JP2005095744A - 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくする絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置を提供する
【解決手段】 絶縁材料により形成される被処理物Ｐを移動させる搬送手段１と、プラズマ生成用ガスＧが流入する流入口２ａａと生成されたプラズマＰＬを被処理物Ｐに向けて吹き出す吹出口２ａｂとを備える反応容器２ａと、反応容器２ａ内に流入したプラズマ生成用ガスＧに電圧を与えてプラズマＰＬを生成するプラズマ生成部２ｂと、被処理物Ｐから非接触で電荷を取り除く除電部３とを備え、搬送手段１は、反応容器２ａから吹き出されたプラズマＰＬと接触する位置から除電部３により非接触で電荷が取り除かれる位置に被処理物Ｐを移動させるように形成している。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂やガラスなどの絶縁材料からなる絶縁部材の表面をプラズマ処理して濡れ性や接着性を改善する絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置に関するものである。

近年、液晶ディスプレイの各工程での汚染物除去、樹脂成形部品への接着剤の濡れ性や接着性の改善、セラミックやガラスへの蒸着膜の密着性改善のために、絶縁材料からなる絶縁部材に表面処理を施して表面改質を行うことが多くなっている。

そのため、従来、絶縁部材を真空中に配置し、真空中でプラズマを発生させ、このプラズマ中に含まれるイオンやラジカルのエネルギーにより、被処理物の表面を処理することが一般的に行われている。また、特許文献１のように、大気圧下で発生させたプラズマを金属製のメッシュを介して被処理物に吹き付けて処理する方法も近年行われている。
特許３１４７１３７号公報

しかしながら、被処理物に対して上述のような表面処理を行なっても、大気中に置いておくと、被処理物が、例えば大気中の有機物などを吸着することにより、表面処理の効果が大きく低下する。

特許文献１に開示された表面処理装置は、金属製のメッシュを介してプラズマを被処理物に吹き付けることにより、被処理物に加わる電気的なダメージを少なすることができるので有用である。しかしながら、このものは、メッシュを介してプラズマを吹き付けるので、メッシュに付着した汚染物がプラズマにより飛散して被処理物に付着することも生じかねないし、プラズマを用いた表面処理がされた後で帯電していると、大気中に置いたときにプラズマ処理の効果が低下する点に関しては、一般的なプラズマ処理と同様であった。

本願発明は、上記事由を考慮してなされたもので、その目的とするところは、プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくする絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本願発明の絶縁部材の表面処理方法は、反応容器内のプラズマ生成用ガスに電圧を印加することによりプラズマを生成し、生成されたプラズマを絶縁材料により形成される被処理物に接触させてから、その被処理物を除電する処理を行うようにしている。

また、本願発明の絶縁部材の表面処理装置は、絶縁材料により形成される被処理物を移動させる搬送手段と、プラズマ生成用ガスが流入する流入口と生成されたプラズマを被処理物に向けて吹き出す吹出口とを備える反応容器と、反応容器内に流入したプラズマ生成用ガスに電圧を与えてプラズマを生成するプラズマ生成部と、被処理物から非接触で電荷を取り除く除電部とを備え、搬送手段は、反応容器から吹き出されたプラズマと接触する位置から除電部により非接触で電荷が取り除かれる位置に被処理物を移動させるように形成している。

本願発明の絶縁部材の表面処理方法においては、絶縁材料により形成される被処理物にプラズマに接触させてから除電する処理を行うので、被処理物の帯電が抑えられ、被処理物が大気中の有機物などの汚染物質をクーロン力により引きつけて再び汚染されることを抑えることができる。そのため、プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくすることができる。

また、本願発明の絶縁部材の表面処理装置においては、搬送手段が絶縁材料により形成される被処理物をプラズマ処理部から除電部に移動させるので、被処理物にプラズマを吹き付けてから除電する処理を行うことになり、表面処理後の被処理物の帯電が抑えられ、被処理物が大気中の有機物などの汚染物質をクーロン力により引きつけて再び汚染されることを抑えることができる。そのため、プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくすることができる。

