TWI342038B - - Google Patents

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j年0设>_頁 九、發明說明： -- 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及測量檢查方法、測量檢查裝置、曝光方 法、元件製造方法及元件製造裝置，再詳細者，係關於·· 測量檢查被配置在照射於基板上曝光區域之同一區域之 數個曝光光線各別光徑上之數個光罩中至少一個光罩之 測量檢查方法；使用該測量檢查方法之測量檢查裝置；將 數個曝光光線照射於基板上曝光區域之曝光方法；包含將 數個曝光光線照射於基板之曝光區域之曝光製程之元件 製造方法及使用該元件製造方法之元件製造裝置。 【先前技術】 過去以來，倍縮光罩（reticle)圖案形成面之缺陷檢 查，從生產量觀點，並非於曝光前而係於倍縮光罩製造後 或定期檢查等執行。然於最近，係以轉印於基板上之元件 圖案解析度之提昇等為目的，演變為利用所謂於基板曝光 面上同一區域重疊轉印數個圖案之多重曝光法（例如，參 照專利文獻1)。多重曝光法，相較於一般曝光法，由於 被照射曝光光線之圖案之有效面積變大，曝光前之倍縮光 罩上圖案形成面缺陷檢查之必要性因而增加。 曝光前之倍縮光罩缺陷檢查，從提昇生產量觀點，可 僅檢查影響元件生產良率之缺陷為佳。然於多重曝光法， 因其於基板上之曝光結果係為數個倍縮光罩上之圖案重 疊轉印之結果，故與圖案形成面上元件生產良率直接相關 之缺陷及非與圖案形成面上元件生產良率直接相關之缺 陷之究明，相較於一般曝光法，乃極其困難。 【專利文獻1】特開平10-209039號公報 1342038 V㉙g 【發明内容】 (解決問題之手段） 本發明係鑑於上述情形所為發明，根據第— 為測量檢錄配置於照射在基板场絲域二㈣ 之數個曝光光線各別光徑上之數個光罩中至少一個光i 之測置檢查方法’及為按照形成於前述數個光罩中之第一 光罩上之第一圖案資訊，變更與前述數個光罩中之前述第 一光罩相異之第二光罩相關測量檢查處理之處理内^ 測量檢查方法。 據此，依照有關其他光罩之資訊變更用於對 二區域曝光之數個光罩各別之測量檢查處理之處理= 谷。依此，不僅由各個光罩所得之曝光狀態，考量基板上 曝光區域同一區域之綜合曝光狀態、與元件生產良率直接 相關之光罩之測量檢查則為可行。 本發明，根據第一觀點，係為測量檢查被配置於照射 在基板上曝光區域同一區域之數個曝光光線各別光徑上 之數個光罩中至少一個光罩之測量檢查方法，及包含求取 ，射於前述曝光區域同一區域之前述數個曝光光線總光 頁製程之測量檢查方法。 據此’不僅通過各個光罩之各曝光光線所致之曝光 置考置照射於基板上曝光區域同一區域之數個曝光光線 之總光量（光量之總量）、與元件生產良率直接相關之光罩 之測量檢查則為可行。 本發明’根據第三觀點，係為將數個曝光光線照射於 基板上曝光區域之曝光方法，且為按照形成於被配置在前 述數個曝光光線各別光徑上之數個光罩中之第一光罩上 11342038 關資訊，測量檢查處理與前述第-光罩相異 測量檢查處理之結果，控制前述基 上之形錢被配置在數個曝光光線各光徑 上之數個先罩中之第一光罩上之第 二光罩的測量檢杳社果，介肋香乜軲彻丄莱相關貝況之弟 述基板之曝光處理。依此，使用通過綜 σ測里檢查光罩之高精確度曝光則為可行。 於根據第四觀點’係為包含將數個曝光光照射 按域之曝光製程之元件製造方法，且為包含 配置在前述數個曝光光線各别光徑上之數 理盥二光罩上之第一圖案相關資訊，測量檢查處 一刖'《·光罩相異之第二光罩之製程之元件製造方 法0 成不僅各個光罩所得之曝光狀態，衡量於基板上

:水:一區域之綜合曝光狀態、與生產良率直接相關 先C檢查則為可行，並提昇元件生產之良率。 明，根據第五觀點，係為包含將數個曝光光線照 ::二板上曝光區域之曝光製程之元件製造方法，及依據 土 s A過被配置於前述數個曝光光線各別光徑上之數個 始她止^射於4述曝光區域指定位置之前述數個曝光光 、…摅7，而對前述光罩施以指定處理之元件製造方法。 ，此’因根據數個曝光光線總光量，於光軍上施以指 能藉由多重曝光使生產之元件良率提昇。 hP7 — Ρ u根據第六觀點，係為數個圖案之影像於物體 〇 °°σ 5、同時或依序形成後曝光前述物體之曝光方 7 曰修正替換頁I U--6 —— 法，及將形成於同一或不同光罩上之前述數個圖案中之一 的圖案所形成之區域之測量檢查處理，於衡量前述數個圖 案中其餘之至少一個圖案相關之資訊後執行’並根據前述 測量檢查處理結果控制前述物體曝光條件之曝光方法。 據此，根據衡量形成於同一或不同光革上之前述數個 圖案中其他圖案資訊的一個圖案所形成區域之測量檢查 結果、亦即囊括數個圖案之綜合性測量檢查結果，得控制 前述物體之曝光條件。依此’使用通過综合測量檢查之數 個圖案之高精確度曝光則為可行。 【實施方式】 以下依據第一圖至第七圖說明本發明之一實施例。 於第一圖中顯示一實施例之元件製造系統之概略構 成。元件製造系統1000係為了處理半導體晶圓、製造微 元件（microdevice)而建置於元件製造工廠内之系統。如第 一圖所示’元件製造系統1000具備曝光裝置1〇〇、與曝 光裝置鄰接配置之執道(track)200、管理控制器160、解析 裝置5〇0、主機系統600、元件製造裝置群900。 曝光裝置100係將元件圖案轉印於已塗佈光阻劑之 晶圓上之裝置。於第二圖中，顯示曝光裝置100之概略構 成。曝光裝置100具備：由發射曝光用光線IU、IL2之 照明系統10;各別藉由倍縮光罩支架RH支承經曝光光線 IL1照明之元件圖案等被形成之倍縮光罩Ri與經曝光光 線IL2照明之元件圖案等被形成之倍縮光罩R2之倍縮光 罩載台RST ;將分別形成於經曝光光線1Li、IL2照明之 倍縮光罩IU、R2上之元件圖案之一部份投影於晶圓w曝 光面上之兩側遠心(telecentric)投影光學系統PL ;藉由晶 1342038

圓支架WH支承成為曝光對象之晶圓w之晶圓載台WST 以及統括控制上述之主控制裝置2〇。 於倍縮光罩Rl、R2上，各自形成包含電路圖案等之 兀件圖案。來自照明系統10之照明光ILb IL2照射在倍 縮光罩IU、R2各自之圖案形成面之一部份上。以此照射 區域做為照明區域IAR1、[八尺2。 各自通過照明區域IAR1、IAR2之照明光IL卜丨L2， 藉由投影光學系統PL入射至經晶圓載台WST支承之晶 圓W之曝光面（晶圓面）之一部份上，於該處照明區域 IAR1、IAR2之元件圖案投影像如重疊般形成。以此投影 像被形成之區域作為曝光區域认。晶圓w之曝光面上塗 佈著光阻劑，使投影像的圖案轉印於對應曝光區域IA之 部分。

