TWI233191B - Semiconductor device and method for preparing the same - Google Patents

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1233191 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於内藏有受光元件或是發光元件之半導體 裝置。 【先前技術】 參照圖29,說明先行之光半導體裝置1〇〇之構成（例 如參照專利文獻1)。第29圖（A)為半導體裝置1〇〇之平面 圖，第29圖（B)為半導體裝置100之剖面圖。 參照第29圖（A)及第29圖（B)，光半導體元件1〇3係 固著於由銅等導電構件所構成之島部1〇2上。在此，關於 光半導體元件 103 可採用 CCD(ChargedC()upledDevice: 電荷耦合裝置）影像感側器等受光元件，或LED(Light Emitting Diode :發光二極體）等發光元件形成於其表面之 半V體元件。在接近島部1 02處設置有多個引線1 〇丨，配 置於光半導體元件1 〇3的周圍之電極與引線i 〇丨係經由金 屬細線1 04產生電性連接。 透明樹脂105，密封光半導體元件1〇3、島部ι〇2、金 屬細線1 04以及引線1 〇 1。透明樹脂1 〇5係由光學上之透 明的熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂所構成。因此，光半導 體元件1 03 ’係經由覆蓋其上部之透明樹脂1 〇5，與外部進 行光信號之輸出入。 [專利文獻1] 曰本特開平5-102449號公報（第3頁，第1圖） 【發明内容】 5 315494 1233191 [發明所欲解決之課題] 然而，先行之光半導體裝置1〇〇所使用之透明樹脂 105,為保有其透明度而未添加填充料。因此，產生因光半 導體兀件103散發之熱度而發生之散熱性問題，以及在使 ，狀況下因溫度的變化而導致透明樹脂1〇5發生龜裂等問 題此外’透明樹脂！ 〇5❸耐濕性，機械強度以及其與導 電構件間的密接性等問題亦有待檢討。上述㈣題將i致 光半導體裝置100的可靠性的降低。 此外為防止進行樹脂密封之模塑用模具與透明樹脂 105的過度密合’而在透明樹脂1〇5中加入了膜模劑等添 物仁如此來，因添加上述添加物而使得透明樹脂工05 產生透明度不足的問題。此外，因透明樹脂105本身為樹 月曰，、玻璃等相較其透明度較差。因此，光半導體元件⑻ :'、寺將會產生由外部投射入的光線在透明樹脂1 〇 5 处減弱反射，而無法充分發揮CCD的性能的問題產生。 此外透明树脂1 〇5，不僅覆蓋在光半導體元件i 〇3 1表面’金屬細、線104㈤頂部亦覆蓋著厚厚一層㈤透明樹 月9如此來，因光半導體元件1 〇3整體的厚度增加，而 無法達成裝置小型化及薄型化之目的。 有釔於上述之問題，本發明之主要目的係在於提供一 〃有良好耐濕性與機械強度且薄型的光半導體裝置及其 製造方法。 、 [解決課題之手段] 本t月之半導體裝置，係以封裝樹脂密封具有受光部 6 315494 1233191 或2部之光半導體元件，其特徵為 :之覆蓋層係由前述封裝樹脂的表面露出μ 光部之光半導體元件；覆蓋備·具有受光部或發 ..m , 盖别述光半導體元件表面的覆蓋 盘前述来本墓舻-* +之島部’·形成經由金屬細線 前述光半導體元件、前述金屬㈣引線；及密封 線之封褒樹脂，而前述覆蓋述島部以及前述引 曰係由别述封裝樹脂露出。 光邱=主ί發明之半導體裝置係具備：具有受光部或發 H覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋 在表面形成導電路且裝載有前述光半導體元件之安裝 二板’電性，接前述光半導體元件與前述導電路之金屬細 、t 及密封前述光半導^件及前述金屬細線之封裝樹 月曰，而岫述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出。 此外’本發明之半導體裝置係具備：具有受光部或發 先部之光半導體元件；覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋 :被刀離溝为開且在上部固定有前述光半導體元件之導 電圖案；及使前述導電圖案的背面露出，覆蓋前述光半導 體元件與前述導電圖案且充填於前述分離溝之封裝樹脂， 而前述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出。 此外，本發明之半導體裝置係具備：具有受光部或發 =部之光半I體元件；言史置在前述光半導體元件的下方且 經由金屬細線與前述光半導體元件連接之外部電極；由透 明材料所形成之覆蓋層設置在上部且内部收藏有前述光半 315494 7 1233191 導體2件及前述金屬細線之筐體；及充填在前述M體的内 部與則述光半導體元件間的間隙中之透明樹脂。 本毛明之半導體裝置的製造方法，係具備有以封裝樹 月曰搶封具有受光部或發光部的光半導體元件之步驟，其特 徵為：以薄膜保護覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋層的 上面後，進仃前述封裝樹脂的封合，使前述覆蓋層由前述 封裝樹脂露出。 不發明之半導體裝置 丨^肌仏五〜取疋々広，货、丹爾：办 ‘電構件所構成之基板，並在前述基板上設置島部病 引線之步驟；將前述基板下面貼附於第1薄膜之步驟；^ 覆盍1覆蓋光半導體元件表面之步驟；將前述光半導體天 前述基板的前述島部之步驟，及用第2薄膜保讀 盍：上面之步驟，及以封裝樹脂密封前述基板的爾 ,L °卩4述引線以及前述光半導體元件之步驟。 形成=’本發明之半導體裝置的製造方法，係具備：名 電箱的導電圖案處以外的區域形成分離溝，藉此开 成V電圖案之步驟；利用覆蓋層將光半導體元件羞

之步驟’將前述光半導體元件固著在前述導電 驟；利用薄膜來保1 A、+、菊— 一上之V 月面之步驟；形成封裝植 :二覆盍爾半導體元件，並充填前 及電性分離前述各導電圖案之步驟。 ％驟’ 備上:::卜纟發明之半導體裝置的製造方法，係具備：譯 ^配置有由透明材料所形成之覆蓋層 在光半導體元件的背面形成外部電極，以金屬二二 315494 8 1233191 一4 件與别述外部電極之步驟；以透明樹浐 密封前述光半導體元件及前 月树月曰 外形形成與前述框體内部契合之形狀的步驟二 則逑透明樹脂嵌合於前述值體内部之步驟。 =卜’本發明之半導財u具備有： ;:L:光:導體元件;覆蓋前述光半導體元件表面: 前述半導體元件電連接之半導體元件;與 之外部電極，·及爽封前Lr 行電性訊號之輪出入 之封裝樹r，而义、、ί半導體元件及前述半導體元件 :κ曰月述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出。 密封=丰2明之半導體裝置，係具有：半導體元件； 連接，且構成由前述密 ：广體兀件電性 而前述半導體元件係呈備^:外部電極之導電構件， 體基板表面之電“:、！置：導體基板；設置在前述半導 陷部；及與前述雷技二則述半導體基板周邊部之凹 屬配線。 。接’在前述凹陷部構成電極之金 晶圓本發明之半導體裝置的製造方法，係、具備：在 各電一周邊部以設置凹陷;:步：由=之前述 :之传以在前述凹陷部構成接配線， 的步驟；在前述凹陷部處，^ 路^電性連接之電極 半導體元件之步驟；電性連述晶圓，而形成各 及在封耵述半導體元件之步驟。 