本願発明の絶縁部材の表面処理装置（以下、単に表面処理装置と呼ぶ）の第１の実施形態について、図１を用いて説明する。このものは、搬送手段１と、プラズマ処理部２と、除電部３とを有して形成されている。

搬送手段１は、モーター等の駆動源（図示せず）によって一方向に略水平に進行するベルト１ａにより形成されている。このものは、被処理物Ｐをベルト１ａ上に載せた状態で、自動的にベルト１ａの進行方向に移動させる。ここで、被処理物Ｐは、例えばプリント基板や液晶ディスプレイのガラスなどの絶縁材料からなる絶縁部材である。また、後述のプラズマ処理部２の吹出口２ａｂに対向するベルト１ａの部分の裏側に流路１ｂを有し、この流路に水などの冷媒を循環させることにより、ベルト１ａ上の被処理物Ｐを冷却することができる。

プラズマ処理部２は、反応容器２ａと、プラズマ生成部２ｂとを有して形成されている。反応容器２ａは、絶縁材料で円筒状に真直に形成されたものであり、内径が０．１〜１０ｍｍになるように形成され、軸の方向が搬送手段１のベルト１ａに対して直交するように固定されている。このものは、上面側の端部にプラズマ生成用ガスＧが流入する流入口２ａａを、下面側の端部にプラズマＰＬを被処理物Ｐに向けて吹き出す吹出口２ａｂを有している。吹出口２ａｂからのプラズマＰＬの吹き出し速度は、流入口２ａａから流入するプラズマ生成用ガスＧの流入速度により決定される。ここでは、この流入口２ａａと、吹出口２ａｂとは円形であり、反応容器２ａの内径と同じ径を有しているので、プラズマ生成用ガスＧの流入速度とプラズマＰＬの吹き出し速度はほぼ同じとなっている。また、吹出口２ａｂは、円形であるので、吹き出されたプラズマＰＬにより処理できる領域もほぼ円形の領域となり、局所的に表面処理を行うことができる。この反応容器２ａを形成する絶縁材料には、石英、アルミナ、イットリア部分安定化ジルコニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などを用いることができる。

ここで、プラズマ生成用ガスＧとしては、希ガスまたは反応性ガスと希ガスとを混合したガスを用いる。希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどを単独で用いたり、複数種を併用したりすることができる。しかしながら、放電の安定性や経済性を考慮すると、アルゴンとヘリウムのうち少なくとも１つを用いることが好ましい。被処理物Ｐの表面の汚れが少なくてプラズマ処理を強く行う必要がないときには、希ガスのみを用いてプラズマＰＬを生成し被処理物Ｐを処理するだけで濡れ性や接着性は向上する。しかし、被処理物Ｐの表面の汚れが多いときには、反応性ガスを希ガスに混合したものをプラズマ生成用ガスＧとして、プラズマＰＬを生成する方が良い。この反応性ガスとしては、酸素、窒素、空気などが挙げられるが、有機汚染物質を効率的に除去するには酸素を用いることが好ましい。この酸素の量は、希ガス全量に対して０．５〜５．０体積％を添加するのが良い。それは、酸素の添加量が希ガスの全量に対して０．５体積％未満であれば、汚染物の除去効果が低くなるときがあり、酸素の添加量が５．０体積％を越えると放電が不安定になるときがあるからである。

プラズマ生成部２ｂは、対をなす電極２ｂａ，２ｂｂと、電源２ｂｃとを有して構成される。電極２ｂａ，２ｂｂは円環状（リング状）に形成されており、冷却効率を高くするために熱伝導性の高い金属材料、例えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼（ＳＵＳ３０４など）などで形成されている。電極２ｂａ，２ｂｂは、その内周面を反応容器２ａの外周面に全周に亘って接触させるようにして反応容器２ａの外側にそれぞれ配設されている。また、吹出口２ａｂの上方において、電極２ｂａ，２ｂｂは、プラズマ生成用ガスＧの流れの上流側と下流側に（図１中では上下に）対向させて配置されており、電極２ｂａ，２ｂｂの間に対応する位置において反応容器２ａ内には放電空間２ａｃが形成されている。