在此，思考以沿著投影光學系統PL·光軸之座標軸為 軸之XYZ座標系統。晶圓載台WST，可於χγ平面移 動之同時，亦可將晶圓w之曝光面調整至ζ軸方向的位 ^ 0 χ(環繞X軸之旋轉）方向、0 y(環繞γ軸之旋轉）方 ，。此外，支承倍縮光罩R1、R2之倍縮光罩載台RST， 可與支承晶圓W之晶圓載台WST同步於χγ平面内移動。 #風藉由對應倍縮光罩載台RST與晶圓載台WST之投影 P學系統PL之投影倍率之同步掃瞄，與倍縮光罩尺卜 上之元件圖案通過照明區域IAR1、〖AR2同步，晶圓 之曝光面變為通過曝光區域[A。藉此，倍縮光罩R1、 上之圖案形成面之元件圖案全體則變為轉印於晶圓w 福紅光面上之部份區域（照射區域）。曝光裝置〗00藉由重 對曝光光IL1、IL2之上述倍縮光罩載台RST與晶圓 9 M42038 栽台WST之相對同步掃瞒與支承晶圓w之晶圓栽台WST 之步進⑽pping)，冑倍縮光罩Rb R2上元件圖案 晶圓W上數個之照射區域。即曝光裝置1〇〇係為進行所 謂多重曝光(雙重曝光)之掃猫曝光（步進且掃叫 _ scan)方式之曝光裝置。 在曝光裝置U)〇中’倍縮光罩支架支架四與倍縮光 罩载台RST未呈一體化而可裝卸。當然，即使在 ^光罩IU、R2之狀態亦可進行該裝卸，且藉由未= 於圖之倍縮光罩支架交換機而可予以交換。 ’、’、’、 主控制裝置20係為控制曝光裝置1〇〇各部構 腦系統。主控制裝120連接架構於元件製造系統i〇〇j =通訊網路，透過該通訊網路可進行與外部之資料接收g 返回第一圖，用以曝光之倍縮光罩R1、R2裝 縮光罩載台RST㈣其進行檢查之倍縮鮮測量檢= 130以序列式(inline)地連接至曝光裝置1〇〇 ;倍縮光^ 量檢查機130執行倍縮光罩ri、R2之各種測量檢查。挪 倍縮光罩Rl、R2之圖案形成面為破璃面，基本上 於該玻璃面上蒸鍍鉻等金屬後形成金屬獏，藉由在該金 膜上施行圖案形成(patterning)，於圖案形成面上形成圖案 區域。以下將形成於此圖案區域之圖案亦稱之為鉻圖案^ 倍縮光罩測量檢查機130藉由倍縮光罩R1、尺2之'圖 案形成面外觀檢查檢測出該圖案形成面之缺陷。將此缺陷 分類為硬體缺陷與軟體缺陷。硬體缺陷有鉻圖案欠缺、㈢ 必要的鉻圖案殘留、以及玻璃傷痕等；軟體缺陷有無用$ (垃圾）、髒污、以及異物等。硬體缺陷無法以化學性機 1342038 械性清潔工序除去，然軟體缺陷係可用該等工序除去。利 用外觀檢查’檢測圖案形成面的硬體缺陷以及軟體缺陷。 倍縮光罩R1、R2的圖案形成面可分為透光部與遮光 部。透光部上的缺陷依據照明圖案形成面、由其背面攝影 影像後之该影像攝影結果檢測出缺陷。倍縮光罩測量檢查 機130 =經由透射光攝影之圖 案藉由晶片比較(die-to-die 比較）或資料比較(die-to-DB(database)比較），檢測其於比 較結果亡之差異作為透光部上之缺陷。 一般而言，於倍縮 ，罩2讀查機13°之缺陷檢㈣敏度，鲜係設定在設 °十圖”，則的1/3程度。舉例而言，若設計圖案守則為 0 *則基準上要求0.1μηι程度的檢測靈敏度。諸如 陷檢4錄度及影像攝影資料之晝素數等，於圖案 形成面内之各點上，可為某種程度之調整。 私賊：形成面遮光部上的缺陷難以用如同上述之透 7-式檢測出，故使用雷射散射光方式檢測之。如圖 ’倍縮光罩測量檢查機⑽包含相當於位在曝光裝 8m、振光罩載台RST之載台（未顯示於圖）、光源 都& \兄8〇2、掃瞄鏡片803與受光器808、809、810。 載口之構成與倍縮光罩載a * # „ „丄？ 支承著MM ㈣地可真空吸附支承 之倍縮光罩支架rh。於此載台上， 倍縮：光罩支架之交換機裝載倍縮光罩支架RH， R°1將圖*#i、RH被吸附支承於載台上。而且，倍縮光罩

上正及而\ 乂面朝向上方（亦即，朝與倍縮光罩載台RST 於倍向）被吸附支承於此倍縮光罩支RH上。 圖i 之圖案形成面（被檢面綱)上，應形成電路 圖案而其部分上應有異物__。此外，於第三圖中 1342038 月Q日然換頁丨 雖省略圖示，然於未顯示於圖之載台上亦設置有可支承倍 縮光罩R2之倍縮光罩支架倍縮光罩支架。 σ 於第三圖，受光器808、809及810由互不相同之方 向與掃瞄線805呈對向般配置著。相對於由異物8〇6所產 生之散射光線L3係為幾乎朝全方向產生之等方性散射 光，由圖案807所產生之衍射光線u係藉由衍射而產生， 故為空間朝離散方向射出之指向性強之光線。禍若運用此 散射光線L3與衍射光線L4性質之不同，在所有受光号 808、809以及81 〇中檢測到光線時，即能判斷此光線^ 缺陷所致之散射光線’徜於受光器808、809以及810中 存在任何未檢測出光線之受光器時，則能判斷此光線為圖 案所致之衍射光線。其結果，於倍縮光罩測量檢查機130 檢測遮光部上之異物806則為可能。 於倍縮光罩測量檢查機130中，可於掃瞄中改變光束 之掃瞄速度、以及傳輸倍縮光罩R1之傳輸速度。藉此， 可於欲精密地進行缺陷檢查之處，將光線掃瞄速度與傳輸 倍縮光罩Ri之傳輸速度設定為緩慢。此外，於倍縮光罩 測量檢查機〗30中’可於掃瞄中改變散射光線的檢測敏靈 度。藉此，可於欲檢測微小缺陷之處（例如，圖案細微之 處），將檢測靈敏度設定為較高。 此外，倍縮光罩測量檢查機13〇具備菲索(Fizeau)干 涉儀（未顯示於圖）。倍縮光罩測量檢查機130可運用菲索 干涉儀等計測在由倍縮光罩支架R Η吸附支承狀態下之倍 縮光罩R1、之圖案形成面之表面形狀。 圖案形成面之缺陷檢查資料以及表面形狀測量資料 等計測初始資料，收藏於未顯示於圖之記憶裝置中。倍縮 1342038 光罩測量檢查機13 0可與外部通訊網路連結， 進行資料之傳送接收’因應需要將該等計測^刀

此外’於疋件製造系統_中，備有數片 案所形成之倍縮光罩。亦即’備有可能當成由^圖 使用之倍縮鮮數片及可能當成倍縮光罩R2_^ R

^數片。在曝絲置中，由該等倍縮光罩中，^ 圖案形成面之間彼此協調性良好之倍選擇 〔軌雜aek)〕 獅先罩而進仃曝光。 軌道200配置成與環繞曝光裝置1〇〇之容 接合。軌道·藉由備置於内部之輸送線主= 對曝光裝置100之晶圓W之移入、移出。 要進盯

