TWI228686B

TWI228686B - Organic light-emitting display device

Info

Publication number: TWI228686B
Application number: TW091135049A
Authority: TW
Inventors: Shingo Ishihara; Takayuki Ouchi; Yoshiro Mikami; Kazuhito Masuda; Sukekazu Aratani
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2002-02-06
Filing date: 2002-12-03
Publication date: 2005-03-01
Also published as: JP2003303687A; CN1278295C; JP4310984B2; TW200302993A; KR100540416B1; US20080299861A1; CN1437177A; US20050127372A1; KR20030067547A; US7408197B2; US7909672B2; US6864638B2; US20030146693A1

Description

1228686 ⑴ 玖、發明辑明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式解說明) 技術領域本兔明關於一種a機：啦光顯示裝置，特定言之為一種利用有機發光元件特別適合顯示圖像的有機發光顯示裝置。先前技術隨著真正多媒體時代的來臨，以平面式顯示裝置做為人機介面日益引人注目。目如的平面式顯示裝置已使用液晶顯示器。然而液晶顯示裝置具有可視角度範圍窄小和低反應速率的特性。近年來，有機發光顯示裝置已被人視為是下一代的平面式顯示裝置。換句話說，有機發光顯示裝置具有在自發光大範圍可視角度、及南反應速率方面相當優異的特性。在此等有機發光顯示裝置中，像素係使用有機發光元件構成，且此等有機發光元件的結構中有一第一電極（例如 ITO)、一由一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層等組成之有機層、及一具有小功函數的第二電極提供在一玻璃基板上。當一大約數伏特之電壓施加於該等電極之間，電洞被注入該第一電極内，而電子被注入該第二電極内，且該等電洞和電子分別通過該電洞傳輸層或電子傳輸層以在該發光層内相互耦合，藉以產生激子（excltons)。光線在激子回復其基態時發射。因而發射之光線透過透明第一電極傳送，且彳之基板的背側離開。使用有機發光元件做為像素之顯示系統包含簡單型矩陣 1228686 L發明麵有機發光顯示裝置以及主動型矩陣有機發光顯示裝置。簡單型矩陣月機發光顯不裝置包括在複數個陽極線和陰極線之交會位置提供之一由一電洞傳輸層、一發光層、: 電子傳輸層等組成的有機層，且每一像素在一個圖框週期田中接通選疋日$間。该遙定時間為一將一個圖框週期除以陽極線之數量得到的時間寬度。簡單型矩陣有機發光顯示裝置具有結構簡單.的優點。然而，該選定時間隨像素數量增加而縮短，使得其必須提高驅動電壓以藉此在該選定時間内增強瞬時發光度 (luminance)且在一個圖框週期内將平均發光度帶到一預定值。疋以會造成有機發光元件之壽命縮短的問題。此外，由於有機發光元件係由電流驅動，會產生因線路電阻而造成的電壓降且電壓無法一致地施予每一像素，尤其是在一大型螢幕的情況中，結果是在顯示裝置造成亮度變動。因此，簡單型矩陣有機發光顯示裝置在螢幕清晰度之增強以及尺寸加大方面有所侷限。另一方面’在主動型矩陣有機發光顯示裝置中，一由一以一到四個膜電晶.體和一電容器組成之開關元件建構的驅動元件連接至一建構每一像素之有機£匕（發光）元件，且其有可忐在一個圖框週期内完全接通。因此，沒有必要增強冗度，且其有可能延長有機發光元件的壽命。因此，主動 5L矩陣有機；兔光顯示裝置在清晰度增強以及螢幕尺寸加大方面有其優點。在習知有機發光顯示裝置中，發出的光線是從基板背側 1228686

