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TWI352267B - - Google Patents

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TWI352267B
TWI352267B TW096143247A TW96143247A TWI352267B TW I352267 B TWI352267 B TW I352267B TW 096143247 A TW096143247 A TW 096143247A TW 96143247 A TW96143247 A TW 96143247A TW I352267 B TWI352267 B TW I352267B
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impedance
operational amplifier
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TW096143247A
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TW200836036A (en
Inventor
Shoji Kojima
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Publication of TW200836036A publication Critical patent/TW200836036A/zh
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Description

1352267 26033pifl 修正日期:100年5月30日 爲96143247號中文說明書無割線修正本 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於生成向負载供給的電壓且限制該負載電 流的電壓產生器,尤其是關於電子量測儀器(dectr〇nic measuring mstrument)或半導體測試裝置中所使用的具電 流限制器之電壓產生器。 又,本發明是關於應用有該具電流限制器之電壓產生 器的半導體測試裝置。 【先前技術】 具電流限制器之電壓產生器用於電子量測儀器或半導 體測試裝置t。貞載是電子零m賴元件的輸入端 子、1〇 (input output,輸入輸出)端子、電源端子等,且 用於藉由關為小於等於規定電流而防止錢的應力。 圖6表示專利文獻i中所揭示習知的具電流限制功能 的電壓產生器的構成例。 如圖6所示,上述電壓產生器具有電流緩衝器(贿细 er肖的運异放大器1、輸入阻抗2、電流限制用的輸 、反饋阻抗4、電流限_的箝位器5及箝位器6, 對輸入端子7施加其值可任意改變的正或負的輸入電壓 Vln°負載9與負載連接端子8連接。 甜位器5是由串聯連接著多個二極體的兩個電路所形 C-verse-parallel) 0 推位器6中的兩個二極體是反並聯連接著的。 接著’參照圖6對上述方式構成的具電流限制功能的 5 1352267 26033pifl 修正日期:1〇〇年5月30曰 爲96143247號中文綱書軸線修正本 电壓產生器的動作例加以說明。 對產生正電壓且負载電流lout流入負載9的情形(源 極電流的情形)時的電流限制動作加以說明。 此時對負載9供給預定的負載電壓Vom以提供負載電 流i〇Ut。此時,將供給至輸入端子7的輸入電壓Vin設為 正电壓Vout。若負載電流I〇ut處於電流限制範圍内,則藉 由反饋/且抗4將輸入電壓Vin直接傳送至該運算放大器 使得Vin —V2 = Vout。當負載電流i〇ut自運算放大器J =輸出阻抗3流出至負載9時,於輸纽抗3的兩端產 2 = ( VGltage dn)p ) ’使得V3〉*卜若負載電流工⑽ 處於^_範_,則運算放大器丨的輸出電壓…上 升,藉由反饋阻抗4使得vin=Vout。 若負載電流I〇ut達到電流限制值,則使得V3-Vout 南雪;^此處仰疋―極體的電流開始流動時的電屋(順 :i ’於石夕二極體(silic〇ndi〇de)的情形時為約 ί二是箝位器5中㈣連接的二極體的個數。例如, 個數為兩個時成為2xVF,達到約 =接=到電電箝位器5的順向的二 電壓VI上升。 