較部 33中，設置磁滯比較器 (hpsteresis comprator)的方式簡單地實現》另外，所使用的TFT光學感測器不限於1個，也可採用多個。即，按照對多個TFT光學感測器的輸出進行平均處理的方式使用，或完全遮擋其中一邊TFT光學感測器的 -29· 1354163 • 光，將其用作暗基準値，取其與另一不遮光的TFT光學感測器的輸出的差値，由此，可提高亮度的測定精確度。實施例2 " 在上述實施例1中，充電到電容器C中的基準電壓Vs • 爲特定的電壓，但是，也可根據幀期間，改變此電壓。於 . 是’在下面，作爲本發明的實施例2，對設置2個充電於電容器C中的基準電壓的液晶顯示器1’進行描述。另外，本實施例2的液晶顯示器Γ的基本結構係與實施例1的第 • 1圖〜第8圖和第10圖所示者相同，只是實施例1中第9 圖所示的電路結構和隨著此電路結構的光檢測部的動作狀態不同而已，因此，在下面，與實施例1相同的結構採用同一，引用其說明，僅僅對不同的結構進行其之描述》第11圖爲表示實施例2的液晶顯示器的圖，第11A圖爲表示光檢測部的主要部分剖視圖，第1 1 B圖爲光檢測部的等效電路圖，第12圖爲表示TFT基板上的光學感測器和開關元件的剖視圖，第1 3圖爲表示第1 1圖所示的光檢測 φ 部的光學感測器驅動時的各部分的輸出波形和開關元件的動作時序的時序圖。實施例2的液晶顯示器1’的光檢測部LS2係如第1 i a 圖所示，被設置於顯示區域DA的外周緣，即，密封材料6 的塗敷區域的內側，與液晶層1 4接觸。在此電路結構中， • 如第11B圖所示，在TFT光學感測器的汲極電極Dt與源極 . 電極SL之間，並聯有電容器C，源極電極Sl和電容器C的一邊端子藉由第1、第2開關元件SW1，SW2 ’與第1、第 2基準電壓源Vsp，Vsm連接，另外，和與汲極電極Dl_連接 -30- 1354163 的電容器C的接地端子GR相對應的另一端子藉由轉移電極l(h，與對向電極26連接。 TFT光學感測器和各開關元件SW1，SW2，係均由TFT 所構成，形成於TFT基板2上。即，如第12圖所示，在 TFT基板2上，形成TFT光學感測器的閘極電極Gl、電容器C的一邊端子C_和構成其中一個開關元件SW1的TFT 的閘極電極Gs，按照覆蓋此等表面的方式，堆積由氮化矽、氧化矽等形成的閘極絕緣膜1 7。在TFT光學感測器的閘極電極GL上和構成開關元件SW1的TFT的閘極電極Gs上，分別經由閘極絕緣膜1 7，形成由非晶質矽及多結晶矽等構成的半導體層19·•和19s，另外，在閘極絕緣膜17上，按照與相應各個的半導體層19>•和19s接觸的方式設置由鋁，鉬等的金屬形成的TFT光學感測器的源極電極S t和汲極電極Dl、構成其中一者開關元件SW1的TFT的源極電極55和汲極電極Ds。其中，TFT光學感測器的源極電極S l和構成開關元件SW 1的TFT的汲極電極Ds相互延長地連接，形成電容器C的另一端子C2。此外，按照覆蓋TFT 光學感測器、電容器C和由TFT形成的開關元件SW1的表面的方式，堆積比如，由無機絕緣材料形成的保護絕緣膜 18，另外，在由TFT形成的開關元件SW1的表面上，覆蓋黑色矩陣21，以便不受到外部光的影響。此外，開關元件SW2也係藉由相同的方法，形成於TFT 基板2上，故在第12圖中予以省略。另外，在設置此光檢測部LS2的面對側的CF基板25上，如第1 1A圖所示的，對向電極26延伸設置到與此光檢測部LS2面對的位置，構 -31 - is) 1354163 • 成光檢測部LS2的TFT光學感測器的汲極電極Dl和電容器C中的另一端子（：2係通過接地端子GR和轉移電極1〇2, • « 與此對向電極26連接。 ' 下面，說明此光檢測部LS2的動作。 ' 在液晶顯示板的對向電極上，如第13圖所示，外加規 . 定振幅的對向電極電壓（下面，稱爲“ VCOM” ），具體來說，此電壓幅度由VCOMW表示，高位準時的電壓由VCOMH 表示，低位準時的電壓由VCOM表示的矩形波電壓，同時， ® 此VCOM外加於TFT光學感測器的汲極電極Dl和電容器C 的另一端子C2上。在TFT光學感測器的閘極電極G··上，與此VCOM同步般地外加規定的負電壓GV。此電壓GV其之振幅與VCOM相同，並且電壓設定爲較VCOM的電壓，只低經常規定的反偏壓的量，比如10V。即，此電壓GV的高位準的電壓的GVH爲VCOM—10V，低位準的電壓的GVL 被設定爲VCOM— 10V。在此狀態，在光檢測部LS 2上，外加針對每個規定的 • 幀期間，比如，每個奇數（ODD )幀和偶數（EVEN )幀期間而不同的基準電壓。比如，就ODD幀期間來說，在VCOML 的期間，使第1開關元件SW1接通（此時，開關元件SW2 斷開），由此，來自供給基準電壓（VCOML+Va)的第1 基準電壓源Vs P的電壓外加於電容器C上，對其進行充電。 * 藉由此充電，電容器C按照正的基準電壓Va進行正充電。 • 然後，如果第1開關元件SW1處於斷開狀態，爲了在TFT 光學感測器的閘極電極CK上外加閘極截止的電壓GV，本來沒有電流，但是，由於藉由TFT光學感測器的入射光， •32- 1354163 有洩漏電流流動，故電容器c的兩端的電位差慢慢地降低，獲得在第1 3圖的ODD帻期間所示出的輸出電壓波形。另外，在EVEN幀期間，在VCOMH的期間’接通第2 開關元件SW2(此時，開關元件SW1斷開）’將來自供給基準電壓（VCOML - Va)的第2基準電壓源Vsm的電壓外加於電容器C上，對其進行充電。藉由此充電’電容器C 按照負的基準電壓-Va’進行負充電。然後’如果第2開關元件SW2處於斷開狀態，爲了在TFT光學感測器的閘極電極Gi_上外加閘極截止的電壓GV，本來沒有電流，但是’ 由於藉由TFT光學感測器的入射光，有洩漏電流流動，故電容器C的兩端的電位差慢慢地降低，獲得在第13圖的 EVEN幀期間所示出的輸出電壓波形。如此，針對每個ODD/EVEN幀期間，在光檢測部LS2 上外加極性改變的基準電壓（VCOML+Va)或（VCOMH-Va )，由此，從光檢測部LS2，獲得交流成分的檢測輸出。另外，在光檢測部LSI的動作時，由於對對向電極26進行交流驅動，故直流電壓不外加於光檢測部LS 1和對向電極 26之間的液晶層1 4上，可防止液晶的性能變差。另外，由於規定的幀期間爲液晶顯示板用驅動信號的垂直掃描期間的整數倍，藉由配合此期間，使第1、第2 開關元件SW1，SW2進行切換動作，將極性改變的基準電壓（VCOML+Va)或（VCOMH — Va)供給光檢測部LSI，對電容器C進行充電’故在光檢測部LS 1動作時，在液晶顯示板的液晶層上外加交流成分的電壓，由於經常不外加直流成分，故可防止液晶的性能的變差，另外，雜波減少。 -33- 1354163 . 此外，在本實施例2中，如第13圖所示，基準電壓源VSP、VSM係分別供給相對VCOM， * « 基準電壓（VCOML+Va、VCOMH— Va)，但是 ' 絕對値亦可相當於供給對向電極26的電壓幅度 - 1/2°如果如此構成，不必爲了產生此基準電壓 . 設置佈線等，而可僅僅利用對向電極的電壓，轉緩衝器等的電路，形成基準電壓。另外，藉 2的光檢測部LS2輸出的輸出，係與實施例1 # 給第1 〇圖所示的背照燈控制機構1A的感測器由此，進行背照燈的控制。如上所述，按照本發明的各實施例的液晶 Γ ’由於用於進行背照燈的開/關控制的光檢外加於對向電極上的電壓而設計，故在於TFT 必另外設置接地電極等的情況下，可以設置光外，對在上述實施例1中，外加作爲對向電極性反轉的電壓，即，交流電壓的場合進行了描 B 由於即使在外加直流電壓的情況下，仍進行考極電壓的設計，故可良好地進行光檢測部的光還有，在上述實施例中，爲了能夠與用作的開關元件的TFT同時地製造光檢測部LS 1、光學感測器，對設置於TFT基板2的顯示區域 ' 緣部的實例進行了描述，但是，如果爲可檢測夕 - 則也可設置於顯示區域DA的外周緣部，即，的外側。另外，如果不必與用作液晶顯示板的 TFT同時地製造光檢測部LS 1、LS2的TFT光i 1第1、第2 極性不同的，此Va的 :VCOMW 的 Va而另外並且設置反由本實施例相同，傳送控制部30 ’ 顯示器1，測部還考慮基板2上不檢測部。另電壓的，極述，但是，慮了對向電檢測。液晶顯示板 LS2 的 TFT DA的內周、光的位置，密封材料6 開關元件的 :感測器，則 -34- 1354163 也可設置於液晶顯示板的外部，藉由獨立於液晶顯示扳的另外佈線機構，進行電連接。在此場合，另外光學感測器的製造工數增加，但是，可自由地設定光學感測器的設置部位。另外，在本實施例中，感測器控制部30、比較部33、模式控制部31、臨限値記憶部32、開關部34也可組裝於液晶顯示器1的驅動1C中。另外，臨限値記憶部32也可不設置於液晶顯示器1的內部，在此場合，可按照在液晶顯示器1的電源接通時，從具有外部的臨限値記億部32的主PC等，對液晶顯示器1進行初始處理的方式構成。另外，如果省略上述各實施例的液晶顯示器的反射電極R。，則獲得透射型液晶顯示器，反之，如果在像素電極 1 2的底部整體的範圍內，設置反射電極，則獲得反射型液晶顯示器。其中，在反射型液晶顯示器的場合，可以代替背照燈，甚至側照燈，而使用前照燈。