TWI352251B - Flat panel display - Google Patents

Description

1352251 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種平面顯示器，且更特定言之，本發明 係關於一種含有一有機半導體層之平面顯示器。 【先前技術】 平面顯示器包括一具有一薄膜電晶體（TFT)之薄膜電晶 體基板’該薄膜電晶體充當一用於控制或驅動每一像素之 操作之開關或驅動裝置。通常，TFT包含一閘電極、由安 置於其間以界定一通道區域之閘電極分離之源電極及汲電 極、及一半導體層。該半導體層使用非晶矽或多晶矽。最 近’有機半導體已應用於半導體層。 有利地，有機半導體可在常溫及常壓下形成，藉此減少 製造成本，且其在加熱下使用可塗覆於塑膠基板。作為一 額外之優勢’有機半導體可經由一噴墨方法來形成，因為 其係可熔的。 為使用喷墨方法形成一有機半導體層，首先使用一護堤 (bank)形成一空間以允許有機半導體溶液喷射進其中，且 在有機半導體溶液喷射進護堤之後，有機半導體層經由溶 劑移除製程而形成。 然而，’當喷射有機半導體溶液時，有機半導體溶液之所 喷射之液滴可彈回，進入鄰近像素之護堤中。彈回係有問 題的，因為像素中之有機半導體層之厚度可彼此不同，進 而產生非均句之TFT。在其中具有高度整合之像素之高精 度平面顯示器的狀況中，較難控制喷墨製程’進而對像素 114374.doc 1352251 及TFT賦予了非均勻性。 【發明内容】 因此，本發明之—態 面顯示器。 〜樣从供-具有均勻TFT特性之平 ^發明Γ前述及/或其他態樣可藉由提供-平面顯示器 而成，邊平面顯示器包含：複數個閘極線；與閘極線嗯 數個資料線，其中個別資料線與個別閘極線相交以 界疋一像素；及複數個薄膜電晶體（TFT)，該等TFT中之每 -者含有-有機半導體層且安置於該像素中 個爪中之多個TFT安置於—延伸至鄰近於複數個了^ 其他TFT之閉極線的方向上，其中在一延伸至閉極線之方 向上之鄰近TFT之間的距離長於在一延伸至間極線之方向 上的像素之寬度。 根據本發明之實施例，像素包含在_延伸至閘極線之方 向上彼此鄰近之第一及第二像素，且該TFT包含分別提供 於該第-及該第二像素中之第一及第二TFT :且其中該第 - TF 丁提供於該第—像素之—中間區域中同時鄰近於該資 料線，且該第二TFT提供於該第二像素之一下部區域中同 時鄰近於該閘極線。 根據本發明之實施例，平面顯示器進一步包含一將該像 素劃分為上部及下部之額外閘極線，其中該第一 tf丁連接 至該額外閘極線》 根據本發明之實施例，平面顯示器進一步包含—自該閘 極線分支且沿該資料線延伸同時鄰近於該資料線之分支閘 114374.doc 1352251 極線，其中該第一TFT連接至該分支閘極線。 根據本發明之實施例，分支閘極線延伸至第一像素之 間區域。 ”之中 根據本發明之實施例，像素包含在一延伸至閘極線之方 向上彼此鄰近之第一及第二像素，且該TFT包含分別提供 於該第一及該第二像素中之第一及第二TFT :且其中該第 一 TFT提供於該第一像素之一上部區域中同時鄰近於該資 料線，且該第二TFT提供於該第二像素之_下部區域中同 時鄰近於該閘極線。 根據本發明之實施例，第一及第二像素相對於彼此而交 替配置。 根據本發明之實施例’該等鄰近TFT之間的距離比該像 素之寬度大約1.2至約3.16倍之間。 根據本發明之實施例，有機半導體層藉由一喷墨方法來 形成。 根據本發明之實施例，該TFT包含一形成於一絕緣基板 上之閘電極’其中該源電極及汲電極經間隔以界定一通道 區域’該閘電極插入於其間，且其中該有機半導體層形成 於該通道區域上。 根據本發明之實施例’平面顯示器進一步包含一用於環 繞該通道區域且用於曝露該源電極及該汲電極之每一者之 至少一部分的護堤，其中該有機半導體層形成於該護堤 内。 根據本發明之實施例，該源電極及汲電極之每一者由 114374.doc 1352251 ITO及IZO中之一者製成。 根據本發明之實施例，護堤之表面具有拒水性及拒油 性。 根據本發明之實施例，該TFT包含一形成於該絕緣基板 上之遮光膜；其中一絕緣薄膜覆蓋該遮光膜，其中該源電 極及沒電極經間隔以界定一通道區域’該遮光膜插入於其 間；且其中該有機半導體層形成於該通道區域上。 根據本發明之實施例，平面顯示器進一步包含一形成於 一對應於該有機半導體層上之該遮光膜之一位置處的閘電 極，且一第一保護膜插入於該有機半導體層與該閘電極之 間。 根據本發明之實施例，有機半導體層包含含有并四苯或 并五苯取代基之衍生物中之一者；具有經由°塞吩環之2及5 位置彼此耦合之4至8個嗟吩環之寡嘍吩；茈四甲酸二肝 (PTCDA)或其醯亞胺衍生物；萘四曱酸二酐（NTCDA)或其 醢亞胺衍生物；金屬化駄菁或其函化衍生物；苑或六苯并 苯（coronene)及含有其取代基之衍生物；伸噻吩基及伸乙 烯基之共寡聚物或共聚物；噻吩伸噻吩基或六笨并苯，及 含有其取代基之衍生物；及在該等材料之芳環或雜芳環中 含有1至3 0個碳之一或多個烴鏈的衍生物。 【實施方式】 現對本發明之實施例進行詳細參考，在附圖_說明本發 明之實例’其中相似之參考數字全篇指代相似之元件。下 文描述該等實施例以藉由參看附圖而說明本發明。應瞭解 114374.doc 1352251 若一薄膜（層）形成（定位）於在另一薄膜⑷"上"，此不僅意 此接觸之狀況，且意謂另一薄膜（層）插 入於兩個薄膜（層）之間的此 的狀况。此外，顯然，雖然下文中 描述一液晶顯示器作為一 句說明性貫例，但其並不限制於 此’而是可適用於其他諸如古拖 '、他。f如有機發光二極體（〇LED)及電 漿顯示面板（PDP)之平面顯示器。 圖1為根據本發明之一楚 ^ J t K第一實施例之TFT基板的布局圖，