幻貝輸入端 ,結果,藉由運算放大器丨的輸 :電流限制’負咖偏隨之下降,因此=降巧 V電流i2向箭頭方向亦流經箝位器6的二極體。1 6 1352267 26033pifl • 爲州43247號中文說明書無劃線修正本 修正日期:100年5月30日 自輸入端子7經由輸入阻抗2流動的電流i2而產生電壓 降,運异放大态1的正輸入端電壓V2下降。藉由正輸入 端電壓V2下降,負載電壓Vout下降,負载電流1〇加受到 電流限制。 其次,負載電流lout流入負載連接端子8的情形(匯 . 流電流(sink cu汀ent)的情形)時的動作,於輸入端子7 的輸入電壓Vin為負電壓時,且電流方向等與上述所說明 的方向相反的情形時,成為與上述相同的動作。 專利文獻1 :日本專利特開2002—123320號公報 然而,專利文獻1中所揭示的具電流限制功能的電壓 產生器,可列舉以下不良情形。(1)如圖7A所示,箝位 器5是連接著多段二極體者。因此其電流—電壓特性(以 下,稱作I/V特性)如圖7B所示,電流不會於某一電壓處 急遽變化,而會形成平滑的曲線。 .因此,先前的電壓產生器中並未進行如下限制,即, 當電流值達到預定值時電流於該預定值急遽變化,因此並 • 不適合於必須進行準確電流限制的用途。 (2) 構成箝位器5的二極體的順向電壓的溫度依存性 大。於普通的矽二極體的情況下,溫度每變化TC則順向 電壓就減少數mV程度。因此,先前的電壓產生器具有所 限制的電流值有著較大的溫度依存性的不良情形。 (3) 先前的電壓產生器中,箝位器5的I/V特性如圖 7B所示,其I/v特性取決於二極體的連接段數。換言之, 具有如下不良情形,即,電流限制值成為藉由電路的設計 7 1352267 26033pifl 修正日期:100年5月3〇日 爲96M3247號中文說明書無劃線修正本 的電流限制值。 值所規定的固定值,因此無法設定所需 【發明内容】 况,本發明的目的在於提供一種電 、電流限制特性良好且該電流限制 流限制功能的電壓產生器’及應用 由此,鑒於上述情 流限制值可任意地設定 的溫度依存性小的具電 其的半導體測試裝置。 本發明的具電流限制功能的電堡產生器是生成向負载 φ 供,的的電壓、且限制該負載電流的電壓產生器,其包括: 運异放大器;輸出阻抗,連接於上述運算放大器的輸出端 子與負载連接端子之間;反饋阻抗,連接於上述負載連接 端子與上述運算放大器的反相輸入端子之間;第' 丨箝位 器,連接於上述運算放大器的輸出端子與反相輸入端子之 間,及第2箝位器,連接於上述負載連接端子與上述運算 放大器的非反相輸入端子之間,且由二極體構成,上述第 1箝位器包括:定電壓產生單元,生成預定的定電壓且用 以限制流經上述輸出阻抗的電流;及可變阻抗單元,使由 鲁 上述定電壓產生單元所生成的定電壓可變,且’上述定電 壓產生單元具有預定的急遽電流/電壓特性。 藉此’即使電路規模較小,亦可於使用時任意地設定 電流限制值,且亦可提高該限制時的響應性。 作為該本發明的實施態樣,上述定電壓產生單元的電 流/電壓特性的溫度依存性變小。藉此,進而可減小電流限 制的溫度依存性。 作為本發明的實施態樣,上述定電壓產生單元包括生 8 26033pifl 修正日期:100年5月30日 馬96丨43247號中文說明書無劃線修正本 成正定電壓的第1定電壓產生單元、及生成負定電壓的第 2疋%壓產生單元,上述可變阻抗單元包括:第1可變阻 抗,元,自外部使上述第i定電壓產生單元所生成的正定 電壓可支,且將该正定電壓設定為任意值;及第2可變阻 抗早疋,自外部使上述第2定電壓產生單元所生成的負定 電壓可變,且可將該負定電壓設定為任意值。藉此,於使 用時了任思地设定電流限制上限值與下限值。 作為本發明的實施態樣,上述定電壓產生單元由預定 的電壓參考IC (integrated dreuit,紐電路)形成,上述 電壓參考1C,使作m經上述反饋阻抗,且該工作電 流處於不影響電流限制動作的範_。藉此,可使用市售 的電壓參考ic’而且能以低價獲得該電壓參考IC,從而較 便進而,即便使用市售的電壓參考ic,亦不會影響到 電流限制動作。 含作為本發明的實施態樣,上述可變阻抗單元由機械式 3良阻抗器、電子音量器(electronic volume)、及固定阻 抗與開_組合電路中的―個所形成。#此,可根據需要 使用各種電子零件作為可變阻抗單元。 β作為該本發明的實施態樣,上述輸出阻抗由可變阻抗 =構成。藉此,於使㈣可任意域確地設定電流 上限值與下限值。 