電源２ｂｃは電極２ｂａ，２ｂｂに電気的に接続されており、パルス状の電圧又は交番する電圧（交流電圧または高周波電圧）を発生するものである。電源２ｂｃにより電極２ｂａ，２ｂｂの間にパルス状の電圧又は交番する電圧が印加されると、放電空間２ａｃに生じる電気力線は反応容器２ａの内周面に沿って上下方向（電極２ｂａ，２ｂｂが並ぶ方向）になる。このように、電極間に電圧を与えることにより、流入口２ａａから放電空間２ａｃ内に流入したプラズマ生成用ガスＧからプラズマＰＬが生成される。ここで、電極２ｂａ，２ｂｂの間隔Ｌ（電極２ｂａの下端と電極２ｂｂの上端の間隔Ｌ）は３〜２０ｍｍに設定するのが好ましい。また、電極２ｂａ，２ｂｂは冷媒により冷却されるのが好ましい。

プラズマ処理部２は、上述のような構成を有することにより、反応容器２ａの流入口２ａａからプラズマ生成用ガスＧを流入させ、プラズマ生成部２ｂにより反応容器２ａ内の放電空間２ａｃにプラズマＰＬを生成し、反応容器２ａの吹出口２ａｂからプラズマＰＬを被処理物Ｐに向けて吹き出すことができる。

除電部３は、除電電極３ａと、ケース３ｂとを有して形成されている。除電電極３ａは、タングステンで直線状に形成されたものであり、樹脂製のケース３ｂに支持されて搬送手段１の上方に搬送手段１のベルト１ａの進行方向に直交するように設けられる。このものは、電源（図示せず）により１〜１０ｋＶの高電圧が印加されると、周囲に強電界を生じ、その強電界内に帯電した被処理物Ｐを存在させることにより、被処理物Ｐの表面に存在する電荷を吸収し、被処理物Ｐから非接触で電荷を取り除く。除電電極３ａと被処理物Ｐとの距離は、除電電極３ａの印加電圧と被処理物Ｐの帯電量により、２０ｍｍ〜１５０ｍｍの間で設定できる。

ケース３ｂは、樹脂により断面視長方形形状の筒状に形成されており、その両端は樹脂により閉じられている。このものは、樹脂製の固定部４を用いてプラズマ処理部２に固定されており、搬送手段１の進行方向と断面形状の長方形の長辺とがほぼ平行になるように設けられている。そして、このものは、断面視で中心付近に筒の長さ方向に沿って除電電極３ａを支持しており、除電電極３ａの下方に除電電極３ａに平行に設けられたスリット３ｂａを有している。このスリット３ｂａを設けることにより、除電電極３ａは、除電電極３ａの下方に位置する被処理物Ｐの表面に存在する電荷を吸収して除去する。

次に、第１の実施形態の動作について説明する。まず、表面処理装置の主電源（図示せず）を投入すると、プラズマ処理部２は、プラズマ生成用ガスＧを反応容器２ａ内に流入させ、放電空間２ａｃに導き入れる。そして、プラズマ生成部２ｂは、電源２ｂｃにより電極２ｂａ，２ｂｂ間にパルス状もしくは交番する電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下（９３．３〜１０６．７ｋＰａ（７００〜８００Ｔｏｒｒ））で放電空間２ａｃにグロー状の放電を発生させると共にグロー状の放電によりプラズマ生成用ガスＧをプラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマＰＬを生成する。この後、プラズマ生成用ガスＧの流入速度により決定される吹き出し速度でプラズマＰＬがプラズマジェットとして吹出口２ａｂから下方に向けて吹き出される。一方、除電部３は、除電電極３ａに高電圧が印加され、搬送手段１は、駆動源（図示せず）によりベルト１ａの駆動を開始する。