圖2為圖1之區域‘q’之放大芈而国 Y A十面圖，且圖3為沿圖2之線III- ΠΙ而獲取之橫戴面圖。 根據本發明’平面顯示器i 〇包含一薄膜電晶體（丁ft)基 板100、一彩色濾光片基板2〇〇、及一在兩基板1⑼與2⑼之 間插入的液晶層300。TFT基板1〇〇具備一 TFT，其可充當 -用於控制像素之操作之開關裝置；或一用於驅動像素之 刼作之驅動裝置。彩色濾光片基板“❹與打丁基板1〇〇結合 且面向TFT基板1〇〇。

首先，現將描述TFT基板10(^ TFT基板1〇〇包含—絕緣 基板110 ;形成於絕緣基板110上之一矩陣中之複數個閘極 線路120及資料線路14〇 ; 一充當形成於閘極線路12〇及資 料線路140之相交處之開關裝置的薄膜電晶體（tft)t ;及 一連接至TFT T之像素電極190。信號電壓經由TFT τ施加 至像素電極190與彩色濾光片基板200之共同電極25〇之間 的液晶層300，該液晶層300根據信號電壓而配置，使得透 光率藉此被建立。 絕緣基板110可包括一絕緣材料，該絕緣材料包括（但不 114374.doc -10- ^52251 限制於）玻璃、石英、陶瓷及塑膠。有利地，在Τρτ T3用 於製造可撓性平面基板10之情況下可使用塑膠基板。此 處，塑膠基板可由適當塑膠材料製成，塑膠材料包括（但 不限制於）pc(聚碳酸酯）、ΡΙ(聚醯亞胺）、ρΝΒ(聚降冰片 烯）、PES(聚醚砜）、PAR(聚丙烯酸酯）、ρΕΝ(聚乙烯環烷 酸酯）及PET(聚對苯二甲酸乙二酯）塑膠材料中之一者。

一般而言，閘極線路120(例如，為導電金屬薄膜）使用適 當導電金屬薄膜而形成於絕緣基板11〇上，該適當導電金 屬薄膜包括（但不限制於）Au、pt、pd、AI、&、AMU、 或MoW導電金屬薄膜中之—者。便利地閘極線路㈣可 形成為一單層導電金屬薄膜或形成為一雙層導電金屬薄 膜。閘極線路120包括一閘極線121、一閘極焊塾123及一 閘電極122。閘電極122為成為爪了之部分之閘極線ΐ2ι的 部分。閘極焊墊123使一所施加之外部閘極信號能夠經由

閘極二⑵傳輸至閘電極122β 一般而言，閘極線路12〇包 含在橫向上延伸之複數個閘極線121。 一般而言’閘極線連接至複數個閘電極，用於個別開極 線之閘電極以-交替方式提供至由個別閑極線橫過的像 素：舉例而言，參看，及圖2’第一像㈣經安置鄰近於 第-像素Ρ2。第-閘極線121a延伸至且橫過第二像素Μ及 鄰近之第-像素Ρ1。第二閉極線121b延伸至第二像素以及 鄰近之第一像素P1之下周邊且沿該下周邊延伸。第二閘極 線⑵b在大體平行於第一閘極線ma之方向上延伸。第一 閘極線121a連接至閘電極122a、122c，其以一交替方式每

