TWI351752B - Stacked semiconductor package that prevents damage - Google Patents

Description

1351752 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為一關於疊層半導體的封裝及其製造方 法，且較特別地為針對於一疊層半導體的封裝，其半 導體晶片以階梯式的方式被形成用來防止其受到損 壞，以及其製造方法。 【先前技術】 最近於半導體製造技術的發展已被引導至各式 各樣的半導體封裝以及半導體元件上，其為適合於短 時間内運算處理更多的資料。 半導體封裝的製造為透過如下述之多個過程而 完成：一半導體晶片的製造過程為於一具高純度矽晶 圓上製造生成的半導體元件；並在經過對半導體晶片 所做的電性測試，以此過程將晶粒分類；對於質優的 半導體晶片所進行的封裝製程。 最近於半導體封裝技術的發展為包括一晶片大 小的封裝，在此之半導體封裝的尺寸，只有約為半導 體晶片的100%到105%的大小，疊層半導體的封裝在 此為將多個半導體晶片互相堆疊以改善半導體元件 處理資料的速度以及運算數據的能力。 另外的技術發展為被引導至藉由增加半導體晶 片的積集密度以增進半導體產品在數據運算的能力 及資料處理的速度，而和此方法相同能夠增進半導體 6 1351752 產品在數據運算的能力及資料處理的速度的另—方 法為經由多個半導體晶片互相堆疊來達成。 關於現行多個半導體晶片互相堆疊之疊層半導 體封裝，當在於疊層半導體晶片的銲墊與基底的接觸 銲墊利用傳導線進行相互接合時，其所需求的技術為 屬於高階之封裝製程。 當豐層半導體晶片為增進其在數據運算的能力 及資料處理的速度的要求下，通常該半導體晶片的庳 度也漸漸地需要變薄一些，必然地，近來的半導體晶 片其厚度約只有數十微米到數百微米之間。 但疋，§瑩層半導體晶片的厚度約只有數十微米 到數百微米之間時，也會發生若干問題，當 疊層半導體晶片銲墊被銲接到基底的接觸銲墊時，銲 接打線的設備將利用一導線接合毛細管來完成連接 的工作，而半導體晶片則會由於過度碰撞的施加而讓 半導體晶片被毛細管所損壞。 【發明内容】 本發明提供了一尤其在於利用多個半導體晶片 互相堆疊成疊層半導體W封裝料㈣，其可防止 在銲墊與基底的接觸銲墊利用銲線進行相互接合# 對半導體晶片受造成的損壞。 :者’本發明提供了一尤其於疊層半導體晶片封 裝的製造方法。 7 本發明的現行具體實施例為提供—疊層半導體 封裝技術’其包括有—具有第一接觸銲墊和第二接觸 銲墊的基底田;以及一第—疊層封裝群組被配置在基底 =上> 而4⑤層封裝群組其為包含有以階梯形狀堆疊 、之第一半#體晶片’及曝露接觸到於第一半導體晶 的上方表面所形成之第—邊緣接合銲塾；第一傳導 孟屬線以有電相關地鱼第 /、弟邊緣接合銲墊和第一接 一：上 ：―黏着部份被配置在最高之的第 t00片之上’第二疊層封裳群組被配置在黏着 堆疊成之第二半導體包含有以階梯形狀 日日片，及曝露接觸到位於第二半 ¥粗日日片的上方表面之坌_ 低的第-本道触 接合鲜塾’而在此最 排成一 ⑯晶片為與最高之的第一半導體晶片 邊緣接人;1而第二傳導金屬線以有電相關地與第二 邊1合知塾和第二接觸銲塾接合在一起。 疊層半導體封裳的第一半導體晶片為 方向被黏貼成階梯开彡貼 ’” 口者第 第一古W 第二半導體晶片為沿著與 σ目反的第二方向被黏貼成階梯形狀。 4層半導為具有一基本的厚度且被插入於 層牛導粗封裝的第-半導體晶片之間。 半導份，，有第-厚度且被插入於疊層 高之之第t半導體晶片之間。黏着部份為於最 。 +導體晶片上被形成且具有另一第二厚 8 比 1752 度厚度比第—基本的厚度要厚一些。 ®層半導體封裝可以用多個 β 裝群組和第二疊層半導體封二體封 而成。 外°且互相父替地配置 疊層半導體封裝的黏着部了 =線的環狀部份，其以有電相關地覆與;了一 -曰曰片的邊緣接合銲塾和第一接觸 半導 法，f此同時也提供了-疊層半導體封農的製造; 根據根據本發明的具體實 驟： 只她例為包含有下述步 猎由在基底上i隹^ ^ 、於 形狀之望二 夺導體晶片以形成階梯 $狀之第-疊層封料組’該基底為包含 第二接觸鋒塾’於此第一半導 =能讓半導體晶片的第一邊緣接合薛塾因而二; 技第一傳導金屬線將第-邊緣接合銲墊和第 銲塾接合;在第一 4層封裝群組的最高之第5 導肢晶片上形成黏着部份；形成-第二疊層封裝群 組其包含有在黏着部份之上 / 二半導體晶片，並曝露接觸第狀堆璺成之第 Β +路接觸第一邊緣接合銲墊；在此 導體晶片為與最高之的第-半導體晶 _ 4，而第二傳導金屬線以有電相關地與第 二邊緣接合銲墊和第二接觸銲墊接合在一起。、 在疊層半導體封裝的製造方法中，苐一半導體晶 9 1351752 片為沿著第一方向被黏貼成階梯形狀， 晶片為沿著與第一方向相反的第二方 梯形狀。 而第二半導體 向被黏貼成階 在形成第一 ®層封裝群組的步驟中，第 份為被插入於第一半導體晶片之間。 —黏着部

在疊層半導體封裝的製造方法中， 為具有第一基本厚度，且黏着部份其第 較第一基本的厚度要厚一些。 第一黏着部份 二次要厚度為 在疊層半導體封裝的製造方法中 為被插入於第二半導體晶片之間。 第一點着部份 在疊層半導體封裝的製造方法中， 為具有第一基本厚度，且該黏着部份為 度要厚一點的第二厚度。 第一黏着部份 具有比第一厚

一於黏着部份的形成步驟中，黏着部份為覆蓋了 一傳導金屬線的環狀部份，而該傳導線與第—上方 導體晶片的邊緣接合銲墊接合在一起。 【實施方式】 第1圖為描述與本發 半導體封裝的橫向載面圖， 於第1圖中所示的疊層半 體晶片。 明之實施例相符合之疊層 第2圖為一平面圖示顯示 導體封裝其一之第一半導 括有 關於第1和第2圖所示’疊層半導體封裝1〇〇包 一基底10,第一疊層封裝群組2〇,第—傳導金 第二疊層封裝群組5〇，第二 屬線30，黏着部份4〇 傳導金屬線60。 ::10由水平平面所視其可為 的平板。舉例而言，基底1。可以是- 板有二:接觸銲墊12和第二接觸銲墊 基底I:上觸面12和:二接觸銲塾14為被配置在 1〇的下方表Γ 球座板16則被配置在基底 表面’該下方表面恰與上方表面為相反方 :-接觸銲墊12為被配置在基底1〇的上方表面 貝、的邊緣處’❿第二接觸銲替14為被配 底10的上方矣品t白 …二 側邊的邊緣處，該另-側邊 α Μ弟側邊位於相反方向。 第且層封裝群組為被黏貼在基底1 〇的上方 表面，第一疊層封裝群組20包含有第一半導體晶片 2卜22、23、和24,以及為了與第一半導體晶片21、 22 23和24能夠緊貼住其他部分所必要之第μ 之第一黏着部份。 關於第2圖中，第一半導體晶片21、22、23、 和24組成了晶片區域（CRs)和接合區域（BRs)，接合 區域為被配置在與晶片區域鄰近的位置。 1351752 立L接5鋅墊26為被配置在接合區域BR的内 P 第2圖中，邊緣接合銲墊20為被配置在第2 圖中與Y-軸平行的方向上。· 底10第：二:體晶片21、22、23、和24(其為指在基 干堃★ 6一為被配置與苐一接.觸銲墊ΐ2鄰近的位置。 第一黏着部份25為被配置在介於 LJ Ο 1 ry ry 1 丁守組曰曰 當m 和24之相鄰的配對間。舉例而言， 着劑：邛份25 ’可以是-雙面黏着膠帶或為-黏 22、2弟3 一 Γ層封裝群組2〇的第一半導體晶片21、 和24為被重疊地沿著第一方向 成，如此可讓在第-半導體晶片21、22、23 :24 的Τ:Γ八内之邊緣接合銲塾26因而被曝露出。 