.··年月日修正替換頁 與外部裝置 始資料傳送 L光阻塗佈.顯影機（coater . developer)〕 於軌道200中設有進行光阻(resi啦布及顯影 ，佈·顯影機(07〇)110。（〇13)110藉由該裝置參數之 可將該處理狀態進行某種程度之調整。其結果，塗佈= 圓W上之光阻膜厚、顯時間等之調整係為可行。；曰曰 C/D110可與曝光裝置100及晶圓測量檢查機12〇 成獨立而運作。C/D110沿轨道2〇〇之輸送線而配置。= 而’藉由此輸送線於曝光裝置100與C/Dli〇之間搬= =w即為可行。此外’ C/D110連結元件製造系統^ 中的通訊網路(network)，可與外部進行資料傳送接收 〇 D10 0可輸出例如與該流程相關資訊(上述執跡資料 訊）。 t貝 〔晶圓測量檢查機〕 轨道200中’設有可於曝光裝置1〇〇中的晶圓w曝 13 1342038

年月、替換頁 1 y___ 光前後(亦即事前、事後），執行各式各樣 量檢查之複合式晶圓測量檢查機12〇。曰曰圓W測 可與曝光裝置1〇〇及c/Dll〇自成獨：：量檢查機 測量檢查機12〇執行曝光前之事前測量檢杳2。晶^ 光後之事後測量檢查處理。 〜處理以及皤

在事前測量檢查處理中，於晶圓w輪 _，進行晶圓W曝光面之表面形㈣f量=曝光= 之異物檢查以及晶圓W上之光阻膜檢查等曰曰—囫 在事後測量檢查處理中，進行以曝光裝置力面 广後(事後)晶圓w上之光阻圖。之二 宽及重疊誤差以及晶圓缺陷·異物檢查等 ：：、 =120經由系統内之通訊網路可將事前測杳 據輸出至外部。 檢置、、、σ果蓼

晶圓測量檢查機U0 '沿執道2〇〇之輸送線而配置。從 ^ 由此輸送線於曝光裝置100與C/DU0及晶圓剎 董檢一機120之間搬運晶圓W。即，曝光裝置1〇〇與軌道 200與晶圓測量檢查機12〇相互以序列式連結著。於此， 所謂序列式連結係為將裝置間以及各裝置内處理單元間 經由以機械手臂或（滑塊）等自動搬運晶圓w之搬運裝置 加以連結之意。藉由此序列式連結得以將位於曝光裝置 100與C/D11〇與晶圓測量檢查機12〇間之晶圓w之傳送 接收時間明顯縮短。 序列式連結的曝光裝置100與C/D11〇與晶圓測量檢 查機120、與倍縮光罩測量檢查機130，亦可將其做為一 體而視為一個基板處理裝置（100、110、120、130)。基板 處理裝置（100、110、120、130)執行針對倍縮光罩R1、 14 1342038 R2之測量檢查製程、盥曰 _ 一· 佈之塗佈ώι n± xS Βθ 進行光阻劑等感光劑塗 :束==圓二上:曝光之曝光製程、與將已 程之細節於後敘^。 顯影之顯影製程等。該等製 CVD^7^製造系統1〇00中設有數台曝光裝置100、愈

130(即美柘，圓:!量檢查機120、與倍縮光罩測量檢查 =^ 置_、則、⑽、_。各基板處理 声及、晶择2〇、丨2〇、U〇)、元件製造裝置群900設置於 If濕度有所管理之無塵室中。此外，在各裝置間，可 經^曰定之通訊網路(例如LAN : L〇ca】纽3 Netw〇rk)進 打_貝料通訊。此通訊網路係針對顧客之工廠、事業所或公 司所設意即稱為所謂企㈣糊路之通訊網路。 於基板處理裝置（丨〇〇、U0、120、130)中，晶圓W係 以將數片(例如25片）視為-單位(稱為批(_處理之。於 元件製造系統1000中，晶圓w係以一批為基本單位處理 而加以產品化。從而，亦將位於元件製造系統1000中的 晶圓製程亦稱為批處理。 再者，在此元件製造系統1〇〇〇中，晶圓測量檢查機 120置於軌道200中而與曝光裝置1〇〇以及c/DllO序列 式連結著，然將該等配置於執道2〇〇外，與曝光裝置| 〇〇 以及C/D110脫機(0ff-line)構成亦可。此外，將倍縮光罩 測量檢查機130置於曝光裝置10〇内或轨道2〇〇内亦可。 即，於曝光裝置100中，進行倍縮光罩尺卜R2之測量檢 查亦可。總而言之，只要將倍縮光罩測量檢查機13〇置於 倍縮光罩Rl、R2之輸送路徑上即可。 15 1342038

年月曰修系梦換頁 'U0. 9. 1 G =將上述位於晶圓測量檢查機⑶及 二^理加以實現之硬體，可採用= ，(以下、亦载記為PC)。於此情况下二： 處理裝置之CPU(未顯示於圖）中執行 ；'^貝Λ 現。解析程式由CO-R〇M等媒體 而實 在業已安裝於PC上之狀態執行。、I己錄媒體也供， 〔解析裝置〕

解析裝置500為與曝光裝置1〇〇 而運作之裝置。解析裝置500與元件= ^ 通訊網路連結，可與外料行資料_接收 500經由此通汛網路收集來自各種 二 如，該裝置之處理㈣ 解析。做為將此種解析裝置500加以實現之硬體，可採用 例如個人電腦。於此情況下，解析處理經由在解析^置 500之CPU(未顯示於圖）執行的解析裎式之執行而實現。 此解析程式由CO-R⑽等媒體（資訊記錄媒體)提供， 業已安裝於PC上之狀態執行。

解析裝置500根據倍縮光罩測量檢查機13〇之測量檢 查結果，進行倍縮光罩IU、R2處理條件之最佳化。於此， 解析裝置500之自身功能，亦可包含於倍縮光罩測量檢查 機130中或曝光裝置1〇〇中。 〔元件製造裝置群〕 做為元件製造裝置群900，設有CVD(Chemical Vapor Depositon)裝置 910、與蝕刻裝置 920、與 CMP(Chemical Mechanical Polishing)裝置930、與氧化.離子植入裝置 940。CVD裝置910係於晶圓上生成薄膜之裝置，餘刻裝 16 1342038 年9说們正I換頁 置920係對於已顯影之晶圓進行蝕刻之裝置。此外，CMP 裝置930係藉由化學機械研磨將晶圓表面平坦化之研磨 裝，，氧化.離子植入裝置940係為於晶圓W表面上形 成氧化臈，或於晶圓w上指定位置植入雜質之裝置。此 外，CVD裝置910、蝕刻裝置920、CMP裝置930及氧化· 離子植入裳置940亦與曝光裝置1〇〇等同樣設有數台，彼 此間設有能夠搬運晶圓W之搬運路徑。於元件製造裝置 群中’除此之外’亦包含執行探測(probing)處理、修 • 復（rePair)處理、切割（dicing)處理、封裝處理以及接合 (bonding)處理等之裝置。 〔管理控制器〕 . 管理控制器160於集中管理由曝光裝置100所實施之 曝光製程的同時’亦進行軌道200中C/D110及晶圓測量 檢查機120之管理以及上述聯合動作之控制。做為諸如該 控制器者，例如可採用個人電腦。管理控制器丨6〇經由元 件製造系統1000内的通訊網路接收來自各裝置之顯示處 理、動作進度狀況之資訊以及顯示處理結果、測量.檢查 ^ 結果之資訊，掌握元件製造系統1000之製造生產線全體 狀况，為求曝光製程等能適切地進行，執行各裝置之管理 及控制。 〔主機系統〕 主機系統（以下稱為「主機」）600統括管理元件製造 系統1000整體’係為統括控制曝光裝置100、執道200、 晶圓測量檢查機120、倍縮光罩測量檢查機1、元件製 造裝置群900之主機電腦。此主機600，亦可採用例如個 人電腦等。主機600與其他裝置間透過有線或無線通訊網 17 連結，可互相進行資料通 4 實現該系統之統括控制。° #此資料通訊’主機600 〔元件製程〕 之，-序流程加 _之1串工之流程圖。元件製造系統 以時程規劃、管理/機600以及管理控制器加 裝栽S縮= 將倍縮光罩一R2 ^之載台上吸附支;== 倍縮，測量檢查 备百先罩Rl、R2則以前述方6八固倍縮先罩支架RH，而倍 吸附支承。 过向刀別由倍縮光罩支架RH所 於接下來的步驟2〇2中 圖案形成面之表面形狀。此別測量倍縮光罩R卜R2 置5〇〇。 表面形狀資料將傳送至解析裝 於接下來的步驟2〇3中，推—他w 在此進行於測量檢查機丨二二= 光罩R〗的最佳化。 0 缺陷檢查與於使用其檢杳二光罩R1圖案形成面的 光罩的最佳化。、—’、。果解析裝置，中之倍縮 化之在步驟203中進行之倍縮光罩最佳 圖所示，於步驟301中，主機_發 t裝令即前進至步驟3〇2。於步驟= R1 ^ 作於倍縮光罩測量檢查機130之倍 。行缺陷檢查時之檢查條件導 罩測讀查機13〇中，每-倍縮光罩㈣丄面?域先 18 可變更装& 士 雜正替換頁 R1 0 率之缺陷之=1?目的在只檢測直接影響元件生產？ 於本A铋查條件對應於圖案面内之位置後顯示。良 位置升lit，圖居(賭)之製作標準’主要係根據於該 ri圖案區域内之如’第:、可藉由倍維先罩 倍縮光罩R1 置疋否為透光部或為遮光部’變更

