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TWI345431B - Processing system and plasma generation device thereof - Google Patents

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TWI345431B
TWI345431B TW095134000A TW95134000A TWI345431B TW I345431 B TWI345431 B TW I345431B TW 095134000 A TW095134000 A TW 095134000A TW 95134000 A TW95134000 A TW 95134000A TW I345431 B TWI345431 B TW I345431B
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TW
Taiwan
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electrode
plasma generating
processing system
fluid
generating apparatus
Prior art date
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TW095134000A
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English (en)
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TW200814859A (en
Inventor
Chi Hung Liu
Wen Tzong Hsieh
Chen Der Tsai
Chun Hsien Su
Chih Wei Chen
Chun Hung Lin
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Ind Tech Res Inst
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Publication date
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Priority to US11/564,826 priority patent/US20080066679A1/en
Priority to JP2007151653A priority patent/JP2008071739A/ja
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Description

1345431 • 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電漿產生裝置，特別是有關於一 種無電極損耗之處理系統及其電漿產生裝置。 【先前技術】 ' 電漿技術已發展多年，係利用電漿内之高能粒子（電子 及離子）與活性物種對欲處理工件產生鍍膜、蝕刻與表面改 • 質等效應，其特性可應用於光電及半導體產業、3C產品、 汽車產業、民生材料業及生醫材料表面處理等，因其技術 應用廣泛，各國乃投入相當都多之研發能量進行電漿基礎 研究與其應用領域。 然而，由於光電及半導體產業製程品質的需求，電漿 技術的應用皆處於真空環境之下，龐大的真空設備成本限 制了其技術於傳統產業之應用，故諸多研究者嘗試於大氣 下激發電漿。大氣電漿（或稱常壓電漿）乃指於一大氣壓或 ® 接近一大氣壓之狀態下所產生電漿，相較於目前發展已具 完備的真空電漿技術，常壓電漿系統比低壓電漿系統於成 本上有絕對優勢。就設備成本，它不需使用昂貴的真空設 備，若能建構線狀之常壓電漿系統，更可提高電漿區域而 增加處理面積；而就製程方面，欲處理物可不受真空腔體 限制並可進行R2R(Roll-to-Roll)連續式程序，這些技術特 色皆可有效地降低產品的製造成本(Running Cost)。 【韻'明内容】 0968-A21843TWF(N2) ；P53950050TW；aiexlin 5 1345431 * 有鑑於此，本發明提供一種無電極損耗之處理系統及 .其電漿產生裝置，如此以避免電極損耗問題（亦即，電漿不 與電極接觸），並且模組化之處理系統可提供線狀大氣電漿 處理裝置，有效的降低設備成本並提升產率。 本發明之電漿產生裝置係用以對於一第一流體進行離 子化。電漿產生裝置包括至少一導引元件與至少一電極元 ' 件。導引元件包括一路徑，第一流體沿著路徑依序通過一 第一位置與一第二位置。