【圖式簡單說明】第1圖爲表示TFT光學感測器的電壓一電流曲線的一例的圖；第2圖爲採用TFT光學感測器的光檢測部的電路圖；第3圖爲表示亮度不同的場合的第2圖所示的電路圖中電容器的兩端的電壓一時間曲線的圖；第4圖爲以透視本發明的實施例的液晶顯示器的濾色基板的方式表示主動矩陣基板的模式化平面圖；第5圖爲藉由第4圖中的V — V線剖開的剖視圖；第6圖爲以透視方式表示液晶顯示器的濾色基板的1 像素分的平面圖； -35- 1354163 第7圖爲包括濾色基板的第6圖的VII— VII咅IJ 第8圖爲基板上的光檢測部的剖視圖；第9A圖表示光檢測部的等效電路，第9B圖爲學感測器驅動時的各部分的輸出波形的時序圖；第1 0圖爲背照燈控制機構的方塊圖；第11圖爲表示實施例2的液晶顯示器的圖，第爲表示光檢測部的主要部分剖視圖，第1 1 B圖爲光的等效電路圖；第1 2圖爲表示TFT基板上的光學感測器和開關剖視圖；第13圖爲表示第11圖所示光檢測部的光學感動時的各部分的輸出波形和開關元件的動作時序圖。【主要元件符號說明】視圖；表不光 1 1 A圖檢測部元件的測器驅的時序 1，1， (半透射型）液晶顯示器 1 A 背照燈控制機構 2 TFT基板 4 閘極線 5 源極線 10ι 〜1〇4 轉移電極 10a 接觸材料 11 公共線 12 像素電極 25 CF基板 26 對向電極 -36- 1354163

30 感測器控制部 3 1 模式控制部 32 臨限値記憶部 33 比較部 34 開關部 35 背照燈等 LSI， LS2 光檢測部 S，Sl > Ss 源極電極 G > Gl ，G s 閘極電極 D，Dl ，D s 汲極電極 S W 開關元件 SW1， S W2 第1、第2開關元件 C 電容器 VCOM 對向電極電壓 T 透射部 R 反射部 R 〇反射電極

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Claims

1354163 第095131884號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國100年3月29曰修正十、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括液晶顯示板，在該液晶顯示板中，在主動矩陣基板和具有對向電極的濾色基板之間，設置液晶層；光檢測部，該光檢測部具有檢測外光的光學感測器；照明機構，該照明機構藉由上述光檢測部的輸出而進行控制，其中：上述光檢測部被設置於上述主動矩陣基板的顯示區域的周緣部，採用作爲上述光學感測器之薄膜電晶體，在該薄膜電晶體的源極、汲極電極之間連接有電容器，在上述薄膜電晶體的閘極電極上，外加一定的電壓，該一定的電壓低於外加於上述對向電極上的電壓，並經常與反偏壓相對應，上述電容器的一邊端子側藉由開關元件，與基準電壓源連接，上述電容器的另一端子側與上述對向電極連接，檢測從上述開關元件斷開起的，規定時間後的電容器的電壓，由此，檢測外光。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中上述光檢測部的上述薄膜電晶體、電容器和開關元件係積體化於上述顯示板上。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中上述光檢測部的電容器係被設置於上述顯示板內，上述開關元件係被設置於上述顯示板外部。 4 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中上述光 1354163 學感測器包括完全遮光的光學感測器和不遮光的光學感測器，上述完全遮光的光學感測器的輸出和上述不遮光的光學感測器的輸出的差爲上述光學感測器的輸出。 5 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中作爲上述光學感測器的薄膜電晶體在製造步驟中，與形成於上述主動矩陣基板上的液晶顯示板的薄膜電晶體同時形成。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中在上述對向電極上，外加規定的週期的矩形狀變化的電壓。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器，其中在上述閘極電極上，外加下述電壓，該電壓與外加於上述對向電極上的電壓相同的振幅的矩形狀變化。 8 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中在上述光檢測部上，連接具有臨限値記憶部和比較部的控制機構，藉由該控制機構，在普通動作模式時，在上述比較部，對上述光檢測部的輸出與記憶於上述臨限値記憶部中的臨限値進行比較，根據此比較結果，進行上述照明機構的開/關控制，在初始設定模式時，一邊對上述光學感測器，照射作爲基準的光，一邊將上述光檢測部的輸出記億於上述臨限値記憶部中。 9.如申請專利範圍第8項之液晶顯示器，其中上述臨限値記憶部和比較部，係被設置於放置在上述主動矩陣基板的周緣部上的驅動1C內》