陷比遮件。在本實施射，由於透光部缺 诗止。卩缺陷更容易對晶圓W之轉印結果造成影绝， 更為嚴格檢測’變更檢查條件為‘解 音〜500選定倍縮光罩R1圖案區域(設為pAi)内之任 ^立置’依據該位置是否為透光部或是遮光部之位置屬性 士做為圖案區域PA1之第一屬性）而分類。

此於本實施例中’可因應對方之倍縮光罩R2圖 /、區域（设為PA2)變更倍縮光罩R1圖案區域ρΑι之檢查 解析裝置500經由依對應該位置之倍縮光罩R2圖 厂區域PA2之位置是否為透光部亦或是遮光部之區域屬 生(將。此做為圖案區域PA2之第一屬性）、該點是否為圖案 接近區域之屬性(將此做為圖案區域ΡΑ2之第二屬性）、該 ，近之圖案種類屬性(將此做為圖案區域ΡΑ2之第三屬性） 刀類之舉，加以分割圖案區域PA 1 〇 就於該分類之際適用之規則進行說明。 “ （1)倍縮光罩R1圖案區域ΡΑ1之屬性（第一屬性）為透 ，部、倍縮光罩R2圖案區域ΡΑ22第一屬性為透光部、 第二屬性為接近區域外之區域顯示於第六(Α)圖。關於此 種，域，由於縱使倍縮光罩R1之該區域附著細微異物（參 照第六(A)圖）），因該異物等之存在而未被曝光之部分，仍 19 H42038 W· 換頁 能藉由穿透對方倍縮光罩（在此為倍縮光罩R2)透光部之 曝光光使其曝光，故認此異物予於晶圓W上實際曝光結 果之影響較小。因此，關於此部份，例如，將應檢測異物 之容許尺寸設定為比標準更大為佳。 但是’於多重曝光中，該部份係在倍縮光罩Rl、R2 同為透光部之前提下，設定曝光光線IL】、IL2之曝光量， 若因該異物以致全體曝光量之總量降低至不容忽視之程 度時’則有必要進行針對異物之某種處置。由其意義來 看’異物之容許尺寸需考量全體之曝光量後適切地設定。 (2) 倍縮光罩R1圖案區域PA1之第一屬性為透光部、 該部份為符合：倍縮光罩R2圖案區域PA2之第一屬性為 透光部、第二屬性為圖案之接近區域、第三屬性為一般圖 案部份之部份時，由於若該位置附著異物，藉由光接近效 果等將使異物予以晶圓W轉印結果之影響加乘地擴大， 故於該區域之缺陷必須高靈敏度地檢測。在此，將諸如此 類之區域分類為區域B。於第六（B)圖中，顯示附著於圖 案區域PA1上之異物對應圖案區域pA2上一般圖案Ml 接近區域之情形。於此區域B中，高靈敏度地檢測異物。 (3) 將倍縮光罩Ri圖案區域ΡΑι之第一屬性為透光 部、倍縮光罩R2圖案區域PA2之第一屬性為透光部、第 二屬性為圖案之接近區域、第三屬性為接觸孔圖案之區域 歸類為區域C。第六(C)圖中，顯示附著於圖案區域PA1 上之異物對應圖案區域PA2上接觸孔圖案M2接近區域 (以虛線顯示）之情形。針對若此之區域C，亦設定高檢測 靈敏度較佳。 (4) 將倍縮光罩Ri圖案區域ρΑι之第一屬性為透光 20 1342038 I⑸替換頁 部、倍縮光罩R2圖案區域PA2之第一屬性為透光部、第 二屬性為圖案之接近區域(虛線右側之區域）' 第三屬性為 相移圖案之區域歸類為區域D。第六（D)圖中，顯示附著 於圖案區域PA1上之異物對應圖案區域PA2上相移圖案 M3接近區域之區域、即存在於區域〇之情形。針對若此 之區域D，亦設定南檢測靈敏度較佳。

(5)倍縮光罩R1圖案區域pAi之第一屬性為透光 部、倍縮光罩R2圖案區域pA2之第一屬性為透光部、第 二屬性為圖案之接近區域、第三屬性為符合〇PC(〇ptical Proximity Correction)圖案之部份時，將該區域歸類為區域 E。第六(E)圖中，顯示附著於圖案區域pA1上之異物存在 於對應圖案區域PA2上〇pC圖案！^4接近區域(虛線右側 之區域）之區域之情形。針對若此之區域E，亦設定成能 夠高靈敏度檢測較佳。 (6)倍縮光罩R1圖案區域pA〗之第一屬性為透光部、 倍縮光罩R2圖案區域PA2之第—屬性為符合遮光部之部 份時，將該區域歸類為區域？。由於^異物附著該區域F， 予晶圓W曝光結果之影響為大，故於此處，將異物之容 許尺寸設定為比標準更小。 (7”!於倍縮光罩R1圖案區域pAl之第一屬性為遮 二：之區:、該區域歸類於區域G。縱使異物附著於該 U:、该狀態亦不會致對晶圓w之曝光結果造成 入微米（submicron)之異物，通常強固地附著 'f 1.^力、振動、衝擊（shock)、吹氣(air blow)等方 里鉍女-T此认从 較大的（例如，微米（micron)單位的） 異物有可i於倍縮光|運送中等移動至透光部，必須事先 21 1342038 去除。因此，在諸如此類之區域G中，將異物之容許尺 寸設定為較大者為佳。 第七圖中，顯示彙整上述（1)至(7)規則之圖表。再者， 區域B〜E之檢測靈敏度、區域A、F、G之容許尺寸係可 將之獨立設定，而依接近圖案之大小個別變更。 此外，於此就解析裝置500根據於步驟202中所求得 之倍縮光罩Rl、R2之表面形狀資料，算出圖案區域PA1 與圖案PA2間之平坦度差。且該平坦度差超過指定值之區 域，為求得以仔細調查，設定高檢查數據資料抽樣分辨率 (resolving power)。於此，檢查數據資料抽樣分辨率若係 憑藉攝影之檢查，可利用變更該部份晝素數(攝影倍率）之 設定等加以調整，若係憑藉雷射掃瞄之檢查，則可依雷射 光之掃瞄速度以及/或倍縮光罩之輸送速度等調整之。 解析裝置500將包含該檢查條件導引圖相關資料之 處理開始指令傳送至倍縮光罩測量檢查機13〇(步驟 303)。倍縮光罩測量檢查機130呈等待接收指令狀態，一 接獲該指令則前進至步驟304。於步驟304，倍縮光罩測 量檢查機130檢查倍縮光罩R1之圖案形成面。 於倍縮光罩R1圖案形成面之檢查中，在遵循於步驟 3〇2所製作檢查條件導引圖之檢查條件下，進行缺陷檢 查。如同上述，於檢查條件導引圖令，將倍縮光罩Rl之 圖案區域PA1分類為區域a至區域G，一邊就每—該區 域變更檢查條件、即檢查靈敏度、檢查數據資料抽樣分辨 率、異物之容許尺寸等，一邊進行圖案區域PA1之缺陷檢 查。在此情況下，運用雷射散射光方式取得位於倍縮光罩 圖案區域P/U以及倍縮光罩R2圖案區域PA2之遮光 1342038