電極元件包括一第一電極與一第 • 二電極，在第一電極相對於第一位置、第二電極相對於第 二位置之下，第一電極、第二電極對於第一位置與第二位 置之間的第一流體進行激能後形成了一第二流體，其中， 第一流體之能量狀態係不同於第二流體之能量狀態。 本發明之處理系統包括一基座與一電漿產生裝置。基 座係用以承載物件。電漿產生裝置係用以對於第一流體進 行離子化。 電漿產生裝置包括至少一導引元件與至少一電極元 ® 件。導引元件包括一路徑，一第一流體沿著路徑依序通過 一第一位置與一第二位置。電極元件包括一第一電極與一 第二電極，在第一電極相對於第一位置、第二電極相對於 第二位置之下，第一電極、第二電極對於第一位置與第二 位置之間的第一流體進行激能後形成了一第二流體，如此 以利用第二流體對於物件進行表面處理、活化、清潔、光 阻灰化或蝕刻等製程或處理。 第一電極與第二電極之間存在有電位差。導引元件包 0968-A21843TWF(N2)；P53950050TW；alexlin 6 1345431 括一中空件，路徑係位於中空件之内部。第一電極、第二 .電極可具有完全相同的尺寸。第一電極之尺寸係可大於第 二電極之尺寸。 第一、二電極係可環繞或局部環繞於導引元件之外 侧。第一電極可包括一似c型結構、第二電極可包括一似 c型結構。第一電極可包括一第一槽結構，第二電極可包 ' 括一第二槽結構，第一槽結構與第二槽結構係相對於路徑 而採用交錯方式之排列。 • 處理系統更可包括一供應裝置。供應裝置可為一射頻 產生器，第一電極係接收射頻產生器所產生之信號而對於 第一流體進行激能，並且射頻產生器之頻率為13.56 MHz 或13.56 MHz之整數倍數之頻率。此外，供應裝置亦可為 一電源供應器，此電源供應器具有一交流電產生器，其中， 交流電產生器之頻率為1MHz〜100MHz。 導引元件更可包括一第三位置，第二流體係通過第三 位置，並且在第三位置之第二流體於實質上具有均勻能量 ® 分佈曲線。導引元件係由介電材料所製成。第一電極係為 一線圈結構。線圈結構係設置於導引元件之外部。 導引元件更可包括一側壁部與一埠結構，埠結構形成 於侧壁部，並且第二流體經由埠結構對於物件進行處理， 其中，埠結構可為一開孔。 【實施方式】 第一實施例 0968-A21843TWF(N2)；P53950050TW；alexlin 7 圖所示 體wl(例如.* 〃聚產生裝置M1係用以對於第一流 導引元件離子化。電聚產生裝置⑷包括一 —電極元件釘與一供應震置3。 t / ^件1"1包括—圓柱狀中空件nl、-路巧丨 弟一位置al_al、_ 峪位gl、一 路徑gl係位於中4二-Μ與一第三位置Cl_C1。 二位置一第内部，並且第-位置相、第 三個不同的斷分= 示相對於路徑d之 入端“與-輸出總‘9 : 端部分別具有-輸 輸出h G，其中’第一流體 進入了路徑Sl，廿如 ，，工田勒入化^ a!-al W1 ^ τη扪如.石央玻璃 之其它非導體材料)所製成。 文I、有相冋性質 第4Γ〗件二包括—第一電極Μ與-第二電極2]。 置=電極2]係、分別在相對於第一位置 第-位置bl-bl之下而環繞於導引元件p 供應裝置3提供信號或能量至第一電極M，第二電極’ ^接地於弟一電極】_】與第二電極2_】之間存在有電位 於本實施例中，第一電極W、第二電極2]且有完入 相同的尺寸。供應裝置3可為—射頻產生器（例如了 = !3.56顧z或13.56MHz之整數倍數之頻率），宜中f 電極j-1接收來自射頻產生器所產生之信號，如 第一電極1小第二電極W之間所產生的電場便可對於第 0968-A21843TWF(N2) ；P53950050TW;alexlin 二=〜進行激能。此外，供應裝置 應器(例如.且女此士… π 电你供 /、有頻率為1MHz〜100MHz之交流電產生考、， 此電源供應器係電性 。) 電極此以對於第一 體μ進行激能。° ]之間所產生的電場便可對於第一流 相斜電極M相對於第—位置‘al、第二電極W 相對於第二位fh z 1 之間所形成之電"… 電極M、第二電極Μ 之間的第t :置:1_al與第二位置M-bi 將 ，| W進行激此後形成了一第二流體W2(電 此使侍第一流體wl之能量狀態係不同 w2之能量狀態。 /；，Llf 隧後’第二流體w2便通過第三位置ci_ci且經由中空 _ 之輸出端i2進行輸出，並且在第三位置el_ei上之第 二^2於實質具有均勻能量分佈蝴如第丨圖左側之 月匕里分佈曲線χ所示）。 第一實施例 如第2圖所不，與第一實施例中之電聚產生裝置⑽ 所不同之處在於：電漿產生裝置Μ2之電極元件。包括了 -弟：電極U2與一第二電極2々，其中，第一電極Μ之 尺寸係大於第二電極2-2之尺寸。 因此，在第一電極1-2相對於第—位置al_al 極2-2相對於第二位置Μ_Μ之下，第一電極μ'第二電 極2-2對於第—位置al_al與第二位置之間的第一流 0968-A21843TWF(N2):P53950050TW；alexlin 1345431 肢wl進行激能後形成了第二流體w2，如此使得第一流體