二料=:/4(其為被配置為彼此相鄰)的 u接^起于塾％與基底1〇的第-接觸銲塾 第3圖為表示第1圖中 關於第1和第3圖中，勒着°邱二局部放大圖。 配置在第一疊層封裝群 "。刀4〇為被直接地 晶…。二:實= 最高之的第-半導體 笛一 4*♦、曾減 賞知1例十’黏着部份40為盥 晶片24相同的形狀和面積，而黏着部； 二第:2傳4導金屬線3〇(其為以有電相關地 内之丄 邊緣接合銲墊26接合在-起) 線30^ ^分32。黏着部份4〇隔絕了第一傳導金屬 說明卜％狀部A 32與第二疊層封襄群組5〇(後續將 貼參看第1圖，第：疊層封裝群組5G為被點 夕^着部份40上。第二疊層封裝群組5〇為包 =導體晶片”、”、…和…及第二黏着 第4圖為一平面圖示顯示於第1圖中之第二疊層 封裝群組的第二半導體晶片。 •關於第4圖中，多個半導體晶片5卜52、53、和^ 為包含有晶片區域（CR)和接合區域（BR)，接合區域 (BR)為被配置與在晶片區域相鄰的位置。邊緣接合銲 墊％為被配置在接合區域（BR)之内。在第*圖中， φ 邊緣接合銲墊56為被配置在第4圖中與Y-軸平行的 方向上。 第二半導體晶片51、52、53、和54(其為指在第 二疊層封裝群組50且附屬於黏着部份40)的每一個 邊緣接合銲墊56為被配置在與基底1〇上之第二接觸 銲塾14鄰近的位置處。在本發明的實施例中，實體 而言，第二半導體晶片51、52、53、.和54的形狀和 I 4 大小為與第一半導體晶片21、22、23、和24相同。 13 1351752 第二疊層封裝群組50的多個半導體晶片5卜 52、53、和54為被重疊地沿著第二方向（SD)(其為第 一方向（FD)的相反.方向）堆疊而成1如此可讓在第二 半導體晶451、.52、53、和54.的接合區域时内: 邊緣接合銲塾5 6因而被曝露出。 第二黏着部份55為被配置在介於第二半導體晶 ^ Η、52、53、和54之相鄰的配對間。舉例而言， 第-黏着部份55 ’可以是一雙面黏着膠帶或為一。黏 着劑。 ” 在本發明的實施例中，第二半導體.晶片51，其 ^ 了第二半導體晶片被黏貼到黏着部份40，且與第 ^疊層封襄群組2〇的第.一半導體晶片24上排列^直 ^ 之第一半導體晶片24和第二半導體晶片 系為被配置在黏着部分的兩側邊，第一疊層封裝群 ' 的第一半導體晶片24的邊緣和第二疊層封 、、且5 〇的莖—企故 a示，牛導體晶片51的邊緣為呈直線排列。 第一:第—豐層封裝群組20的第一半導體晶片24和 二疊層封裝群組5〇的第二半導體晶片51為呈直線 辨列時.，.赴i 第_ .、…看。H分4〇和第一半導體晶片24為支撐著 的毛細Ϊ紅日日片51。·因此，當一導線打線接合設備 接合破利用做為接合第二半導體晶片51的邊緣 成對於第6第二傳導金屬線6〇時，因毛細管所造 :一半導體晶片51的典型損壞將會因此可被 14 1351752 在基底10上，其目的是為了製造疊層半導體封裝。 基底10由水平平面所視其可為一具有長方形狀 之平行八面租的平板。而舉例而言，基底10可以是 包3有第-接觸料12，第二接觸料，和錫球 座板16之印刷電路板。 : 第一接觸銲墊12為被配置在基底10的上方表面 之側邊的邊緣處，而第二接觸鲜塾14為被配置在基 癱底1㈣上方表面之另一側邊的邊緣4，該另一側邊 L與第-側邊位於相反方向。錫球座板16則被配置 在基底i"下方表面(其為與上方表面之相反方 向）。錫球座板16以有電相關地與第一接觸銲墊12 和/或第二接觸銲墊14接合在一起。 帛-半導體晶片21、22、23、和24為預備被形 成在基底10之第一疊層封裝群組20上。 