I η η Q 部檢查數據資料，而利藉由透射光之攝f彡方式取^ 倍縮光罩R1SI案區域PA1以及倍縮光罩R2_宰區、 之透光部檢查數據資料。 然後’於接下來的步驟305中，倍縮光罩測量檢查機 13〇將缺陷檢查結果數據資料傳送至解析裝置則 析裝置500中，呈等候接收缺陷檢查數據資料之狀態一 接收该數據 > 料則往步驟307前進。在步驟307中，解法 裝置50G進行檢查結果之解析。解析裝置5⑽解析缺陷 查之結果數據資料’並解析倍縮光罩R1圖案形成^ 體缺陷、軟體缺陷之有無、位置座標等。且解析裝置：〇 若存在硬體缺陷，則設定變更倍縮光罩模式，若 缺陷，則設定洗淨倍縮光罩R1模式。 m 於接下來的步驟309中，解析裝置5〇〇將倍縮光 更之有無通知主機600。在此，主機6〇〇呈等候接收誃 知之狀態，一接收該通知則往步驟3U前進。在步^ 中，判斷是否須變更倍縮光罩，若存在硬體缺陷及該 巧肯定時，則向步驟313前進’並收納存在硬體缺陷之并 和百光罩R1以及/或倍縮光罩R2，重新設定針對已更^ ^罩之處理。若執行該重新設定，則變為 ^ =光罩R1、R2而選取之二片倍縮光罩，而自步^為= 起再開始處理。另一方面，於步驟311中，若 變更倍縮光罩時’主機_㈣次為等待接收訊息狀離項 -方面，解析裝置500自步驟前進至步驟Μ;: 倍檢查機130有無調整倍縮光罩幻。 ^百先罩測里檢查機！ 3 〇呈等待接收該通知訊 接收該通知即向步驟319前進。於步驟3]9^ 23 1342038 年/』日修i替換頁 -99. Q. 1-β— =檢查機l3G判斷倍縮光罩Rl之調整是否必 =必要時’則判斷被肯定、前進至步驟32卜 光罩洗淨製程以除去軟體缺陷。 要。若判 進行倍縮 ^縮光罩汜之調整結束後，再度執行倍縮光覃、 圖案形 +成面之表面形狀之再檢查。 聰）f回第五圖，解析裝置5〇〇前進至步驟317之下一半 整。^ 倍罩/否有變更或倍縮光罩是否^

通知正常Ll斷前進至步驟奶，並向主機60C

或於步驟323中判_# 口最刖碩、再度回復至等待接收訊息之狀熊。另一 的步驟結束通知訊息之线_前進^第四圖 R2的在2G4巾，與上述步驟2G3同樣地進行倍縮光 R2圖Ϊί化。在此處亦係於解析裝置5〇0作成倍縮光 ^形成面檢查條件導引圖，依照該檢查條件 柃ΐ。、生產良率直接相關的倍縮光罩R2圖案形成面缺 二一。而且，若有硬體缺陷時，則進行倍縮光罩 益 有軟體缺陷時則進行倍縮光罩之洗淨。 、 再者，於上記步驟203、204中，亦進行倍縮光罩R1、 R2的透射率測量。依此透射率測量得知到達晶圓w 曝光光IL1、IL2之全體曝光量。 s 在接下來的步驟205中，使用倍縮光罩交換機，將經 由倍縮光罩支架RH支承於倍縮光罩測量檢查機13〇載台 上的倍縮光罩R1、R2各別裝載至倍縮光罩栽台RST上二 倍縮光罩支架rH上，進行倍縮光罩尺卜尺]之調整位置(倍 縮光罩對準）、以及基線（離軸(〇ff_axis)對準感測器（未顯 24 替換頁 不於圖）與倍縮光罩R卜 準備處理。藉由該準 圖案中心間之距離)計剛等 形成面上之元件倍縮光罩幻…圖案 晶圓W上之任意 、曰曰巧台WST上調整位置之 查機m，若在業已將倍；光=，作，倍縮光罩剩量檢 台Rst上相同古 、、’先罩以、R2以與倍縮光罩裁 態下，使用槿土兔二、、f支承於倍縮光罩支架RH上之狀 時，便可將支ί倍“d查之倍縮光罩測量檢查機130 倍縮光罩R2之二光罩#1=倍縮光罩支架RH與支承 之後，、佳=先罩支架裝載至倍縮光罩載台咖。 91〇 φ 進仃針對晶圓W之處理。首先，於CVD裝置 至e/Dim字臈生成於晶圓上（步驟2〇6)，將該晶圓 Ϊ(步=’7^ 或主機。於此，在C/DU〇中，來自解析裝置500 θ機〇之指示下，可根據於步驟203、204中預先測 1倍縮光罩RhR2之透射率總量，調整塗布於晶圓上 之光阻種類、膜厚等。 接著’將晶圓W搬移至晶圓測量檢查機12〇，於晶圓 測置檢查機120進行晶圓w表面形狀之測量、晶圓上之 異物檢查等事前測量檢查處理(步驟209)。晶圓測量檢查 機120之測量結果（即表面形狀等之數據資料)傳送至曝光 裝置100以及解析裝置500。該測量結果用以於曝光裝置 100掃描曝光時聚焦控制之用。 繼而’將晶圓搬運至曝光裝置100，於曝光裝置100 上進行將倍縮光罩R卜R2上電路圖案轉印至晶圓w上 之曝光處理(步驟211)。 在曝光裝置1〇〇中，在藉由曝光量控制系統、載台控 25 1342038 制系統、鏡片控制系統，曝光量、同步精確度、聚焦、鏡 片之狀態追隨目標值之狀態下，照明區域IAR〖、JAR2中 之圖案被投影至曝光區域IA，執行如晶圓w的曝光面位 在投影光學系統PL焦點深度内之反饋控制。於此掃瞄曝 光，當倍縮光罩RbR2圖案為數個個晶片之元件圖案時， 可藉由照明系統10隱蔽符合異常處之晶片區域，僅限定 正常晶片區域進行曝光處理。 接著’將晶圓W搬運至c/D 11 〇後，於c/D 110進行 顯影處理（步驟213)。於此顯影處理，可根據自倍縮光罩 R1透射率所預想之曝光量總量調整晶圓w的顯影時 ，即，曝光量之總合未滿指定值時，亦可將顯影時間設 f為長。之後，進行該光阻像的線寛測量測量、已轉印至 =圓W上之元件圖案的線寛測量、以及圖案缺陷檢查等 事後測量檢查處理（步驟215)。 與忒測量檢查結果相關之數據資料傳送至解析裝置 料㈣217 裝置赌該測量檢 :、曰。之解析。參照此測量檢查結果，確認於已轉印形成 上之元件圖案上是料在缺陷，取得該缺陷與 j先罩R卜R2缺陷檢查間之關連，在關連已確認之情 心整為了製作以檢測倍縮光罩R卜R 2上硬體缺陷' ^、1^為目的之檢查條件導引圖而事先設定的檢測靈 敏度、以及異物容許尺寸等。 純j W由晶圓測量檢查機120搬運至餘刻裝置920, 一：刻裳置920進行蝕刻、因應需要進行雜質擴散、配線 =、以CVD裝置9U)成獏、以CMp裝置93〇平坦化、 於虱化·離子植入裝置940中植入離子等（步驟21 1342038 使於触刻中，亦可根據倍縮罩、R2透射率總量調整晶 圓W之蝕刻時間。 而後’全體製程結束，於主機6〇〇上判斷所有圖案是 否皆已形成於晶圓上（步驟221)。若否定此判斷則重返步 驟206 ’若肯定則向步驟223前進。如此，藉由所謂成臈、 光阻塗布至蝕刻等一連串的工序依製程數別地反複執 行’電路圖案層積於晶圓W上而形成半導體元件。 反複製程結束後，於元件製造裝置群9〇〇中施行探剛 處理（步驟223)、修復處理（步驟225)。於此步驟223中， 當檢測出記憶體不良時，於步驟225進行，例如置換成冗 長電路之處理。在未顯示於圖的檢查裝置中，關於晶 上線寛異常發生之處’可以晶片單位自探測處理、 > 理之對象剔除。之後，施行切割處理（步驟227)、= 處理、接合處理(步驟229)，完成最後的產品晶片。再^裝 ^驟215晶圓事後測麵查處理於步驟219之蚀刻後I’ 形’則轉變成對晶圓w上触刻影像4: 於顯影後、侧後兩者執行亦可。在此情^線 光阻像，刻影像皆進行線寬測量，匕