Wl之能量狀態係不同於第二流體w2之能量狀態，並且第 —流體w2通過第三位置cl-cl且經由中空件nl之輸出端 12進行輪出。 第三實施例 如第3圖所示’與第一實施例中之電漿產生裳置Μ1 所不同之處在於：電漿產生裝置M3之電極元件e3包括了 ” x、似C型結構之第一電極1-3與一具似C型結構第二電 極2-3，其中，第一電極w、第二電極2_3係分別局部環 繞於導引元件Η之外側，並且於第—電極μ3、第二電極 2-3分別包括一第一槽結構1〇31、-第二槽結構_，第 一槽結構1031 _二槽結構则係相對 交錯方式之排列。 以而祙用 因此，在第一電極卜3相對㈣ =對於第二位置bl_M之下，第—電極 ： 極2-3對於第一位置al_alik 弟一冤 體〜進行_形成了第料一流 wl之能量狀態係不同於第二流體1^使侍第—流體 一通過第三位置。二=大態’並且第 進行輸卜 件nl之輸出端 第四實施例 如第4圖所示 與弟—實施例中之電槳產生襄置M2 〇968-A21843TWF(N2)；P53950050TW:alexlin 10 1345431 . 所不同之處在於：電漿產生裝置M4之電極元件e4包括了 .一第一電極1-4與一第二電極2-4，其中，第一電極1-4為 設置於導引元件P1外部之一線圈結構。 因此，在第一電極1-4相對於第一位置al-al、第二電 極2-4相對於第二位置bl-bl之下，第一電極1-4、第二電 極2-4對於第一位置al-al與第二位置bl-bl之間的第一流 • 體wl進行激能後形成了第二流體w2，如此使得第一流體 wl之能量狀態係不同於第二流體w2之能量狀態，並且第 • 二流體w2通過第三位置cl-cl且經由中空件nl之輸出端 i2進行輸出。 第一應用例 如第5A圖所示，本發明處理系統Tla包括了單一電 漿產生裝置Ml及其電極元件el，並且電漿產生裝置Ml 亦可利用其它單一電漿產生裝置M2、M3、M4及其電極元 件e2、e3、e4、e5所取代，但為方便於說明，本例子係以 # 電漿產生裝置Ml及其電極元件el進行說明。 處理系統Tla包括一基座tO與電漿產生裝置Ml，其 中，基座tO用以承載物件rl，經由電漿產生裝置Μ1對於 第一流體wl進行激能所形成之第二流體w2便可對於基座 tO上之物件rl進行材料表面處理、活化、清潔、光阻灰化 或蝕刻等製程或處理。於本實施例中，物件rl係可由有機 材料(例如：PP、PE、PET、PC、PI、PMMA、PTFE、Nylon 等）、無機材料(例如：Glass及Si-based材料）或金屬材料所 Π 0968-A21843TWF(N2):P53950050TW:alexlin 1345431 製成之一平板構件或具有曲面之 於第二流體具有均勻的能旦八 侍主意的是，由 有相當理想的效果。里77 ’在處理平板構件時可具 第二圖表示第5A圖之處理系統叫之 ib。處理系統Tlb不同於處理系统τ 文例 糸統m中採取了兩組電極 2於.處理 連續之兩組電極元件二===上。在 之第二流體w2更可達到高密度之離子化效果。所輸出 第二應用例 如第6圖所示，處理系統τι,
Tla不同之處在於：處、 θ处理系統 糸、'先T1之導引元件P1，之中命杜 更包括一側壁部Sl、一埠結構hi與-止撞部fl，^件 埠結構hi形成於側壁部sl " "中， 痒結構hl之—側。其中，埠h't止擋部fl係鄰接於 外側之開孔，經由路經gl運^為一壤繞導引元件外 部η之作用下而經由‘::^體-便可在止擋 ^ ^ 構hi而輸出，如此便可對於叙 件r 2之内側壁面進行材料表面處理、活化、：於物 化或蝕刻等製程或處理〜先阻灰 右她从土丨λ- 於本貫施例中，物件r2係為可由 广$機材料或金屬材料所製成之一管狀構件。 第三應用例 第7圖所不’處理系、统T2包括一頭部5與一電漿產 〇968-A21843TWF(N2)：P53950050TW：alexlin 生裝置M5。雷％甚从杜 ^ 一 电產生裝置M5包括複數導引元件pi與一 电^ ^件e5其中’電極元件e5包括一第一電極1-5與一 第二電極2_5’頭部5係用以將第—流體wi分配至各導引 凡件P1 ’電極元彳丰p ^ & 午e5之第一電極1_5與第二電極2_5係設 置於複數導引元件？1之外部。 • 第8A 8B ®分別表示根據第7圖中之線段Z1-Z1進 ㈣面之示意圖’其中，第8A圖中之複數導引元件⑴系 知用亚聯方式之排列，而第8B圖中之複數導引元件P1係 採用交又方式之排列。 第9A、9B目分別表示根據帛7圖中之線段Z2-Z2對 於第一電極1-5進行剖面之示意圖，其中，第9人圖中之第 一電極1-5中之複數導引元件ρι係採用並聯方式之排列， 而第9B圖中之第一電極1-5中之複數導引元件ρι係採用 交叉方式之排列。 因此，在處理系統丁2中之複數導引元件ρι之並聯戋 φ 父叉方式之排列方式作用下，電漿區之作用面積可被增加。 因此，在本發明之處理系統的作用下，由於電漿、第 一電極與第二電極之間並不會相互接觸，除了無電極損耗 之情況產生之外，模組化之處理系統更可提供線狀大氣電 漿處理裝置，有效的降低設備成本且提升生產率。