そして、前工程によりベルト１ａ上に被処理物Ｐが置かれて水平方向に移動し、その被処理物Ｐがプラズマ処理部２の下方を通過するときに、流路１ｂを流れる冷媒により冷却されつつプラズマＰＬが吹き付けられる。そのため、その吹き付けられた部分の表面に存在する汚染物質は、プラズマＰＬの活性種で分解（灰化）されて吹き飛ばされ、除去される。ここで、被処理物Ｐは、プラズマＰＬを吹き付けられたことにより帯電し、電荷を有している。このため、大気中の汚染物質（例えば大気中の有機汚染物質など）をクーロン力により引きつけ、被処理物Ｐの表面が再び汚れ始める状態となっている。搬送手段１は、ベルト１ａにより被処理物Ｐを移動させ、被処理物ＰにプラズマＰＬを吹き付けられた後すぐに連続して、除電部３の下方を通過させる。そのため、被処理物Ｐの表面から電荷が除去されるので、被処理物Ｐが大気中の汚染物質をクーロン力により引きつけて再び汚れるのを抑えることができる。プラズマＰＬが被処理物Ｐに吹き出されてから除電部３により電荷を取り除かれるまでの時間は、短ければ短いほど良いが、数秒以内であれば十分な効果が得られる。

また、プラズマ処理の効果を上げるためには、被処理物Ｐの種類やプラズマＰＬの生成条件によって異なるが、被処理物Ｐの搬送速度は、０．１ｍｍ／秒〜２００ｍｍ／秒に、被処理物Ｐと吹出口２ａｂの間隔は２〜１０ｍｍにそれぞれ設定するのが好ましい。また、電極２ｂａ，２ｂｂ間に印加される電圧が交番する電圧（交流電圧）の場合、その周波数は１ｋＨｚ〜２００ＭＨｚに設定することができる。さらに、放電空間２ａｃに印加される印加電力の密度は２０〜３５００Ｗ／ｃｍ³に設定することができる。印加電力の密度（Ｗ／ｃｍ³）は（放電空間２ａｃに印加される印加電力／放電空間２ａｃの体積）で定義される。さらに、反応容器２ａの吹出口２ａｂでのガス流速（プラズマＰＬの吹き出し速度）は２ｍ／秒以上にすることが好ましく、このような値にすることにより、汚染物質の除去処理を効率よく行うことができる。

ここで、反応容器２ａの吹出口２ａｂと、除電部３のスリット３ｂａとの水平方向（ベルト１ａの進行方向）の距離ｄは、短い方がよい。それは、被処理物Ｐの表面処理後の帯電した状態を短くすることができるからである。しかしながら、除電部３を反応容器２ａに近づきすぎると、電極２ｂｂに近づくことになり、電極２ｂｂから除電部３に放電が生じると、放電空間２ａｃに印加される電圧が不安定となるためプラズマＰＬを安定して生成することができなくなる。そのため、除電部３は、プラズマＰＬの生成を妨げない範囲でできる限り近くするのが望ましい。

また、プラズマ処理部２として真空プラズマ処理を行うものを用いて、その後に除電部３を設けても効果があるが、除電部３を真空装置内への設置は一般に行いにくい。そして、被処理物Ｐを真空中から取り出して除電すると、真空中から取り出してから除電するまでに、セッティングなどのための時間を要するので、その間の汚染物の吸着量が多くなり、除電の効果が小さくなる。したがって、大気圧プラズマによる処理を行う場合には、除電部３をプラズマ処理部２の近傍に置きやすく、大気圧プラズマを用いて処理した後に搬送手段１に載せたまま連続して除電するように構成しやすいという利点を有している。