Λ L,之不同’亦可檢測蚀刻處理的處理狀離土； 朵置=i#細說明’依本實施例，考慮他方G 方之倍縮光罩缺陷檢查，因此 曝先之一 及直接關連元件生產良率之倍縮先C 此外’在本實施例中’測量檢查實際晶圓 上之圖 27 替換】 以結果(步驟215)，根據該測量檢查 查機130之檢查内容。即，取得晶圓w = 罩Ri、、RrZ 202、步驟203、步驟204所執行之倍縮光 R2缺陷檢查間之相互關連，若晶 該發生於倍縮光罩R1、R2之圖案時， 所示之之檢查靈敏度以及閾值（即於檢查條件導引圖 生產=查條件）等。依此’將可為了只檢測出實際影響 罩^车ρΐ缺陷而將檢查條件最佳化。特別S ’在倍縮光 倍维朵W u圖案區域内，存在〇PC圖案或相移圖案等， 复條件Ϊ愈以愈為複雜’則將曝光結果反映至該等檢 由於本實施财，於倍縮料M、R2缺陷檢查， 率之心2於遮光部缺陷，透光部缺陷對於^件生產良 只檢更為精密地檢查透光部。依此，可進行 、出衫響7L件生產良率缺陷之缺陷檢查。 倍縮= 卜之’於有關倍縮光罩1"卜R2之-方 特定位置之心罩t對應該圖案區域中透光部 容許尺卩已形成料，變更改變檢測靈敏度、異物 t卉尺寸等之缺陷檢查的處理内容。如此一來， 進密2查對於晶圓w曝光結果影響較大的部份，而可 進仃碰測収件生產良率有影響之缺陷的缺陷檢查。 此:卜’依本實施例，於倍縮_ Rb R2 —方之缺陷 檢查’按照有關他方倍縮鮮上圖案之資訊， =導引圖後控制缺陷的檢測靈敏度。、例如，於—方倍^光 罩為透光部，在他方之倍縮光罩為圖案接近區域之ς份， 28 1342038 •替換頁. 之影響甚大，高檢測靈敏 影響甚大部份，依此，μ度晶fw曝光結果 響缺陷之祕檢查。仃僅檢'揭7^生產良率有影 又依本實施例，在仵妒土 $ D1 一)中’將透光部 置5〇〇(步驟3〇5)。之後，按照他方倍縮 訊，讓已被檢狀異物林料料罩圖案有關貝 化。如此-來，可在異物影響晶二:㈡:系有所; 份及影響較小之部份，使容許尺寸有所;^:果較大之部 件生產良率有影響之異物。 °僅檢測對兀 > 又依本實施例，按照有關一方圖案之 案檢查資料抽樣分辨率有所變化。如此_來°，，使他方圖 密地檢查對晶圓W曝光結果影響較大的 行僅檢測對元件生產良率有影響之缺陷的^此可進 又依本實施例，於檢測附著於倍縮光罩'上， 之異物之同時，亦檢測附著於該倍縮光罩遮光部 有關附著於遮光部之異物’置之不理雖不致對晶圓 光結果造絲響’㈣料異物料能财於倍縮光罩ς 運中移動至透光部之情形，故若為某程度大小的異物，則 進行檢測較佳。 又於本實施例，在倍縮光罩R】、R2的最佳化（步驟 203、204)中，不僅係透光部，亦將遮光部檢查結果數據 資料輸出至解析裝置5〇〇(步驟305)。之後，於此遮光部 之檢查，亦按照業已被檢測異物之大,j、，使輸出内容有所 變化。如此一來，可在異物影響晶圓W曝光結果較大之 29 1342038

