TWI232341B

TWI232341B - In-plane-switching type liquid crystal display apparatus

Info

Publication number: TWI232341B
Application number: TW092118306A
Authority: TW
Inventors: Yasunori Niwano; Yuichi Masutani; Ken Nakashima; Yuuzou Oodoi; Kazuhiro Kobayashi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1998-06-22
Publication date: 2005-05-11
Also published as: TW200305045A; US6686986B2; US20050151914A1; US7362401B2; US20020186338A1; KR19990036533A; JP4130490B2; US20040119928A1; US6864939B2; US6452656B2; US20010046017A1; JPH11119237A; TW565734B; KR100326906B1

Description

1232341 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明有關於產生與陣列基板（array substrate)平行之電場藉以驅動液晶之水平電場控制（I η P 1 a i η Switching，以下簡稱為π I Ρ S π )型液晶顯示裝置。亦即有關於可以減輕來自信號線之洩漏電場之影響，經由減小遮光區域用以提高開口率之高亮度液晶顯示裝置之構造。【先前技術】在有源矩陣（a c t i v e m a t r i X )型之液晶顯示裝置中，所使用之方法是使用I P S方式（使施加在液晶之電場方向成為對陣列基板平行之方向）主要的用來獲得寬廣之視野角（參照曰本國專利案特開平8 - 2 5 4 7 1 2號公報）。當採用此種方式，視角方向之變化時之反襯度（c ο n t r a s t )之變化和階調位準（t ο n e 1 e v e 1 )之反相大致不會發生（例如參照Μ · o h - e 等之 Asia Display, 95. pp. 577-580)。圖4 3 a和4 3 b以模式方式表示習知之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖43a為其平面圖，圖43b為圖43a 之A - A線剖面圖。圖4 4是I P S型液晶顯示裝置之構成圖素電極之一圖素之等值電路，圖45是電路構造圖，用來說明 I P S型液晶顯示裝置之電路。在圖4 3 a和4 3 b中，符號1 是玻璃基板（g 1 a s s s u b s t r a t e )，2是掃描線，3是信號線， 4是薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下簡稱為 M T F T ")，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電容器形成用電極，8是共同配線，9是閘極（g a t e )絕緣膜，1 0是 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 6 1232341 保護膜，1 1是液晶，1 2是黑基塊（B 1 a c k M a t r i χ，以下簡稱為11 B M " )，1 4是接觸孔洞（c ο n t a c t h o 1 e )，1 5是源極 (source)電極，16是汲極（drain)電極。另外，符號20是由玻璃基板1，信號線3，驅動電極5，和對向電極6等構成之陣列基板，3 0是被配置成與陣列基板2 0面對之對向基板，4 0是信號線3和對向電極6之間之間隙之縫隙 (Slit)， 50是開口部。在圖44和圖45中，使用與圖43a 和43b相同之符號用來表示與圖43a和圖43b相同或相當之部份。下面將根據圖4 3 a和4 3 b，圖4 4和圖4 5用來說明習知之I P S型液晶顯示裝置之概略之構造。在圖4 5中，與掃描線驅動電路1 0 2連接之掃描線2和與信號線驅動電路1 0 1 連接之信號線3交叉成大致為垂直，用來產生被掃描線2 和信號線3包圍之多個格子狀之圖素。在用以形成該格子狀之圖素之掃描線和信號線之各個交點設置TFT。符號1 0 3 是共同配線用電路。圖44以等值電路表示此種狀態。TFT4是具有閘極電極，源極1 5和汲極1 6之3個電極之半導體元件。閘極電極從掃描線驅動電路延伸，形成與掃描線2連接，源極電極1 5 與信號線3連接，該信號線3與信號線驅動電路連接。其餘之汲極電極1 6與驅動電極5連接，利用與對向電極6 之間所產生之電場用來驅動液晶。符號1 3是保持電容器用來將電荷保持在驅動電極5和對向電極6之間。下面將根據圖4 3 a和圖4 3 b用來說明一個圖素之構造。在由掃描線 326%®^\87\87110119\TF928014(分割子案） 7 1232341 2和信號線3之交叉所形成之圖素，設置用以驅動液晶層之驅動電路5和對向電極6，和TFT4。在TFT4具有3個電極，與圖4 5所示之掃描線驅動電路連接之掃描線2，形成與上述之T F T 4之閘極電極連接，掃描線驅動電路所輸出之掃描信號施加在T F T 4之閘極電極。與信號線驅動電路連接之信號線3形成與上述之TFT之源極電極1 5連接，用來傳達信號線驅動電路所輸出之影像信號。上述之T F T 4之汲極電極1 6如圖4 3 a所示，經由接觸孔洞1 4形成與驅動電極5連接。在該圖素中，對向電極 6被設置成朝向驅動電極5嚙合。該對向電極6與共同配線8連接。共同配線8分別連接被設在T F T陣列基板2 0 上之各個圖素之對向電極6。下面將根據圖4 3 b用來說明圖素剖面之構造。符號1是玻璃基板，在該玻璃基板1上分別形成驅動電極5和對向電極6。另外，在圖43b中未顯示者，掃描線2和共同配線8亦形成在與驅動電極5，對向電極6相同之層。其次，以覆蓋驅動電極，對向電極，掃描線和共同配線之方式，在玻璃基板上積層閘極絕緣膜 9，在該閘極絕緣膜9之上形成信號線3。在圖4 3 b中未顯示者，在與信號線3相同之層亦形成保持電容器形成用電極7。在該信號線3之上更積層有保護膜1 0，用來形成T F T 陣列基板2 0。使該T F T陣列基板2 0和對向基板3 0重疊的組合，將液晶1 1封入到T F T陣列基板2 0和對向基板3 0 之間，藉以製成I P S型液晶顯示裝置。該I P S型液晶顯示裝置因為所採用之方式是在被設於 3 2 6\總檔\87\87110119\TF92 8014(分割子案） 8 1232341 T F 丁陣列基板2 0之驅動電極5和對向電極6之間，沿著T F Τ 陣列基板2 0之表面產生電場，用以驅動液晶，所以對向基板3 0是未具備有電極之無電極基板。在對向基板3 0上設置作為遮光膜之ΒΜ12，圖中未顯示者，以被設在圖43b中之T F T陣列基板之下側之背面光（b a c k 1 i g h t)作為光源，利用該B Μ 1 2用來對從圖4 3 a之縫隙4 0洩漏之漏光進行遮光。符號5 0之虛線所包圍之區域表示一個圖素之開口部，擔任作為窗之任務，用以讓利用背面光作為光源之光透過。但是，來自上述背面光之光被驅動電極5，對向電極6，Β Μ 1 2 等遮光，其結果是對液晶顯示（display)之晝質會有很大之影響。因此，上述之驅動電極5，對向電極6，Β Μ1 2等之面積佔用開口部5 0之面積之比例之減小變成為重要之課題。以上是根據圖4 3 a和4 3 b，圖4 4和圖4 5對習知之I P S 型液晶顯示裝置之圖素之構造之說明。下面將說明I P S型液晶顯示裝置之動作。在各個圖素設置T F T，T F T之閘極電極連接到掃描線2，源極電極1 5連接到信號線3，汲極電極1 6連接到驅動電極5。此種T F T 4是半導體交換元件，用來控制各個圖素之液晶之驅動。當該T F T 4之閘極電極被施加經由掃描線2之來自掃描線驅動電路之掃描信號時，該列之TFT4就全部被變換成為ON。當閘極電極被變換成為ON時，傳達自信號線驅動電路之影像信號就經由源極電極1 5流到汲極電極1 6，寫入到與 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 9 1232341 汲極電極1 6連接之驅動電極5。寫入到驅動電極5之電荷被保持在驅動電極5和對向電極6之間，在閘極電極再度變成Ο N寫入新的影像信號電荷之前，保持現狀之電荷。亦即，驅動電極5和對向電極6擔任作為一種電容器 (c a p a c i t 〇 r )之任務，在閘極電極為Ο N之期間，寫入電荷，當閘極電極變成OFF時，寫入之電荷保持儲存。為著提高該電容器之儲存電力，利用圖1 9所示之保持電容器1 3，該保持電容器1 3之形成是經由閘極絕緣膜9使保持電容器形成用電極7和共同配線8上下的積層。【發明内容】 (發明所欲解決之問題）在圖4 3 a和4 3 b所示之習知之I P S型液晶顯示裝置中，在被設於一個圖素之側端部之信號線3和與該信號線3形成平行之對向電極6之間，利用信號線3和對向電極6之電位差產生電場。該圖4 6用來表示習知之I P S型液晶顯示裝置（具有驅動電極5和對向電極6形成在信號線3之下層之T F T陣列基板）之信號線3和對向電極6之間所產生之電場，對驅動電極5和對向電極6之間所產生之電場之影響。圖4 6之獲得是模擬（s i m u 1 a t e )驅動電極5和對向電極6 之間所產生之電位之變化。另外，圖4 6是當以相對透過率 5 0 %之中間色調顯示白窗（w i n d 〇 w )時，計算窗部之上部和下部之電位所獲得者。驅動電極5形成在2個對向電極6之間，以該驅動電極 5為中心之電位分布形成對稱，最好是正確的驅動液晶。 3 26\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 10 1232341 以圖4 6來看，開口部5 0之接近信號線3之區域之電位分布，因為受到信號線3和對向電極6之間所產生之電場之洩漏電場之強力影響，所以其電位分布變成非對稱。電場是沿著玻璃基板1之表面產生，所以會引起如同串擾 (c r 〇 s s t a 1 k )之問題。例如，在如圖4 7所示之在黑顯示中顯示白窗之情況時，會發生窗部上下之亮度對其他之黑顯示部產生變化之被稱為「縱方向串擾」之顯示上之問題。下面將使用圖4 4用來說明正常黑模態（π η〇r m a 1 1 y b 1 a c k "，未施加電壓之狀態變成黑顯示之狀態）之情況時之實例。在顯示圖47所示之窗型樣（windowpattern)之情況時，在晝面中之窗部和其上下部份之圖素之信號線3，在黑顯示部分11 1之選擇期間中，被施加與對向電極6相同之電壓，在白顯示部份1 1 3之選擇期間中被施加白顯示所需要之電壓。對液晶1 1施加之電極間之電位差之絕對值相當於時間平均值之有效電壓。因此，在黑顯示之選擇期間和白顯示之選擇期間相等之情況時，在該等圖素變成在信號線3和對向電極6之間施加與中間色調顯示1 1 2相等之有效電位。這時，由於在信號線3和對向電極6之間產生之沿著玻璃基板1之水平方向之電場，因而使信號線3和對向電極6之間之縫隙（s 1 i t) 4 0上之液晶變成透過模態。另外，由於信號線3和對象電極6之電位差所產生之電場亦會影響到驅動電極5和對向電極6之間之電場，因而使黑顯示部之液晶變成透過模態（m 〇 d e )。其結果是會發生串擾。 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 11 1232341 為著防止此種縱方向_擾之發生，需要利用形成在對向基板3 0之Β Μ 1 2用來對透過信號線3和對向電極6之間之縫隙4 0之漏光進行遮光，和需要使驅動電極5和對向電極 6遠離開口部5 0之端部之對向電極6和信號線3，藉以防止信號線3和對向電極6之間所產生之電場干擾到驅動電極5和對向電極6之間之電場。但是，當驅動電極5和對向電極6遠離信號線3，鄰接信號線3之對向電極6之幅度變粗時，開口部5 0之開口率（亦即在圖4 3 a中，從開口部5 0之面積中減去驅動電極5和對向電極6等之面積，再除以虛線所包圍之開口部5 0之面積，所獲得之比例即為開口率）會變小因而使晝質劣化。因此，要開發高晝質之液晶顯示裝置時，必需遮蔽信號線3和與信號線3鄰接之對向電極6之間所產生之電場而且不會使開口率降低成為重要之課題。另外，由圖4 3 b可以暸解，陣列基板2 0之上層膜之保護膜1 0之表面具有階梯，該保護膜1 0之表面和對向基板3 0 之間之距離（間隙（g a p ))並不一定。因此，容易產生亮度不均勻，成為造成晝質劣化之原因。另外，因為具有階梯部，所以製造時不僅會由於陣列基板之破裂（c r a c k )等而發生不良，而且陣列基板之配線會有在階梯部發生斷線之問題，在製品之生產效率和可靠度之改善方面會有問題。另外，以背面光作為光源之光會經由縫隙4 0成為漏光的透過因而使晝質劣化。為著對該漏光進行遮光，所以在對向基板3 0設有Β Μ 1 2。但是，在將T F T陣列基板2 0和對向 326\總檔\87\87110119VTF928014(分割子案） 12 1232341 基板3 0重疊的組合時，會產生誤差，所以要考慮到該誤使Β Μ 1 2形成較大的具有稍許之餘裕。但是，當使Β Μ 1 2 大藉以提高遮光效果時，開口率會降低為其問題。本發明用來解決上述之問題，其第1目的是提供開口寬廣（亦即，高開口率）和高品質之液晶顯示裝置，在使有與玻璃基板平行之電場之I P S型液晶顯示裝置中，可提高對從信號線洩漏之電場之遮蔽效果，經由減小遮光域用來使開口部變大。另外，本發明之第2目的是提供生產成本和兩品質之液晶顯不裝置’可以抑制陣列基板破裂，配線之斷線等之不良之發生藉以改善生產效率。 (解決問題之手段）本發明之I P S型液晶顯示裝置具備有：玻璃基板；閘絕緣膜，形成在該玻璃基板上；保護膜，形成在該閘極緣膜上；掃描線，形成在上述之玻璃基板上，用來傳達描信號；信號線，形成在上述之閘極絕緣膜上，用來傳影像信號；格子狀之圖素，由上述之掃描線和上述之信線之交叉所形成；薄膜電晶體，用來使被設在上述圖素上述掃描線和上述信號線產生連接，根據掃描信號用來行影像信號之交換；驅動電極，形成與該薄膜電晶體連控對向電極，被配置成與該驅動電極面對；T F Τ陣列基板由共同配線所形成，用來使該對向電極和其他圖素之對電極互相連接；對向基板，被設置成與該TFT陣列基板對；和液晶，被封入到上述之T F T陣列基板和上述之對基板之間，由上述之驅動電極和對向電極所產生之平行 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 13 差變部用以區低之極絕掃達號之進 f 向面向於 1232341 基板面之電場加以驅動；上述之TFT陣列基板是在上述之保護膜上使上述之驅動電極和對向電極形成在與上述之信號線不同之層。另外，本發明之I P S型液晶顯示裝置具備有：驅動電極，與TFT連接，用來產生平行於TFT陣列基板面之電場藉以驅動液晶層；和對向電極，形成與共同配線連接；其中具備有形成在上述保護膜上之TFT陣列基板，至少使上述之對應電極形成在與上述信號線不同之層。另外，本發明之I PS型液晶顯示裝置具備有TFT陣列基板，以覆蓋信號線之一部份或全部之方式形成有對向電極。另外，本發明之I PS型液晶顯示裝置具備有TFT陣列基板，至少將對向電極設在與掃描線不同之層，以覆蓋上述之掃描線之一部份或全部之方式形成有對向電極。另外，本發明之IPS型液晶顯示裝置具備有TFT陣列基板，將共同配線和掃描線設在相同之層，和將信號線設在上述之閘極絕緣膜上。另外，本發明之IPS型液晶顯示裝置具備有TFT陣列基板使保護膜之平面形成大致平坦狀。另外，本發明之I P S型液晶顯示裝置具備有遮光裝置使信號線和對向電極形成重疊組合之方式。

另外，本發明之I P S型液晶顯示裝置具備有T F T陣列基板以重疊之方式在不同之層形成有：T F T，根據掃描信號用來進行影像信號之交換；驅動電極，與該TFT連接，將TFT 之交換（switch)為ON時寫入之電荷，在上述之交換為OFF 326\ 總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 14 1232341 之期間進行儲存電荷；和保持電容器增加電極，用來補強上述之驅動電極之儲存電力。【實施方式】 (實施形態1 ) 下面將根據附圖用來說明本發明之一實施形態。另外，在該圖中其與習知者相同之符號用來表示與習知者相同或相當之部份。圖1是剖面圖，用來以模式方式表示本發明之實施形態1之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖 2為其平面圖。另外，圖1是圖2之A-A線剖面圖。在該圖中，符號1是玻璃基板，2是掃描線，3是信號線，4是 T F T，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電容器形成用電極，8是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保護膜， 1 1是液晶，1 2是B Μ，1 4是接觸孔洞，1 5是電晶體 (t r a n s i s t 〇 r )之源極電極，1 6是電晶體之沒極電極。另外，符號2 0是陣列基板，由玻璃基板1，信號線3，驅動電極5，和對向電極6等構成，3 0是對向基板，被配置成與陣列基板2 0面對，用來形成顯示晝面，4 0是縫隙，形成為信號線3和對向電極6之間之間隙，5 0是圖素之開口部。另外，圖3以模式方式表示在設有TFT4之一種之通道保護膜型T F T 2 1 (作為使用在圖2所之I P S型液晶顯示裝置之TFT4)之情況時之IPS型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖3a為其平面圖，圖3b為其剖面圖。下面將根據圖1和圖2用來說明I P S型液晶顯示裝置之圖素之構造。在該等圖中，符號1是玻璃基板，在該玻璃 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 15 1232341 基板1上形成有掃描線2。以覆蓋該掃描線2之方式積層閘極絕緣膜9，在該閘極絕緣膜9上設置信號線3。在該信號線3上積層保護膜1 0，在該保護膜1 0之上設置驅動電極5和對向電極6。T F T陣列基板2 0形成上述方式之構造。被設置成與上述之T F T陣列基板2 0面對之基板3 0是對向基板，在與上述之T F T陣列基板2 0之間挾持有液晶1 1。本發明之此種I P S型液晶顯示裝置用來產生沿著上述T F T 陣列基板之表面之電場，經由控制該電場之方向用來驅動液晶1 1。圖2是圖1所示之IPS型液晶顯示裝置之平面圖。在圖 2中，符號2是掃描線，3是信號線，該掃描線2和信號線 3所包圍之區域形成一個之圖素。4是被設在掃描線2和信號線3之交點之TFT，TFT4所具有之3個電極中之閘極電極與掃描線2連接，源極電極1 5與信號線3連接。TFT4 所具有之3個電極中之汲極電極1 6經由保護膜1 0 (圖中未顯示），利用上述之接觸孔洞1 4形成與驅動電極1 5連接。對向電極6以與該驅動電極5嚙合之方式，被設置成與該驅動電極5面對，該對向電極6形成在與共同配線8相同之層，成為互相連接。圖中未顯示者，共同配線8連接到鄰接之另一圖素之對向電極6。另外，驅動電極5和對向電極6及共同配線8同時形成在信號線3之更上之層。符號7是保持電容器用來保持驅動電極5之電位，使對向電極6和汲極電極1 6形成上下之積層。4 0是信號線3 和對向電極6之間之縫隙，被設在圖1所示之對向基板3 0 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 16 1232341 之Β Μ 1 2用來對以背面光作為光源透過上述縫隙4 0之洩漏光進行遮光。5 0是開口部，開口部之面積假如變大時，可以獲得高畫質之液晶顯示器。另外，該I P S型液晶顯示裝置因為在被設於T F Τ陣列基板2 0上之驅動電極5和對向電極6之間保持有電荷寫入到與T F Τ 4之汲極電極1 6連接之驅動電極5，用來產生沿著玻璃基板1之表面之電場藉以驅動液晶1 1，所以對向基板3 0是未具備有電極之無電極基板。下面將說明實施形態1之此種I P S型液晶顯示裝置之構成圖素之T F Τ陣列基板之處理流程（p r 〇 c e s s f 1 〇 w )之一實例。圖 4a、4b、5a、5b、6a、6b、7a、7b、8a 和 8b 表示 TFT 陣列基板之處理流程。圖9 a、9 b、1 0 a、1 0 b、1 1 a、1 1 b、 1 2 a、1 2 b、1 3 a和1 3 b表示T F T陣列基板之另一處理流程。另外，圖4a〜圖18a之左側之圖表示TFT陣列基板，圖4b〜圖1 8 b之右側之圖表示用以將掃描線2安裝在掃描線驅動電路之端子部。在圖 4a、 4b、 5a、 5b、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a和8b中，工程1(圖4a和4b)是在玻璃基板1之上形成掃描線2其方式是使用C r、A 1、Μ 〇、T a、C u、A 1 - C u、 Al-Si-Cu、Ti、W等之單體或其合金，或ITO(Indium Tin Oxide)等之透明材料，或該等之積層構造，形成膜厚為 5 0 n m至8 0 0 n m程度之厚度。該掃描線2具有作為T F T 4之閘極電極之功能。