第一半導體晶片21、22、23、和24的每一個晶 •片均具如上所述之晶片區域和接合區域。邊緣接合銲 •墊％為被配置在每一個第—半導體晶片21、22、23、 和24的接合區域中。 帛一半導體晶片22為黏Μ到第-半導體晶片21 •的上方表面，且須在第一半導體晶片21的晶片區域 内。第21和第-半導體晶片22為利用第25之點着 ，分破黏貼住’且第—半導體晶片21的邊緣接合 墊26也因此被曝露出來。 1351752 另一第一半導體晶片23並隨後被黏貼到第—半 導體晶片22的上方的晶片區域中。在一次地，這此 第一半導體晶片22和23為被黏貼為利用黏着部分 25被黏貼住，且第一半導體晶片22的邊緣接合銲墊 26也因此被曝露出來。 之後，第一半導體晶片24並隨後被黏貼到另— 第一半導體晶片23的上方，且在此另一第一半導體 龜晶片23的晶片區域中。第一半導體晶片23和24 I 擊被黏貼為利用黏着部分25被黏貼住，且另一第—^ 導體晶片23和最後第一半導體晶片24的邊緣接合r 墊2ό也因此被曝露出來 Τ 在本發明的實施例中，第一黏着部份25為具有 -基本的厚度。舉例而言，第一黏着部份乃可以 一雙面黏着膠帶或為一黏着劑。 、如上所述，當第一半導體晶片21、22、23、和 φ 24被黏貼時，第一半導體晶片21、Μ、23、和μ '為被重疊地沿著第一方向(FD)堆疊而成，如第5圖中 片在第-疊層封料組20被形成在基底1〇之後， 第-傳導金屬，線30以有電相關地將第一半導體晶片 2卜22、23、和24的每一個邊緣接合銲墊 1〇的第-接觸銲墊U接合在一起。 關於第6圖中，在第-半導體晶片21、22、23、 1351752 =的？接合薛…以及基 =塾u稭由第—傳導金I㈣ 二2 合在-起後，黏着部份40被配置在；=其接 組20的最高之第—半導體晶片24上方。且層封切 劑，在ί着部份4〇可以是-種流動的點着 幻將其塗布在第一半導體晶片24的 看 部份40亦可為-種黏着膠帶，二 貼在卓-半導體晶片24的上方表面。點着；= 黏貼面積可以實質上地是與” 積相同。 干泽肢曰日片24的面 第施例中，黏着部份4°為覆蓋了在 二(其為以有電相關地將第-半導體 在=接合鲜塾26接合在一起）内之環狀部 在本發明的實施例中，黏着部份4〇為具有一 第一尽度。而黏着部份4〇的第二 部份25的厚度為厚一些。 +又了比第一黏看 7傳導金屬線3〇以有電相關地將第—半導體 :份袭：合鲜塾26接合在一起’其藉由黏着 2(Κ後^ 地隔絕了第一疊層封震群組 (後β將說明）的第二半導體晶片51。 =着部份40被配置在第一叠層封裝群組2〇的 體晶片24之後，第二疊層封裝群組50才被 -置在黏着部份4〇之上。 1351752 • . 第二疊層封裝群組50為包含有半導體晶片51、 52、53、和 54。 第二半導體晶片51、52、53、和54的每一個晶 片均具晶片區域和接合區域。多個邊緣接合銲墊％ 為被配置在每一個第一半導體.晶片21、22、23、和 24的接合區域中。 第二半導體晶片51為介於第二半導體晶片51、 52 53、和54之間且直接地黏貼在黏着部份4〇上。 •〃第—疊層封裝群組50的第二半導體晶片51為與 第一豐層封裝群組20的第一半導體晶片24完全地成 一直線排列。 . 在本發明的實施例中，由於第二半導體晶片51 .為與第一半導體晶片24完全地成一直線排列，在導 線打線接合的過程中需要避免第二半導體晶片5 受 到損壞。 另一第一半導體晶片5 2為黏貼到第二半導體晶 片51的上方表面，且須在第二半導體晶片51的晶片 .區域内。第二半導體晶片51和52為利用黏着部分 5 5被黏貼住’且第二半導體晶片51的邊緣接合銲塾 56也因此被曝露出來。 