114374.doc -II · 隔一像素而提供至由個別第一閘極線1213橫過之像素。額 • 外之間電極（諸如，閘電極122b)連接至―第二閘極線lm ·. 且以—交替方式提供至鄰近於第一閘極線像素之像素。第 . 閘極線121 a供應一閘極信號至（例如）安置於像素P1之上 部中之閘電極丨22，且第二閘極線121b供應一閘極信號至 (例如）鄰近像素P2之下部中之閘電極122。以交替方式， 第閘極線121 a亦連接至由第一閘極線121 a橫過的像素， • 其鄰近於第二像素P2,但相對於第二像素P2之位置而通常 相對於第一像素P1。以一類似之交替方式，第二閘極線 121b亦連接至一沿第二閘極線121b而安置之像素，其鄰近 於第一像素P1，但相對於第一像素P1之位置而通常相對於 第二像素P2。 絕緣薄膜130為在絕緣基板110上使閘極線路120與覆蓋 閘極線路120之資料線路140之間電絕緣的層。該絕緣薄膜 130可由諸如氮化矽（SiNx)或二氧化矽（Si〇x)之無機材料製 φ 成。另外，雖然未加以展示，但由一有機材料製成之薄膜 可形成於無機絕緣薄膜130上。可需要厚的有機薄膜以保 護隨後沈積之有機半導體層17〇免受在後續製程步驟（諸 如’產生接觸孔181或產生用於曝露形成於絕緣薄膜13〇上 之閘極焊墊123之接觸孔131)期間所使用之剩餘化學材料 • 或電聚之侵蝕。在絕緣薄膜130為有機薄臈的實施例中， ' 可需要包括諸如BCB(苯并環丁烯）、矽聚合物或pvv(聚對 本伸乙稀）之有機材料中之至少一者。 資料線路140包含一在絕緣線路1 30上在一方向上延伸之 114374.doc 12 1352251 一料線14 1、一形成於資料線丨4丨之一端用於自外側接收驅 • 7或控制信號之資料焊墊M2、一自該資料線分支且既而 * 申至閘電極122之源電極143、及一相對於源電極143而 . 疋位之汲電極。閘電極122安置於源電極143與汲電極 1 44之間。資料線路140可包括一具有良好傳導率之廉價金 屬（包括但不限制於八卜〇或M〇金屬）及較昂責但適當導電 之金屬（包括但不限制於Au、Pt及Pd)。此外，為簡便起 _ 見，資料線路14〇可由與閘極線路120之材料相同的材料來 製成。便利地，資料線路140可形成為單金屬層或形成為 雙金屬層。資料線14丨與閘極線121絕緣。像素可藉由使閘 極線121與資料線141相交而界定。在圖2中，舉例而言， 最接近閘電極122之在源電極143與汲電極144之間的區域 界定為通道區域"C”。 理想地，源電極143與汲電極144可由導電聚合物（包括 但不限制於1T0(氧化銦錫）及IZO(氧化銦鋅））製成，因為 • IT〇(氧化銦錫）及1Z0(氧化銦鋅）通常展示一大的功函數， 且相比較於金屬’易於簡化濺鍍及微型圖案之形成。 護堤160形成於源電極143、汲電極144及源電極與沒電 極未覆蓋之絕緣薄膜130之一部分上。護堤16〇充當一用於 形成有機半導體層170之框架（一般而言）以防止有機半導體 -層170由於所塗覆之有機半導體材料之置放、定位或量之 不理想的不均勻性而不規則地形成。 護堤160之部分形成一封閉空間，其環繞通道區域"c,,而 同時允許曝露源電極143及汲電極144中之每一者之至小一 114374.doc 13 1352251 部分。護堤160可由含氟聚合物製成。通常，需要組成護 堤160以使得其擁有通常相對於所塗覆、所滴入護堤16〇上 之油墨之可濕性特徵的可濕性特徵。因此，在油墨呈現_ 親水性特性之情況下，護堤丨6〇可經組成以呈現一相對於 該油墨的疏水性特性。另一方面，在油墨呈現一疏水性特 性之情況下，護堤160可經組成以呈現一相對於該油墨的 親水I1 生特丨生含氟聚合物具有其用於同時呈現一拒水性特 性及一拒油性特性的已知特性。用作護堤16〇之適當含氟 聚合物可包括（但不限制於）PTFE(聚四氟乙烯）、FEp(氟乙 烯-丙烯）、PFA(全氟烷氧基烷）、ETFE(乙烯_四氟乙烯共聚 物）及PVDF(聚偏氟乙烯）。 環繞通道區域”C”之護堤160具有一形式，其中護堤16〇 之寬度在其自下至上之方向上變f，且其高度可為約2 7 μηι ^用於曝露汲電極144之汲極接觸孔181形成於護堤“ο 之一部分中。在護堤160係感光性之狀況下，其可經由塗 佈、曝光及顯影製程而形成，且在護堤16〇係非感光性之 狀況下，其可經由在塗佈後使用光阻之光蝕刻製程而形 成。 / 有機半導體層170定位於護堤160内。有機半導體層丨7〇 填充通道區域"C"且覆蓋所曝露之源電極及沒電極⑷及 144。有機半導體層m藉由—喷墨方法而形成，且使用一 溶解於水溶液或有機溶劑中之有機半導體物質。高分子量 之有機半導體適合以喷墨製程來使用，因為該等^通$ 良好溶解於溶劑中H亦可使用良好溶解於有機溶2 114374.doc 1352251 中之低分子量之有機半導體物質。 在選定之實施例中，有機半導 例千等體層170可為一含有并β ，开五笨取代基之衍生物、 y 尺η由噻吩環之2及5之位置 而彼此耦合之具有4至8個噻吩環之寡噻吩。 此外’有機半導體層1 70可為 四甲酸二酐（PTCDA)或 〆、醯亞胺衍生物、或萘四甲酸_ τ财—酐（NTCOA)或其醯亞胺衍 生物。