離開，目此在主㈣㈣有機發光顯示裝置内之_孔徑比受到限制’其中—驅動部分在該基板與有機發光元件I間提供。為了解決上述問題，頃有將上部第二電極做成透明的且從上部電極側引出發射之光線的提案。舉例來說，美國專利第5,703,436號揭示一種有機£丄元件，其中上部電極是由兩個層構成，使用_Mg、八^等之注入層做為一第一層，使用一1丁〇（銦錫氧化物）等之透明電極做為一第二層’且光線是從該上部電極引出。此外，日本專利公開案第6·163 158號（1994)揭示一種有機 EL元件，其包括一由一透明鹼土族金屬氧化物和一透明陰極材料組成的電子注入層。此外’日本專利公開案第2〇〇Ν148291號揭示一種像素結構，其中有一分隔壁形成於一驅動元件之一電極與一建構一像素之一有機發光元件之一下部電極連接在_主動型矩陣有機:發光顯示裝置内的位置之一上部部分。該專利案亦揭示此結構亦可應用於一光線是從上部電極側引出的顯示裝置。 ^ μ 在上述習知技藝中，使用一透明傳導膜做為第二電極以從上部電極側引出光線。在此情況中，必然要以一低溫讓膜生成以便不至於對做為一下層之有機層造成損害。因此，該膜之電阻與一 Α1金屬膜或類似物相較之下其電阻率比後者咼出300倍以上。此外，即使是在第二電極是由一金屬膜構成的情況中，為了減輕對做為下層之有機層的損宝， (4) 1228686

不可能加大此金屬膜的厚度。因此，面板尺寸的加大有著電極之高電阻的問題。此外，在習知主動型矩陣有機發光顯示裝置中，用來把在有機發光元件之有機層相反側上之第一電極（陽極）和第二電極（陰極）與-電源連接的電流供應線是藉由—驅動層之一金屬膜的使用而形成。在此情況中，連接至電源之一負極的電流供應線與有機發光元件之第二電極（陰極）間的連接係透過-形成於一層間絕緣膜内在一無像素區（例如一面板邊緣的附近）内提供的接觸孔進行。換句話說’隸屬於每一像素之有機發光元件的第二電極與電流供應線是透過接觸孔相互連接。在此情況中，由於接觸孔係做為-饋電點且饋電點與每_有機發光元件之第電極仏藉由電流供應線連接’線路的電阻隨著從接觸孔到像素的距離而異。因此’施加至建構像素之有機發光元件的有效電壓隨線路電阻而異’且發光度數值依像素位置改變。發明内容因此'，.本發明之一目的為提出一種有機發光顯示裝置，其能減小因連接至一有機發光元件之—電極之線路的電阻而造成的亮度變動’且提出一種製造該有機發光顯示裝置的方法。本發明之另一目的為提出一種有機發光顯示裝置，立能降低因線路電阻而造成、驭之〜像°口 ^退化，且提出一種製造该有機發光顯示裝置的方法。 -10- (5) (5)1228686