w 作^本發明的實施態樣,將上述可變阻抗單元置換為 疋阻抗,且將上述輸出阻抗置換為可變阻抗單元。藉此, /、上述相同,即使電路規模小,可於使用時任意地設定電 1352267 26033pifl 爲 96)43247 號中文說明書無劃線修正本 修正日期:100年5月3〇日 流限制值,亦可提高紐料的響應性。 進而,本發明的半導體測試裝置包 =二需電==生器的半導趙測試裝置被: 器中的-^發明的具電流限制器之電《產生 於半^測==述具電流限制器之電壓產生器有效地用 又,本發明的半導體測試裝置是包括將預定的負載電 負載的被測試元件,且將負載電流限制為小 =於預疋值的具電流限制器之電麗產生器的半導體測試 裝置,上述具電流限制器之電壓產生器包括:運算放大器, 利用非反相輸入端子經由輸入阻抗而接收與上述負載電壓 相對應的電壓信號,且向負載供給預定的負載電愿;輸出 阻抗’連接於上述運算放大器的輸出端子與負載的一端之 間’且阻抗值為固定或可自外部改變;反饋阻抗,連接於 負載的一端與上述運算放大器的反相輸入端子之間;第'j 箝位器,連接於上述運算放大器的輸出端子與上述運算放 大器的反相輸入端子之間,且箝位電壓為半固定或可自外 部改變;以及第2箝位器’連接於上述負載的一端與上述 運算放大器的非反相輸入端子之間。 【實施方式】 以下’參照圖式說明本發明的實施形態。 (電壓產生器的第1實施形態) 圖1是表示本發明的具電流限制功能的電壓產生器的 1352267 26033pifl 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 修正日期侧年5月3〇日 第1實施形態的構成的電路圖。 該第1實施形態,如圖!所示,具有運算放大器卜 輸入阻抗2、輸出阻抗3、反饋阻抗4、籍位器1〇及籍位 :6,將輸入電壓Vin施加至輸入端子7,且負載 連接端子8連接。 、貝戟* 將經由輸入阻抗2施加至輸入端子7的輸入電壓% 供給至運算放大器i的非反相輸入端子(+輸入端子)。於 =器1的輪出端子與負載連接端子8之間連接著輸 反饋阻抗4 ’連接於負載連接端子8與反相輸入端子 之間’以將自負載連接端子8輸出的輸出霞v〇ut負反饋 至運算放大Hi的反相輸人端子(―輸人端子)。、 箝位器1〇用以限制流經與負載連接端子8連接的負載 9的,t’且連接於運算放大器丨的輸出端子與反: 輸入知子之間。該箝位器1G ’如圖丨所示,包括^電壓產 生可變電路12與定電壓產生可變電路14,該兩個電路12、 ^並聯連接於運算放大器1的㈣端子歧相輸入端子 之間。 魏定!ΐ產生可變電路12為產生電墨可變的電壓箝位 電路’生成正定錢(參考電幻Vzl,且自外部使 壓值可變’或可於使㈣自外部將定輕Vzi㈣壓值設 定為任意值。此外,定電黯生可變電路12與14所產生 之電壓值,除了如上述般可由外部改變的情況之外,也可 在電壓被改變之後再將其SJ定下來,此稱為相定。又, 11 26〇33pifl 〇43247號中文闘書無劃線修正本 修正日期:1〇〇年5月3〇日 =可變電路14’生成負定電釘參考電壓)Vz2, 的龍值分開地獨立自外部使其電壓 =或可於使科自外部將定雜Vz2的錢值設定為任
更具體而言’定電壓產生可變電路12具有生 二的定產生電路⑵、保護用二極物、J i 電壓Vzl的電屢值可變且可將該定電廢Vzl的電 壓值S又疋為任意值的可變阻抗器122。 於生電路121 ’例如圖2B的右側所示,為具有 的1C,該ί電H1電流急遽變化的急遽電流/電壓特性 定電壓i n纟電路121具有電壓控制端子,藉此使 性=度編產生電路121的電流/電壓特 的值==;222〜8=且抗值可變嫩^ ⑵,可使用機械式可變阻:為可變阻抗器 而控制阻抗值的電子或可藉由來自外部的控制 同樣’疋電麗產生可變雷 的定電壓產生4具有生成負定電麗Vz2 定==保護用二極艘143、及自外部使該 定為:意值將該定電壓―設 定電壓產生電聪_ 141, 路141例如圖2B的左側所示,為具有 12 1352267 26〇33pifl • 爲96l43247神文酬書無_修正本 修正日期年5月3〇日 於預定的定電壓Vz2電流急遽變化的急遽電流/電壓特性 的1C。該定電壓產生電路141具有電壓控制端子,藉此使 定電壓Vz2可變。又,定電壓產生電路141的電流/電壓特 性的溫度依存性小。進而,可變阻抗器142,與上述可變 阻抗器122相同’可使用機械式可變阻抗器或雷 等。保護用二極體⑷,保敎電缝生電路 向電壓影響,於可省略的情形時則可予以省略。 φ 作為定電壓產生電路121、14丨,可使用市售的電壓參 考1C,例如美國國家半導體(Nati〇nal Semic〇nduct〇r