部份及影響較小之部份，使檢查内容(例如 不同，檢測與元件生產良率直接相關之缺陷。。、 實關，根縣接近觀_、彳目_#、 ΐ:=其一是否已形成於對應倍縮光罩R】、们、圖 ^特疋位置之他方倍縮光罩R2、R1上位置 有關該圖案中特定位置之缺陷檢查處理内容。 更 則可在異物影響晶圓W曝光結果較大之上述_垃 近區域與並非如此之區域中，使檢查内容(檢查靈敏、 所不同，檢測與元件生產良率直接相關之缺陷。又 此外，在本實施例中，雖已於事前根據對方 資訊將檢查條件最佳化，但在均一檢查條件下進彳I檢查， 利用對方倍縮光罩資訊判定被檢測之缺陷是否 盥 元件關連之缺陷亦可。 伐/、 —又，在本實施例中，按照與對應一方倍縮光罩圖案中 特定位置之他方倍縮光罩上位置之表面形狀之差距，^更 有關圖案中特定位置之缺陷檢查之處理内容。如此一來， 可在異物影響晶圓w曝光結果較大之平坦度差較大部份 與較小部份，使檢查内容(例如檢查資料抽樣分辨率）有所 不同’檢測與元件生產良率直接相關之缺陷。 又在本實施例中’於測量檢查配置於照射在晶圓w 曝光面上同一區域之數個個曝光光線IL1、IL2各別光徑 上之數個個倍縮光罩Rl、R2之至少一方時’求取照射在 晶圓w曝光面上同一區域之數個曝光光線IL1、IL2之總 光量（光量之總量）。之後，按照曝光光線IU、IL2總光量 使測董檢查結果之輸出内容有所變化。如此1 一來，可進行 知:照曝光光線丨Ll、1JL2總光量使測量檢查結果之輸出内 1342038 替換頁 #有所’與％件生產良率直接相關之測量檢查。 各別ΐ徑ί:=:罩:虞f照配置在曝光光線1L】、IL2 精確度且高生產率且良進率而可為高 W ΐί本實施例中，於將數個個曝光光線HIL2昭 曝光面之多重曝光(雙重曝光)執行之際，按昭 倍縮衫上形叙81斜目關資訊， ，他方倍縮光罩之缺陷檢查。如此一來，可進 曝先㈣、與4生產良率直接相關之倍縮光罩 又依本實關，考量與財倍縮光罩之心，於、目丨山 影響生產良率之倍縮光罩缺陷時’ =洗:爭:縮光罩，禍若該缺陷為硬體缺 鈿先罩。糟由如此之步驟，則可針對件 更換借 施以適切m、可能提昇元件^^罩之各種缺陷 再者，在上述實施例中，用於曝光之<兩倍 亦為玻璃倍縮光罩，但若將倍縮光罩R1與°倍先罩同欠 之任何一方更換為可變更形成於其上 0J先罩R2 等電子光罩，更加可以提昇元件生產良率/、之液晶面板 例：，異物附著於玻璃倍縮光罩心部 部份之電子光罩上部份設計上騎光部，亦可將 31 年月自修Μ換頁 1抑· 9 1任 更換為透光部。如此 曝光面上的點，便 +應该異物存在點之晶圓w 光’而無依據異物1 =電子光罩之曝光光線進行曝 率方面係為有利。小洗淨倍縮光罩之必要，故於生產 右預期综勸你_ 體曝光量之總量過 透射㈣偏低且全 圖案區域圖案相 ^ .，則將與形成於玻璃倍縮光罩 形圖案）形成於電Hi案（例如，接觸孔圖案或細微的線 曝光量過於微弱，〜上亦可。如此一來，則縱使全體 晶圓W之曝光面_^在鮮明狀態下將該圖案轉印形成於 與另-方倍縮光中’已將-方倍縮光罩圖案區域 分類的區域、’，—案區域分類為數個區域。而且每個已 陷檢查。作本發1檢查條件’一面進行圖案區域的缺 測出疑似i ；1此，餘—圖轉域中，檢 訊，判定撿測出务、里另方之圖案區域相關資 、!出之現象視之為異常或並非異常亦可。 = ，但兩者為-體亦可。即倍縮光 ::查機130具有解析裝置500之功能亦可。 A及射刑垃在上述實施例中’維採用透射型倍縮光罩，作 所形成之倍Ξ光^^罩’但使用一個由2個圖案區域 pl將再二雖制透-㈣光學系統 ㈣4： Λ 罩 之®案影職影至晶圓W上 裝置⑽’但為透過個別的投影光學系統將二個圖 32 案影像投影至晶圓w上之曝光裝置亦可。 此外’涉及本實施例之曝光裝置ι〇〇雖藉由圖案的同 步雙重曝光將7C件®轉印於BaB圓w上，但當然亦可使 用可將圖案同步地三重曝光、四重曝光之曝光裝置。 在此狀況下，於進行一個倍縮光罩之缺陷檢查時，則考量 其他所有與倍縮光罩相關之資訊較佳。 此外’涉及本實施例之曝光裝置1⑻雖採用進行數個 圖案同步曝光之所謂多重曝光之曝光裝置，然本發明當然 亦可採用隨時更換倍縮光罩進行多重曝光之曝光裝置。 再者’於涉及本實施例之多重曝光法中，關於倍縮光 Rl、R2之圖案並無特別限制。例如，將一方圖案區娀 2之圖案當做應轉印形成於晶圓W上之設計上元件圖 將另一方圖案區域内之圖案當做〇pC圖案亦可。亦 透過一方圖案區域内圖案之曝光光與透過另一方 ” 1域内圖案之曝光光線的位相差設為18〇。，對透過兩 ，縮光罩之曝光光線予以相位差、實現相移效果之設計 亦為可杆。 I I如要在兩方倍縮光罩中獲得相移效果，透過各別倍縮 的光之相位差與設計值必須如出一轍(例如180。），故 時罩之測量檢查中，能夠測量該相位差較佳。此 景於二而利用麥克詹達干涉儀(Mach-Zehnder干涉儀）等測 二各個圖案移相器之相位差，確認移相器間的相位差 、。又5十值如出一轍即可。 平U再者，本發明之曝光裝置種類不限。例如，如同特開 本發明13 54〇0號公報、特開2〇〇(M 64504號公報等所揭示， 可適用配置有支承晶圓W之晶圓載台與搭載由基 33 1342038 準標記(MARK)所形成之基準部材以及/或各種光電感測 器之計測載台之曝光裝置。 又於上述實施例中，雖已就步進掃瞄式投影曝光裝置 說明，惟本發明除該等投影曝光裝置外’步進重複式、接 近式曝光裝置等之其他曝光裝置亦可適用，自不待言。此 外’將拍攝區域與拍攝區域加以合成之步進接合(Step and Stitch)式縮小投影曝光裝置亦可適用本發明。如此所代表 的’就各種裝置而言，亦無限制其種類。 又如同國際公開W098/24115號、W098/40791號所揭 示之配置二座晶圓載台之雙載台型曝光裝置亦可適用。此 外’如同國際公開W099/49504號所揭示之採用液浸法之 曝光裝置亦可適用本發明，自不待言。在此情形下，雖然 才采用於投影光學系統與基板間局部填滿液體之曝光裝 置’但本發明亦可適用如同特開平6-124873號公報、特 開平10-303114號公報、美國專利第5,825,043號說明書 等所揭示、在曝光對象基板之曝光面全部浸泡於液體中之 狀態下進行曝光之液浸曝光裝置。 _又本發明不限半導體製程，含有液晶顯示子元件等之 器製程亦可適用。此外，本發明除轉印製程、薄臈磁

π衣往y卜，3迥用所有元仵聚程，目不待 遂如同上述說明，藉由本發明之採用，例如於為製造半

磁頭并曰:顯示元件、⑽等光電耦合元件、薄膜 先蝕刻微影製程中，採用多重曝光法之際，按每 34 1342038

年月日修正替換頁 9ft. fl. ΐ A 個倍縮光罩間之異物、缺陷位置、大小、形狀、種類、數 量、密度、周邊之曝光圖案等，且按照該解析結果，變更 異常判定以及/或其後之處理，藉由上述，可進行最佳的 倍縮光罩管理，並可進行高精確度且高生產率之元件生 產，提昇該生產良率。 再者，在本國際專利申請所指定之指定國（或選擇之 選擇國）之國内法令允許限度下，援引於上述實施例中所 引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開小冊子、以 及美國專利說明書之揭示做為本說明書記載之一部份。 【產業上之可利用性】 本發明之測量檢查方法、曝光方法、元件製造方法、 測量檢查裝置、曝光裝置、元件製造裝置皆適於1C、LSI 等半導體元件、液晶面板、CCD、薄膜磁頭等元件之製造。

35 【圖式簡單說明】 第一圖係係顯示一實施例之元件製造系統構成概略 圖。 第二圖係顯示一實施例之曝光裝置構成概略圖。 第三圖係倍縮光罩測量檢查機之概略構成圖。 第四圖係元件製程流程圖。 第五圖倍縮光罩最佳化之流程圖。 第六圖第六（A)圖至第六（E)圖係為說明圖案區域分 類之圖。 第七圖係係彙整製作檢查條件導引圖之際之標準之 圖表。 【主要元件符號說明】 10 照明系統 100 曝光裝置 110 顯影機 120 晶圓測量檢查機 130 倍縮光罩測量檢查機 160 管理控制器 200 執道 500 解析裝置 600 主機系統 801 光源 802 振動鏡 803 掃瞒鏡片 804 被檢面 36 1342038