之 315494 9 J233191 【實施方式】 (第1實施型態） 參照第1圖至第7 m Μ 丄 弟圖況明本實施型態之半導體裝置 1 〇 A的構成以及製造 ^ T F 法百先，參照第1圖至第3圖， 說明光半導體裝置〗〇 A的馗# ♦ 的構成。弟1圖（A)係為光半導體 f置心的斜視圖，第1圖(B)則為其背面圖。第2圖⑷、 )、及第,.·3圖（A)、⑻為第1圖⑷之Χ-Χ線之剖面圖。 光半導體裝置10Α，# 一插丄 係種错由封裝樹脂1 3將具有受 光部或發光部之光半導妒开杜 & 等體το件14岔封的光半導體裝置 10A，形成覆蓋光半導體^ ^ ^ ^ 衣面之覆盍層12由封裝 樹脂1 3之表面露出之構诰。蠛 <稱w评述之，即本實施型態之光半 V體裝置1 0 A係具備··具有受光Λ 另又九邛或發光部之光半導體元 件14 ;覆蓋光半導體元件 …· 衣囬之覆盍層12;固定有光 半導體元件14之島部16;經由仝厪 、、工田至屬細線丨5與光半導體元 件14電性連接形成外部電極之引線11;以及密封光半導 體=件M、金屬細線15、島部16、引線^之封裝樹脂13, 覆蓋層12形成由封裝樹脂1 3露出之堪 路出之構造。以下說明前述 之構成。 參照第1圖（A)，覆蓋層12,形成由封裝樹脂13的表 面露出之構造。在此，光半導體元件14配置於光半導體裝 置1〇A的中央部份附近，覆蓋其表面的覆蓋層12由封裝 樹脂13露出。覆蓋層12的材料，係蚀 刊了寸係使用一種對於輸入於 光半導體元件14之光源或由光半導體元件14輸出之光源 而言為透明之材質。例如：光半導體元件14為一種可感測 315494 10 1233191 °、光線之s件時，對於可視光線可採用具有透明性之材 料做為覆蓋層12。具體而言，可以採用玻璃或丙嫦廢克力 板等做為覆蓋層12。此外，光半導體元件14為CCD影像 感測器等攝影元件時，則附加有濾光片等。 立參照第1圖（B)，在光半導體裝置10A的背面的周邊 :’部分露出之引線η形成外部電極。亦即，覆蓋層12 在各出於光半導體裝詈, 夺表置1〇Α的表面，由引線11所構成之外 部電極由背面露出。 參照第2圖⑷光半導體元件14固定於島部16上。光 半導體元件14與引線η，係經由金屬細線15形成電性連 接。在此，光半導體元件14，可採用受光元件或發光元件。 而做為受光元件，可採用CCD(chargedcoupledDevice) 影像感測器或 CM〇S(Complementary Metal 〇xide Semi_ 如叫影像感測器等固體攝影元件，或光€:_或光電 晶體等光感測器做為光半導體元件14。此外發光元件，可 採用發光二極體或半導體雷射以做為光半導體元件Μ。此 外’取代光半導體元件14亦可使用MEMS(MicroEIectr。 Mechanical System :微機電系統）。 凹口" 4 A ’為使光半導體元件j 4的周邊部產生同樣 凹陷之區域’其表面形成有由鑛覆膜所構成之金屬配線 14B。凹陷部14A的表面，形成有由金屬配線ΐ4β所構成 之知塾’ δ亥知墊係連接金屬、細線】5。接著說明設置凹陷部 14Α之優點。在本發明中，覆蓋光半導體it件U之覆蓋層 12由封t樹脂U的表面露出。因此，由光半導體元件^ 315494 11

V 1233191 的上面至封裝樹脂13表面的距― ⑷)相同。由該觀點來考量，全屬”二、復盍層12的厚度 高於m 至屬細線15的隆起高度⑷）， 门於设盍層12的厚度（dl)時，如 ’ 待克服之問顳^ .尸 7崔保d2的高度乃一有 屬细線， 係藉由設置前述凹陷部"A，使全 I、田線15導線接合於該凹陷部i4A，以解 、， 亦即’使覆蓋層12的厚度（dl)與凹陷部i4A的」n 屬細線…形成區域=卜=’广可確保金 定得較金屬細線15的隆起高度(d2)厚二=dl丨： 凹陷部14八之構成。 」使，、為名略 時，蓋層12的側面可為具有傾斜度之構造。此 間的密合度。卩W升覆盖層〗2與封震樹脂u之 島部16的材料選擇必需顧慮到焊材 :=等條件’島部的材料可一為主材料:： ，、、主材枓之金屬或Fe-Ni等合金所構成。在此， 島^6,係配置於光半導體裝置心的中央部，光半導體 兀件14 _由接合劑固定於其表面。此外’以封裝樹脂 "覆蓋島部16的背面’藉此即可提升裝置的耐濕性二 外’亦可由封裝樹脂13露出島部16的背面。藉此，即可 提升光半導體元件14所發出之熱的高熱性。 配置複數個引U以環繞島部16，各個引線由島部 的近旁延伸於光半導體裝置】〇八的周邊部。近接島部 16側之引線11的端部，係經由金屬細線15與光半導體元 315494 12 1233191 件14電）·生連接。此外，引線j j另—他端附近的背面，由 封裝樹脂13露出，形成外部電極。在此，引線n，係形 成飾翼（gull wing)狀。 封裝樹脂13,使覆蓋層12的表面露出，密封島部16、 引線11金屬細線1 5、光半導體元件丨4以及覆蓋層丨2。 此外，為提升機械強度與耐濕性，封裝樹脂13為混入無機 填充物成為具有遮光性之材質。無機填充物可採用例如： 鋁化合物、鈣化合物、鉀化合物、鎂化合物以及矽化合物。 此外，使用於封裝樹脂丨3之樹脂，可全盤性採用熱可塑性 才十月曰或熱硬化性樹脂的兩方。可適用於本發明之熱可塑性 树月曰可例舉· ABC樹脂、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、丙 烯、聚對笨二甲酸乙二醇酯、聚苯醚、尼龍、聚醯胺、聚 ^酸酯、聚甲醛、聚對苯二甲酸丁二醇酯，聚苯醚硫化物， w趑乙醚酮，液晶聚合物、氟樹脂、尿烷樹脂以及橡膠。 此外，可適用於本發明之熱硬化性樹脂可例舉：尿素、酚、 聚氰胺D夫喃、醇酸、不飽和聚S旨、鄰苯二甲酸、環氧、 石夕樹脂以及聚氨酯。 參照第2圖（B)說明其他型態之半導體裝置l〇A的構 成二同胃圖所示之光半導體裝置l〇A的基本構成係與前述之 光半V體裝置相同，兩者間的差異僅在於是否具有半導體 元件17。以下詳細說明其差異點。 丑 半導體70件1 7，係固定於島部1 6上，此外在該半導 ••元件1 7的上部配設有光半導體元件1 4。此外，半導體 凡件1 7與引線丨丨，係經由金屬細線丨5產生電性連接。因 315494 13 1233191 此’半導體元件17與光半導體元件14，係經由金屬細線 15以及引線"而得以產生電性連接。有關半導體元件”， 可採用進行光半導體元件14的控制或對半導體元件”所 輸出之電性訊號進行處理之元件。 …光半導體元件14丨CCD影像感測器4 CMOS影像感 測器時，可在半導體元件17中形成用以㈣⑽之驅動 電路、A/D變換器、訊號處理電路等。此外，亦可在半導 體兀件1 7中形成具有影像壓縮功能或色素修正功能之電 路。另外’光半導體元件14為發光二極體等發光元件時， 可在光導體7G件1 7形成控制該發光元件之電路。藉由將前 f之半導體元件17 ’以及光半導體元件U内建於半導體 裝置1GA内，如此即可提升光半導體裝置心的附加價 值。 、第2圖（C} ’在此，金屬細線i 5連接的位置的引 :"11、破埋置於封裝樹脂13巾，引線11由封裝樹脂13的 1被‘出。參照第3圖，說明其他型態之光半導體裝置 Π!構成。同圖所示之光半導體裳請的基本構成， 與參照第工圖所說明之裝置相同，兩者間的差異僅在於 :11係形成平坦狀。第3圖⑷中，僅光半導體元件Μ 一一；光半導體裝置10A内，但在第3圖（B)中，光半導 體元：14之外另外内建有半導體元件14。 一 $第3圖（C) ’在此係藉由金屬細線1 5使光半導體 n I ^與墊片HA連接，使焊墊11A的背面由封裝樹脂 、背面露出藉此形成外部電極。 315494 14 1233191 接著參照第4圖至第7圖，說明本實施型態之光半導 體裝置10A的製造方法。光半導體裝置1〇A，係一種具備 以封裝樹脂13將具有受光部或發光部之光半導體元件μ 密封步驟之光半導體裝置的製造方法，以薄膜保護覆蓋前 述光半導體元件表面之覆蓋層的上面後，藉由進行前述封 裝樹脂的密封，使前述覆蓋層由前述封裝樹脂露出之製造 方法。進-步詳述之，料導體裝i 1〇“製造方法係具 備：加工由導電構材所形成之基板4卜並在該基板上配置 島部以及引線η之步驟;將基板41的整體下面貼附於 第1薄膜S1A之步驟；將表面具有覆蓋層12之光半導體 元件14固定於基板41的島部16之步驟；利用第2薄膜 51Β保護覆蓋層12的上面之步驟；利用封裝樹脂將基板 〇的島部丨6、引線U以及光半導體元件14密封之步驟。 以下參照圖面詳細說明前述之步驟。 7 參照第4圖’首先’加工由導電構件所形成之基板41， 並在基板41上配置島部16以及引㈣。基板41例如係 由厚度約1〇〇至250…以銅為主體之板狀材 ^可採用以為主體之金屬’或其他的金屬材料。此 ^基板41上，對應-點鏈線所示之i個光半導體 2裝置之搭載部42’係、以矩陣狀之方式形成複數個。該 圖中，配置有4個搭載部，*至少只要配置！個搭載部即 :。該搭載部42係被延伸於紙面的左右方向之-對的第】 ^接條43,以及延伸於紙面的上下方向之—對的第2 條44所環繞。此外，藉由前述之第丨以及第2連姓條μ 315494 15 1233191 44，可在1片基板4〗上配置複數個搭载部々a。 第5圖（A)為第4圖所示之搭载部42的放大圖。如该 圖所示，搭載部42主要係具有：島部16、支揮島部16: 懸引線16A、以及複數的引線u。在此，引線n，其一端 係位：島部16的4側邊附近，並環繞該4側邊，而另一端 則朝著第1以及第2連接條體延伸。 接著，參照第5圖⑻，將基板41的整體下面貼附於 弟i薄膜51A。第i薄膜51A係採用對於機械力以及孰度 具有較低的伸縮性之材質。例如：在本實施型態中係採用 PET(P〇lyethylene tereph thalate ;聚對苯二甲酸乙二醇 酯），但只要可以滿足前述之薄膜的上面，可以採用其 材料。 、 接著，參照第6圖，將表面具有覆蓋層12之光半導體 元件14固定於基板41的島部…第"⑷為本步驟之^ 搭載部42的平面圖，第6圖（B)為其剖面圖。 表面配設有覆蓋層12之光半導體元件14,係經由接 合劑固定：島部16的上部。此外，光半導體元件“與弓丨 線11，係藉由金屬細線丨5產生電性連接。在光半導俨元 件丨4的周邊部’配置有凹陷部14A，在該凹陷部Μ:: 成連接金屬細線1 5之焊塾。 接著’參照第7圖，以第2薄膜51B保護覆蓋層η 的上面後，再以封裝樹脂13密封基板41的島部Η、引線 U以及光半導體元件14。第7圖⑷為說明本步驟之剖面 圖，第7圖(B)說明其他形態之本步驟之剖面圖。 315494 16 1233191 茶照第7圖（A)，在太牛驟由 y <Λ 本乂驟中，係採用以上模50Α以 下Μ 5 0Β所構成之模塑用 方φ π ρ J用杈具進行樹脂密封。關於密封 方法，可採用使用熱硬化樹 十你m 1 Η曰〈轉主塑形（transfer mold)， 或使用熱可塑性樹脂之射 ^ ^ ^ 耵出成形法專。貼附於基板41下面 之弟1薄膜51A，係抵接於下楛 μ m ς. A 、下杈52B。此外，為維持第1 溥膜5 1A的平坦性，亦可葬 耍π 』猎由配置於下模50Β之吸附裝 置’固定第1薄膜51Α。 、第薄膜51Β具有保護功能，使覆蓋層12的上面得 以不被封裝樹脂1 3所覆蓋 吓復盍在此，上模5 0Α的内壁，幾 乎被第2薄膜51Β的上 ^ 面所覆盍。此外，覆蓋層12的上 面糸抵接第2薄膜51Β的下面。在該狀態下，冑由從配置 於模具之堯口，將封裝樹脂13封入即可進行密封之步 驟。結束密封步驟後，即剝離第1薄膜51Α以及第2薄膜 51Β。 有關第2薄膜5 1Β的材料，其可採用與前述之第工薄 膜相同之材料，曰口 I基-Γ、，、# - /、要疋可以滿足耐熱性等條件之材料亦 可採用其他的材料。此外，當將接合劑塗抹於抵接覆蓋層 ^之第2薄膜51B的面上時’即可提升第2薄膜別與 覆盍層12之間的接合性，同時防止封裝樹脂η侵入兩者 的界面。此外，為提升上模5GA的内壁與第2薄膜別之 間的接口性’可在上模5〇A配設吸附裝置，藉由該吸附裝 置’即可保持第2薄膜51B。 參妝第7圖(B) ’說明其他型態之密封方法。在此，僅 在對應覆蓋層12上面的位置，配設第2薄膜51B。如此， 315494 17 1233191 在結束樹脂密封步驟後， 第2薄膜51 胃㈣弟2薄膜別日夺，在配置 —丨B的位置上即形成凹狀。 在前述的說明中，係利 搭載部42進行樹脂密封，^⑽1⑺對母一個 载部42進行樹脂密封 J利用、1個空腔對複數個搭 C分割為個別的單位。一❹牛精“割等步驟將搭載部 area Package) 0 以之步驟-般稱之為MAP(multi 驟、述之步驟後’經過使樹脂硬化之塑模修復步 離各搭載部42之切… 線U之鑛覆步驟、分 牿 。乂驟、以及判斷是否具有良好的電性 乂驟後’即可製造光半導體裝置10A。 一第1圖，本發明之特徵在於：覆蓋光半導體元件 二面之覆蓋層12係從封裝樹脂13露出。換言之，經由 覆盖層1 2先丰導赠+ / t 牛14由封裝樹脂j 3露出。因此，相 較t以透明樹脂將全體密封之先前例，可形成較薄的封裝 樹月曰13 @使裝置整體的厚度變薄。此外，由於光半導體 元件U係經由覆蓋層12露出於外部，因此當光半導體元 件14為受光元件時，其可抑制由外部輸入之光訊號減弱並 進行受光。此外，光半導體元件14為發光元件時，則 制發光之光訊號的減弱。 此外’本發明之特徵在於：使用混有填充物之封裝樹 脂構成光半導體裝f 1〇。藉此，即可構成具有良好機械強 度與对濕性之光半導體裝置。 (第2實施型態） 315494 18 1233191 參妝第8圖至第10圖，說明本實施型態之光半導體妒 置·的構成及其製造方法。首先，參照第8圖與第9圖： 說明本貫施型態之光半導體裝置10B的構成。 弟8圖（A)為光半導體農f⑽的斜視圖第8圖⑻ 為其背面圖。由該圖中可以清楚地得知，光半導體裝置刚 的基本構成，係與第1實施型態中所說明之光半導體裝置 i〇A相同，兩者相異點在於覆蓋層12露出於光半導體裝置 刚的背面。具體而言，覆蓋層12係由露出引線u而構 成外部電極之面的封裝樹脂13露出。 —參照第9圖說明有關光半導體裝置1〇B的剖面構造。 弟9圖（A)以及第9圖（B)係第8圖⑷之χ_χ線之剖面圖。 參照第9圖⑷，光半導體元件14係固定於島部Μ 的下面。光半導體元件14與引線η係藉由金屬細線15 而連接’在此，金屬細線15的—端係連接於引線u的下 面此外，金屬細線1 5的另外一端則連接配設於半導體元 件14周圍之凹陷部wa的金屬配線14B。 參照第9圖（B) ’在此，光半導體元件14之外半導體 元件14亦内建於光半導體裝置1〇B中。此外形成於半導 體元件17之電路的種類與内建半導體元件丨了之效果係 與第1實施型態相同。 10B的安裝構 固定於基板 引線11的露 件1 4與外部 參照苐9圖（C)說明前述之光半導體袭置 造。光半導體裝置10B，係經由銲錫等焊材， 52上。具體而言，配置於基板52之導電路與 出部係藉由焊材連接。此外，為使光半導體元 315494 19 1233191 導體元 的光線得以輸出與輸入，基板5 2上係配置對應光半 件1 4的位置以及大小之開口部5 3。 參照第10圖，說明前述光半導體裝置1〇B之製造方 法。對於與第1實施型態中所說明之光半導體裝置1 〇 A的 製造方法重複之步驟，在此省略其說明。且體 a ^ J s ’有關 在V電性基板41形成島部16以及引線u之步驟、將第工 薄膜貼附於基板4 1之步驟、光半導體元件丨4的固定r 金屬細線15的引線接合等步驟，基本上係與第丨實^^^ 相同。此外，在此，在進行光半導體元件14的固定二及 線接合後，即進行薄膜51的貼附。此外，在第i實施型態 中，係使用第1薄膜51A以及第2薄膜51B的2片薄膜^ 行塑模密封步驟，但在此係使用i片薄膜5卜進 封步驟。 τ i耦抢 山W外邵部分 引線的下面貼附於薄膜51。此外，薄膜51係 所支撐。另外，覆蓋半導體元

^ ^ c 層12，亦貼F 良:專膜”。因此，在本步驟中’貼附形成有弓丨線"以7 “ 16之基板41㈣膜51，亦貼附有覆蓋層12。在兮:

封裝樹脂的封入。如此’即可實現使用丨片;.I t塑杈密封之步驟。 在結束前述步驟後，細讲你冉匕 驟、4,丨m 、、工過使树月曰硬化之塑模修復步 驟利用鍍覆膜覆蓋露出於外邱之弓丨綠]7 離夂拨# ㈣外』之引線11之鍍覆步驟、; 。。卩42之切割步驟、以及進行判斷是否且有ρ # ό 電性特性才，、目，丨中半睞4 疋古具有良好白 之叙ν驟後’即可製造光半導體袭置刚。 315494 20 1233191 (第3實施型態） 參照第η圖及第12圖，說明本實施型態 裝置u)C的構成及其製造方法。首先，參照第u體 明本實施型態之光半導體裝置1〇c的構成。 ° 參照第11圖’光半導體襄置i〇c係具備：具有受光 部或發光部之光半導體元件14;覆蓋光半導體元件“的 表面之覆蓋層⑵表面形成導電路2G，且搭載有光半導體 …4之安裝基板18;電性連接光半導體元件"與導電 路20之金屬細線15;密封光半導體元件14以及金屬細線 1 5之封裝樹脂1 3，該光半導體p f # 干命骽裝置係形成覆蓋層12由封 裝樹脂1 3露出之構成。 如上所述，本實施型態之光半導體裝置U)C的基本構 成’係與第丨以及第2實施形所說明之裝置為相同之構成， 兩者的差異點在於’在本實施型態中係將安裝基板Η作為 基板（内插板· interpaser)來使用。 參照第11圖（A)，光半導體元件14，經由接合劑，固 定於安裝基板18的上面。在安裝基板18的表面，配設有 構成焊墊等之導電路2〇,貫通安裝基板18外部電極^由 下面露出。此外，經由絕緣構件可配設疊層複數層之配線。 參照第11圖（B)，在此，除光半導體元件14之外，半 導體元件17亦内建於光半導體裝置1〇c内。 接著，參照第12圖，說明光半導體裝置1〇c的製造 方法。芩照第1 2圖（A)，安裝基板丨8上固定有光半導體元 件14,經由金屬細線15使導電路2〇與光半導體元件14 315494 21 1233191 連接之後，固定有光半導體元件14之安裳基板18,安 I於下核50B。薄膜51的上面，係抵接上模篇内壁的 幾：全體區域，而薄膜51B的下面則抵接覆蓋I Η。在該 狀態下’即可進行封梦福+ 疋订釕展树月日13的封入。下模5〇B，因全 抵接安裝基板18，故在本實施型態中使用i片薄膜即可進 行塑模密封步驟。 ^照第12_)，在此，係使用與覆蓋層^為相同大 ^之涛膜5 1保護覆蓋層12。進行封裝樹脂13的封入後， 薄膜5 1即被剝離。所靈ψ 諸^㈣匕層的上面，係形成較 :於封裝树脂13所構成之上面，僅薄膜51厚度往内側形 成凹陷的形狀。 在結束前述步驟後，經過使樹脂硬化之塑模修復步 驟:進订判斷是否具有良好的電性特性之測定步驟後，即 了製造光半導體裝置l〇C。 (第4實施型態） 士參妝第1 3圖至第1 6圖，說明本實施型態之光半導體 t置1 0 D的構成及盆制、生七、l 、， 再风及，、衣拉方法。百先，參照第13圖，說 明本實施型態之光半導體裝置10D的構成。 參照第13圖⑷，光半導體裝置_係具備：且有受 光部或發光部之光半導體元件14;覆蓋光半導體元件14 的表面之覆蓋層12 ;以分離溝24分隔’且光半導體元件 口疋於上。p之導電圖案21;可使導電圖案^的背面露 ’覆蓋光半導體元件14以及導電圖案且充填於分離溝 4之封裝樹脂u，該光半導體裝置形成覆蓋層12由封裝 315494 22 1233191 才对脂13露出之構成。以下說明前述之構成要素。 導電圖案21係由：第1導電圖案21A以及第2導電 圖案21B所構成。第1導電圖案21A形成島形，其上部安 裝有光半導體元件14。第2導電圖案21B，係配置於與第 1 電圖案2 1A接近的位置，其具有焊墊的功能。此外， 在第2導電圖案21B的背面，配設有由銲錫等焊材所構成 之外部電極2 3。 第1導電圖案21A以及第2導電圖案21B的側面，係 I成4曲於内側之形狀。如此一來，導電圖案21之彎曲的 側面邛即可與封裝樹脂1 3崁合，使兩者間的結合力變得更 為強固。 一有關封裝樹脂13，可採用與第i實施型態所述之樹脂 =同之樹脂。在此，由於導電圖案21係形成埋置於封裝樹 脂13之構造。因此，光半導體裝置1GD,其整體係藉由封 裝樹脂1 3之剛性所支撐。 有關光半導體元彳14、覆蓋層12、金屬細線等其他的 構成要素、因與前述第β施型態所說明之内容相同，故 省略其說明。 首參照第13圖（B)，在此，除光半導體元件14之外，半 钕體兀：17亦内建於光半導體裝置⑽内。 接著，參照第14圖至第】6 _

^ ^ _ 弟16圖，况明光半導體裝置10E 勺製k方法。光半導體裝置1〇D的製一 在形成導電箔4〇的導電 、 彳，、 错 n 0A Μ圖案21的位置以外的區域形成分 離溝24，而形成導電圖荦21之牛聰 口茶21之步驟；將表面具有覆蓋層 315494 23 1233191 12之光半導體元件14固定於導電圖案21上之固定步驟； 以薄膜保護覆蓋層12的上面之步驟，形成封裝樹脂1 3使 之得以覆蓋光半導體元件14並填充分離溝24之步驟；電 性分離各導電圖案21之步驟所構成。以下說明前述之步 參照第14圖（A)，準備以銅或鋁為主成分之導電猪 4〇，藉由配設分離溝24，形成導電圖案21。具體而言，係 藉由餘刻用的抗蝕膜R覆蓋形成有導電箔4〇的導電圖案 2 1的位置的表面，再利用濕钱刻形成分離溝2 4。由於以触 刻形成之分離溝24的側面呈彎曲狀且為粗糙之表面，故得 以與封裝樹脂13緊密地貼合。在形成分離溝24後，即可 剝離去除抗蝕膜R。此外，在導電圖案21的表面形成鍍覆 膜。 參照第14圖（B)，將光半導體元件14安裝於導電圖案 21上、。，此，係將光半導體元件14固定於第i導電圖案 21A’並糟由金屬、細線15電性連接光半導體元件Μ 2 導電圖案21B。 #者，4照第15圖，係以第2薄膜保護覆蓋層的上面 並形成封裝樹脂#夕4曰 # 伋盍光半導體元件14並填充, 離溝24。以下說明本步驟。 電15圖（A)，將光半導體元件14固定於表面之導 逼泊40載置於下伊^ 薄膜5ΐ66μ 、果0Β。上模5〇八的内壁幾乎完全抵接 面 、面，而薄膜51的下面則抵接覆蓋層12的上 面。在該狀態下，开彡ώ# 扪上 〜成封裝樹脂使之得以覆蓋光半導體元 315494 24 1233191 件14以及金屬細線15並填充分離溝μ 12大約相同大小的 ，亦可保護覆蓋層 在第15圖（Β)中，係使用與覆蓋層 薄膜51，保護覆蓋層12。藉由該方= 1 2的上面。 6兒明電性分離各導電圖案2 1之 接著，參照第16圖 步驟。 參照第16圖⑷，藉由從背面將導電落4〇完全地去 :，以電性分離各導電圖案21。具體而言藉由全面餘刻 V電箱40的背面，即可電性分離各導電圖案21。如此即 可形成填充於分離溝24之封裝樹脂13由導電圖案21露出 之構造。在該圖中，藉由從背面到㈣—點鏈線所示的位 置之導電箔4 0，即可進行本步驟。 第16圖（Β)係顯示藉由本步驟使各導電圖案2ι呈電性 分離之狀態。 參照第16圖（C)，以覆蓋樹脂22覆蓋露出於背面之導 電圖案21。接著，在覆蓋樹脂22@所要位置配設開口部， 形成外部電極23。最後，藉由分割封裝樹脂23，將形成矩 陣狀之各電路裝置，分割為個別的光半導體裝置ι〇β。 本步驟之優點在於：直到覆蓋封裝樹脂13為止，形成 導電圖案21之導電箔40係可做為支撐基板。在本發明中， 做為支撐基板之導電箔40，係電極材料之必要材料。故本 發明具有可在極力節省構成材料之前提下進行作業之優 點，並實現降低成本之目的。 (第5實施型態） 315494 25 1233191 參”、、第1 7圖至第2〇圖，說明本實施型態之光半導體 裝置1 0E的構成及其製造方法。首先，參照第工7圖與第 18圖，說明本實施型態之光半導體裝置的構成。 第17圖（A)為光半導體裝置10E的斜視圖，第17圖（B) 以及第17圖（C)為其剖面圖。參照該圖光半導體裝置⑽ 之構成係具備··具有受光部或發光部之光半導體元件14 ; 配《又於光半V體兀件的下方，且經由金屬細線i 5與前述光 半導體元件連接之外部電極；由透明材料所構成之覆蓋層 1 2配.又於上^，且内部收藏有光半導體元件μ以及金屬 細線15之筐體；填充於前述Μ體内部與前述光半導體元件 之間的縫隙之透明樹脂。以下詳細說明各要素。 參照第17圖（Α)以及第Η圖（Β)，筐體25形成光半導

體裝置10Ε的外形，方盆I — 在八1 4，配置有由透明材料所構成 之覆蓋層1 2。筐體25的内部形成空洞部，該空洞部的大 ，必須大於收藏於其内部之光半導體元件14的大小。有關 匡體25的材料，可採用與前述封裝樹脂Η相同之樹脂材 料亦P，可將遽光性樹脂；做為望體^的材料來使用。 此外’亦可採用陶瓷或金屬等材料做為筐體25的材料。 _光半導體元件14’可採用與第1實施型態中所說明之 兀件為相同之疋件。光半導體元件"與引線u係經由金 屬細線15來連接，在此’半導體元件17的周邊部亦配設 有凹陷部14A，金屬細線15引線接合於該凹陷部14A。如 P可使透明樹脂26的厚度變薄，而得以實現光半導體 裝置10E全體薄型化之目的。 315494 26 1233191 引線1 1，形成於束道触―

、 牛¥體疋件17的下方，其表而來A 連接金屬細線1 5之焊塾，而里北 y 電極。此外，除了二:二的一部分露出形成外部 盍樹脂22來覆蓋。 力J用後 透明樹脂26’填充筐體25的空洞部， 體元件u與金屬細線15。有關透明樹脂 丰二 蓋層12具有同等以上的透明度之樹脂。 、覆 參照第1 7圖（〇，在此，半導體 導體元件14的下方。半導7件17係載置於光半 门 “體兀件17’可採用與前述第1 貝施型恶相同之半導體元件。 參照苐1 8圖，謂明盆从舟！於^ » 口也明其他型悲之光半導體裝置ι〇ε 構成。參照第1 8圖（^丨，# FI - + 坡‘ 、 Q( ) 5亥圖所不之光半導體裝置10E的 基本構成，係與第1 7圖所示之播Λ知 ΰ所不之構成相同，兩者的差異點僅 在於具有安裝基板18的點上且靜 认主 上具體而吕，在安裝基板18 面形成導電路2G’貫通安裝基板18配設與導電路2〇 接之外部電極19。在此，外部電極19係由銀或銅 專金屬所構成。此外，參照第18圖⑻，除了光半導體元 件1〇E之外，亦可將半導體元件17内建 10E内。 f版衣罝 接著，參照第19圖以及第20圖，說明光半導體裝置 we的製造方法。光半導體裝置l〇E的製造方法係由：準 備由透明材料所構成之覆蓋層12配設於上部之㈣25之 t驟’在光半導體元件14的背面形成外部電極經由金屬細 H5電性連接光半導體元件14與外部電極之步驟；利用 315494 27 1233191 透明樹脂26密封光半導俨分技 估、$ 牛蛤體兀件14以及金屬細線15,葬此 使透明樹脂26的外开彡來忐命斤碰 猎此 ^Α形成與筐體25内部契人 驟；蔣读日日执此， η σ丨夭口之形狀的步 字透月树月曰26嵌合於筐體25 明前述各步驟。 Ρ之步驟，以下說 首先’參照第19圖，準借卜邱 之覆甚声12η #彳配权有以透明材料構成 *狀二 。筐體25為内部具有空洞部27之 皿狀體，用以使内逵夕止企 — 的覆 之先丰V體兀件Μ進行光訊號之收受 曰12係配置於上部。相一 洞部相私於先丰導體兀件14，空 件Μ以=空間，以確保内建於其中之光半導體元 4以及其連接區域。 設弓丨=20圖⑷’在光半導體元件14的下方配 元件14 “糟由金屬細線15使引線"的表面與光半導體 電性連接。因金屬細線15引線接合於光半導 頂：的凹陷部14Α，故得以極力降低金屬細線15最 元1妾著苓舨第20圖（Β)，以透明樹脂26密封光半導體 a > 4以及金屬細線1 5，藉此使透明樹脂26的外形形成 内部契合之形狀。在本步驟中，可藉由使用熱硬 進疒树月曰之轉注塑形或使用熱可塑性樹脂之射出成形法來 丁此外’如上所述，藉由配設凹陷部丨4 a，即可極力 氏王屬、細、線1 5的最頂部的位置。如此，即可使覆蓋光半 導體元件. 卞1 4表面之透明樹脂26變薄。 妾著參照第20圖（C)，利用接合劑使透明樹脂26嵌 合於筐轉〇 < 、 的内部。藉此，即可將光半導體元件1 4收藏 28 315494 1233191 於匡體25的内部。此外’將透明樹脂26嵌合於筐體25 内部時所使用的接合劑係使用具有透明性之接合劑。 壯最後，參照第2〇B(D)，以覆蓋樹脂22覆蓋光半導體 衣置10E的背面。使用遮光性樹脂做為覆蓋樹脂22，藉此 即可防止雜訊由背面侵入光半導體裝置i〇e内。 (第6實施型態）

圖’說明有關在前述各實施型態 10之光半導體元件14的構成以 明本實施型態之半導體裝置1 〇E 參照第21圖至第25 中，内建於光半導體裝置 及其製造方法。首先，說 的構成以及製造方法。 —百先’參照第2 1圖(A)，說明本實施型態之光半導體 元件14的構成。光半導體元件14，其表面具有受光元件 或發光元件’其周邊部則配設有使其一樣凹陷之凹陷部 14A。此外，在元件的表面配設有覆蓋層12。 有關形成於光半導體元件14表面之受光元件，可採用 CCD(Charged Coupled Device)影像感測器或 cm〇s (C〇mplementary Metal 0xide Semic〇nduct〇r)影像感測器等 固體攝像元件’或將光電二極體、光電晶體等光感測器做 為光半導體元件14來使用。此外，有關發光元件，可採用 發光二極體或半導體雷射做為光半導體元件14。，此外， 取代光半導體元件I4亦可使用MEMS(Micr〇 Eiectr〇 Mechanical System) ° 有關覆蓋層 1 2的材料，可使用相對於輸入於光半導體 之光線為透明的 元件14之光線或由光半導體元件14輸出 315494 29 1233191 材料。例如··光半導體 時，可採用對該可視光複為且感測可視光線之元件 12。且體而丄有透明性之材料做為覆蓋層 出可使用玻璃或丙烯板做為覆蓋層！2。此外， 光半導體元件1 4為C Γ D旦彡/ 多π 馮CCD衫像感測器等攝像元 加濾光片。 J附 凹陷部1 4 A，為使光丰導， ~從70千冷體兀件14的周邊部產生一揭 凹陷之區域，在盆矣面你士 隹，、表面形成由鍍覆膜所構成之金屬配線 14Β。该凹陷部14Α的表面，形成由金屬配線l斤構成 之焊墊，金屬細線細連接於該焊墊。藉由配設凹陷部“A， 即可使引線接合於該凹陷部之金屬細線15的最頂部的高 度’低於光半導體元件i 4。此外，凹陷部i 4 Α的側面，在 此係與光半導體元件14的面方向呈垂直。此外，金屬配線 14B係具有，將形成於半導體基板14C的表面之電路，再 配線至配設於周邊部之凹陷部丨4 A之功能。 參知、第2 1圖（B)，該圖所示之光半導體元件1 4，係步 成與凹陷部14A的側面為傾斜的形狀。藉此，角部丨4〇的 角度α形成鈍角’在藉由鑛覆法等使金屬配線14B圖案化 之步驟中，可利用該角部14D防止產生斷線等。 在第21圖（C)所示之光半導體元件14中，凹陷部14八 的剖面係形成曲面。因此，在藉由鍍覆法等使金屬配線1 圖案化之步驟中，可利用該角部1 4D防止產生斷線等。 以下，參照第22圖至第25圖，說明光半導體元件14 的製造方法。 參照第2 2圖，首先使用切片据4 6進行半劃割，以葬 315494 30 1233191 此形成凹陷部14A。 、a m 圖（Α)為顯示本步驟> i 視圖，第22圖（BKr)m、& 哪之概要之斜 鋸钧進行半割割之狀能示使用刀尖形狀互異之切片 ▲ T 一』幻炙狀恶之剖面圖。 參苐22圖（a)，於 -.,^ )奴本步驟之晶圓45，i包含受弁 m 電路係形成矩陣狀，並沿著對岸各電 路邊界之切割線D進行半劃割。 ㈣應各電 參照第22圖（B)，名…〆 u m ，係使用具有平坦的刀鋒之切 片：46A以進行半劃割。因此，凹陷部 二刀 如該圖右側所示，其側面係形成直角。li㈣狀， 參照第22圖（c)，y·* 〇_ 1 )在此，係使用刀鋒的兩媸且；^ ^ 部之切片錯46八以進行本心 W Μ具有傾斜 丁半里J割。因此，凹陷部 形狀，如該圖右側所+， 口 4Α的剖面 j所不，其側面形成傾斜。 參照第22圖（D)，在此 ., 牙、使用刀鋒的兩端呈古# 形狀之切片鋸似以進行半劃割。因此，凹陷〜 、、、！ 面形狀/如該圖右側所示，形成曲線狀。 的剖 接著’參照第23圖，將與形成於晶圓 電性連接的金屬配線1< 认 電路 炎，配设於凹陷部14八。 14B的材料，可為as、All p+ ^ 金屬配線 勹^ Au、Pt或Pd等材料 鍍、濺射、CVD等低直处十▲古 J子糟由蒸 氏真工或鬲真空下的覆蓋、 無電解電㈣燒結等方式覆蓋金屬配線。$解電錄、 接著’參照第24圖，為保護形成於晶圓 電路，而在各電路的上部貼附覆蓋層12。在與^之各 之金屬配線14B對應的位置，進行加工以避免：盍層u 產生干擾。此外，可使用環氧樹脂等接合劑進行、费屬配線 丁设蓋層 1 2 315494 31 1233191 的貼附。 接著，參照第25圖，使用切片鑛47進行全面書"卜 以分離各光半導體元件14。在此，制切片鑛47，將 部W的中央部之晶圓45的殘餘的厚度部分以及金屬配 線14B切斷。在此係使用較前述之切割鑛^的寬度狹小 之切割鋸47。根據前述之步驟，即可製造本 半導體元件14。 I ‘之光 (第7實施型態） 圖以及第27圖，說明本實施型態之光半導 丑裝 的構成以及製造方法。光半導體裝置10F係具 備：具有受光部或發光部之光半導體 莫 體元件"的表面之覆蓋層12;與光半導體元二 接之丰導體…7;與半導體元件17電性連接，對外部 之電性訊號進行輸出入之外部電極；密封光半導體元件Μ 以及半導體元件17之封裝樹脂13,其形成覆蓋層Μ由封 裝樹脂U露出之構成。有關外部電極，可採用例如一 由封裝樹脂1 7露出之引線等作為外部電極。 而 ▲上所述，本實施型態之光半導體裝置⑽的基本構 糸與帛1貫施形態所說明之構造相同，兩者間的差異 點僅在於：本發明之光半導體裝置係具有與光 :丰 14電性連接之半導體元件17。此外，藉由貫通電極14Ε 兩者得以進行電性連接。 參照第26圖⑷，光半導體元件14，具有由其表面世 通至背面之貫通電極14Ε，經由貫通電極14£而與半導= 315494 32 1233191 元件1 7電性連接。 貫通電極14E’與形成於光半導體元件14表面之電性 電路電性連接’其係藉由在貫通孔中埋置銅等金屬而形 成。在此，於光半導體元件14表面的中央部附近構成包含 受光元件或發光元件之電性電路，與該電性電路連接之貫 通電極14E形成於周邊部。此外’在露出光半導體元件μ 背面之貫通電極14Ε上，形成凸塊電極14F。 半導體iM牛17,其上部@定有光半導體元件14。此 外，在對應具有光半導體元件14之貫通電極14e的位置 配置有第1焊墊17A。帛！焊墊17A係與形成於半導體元 件17表面之電性電路連接。此外，與外部進行連接之第2 焊墊17B，係配置於半導體元件u表面的周邊部。在此， 構成外部電極之引線U與第2焊墊17B係經由金屬細線 15電性連接。如第丨實施型態之說明，構成於半導體元件 17之電性電路，可採用對光半導體元件14所傳送之訊號 進行處理之電路。此外，半導體元件17係固定於島部b 參照第26圖（B)，在此，引線11與半導體元件17 接連接。引線11的-端，由封裝樹脂13的背面露出^ 外部電極。此外，引線u的另外一端，係經由焊錫等焊材 直接連接於配設於半導體元件17的周邊部之第2焊墊干 WB。藉由前述之引線u的連接構造，半導體元件η得 以機械性地固定於引線丨丨。藉此，即可在不配設島呻^ 的條件下構成全體裝置。 6 315494 33 1233191 a多’、、、第27圖，在此，配設於半導體元件口的周邊部 之第2 *干#· 17B連接基板52。具體而言，在基板μ上設 置大小為可收藏光半導體元件14以上大小之開口部Μ。 另外開口部53的周邊部係具備：對應第2焊塾ΐ7Β的位 =之導電路52Α的焊塾部。此外，半導體元件17的第2 焊墊17Β與導電路52Α係藉由焊錫等焊材連接。半導體元 件17與光半導體元件14間的連接構造，係與第％圖^示 之構造相同。此外，導電路52Α，可貫通基板52延伸至其 相反面。 充真树知1 3 A，係充填於光半導體元件14與開口部 53之間的縫隙’以及半導體元们7與光半導體元件14之 ^的縫隙。此外，可形成充填樹脂1 3 A以保護覆蓋層！ 2 的側面部。此外，形成封裝樹脂13以覆蓋半導體元件17。 參照第28目，說明其他型態之光半導體m〇F的 構成韻所不之光半導體裝置i⑽的基本構成，係與第 26圖所示之裝置相同，兩者間主要的差異點在於：取代引 線11在本發明之構成中係具有導電圖案2丨。以下以該差 異點為中心詳細說明光半導體裝置10F的構成。 —光半導體元件14載置於上部之半導體元件17，係固 疋於島狀之第1導電圖t21A。此外，形成第2導電圖案 2·1Β ’以環繞第1導電圖案21A，第i導電圖案2ia與第2 、電圖案2 1 B係藉由金屬細線j 5連接。藉由充填封裝樹 月曰3 1之分離溝24，各導電圖案2丨得以電性分離。 以封裝樹脂13密封光半導體元件14、半導體元件17、 315494 34 1233191 導電圖案21以及金屬細線15。此外，導電圖案2i的背面 係由封裝樹脂13露出。此外，在形成外部電極23的位置 =外之光半導體裝| 1〇F的背面，係由覆蓋樹月旨Μ所覆 蓋。此外’覆蓋層12係由與形成外部電極23的面相對面 之封裝樹脂13中露出。 在前述之光半導體裝置10F中，係藉由配設於光半導 體元件14之貫通電極14E，使光半導體元件卩與半導體 元件17得以電性連接，因此，相較於以金屬細線連接兩者 的情況其可進行高速的作動。 =述之說明，係說明有關本發明之光半導體裝置以及 其製造方法，在不超越本發明之要旨的範圍内，允 種不同的變更。具體而t，參照第2圖等，光半導體元件 =與引線η係經由金屬細線15連接，但亦 其他的連接裝置使兩者得以連接。亦即，可使 Lead Bonding)^ TAB(Tape Automated Bonding * ^ ^ 接合卜進行光半導體元件14與引線^自動 [發明之效果] I / /| 叫、 根二=之半導體裝置，將使覆蓋於光半導體元 面之復盍層12,由封裝樹脂13露出。 以透明樹脂將裝置整體密封之先前例， ，相杈 較薄的封装樹脂13,並使裝置全體的厚;由變;=形 於先何®元件14係㈣覆蓋I 12 y 光半導體元件"為受光元件時，其可抑制由外;輸I: 315494 35 1233191 訊號的減弱並進行受光。此外，光半導體元件卩為發光元 件時，則可抑制發光之光訊號的減弱。 此外，使用混入填充物之遮光性密封樹脂構成半導體 裝置1〇°藉此’即可構成具有良好的機械強度以及耐^ 之半導體裝置。 “、、& 根據本發明之半導體裝置的製造方法 :薄；51覆蓋覆蓋…上部之後，利用封裝二利 、仃在封。此外，利用接合劑使薄膜51貼附於覆蓋層^。 如此-來’在塑膜密封步驟中，即可防止封裝樹脂U 於覆蓋層12的表面。 者 【圖式簡單說明】 圖（B) 第1圖為說明本發明之半導體裝置之斜視圖⑷、背 面 第2圖為說明本發明之半導體裝置之剖面圖⑷ 圖（B)、剖面圖（c)。 ^ 第3圖為說明本發明之半導體裝置 圖（B)、剖面圖（c)。 口（）面 第4圖為祝明本發明之车道^ ^ Λ,., 圖。 々知月之牛寺體裝置的製造方法之平面 第5圖為說明本發明之本道_ 同/ Λ、 知月之牛冷體裝置的製造方法之平^ 圖（Α)、剖面圖（β)。 第6圖為說明本發 闽，α、 知5怎牛钕體裝置的製造方法之平而 圖（A)、剖面圖（B)。 卞面 弟7圖為說明本發 义乃之+導體裝置的製造方法之剖面 3 】5494 36 J面圖（B)。 圖（B)。圖為說明本發明之半導體裝置之斜視圖（A)、背面 第 9 圖（B)、A圖為說明本發明之半導體裝置之剖面圖（A)、剖面 、剖面圖（C)。 第 1〇 m & 面圖。 _為說明本發明之半導體裝置之製造方法的剖 面圖（B)U圖為說明本發明之半導體裝置之剖面圖（A)、剖 第 12 面圖（A、圖為說明本發明之半導體裝置的製造方法之剖 )、剖面圖（B)。 第13 去二、 面圖（B)。為况明本發明之半導體褒置之剖面圖（A)、剖 面圖（A)、4圖為說明本發明之半導體裝置的製造方法之剖 、剖面圖（B)。 第 1 5 面圖5圖為說明本發明之半導體裝置的製造方法之剖 、剖面圖（B)。 第16麗去 面圖u)、Γ為說明本發明之半導體裝置的製造方法之剖 第 剖面圖（B)、剖面圖（c)。 面圖（δ/、7 Γ為說明本發明之半導體裝置之斜視圖（A)、剖 、剖面圖（C)。 1 8 面圖（B)。8圖為說明本發明之半導體裝置之剖面圖（A)、剖 19圖為說明本發明之半導體裝置的製造方法之平 315494 37 x^3i9i Φ 圖（A、 ^ 、剖面圖（Β)。 第20圖為說明本發明之半導體裝置的製造方法之剖 ^ si (A\ )、°，1面圖（Β)、剖面圖（C)、剖面圖（D)。 體元1圖為說明内建於本發明之半導體裝置之光半導 Μ之面圖（A)、剖面圖（B)、剖面圖（C)。 體元^ 22圖為說明内建於本發明之半導體裝置之光半導 剖而的製&方法之斜視圖（Α)、剖面圖（Β)、剖面圖（C)、 23圖為說明内建於本發明之 —元件之製造方法之剖面圖。 體元：24圖為說明内建於本發明之半導體裝置之光半導 之製造方法之剖面圖。 體元L25:為說明内建於本發明之半導體裝置之光半導 <襄造方法之剖面圖。 第26圖為說明本發 面圖（B)。 +〜乃之手導體裝置之剖面圖（A)、音 苐27圖為 苐28圖為 第29圖為 圖（B)。 剖面 說明本發明之半導體裝置之剖面圖。 說明本發明之半導體裝置之剖面圖。 說明先前之半導體裝置之平面圖（a)、 [元件符號說明】 11 弓ί線 13 封裝樹脂 15 金屬細線 10A至10F光半導體裝置 12 覆蓋層 14 光半導體元件 315494 38 1233191 16 島 部 17 半 導 體 元件 18 覆 蓋 樹脂 19 外 部 電 極 20 導 電 路 21 A、 21B導 電 圖 案 22 覆 蓋 樹脂 23 外部 電 極 24 分 離 溝 25 框 體 26 透 明 樹脂 27 空 洞 部 39 315494

Claims (1)

1233191 拾、申請專利範園： 1.二種半導體裝置，係利㈣裝樹脂密封具有 光口卩之光半導體元件， /、又光部或發 ’、特徵為.覆蓋在前述光半導體元件表面 係由前述封裝樹脂的表面露出。 參面之覆蓋層 ，其中，前述覆蓋 甘由 /、，具備與外 而前迷外部電極 其中，具備與外 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置 層係由透明構件所形成。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置 部進行電性訊號之輸出入之外部 係設置在前述覆蓋層露出面的相對面 4·如申請專利範圍第1項之半導體裝置、τ，且 部進行電性訊號之輸出入之外部電極，：備與’ 係設置在前述覆蓋層露出面的同一面。 部電构 5. t申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中，前述^ 樹脂係為遮光性樹脂。 ^^ 6· —種半導體裝置，係 η係-備.具有受光部或發光部之光半 …牛，覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋層；固〜 刖述光半導體元件之島部；經由金屬細線與前述光= 導體元件電性性連接形成外部電極之引線;及密封前述 光半導體元件、前述金屬細線、前述島部以及 之封裝樹脂， 綠 而前述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出。 7·如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中，前述外A 電極係設置在前述覆蓋層露出面的相對面。 一 40 315494 1233191 前述外部 前述封裝 前述光半 8·如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中 電極係設置在前述覆蓋層露出面的同一面。 9·如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中 樹脂係為遮光性樹脂。 10=申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中，前 2體：件的周邊部設置有凹陷部，而前述金屬: 接於前述凹陷部。 ’、連 1 1 ·如申請專利範圍第6項之半導體 層係由透明之構件所形成。 -中…蓋 種半導體裝置，具備有：具有受光部或發光部 *體元件；覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋層 ^ 面形成導電路且裝載有前述光半導體元件之安裝美义 板，電性連接前述光半導體元件與前述導電路之 2:及密封前述光半導體元件及前述金屬細線之封裝： 而鈾述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出 ，其中，前述封 ，其中，在前述 如述金屬細線係 ，其中，前述覆 13·如申請專利範圍第12項之半導體裝置 裝樹脂係為遮光性樹脂。 14·如申請專利範圍第12項之半導體裝置 光半導體元件的周邊部設置有凹陷部， 連接於前述凹陷部。 15·如申請專利範圍第η項之半導體裝置 蓋層係由透明構件所形成。 16·—種半導體裝置，係具備： 具有叉光部或發光部之光半 315494 41 1233191 述光半導體元件表面之覆蓋層;以分 幸4固定有前述光半導體元件之導電圖 元件與前述導電圖案，且充填二V 半導體 、在刖述分離溝中之封裝樹 乃曰 ， 而丽迷復盍層係由前述封裝樹脂露出。 Ρ·如申請專利範圍第16項之半 雷円㈣、〈牛¥體裝置，其中，前述導 電圖案係由所述覆蓋層露出面的相對面露出。 18·如申請專利範圍第16項之半導 壯』， 衷置，其中，前述封 裝樹脂係為遮光性樹脂。 19.如申請專利範圍第16項之半導體裝置，其巾，在前述 光半導體元件的周邊部設置凹陷部，前述 I連 接於前述凹陷部。 Μ糸連 20·如申請專利範圍第16項之半導體裝 1 朴 τ 則迹覆 盍層係由透明構件所形成。 21· -種半導體裝置，係具備：具有受光部或發光部 導體元件’·設置在前述光半導體元件的下方且經由金屬 細線與前述光半導體元件連接之外部電極；由透明材料 所形成之覆蓋層設置在上部且内部收藏前述光半導體、 元件與前述金屬細線之筐體；以及充填於前述筐體内&邻 與别述光半導體元件之間的空隙的透明樹脂。 22·如申請專利範圍第21項之半導體裝 一 八T 則述覆 蓋層之平面的大小，係與前述光半導體元件形成 小。 寺大 315494 42 1233191 23· —種半導體裝置激 Μ -1- ^ ^ ,，係具備有··以封裝樹脂滚 封/、有又光部或是發光部之光半導體元件之步驟， 其㈣為··利用薄膜保護覆蓋前述光半導體元件表 面^覆盍層的上面’再進行前述封裝樹脂的密封，藉此 使前述覆蓋層由前述封裝樹脂露出。 9 24·々申明專利乾圍第23項之半導體裝置之製造方法，1 中利用核塑用松具進行前述封褒步驟，前述薄膜 中-面與前述覆蓋層抵接，前述薄媒的另；二 述模塑用模具的内壁抵接。 則與則 25.如申料利範圍第24項之半導體裝置之製造方法，发 中，前述模塑用模具係由上模與下模 :; 上模或前述下模的其中-側的幾乎所有内壁貼附前:迷 薄膜，以進行前述封裝步驟。 述 26·-種半導體裝置之製造方法，係具備：加工由 所構成之基板，在前述基板上設置島部與 將前述基板下面貼附於第！薄膜之步驟；W i覆蓋層覆蓋^半導體元件之步驟； 將前述光半導體元件固定於前述基 之步驟； 〜A島部 以第2薄膜保護前述覆蓋層上面之步驟 :用封裝樹脂密封前述基板的前述島部、 以及别述光半導體元件之步驟。 ^引線 27·如申印專利範圍第26項之半導體裝置之製 中’前述密封步驟係利用模塑用模具來進行°」，其 仃剐述第2 315494 43 1233191 ^臈的其中-面抵接前述覆蓋層，而前述第2薄膜的另 外一面則抵接前述模塑用模具的内壁。 申：專利範圍第27項之半導體：置之製造方法，盆 T ’珂述模塑用模具係由上模盥 一 下模的其中一側的幾乎所有内壁貼附前述 4膜，以進行别述密封步驟。 29;ΠΓ裝置之製造方法，係具備:藉由在形成導電 電圖案之步驟； 〔“成分離溝，以形成導 以覆蓋層覆蓋光半導體元件表面之步驟· 驟；將前述光半導體元件固著在前述導電圖案上之步 利用薄膜保護前述覆蓋層上面之步驟； 形成封裝樹脂以覆蓋前述光 填於前述分離溝之步驟；及 件，並使之充 電性分離前述各導電圖案之步驟。 30.如申請專利範圍第29項之半導體裝 中，前述密封步驟係利用模塑用模 造方法，其 的其中-面係抵接前述覆蓋層，而、前述=前述薄膜 則抵接前述模塑用模具的内壁。 、的另外一面 .如申請專利範圍第3〇項之半導體裝 中，前述模塑用模具係由上模與 ：造方法’其 上模或前述下模的其中一側的幾乎所有而前述 薄膜，以進行前述密封步驟。 帛貼附前述 315494 44 1233191 32_—種半導體裝置之製造方法，係具備： 上部配置有由透明材料所構成之覆蓋層的筐體的 準備步驟； 在光半導體元件的背面形成外部電極，經由金 細線電性連接前述光半導體元件與前述外部電極之+ 驟； v ^ ^ ·丨六削现金屬 、，田線’藉此使前述透明樹脂的外形形成契 部形狀之步驟；及 ^θ 將前述透明樹脂嵌合於前述筐體内部之步驟。 33.-種半導體裝置，係具備：具有受光部或發光部之 ^:件；覆蓋前述光半導體元件表面之覆蓋層； 述光半導體元件電性連接之半導體元件；與前述半導體 元件純連接，對外部進行電性訊號之輸出人之外部= 裝樹脂， 心件以及…導體元件之封 而财述覆蓋層係由前述封裝樹脂露出。 34.如申請專利範圍第33項之 半導體元件具有從其表面貫中，前述光 極，並經由前述貫通電w 形成之貫通電 貝通電極與珂述半導體元件電性遠搵。 5·:請專利範圍第34項之半導體裝置，且中，前述半 ¥體元件係具有與前述貫通電極連接之第、〗焊墊：： 離前述第！焊墊的周邊部 >墊’並在 第2焊墊。 、有一别述外部電極連接之 315494 45 1233191 36. —種半導體裝置争有丰 辨/ 體70件’密封前述半導 '二捃封材；以及與前述半導體元件電性連接且構 成由七述达、封材露出之外部電極之導電構件， :特徵為前述半導體元件係具備：半導體基板，·設 在别4半導體基板表面之電路部；設置在前述 ==之凹陷部;以及連接於前述電路部在前述凹 ^ 4構成電極之金屬配線。 37·如申請專利範圍第36項之半導體裝置，其中 凹陷部的平坦面上，形成由前 則K 電極。 屬配線所構成之前述 在前it 38.如申請專利範圍第36項之半導體裝置， 凹陷部的側面形成有傾斜面。 在前知 39·如申請專利範圍第36項之半導體裝置，盆中 凹陷部的側面形成有彎曲面。 “ 40.如申請專利範圍第36項之半導體裝置， 前述1 路部係構成具有受光部或發光部之電路Γ 41·如申請專利範圍第36項之半 路部係被由透明材料所構^ 置’其中 4H由^ 價構成的覆蓋層所覆蓋。 42. 如申凊專利範圍第％項之半 導體元件與前述導電構件係其中’ W述-接。 ’、、、’二由金屬細線產生電性連 43. 一種半導體裝置之製造方法，係具傷： ，晶圓表面形成多個電路部：步驟； 藉由切除部份的前逑 各電路部的周邊部，而設置！^ 315494 46 1233191 陷部的步驟； =成金屬配線使與前述電路部電性連接之 成在前述凹陷部的步驟，· 電極構 藉由在前述凹陷邮μ 各的位置分割前述晶圓而分割得 各丰導體7G件的步騾； °彳行 電性連接前料極與其料電構件 密封前述半導體元件之步驟。 …及 ^申請專利範圍第43項之半導體裝置的製造方法，盆 割進行前述凹陷部的形成以及前述晶圓的; ::二：形成前述凹陷部之切割刀狹小之切割刀進 4亍刚述晶圓的分割。 其 藉 其 藉 其 45·:申：專利範圍第43項之半導體裝置的製造方法 ±二 有斜面之切割刀形成前述凹陷部 此使w述凹陷部的側面形成傾斜面。 46.如申請專利範圍第43項之半導體褒置的製造方法 中制刀鋒具有弯曲面之切割刀形成前述凹陷部 此使W述凹陷部的側面形成彎曲面。 47·如申1專利範圍第43項之半導體裳置的製造方法 中一刖述金屬配線係藉由蒸鍍、濺射、cvD等低真空 或门’、工下的鍍覆、電解電鍍、無電解電鍍，燒結或丨 電塗漿的塗布所形成。 315494 47