此外，有機半導體層17〇可為金屬化耿菁或其鹵化衍生 物、或花或六苯并苯及含有其取代基之衍生物。此處，需 要添加至金屬化酞菁之金屬為（例如）銅、鈷或鋅。 —另外’、有機半導體層170可為伸嗟吩基及伸乙稀基之共 券聚物或共聚物。或者，有機半導體層170可為伸噻吩基 或六苯并苯、及含有其取代基之衍生物。此外，有機半導 體層17G可為在上述材料之芳環或雜芳環中含有個碳 之一或多個烴鏈的衍生物。

第一保濩膜180形成於有機半導體層17〇上。此第一保護 膜18〇覆蓋有機半導體層170且可由諸如PVA(聚乙烯醇）、 BCB(苯并環丁烯）、丙烯酸系樹脂或矽聚合物的至少—材 料製成。另外，第一保護膜180可由丙烯酸感光性有機膜 或氮化矽薄膜製成。第一保護膜18〇為一用於防止有機半 導體層170之特性變質之層。此外，該第一保護膜18〇可藉 由噴墨方法而形成。 此外，第二保護膜185可在第一保護膜180上形成。該第 一保護膜18 5塗覆於絕緣基板11 〇之整個表面，同時亦覆蓋 I14374.doc 15 1352251 該第一保護膜180。第二保護膜185為一用於以與第—保護 膜180類似之方式防止有機半導體層17〇之特性變質之層。 薄膜185可由與第一保護膜18〇相同或類似之材料來製成， 但此並非所需的。此外，第二保護膜185自用於曝露汲電 極144之汲極接觸孔181而移除。 像素電極190形成於第二保護膜185上。該像素電極19〇 由諸如ITO(氧化銦錫）或120(氧化銦鋅）之透明導電材料製 成’且經由汲極接觸孔181與汲電極144連接。此外，提供 分別用於覆蓋閘極焊墊接觸孔131及資料焊墊接觸孔183的 閘極焊墊接觸部件i 92及資料焊墊接觸部件〗91 ^閘極谭墊 接觸部件192及資料焊墊接觸部件191由一與像素電極19〇 之材料相同之透明導電材料製成。 接著’現將描述彩色濾光片基板2〇〇。與TFT基板ι〇〇相 同，彩色濾光片基板200可使用一絕緣基板210來形成，該 絕緣基板210含有一諸如玻璃、石英、陶瓷或塑膠之材 料。且，彩色濾光片基板2 〇 〇包含一彩色滤光片2 3 〇，彩色 濾光片230具有三原色（紅色、綠色及藍色或（若使用）青 色、洋紅色及黃色）；一在彩色濾光片230之間形成區域之 黑色矩陣220，其提供於絕緣基板2丨〇上；及一形成於黑色 矩陣22 0與彩色濾光片230上之共同電極250。 此外，彩色濾光片基板200進一步包含一插入於黑色矩 陣220及彩色濾光片230與共同電極250之間的塗飾層240。 黑色矩陣220在具有三原色（紅色、綠色及藍色，或（若使 用）青色、洋紅色及黃色）之彩色濾光片23〇之顏色之間劃 114374.doc -16 - 1352251 分，使得可防止光在像素之間洩漏，且可防止光入射於 TFT T上，藉此易於保護圖像品質。黑色矩陣22〇可為—由 鉻、氧化鉻、或氮化鉻、或其有效組合而製成之單層或多 層金屬層。黑色矩陣220亦可為一具有添加於其中用於遮 光之黑色類型顏料之感光性有機材料，其中碳黑、二氧化 欽或其類似物適合用作黑色類型顏料。 彩色濾光片230以黑色矩陣220作為邊緣而形成，使得紅 色、綠色及藍色，或（若使用）青色、洋紅色及黃色重複， 且起作用以對經由液晶層300自一背光總成（未圖示）輻射之 光提供色彩。彩色濾光片230可由感光性有機材料製成， 且可使用彩色感光性有機材料藉由已知顏料分散方法而带 成。 / 塗飾層240保護且平坦化彩色濾光片23〇，且主要使用丙 烯酸環氧樹酯材料而形成。 共同電極250由諸如IT0(氧化銦錫）或IZ〇(氧化銦鋅）之透 明導電材料製成。共同電極250直接施加—信號電壓至液 晶層300及TFT基板100之像素電極19〇。 TFT基板1〇〇及彩色濾光片2〇〇可使用密封劑（未圖示）而 相互結合。此外，可（例如）經由真空注射方法或液晶滴入 方法’藉由將液晶注射入基板100與基板200之間的空間而 形成液晶層300。 根據TFT之上述布局結構，將在下文中參看圖4而描述根 據本發明之第一實施例之平面顯示器。 首先，為說明便利起見，假定連接至一橫過像素之額外 114374.doc η 比 2251

圖4中所示，為說明便利起見，像素劃分為一上部區域 "A”、一中間區域"b”及一下部區域”c"。此外，在本發明 之實施例中，假定像素之寬度（延伸至資料線之方向）為 ”3a"，且像素之長度（延伸至閘極線之方向）為"a"。 以延伸至閘極線121之方向作為參考，將根據本發明之 第一實施例之TFT T分別交替配置於每一像素之中間區域 ”B"及下部區域"C"中。此外，以延伸至資料線141之方向 作為參考，使第一 TFT Τ1沿一行全部定位於中間區域"B, 中，且使第二TFT T2沿鄰近於像素之一列方向之另一行而 全部定位於下部區域” C"中。

閉極線121之TFT τ為第一 TFT T1，且在延伸至一閘極線 121之方向上鄰近於第一 TFT T1且在像素之下端部分連接 至另一閘極線121之另一TFT T為第二TFTT2。此外，假定 具有定位於其中之第一TFT T1之像素為第一像素ρι，且具 有定位於其t之第二TFT 丁2之另一像素為第二像素p2。2 經由TFT T之該布局結構，TFT τ之間的距離χ通常長於 在延伸至閘極線12 1之方向上的像素之寬度"a”。如圖4中 所示’若第一 TFT T1定位於像素之中心，則TFT τ之間的 距離X係藉由以下公式來計算。 X2 = a2 + (9 / 4M2 自该公式，TFT T之間的距離χ為約18a。因此，距離χ 相比較於先前技術之距離χ變長了約18倍，從而減少了在 喷射有機半導體溶液時滴在表面上之有機半導體溶液將彈 回且進入鄰近像素之護堤丨6〇之可能性。亦即，當使用喷 114374.doc -18- 墨製程時，製程裕度增加了約8〇%，藉此減少了有機 體冷液可進入另-像素之護堤160之可能性。 個別像素之厚度幾乎彼此相同，使得整體而言像 素中之每一者的TFT特性呈現為均勻的。 下文中參看圖5而描述根據本發明之第二實施例之 叮丁的布局結構。在第二實施例中，將描述不同於第一實 施例之部分，且其餘省略部分與第-實施例之部分相同。 此外，為說明便利起見，相似之參考數字指示相似之元 件。 圖5為根據本發明之第二實施例之TFT基板的布局圖。如 圖5所展示，以延伸至閘極線121之方向作為參考，τ 父替配置於每一像素之上部區域，，A"及下部區域”c"中。在 如圖5中所不之TFT τ之該布局結構的狀況下，對應於一列 之TFT T之間的距離乂藉由以下公式而計算為3 i6a。 X2 = a2 + 9a2 因此，TFT T之間的距離χ相比較於根據先前技術之距 離乂增加了約3.16倍’且製程裕度增加了約216〇/〇。 同時’可見配置於兩個鄰近列中之丁FT Τ之間的距離相 比較於先前技術之距離亦逐漸增加。 將在下文中參看圖6而描述根據本發明之第三實施例之 TFT的布局結構。在第三實施例中，將描述不同於第一實 施例之部分’且其餘省略部分與第一實施例之部分相同。 此外，為說明便利起見，相似之參考數字指示相似之元 件。 114374.doc 19 圖6為根據本發明之第三實施例之TFT基板的布局圖。在 第三實施例中，TFT τ之布局結構與第一實施例之布局結 構相同’但不同於第一實施例之處在於，TFT T具有缺乏 將像素劃分為上部及下部之額外閘極線丨2丨之結構。代替 額外閘極線121，自閘極線121分支之分支閘極線125經提 供且與鄰近之資料線141 一起延伸。此外，定位於中間區 域B中之TFT T連接至分支閘極線125。TFT T之間的距離 取決於分支閘極線125之延伸長度來確定。在分支閘極線 125之一端定位於中間區域"B"之狀況下，TFT T之間的每 一距離得以最大化，使得可增加噴墨製程之範圍。 圖7為根據本發明之第四實施例之tft基板的橫截面圖。 在第一實施例中，已描述其中閘電極1 22定位於TFT之下的 底部閘極類型，但在閘電極122定位在TFT T之頂部之實施 例中’ TFT T之布局結構可應用於頂部閘極類型。

I 如圖7中所示’ TFT基板包括一形成於絕緣基板11〇上之 遮光膜115 ; —覆蓋遮光膜ι15之絕緣薄膜13〇 ;界定一通 道區域同時相對於插入於其間的遮光膜115而彼此間隔開 之源電極143及汲電極144 ; 一用於曝露源電極143及汲電 極144之每一者之至少一部分同時環繞通道區域的護堤 160 ; —形成於護堤160内之有機半導體層170;及一形成 於有機半導體層170上之閘電極122。且，絕緣薄膜或第一 保護膜180插入於閘電極122與有機半導體層170之間。此 外’遮光膜115起作用以遮蔽光使其不進入有機半導體層 170。 114374.doc -20- 1352251 雖然已展示並描述本發明之例示性實施例，但熟習此 技術者應瞭解在不偏離本發明之原理及精神之情況下，可 在該等實施例中進行改變，本發明之範疇在所附申請專利 範圍及其等效物中界定。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之第一實施例之TFT基板的布局圖； 圖2為圖1之區域"Q"之放大平面圖； 圖3為沿圖2之線ιπ-πΐ而獲取之橫截面圖； 圖4為說明本發明之第一實施例之效應的視圖； 圖5為根據本發明之第二實施例之TFT基板的布局圖； 圖6為根據本發明之第三實施例之TFT基板的布局圖；及 圖7為根據本發明之第四實施例之TFT基板的橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10 平面顯示器 100 薄膜電晶體基板 110 絕緣基板 115 遮光膜 120 閘極線路 121 閘極線 122 閘電極 123 閘極焊墊 125 分支閘極線 130 絕緣薄膜 131 閘極焊墊接觸孔 114374.doc •21 · 1352251 140 141 142 143 144 160 170 180

181 183 185 190 191 192 200 210 220 230 240 250 300 資料線路 資料線 資料焊墊 源電極 汲電極 護堤 有機半導體層 保護膜 汲極接觸孔 資料焊墊接觸孔 第二保護膜 像素電極 資料焊墊接觸部件 閘極焊墊接觸部件 彩色濾光片基板 絕緣基板 黑色矩陣 彩色濾光片 塗飾層 共同電極 液晶層 114374.doc •22-

Claims (1)

1. 第095133504號專利申請案

   十、申請專利範圍：

   一種平面顯示器，其包含：

   域；及 複數個薄臈電晶體（TFT)，該等TFT中之每一者安置於 該等像素之一者中且包括該閘電極，

   別閘極線之一者而彼此鄰近， 其中該複數個TFT之一第一 TFT係提供於該第一像素 之该中間區域中，以及該複數個TFT之一第二TFT係提 供於該第二像素之該下部區域中’及提供於該第一像素 之该中間區域中之言玄第一 TFT與提供於該第二像素之該 下部區域中之該第二TFT係連接至該相同的閘極線。 2. 如請求項1之平面顯示器，其進一步包含一自該閘極線 分支且沿該資料線延伸同時鄰近於該資料線之分支閘極 線，其中該第一丁1?丁連接至該分支閘極線。 3. 如清求項2之平面顯示器，其中該分支閘極線延伸至該 第一像素之該中間區域。 4·如印求項1之平面顯示器，其中該第一及該第二像素相 對於彼此而交替配置。 5.如研求項1之平面顯示器，其中該等鄰近TFT之間的距離 114374-100031l.doc 丄 比該像素之-寬度大約h2至約3 16倍之間。 6·如請求項1之平面鞀 十面顯不器，其中該等τρτ之每一者包含一 藉由-育墨方法而形成之有機半導體層。 7·如請求項1之平面翱干哭 十面顯不态，其中該等TFT之每一者進一步 包各彼此間隔之一源電極一 ^ /及電極，以界定一通道區 域’ S亥閘電極插入於盆pq Q i a . 、/、間’且—有機半導體層形成於該 通道區域上。 8·如請？項7之平面顯示器’其進一步包含—用於環繞該 通道區域且用於曝露該源電極及該汲電極中之每一者之 至》一部分的護堤，其中該有機半導體層形成於該護堤 内。 9. 如清求項8之平面顯示器，其中該護堤之一表面具有拒 水性及拒油性。 10. 如請求項7之平面顯示器，其中該源電極及該汲電極中 之每一者由ITO及！ZO中之一者製成。 •如1求項7之平面顯示器，其中該有機半導體層包含一 3有并四笨或并五苯取代基之衍生物中之一者；具有經 由噻力環之2及5位置彼此耦合之4至8個噻吩環的寡噻 为茈四曱酸一酐（PTCDA)或其醯亞胺衍生物；萘四甲 I 一酐（NTCDA)或其醯亞胺衍生物；金屬化酞菁或其鹵 行生物’花或六末并苯及含有其取代基之衍生物；伸 嗟力基及伸乙稀基之共寡聚物或共聚物；嗟吩伸售吩基 或六苯并苯’及含有其取代基之衍生物；及在該等材料 之芳壤或雜芳環中含有1至30個碳之一或多個烴鏈的衍 114374-1000311.doc 1352.251 生物。 12. 如睛求項7之平 面顯示器，其中該有機半導體層係可溶 於一水溶液或有機溶劑中。 13. 如請求項1之平面 _ 蔽膜，其中…示器，纟中該TFT進一步包含-光屏 、八 心緣膜覆蓋該光屏蔽膜，一源電極盘一、、及 電極彼此間隔以® — ⑽乂界弋一通道區域，該光屏蔽膜插入於盆 間’且-有機半導體層形成於該通道區域上。 ^ 月求項13之平面顯示器，進一步包含··_間電極，直 =成在-對應於該有機半導體層上之該光屏蔽膜之： /及1-保護膜’其插人於該有機半導 閘電極之間。 15.如請求項1之平面顯 』不裔’其中母— TFT具有藉由相同距 離而間隔之該等TFT的4個最近相鄰者。 A如請求㈣之平面顯示器’其中每—所具有藉由相同 距離而間隔之該等TFT的4個次近相鄰者^ 114374-l000311.doc