依據本發明之一觀點，在此提出一種有機發光顯示裝置，其包括複數個像素，每一像素為一最小圖像單元，且以複數個有機發光元件做為每一像素，其中在配置於該複數個’機發光兀件之一有機層之相反側上的一對電極中，隸屬於每一像素之一有機發光元件之一侧上的至少一個電極在每一像素之一顯示區内連接至一電流供應線。在建構該有機發光顯示裝置時，可將配置在該複數個有機發光元件之有機層相反側上之該對電極之一側上的一個電極在每一像素之顯示區内連接至該電流供應線，且可藉由使用不同發光顏色之發光元件做為該複數個發光元件的方式形成一彩色圖像。此外，在藉由使用不同發光顏色之複數個有機發光元件的方式形成一彩色圖像的情況中，在配置於該複數個有機發光元件之有機層之相反側上的該對電極中，隸屬於每一像素之一有機發光元件之一側上的至少一個電極可在每一像素之顯示區内連接至該電流供應線。再者，可在包容每一像素之一顯示區内提供至少一個電、/；il供應線’且在配置於該複數個有機發光元件之有機層之相反側上的該對電極中，隸屬於每一像素之一有機發光元件之側上的至少一個電極可在母一像素之顯示區内連接至該電流供應線。在建構每一前述有機發光顯示裝置時，可增添以下要素 (1)至（11)。 (1)將一包括用來驅動該有機層之驅動元件的驅動層 -11- (6) 1228686 發樊說_ 堆疊在一基板上，再藏, $上一包括連接至該等驅動元件之信唬線和知·描線的佈缋展 ^ # 7C ^ ^ ^ 、、、 3，再以一像素基準將該複數個有機毛光件之有機層連同配罟乂兮士 ^ a 極對堆疊在該佈❹[ 有機層之相反側上的電 " 且將该電流供應線配置在該佈線透過一層間絕緣膜連接至-側上的電極。 (2)將一包含用來驅動該有機層之驅堆疊在一基板上，㈣。 I上包括連接至該等驅動元件之信號線和掃描線的佈線a，i 一 ^ m再以一像素基準將該複數個有機發光元件之有機層诖同 , $俄縻逑冋配置在該有機層之相反側上的電 ° 1隹且在4佈線層上，且將該電流供應線配置在該佈線層與該有㈣之間並透過—層間絕緣膜連接至電極。巧 (3) 使配置在該複數個有機發光元件之有機層相反側上之電極對當中在一側上的電極形成於該基板上該有機層之上部部分做為第二電極，與一形成於該基板上該有機層之一下部部分的第一電極相對，且該電流供應線連接至5亥第二電極之一上部部分。 (4) 將一包括用來驅動該有機層之驅動元件的驅動層堆豐在一基板上，再疊上一包括連接至該等驅動元件之作號線和掃描線的佈線層，再以一像素基準將該複數個有機發光元件之有機層連同配置在該有機層之相反側上的電極對層壓在該佈線層上，使配置在該複數個有機發光元件一之有機層相反側上之電極對當中在一側上的電極形成於該基板上該有機層之一上部部分做為第二電極，與一形 7人 -12- 1228686 ⑺ 發麵於該基板上該有機層之一下部邱广#邛分的弟一電極相對，且該電流供應線形成於該第二電極之一上部部分。 (5) 該電流供應線是沿每_ ^像素以一師網形式形成。 (6) 該電流供應線對應於各又争毛 > 卜化於母一像素之每一有機發光元件劃分成複數個電流供應線，且、凡丘依此方式劃分之該複數個電供應線分別連接至备一 /Α ^ 巧设主母像素之每一有機發光元件做為專用的電流供應線。 (7) 該電流供應線是沿像素間之每一空間形成。 (8) 該電流供應線形成為覆蓋每一像素。 (9) 一指定發光顏色之有機發光元件是由一效率或壽命高於其他發光顏色之有機發光元件之材料的材料組成。 (1〇)使配置在該複數個有機發光元件之有機層相反側上之電極*f m -側上❺電極形成⑥一基板上該有機層之一上部部分做為一第二電極，與一形成於該基板上該有機層之一下部部分的一第一電極相對，該第一電極連接至一電源之一正極做為陽極，且該第二電極連接至該電源之一負極做為陰極。 (11)该第二電極是由一讓光線穿透傳送之透明材料構成。依據本發明之另一觀點，在此提出一種製造有機發光顯示裝置之方法’用以製造前述有機發光顯示裝置其中之一 4方法包括以下步驟：在一基板上形成一包括複數個有機發光元件之有機層，形成一包括用來驅動該複數個有機發光元件之驅動元件的驅動層，形成一包括連接至該等驅 1228686 (8) 麵鋼繼動元件之信號線和掃描線的佈線層，在該有機層之上側上或該有機層之下側上形成電流供應線，在一於該等電流供應線之附近提供的層間絕緣膜内形成接觸孔，且透過該等接觸孔連接配置在該複數個有機發光元件之該有機層相反側上之電極對之一側上的電極與該等電流供應線。依據上述方法，至少隸屬於每一像素之一有機發光元件之一側上的電極會在每一像素之一顯示區内連接至該電流供應線，使得對每一像素而言用來連接該等有機發光元件之一側上之電極與一電源之該等電流供應線的線路電阻為一致’且每一像素内的線路電阻為可忽略地小；因此，能夠減小因用來連接該等有機發光元件之電極與該電源的線路電阻而造成的亮度變動’且能抑制該顯示區内的亮度變動。

在本說明書中，像素（Pixel)意指最小單元，由複數個像素以一矩陣形式配置在一顯示裝置之一螢幕上用以顯示字符或圖像。此外，子像素（sub_pixel)意指在顯示裝置内將像素更進一步劃分以進行顏色顯示的最小單元。在一彩色圖像的結構中是由三種顏色的子像素組成，亦即通常使用綠色、紅色和藍色子像素。此外，顯示區（dlsplay z〇ne)意指在一顯示裝置中顯示一圖像的區域。在本說明書中，有機發光元件㈤game llght-emittlng device)為一種元件，在其結構中有一第一電極、一第一注入層、一第一傳輸層、一發光層、一第二傳輸層、一第二注入層、一第二電極、及一保護膜或一密封用（對向）基板提 -14- 1228686

供在一基板上。有機發光元件採取下述兩種構造的其中之一。第-種構造是以第一電極為陽極且以第二電極為陰極的構造。在此情況中，第一注入層和第一傳輸層分別是一電洞注入層和一電洞傳輸層。此外，第二傳輸層和第二注入層分別是一電子傳輸層和一電子注入層。第二種構造是以卜電極為陰極且以第=電極為陽極的構造。在此情況中，第一注入層和第一傳輸層分別是一電子注入層和一電子傳輸層。此外，第二傳輸層和第二注入層分別是一電洞傳輸層和一電洞注入層。在上述構造中，可能涵蓋了缺乏第一注入層或第二注入層的結構。此外，可能有一種結構以發光層亦做為第一傳輸層或第二傳輸層。其中陽極最好是一傳導膜，其有一大功函數且增強電洞的注入效率。具體實例包含金和鉑，然這些材料並不具限制性。此外，陽極可為以二元系為基礎，例如銦錫氧化物（1丁〇) 、銦鋅氧化物（IZO)、銦鍺氧化物等，或是以三元系為基礎，例如姻錫鋅氧化物等。不僅止於以含有銦氧化物之組合物做為一主要組份，亦可使用含有錫氧化物、鋅氧化物或類似物之組合物做為一主要組份。在使用IT〇的情況中，常見是使用在銦氧化物内含有5份至10份重量百分比之錫氧化物的組合物。產製氧化物半導體之方法的實例包含一濺鍍法、一 Ε Β氣體沈積法、及一離子蒸錄法。 -15- 1228686

發明說嘯頁一 Iri2〇3-Sn〇2基透明傳導膜及一 ίη2〇3·Ζη〇基透明傳導膜的功函數分別是4 6eV* 4 6eV，其得藉由紫外線臭氧輻射、一氧電漿處理或類似方式增強制大約5 2eV。當InArSnO2基透明傳導膜是在基板溫度提高至大約 2〇〇 C的條件下以濺鍍方式形成，該傳導膜是以一多晶狀態獲侍。由於多晶狀態會因為結晶顆粒而導致一不良表面平坦度，其表面最好經研磨。就另一種方法來說，最好採用以一非晶狀態生成透明傳導膜然後藉由加熱使其成為一多— 晶狀態的方式。在有電洞注入層的條件下，不一定要用一具有大功函數之材料形成陽極，且可為由一般傳導膜構成。傳導膜之材料的較佳具體實例包含金屬如鋁、銦、鉬、錄和以上金屬之合金，以及無機材料如多晶石夕、非晶石夕錫氧化物、銦氧化物、和銦錫氧化物（ITO)。此外’最好h用有機材料如聚苯胺、和聚g吩、及傳導、土 k搭配冑I塗佈方法做為傳導膜之形成程序。這些材料亚不具限制性，且這些材料可以其中二種或更多材料合併使用。其中的電洞注入層最好是由一具有一適當離子化可能度的材料構成以降低陽極與電洞傳輸層之間的注入障壁。此卜電/同/主入層最好扮演著埋平其下層之表面粗糙的角色私洞左入層材料之具體實例包含銅酞青素、星芒胺一 ( stoamine)合物、聚苯胺、聚喹吩、叙氧化物、鉬氧化物產了氧化物、和链氧化物，這些並不具限制性。 -16- (ii) 1228686

其中的電洞傳輸層扮演著傳輸電洞及將電洞注入發光層内的角色因此，電洞傳輸層最好有一高電洞遷移率。此外，電洞注入層最好是化性穩定。電洞注入層最好有一小離子化性，及—小電子親和力。此外，電洞傳輸層最好有-高玻璃轉移溫度。電洞傳輸層材料之較佳實例包含 N，N’-雙（3-甲基苯基）·ν，ν、二苯基_〔 u，·聯笨〕乂4，_二胺 (TPD) 4,4 _雙〔N_(l-萘基）善苯胺基〕聯苯（q _NpD)，

4,4，，4'三（N-咔唑基）三苯胺（TCTA)，及丨，3,5·三〔N|二苯胺基苯基）苯胺基〕苯（p_DPA-TDAB)。當然，這些材料是不具限制性的，且這些材料可以其中二種或更多材料合併使用。在本說明書中，發光層（llght-emittlng laye〇意指一種層，其中注入的電洞與電子相互耦合，造成以其材料特有之一波長發射光線。有一種情況是由建構發光層之主體材料本身發射光線以及由一以微量添加至主體材料之摻雜材料發射光線。較佳之主體材料具體實例包含聯苯乙埽伸芳基衍生物（DPVBi)，在骨架内有一苯環之希羅（sll〇le)衍生物 (2PSP) ’在兩端具有三苯胺結構之氧代二唑衍生物（EM2) ，具有一罪基之哌瑞酮衍生物（P 1 )，在兩端具有三苯胺結構之低喹吩（BMA-3T)，茈衍生物（tBu_PTC)，三（8-羥基口查啉）鋁，聚對伸苯基伸乙烯基衍生物，聚喹吩衍生物，聚對伸苯基衍生物，聚石夕烧衍生物，及聚伸乙酿基衍生物。當然’這些材料是不具限制性的，且這些材料可以其中二種或更多材料合併使用。 •17- 1228686

乜4材料之較佳具體實例包含啥吖咬酮，香豆素_ 6，尼羅河紅（NUe Red)，紅螢烯，仁（二氰亞甲基）_2_?基_6(對匕_ 一甲胺基苯乙烯基Mh_^(dcm),及二味。坐衍生物。當然，這些材料是不具限制性的，且這些材料可以其中二^ 或更多材料合併使用。其中的電子傳輸層扮演著傳輸電子及將電子注入發光層内的角巴。因此，電子傳輸層最好具有高電子遷移率。電子傳輸層材料之較佳實例包含三（8_羥基喹啉）鋁，园二唑衍生物，S1lole衍生物，及鋅-苯并發唑錯合物。當然，這些材料是不具限制性的，且這些材料可以其中二種或更多材料合併使用。用來製造前述電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、及電子傳輸層之方法的實例包括一真空氣體沈積法，一電子束 (EB)氣體沈積法，一濺鍍法，一旋塗法，一鑄造法，及— 喷墨法。以沈積法為每一層進行之圖案化作業最好如下所述··將 -具備-對應⑥-圖冑形狀造形（開口❸罩幕保持與一I · 板緊密接觸或靠近，且在此狀態下將_材料從—蒸發源^ 發至該基板以便在該基板上形成該圖案。 _ 以旋塗法和鑄造法為每一層進行之圖案化作業最好如下所述··藉由雷射燒蝕或類似方式將形成在一基板之全表面 * 不屬於一膜圖案的部分剝除，將該圖案留在該基板上。 — 以一噴墨法為每一層進行之圖案化作業最好如下所述 ••將一可溶性有機材料溶入一溶劑内，且將所得溶液從/ ’ -18- 1228686 可動噴嘴射到-基板上以便在該基板上形成一圖案的形狀。其中的電子注入層是用來增強從陰極到電子傳輸層之電子注入的效率。電子注入層材料之較佳具體實例包含氟化經’氟化鎭’氟化_ ’ m以匕鎖，鎮氧化物，及鋁氧化物。當然，這些材料是不具限制性的，且這些材料可以其中二種或更多材料合併使用。其中的陰極最好是-有-小功函數且增強電子注入效率的傳導膜。陰極材料之具體實例包含鎂_銀合金，鋁-鋰合金，鋁-鈣合金，鋁-鎂合金，和金屬鈣，這些材料是不具限制性的。在有上述電子注入層之條件下，陰極並不一定要由使用一具有低功函數之材料來構成，且得使用廣義的金屬材料。較佳的具體實例包含金屬如鋁、銦、鉬、和鎳、以上金屬之合金’多晶碎’和非晶碎。在本务月中，g以陰極做為第二電極（透明電極）時，最好是在陰極之一下部部分提供電子注入層。在有電子注入層的條件下，得使用一具有高功函數之透明傳導膜做為陰極。具體實例包含一 In2〇3_Sn〇2基透明傳導膜及一 Ιη203-Ζη〇基透明傳導膜。特定言之，使用In2(vs吨基透明傳導膜在一液晶顯示系統内做為像素電極。其中的保護層係形成在第二電極上，用以防止大氣環境- 中的He和〇2穿入第二電極或穿入在第二電極底下提供2 月機層。 -19- 1228686 發麵麵質曼層材料之具體實例包含無機材料如Si02、SiNx、和 —2 3及有機材料如聚氣茈 '聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲 / K氣乙烯、聚偏氟乙烯、氰乙基出芽短梗孢糖、甲基丙烯馱曱酯、聚颯、聚碳酸酯、和聚醯亞胺，這些材料是不具限制性的。實施方式 [實施例以下參照圖式說明依據一本發明第一實施例之有機發光 ❻示系統。圖1為該有機發光顯示裝置之一像素的平面圖；圖2八為一沿圖1之線Α-Α，取得的剖面圖；且圖2Β為一沿圖i 之線B-B’取得的剖面圖。在圖1和2中，複數條掃描線 106,106’以一預定間隔排列在一玻璃基板116上，且用以傳送圖像資料和類似物之信號線109,109,，1 09”以一預定間隔依一正交於每一掃描線之方向排列。也就是說，該等掃描線和信號線是以一格柵形式排列，且受到掃描線和信號線包圍之區域建構一個像素之一顯不區。此外在玻璃基板116 上’連接至一電源之一正極的複數條第一電流供應線1 1 〇平. 行於信號線109排列，且連接至該電源之一負極的複數條第二電流供應線111平行於信號線109和第一電流供應線11〇排列。掃描線106、信號線1〇9、第一電流供應線11〇及第二電流供應線111是以隸屬於玻璃基板1丨6上一佈線層之線路提供，在其間S己置有一層間絕緣膜。一建構一身為一彩色圖像之一最小單元之像素的複數個有機發光元件是配置在該佈線層之上側上。每一有機發光元 -20- (15) (15)1228686

發明說嚷I 件係當作一子像素，其包括一包含一 ^ φ . 電洞傳輸層121、一發先層122、一電子傳輸層123、和一胥子注入層124之有機層，及配置在該有機層之相反側上的_ θ _贷-兩w /人第電極（陽極）115和 ..φ ^ ^ "於母像素之有機發光元件的第-電極⑴透過-做為—驅動元件之電晶體電流供應線1 10，而隸屬於每一像辛 γI之有機發光元件的第二電極125透過-形成於每一像素之顯示區内一第二層間絕緣膜119和-第三層間絕緣膜12Q内的接觸孔ιΐ4連接至第二電流供應線m。也就是說，隸屬於每_像素之有機發光元件的第二電極125是藉由做為—镇電點之接觸孔ιΐ4連接至第一電流供應線111。此外，在玻璃基板116上，提供一用來驅動每一像素之有機層的驅動層。該驅動層包括一第一電晶體101、一第二電晶體102及一電容器104做為驅動元件。第一電晶體1〇丨之閘極連接至掃描線106，其源極連接至信號線1〇9，且其汲極連接至第二電晶體之閘極和電容器1·〇4之一上電極1〇8。第二電晶體102之汲極連接至電容器1〇4之一下電極1〇5和第一電流供應線110，且其源極連接至第一電極丨丨5。圖丨和2 僅緣出一個像素的結構。其次說明一種製造由上述方式建構之有機發光顯示系統的方法。首先以一低溫化學氣體沈積法（LPCVD法）在玻璃基板116上形成'50¾微米厚的非晶碎（s-Si)膜。所用材料為SkH6，且基板溫度設定在450°C。接下來，利用xeCi準分子雷射讓該膜之全表面經歷一雷射退火處理。此雷射退 •21- (16) (16)1228686

火處理是以兩階段進行，且第一階段和第二階段量分別是188毫焦耳/平方公分和29〇毫焦耳/平方公分Y在= 條件下，非晶矽會結晶成多晶矽（p-Si^接下來，利用Ch 以乾蝕刻方式使多晶矽圖案化，藉此形成第一電晶體ι〇ι 之一 /舌性層103、第一電晶體^ 〇2之一活性層1 〇3，、及電容器104之下電極105。接下來，形成一 100毫微米厚的Sl〇2膜做為一閘絕緣膜 117。該Si〇2膜是以四乙氧矽烷（TE0S)為材料經一電漿增強化學氣體沈積法（PECVD法）形成。然後以一濺鍍法形成一50毫微米厚的TlW膜，並圖案化以形成閘極107,107’。掃描線1〇6及電容器上電極1〇8亦與其一起圖案化。接下來，在4x 1015 i〇n/cm2和80 keV的條件下以一離子注入法將P離子從閘絕緣膜117之上側注入已圖案化多晶石夕層内。此時P離子不是注入閘極1〇7，1〇7,出現在該上側上之區域内，且這些區域變成活性區1 〇3，10.3，。然後，讓基板116在一 N2純氣環境内以3 0 0 °C加熱3小時使離子活化讓摻雜作業能有效地進行。多晶矽（p-Si)之離子注入區變成具有2k Ω /□的薄膜電阻。一矽氮化物（SiNx)膜形成於其上做為一厚度為200毫微米的第一層間絕緣膜118。接下來，在活性層103，103’兩端之上部部分於閘絕緣膜 11 7及第一層間絕緣膜π 8内形成接觸孔（圖中未示）。此外，一接觸孔（圖中未示）形成於第一層間絕緣膜118内在第二電晶體102之閘極1 〇7，之一上部部分。 -22- 1228686 ⑼ 發纖嘯頁在其上側上以一錢鍍法形成一 500毫微米厚的A1膜。信號線109、第一電流供應線11 〇和第二電流供應線丨丨丨由一光學微影步驟形成。此外，形成第一電晶體丨〇1之一源極112和一及極11 j以及第二電晶體1 〇 2之一源極112，和一汲極11 3，〇接下來’將電容器下電極1 連接至第一電晶體1 〇 1之及極11J ’且將第一電晶體1 〇丨之源極1丨2連接至信號線丨〇9。此外’將第一電晶體101之汲極113連接至第二電晶體1〇2之閘極107’ ’且將第二電晶體ι〇2之汲極113,連接至第一電流供應線110。再者，將電容器1〇4之上電極1〇8連接至第一電流線110。隨後’形成一遍及於第二層間絕緣膜U9tSlNx膜。該 SiNx膜之厚度為500毫微米。一接觸孔（圖中未示）形成在第二電晶體102之汲極112，之一上部部分，且以一濺鍍法在其上形成一 150毫微米厚的IT〇膜，且以一光學微影法形成第一電極115。接下來’形成一正性光敏保護膜（pC452)(其為JSR之產品）做為第二層間絕緣膜12 0。在此情況中，此膜是以一旋塗法形成’其塗佈條件為1〇〇 rpin和3〇秒、基板116放置在一熱平板上且以9 0 C預烘烤2分鐘。隨後，藉由使用一光罩以一條紋圖案形成接觸孔丨14的方式進行混合物的曝光作業。接下來，使用一顯影液ρΕ)-523 (其為JSR之產品）在室溫下以4〇秒鐘進行顯影作業，且在顯影之後在室溫下以純水清洗6〇秒鐘。在清洗之後，以365 -23- Ϊ228686 麵_冥5 宅微米之波長和3 〇〇臺隹：g： / jQi古八八 ouu^焦耳/+方公分的強度進行後期曝光，且在一乾淨烤箱内以22(rc進行後期烘烤卜丨、時。由PC452形成之第三層間絕緣膜12〇的厚度是2微米，且第一電極11 5的邊緣被蓋到6微米。接下來參照圖2B說明建構一像素之有機發光元件的結構。讓具備第-電極115在最上部之玻璃基板ιΐ6依序在丙嗣和純水内進行超音波清潔3分鐘，然後旋轉乾燥並在一烤箱内以120°C進行30分鐘烘乾。一-