再一第二半導體晶片53並隨後被黏貼到第二半 導體晶片5 2的上方的晶片區域中，再一次地，這此 第二半導體晶片52和53為被黏貼為利用黏着部分 1351752 55被黏貼住’以：半導體晶片以的邊緣接合鲜塾 56也因此被曝露出。 最後第一半導體晶片54並隨即被黏貼到再一第 二半導體晶片53的上方，且在此再—第二半導體晶 片53的晶片區域中。第二半導體晶片53和54為被 黏貼為利用黏着部分55被黏貼住，且再一第二半 體晶片53和最後第二半導體晶片54的邊緣接合料 56也因此被曝露出來。 在本發明的實施例中，第一黏着部份55為具有 -基本的厚度。舉例而言’第一黏着部份乂可以是 一雙面黏着膠帶或為一黏着劑。 如上所述’當多個半導體晶片51、52、53、和 54為被重疊時，多個半導體晶451、52、53、和54 ^以階梯形狀堆疊，且其方向為如第6圖所示為往 -方向(SD) ’其為與第一方向(FD)相反的方向。 ,在第二疊層封裝群組50被形成在黏着部份4〇之 ’第一傳導金屬、線3〇以有電相關地將第二半導體 52 53、和54的56之邊緣接合銲墊與基 & 10的第二接觸銲墊14接合在一起。 在此時’第二疊層封裝群組50的第二半導體晶 ί道^黏着部份40和第一疊層封裳群組20的第― 楚一 tBa片24支樓著。所以當第二傳導金屬線60與 -半導體晶片51進行接合時，將可避免第二半導 20 丄川/52 曰a 片51因此而受到損壞。 根據前面所述之方法，第一疊層封裝群組別和 豐層封裝W且50與第_傳導金屬線3〇和第二傳 屬線60是可被交替多次的。舉例而言依據本 ΟΛ 增牛導肢封裝100可被輕易地堆疊到 20至30個半導體晶片。 田再關於第1圖中，在第一疊層封裝群組20和第 -豐層封裝群組5〇被配置在基底10的上方後。第一 豐層封裝群組20和第二4層封料組5㈣第 金屬線30和第-值道入p 、 寻夺 才弟一“金屬、線60可藉由製模部分7〇 將其作成-固定模式，如此疊層半導體封 被製造完成。 pb梯士备上詳細的敛述，當藉由配置半導體晶片以 組，然後再藉由配置半導體曰：：=:$層封裝群 命日日片以階梯形狀堆疊並朝 第一相反方向形成第二疊層封裝群組，並利用黏着 :::第，疊層封裝群組與第-疊層封裝= 疊層封裝群組上方的半導體晶片與第二 下方的半導體晶片為呈直線狀排列，如 到損Hil打線接合的過程中避免半導體晶片受 曰曰片珑的可能性増加。 雖然於以上之詳細文字說明與圖示中，已揭示了 1351752 本發明之具體實施例。於本項技藝中的的技能將可能 被體會成不同的改變、添加和取代之型態。但凡是其 他未脫離本發明所揭*之精神下戶斤完成的等效改變 或修飾’均應包含在下述之專利申請範圍内。

22 【圖式簡單說明】 ^第1圖為與本發明之實施例相符合之疊層半導 啦封裝的橫向截面圖。 “第2圖為一平面圖示顯示於第i圖中所示的疊 e半導體封製其一之第一半導體晶片。 第3圖為表示第i圖中，A，部份的局部放大圖。 第4圖為一平面圖示顯示於第1圖中之第二疊 曰封裝群組的第二半導體晶片。 第5和第6圖為顯示與本發明之實施例相符合 之s層半導體封裝的製造方法的橫向戴面圖。 第一黏者部份 第二傳導金屬線 32 :環狀部份 4 .第一接觸鮮塾 10 14 60 【主要元件符號說明】 1〇〇:疊層半導體封裝 12 :第一接觸銲墊 3〇 :第—傳導金屬線 4(^黏著部份 21、22 ' 23、24 :第—半 25 .第一黏著部份 51、52、53、54 :第二半 55 60 70 :製膜部份 26 :邊緣接合銲墊 1 6 :錫球座板 20 .第一疊層封裝群組 導體晶片 5 0 .第二疊層封裝群組 導體晶片 基底 第二接觸銲墊 第二傳導金屬線 5 6 :邊緣接合銲塾 23

