TWI234043B - Method of manufacturing liquid crystal display - Google Patents
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1234043 玫、發明說明： 一、發明所屬之技術領域 本發明係關於-種液晶顯示器之製造方法，特別是關於 種具有向穿透率之液晶顯示器的平坦化製造方法。 一、先前技術 一目前市場上液晶顯示器之相關應用產品，對最終產品的 党度要求不斷的提升，例如：桌上型電腦用液晶顯示器、 筆圮型電腦用液晶顯示器及液晶電視等。為能滿足此—高 党度的需求，液晶顯示器之面板製造商在不提高產品的耗 電率之前提下，無不希望提高面板的開口率（apenure ratio )和開口區域的光穿透率，以達到面板整體之光穿透 率提高的目的。 日韓各薄膜電晶體液晶顯示器（TFT_LCD)廠，所提出 心咼開口率製程和專利，主要係以完成保護層（passivation layer SiNx )後，再增加一道有機層作為表面之平坦化層的 步驟，讓透明電極（IT0，銦錫氧化層）可覆蓋至資料線 上，如此，可使得開口率提高，進而增加其穿透率。 圖1係美國第5,883，682號專利所揭示之主動基板之部分 線路之示意圖。在一基板1U上，複數條掃描線（scan Une 或gate line) 115與資料線（data line) 135之交叉處有複 數個像素112 ’此外該些掃描線11 5及該些資料線13 5之 一端分別設有閘極墊（gate pad ) 117及資料墊（data pad 或source pad) 137，該閘極墊117及資料墊137可供不同 功能之驅動元件接合其上。 H:\Hu\lgC\ 瀚宇彩晶台灣專利\878〇9\878〇9(A〇3〇53&46).doc 1234043 圖2(a)〜2(e)係圖1沿剖面線η — π之剖面結構之製程 步驟之示意圖。如圖2(a)所示，形成一金屬層，藉由第一 遒极景> 蚀刻製程（photo-etching process 1 ; ΡΕΡ1 )於基板 111上定義閘極墊11 7、掃描線1丨5及閘極電極丨丨3之圖 型。依序沈積閘極絕緣（gate insulat〇r)層IB、半導體層 (intrinsic semiconductor layer) 121 及摻雜半導體層 (impurity doped semiconductor layer) 123 及第二導體層 疊置於該基板111與上述之閘極墊丨i 7、掃描線丨丨5及閘 極私極113上。之後進行第二道微影蚀刻製程（pEp2 )之 蝕刻步驟，將源極133、汲極143、資料線135及資料墊 137之圖型定義出，並依據上述之圖型移除部分的摻雜半 導體層123 (如圖2(b)所示）。 如圖2(c)所示’接著進行第三道微影蚀刻製程（pEp3 )， 將開口區之閘極絕緣層119及半導體層121 —起移除，在 閘極電極113處仍保留部分之半導體層121作為薄膜電晶 體114之通道（channel)，同時閘極墊丨17也已完全露出。 在資料墊I37的下方仍有部分摻雜半導體層123、半導體 層12 1及閘極絕緣層119。 於薄膜電晶體114、閘極塾117及資料塾137上沈積一 有機保護層13 9 ’該有機保護層13 9可以由苯并環丁缔 (Benzo cyclobutene ； BCB ) 、全說環丁尸 (Perfluorocyclobutane ； PFCB )、氟化之對二甲苯 (fluorinated para-xylene)、丙晞酸酯樹脂（acryUcresin) 及有色樹脂（color resin )等材料所構成。接著進行第四道 H:\Hu\lgc\i翰宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 微影㈣製程（PEP4)使有機保護層139表面產生通孔 163及165 ’如圖2(d)所示。其中通孔161、163及 165 /刀別使及極143、閘極墊"7及資料墊m露出於該有 機保護層1 3 9外。 一然後在有機保護層139上與通孔161、163及165内沈積 透月導电層，藉由第五道微影蝕刻製程（pEp5)圖案化 該透明導電層，並分卿成像素電極153、閘極塾接觸端 157及資料墊接觸端177。 =乂閘、、、邑緣層1丨9為一透明膜層，例如：氮化矽（) 及乳化發（Si〇y)，但仍會有反射光線及吸收光能量之現 象因此而要計算並控制其膜層之厚纟才能達到較佳之光 穿透率戶斤以市场上急需一種能少一道光罩的製造方法， 俾能提供較具有生產競爭力之液晶顯示器。 三、發明内容 —2月〈王要目的’.係提供-種具有高開口率之液晶顯 丁 =製k万法，其係使開口區沒有閘絕緣層或無機保護 ^覆盍’如此可增加液晶顯示器之穿透率，進而提升畫面 呈現影像之亮度。 為達成上述目的’本發明揭示—種液晶顯示器之製造方 〃係先在-基板上疋義第—導體層之圖型，亦即形成 閘極組合體’包括閘極墊、掃描線及閘極電極。依序沈 ^極絕緣層、半導體層、轉半導料及第：導體層於 ΐ板與上述之間極組合體上。將-光阻層覆蓋於第二導體 曰上’再利用半調光罩（half_t(me爪秘）或狹縫圖型的（池 H.\Hu\lgc\#^^ ββ ^ 4#'J\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 )万式使開口區内光阻層完全曝光，而閘極墊及閘 2 %極上万仍有部分厚度之光阻層未完全曝光，進而形成 分厚度相異之光阻圖型。在經過多道乾濕式蚀刻後， 於開：區之所有沈積層可被完全蝕刻而移除，但閘極墊及 =極電極上方之沈積層會被蝕刻到半導體層而停止。接 著將一有機絕緣層覆蓋於基板與上述之結構上，並在有 機絕緣層上定義出供透明導電層與金屬層導通的通孔。再 知乾蝕刻使閘極墊藉由閘極墊上方之通孔而露出，最後於 有機絕緣層表面及複數個通孔處定義一透明導電層之圖 型。 本發明又揭示一種液晶顯示器之製造方法，其係先在一 基板上疋義第一導體層之圖型，亦即形成一閘極組合體， 包括閘極墊、掃描線及閘極電極。依序沈積閘極絕緣層及 半導體層於基板與上述之閘極組合體上。並於閘極電極上 方疋義一蝕刻阻擋層，然後沈積摻雜半導體層及定義第二 導眼層之圖型。此時閘極墊上方及開口區之閘極絕緣層、 半導體層及摻雜半導體層將會因無第二導體層覆蓋而被接 績的蝕刻步驟移除，但因蝕刻阻擋層之厚度高於該被移除 之膜層的總厚度而在閘極電極區域留下一部分未被餘刻之 厚度。接著，將一有機保護層覆蓋於透明基板與上述之結 構上，並在有機保護層上定義出供透明導電層與金屬層導 通的通孔。再採乾蝕刻使閘極墊藉由閘極墊上方之通孔而 路出’最後於有機保護層表面及複數個通孔處定義一透明 導電層之圖型。 :\Hu\lgcV翰宇彩晶台灣專利\878〇9\878〇9(A〇3〇53&46) d〇c 1234043 若不考慮__層之厚度大於閘極絕緣 =厚度之關係，則可增加—道微職刻製程以去除_ 2上万及像素開口區之 — ,, 艾4二個膜層，另外也可選擇於閘極 絕緣層沈積後將閘極载上古 土上万及像素開口區 < 閘極絕緣以 蝕刻除去。 四、實施方式 圖3係本發明〈王動基板之部分線路之示意圖。在一基 板311上有複數個像素312位於掃描、線315與資料線335 《乂又處，並於掃描、線3 15之一端設有閉極塾爪，該閉 極墊317及資料塾337可供不同功能之驅動元件接合其 上。像素312内有一薄膜電晶體314係由掃描線315控制 其開關，並允許資料線335之訊號位準窝至像素電極M3。 為使像素電極353被寫人之位準不隨著時間而衰減過多， 、匕有儲存包谷3丨6設於掃描線315及像素電極353之 間，然儲存電客亦可設於掃描線3 15及一共同電極 (common electrode)之間。 固4(a) 4(e)係圖3沿剖面線冚_皿之剖面結構之製程 步風之π意圖’其中圖之左邊、中間及右邊分別表示形成 閘極墊3 1 7、薄膜電晶體3丨4及儲存電容3丨6之各步騾。 如圖4(a)所示，藉由第一道微影蝕刻製程於基板3ιι上圖 型化第一導體層；其包含了閘極墊317、掃描線315及閘 桎黾極3 13所構成之閘極線組合體，該第一導體層可以由 鉻、鉬、妲、鉬化妲、鉬化鎢、鋁、钕化鋁或銅等材質構 成。之後’分別沈積閘極絕緣層3 19、半導體層3 2 1及摻 -9 - 1234043 雜半導體層323及第二導體層325疊置於該基板3ιι血上 叙結構上。該閘極絕緣層319材料可以為氮切或氧化 矽所構成之透明膜層。 一然後將-光阻層318塗侔於第二導體層325上方，並以 半調光罩或狹缝圖㈣方式進行第二道微影㈣製程之曝 光及蚀'步驟’如® 4(b)〜4⑷所示。該半調光罩係利用 透明〈石央（quartz)作為底材，然後將—路層附著在石英 上，祕層的部分圖案具有類似灰階效果之複數個微細開 口。藉由二值化（binary)微細開口之佈置圖型即可改變 曝光強度，並於顯影後得到階梯形狀之光阻層318。開口 區内光阻層318之會完全曝光，⑥閘極塾317及閘極電極 313上方仍有部分厚度之光阻層318未完全曝光，進而形 成有邵分厚度相異之光阻圖型。 藉由蝕刻步驟先將第二導體層325外露於圖4(b)光阻層 3 1 8 <邵分移除，接著再以蝕刻去除依序露出之摻雜半導 體層323、半導體層321及閘極絕緣層319。去除光阻層 3 1 8之邵分厚度’使閘極塾3丨7及閘極電極3 1 3上方之第 二導體層325外露，再以蝕刻步驟將該第二導體層325外 露部分去除，同時源極333及汲極343也已形成。最後， 仍以餘刻步驟使閘極墊317及閘極電極313上方之摻雜半 導體層323去除，並蝕刻到半導體層32丨而停止。如圖4(c) 所示’具有預定圖型與結構之資料線組合體已完全形成； 其包括源極333、汲極343、資料線335及儲存電容極342。 接著沈積一有機保護層3 3 9於上述之結構，並進行第三 HAHu\丨 gc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 C微;5V蝕刻製程使有機保護層339上定義出供資料線組合 把舁透明導電層導通的通孔361、363及365 ,如圖4(d)所 二又閘極墊3 1 7上方之閘絕緣層3丨9及半導體層32丨因 播第一導體層325覆蓋，故可採用乾蝕刻之方式使該閘極 墊317露出。 取後如圖4(e)所示，藉由第四道微影㈣製程沈積一透 明導電層於該保護層339表面及通孔36卜363及365内， 並分別定義出像素電極353、閘極墊接觸端（terminal)357 及儲存電容端377之圖型。 本發明係利用四道微影蚀刻製程完成如s 4⑷所示之背 通^刻（Back Channel Etch; BCE)、结構，但習知技藝至 V品要採用五道微景)製程才能達到相同之結構，因此 本4月確實此減少製程步驟而提升製造競爭力。 當薄膜電晶體314之半導體層321與有機保護層别有 直接接觸之情形時，為避免有機保護層339内存在之雜質 會影響薄膜電晶體314之電氣特性，因此可考慮將半導體 層321之表面以電聚混合氮氣、熱氧或熱氮來處理而形成 圖5係本發明之主動基板之部分線路之示意圖。在一基 板311上有複數個像素312，位於掃描線3丨$與資料線μ: 之交叉處，並於掃描線315之—端設有閘極塾3i7 1閑 極塾317及資料墊337ι可供不同功能之驅動元件接^其 上。像素312,内有-薄膜電晶體314，係由掃描線3 其開關’並允許資料線财之訊號位準窝至像素„ :\Hu\lge·宇彩晶台灣專M\878G9\878G9(AG3053&46).doc 1234043 3531。為使像素電極3 多，S^ 53被窝入之位準不隨著時間而衰減 過夕’因此有一鍺存雷 353-> Η ^ 316設於掃描線315及像素電極 3 5 3之間，然鍺存雷空+ 、 斫可設於掃描線W5及一共同電極 足間。 圖㈣〜_係圖5沿剖面線IV-IV之剖面結構之製毛 步驟之示«。本實施例與前—實施例之第—道微影㈣ 相同步驟’亦即將-第—導體層形成於基板31
上，並猎由第一道微影蚀刻製程圖型化第-導體層；其包 含了閘極塾3 1 7、播^θ 描、、泉315及閘極電極313所構成之閘 極線組合體，如圖6(a)所示。
接者進行第二道微影餘刻製程將閘極絕緣層319及半導 體層321分別沈積於該基板311及閘極線組合體上，並在 閘極包極313之上方定義_触刻阻播（扮也叫StQp ; ES ) 層344，％圖6(b)所示。該-㈣阻擒層344係—氮化石夕 〈膜層，其可避免閉極電極313上方之半導體層321被部 分蝕刻，進而影響電晶體通道寬度之一致性，所以目前傳 統液晶顯示器之製造有部分採用此種蝕刻阻擋或通道保護 (channel protect )之製程。 於蝕刻阻擋層344被定義後會進行第三道微影蝕刻製 程，分別沈積摻雜半導體層323’及第二導體層於半導體層 321及蝕刻阻擋層344上，利用蝕刻圖形化第二導體層以 形成由源極333，、汲極343，、資料線335,及儲存電容極342, 所構成之資料線組合體，如圖6(c)。 閘極塾3 1 7上方及開口區之閘極絕緣層3 1 9、半導體層 H.\Hu\lgcV翰于彩晶台料利咖㈣们啊八哪3祕_ -12- 1234043 321及摻雜半導體層323,將會因無第二金屬覆蓋而被接續 《蝕刻步驟移除’但因蝕刻阻擋層344之厚度高於該閘絕 緣層319及半導體層321之總厚度而在閘極電極313之區 域留下-未被蝕刻之厚度，如圖6(d)所示。 接著將-有機保護層339,沈積在透明基板與上述之結構 上、，並進行第四道微影蝕刻製程使有機保護層339,定義出 供#料線組合體與透明導電層導通的通& 361,、⑹义 365’，如圖6(e)所示。 ^最後藉由第五道微影蝕刻製程沈積一透明導電層於該保 護層^39,表面及通孔361，、363，及奶，内，並分別定義出 像素％極353’、閘極墊接觸端357,及儲存電容端377，之圖 型。 右不需要特別考慮蝕刻阻擂層3料之厚度大於閘絕緣層 9及半導隨層32丨之總厚度之關係，則本發明又提供一 種蝕刻阻擋結構之液晶顯示器的製造方法，如圖7(幻〜 所不。雖然相較於圖6⑷〜6⑷多了 一道微影蝕刻製程， 但卻更容易控制相關蝕刻步驟之結果，有助提升製程之穩 定性。 u 將第一導體層形成於基板3丨丨上，並藉由第一道微影蝕 刻製私圖型化第一導體層；其包含了閘極墊3丨7、掃描線 3 1 5及閘極電極3丨3所構成之閘極線組合體，如圖7(叻所 不 〇 接著進行第二道微影蝕刻製程將閘極絕緣層319，沈積於 该基板3 1 1及閘極線組合體上，並將閘極墊3丨7上方及開 Η麵_翰宇彩晶台料利\878_聊(A〇3〇53_)教 1234043 口區之閘絕緣層3!9，以㈣除去，如圖7(b)所示。 接著進行第三道微影敍刻製程，在基板3ΐι、閉極塾317 及間極絕緣層319’上沈積—半導體層321，並藉由蚀刻在 閘極電極313之上方形成一触刻阻播層344，如圖7⑷所 示° 於触刻阻擋層344被定義後進行第四道微影蚀刻製程， 分別沈積摻雜半導體層323,及第二導體層於半導體層321 及触刻阻擒層344 _h，利践刻目形化第二導體層為由源 極333’、汲極343，、資料線335,及儲存電容極μ)，所構成 之資料線組合體’如圖7⑷。閘極墊317上方及開口區之 半導體層321及摻雜半導體層323，將會因無第二金屬覆蓋 而被接續之蝕刻步驟移除。 如圖7(e)所不，接著將一有機保護層339,沈積在透明基 板與上述之結構上，並進行第五道微影蝕刻製程使有機保 濩層339疋義出供資料線組合體與透明導電層導通的通孔 36Γ、363丨及 365,。 最後藉由第六道微影蝕刻製程沈積一透明導電層於該保 護層339,表面及通孔361’、363，及365，内，並分別定義出 像素電極353’、閘極墊接觸端357’’及儲存電容端377，之圖 型。 另外，本發明再提供一種蝕刻阻擋結構之液晶顯示器的 製造方法。本方法之第一道微影蝕刻製程至第三道微影蝕 刻製程如同圖6(a)〜6(c)所示，故在此不再贅述。然其在 由源極333’、汲極343，、資料線335,及儲存電容極342，所 HAHuMgc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc -14- 1234043 構成之資料線組合體定義後該將開口區及閘極墊3丨7上方 之半導體層321及摻雜半導體層323,都會除去。並再以第 四道微影蝕刻製程，使開口區之閘極絕緣層319，，去除，及 在閘極墊317上方形成通孔而使得閘極墊3 17外露，如圖 8所示。然後依序進行第五道微影蝕刻製程及第六道微影 蚀刻製程，就如同目7⑷〜7(f)所揭示之步驟，故在此亦不 再贅述。最後仍形成與圖7(f)相同結構之液晶顯示器。 本發明技術内容及技術特點巳揭示如上，然而熟悉本項 技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示，而作種種不 背離本發明㈣之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 五、圖式簡要說明 圖1係美國第5,883,682號專利所揭示之主動基板之部分 線路之示意圖；
圖2(a) 2(e)係圖1沿剖面線π — η之剖面結構之製程 步驟之示意圖； 示意圖； 之剖面結構之製 圖3係本發明之主動基板之部分線路之 圖4(a)〜4(e)顯示圖3沿剖面線羾一瓜 程步驟； 圖5係本發明之右一 圖6(a)〜6(e)顯示圖 程步驟； 主動基板之邵分線路之示意圖； 5沿剖面線IV 一 ！γ之剖面結構之製 圖7(a) 7(f)係本發明另一剖面結構之製程步驟；及 H:\Hu咖购㈣灣專卿78_峰咖5施⑽c -15· 1234043 圖 8係本發明又一剖面結構之製程單一 步驟。 六、 元件符號說明 111 基板 112 像素 113 閘極 114 薄膜 電晶體 115 掃描線 117 閘極塾 119 閘極絕緣層 121 半導 體層 123 摻雜半導體層 133 源極 135 資料線 137 資料墊 139 有機保護層 143 汲極 153 像素電極 157 閘極墊接觸端 161、 163 > 165 通孔 177 資料墊接觸端 311 基板 312、 312’ 像素 313 閘極 314、 314丨 薄膜電晶體 315 掃描線 317 閘極塾 316 儲存電容 319、 319’、319’’閘極絕緣層 318 電阻層 323、 323, 摻雜半導體 321 半導體層 333 > 333 源極 325 第二導體層 339 ' 339’ 有機保護層 335 資料線 343、 343丨 汲極 342 > 342’ 儲存電容極 353 ^ 3531 像素電極 344 蝕刻阻擋層 361、 363 > 365 通孔 357、 357’、357’’閘極墊接觸 端 377 ^ 377’儲存電容端 361，、 363丨 、365，通孔 H:\Hu\lgc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 337 資料墊 H:\Hu\lgc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc
Claims (1)
1234043 拾、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示器之製造方法，包含下列步騾： 形成一第一導體層於一基板上； 圖案化居第一導體層’以形成一閘極線組合體，該閘 極線組合體係包括至少一閘極線、一閘極電極及一閘極 墊； 依序於該具有閘極線組合體之基板沈積一閘極絕緣 層、一半導體層、一摻雜半導體層及一第二導體層； 於上述之第二導體層塗佈一光阻層薄膜； 猎由一具有部分相異厚度之光阻劑圖型進行微影蝕刻 步驟，進而階梯式姓刻上述之第二導體層、該換雜半導體 層、該半導體層、該閘極絕緣層，以形成具有預定圖型與 結構之資料線組合體，該資料線組合體係包括至少一資料 線、一源極電極及一汲極電極； /成有機保護層於该基板、該閑極線組合體及該資 料線組合體之上； 圖案化該保護層，以形成複數個通孔於該資料線組合 體與該閘極墊上； /成透月導骨豆層於该保護層之上與該些通孔之中； 以及 圖案化該透明導體層，使該透明導體層連接至該資料 線組合體與該間極塾上。 2.如申請專利範圍第！項之液晶顯示器之製造方法，其中該 具有部分相異厚度之光阻劑圖型係利用半調式光罩產生。 翰宇彩晶台灣專·7_87__〇53&46).dOC 1234043 申明專利範圍第1項之液晶顯示器之製造方法，其中該 具有邵分相異厚度之光阻劑圖型係利用狹缝圖型之光箪 產生。 4’如申請專利範圍第丨項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極絕緣層係由氮化矽（SiNX)或氧化矽（Si〇y)所構 成。 5·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器之製造方法，其中該 有機保護層係由苯并環丁烯（BCB )、全氟環丁烷 (PFCB)、氟化之對二甲苯（flu〇Hnatedpara_xyle加）、 丙缔酸酿樹脂（acrylicresin)或有色樹脂（c〇1〇rresin) 所構成。 6 ’如申凊專利範圍第1項之液晶顯示器之製造方法，其中該 該閘極墊及閘極上方仍保留部分厚度之光阻層未完全曝 光。 7 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極線組合體及該資料線組合體以外區域係完全蝕刻至 基板。 8·如申請專利範圍第1項之液晶顯示器之製造方法，其另包 含使該閘極上方露出之半導體層形成一無機保護層之步 驟。 9 · 一種液晶顯示器之製造方法，包含下列步驟： 形成一第一導體層於一基板上； 圖案化該第一導體層，以形成一閘極線組合體，該閘 極線組合體係包括至少一閘極線、一閘極電極及一閘極 HAHu\丨 gc\ 瀚宇彩晶台灣專利 \87809\87809(A03053&46).doc 1234043 墊； 依序於該具有閘極線組合晋曲少I 〇< 基板沈積一閘極絕緣 層、一半導體層； 形成-触刻阻擒層於該半導體層與該閑極電極上方； 依序於該具有該触刻阻擋層及該半導體層上沈積-摻 雜半導體層及一第二導體層； 圖案化1¾第三導體層、該掺雜半導體層、該半導體層、 該閘極絕緣層，以形成-具有財圖型與結構之資料線組 合體，該資料線組合體係包括至少—資料線、—源極電極 及一汲極電極； 形成一有機保護層於該基板、該閘極線組合體及該資 料線組合體之上； 圖案化该有機保護層，以形成複數個通孔於該資料線 組合體與該閘極墊上； 形成一透明導體層於該保護層之上與該些通口之中； 以及 圖案化该透明導體層，使該透明導體層連接至該資料 線組合體與該閘極塾上。 10·如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其中上 述所k之#刻阻擋層厚度大於該半導體層及閘極絕緣層 之總厚度。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其中亦 可於该第一導體層圖案化後，更進一步以一道光罩將該閘 極塾上之該閘極絕緣層移除之步驟 H:\HiA丨gc\瀚宇彩晶台灣專利\878〇9\878〇9(a〇3〇53&4q 咖 1234043 12. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其另包 各於瀛閘極絕緣層形成後，將該閘極墊上之該閘極絕緣層 移除之步驟。 13. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其另包 含於該閘極絕緣層形成後，將該閘極線組合體及該資料線 組合體以外區域之該閘極絕緣層移除之步驟。 14·如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極絕緣層係由氮化矽或氧化矽所構成。 1 5 ·如申請專利範圍第9項乏液晶顯示器之製造方法，其中該 有機保濩層係由苯并環丁晞、全氟環丁燒、氟化之對二甲 苯、丙烯酸酯樹脂或有色樹脂所構成。 1 6.如申請專利範圍第9項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極線組合體及該資料線組合體以外區域係完全蝕刻至 該基板。 17· 種液晶顯不為之製造方法’包含下列步驟： 形成一第一導體層於一基板上； 圖案化該弟一導體層’以形成一閘極線組合體，令問 極線組合體係包括至少一閘極線、一閘極電極及一閑極 墊； 於該具有閘極線組合體之基板沈積一閘極絕緣層，並 圖案化該閘極絕緣層，使該閘極墊露出於該閘極絕緣層； 依序於該具有該蝕刻阻擋層及該半導體層上沈積—才參 雜半導體層及一第二導體層； 圖案化該第二導體層、該掺雜半導體層、該半導體層、 ΗΛΗυΜβ\漸宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 β閉極絕緣層’以形成一具有預定圖型與結構之資料線組 口紅，该資料線組合體係包括至少一資料線、一源極電極 及一汲極電極； 开y成一有機保護層於該基板、該閘極線組合體及該資 料線組合體之上； 圖案化孩有機保護層，以形成複數個通孔於該資料線 組合體與該閘極墊上； 开/成透明導體層於該保護層之上與該些通口之中； 以及 圖案化該透明導體層，使該透明導體層連接至該資料 線組合體與該間極墊上。 1 8.如申請專利範圍第丨7項之液晶顯示器之製造方法，其中於 圖案化該閘極絕緣層後，該閘極線及該閘極電極仍受到該 閘極絕緣層覆蓋。 19. 如申請專利範圍第17項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極絕緣層係由氮化矽或氧化矽所構成。 20. 如申請專利範圍第17項之液晶顯示器之製造方法，其中該 有機保護層係由苯并環丁缔、全氟環丁烷、氟化之對二甲 苯、丙缔酸酯樹脂或有色樹脂所構成。 21· —種液晶顯示器之製造方法，包含下列步驟·· 形成一第一導體層於一基板上； 圖案化該第一導體層，以形成一閘極線組合體，該閘 極線組合體係包括至少一閘極線、一閘極電極及一問極 塾； H:\Hu\lgc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc 1234043 依序於該具有閘極線組合體之基板沈積一閘極絕緣 層、一半導體層； 形成一蝕刻阻擋層於該半導體層與該閘極電極上方； 依序於該具有該蝕刻阻擋層及該半導體層上沈積一摻 雜半導體層及一第二導體層； 圖案化該第二導體層、該摻雜半導體層、該半導體層， 以形成一具有預定圖型與結構之資料線組合體，該資料線 組合體係包括至少一資料線、一源極電極及一汲極電極； 圖案化該閘極絕緣層，使該閘極墊露出於該閘極絕緣 層； 形成一有機保護層於該基板、該閘極線組合體及該資 料線組合體之上； 圖案化該有機保護層，以形成複數個通孔於該資料線 組合體與該閘極墊上； 形成一透明導體層於該保護層之上與該些通口之中； 以及 圖案化該透明導體層，使該透明導體層連接至該資料 線組合體與該閘極墊上。 22. 如申請專利範圍第21項之液晶顯示器之製造方法，其中該 於圖案化該閘極絕緣層後，該閘極線及該閘極電極仍受到 該閘極絕緣層覆蓋。 23. 如申請專利範圍第21項之液晶顯示器之製造方法，其中該 閘極絕緣層係由氮化石夕或氧化石夕所構成。 24·如申請專利範圍第21項之液晶顯示器之製造方法，其中該 H:\Hu喊翰宇彩晶台灣專稱聊\878〇9(a〇3〇53&46)_ 1234043 有機保護層係由苯并環丁烯、全氟環丁烷、氟化之對二甲 苯、丙烯酸酯樹脂或有色樹脂所構成。 H:\Hu\lgc\瀚宇彩晶台灣專利\87809\87809(A03053&46).doc
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