ここで、第１の実施形態の表面処理装置を用いてポリイミドフィルム表面の汚染物質の除去を行なった例について示す。この例では、反応容器２ａは外径が５ｍｍ、内径が３ｍｍの円筒管であり、石英により形成した。また、プラズマ処理部２においては、プラズマ生成用ガスＧとして、ヘリウムを０．５リットル／分、アルゴンを１リットル／分、酸素を０．０５リットル／分の流量で反応容器２ａに流入させた。また、電極２ｂａ，２ｂｂの間には周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、印加電力を１００Ｗとした。また、吹出口２ａｂから吹き出されるプラズマＰＬの速度（ガス速度）は３．６ｍ／秒とした。また、搬送手段１に設置した被処理物Ｐの搬送速度は５０ｍｍ／秒とし、除電部３の除電電極３ａには４ｋＶの電圧を印加した。このとき、プラズマＰＬが被処理物Ｐに吹き出されてから除電部３により電荷を取り除かれるまでの時間は、３秒程度であった。

ここで、プラズマＰＬによる表面処理のみを行なった場合と、プラズマＰＬによる表面処理につづいて除電部３により除電処理を行なった場合について水接触角（水濡れ性）を比較すると、表面処理の直後には、順に１３．４°および１３．０°と大きな差はなかった。しかしながら、大気中に３時間放置すると、水接触角は順に２４．３°および１８．５°となり、除電を行なったものの方が、プラズマＰＬを用いた表面処理により改善した水接触角の特性の低減が抑えられていることを確認した。大気中に３時間放置したポリイミドフィルムの表面処理を行なった部分に銅を蒸着すると、除電処理をした方が密着性の高い銅蒸着膜が形成された。

このように、第１の実施形態においては、搬送手段１が被処理物Ｐをプラズマ処理部２から除電部３に移動させるので、被処理物ＰにプラズマＰＬを吹き付けてから除電する処理を行うことになり、表面処理後の被処理物Ｐの帯電が抑えられ、大気中の汚染物質をクーロン力により引きつけることを抑えることができる。そのため、プラズマを用いた表面処理を行なった後の表面処理の効果の低減を少なくする表面処理装置を提供することができる。

なお、この実施形態において、除電部３は、直線状の除電電極３ａを用いたが、針状の除電電極３ａを用いてスポット的に除電を行うものであってもよい。

次に、本願発明の表面処理装置の第２の実施形態について、図２を用いて説明する。このものは、第１の実施形態のプラズマ処理部２を、図２に示すプラズマ処理部２に置き換えたものであり、第１の実施形態と比較して、プラズマ処理部２の反応容器２ａと、電極２ｂａ，２ｂｂの形状が異なっており、その他の構成は第１の実施形態と同じである。

反応容器２ａは、その厚み方向（厚み方向を矢印Ｂで示す）に並んで対向する一対の側壁２ａｄと、反応容器２ａの幅方向（幅方向を矢印Ａで示す）に並んで対向する一対の側壁２ａｅと、反応容器５の下面を構成する矩形状（底面視で長方形）の底部２ａｆとで有底の角形筒状に形成されている。また、反応容器２ａの上面は流入口２ａａとしてほぼ全面にわたって開放されているとともに底部２ａｆの外面である反応容器２ａの下面はほぼ平坦な面で形成されている。

そして、図２（ｂ）に示すように、反応容器２ａの下面の厚み方向の略中央部には反応容器２ａの長手方向（幅方向）と平行な方向に長くて幅広の吹出口２ａｂが形成されている。吹出口２ａｂはスリット状であって、反応容器２ａの底部２ａｆを貫通して反応容器５内の放電空間２ａｃと連通している。そのため、吹出口２ａｂから吹き出されるプラズマＰＬは帯状のものとなり、第１の実施形態のプラズマ処理部２よりも幅広の範囲において被処理物Ｐの表面処理を行うことができる。