Co卬orati〇n,NS)的產品編號為LM4〇41 (微功率精確分 壓基準(Precision Micropower Shunt Voltage Reference ))。 該電壓參考1C,以預定的電源電壓進行動作,生成預定的 疋電壓,且可藉由外部安裝而使用可變阻抗器而改變生 電壓。 此處’於使用上述電壓參考IC作為定電壓產生可變電 路12、14的定電壓產生電路12卜141時,如圖1所示, Φ 使用二極體丨23、I43以保護該1C。 又,於使用上述電壓參考IC作為定電壓產生電路 121 141時,工作電流(空載電流(idling eurrent))流經 反饋阻抗4,該工作電流使用不會對原來的電流限制動作 造成影響的阻抗值。 箝位6用以限制流經與負載連接端子8連接的負戴 9的電流lout ’且連接於負載連接端子8與運算放大器^ 的非反相輸入端子之間。該箝位器6,如圖示所示,使兩 13 1352267 26033pifl 修正日期:1〇〇年5月30日 • 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 個二極體61反並聯連接著。 負載9的一側與負載連接端子8連接,另一端侧接 地。負載9是作為半導體測試裝置的測試對象之被測試元 件等。 圖3是將圖1所示的箝位器1〇的可變阻抗器122、142 置換為可變阻抗器122a、142a的構成例。 可變阻抗器122a中組合著多個固定阻抗器1221與多 φ 個開關1222。即,多個固定阻抗器1221串聯連接,且開 關1222分別並聯連接於除了其中一個固定阻抗器1221以 外的其他固定阻抗器1221,可藉由自外部對該開關1222 進行接通辦開控制而改變阻抗值。多個固定阻抗器1221 的各阻抗值,使用成為所需的多個定電壓Vzl、Vz2的阻 抗值。 可變阻抗器142a中組合著多個固定阻抗器1421與多 個開關1422,與可變阻抗器122a的構成相同。 再者,開關1222、1422可使用機械式、電子式、光 φ M0S 繼電器(〇Ptlcal Metal Oxide Semiconductor relay,光 金屬氧化物半導體繼電器)式等各種開關β 其次,參照圖1及圖2Α〜圖2Β對由上述構成的第1 實施形態的動作例進行說明。 U)無負載情形時的動作 於負載9未與負載連接端子8連接且負載電流1〇也為 零時,負載連接端子8的輸出電壓v〇ut、運算放大器1的 反相輸入端子的電壓VI、運算放大器1的非反相輸入端子 ^52267 26〇33pifj 修正曰期:100年5月30日 爲96143247號中文說明書無割線修正本 的電壓V2、及輸入電麗Vin之間存在以下關係。 Vbut=Vl=V2==Vin·.. (1) 〜因此,該電路作為電麵輕器(讀啡進 2作。此時,祕H 6、1G的兩端不存在電位差從而未 二動有電流,因此該等箝位器6、1G不會對電路動作 任何影響。 (b)負載電流少的情形(未進行電流限制的情形) 此時’對負載9與負載連接端子8連接,且輸入電麼 jn與負載9的負載電壓VLL瞬間為的情形進 行說明。 負載電塵VLL,經由反饋阻抗4而負反饋至運算放大 态1的反相輪入端子,因此負載電壓VLL、運算放大器i =反相輸入端子的輸入電壓V1、及運算放大器「的非反 的輸入電壓V2成為V2> V1 ’運算放大器1使輸 出電壓V3瞬間上升。 出雷^果’經由輸出阻抗3流經負載9的電流增加,輸 大ί ί ΓΓ”上升至輸人電壓Vin為止。其後,運算放 因未達定電壓νζ1、νζ2β__狀^ ,(1)式的關係成立,且作為電壓隨耦器進行動作,
負載9供給與輸入電壓Vin相同的電壓。 B 再者,以上說明為瞬間Vin>VLL的情形,但於Vin <VLL時僅是輪出電流㈣的方向與上 與上述相同的動作。 令相反,進仃 15 26033pifl 修正日期:1〇〇年5月30日 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 (C)負載電流大的情形(進行電流限制的情形) 此時,對負載9辨間達到過電流(〇ver 的情 形進行說明。 此時,即使運算放大器1的輸出電壓V3上升或下降, 輸出電壓Vout亦不會上升或下降,輪出電壓與負载9 的電壓VLL的關係維持為如下(2)式所示。