805 掃瞒線 806 異物 807 圖案 808、 809 ' 810 受光器 900 元件製造裝置群 910 CVD裝置 920 蝕刻裝置 930 CMP裝置 940 氧化·離子植入裝置 1000 元件製造系統 IA 曝光區域 IAR1 、IAR2 照明區域 IL1、 IL2 曝光光線 L3 散射光線 L4 衍射光線 PL 投影光學系統 R1、 R2 倍縮光罩 RH 倍縮光罩支架 RST 倍縮光罩載台 W 晶圓 WH 晶圓支架 WST 晶圓載台 年月日修正替換頁 37

Claims (1)

1342038 ^專利範圍： 1-一種測量檢查方法，其測量檢查配置於照射在基板上 曝光區域同一區域數個曝光光線各別光徑上之數個S罩中 至少一個光罩，且按照有關形成於前述數個光罩中之第一 ，罩上之第一圖案之資訊，變更與前述數個光罩中之前述 第一光罩不同之第二光罩相關測量檢查處理之處理内容。 2.如申請專利範圍第丨項記載的測量檢查方法中，於前 述第二光罩相關測量檢查處理之際，檢測附著於形成在前 述第二光罩上第二圖案透光部之異物。 如申請專利範圍第2項記載的測量檢查方法中，於前 述第二光罩相關測量檢查處理之際，按照對應前述第二圖 案中透光部特定位置之前述第一光罩上位置、是否已形成 前述第一圖案之透光部或是否已形成遮光部，變更有^前 述第二圖案中透光部之前述特定位置之測量檢查處理之處 理内容。 4.如申請專利範圍第2項記載的測量檢查方法中，前 述測量檢查處理包含按照前述第一圖案有關資訊，控制檢 測異物之際之檢測靈敏度。 5胃如申請專利範圍第2項記載的測量檢查方法中，前 述測量檢查處理包含輸出檢測結果之處理，並按照前述第 一圖案有關資訊，使已檢測異物之大小與檢測結果之輸出 内容的關係變化。 义6.如申請專利範圍第2項記載的測量檢查方法中，按照 月述第一圖案有關資訊，使得執行前述測量檢查處理之頻 率產生變化。 7.如申凊專利範圍第2項至第6項中任一項記載之測量 檢查方法中’於4述第二光罩相關測量檢查處理之際，於 38 1342038 年月日修正替換頁 於前述第二g案遮光部之異物。 ^綠?·附0著1存~^ 8·如中請專職圍第7項記载之測量檢查方法中 測買檢查處理，包含輸出檢測附著於前述 J:之結果之處理，並按照已檢測異物之大小令 旦/本如申請專利範圍第1項至第6項中任一項記載之測 里方法中，按照前述第—圖案中之光近接補正圖案、 目移圖案、接觸孔圖案、以及線/間距圖案之任一是否 接於對應前述第二圖案中特定位置之前述第一光罩上 ^ ’變更有關前述第二圖案中特定位置之測量檢理 處理内容。 # 專!1範圍第1項至第6項中任1記載^ 、二-：，按照與對應前述第二圖案中特定位置之前 光罩上位置之表面形狀差’變更有關前述第二圖案 特疋位置之測量檢查處理之處理内容。 v、

11 ·種測量檢查方法，其係測量檢查配置於照射在基 ^光區域同-區域之數個曝光光線各別光徑上之數個 一 至> 一個光罩；並包含求取照射於前述曝光區域同 區域之前述數個曝光光線總光量之製程。 12·如申請專利範圍第丨！項記載的測量檢查方法中，包 置檢查結果之製程’且依照前述總光量令前述測 I檢查結果之輸出内容變化。 13’種測量檢查裝置，其利料請專利顧第！項至 ,、d第11項第12項中任—項記載的測量檢查方法， 挪篁檢讀述數個光罩中之至少—個光罩。 14.一種曝光方法，其係將數個曝光光線照射於基板上 39 +光區域，按照形成於配置在前述數個曝光光線各別光徑 ^之數個光罩中之第一光罩上之第一圖案有關資訊，測量 檢查處理不同於前述第-光罩之第二光罩，根據前述測量 檢查處理之結果控制前述基板之曝光處理。 15·—種曝光裝置，其使用申請專利範圍第14項記載的 曝光方法進行曝光。 16,種元件製造方法，其包含將數個曝光光線照射於 ^板曝光區域之曝光製程，且包含按照形成於配置在前述 數個曝光光線各別光徑上之數個光罩之第一光罩上第一圖

案有關資訊，測量檢查處理不同於前述第一光 罩之製程。 中一兀* 17·如申請專利範圍第Μ項記載的測量檢查方法中進 一 據測量檢查前述第二光罩之結果，洗淨前述第 一先罩或則述第二光罩之製程。 18·如申請專利範圍第16項記載的元件製造方法中， 量檢查前述第二光罩之結果，交換前述 弟一先罩或刖述第二光罩之製程。

祕/曰9.如申請專利範圍帛16項記載的元件製造方法中’根 據測1檢查前述第二来置鉍 ^ 光罩之、、、。果，促使刖述第一光罩上第 圖案與别述第二光罩上第二圖案之任一變更。 ，f利範圍第19項記載的元件製造方法中，前 圖案之電衫罩。 任—為可艾更於其上形成之 Α板ΐίΓίΓ製造方法，其包含減㈣絲線照射於 i光光二二之曝光製程’並根據透過配置在前述數個 域才曰疋位置之別述數個曝光光線總光量，於上述光罩上^ 40 1342038 以指定處理。 22·如申請專利範圍第21項記載的元件製造方法中，根 據照射於前述曝光區域指定位置之前述數個曝光光線總光 量而於前述光罩施行之指定處理，包含針對前述數個乂罩 之至少一個光罩之洗淨處理。 23.如申請專利範圍第21項記載的元件製造方法中根 據照射於前述曝光區域指定位置之前述數個曝光光線她光 量而於前述光罩施行之指定處理，包含交換前述數個^罩 之至少一個光罩之處理之元件製造方法。 一 24]如申請專利範圍第21項至第23項中任一項記載的 兀件製造方法中，根據照射於前述曝光區域指定位置之 述數個曝光光線總光量而於前述光罩施行之指定處理 變更形成於前述數個光罩之至少一個光罩之圖案之處理。

25·如申請專利範圍帛24觀載的元件製造方法中，前 述數個光罩之至少-個光罩，為可變更於其上形成之圖案 之電子光罩，根據照射於前述曝光區域指定位置之前述數 個曝光光線總光量而於前述光罩施行之指定處理 前述電子光罩上圖案之處理。 &尺 項至第3項中任-項#己載的元件製造方法。 心光方法，其將數侧案影像同時或依次地形 區Ϊ後，而曝光前述物體，並就形成於同 = Ϊ :個圖案中之-的圖案被形成區域 處理，考量前述數個圖案中殘餘之至少-個圖 案相關負§fl，而將其加以勃并，并固 結果’控制前述物體之曝光條件/述測讀查處理 28.如申請專利範圍第27項記載之曝光方法中，前述數 41 -1342038 ut _正替叫 個圖案包含三個以上之圖案，考量所有殘餘之圖案相關資 訊而執行前述測量檢查處理。 29.—種元件製造方法，其包含利用申請專利範圍第27 項或第28項記載之曝光方法而曝光物體之製程，與藉由曝 光將圖案所形成之物體至少加以顯影之製程。 42 1342038 Γυ日f气替換—a 七'^指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（七）圖 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: