TWI237361B - Chip package structure - Google Patents

Description

1237361 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種晶片封裝結構，且特別是有關 於一種具有散熱片之晶片封裝結構。 先前技#ί 就常見之打線接合（w i r e b ο n d i n g )型態之晶片封 裝結構而言，導線架（lead frame) —直是低腳位（low pin count)半導體元件常用的構裝元件。由於導線架具 有成本低，加工容易等特性，也是消費性電子產品常用 之晶片封裝類型，例如手機、電腦、視聽產品所使用之 半導體元件。為了因應高功率之半導體元件的散熱需 求，習知技術通常是利用大面積之散熱片來增加晶片之 散熱效能，使得晶片於運作時所產生的熱能，能夠很快 地傳導到高導熱之散熱片，並散逸至外界之大氣環境 中，以確保晶片能在正常之工作溫度下運作。 請參考第1圖，其繪示習知一種晶片封裝結構的剖面 示意圖。就打線接合型態之晶片封裝結構1 0 0而言，晶片 封裝結構100主要係由一晶片座（die pad ) 110、多數個 引腳1 1 6、一晶片1 2 0、多條導線1 2 8、一散熱片1 3 0以及 一封膠1 4 0所構成。晶片1 2 0具有一主動表面1 2 2及對應之 一背面1 2 4 ，且晶片1 2 0之背面1 2 4經由一膠料層1 4 2而貼 附至晶片座1 1 0之承載表面1 1 2上。晶片1 2 0更具有多數個 銲塾（ponding pad) 126，其配置於晶片120之主動表面 1 2 2。此外，這些導線1 2 8則分別電性連接銲墊1 2 6之一至 其所對應之引腳1 1 6之一。散熱片1 3 0例如為導熱性佳之

12310TWF.PTD 第8頁 1237361 五、發明說明（2) 金屬塊，而散熱片130具有一接合面132，且散熱塊130之 接合面1 3 2可經由另一膠料層1 4 4，而貼附至晶片座1 1 0之 底面1 1 4。最後，封膠1 6 0則包覆晶片座1 1 0、引腳1 1 6之 内部、晶片1 2 0 、導線1 2 8以及散熱片1 3 0 。其中，引腳 1 1 6之外側可經由剪切成形而外露於封膠1 4 0之外，且散 熱片130之底面134還可選擇性暴露於封膠之外。 值得注意的是，散熱片1 3 0之接合面1 3 2與晶片座1 1 0 之底面1 1 4未直接接觸，而是間接藉由膠材層1 4 4而彼此 貼合。然而，膠材層1 4 4會增加晶片座1 1 0傳導至散熱片 1 3 0之熱阻抗，使得晶片1 2 0所產生的熱能無法快速地經 由散熱片1 3 0而散逸到外界大氣中，導致晶片封裝結構 1 0 0的熱能居高不下。 解決上述膠料層144之導熱不佳的方法之一，即是直 接將散熱片1 3 0之接合面1 3 2接觸晶片座1 1 0之底面1 1 4， 並以封膠1 4 0加以包覆。在理想狀態下，散熱片1 3 0之接 合面132與晶片座110之底面114可緊密接合，但是由於散 熱片1 3 0與晶片座1 1 0之間缺少膠料層1 4 4之貼合效果，受 熱而膨脹的封膠1 4 0會加大晶片座1 1 0與散熱片1 3 0之間的 間隙。此外，在材質上，封膠1 4 0之熱膨脹係數（C T E ) 與散熱片130之熱膨脹係數（CTE)不匹配（dismatch )，兩者受到反覆熱漲冷縮的作用而產生脫層，進而加 大晶片座1 1 0與散熱片1 3 0之間的間隙。因此，如何在不 使用膠料層1 4 4之情況下，能增加散熱片1 3 0與晶片座1 1 0 之間的接觸緊密度，乃本發明之重點。

12310TWF.PTD 第9頁 1237361 五、發明說明（3) 發明内容 因此，本發明的目的就是在提供一種晶片封裝結 構，在不使用膠料層之情況下，能增加晶片座與散熱片 之間的接觸緊密度。 為達本發明之上述目的，本發明提出一種晶片封裝 結構，主要係由一導線架、一晶片、多數個導線、一散 熱片、一封膠以及一膨脹體所構成。導線架具有一晶片 座以及多數個引腳，而晶片配置於晶片座上，且導線電 性連接晶片之銲墊與對應之引腳。此外，散熱片配置於 導線架之底面，而封膠包覆晶片座、引腳内側、晶片、 導線以及散熱片，且封膠具有一開口 ，其暴露出散熱片 之局部底面。另外，膨脹體配置於散熱片之底面，並容 納於開口中。 依照本發明的較佳實施例所述，上述之膨脹體之熱 膨脹係數較佳係大於散熱片之熱膨脹係數，並且還大於 封膠之熱膨脹係數，而膨脹體之材質例如為環氧樹脂， 而受熱膨脹之環氧樹脂能改善晶片座與散熱片之間接觸 緊密度，以提高晶片封裝結構之散熱效能。 由於本發明採用熱膨脹係數高的環氧樹脂作為膨脹 體，而膨脹體受熱膨脹之後可推擠散熱片，以使散熱片 與晶片座緊密接觸。因此在未使用膠料層之情況下，膨 脹體可減少晶片座與散熱片之間的間隙，進而提高晶片 座與散熱片之間的接觸緊密度。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更

12310TWF.PTD 第10頁 1237361 五、發明說明（4) 明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 實施方式 請參考第2圖，其繪示本發明一較佳實施例之一種晶 片封裝結構的剖面示意圖。就打線接合型態之晶片封裝 結構2 0 0而言，晶片封裝結構2 0 0主要係由一晶片座2 1 0、 多數個引腳21 6、一晶片2 2 0 、多條導線2 2 8、一散熱片 2 3 0、一封膠2 4 0以及一膨脹體2 5 0所構成。晶片2 2 0具有 一主動表面2 2 2及對應之一背面2 2 4，而晶片2 2 0之背面 2 2 4經由一膠料層2 4 2而貼附至晶片座2 2 0之承載表面2 1 2 上，且晶片2 2 0之主動表面2 2 2配置有多數個銲墊2 2 6，分 別對應於這些引腳2 1 6。另外，導線2 2 8電性連接晶片2 2 0 之銲墊2 2 6與對應之引腳216，而導線2 2 8之材質例如為 金。再者，散熱片230配置於晶片座210之底面214，且散 熱片2 3 0係為熱傳導能力佳的金屬，例如銅或鋁。 同樣請參考第2圖，封膠2 4 0例如以模穴（cavity ) 充填的方式而將晶片座2 1 0 、引腳2 1 6内側、晶片2 2 0 、導 線2 2 8以及散熱片2 3 0加以包覆，以保護晶片2 2 0 ，並避免 外界之濕度影響與雜塵污染，而引腳2 1 6外側可經由剪切 成形而外露於封膠1 4 0之外。在本實施例中，封膠2 4 0具 有一開口 244 ，其暴露出散熱片230之局部底面232 ，而膨 脹體250容納於開口244中。由於晶片座210之底面214與 散熱片2 3 0直接接觸，以使晶片2 2 0所產生之熱能能傳導 至大面積之散熱片2 3 0 ，以加快晶片2 2 0散熱之效能。

12310TWF.PTD 第11頁 1237361 五、發明說明（5) 值得注意的是，晶片座210之底面214與散熱片230之 間並未藉由習知之膠材層而貼合，以減少習知膠材層所 產生之熱阻抗。然而，在未使用膠材層之情況下，本實 施例係將膨脹體2 4 4配置於散熱片2 3 0之底面2 3 2，並容納 於封膠2 4 0所預留之開口 2 4 4中，其中膨脹體2 5 0之材質例 如為膨脹係數高之環氧樹脂（e ρ ο X y r e s i η )，其熱膨脹 係數較佳係大於散熱片2 3 0之熱膨脹係數。舉例而言，散 熱片2 3 0之材質例如為鋁，其熱膨脹係數約為23. 2ρρπι/ °C。膨脹體2 5 0之材質例如為熱膨脹係數高之環氧樹脂， 其熱膨脹係數可在82〜171ppm/°C範圍中，約為散熱片 2 3 0之熱膨脹係數的四倍或更高。此外，封膠2 4 0之熱膨 脹係數約在9〜34ppm/ °C範圍中，亦小於膨脹體2 5 0之熱 膨脹係數。 請同時參考第2及3圖，其中第3圖繪示晶片座與散熱 片之間的間隙（以負值表示）與相對位置的比較關係 圖。經由模擬分析實驗得知的比較關係圖可知，圖中之 實線S 1繪示在未使用膠料層之情況下，晶片座2 1 0與散 熱片2 3 0之間的間隙G 1受到封膠2 4 0熱膨脹的作用以及散 熱片2 3 0與封膠2 4 0之熱膨脹係數不匹配的影響，其最大 間隙值將大於2 0微米。另外，圖中之實線S 2繪示當配置 膨脹體2 5 0於散熱片2 3 0之底面2 3 2時，膨脹體2 5 0受熱膨 脹之後，膨脹體2 5 0的變形量大於散熱片2 3 0之變形量， 故膨脹體2 5 0可推擠散熱片2 3 0，以減少晶片座2 1 0與散熱 片2 3 0之間的間隙G 2 ，其最大值約為2微米左右。

12310TWF.PTD 第12頁 1237361 五、發明說明（6) 由以上的比較關係圖可知，在未使用膠料層之情況 下，利用膨脹體2 5 0可減少晶片座2 1 0與散熱片2 3 0之間的 間隙，進而提高晶片座2 1 0與散熱片2 3 0之間的接觸緊密 度。因此，晶片2 2 0所產生之熱能，能快速地經由晶片座 2 1 0傳導至散熱片2 3 0 ，以提高晶片2 2 0之散熱效能。 綜上所述，本發明之晶片封裝結構，係採用熱膨脹 係數高的膠體作為膨脹體，例如為環氧樹脂等膠體，而 膨脹體之熱膨脹係數大於散熱片之熱膨脹係數，且膨脹 體係配置於散熱片之底面，並容納於封膠所預留之開口 中。當膨脹體受熱膨脹之後可推擠散熱片，以使散熱片 與晶片座緊密接觸。因此，在未使用膠料層之情況下， 膨脹體可減少晶片座與散熱片之間的間隙，進而提高晶 片座與散熱片之間的接觸緊密度。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

12310TWF.PTD 第13頁 1237361 圖式簡單說明 第1圖繪示習知一種晶片封裝結構的剖面示意圖。 第2圖繪示本發明一較佳實施例之一種晶片封裝結構 的剖面示意圖。 第3圖繪示晶片座與散熱片之間的間隙與相對位置的 比較關係圖。 【圖式標示說明】 100 、200 晶 片 封 裝結構 110 、210 晶 片 座 112 、2 1 2 承 載 表 面 114 、214 底 面 116 、216 引 腳 120 、220 晶 片 122 、111 主 動 表 面 124 、224 背 面 126 > 226 銲 墊 128 >228 導 線 130 >230 散 熱 片 132 :接合 面 134 > 232 底 面 140 、240 封 膠 142 > 144 膠 料 層 242 :膠料 層 244 :開口 250 :膨脹 體

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Claims (1)

1237361 六、申請專利範圍 種 1 · 之底面 散熱片 底面； 口中。 2. 該膨脹 3. 該膨脹 4. 該散熱 5. 該散熱 6. 該膨脹 晶片封裝結構，至少包括： 一導線架 腳環繞於該晶 一晶片， 個銲墊，對應 多數個導 些引腳； ，具有一晶片座以及多數個引腳，該些引 片座之周圍， 配置於該晶片座之頂面，該晶片具有多數 於該些引腳； 線，分別電性連接該些銲墊以及對應之該 散熱片，配置於該導線架之底面，並與該導線架 相互接觸； 封膠，包覆該導線架、該晶片、該些導線以及該 ，該封膠具有一開口 ，其暴露出該散熱片之局部 以及 膨脹體，配置於該散熱片之底面，並容納於該開 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中 體之熱膨脹係數大於該散熱片之熱膨脹係數。 如申請專利範圍第2項所述之晶片封裝結構，其中 體之熱膨脹係數大於該封膠之熱膨脹係數。 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中 片之材質為鋁。 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中 片之材質為銅。 如申請專利範圍第1項所述之晶片封裝結構，其中 體之材質為環氧樹脂。

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