Vout=VLL* · * (2) 此處’如圖1所示’於運算放大器i的非反相輸入端 子與負載連接端子8之間設置著箝位器6。又,若將輸入 阻才/L 2的阻抗值设為某程度大小的值(例如數1⑻〜數 kft),則運算放大器1的非反相輸入端子的輸入電壓v2 為如下(3)式所示。
Vout—VFs^V2^Vout+VFs· · · (3) 此處,VFs為構成箝位器6的二極體的順向電壓。 另一方面,如圖1所示,於運算放大器丨的反相輸入 端子與輸出端子之間設置著箝位器10。又,若將反饋阻抗 4的阻抗值設為某程度大小的值(例如數1 〇〇 kii〜數 kQ)’則運算放大器1的反相輸入端子的輸入電蜃vi成為 如以下(4)式所示。 V3-Vzl^Vl^V3 + Vz2··· (4) 此處,Vzl是定電壓產生可變電路12所生成的定電 壓’ Vz2是定電壓產生可變電路14所生成的定電壓(參照 圖2A*〜圖2B )。 當輸出阻抗3的阻抗值設為Rout時,輸出電流i〇ut 1352267 26〇33pifl 爲外⑷24?號中文說明書無劃線修正本 修正日期:1〇0年5月30日 可用以下(5)式表示。
Iout= (V3 —Vout) /Rout..· (5) 此處,若假定運算放大器1的輪出未飽和,則根據虛 擬短路(Imaginary short),以下(6)式成立。 VI = V2· · · (6) 其次,使用(2)式〜(6)式,分別求出輸出電流I〇ut 的最大值及最小值。
根據(3)、(4)及(6)式’可導出以下(?)及(8) 式。 V3-Vzl$Vout+VFs·.· (7)
Vout—VFs^V3 + Vz2· · · (8) 若對該等加以變形,則可得到以下(9)及(1 〇)式。 V3-Vout^Vzl+VFs* · · (9) V3 —Vout^ — Vz2 —VFs* · · (l〇) 若將該等的兩邊除以R〇ut,且應用(5)式,則輸出 電流lout成為以下(11)式所示者。
-(Vz2 + VFs) /Rout^Iout^ (VzlH-VFs) /Rout··· (11) 根據(li)式可知,輸出電流Iout的下限值由(Vz2 +,)/Rout規定’其上限值由(Vzl+VFs)心价規定。 換。之1¾第1實施开乂態中,輸出電、流I〇ut的下限值及上 限值,由齡H 6、箝位n1()及輸出阻抗3規定,因此, 該等作為電流限制電路而發揮功能。 如上所述,根據該第1實施形態,箝位器10的電流/ 17 1352267 26〇33pifl 修正日期:100年5月30日 爲如43247號中文說明書無劃線修正本 電壓特性如圖2B所示為叁遽去, 卜 電产PP制主〜'遽者因此,於箝位器10進行 刀L义制的十月形下,於達到其限制值 制,與先前相比雷产PP4 P進订电SlL限 ”无則相比U限制時的響應性得到提高。 小,據該第1實施形態’箝位器10的溫度依存性變 存性。目k於習知技術,可減小對電流關值的溫度依 進而,根據該第丨實施形態,於使科,可 任思地設定電流限制值,從而提高使用方便性。 途 (電壓產生器的第2實施形態) 楚是表示本發明的具電流限制功能的賴產生器的 苐2實施形態之構成的電路圖。 雷题實Ϊ形態中’如圖4所示,具電流限制功能的 電昼產生裔具有運算放大器卜輸入阻抗2、可變型輸出阻 ^3a、反饋阻抗4、籍位及籍位以,將輸入電壓 Vm施加至輸人端子7,且將負載連接於負载連接端子8。 即’該第2實施形態,以圖丨所示的第丨實施形態的 構成為基本’將圖丨所示的箝位器1〇置換為箝位器, 且將圖1所示的固定型輸出阻抗3置換為可變型輸出阻抗 3a ° 箝位器10a,如圖4所示,將圖1所示的定電壓產生 可變電路12的可變阻抗器122置換為兩個固定阻抗器 124、125 ’且將圖1所示定電壓產生可變電路14的可變阻 抗器142置換為兩個固定阻抗器144、145。 因此,箝位器l〇a中,定電壓產生可變電路12、14 18 1352267 26〇33pifl 修正日期:100年5月30日 爲9ό143247號中文說明書無劃線修正本 所分別產生的定電壓Vzl、Vz2為固定值,無法以圖i所 示的箝位器10的方式進行改變,或者無法設定為任意值。 由此’該第2實施形態中,將圖i所示的固定型輸出 阻抗3置換為可變型輸出阻抗3&。由此,第2實施形態中, 可藉由使用可變型輸出阻抗3a,而與第i實施形態相同地 改變輸出電流lout的電流限制值’或者將該值設定為任意 值(參照(11)式)。 φ 可變型輸出阻抗3a由可變阻抗器形成。該可變阻抗器 與圖1中的可變阻抗器122相同,可使用機械式可變阻抗 器或電子音量器等。 