形成掃描線2時之餘刻（e t c h i n g )方法，在圖 4a、 4b、 5a、 5b、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 和 8b 中所示之實例是利用使剖面變成梯形形狀之錐形蝕刻（t a p e r 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 17 1232341 e ΐ c h i n g )，但是亦可以利用使剖面變成長方形之餘刻方法。工程2 (圖5 a和5 b)是以覆蓋掃描線2之方式堆積閘極絕緣膜9，然後連續的堆積摻雜（d 〇 p e )有非晶形矽 (amorphous silicon)，填（phosphorus)等之不純物之非晶形矽，然後對非晶形石夕進行圖型製作（P a 11 e r n i n g )，以通道蝕刻（h a η n e 1 e t c h )型形成T F T 4。閘極絕緣膜9之形成是使用氮化矽，氧化矽等之透明絕緣膜或閘極電極材料（亦即，掃描線2之材料）之氧化膜，或該等之積層膜，使其厚度適當的成為200nm〜600nm之程度。另外，亦可以使用摻雜有鱗等之不純物之微結晶石夕（m i c r 〇 c r y s t a 1 s i 1 i c ο η ) 等，用來代替上述之摻雜有磷等之不純物之非晶形矽之材料。工程3 (圖6 a和6 b )是信號線3與T F Τ 4之源極電極1 5 / 汲極電極1 6同時形成。信號線3亦具有作為源極電極1 5 之功能。該信號線3之形成是使用C r、A 1、Μ 〇、T a、C u、 Al-Cu、Al-Si-Cu、Ti、W之單體，或以該等作為主要成分之合金，或IT0等之透明材料，或使該等積層之構造。工程4(圖7a和7b)是利用氮化石夕（silicon nitride)，氧化石夕（s i 1 i c ο η ο X i d e )等之透明絕緣膜形成保護膜1 0，然後除去T F T 4之汲極電極1 6上之一部份之保護膜用來使驅動電極5和汲極電極1 6產生電連接，藉以形成接觸孔洞1 4。在這同時從掃描線2之端子部除去閘極絕緣9和保護膜 1 0，和從信號線3之端子部除去保護膜1 0，外部電路在除去掃描線2時可以與信號線3產生電連接。 18 326\ 總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 1232341 工程5(圖8a和8b)是使用Cr、Al、M〇、Ta、Cu、』 Al-Si-Cu、Ti、W之單體或其合金，或ITO等之透明或使該等積層之構造，或包含該等之積層之構造用驅動電極5和對向電極6作為用以產生沿著基板面方向之電場之電極。驅動電極5經由接觸孔洞1 4形極電極1 6連接。對向電極6連接到共同配線8。對 6經由汲極電極1 6和保護膜1 0形成重疊，藉以形保持驅動電極之電位之儲存電容器7。利用以上之程，在信號線3之上層（亦即，對向基板3 0側）具有極5和對向電極6，利用5次之照像製版工程，使蝕刻型T F Τ可以製作能夠對基板面施加水平方向之 T F Τ陣列基板2 0。在以上所說明之TFT陣列基板之處理流程中，端之形成是使用與掃描線2同一層之金屬，但是亦可 I TO用以形成端子。該I TO亦可以形成在掃描線或信或共同配線8之同一層。另外，最好對信號配線進触刻（s t r a i g h t e t c h i n g )後之錐形餘刻。另外，當之上積層A 1藉以形成信號線之情況時，在對A 1進製作後，對C r進行圖型製作時假如對C r過度蝕刻 etching)會變成遮蓋構造成為切斷之原因。為著防問題，在C r之圖型製作之後，再度的進行A 1之蝕如使A 1從C r端面後退時可以防止形成遮蓋構造。之蝕刻亦可以使用錐形蝕刻。此種方法可適用於使 Al 、 Mo、 Ta、 Cu、 Al-Cu、 Al-Si-Cu、 Ti ， W 之單體 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 19 l 1 - C u、材料，來形成之水平成與汲向電極成用以 5個工驅動電用通道電場之子22 以使用號線3 行直線在Cr 行圖型 (over 止此種刻，假該A 1 用Cr、，或以 1232341 該等作為主要成分之合金，或由ITO等之透明材料形成之 2種以上之不同金屬之積層構造，用以形成信號線之情況。在圖 4a、 4b、 5a、 5b、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 和 8b 中是使驅動電極5和對向電極6形成在同一層，但是也可以如圖5 a和5 b所示，使驅動電極5和信號線3同時形成，然後在使用氮化矽等形成保護膜1 0之後，形成對向電極6。在這種情況，驅動電極5和對向電極6形成在不同之層。另外，亦可以使用TFT4之一種之通道保護膜型電晶體2 1，用來代替圖 4a、 4b、 5a、 5b、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 和 8b 所示之TFT陣列基板所使用之TFT4。圖14a、14b、15a、 15b、16a、16b、17a、17b、18a和18b用來表示使用通道保護膜型電晶體2 1用以形成TFT陣列基板之處理流程。圖 14a、14b、15a、15b、16a、16b、17a、17b、18a 和 18b所示之TFT陣列基板用來構成圖3a和3b所示之IPS 型液晶顯示裝置之圖素，比圖9a、9b、10a、10b、11a、 lib、12a、12b、13a和13b所示之TFT基板形成有更多之分層。此種方式之工程之不同是在形成掃描線2後，以覆蓋掃描線2之方式堆積閘極絕緣膜9，在連續堆積非晶形矽，通道保護膜之後，形成通道保護膜2 1，以上述之通道保護膜2 1作為罩幕（m a s k )將P等之不純物離子植入（i ο η 1 m ρ 1 a n a t i ο η )到非晶形石夕用來形成η層，以此方式形成通道保護膜型電晶體（圖1 5 a和1 5 b)。實施形態1之此種IPS型液晶顯示裝置之TFT陣列基板 2 0之特徵構造是在陣列基板2 0上將驅動電極5和對向電 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 20 1232341 極6配置在信號線3之更上層（亦即，對向基板3 0側）。利用此種配置，接觸孔洞1 4之形成和從信號線3之端子部除去保護膜1 0之工程，與從掃描線2之端子部除去絕緣膜9 和保護膜1 0之工程，可以一次的實施。因此罩幕之張數可以減少一張用來使製造成本（c 〇 s t)降低。另外，使驅動電極5和對向電極6形成在與信號線3不同層之對向基板3 0側之層，可以利用實施形態5之後面所述之說明進行推測，由於被設置在圖2所示之開口部5 0 之端部之與信號線3鄰接之對向電極6和上述之信號線3 之電位差所產生之電場之影響可以減輕。因此，可以使開口部5 0之側端部之對向電極接近信號線3，藉以使開口部 5 0之面積變大。另外，在圖1中，驅動電極5和對向電極6因為直接接觸在被T F T陣列基板2 0和對向基板3 0包爽之液晶，所以可以有效的驅動液晶，驅動電極5和對向電極6之間之間隔可以變寬。因此具有可以更進一步改善開口率之效果。 (實施形態2 ) 圖1 9 a和1 9 b以模式方式表示本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之圖素電極之構造，圖19a為其平面圖，圖19b 是圖 19a 之 A-A 線剖面圖，圖 20a、20b、21a、21b、22a、 2 2 b、2 3 a、2 3 b、2 4 a和2 4 b表示陣列基板之處理流程。在該等圖中，符號1是玻璃基板，2是掃描線，3是信號線， 4是TFT，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電容器形成用電極，8是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保護 21 3 26\ 總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 1232341 膜，1 1是液晶，1 2是Β Μ，1 4是接觸孔洞，1 5是電晶體之源極電極，1 6是電晶體之汲極電極，1 8是穿通孔洞 (t h r 〇 u g h h ο 1 e )。另外，符號2 0是由玻璃基板1，信號線 3，驅動電極5，和對向電極6等所構成之陣列基板，3 0 是對向基板，被配置成與陣列基板2 0面對用來形成顯示晝面，4 0是信號線3和對向電極6之間之間隙之縫隙，5 0 是圖素之開口部。在實施形態1中是使共同配線8形成在與對向電極6相同之層，但是在實施形態2中則是如圖2 0 a、2 0 b、2 1 a、 2 1b、22a、22b、23a、23b、2 4 a 和 2 4 b 所示，在與掃描線 2相同之層，亦即在玻璃基板1上，形成共同配線8。源極電極1 5與信號線3連接，該信號線3經由閘極絕緣膜9 積層在上述之掃描線2和共同配線8上，然後經由保護膜 1 0形成驅動電極5和對向電極6。另外，驅動電極5經由接觸孔洞1 4形成與汲極電極1 6連接，對向電極6經由穿通孔洞1 8形成與共同配線8連接。至於T F T 4亦可以使用通道保護膜型TFT。實施形態2之此種I P S型液晶顯示裝置，與實施形態1 同樣的’因為驅動電極5和對向電極6形成在與信號線3 不同之接近液晶之層，可以有效的驅動液晶，所以驅動電極5和對向電極6之間之間隔可以變寬，藉以改善開口率。另外，因為共同配線8和掃描線2形成在相同之層，所以共同配線8和掃描線2 —起形成在平坦之玻璃基板1上，可以抑制共同配線8在階梯部發生斷線之問題，可以減少 22 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 1232341 不良之發生。因此可以提高製品之可靠度。另外，形態1中為著降低共同配線8之電阻所以不能使對 6薄膜化，但是在實施形態2中則可以使對向電極化。利用對向電極6之薄膜化可以使電極間隔之變小，可以實現涵蓋晝面全體之亮度不均變成很輕微顯示裝置。 (實施形態3 ) 圖2 5 a和2 5 b以模式方式表示本發明之實施形態晶顯示裝置之一圖素之構造，圖25a為其平面圖，是圖25a之A-A線剖面圖，圖26a、26b、27a、27b 2 8 b、2 9 a、2 9 b、3 0 a和3 0 b是陣列基板之處理流程等圖中，符號1是玻璃基板，2是掃描線，3是信？! 是TFT，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電成用電極，8是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保 1 1是液晶，1 2是B Μ，1 4是接觸孔洞，1 5是電晶體電極，1 6是電晶體之汲極電極。另外，符號2 0是基板1，信號線3，驅動電極5，對向電極6等構成基板，3 0是對向基板，被配置成與陣列基板2 0面：來形成顯示晝面，4 0是信號線3和對向電極6之間之縫隙，5 0是圖素之開口部。當形成T F Τ陣列基板2 0時，保護膜1 0由氮化矽矽等之透明絕緣膜形成，在保護膜1 0之表面具有階在本實施形態3中，因為保護膜之形成是使用丙烯 (acryl)-三聚氰胺（melamine)或丙烯酸（acryl)-環在實施向電極 6薄膜動減之液晶 3之液圖25b 、2 8 a、。在該 I線，4 容器形護膜，之源極由玻璃之陣列對，用之間隙，氧化梯。但酸氧樹脂 3 26\總檔Λ87\87110119VTF928014(分割子案) 23 1232341 (e p 〇 x y )等之材料，該等材料具有使所形成之膜之表面平坦化之功能，所以如圖25b和圖26a、26b、27a、27b、28a、 28b、29a、29b、30a和30b所示之保護膜10之表面不會有階梯，成為平坦者。實施形態3之此種I PS型液晶顯示裝置經由使保護膜1 0 之表面平坦化，可以用來使涵蓋顯示晝面全體之陣列基板之表面和對向基板3 0之間之距離（間隙）以良好之精確度變成均一之構造，可以製作涵蓋晝面全體之亮度不均變成很輕微之液晶顯示裝置。另外，由於保護膜1 0之階梯部之破裂等所造成之不良發生率變成很小，因此可以提高產量。另外，利用該平坦化可以對液晶之定向均勻的施加必要之摩擦（r u b b i n g )處理，可以實現定向很少變亂之高品質之液晶顯示裝置。另外，與實施形態1同樣的，因為將驅動電極5和對向電極6設在比形成信·號線3之層更靠近液晶之層，所以可以有效的驅動液晶，因為可以使驅動電極5和對向電極6 之間隔變寬，所以具有可以改善開口率之效果。 (實施形態4 ) 圖3 1 a和3 1 b以模式方式表示本發明之實施形態4之I P S 型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖31a為其平面圖，圖 3 1 b為圖3 1 a之A - A線剖面圖。在該等圖中，符號1是玻璃基板，2是掃描線，3是信號線，4是T F T，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電容器形成用電極，8是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保護膜，1 1是液晶，1 4是接 24

326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 1232341 觸孔洞，1 5是T F Τ 4之源極電極，1 6是T F Τ 4之沒極電極。另外，符號2 0是由玻璃基板1，信號線3，驅動電極5，對向電極6等構成之陣列基板，3 0是對向基板，被配置成與陣列基板2 0面對，用來形成顯示晝面，6 0是被設在玻璃基板1之遮光膜。實施形態4之特徵是在實施形態1至實施形態3之液晶顯示裝置之圖素構造中，在玻璃基板1上形成遮光膜用來對從信號線3和對向電極6之間之縫隙4 0 (參照圖4 3 a )漏出之光進行遮光。下面將根據圖31a、31b用來說用實施形態4之此種液晶顯示裝置之構造。在圖31b中，在玻璃基板1上形成遮光膜60。圖31b中未顯示之掃描線2亦形成在與遮光膜6 0相同之層。上述之掃描線2具有作為TFT4之閘極電極之功能。在該掃描線2 和遮光膜6 0上積層閘極絕緣膜9。在該閘極絕緣膜9上之與遮光膜6 0重疊之位置形成信號線3。另外，在閘極絕緣膜9上亦形成T F T 4。T F T 4可以使用通道蝕刻型T F T和通道保護膜型T F T之任何一方。T F T 4之源極電極1 5和汲極電極1 6亦形成在與信號線3相同之層，然後積層保護膜1 0。然後在保護膜1 0形成接觸孔洞1 4，設在保護膜1 0上之驅動電極5和設在閘極絕緣膜9上之TFT4之汲極電極經由該接觸孔洞1 4進行連接。與驅動電極5同樣的，在保護膜1 0上亦形成對向電極 6。對向電極6在與遮光膜60重疊之位置，被設置成經由保護膜1 0形成與汲極電極1 6重疊，用來形成儲存電容器 25 3 26\總檔\87\87110119\TF9280 Μ(分割子案) 1232341 7藉以保持驅動電極5之電位。另夕卜，對向電極6與同一層之共同配線8連接，在圖31a之圖素之兩端部線表示。該虛線表示設在圖3 1所示之玻璃基板1上之膜6 0在圖3 1 a之位置。如該虛線所示，經由使兩端之電極6形成與遮光膜6 0重疊之方式，用來覆蓋信號！和對向電極6之間之縫隙4 0 (參照圖4 3 a )。在貫施形態4中是使驅動電極5和對向電極6形成護膜1 0上，但是亦可以使驅動電極5和信號線3同時在閘極絕緣膜9上，在使用氮化矽等形成保護膜之後形成對向電極6。在這種情況，驅動電極5和對向電形成在不同之層。在實施形態4中因為經由使遮光膜形成在玻璃基板1上用來防止從信號線3和對向電極間之縫隙4 0 (圖中未顯示）產生光洩漏，所以對向基相之Β Μ 1 2之幅度可以變細，可以不必利用Β Μ 1 2進行信 3之方向之遮光。因此，可以省略ΒΜ1 2，藉以使開口大。另夕卜，該液晶顯示裝置之製造是使TFT陣列基板和彩色濾光片（color filter)之對向基板重疊的組合，晶1 1封入到該等基板之間，然後連接驅動電路。但是使T F T陣列基板和對向基板重疊組合之工程會產生重差。因此，為著要使Β Μ能夠對從T F T陣列基板2 0之 4 0洩漏之光確實的進行遮光，所以必需考慮上述之重合之誤差，採用較大之遮光區域（參照圖4 3 a)。其中由將遮光膜6 0設在T F T陣列基板2 0，可以對縫隙等 326\總檔\87\87110119VTF928014(分割子案) 26 設在以虛遮光對向泉3 在保形成，再極6 60 6之 L 30 號線部變具有將液 .，在疊誤縫隙疊組，經之漏 1232341 光之透過部確實的進行遮光，不需要考慮T F T陣列基板和對向基板之重疊組合誤差。因此，Β Μ 1 2可以使用最小限度之尺寸（s i z e )，藉以使開口部變大。另外，實施形態4之此種I P S型液晶顯示裝置，與實施形態1之I P S型液晶顯示裝置同樣的，因為將驅動電極5 和對向電極6設在接近液晶之層，所以可以有效的驅動液晶，因為可以使電極間之間隔變寬，所以具有可以改善開口率之效果。 (實施形態5 ) 圖3 2 a和3 2 b以模式方式表示實施形態5之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖32a為其平面圖，圖32b是圖3 2 a之A - A線剖面圖。在該等圖中，符號1是玻璃基板， 2是掃描線，3是信號線，4是TFT，5是驅動電極，6是對向電極，7是保持電容器形成用電極，8是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保護膜，1 1是液晶，1 2是Β Μ，1 4是接觸孔洞，1 5是電晶體之源極電極，1 6是電晶體之汲極電極。另外，符號2 0是由玻璃基板1，信號線3，驅動電極 5，對向電極6等構成之陣列基板，3 0是對向基板，被配置成與陣列基板2 0面對，用來形成顯示晝面。實施形態5之特徵是構建成與實施形態1同樣的，使驅動電極5和對向電極6形成在信號線3之上之層，然後以覆蓋信號線3之方式形成對向電極6，促成不容易受到來自信號線3之洩漏電場之影響，和不會從信號線3和對向電極6之間之縫隙4 0 (參照圖4 3 a )產生洩漏之光。另外， 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 27 1232341 圖3 3表示以覆蓋信號線3之方式形成之驅動電極5和形成在與該驅動電極5相同層之對向電極6之間所產生之電位之變化之模擬（s i m u 1 a 1 e )結果。另外，圖3 3所示者是以相對透過率50%之中間色調顯示白窗（window)時，計算窗部之上部或下部之電位之結果。圖4 6表示在信號線3之下層具有驅動電極5和對向電極 6之習知之I P S型液晶顯示裝置之T F T陣列基板之電位分布，當使圖4 6和圖3 3進行比較時，在圖3 3中，信號線 3 3和對向電極6之電位差所產生之電場，因被覆蓋在信號線3之上部之對向電極6遮蔽，所以開口部5 0之接近信號線3之區域和遠離信號線3之區域之電位分布形成大致對稱。依照這種方式，實施形態5之此種I P S型液晶顯示裝置之T F T陣列基板2 0因為將驅動電極5和對向電極6設在信號線3之上之層，和以覆蓋信號線3之方式形成對向電極 6，用來使信號線3和對向電極6之間所產生之電場，對驅動電極5和對向電極6之間所產生之電場之影響可以大幅的減輕，所以可以使開口部5 0之端部之對向電極6更接近信號線3，用來使開口部5 0之總面積可以變大。另外，對向電極6因為形成覆蓋信號線3之方式，所以可以確實的進行漏光之遮光，亦可以不需要Β Μ 1 2。因此，開口部5 0之面積可以變大，所以可以提供高亮度之液晶顯示裝置。另外，因為可以削減設置Β Μ 1 2之工程，所以可以改善生產效率和製造低成本之液晶顯示裝置。另外，與實 3 26\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 28 1232341 施形態1同樣的，因為將驅動電極5和對向電極6形成在接近液晶之層，所以可以有效的驅動液晶，可以使電極間之間隔變寬，和可以改善開口率。 (實施形態6 ) 圖3 4 a和3 4 b以模式方式表示實施形態6之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖34a為其平面圖，圖34b是圖34a之A-A線剖面圖。另外，圖34a和34b所示之實施形態6之I P S型液晶顯示裝置之圖素之構造，因為基本上與圖3 2 a和圖3 2 b所示之實施形態5之I P S型液晶顯示裝置之圖素之構造相同，故其說明加以省略。在實施形態5 中所示之情況是設置具有完全覆蓋信號線3之構造之對向電極6，但是在圖3 4 a和3 4 b所示之實施形態6之I P S型液晶顯示裝置之圖素之對向電極亦可以使用具有覆蓋信號線3之一部份之構造之對向電極6。依照實施形態6時，因為形成使對向電極6覆蓋在信號線3之一部份，所以可以減輕信號線3和對向電極6之電位差所產生之電場，對驅動電極5和對向電極6之間之電場之影響，和可以進行透過信號線3和對向電極6之間之縫隙4 0之漏光之遮光，所以Β Μ 1 2之幅度可以變細，可以實現開口部寬廣之高亮度之液晶顯示裝置。另外，因為不需要Β Μ 1 2，可以削減設置Β Μ 1 2之工程，所以可以提高生產效率。另夕卜，因為信號線3和對向電極6之重疊面積變小，所以信號線3和對向電極6之間很少發生短路之缺陷。另外，因為信號線3和對向電極6之重疊面積變小，所以 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 29 1232341 信號線3和對向電極6之間之電容量可以變小，可以減少配線之負載使驅動變為容易。 (實施形態7 ) 圖3 5 a和3 5 b以模式方式表示實施形態7之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造，圖35a為其平面圖，圖35b是圖35a之A-A線剖面圖。另外，因為圖35a和圖35b所示之實施形態7之I P S型液晶顯示裝置之圖素之構造，與圖 3 4 a和圖3 4 b所示之實施形態5之I P S型液晶顯示裝置之圖素之構造相同，故其說明加以省略。實施形態7之特徵是在圖3 4 a和3 4 b所示之實施形態6之液晶顯示裝置之圖素構造中，擴大形成對向電極6至掃描線2上，使用上述之對向電極6用來連接與該圖素鄰接之其他圖素之對向電極 6 〇經由使用此種構造，因為對向電極6之幅度變粗，對向電極6之電阻降低，負載減小，所以變成很容易驅動。另外，即使在共同配線8產生斷線時，因為從掃描線2上之對向電極6供給電位，所以不會有顯示上之不良。因此可以提高製品之可靠度。另外，實施形態7之對向電極6之構造，並不只適用於實施形態7，而且也可以適用於其他之實施例，可以獲得同樣之效果。 (實施形態8 ) 圖3 6以模式方式表示本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之一圖素中之保持電容器之剖面構造。在該圖中，符號 1 7是形成在玻璃基板1上之用以增加保持電容量之電極， 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 30 1232341 1 6是T F T之汲極電極，如圖所示之實施形態8之液裝置之保持電容器部之形成是使增加保持電容量用 1 7經由閘極絕緣膜9的與T F Τ之汲極電極1 6重疊形成積層。依照這種方式，經由使保持電容器部之成積層構造，因為用以形成保持電容器之電極之面減小，所以其結果是圖素之開口部5 0 (圖中未顯示）寬。 (實施形態9 ) 圖 37a、 37b、 38a、 38b > 39a、 39b、 40a、 40b、 4 1 b、4 2 a和4 2 b用來表示實施形態9之T F T陣列基理流程。在圖 37a、37b、38a、38b、39a、39b、40a 4 1 a、4 1 b、4 2 a和4 2 b中，符號1是玻璃基板，2是掃 3是信號線，4是TFT，5是驅動電極，6是對向電；是共同配線，9是閘極絕緣膜，1 0是保護膜，1 4是洞^ 1 5是電晶體之源極電極’ 1 6是電晶體之 >及極電是第2保護膜。另外，陣列基板2 0由玻璃基板1， 3 ’驅動電極5 ’對向電極6等構成。實施形態9是在圖4a至18a和4b至18b所示之列基板形成第二保護膜1 9。因此，實施形態9之液裝置之一圖素之構造與實施形態1相同。下面將說形態9之液晶顯示裝置之製造方法。實施形態9之列基板之處理流程，在迄對向電極6之形成工程前施形態1相同。實施形態9之特徵是在對向電極6 形成第2保護膜1 9。 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案) 31 晶顯示之電極，藉以電極形積可以可以變 41a、板之處、40b、描線’ Φ，8 接觸孔極，1 9 信號線 TFT陣晶顯不明實施 TFT陣，與實之上層 1232341 經由在驅動電極和對向電極6之間形成第2保護膜1 9，可以防止由於異物使上述之驅動電極5和對向電極6產生短路，藉以提高產量。另外，由於驅動電極5和對向電極 6所造成之階梯因為可以平坦化，所以可以均一施加液晶之定向所需要之摩擦處理，很少使定向變亂，可以實現高品質之液晶顯不裝置。依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為使驅動電極和對向電極形成在與信號線不同之接近液晶之層，所以利用驅動電極和對向電極之形成在接近液晶之層，可以更有效的驅動液晶。因此，驅動電極和對向電極之間之間隔可以變寬，藉以改善開口率。另外，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為在驅動電極和對向電極之中，至少使對向電極形成在與信號線不同之層和接近液晶之層，所以可以抑制由於信號線和對向電極之電位差所產生之電場之影響。另夕卜，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為使對向電極形成覆蓋在信號線之一部份或全部，所以可以抑制由於信號線和對向電極之電位差所產生之電場，對開口部之驅動電極和對向電極間所產生之電場之影響，藉以抑制晝質之劣化在顯示上發生問題。因此，可以進行高晝質之液晶顯示，因為以背面光作為光源之來自信號線和對向電極之間之漏光可以確實的遮斷，所以不會有黑基塊，可以改善開口率。另外，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案） 32 1232341 至少將對向電極設在與掃描線不同之層，形成覆蓋在上述掃描線之一部份或全部之方式，所以可以使用該對向電極連接其他圖素之對向電極，不需要減小開口部之面積就可以使對向電極之幅度變粗。因此，經由使對向電極之電阻降低可以用來減輕配線之負載。另外，即使共同配線產生斷線時，因為從掃描線上之對向電極供給電位，所以可以抑制顯示上之不良之發生，藉以提高可靠度。另外，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為將共同配線和掃描線設在同一層，和將信號線設在比上述之共同配線和掃描線更接近對向基板之層，所以可以抑制在階梯部發生不良。另夕卜，依照本發明之I P S型液晶顯示裝置時，因為具備有保護膜用來使T F T陣列基板和液晶之接合表面形成大致平坦之形狀，所以可以使涵蓋顯示晝面全體之陣列基板之表面和對向基板之間之間隙構成精確的均一，可以均一的施加液晶之定向所需要之摩擦處理，可以減少定向之變亂，可以實現涵蓋晝面全體之亮度不均變成很輕微之液晶顯示裝置。另外，在保護膜之階梯部由破裂而造成不良之發生率變成很小，因此具有可以改善產量之效果。另夕卜，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為將T F T陣列基板設置成具有遮光裝置，利用信號線和對向電極之重疊組合而形成，所以可以對透過縫隙之漏光進行遮光，不需要在對向基板裝置BM。另外，在決定遮光裝置之尺寸時，因為可以不需要考慮到T F T陣列基板和對向基 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 33 1232341 板之重疊組合時之誤差，所以可以使遮光裝置之尺寸成為所需之最小限度之大小，藉以改善開口率。另外，依照本發明之此種I P S型液晶顯示裝置時，因為具有TFT陣列基板使TFT，驅動電極，和保持電容器增加電極形成在不同之層，成為重疊之方式，所以用以形成保持電容器之電極之面積可以減小，該部份之圖素之開口部可以變大，具有可以實現高亮度之液晶顯示裝置之效果。【圖式簡單說明】圖1是剖面圖，用來表示本發明之實施形態1之IP S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖2是平面圖，用來表示本發明之實施形態1之IPS型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖3a和3b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態1之I PS型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖 4a、 4b、 5a、 5b、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 和 8b 用來表示本發明之實施形態1之I P S型液晶顯示裝置之T F T陣列基板之處理流程。圖 9a、9b、10a、10b、11a、lib、12a、12b、13a 和 13b 用來表示本發明之實施形態1之I P S型液晶顯示裝置之 TFT陣列基板之處理流程。圖 14a、 14b、 15a、 15b、 16a、 16b、 17a、 17b、 18a 和 1 8 b用來表示本發明之實施形態1之I P S型液晶顯示裝置之TFT陣列基板之處理流程。圖19a和19b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案） 34 1232341 施形態2之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖 20a、 20b、 21a、 21b、 22a、 22b、 23a、 23b、 24a 和 2 4 b用來表示本發明之實施形態2之I P S型液晶顯示裝置之TFT陣列基板之處理流程。圖2 5 a和2 5 b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態3之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖 26a、 26b、 27a、 27b、 28a、 28b、 29a、 29b、 30a 和 3 0 b是剖面圖，用來表示本發明之實施形態3之I P S型液晶顯示裝置之T F T陣列基板之處理流程。圖31a和31b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態4之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖32a和32b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態5之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖3 3表示驅動電極和對向電極位於信號線之上層時之電位分布。圖34a和34b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態6之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖35a和35b是平面圖和剖面圖，用來表示本發明之實施形態7之I P S型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖3 6是剖面圖，用來表示本發明之實施形態8之I P S 型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖 37a、 37b、 38a、 38b、 39a、 39b、 40a、 40b、 41a、 4 1 b、4 2 a和4 2 b用來表示本發明之實施形態9之I P S型液晶顯示裝置之T F T陣列基板之處理流程。 35 326\總檔\87\87110119\丁?928014(分割子案) 1232341 圖43a和43b是平面圖和剖面圖，用來表示習知之IPS 型液晶顯示裝置之一圖素之構造。圖44表示習知之IPS型液晶顯示裝置之一圖素之等值電路。圖4 5是構造圖，用來表示習知之I P S型液晶顯示裝置之構造。圖4 6表示驅動電極和對向電極位於信號線之下層時之電位分布。圖47是串擾圖。 (元件符號說明） 1 玻璃基板 2 掃描線 3 信號線 4 TFT( 薄膜電晶體） 5 驅動電極 6 對向電極 7 電極 8 共同配線 9 閘極絕緣膜 10 保護膜 11 液晶 12 黑基塊 (BM) 13 保持電容器 14 接觸孔洞 326\總檔\87\87110119VTF928014(分割子案) 36 1232341

15 源極電極 16 汲極電極 18 穿通孔洞 20 陣列基板 2 1 通道保護膜型 TFT 22 端子 30 對向基板 40 縫隙 50 開口部 60 遮光膜 10 1 信號線驅動電路 1 02 掃描線驅動電路 1 03 共同配線用電路 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 37

Claims

1232341 — 、拾、申請專利範圍iL _ „ 1 . 一種水平電場控制型液晶顯示裝置，其特徵是具備有：玻璃基板；閘極絕緣膜，形成在該玻璃基板上；保護膜，形成在該閘極絕緣膜上；掃描線，形成在上述之玻璃基板上，用來傳達掃描信號；信號線，形成在上述之閘極絕緣膜上，用來傳達影像信號；格子狀之圖素，由上述之掃描線和上述之信號線之交叉所形成；薄膜電晶體，用來使被設在上述圖素之上述掃描線和上述信號線產生連接，根據掃描信號用來進行影像信號之交換；驅動電極’形成與該薄膜電晶體連接，對向電極，被配置成與該驅動電極面對； TFT陣列基板，由共同配線所形成，用來使該對向電極和其他圖素之對向電極互相連接；對向基板被設置成與該TFT陣列基板面對；和液晶，被封入到上述之TFT陣列基板和上述之對向基板之間，由上述之驅動電極和對向電極所產生之平行於基板面之電場加以驅動；其中，上述之TFT陣列基板是將上述之驅動電極和對向電極形成在上述信號線上層所形成的上述保護膜上，且將上述共 38 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案) 1232341 同配線和上述掃描線設在相同之層。 2 . —種水平電場控制型液晶顯示裝置，其特徵是具備有：玻璃基板；閘極絕緣膜，形成在該玻璃基板上；保護膜，形成在該閘極絕緣膜上；掃描線，形成在上述之玻璃基板上，用來傳達掃描信號；信號線，形成在上述之閘極絕緣膜上，用來傳達影像信號；格子狀之圖素，由上述之掃描線和上述之信號線之交叉所形成；薄膜電晶體，用來使被設在上述圖素之上述掃描線和上述信號線產生連接，根據掃描信號用來進行影像信號之交換；驅動電極，形成與該薄膜電晶體連接；對向電極，被配置成與該驅動電極面對； TFT陣列基板，由共同配線所形成，用來使該對向電極和其他圖素之對向電極互相連接；對向基板被設置成與該TFT陣列基板面對；和液晶，被封入到上述之T F T陣列基板和上述之對向基板之間，由上述之驅動電極和對向電極所產生之平行於基板面之電場加以驅動；其中，上述之、TFT陣列基板是至少將上述對向電極形成在上述信號線上層所形成的上述保護膜上，而上述對向電極形成覆蓋在信號線之一部份或全部。 39 326\總檔\87\87110119\TF928014(分割子案)