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用二、 限制本發明’任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之^ 神和範圍内，當可做更動與潤飾，因此本發明之保雙範1 當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 魏圍 0968-A21843TWF(N2) ；P53950050TW；alexlin 1345431 【圖式簡單說明】 第1圖表示根據本發明之第一實施例之一電漿產生裝 置（Ml)之示意圖； 第2圖表示根據本發明之第二實施例之一電漿產生裝 置（M2)之示意圖； 第3圖表示根據本發明之第三實施例之一電漿產生裝 置（M3)之示意圖； 第4圖表示根據本發明之第四實施例之一電漿產生裝 置（M4)之示意圖； 第5A圖表示本發明之第一應用例之一處理系統（Tla) 之示意圖，其中，處理系統(Tla)包括單一電漿產生裝置 (Ml)； 第5B圖表示第5A圖之處理系統（Tla)之一變化例 (Tib)； 第6圖表示本發明之第二應用例之一處理系統(ΤΓ)之 不意圖， 第7圖表示本發明之第三應用例之一處理系統（T2)之 示意圖，其中，處理系統(T2)包括複數導引元件(P1); 第8A圖表示根據第7圖中之線段(Z1-Z1)進行剖面之 放大示意圖，其中，複數導引元件（P1)係採用並聯方式之 排列； 第8B圖表示根據第8A圖之複數導引元件(P1)之另一 排列方式（交叉排列）‘； 0968-A21843TWF(N2)；P53950050TW；alexlin 14 ^45431 第9A圖表示根據第7圖中之線段(Z2_Z2)對於第一電 :㈣進行剖面之放大示意圖’其卜位於第一 之複數導引元件(P1)係採用並聯方式之排列；以及 第犯圖表示根據第9A財之複 —排列方式（交叉㈣）。 ^丨科（P1)之另 【主要元件符號說明】
1-卜 1-2、1-3、1-4、1-5〜第一電極 2d、2-2、2-3、2-4、2-5〜第二電極 3〜供應裝置 5〜頭部 al-al〜第一位置 bl-bl〜第二位置 cl-cl〜第三位置 el、e2、e3、e4、。5~電極元件 gl〜路徑 hi〜埠結構 il〜輸入端 i2〜輸出端
Ml、M2、M3、M4、M5〜電漿產生妒置 nl、nl’〜中空件 P1、ΡΓ〜導引元件 rl〜物件 si〜側壁部 0968-A21843TWF(N2) ：P53950050TW；alexlin 15 1345431 to〜基座
Tla、Tib、ΤΙ’、T2〜處理系統 wl、w2〜第一、二流體 X〜能量分佈曲線 Z1-Z1、Z2-Z2〜線段 0968-A21843TWF(N2)：P53950050TW；alexlin

Claims (1)

1345431 年月3修(更)正本 修正日期:99.12.24 ,第 95134000 號 修正本 十、申請專利範圍： 1.-種電漿產生裝置，用以對於一第一流體進行 化，該電漿產生裝置包括： 子 /至少-導引元件，包括一路徑，該第一流體沿著 徑依序通過一第一位置與一第二位置；以及 路 至少一電極元件，包括一第一電極與一第二電極 中該第-電極於圓周上不完全包覆該導引元件，在 : 電極相對於該第-位置、該第二電極相對於該第二位 下該第電極、該第二電極對於該第一位置與該第二办 t間的該第一流體進行激能後形成了一第二流體，：第 一机體之能量狀態係不同於該第二流體之能量狀態。 2.如申請專利範圍第μ所述之電漿產生裝置，其中， “弟-電極與該第二電極之間存在有電位差。 贫道^丨如申$專利&圍第1項所述之電漿產生裝置，其中， § 元件已括_空件，該路徑係位於該中空件之内部。 ㈣二如申明專利㈣第1項所述之電漿產生裝置，其中， “電極、該第二電極具有完全相同的尺寸。 μ 專利祀圍第1項所述之電漿產生裝置，其中， 〜 電極之尺寸係大於該第二電極之尺寸。 如申明專利|巳圍第】項所述之電聚產生裝置，其 該弟—電㈣環繞於該導引元件之外側。 、· 利範圍第1項所述之電榮產生裳置，其中， c 一电極係環繞於該導引元件之外側。 8.如申請專利範圍第】項所述之電漿產生裝置，其中， 17 第 95134000 號 u 修正日期:99.12.24 e 修正本 °亥第电極係局部環繞於該導引元件之外侧。 _ 9.如申凊專利範圍第8項所述之電漿產生裝置，其中， 該第一電極包括-C型結構。 八 ίο.如申睛專利範圍第1項所述之電漿產生裝置，其 中，该第二電極係局部環繞於該導引元件之外側。 11·，申請專利範圍第10項所述之電漿產生裴置，其 中，該第二電極包括一 C型結構。 I2.如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置，其 T，該第一電極包括一第一槽結構，該第二電極包括一第 槽…構，该第一槽結構與該第二槽結構係相對於該路徑 而採用交錯方式之排列。 13·如申請專利範圍第1項所述之電漿產生裝置，更包 括—供應裝置’該供應裝置係電性連接於該第一電極。 14.如申凊專利範圍第13項所述之電漿產生裝置，其 中，該供應裝置為一射頻產生器。 八 15·如申請專利範圍帛14項所狀電漿產生裝置，其 :’該射頻產生器之頻率為13.56 MHz或13.56 MHz之整 數倍數之頻率。 16.如申請專利範圍帛13項所述之電聚產生裝置，其 中，該供應装置為一電源供應器。 17·如申請專利範圍第16項所述之電漿產生裝置，其 中，該電源供應器為一交流電產生器。 1如中請專利第Π項所;之電漿產生裝置，其 中，該交流電產生器之頻率為1MHZ〜100MHZ。 ^45431 第 95134000戴 修正本 修正日期:99.12.24 19. 如申請專利範圍第丨項所述之電漿產生裝置，其 :二該導引元件更包括一第三位置，該第二流體係通過該 第一位置，並且在該第三位置之該第二流體於實質上具有 均勻能量分佈曲線。 20. 如申請專利範圍第丨項所述之電漿產生裝置，其 中，該導引元件係由介電材料所製成。
21.如申請專利範圍第丨項所述之電漿產生裝置，其 中，該第一電極係為一線圈結構。 22.如申請專利範圍第21項所述之電漿產生裝置，其 中該線圈結構係設置於該導引元件之外部。 23·如申請專利範圍第丨項所述之電漿產生裝置，其 中’該導引元件更包括-側壁部與—埠結構，該埠結構形 成於該側壁部，並且該第二流體通過該埠結構。 〆 24.如申請專利範圍第23項所述之電漿產生裝置，農 中’該埠結構為一開孔。 /、 25.—種處理系統，利用一第一流體對於一物 理，該處理系統包括： 丁處 —基座，用以承載該物件；以及 一電漿產生裝置，用以對於該第一流體進行離 該電漿產生裝置包括： 尸至少一導引元件’包括一路徑’該第—流體沿著該路 徑依序通過一第一位置與一第二位置；以及 至少一電極元件，包括一第一電極與一第二電極，发 中該第一電極於圓周上不完全包覆該導引元件，在該第二 19 丄jJ 第 95134000 號 2—6.^申請專利範㈣25項所述之處理系統，其中 I弟電椏與該第二電極之間存在有電位差。
2:.如中請專利範圍第25項所述之處理系統，並中， 以導轉包括祕徑餘料巾^件之 •如中請專利範圍帛25項所述之處理系統，其中， 第一電極、該第二電極具有完全相同的尺寸。八 ^ 29.如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中， 該第一電極之尺寸係大於該第二電極之尺寸。 一 ’ 30.如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中， 該第一電極係環繞於該導引元件之外側。 、
修正日期:99.12.24 下電極=於;第一位置、該第二電極相對於該第二： "弟電極、該第二電極對於該第一位置與該第一 2的該第-流體進行激能後形成了-第二流體，；第 —流體係對於該基座上之該物件進行處理。爪體該第 /1.如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中 該第二電極係環繞於該導引元件之外側。 32. 如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中 該第一電極係局部環繞於該導引元件之外侧。 ’、 33. 如申請專利範圍第32項所述之處理系統，其中 s亥弟一電極包括一 C型結構。、 34. 如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中 該第二電極係局部環繞於該導引元件之外侧。 35. 如申請專利範圍第34項所述之處理系統，其中 該第二電極包括一 C型結構。 20 1345431 第 95134000 號 ， 修正日期:99.12.24 36.如申請專利範圍第25項所述之處理系統， 該第-電極包括一第一槽結構，該第第 ::構舆該第二槽結構係相對於二: 一 請專·圍第25項所述之處理系統，更包括 供應裝置’該供應裝置係電性連接於該第_電極。 ⑽申請專利範圍第37項所述之處m其中， 該供應裝置為一射頻產生器。 ㈣19·Γ申請專觀®第38項所述之處m並中， =器之頻率一一一之整:倍 該供其中， 41.如申β月專利範圍第4〇項所述之處理系統，直 該電源供應器為一交流電產生器。 …八， >42.如申#專利範圍第41項所述之處理系、统，， 該父流電產生器之頻率為1MHz~i〇〇MHz。 43. 如申請專利範圍第25項所述之處 =引元件更包括一第三位置，該第二流“ 位置’亚且在該第二位置之該第二流體於 能量分佈曲線。 _上具有均勻 44. 如中請專利範圍第25項所述之處理系統， 該導引7G件係由介電材料所製成。 ’’ /、中， 45. 如申請專利範圍第25項所述之處理系統，其中， 1345431 第95】34000號 修正日期:99 12 24 修正本 該第一電極係為一線圈結構。 46. 如申請專利範圍第45項所述之處 該線圈結構係設置於該導引元件之外部。，、’ -中， 47. 如申請專利範圍第25項所述之處理系統， 件更包括Γ㈣部與一埠結構，該埠結構形成於 人土〇並且該第一流體經由該埠結構對於該物件進行 處理。 *如申清專利範圍第47項所述之處理系統，其中， 該埠結構為一開孔。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120258555A1 (en) * 2011-04-11 2012-10-11 Lam Research Corporation Multi-Frequency Hollow Cathode and Systems Implementing the Same
JP5909831B2 (ja) * 2012-12-30 2016-04-27 株式会社 東北テクノアーチ 病原菌および害虫の駆除装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2659841A (en) * 1948-08-03 1953-11-17 Georges Truffaut Ets Means for electrifying pulverulent materials
US3215939A (en) * 1961-09-07 1965-11-02 Csf Electronic switching system
US3941957A (en) * 1974-05-09 1976-03-02 Tilman Ted N High current high voltage switch structure with conductive piston
US4088926A (en) * 1976-05-10 1978-05-09 Nasa Plasma cleaning device
JPH0367496A (ja) * 1989-08-07 1991-03-22 Jeol Ltd 誘導プラズマ発生装置
US5241245A (en) * 1992-05-06 1993-08-31 International Business Machines Corporation Optimized helical resonator for plasma processing
JP3147137B2 (ja) * 1993-05-14 2001-03-19 セイコーエプソン株式会社 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
JPH08236504A (ja) * 1995-02-27 1996-09-13 Fujitsu Ltd 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US6049657A (en) * 1996-03-25 2000-04-11 Sumner; Glen R. Marine pipeline heated with alternating current
US5781077A (en) * 1997-01-28 1998-07-14 Burr-Brown Corporation Reducing transformer interwinding capacitance
JP2868120B2 (ja) * 1997-06-11 1999-03-10 川崎重工業株式会社 電子ビーム励起プラズマ発生装置
JP4221847B2 (ja) * 1999-10-25 2009-02-12 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
US20020122896A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-05 Skion Corporation Capillary discharge plasma apparatus and method for surface treatment using the same
JP2002368389A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の処理方法及びプリント配線板の処理装置
JP2004281230A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Ebara Corp ビーム源及びビーム処理装置
JP2005095744A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Matsushita Electric Works Ltd 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置
CA2547043C (en) * 2005-08-05 2014-07-29 Mcgill University A plasma source and applications thereof

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