如上所述,根據該第2實施形態,可實現與第1實施 形態相同的作用、效果。 (電壓產生器的第3實施形態) 圖5是表示本發明的具電流限制功能的電壓產 第3實施形態之構成的電路圖。 該第3實施形態中,如圖5所示,具電流限制功能的 鲁 電壓產生器具有運算放大器卜輸入阻抗2、選擇型輸出阻 抗3b、反饋阻抗4、箝位器10及箝位器6,將輸入電壓 Vin施加至輸入端子7,且將負載連接於負載連接端子8。 再者,箝位器10亦可應用圖3的電路構成。 即,該第3實施形態,以圖1所示的第i實施形態的 構成為基本,將圖1所示的固定型輸出阻抗3置換為^ 型輸出阻抗3b。 ' 、 該選擇型輸出阻抗3b’如圖5所示具有多個固定型輸 1352267 26033pifl 爲96丨43247號中文_書_線修正本 阻抗3卜及選擇料乡侧輸 的選擇開關32。而且,於使用時㈣卜、+、= 31 ?的個 自外邱㈣德μ 時根據迷負载9的大小等, ^ ΐί夕關32而選擇多個輸出阻抗中的一 二=,夕個輪出阻抗31的各阻抗值可為相同值,亦可 為不同值。又,村對上述各阻抗值進行加權。
此第3實知形態中,使箝位器戶斤生成的定電屢 ^^Vz2可變’而且可選擇性地使用多個輸出阻抗Μ中 :固因此可根據用途來精確地改變輸出電流lout的電 ’瓜限制值或者可將該值設定為任意值(參照(11)式)。 而’轉第3實施形態’可實現與第1實施形態相 同的作用、效果。 (半導體測試裝置的實施形態)
修正日期:100年5月30日 與上述各實施形態令具電流限制功能的電壓產生器連 接的,載’較好的是作為電子制儀H或半導體測試裝置 的vl式對象的被測试元件等。因此,本發明中的具電流限 制功此的電壓產生器可應用於半導體測試裝置等。 因此’於本發明的具電流限制功能的電壓產生器應用 於本發明的半導體測試裝置時,半導體測試裝置具有上述 各,施形態令的具電流限制功能的電壓產生器。此時,於 對半導體裝置進行測試時,本發明的具電流限制功能的電 壓產生器’可將所需電壓供給至被測試元件。而且,於供 給所需電壓時’當大電流流經被測試元件時,可限制該電 流以保護被測試元件。 (其他實施形態) 20 1352267 26033pifl . 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 修正曰期:100年5月3〇日 再者,圖1所示的電路構成亦可為如下構成,即電流 測定器(未圖示)經由開關而連接於負載連接端子8。二 =,可調整可變阻抗器122、142或電子音量器的電流限制 根據本發明’可任意地設定電流限制值,而且其電流 限制特性良好。 又,根據本發明,與先前相比,可減小對電流限制值 Φ 的溫度依存性。 進而,根據本發明,可於使用時任意地設定電流限制 值,且可進行有自由度的電流限制。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的具電流限制功能的電壓產生器的 第1實施形態的構成的電路圖。 '
圖2A〜圖2B是表示圖1的箝位器與該箝位器 /電壓特性的一例的圖。 ° ",L 圖3是表示圖1的箝位器構成的變形例的電路圖。 • 圖4是表示本發明的具電流限制功能的電壓產生哭的 第2實施形態的構成的電路圖。 °° 圖5是表示本發明的具電流限制功能的電壓產生器的 第3實施形態的構成的電路圖。 ° 圖6是先前的具電流限制功能的電壓產生器的 圖。 。 圖7A〜圖7B是圖6的箝位器與該籍位器的 特性的一例的圖。 21 1352267 26033pifl 修正日期:1〇〇年5月30日 • 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 【主要元件符號說明】 1 :運算放大器 2 :輸入阻抗 3 :輸出阻抗 3a :可變型輸出阻抗 3b :選擇型輸出阻抗 4:反饋阻抗 5:電流限制用的箝位器 • 6、10、10a :箝位器 7 :輸入端子 8:負載連接端子 9 :負載 12、14 :定電壓產生可變電路 61、143 :二極體 121、 124、141 :定電壓產生電路 122、 142、122a、142a、122a :可變阻抗器 • 123:保護用二極體 125、144、145、1221、1421 :固定阻抗器 1222、1422 :開關 lout :輸出電流 il、i2 :電流 V :電壓 VI :反相輸入端子的電壓 V2 :非反相輸入端子的電壓 22 1352267 26033pifl 修正日期:1〇〇年5月30日 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 V3、Vout :輸出電壓 Vin :輸入電壓 Vzl、Vz2 :定電壓 VLL :負載9的電壓 VFs :順向電壓