プラズマ生成部２ｂの電極２ｂａ，２ｂｂは、角形の環状に形成されており、冷却効率を高くするために熱伝導性の高い金属材料、例えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼（ＳＵＳ３０４など）などで形成されている。電極２ｂａ，２ｂｂは、その内周面を反応容器２ａの外周面に全周に亘って接触させるようにして反応容器２ａの外側にそれぞれ配設されている。また、吹出口２ａｂの上方において、電極２ｂａ，２ｂｂは上下に対向するように配置されている。

反応容器２ａは厚み寸法よりも幅寸法が非常に大きく形成された扁平形状であって、反応容器２ａの厚み方向（幅狭方向）における内寸Ｗ、すなわち、反応容器２ａの厚み方向（幅狭方向）に並んで対向する一対の側壁２ａｄの内面の対向間隔Ｗは、０．１〜５ｍｍに形成するのが好ましい。このように反応容器２ａの厚み方向の内寸Ｗを０．１〜５ｍｍにすることによって、放電空間２ａｃの体積が比較的小さくなって、放電空間２ａｃにおける単位空間あたりの電力を高くすることができ、つまり、放電空間２ａｃにおける放電空間密度を上げることができ、低電力化及び小ガス流量化を図ることができるものであり、しかも、プラズマの生成効率が高まって、プラズマ処理（汚染物質３の除去処理）の能力を向上させることができるものである。

第２の実施形態においては、上述のような構成のプラズマ処理部２を、その厚み方向が搬送手段１の進行方向になるとともに吹出口２ａｂが搬送手段１のベルト１ａの上面と対向するように設けられている。従って、被処理物Ｐが帯状のプラズマＰＬにより吹き付けられる。よって、プラズマＰＬが吹き付けられた後、被処理物Ｐは、幅広い領域で帯電している。ここで、除電部３の除電電極３ａは、直線状の電極であるため、プラズマＰＬにより帯電した幅広い領域を除電して、プラズマＰＬを用いて表面処理した部分が再び汚染されることを防ぐことができる。

ここで、第２の実施形態の表面処理装置を用いて液晶パネル用ガラス基板表面の汚染物の除去処理を行なった例について示す。この例では、反応容器２ａの吹出口２ａｂの大きさを２．５ｍｍ×３５ｍｍに形成した。また、プラズマ生成用ガスＧとしては、ヘリウムを２リットル／分、アルゴンを８リットル／分、酸素を０．３リットル／分の流量で反応容器２ａに流入させた。また、電極２ｂａ，２ｂｂの間には、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、印加電力を６００Ｗとした。また、吹出口２ａｂから吹き出されるプラズマＰＬの速度（ガス速度）は２．５ｍ／秒とした。また、搬送手段１上に載置した被処理物Ｐの搬送速度は１００ｍｍ／秒とし、除電部３の除電電極３ａには２ｋＶの電圧を印加した。このとき、プラズマＰＬが被処理物Ｐに吹き出されてから除電部３により電荷を取り除かれるまでの時間は、３秒程度であった。

ここで、プラズマＰＬによる表面処理のみを行なった場合と、プラズマＰＬによる表面処理につづいて除電部３により除電処理を行なった場合について水接触角（水濡れ性）を比較すると、表面処理の直後には、順に４．８°および４．５°と大きな差はなかった。しかしながら、大気中に３時間放置すると、水接触角は順に１０．３°および７．０°となり、除電を行なったものの方が、プラズマＰＬを用いて改善した水接触角の特性の低減が抑えられていることを確認した。大気中に３時間放置したガラス基板の表面処理を行なった部分にＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）を蒸着すると、除電処理をした方が密着性の高いＩＴＯ蒸着膜が形成された。

このように、第２の実施形態においては、幅広の領域を表面処理できるプラズマ処理部２と、幅広の領域を除電できる除電部３を有するので、幅広の範囲でプラズマを用いた表面処理を行い、かつ、その後の表面処理の効果の低減を少なくする表面処理装置を提供することができる。