Claims (1)

1351752 十、申請專利範園： 種疊層半導體封裝，其包括有： 底 •-具有第-接觸銲墊和第二接觸銲墊的基 且二層封裝群組’被配置在基底之上， 。括夕個第一半導體晶片， 晶片均具有多個在第一半導體晶片的：

=-邊緣接合銲塾，在此的第一半導= 為破堆疊以致讓第一主道辟曰 Uu + V肢日3片重疊成階梯形 狀’並曝露出邊緣接合銲墊； 第一傳導金屬線以有電相關地 合銲墊和第-接觸鮮墊接合在一起；、弟邊，·束接 -黏着部份被配置在最高之的第一半 片之上；

一第二疊層封裝群組 上’且包括第二半導體晶 均具有多個在第二半導體 第二邊緣接合銲墊，在此 堆疊以致讓第二半導體晶 曝露出第二邊緣接合銲墊 ’被配置在黏着部份之 片，該第二半導體晶片 晶片的上方表面形成的 的第二半導體晶片為被 片重疊成階梯形狀，並 在此最低的第二半導體晶片為與最高之的第 一半導體晶片排成一直線；且 第一傳導金屬線以有電相關地與第二邊緣接 24 1351752 合銲墊和第二接觸銲墊接合在一起。 2.如申請專利範圍第1項之疊層半導體封裝，其中 第一半導體晶片的第一邊緣為與第二半導體晶片 的第二邊緣位於相反的位置，第一半導體晶片為 沿著第一方向被黏貼成階梯形狀，而第二半導體 晶片為沿著與第一方向相反的第二方向被黏貼= 階梯形狀。 3.如申，專利範圍第1項之疊層半導體封裝，其中 第一疊層封裝群組更包含有第一黏着部 ^ :有：基本的厚度且被插入於第-半導體晶片 以及第一疊層封裝群組更包含有 ::片其::有-基本的厚度且被插入於::半導 月且日日月之間。 ii:專利範圍第3項之疊層半導體封裝，並中 -着。卩份為被配置形成在最高 二 片上，其具有一第1由 弟+導體晶 度要比第二聋… 而黏着部份的第二厚 5.如申“分的第-厚度要厚-些。 申叫專利範圍第！項之叠 多個第一疊層丰莫邮私站、， 年奴对裝，其中 封梦雜4 肋破群組和第二疊層半導體 群組可互相交替地配置而成。 導阮 •如申請專利範圍第1 疊層.半導n…·、 *層半導髅封裝，其中 屬線的環狀部份。、 ，、、復应、.弟一傳導金 25 7.::疊層半導體封裝的製造方 步驟： ’、匕3有下列 藉由在基底上堆疊第一半導 梯形狀之第一疊層封二^ +導肢…形成階 -接觸銲塾和第錢底為包含有第 片包含有第二此第一半導體晶 半導體晶片的上方其為被形成在第- 第一邊緣接合銲堅為被曝露出來的；在此的 第一傳導金屬線以電性地與第一 墊和第一接觸銲塾接合在一起； 妾。鋅 片之=占着部份被形成在最高之的第一半導體晶 封裝堆“形成第， 階梯形狀堆疊，在此㈣且第一 +導體晶片呈 二邊緣接合銲塾，一半導體晶片包含有第 ,,, 一為破形成在第二半導體a g 的上方表面的第二邊緣上，且c片 合銲墊為被曝露出來的； 、一邊緣接 第二 成一直線；而第二傳導金屬 日日片排 :，接合銲墊和第二接 申請專利範圍第7項之製造方法，其中第1半 26 1351752 導體晶片的第一邊緣為與第二半導體晶片的第二 邊緣位於相反的位置，第一半導體晶片為沿著第 一方向被黏貼成階梯形狀，而第二半導體晶片為 沿著與第一方向相反的第二方向被黏貼成階梯形 狀。 9.如申請專利範圍第7項之製造方法，其中第一疊 層封裝群組的形成步驟更包含有：插入第一黏着 部份於第一半導體晶片之間。 10. 如申請專利範圍第9項之製造方法，其中第一黏 着。卩伤為具有第一厚度，而黏着部份為被配置在 最高之方的第一半導體晶片之上，且具有一第二 厚度而此第一厚度要比第一厚度要厚一此。 11. 如申請專利範圍第7項之製造方法，其中一第二疊 層封農群組的形成步驟更包含有：插入第二^

覆蓋了第-傳導金屬線的環狀部份。 如申請專利範圍第7与 份被形成且覆蓋了第一 27