23

Claims (1)

1352267 26033pifl 修正臼期:100年5月3〇日 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 七、申請專利範圍: 1. 一種具電流限制器之電壓產生器, 的電壓且限制上述負载之 =^負載供給 流限制器之電壓產生器包括: 〃特徵在於上述具電 運算放大器; 連接胁上_算放大器的輪出端子與負載 器的上㈣載連㈣子與上述運算放大 相輸於上述運算放大器的輪出端子與反 大*連接於上述負載連接端子與上述運算放 大时的非反相輸人端子之間,且由二極體構成, 上述第1箝位器包括: 參 流經上定】==成:定的_且-限制 的定;=單元’使由上述定電紐單元所生成 電4性t述定電衫生單元具有預定的急遽電流/ 2. 如申請專利範圍第j項所述的具電流限制器 依;上奴錢μ私的钱/電壓特性 3. 如申請專利範圍第i項或第2項所述的具電流限制 24 1352267 26033pifl 爲96143247號中文說明書無劃線修正本 修正日期:100年 月30日 器之電壓產生器,其特徵在於, 上述定電壓產生單元包括: 第1定電壓產生單元,用以生成正定電墨 第2定電壓產生單元,用以生成負定電壓 上述可變阻抗單元包括: 第1可變阻抗單元,自外部使上述第i 生單元所生成的正定電壓可變,且產 定為任意值1及 f Μ拉&電壓設 生單元,自外部使上述第2定電壓產 電壓可變’且將上述負定竭 哭之4電uttn第1項或第2項所述的具電流限制 的電壓參考IC構成,上述電壓參考1(:,使工; 上述反饋阻抗,且上述工作電* =電經 的範圍内。 4作電机處於不影響電流限制動作 。5.如巾請專利範圍第i項或第2項所述的 在於上述可變阻抗單元由:械』 号之6雷=專利範圍第1項或第2項所述的具電流限制 元構成。,其特徵在於上述輸㈣抗_變阻抗單 7.如申%專利㈣第〗項所述的具電流限制器之電壤 25 1352267 26033pifl 爲96143247號中文_書細線修正本 h Μ 將上述可變阻抗單元置換為固定阻 抗,且將上述輸出阻抗置換為可變阻抗單元。、為口疋阻 8. —種半導體測試裝置, 所需電壓的錢產生3|,上#、* D朗試元件施加 上述電由+導體測試裝置的特徵在於, t塗產生盗疋申請專利範圍帛!項或申 圍第7項所述的具電流限制器之鍾產生器。°月
產生裝置’包括-具電流限制器之電壓 器农、电^限制器之電壓產生器將 等於預疋值,上述半導购試裝置⑽徵在於, 上述具電流限制器之電壓產生器包括: 運异放大$,利用非反相輸人端子經由輸入阻 而接收與上述負載電壓相對應的電壓信 供給預定的負載電壓; 向負載
修正日期:100年5月30曰 屋生器 輸纽抗,連接於上述運算放All的輸出端子盘 負載的-端之間,且阻抗值為固定或可自外部改變^ 反饋阻抗,連接於負載的一端與上述運算放大器 的反相輸入端子之間; # ° 第1箝位器,連接於上述運算放大器的輪出端子 與上述運鼻放大器的反相輸入端子之間,且箝位電壓 為半固定或可自外部改變;以及 第2掛位器,連接於上述負載的一端與上述運算 放大器的非反相輸入端子之間。 26
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2475497B (en) * 2009-11-19 2012-03-28 Perpetuum Ltd Vibration energy harvester for converting mechanical vibrational energy into electrical energy
KR101528251B1 (ko) * 2014-06-25 2015-06-11 한국기계전기전자시험연구원 콤비형 스마트카드의 부채널 검사 장치 및 방법
KR101528253B1 (ko) * 2014-06-25 2015-06-11 한국기계전기전자시험연구원 스마트 카드의 접촉식 부채널 검사장치 및 방법
US9448571B2 (en) * 2014-12-12 2016-09-20 Filipower Integrated Technology, Inc. Voltage converting circuit having voltage feedback terminal
US9886047B2 (en) * 2015-05-01 2018-02-06 Rohm Co., Ltd. Reference voltage generation circuit including resistor arrangements
SG11201910036YA (en) * 2017-05-03 2019-11-28 Qualitau Inc Signal distribution apparatus
JP2023552842A (ja) * 2020-12-09 2023-12-19 アナログ・ディヴァイシス・インターナショナル・アンリミテッド・カンパニー Ateシステムの範囲切替不具合軽減
KR20240098732A (ko) 2022-12-21 2024-06-28 세메스 주식회사 비례제어 밸브 구동 회로 및 이를 갖는 비례제어 밸브 구동 시스템

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5422552A (en) * 1977-07-21 1979-02-20 Seiko Epson Corp Reference voltage source circuit
US5264781A (en) * 1992-03-05 1993-11-23 Ford Motor Company Current control/power limiter circuit
JP3457091B2 (ja) * 1995-03-17 2003-10-14 アジレント・テクノロジー株式会社 電圧電流特性測定装置
US5739678A (en) * 1996-12-18 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Voltage-to-current converter with rail-to-rail input range
JP2002123320A (ja) 2000-10-12 2002-04-26 Advantest Corp 電流制限機能付電圧発生器
JP2002182755A (ja) * 2000-12-08 2002-06-26 Advantest Corp 電圧印加装置及び電流印加装置
JP3871659B2 (ja) * 2003-06-25 2007-01-24 ローム株式会社 電源回路
JP2005293423A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Syswave Corp 双方向電源回路
JP2006133109A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Fujitsu Ltd 半導体試験装置
US7602161B2 (en) * 2006-05-05 2009-10-13 Standard Microsystems Corporation Voltage regulator with inherent voltage clamping
JP4707608B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-22 株式会社アドバンテスト 測定回路及び試験装置
US7579813B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-25 Inventec Corporation Power regulator having a voltage regulator module and having a voltage buffer module to provide a constant voltage output
TW201013355A (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Advanced Analog Technology Inc Low drop out regulator with fast current limit

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