次に、本願発明の表面処理装置の第３の実施形態について、図３を用いて説明する。このものは、第１の実施形態と比較して、プラズマ処理部２の反応容器２ａが所定の角度θだけ傾いている点と、除電部３の位置が反応容器２ａの吹出口２ａｂに近づいている点が異なっており、その他は第１の実施形態と同じ構成である。

プラズマ処理部２の反応容器２ａは、搬送手段１の進行方向とは逆の方向に所定の角度θだけ傾けられて配設されている。そのため、電極２ｂｂのベルト１ａの進行方向側の底面とベルト１ａの上面との距離は、傾ける前と比較して広くなる。そのため、電極２ｂｂから除電部３に放電を避けつつ、除電部３を第１の実施形態と比較して反応容器２ａの吹出口２ａｂに近づけることができる（つまり、ｄ’＜ｄにできる）。ここで、所定の角度θは、プラズマＰＬを用いた表面処理の効果と、除電部３による表面処理後における表面処理の効果の低減に対する抑制効果を考慮して決定する。

このように、第３の実施形態においては、被処理物Ｐの表面処理後の帯電した状態を短くすることができ、表面処理の効果の低減をさらに抑えることができる。

なお、実施形態の説明において、図１〜図３に示したプラズマ処理部２を用いる場合について示したが、これらのプラズマ処理部２の構成に限るものではなく、プラズマＰＬにより被処理物Ｐの表面処理を行なえるものであれば、どのような構成であっても構わない。

また、除電電極３ａは、タングステンで形成されたものについてのみ説明したが、それに限るものではなく、その他の導電材料により形成することもできる。

また、搬送手段１に冷媒を通す流路１ｂを有するものについてのみ説明したが、被処理物がプラズマＰＬが吹き付けられることにより生じる熱に耐えることができるものであれば、この流路を形成しなくても構わない。

第１の実施形態に係る絶縁部材の表面処理装置を示す断面図である。 第２の実施形態に係る絶縁部材の表面処理装置のプラズマ処理部を示すもので、（ａ）は、斜視図、（ｂ）は底面図である。 第３の実施形態に係る絶縁部材の表面処理装置を示す断面図である。

符号の説明

１ 搬送手段
２ プラズマ処理部
２ａ 反応容器
２ｂ プラズマ生成部
３ 除電部
３ａ 除電電極
４ 固定部
Ｐ 被処理物（絶縁部材）
Ｇ プラズマ生成用ガス
ＰＬ プラズマ

Claims (4)

1. 反応容器内のプラズマ生成用ガスに電圧を印加することによりプラズマを生成し、生成されたプラズマを絶縁材料により形成される被処理物に接触させてから、その被処理物を除電する処理を行う絶縁部材の表面処理方法。
2. 反応容器は、筒状に形成され、一方の端部からプラズマ生成用ガスを反応容器内に流入し、そのプラズマ生成用ガスの流入により、もう一方の端部から生成されたプラズマを吹き出すものであり、被処理物は、吹き出されたプラズマに接触することを特徴とする請求項１記載の絶縁部材の表面処理方法。
3. 絶縁材料により形成される被処理物を移動させる搬送手段と、プラズマ生成用ガスが流入する流入口と生成されたプラズマを被処理物に向けて吹き出す吹出口とを備える反応容器と、反応容器内に流入したプラズマ生成用ガスに電圧を与えてプラズマを生成するプラズマ生成部と、被処理物から非接触で電荷を取り除く除電部とを備え、搬送手段は、反応容器から吹き出されたプラズマと接触する位置から除電部により非接触で電荷が取り除かれる位置に被処理物を移動させることを特徴とする絶縁部材の表面処理装置。
4. 前記搬送手段は、被処理物を直線状に移動させるものであり、反応容器は、筒状に形成され、反応容器を取り巻く対をなす電極を有し、この反応容器の軸の方向が搬送手段による被処理物の移動方向とは逆の方向に傾けて配設されることを特徴とする請求項３記載の絶縁部材の表面処理装置。

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