Ik後，進行〇2電漿清潔作業。電漿清潔室内之真空度為3 Pa ’ 〇2之流率為22毫升/分鐘，RF功率為2〇〇瓦，且清潔時間為3分鐘。在〇2電㈣潔作業使基板116在不暴露於大氣環境的狀態下置入一真空氣體沈積室。接下來以真空氣體沈積法在第一電極11 5上形成一 5 〇亳微米厚的M-雙〔N仆萘基）善苯胺基〕聯苯膜（以下簡稱為a -NPD膜）。將大約60毫克的材料置入一 Μ〇製昇華艇内，且以〇.ι5± 〇.〇5毫微米/秒鐘之氣體沈積速率進行氣體沈積作業。此時藉由使用一蔭罩形成圖案。氣體沈積面積是第一電極丨15之每一側的1.2倍。該α-NPD膜做為一電洞傳輸層121。在其上側上，以二元同時真空氣體沈積法形成一個2〇毫微米厚之三（8-羥基喹啉）鋁和喹吖啶酮（以下分別簡稱為 Alq和QC)的共同氣體沈積膜。 - 分別將約40毫克和約10毫克之Alq和qc材料置入兩個m〇製昇華艇内，且分別以0.40 士〇〇5毫微米/秒鐘和〇•㈧士 -24- 1228686 v J 發明麵績頁 ----- 〇·〇〇)毛U米/秒知之氣體沈積速率進行共同氣體沈積作業乂此Alq + Qc共同氣體沈積膜做為發光層丨22。以一真空氣體沈積法在其上形成一2〇毫微米厚的蝴膜。將大約:〇毫克的材料置入一Mo製昇華艇内，且以〇15土〇〇5毫微米/ 秒鐘之氣體沈積速率進行氣體沈積作業。以此Alq膜做為電子傳輸層123。在私子傳輸層123上形成_Mg*Ag之混合膜做為電子注入層124。在此情況中，以二元同時真空氣體沈積法用…一和Ag刀別以〇. 14± 〇 05毫微米/秒鐘和〇〇1± 〇〇〇5毫微米/ 秒鐘之氣體沈積速率形成一 1〇毫微米厚的膜。接下來由一濺鍍法形成一 5〇毫微米厚的in_z.〇膜（以下簡稱為IZO膜）。以該膜做為第二電極125，且為一非晶系氧化物膜。使用一具有In/(In+zn)=0 83的標靶。薄膜形成條件為以一 Ar:〇2混合氣做為環境氣體，真空度為〇 2 Pa ,且賴輸出功率為2瓦/平方公分。以由一 Mg: Ag/In⑽層壓膜構成之第二電極125做為陰極，其透射比為65%。在此情況中如圖2A所不，第二電極125連接至第二電流供應線⑴ 、幵/成於第一層間絕緣膜i 1 9和第三層間絕緣膜1 2 〇内的接觸孔114做為一饋電點。也就是說，每一像素之有機發光元件的第一電極125是在每一像素的區域内連接至第二電流供應線111 ’以接觸點114做為一饋電點。隨後以一熱C VD法在第二電極丨25上形成一 5〇亳微米厚-的SiNx膜。以該膜做為保護層126。在依據本實施例之有機發光顯示裝置中，發出的光線是 -25- (20) 1228686 發明mm 從保護層126之側?丨出，使得該ίζ〇膜被用作第二電極丨25 。該ΙΖΟ膜具有80Ω/α的薄膜電阻。 —在使為第二電極125且將第二電極⑵連接至第二電流供應線U1的情況t，當每一像素之第二電極125 使用的饋私占疋在面板顯不區之一末端部分提供且此饋電 =如圖3A所示經由第二電流供應線⑴連接至每一像素之弟—電極125’會因為gp番太品时一馮配置在面板顯不區之末端部分的像素與配置在面板顯示區之—中央部分的像素之間的ιζ〇膜而在線路電阻產生變動，使得施加至每一像素之電壓產生變動’從而產生面板亮度變動。另方田，在依據本實施例之有機發光顯示裝置中，如圖2A=B和3B所示，每一像素之有機發光元件的第二電極 125與第二電流供應線lu在每—像素之顯示區内相互連接乂接觸孔114做為一饋電點。因此，每一像素内因膜 =導致之線路電阻變得一致，得以防止施予每一像素之電 [產生艾動’並藉此得以防止面板亮度產生變動。此外本灵施例中之第二電流供應線丨丨丨具有大約〇 2 ω 的總線路電阻，使得每一像素内之線路電阻為可忽略的小 ’且得以抑制面板亮度產生變動。 [實施例2] 7參…、圖4和5說明一依據本發明第二實施例之全彩有機毛光”、、員不衣置。該顯不裝置包括在一發綠光像素區之一下郤σ卩:的一第二電流供應線和一饋電點且具有高效率和長使用可〒。圖4為一依據本實施例之有機發光顯示裝置之一 -26- 1228686 (21) [ww« 像素區的平面圖，且圖5為一沿圖4所示像素區之線A-A，取得的剖面圖。為了顯示一彩色圖像，本發明之結構中具備複數個做為彩色圖像之最小單元的像素，提供綠色、紅色和藍色有機發光元件做為建構每一像素之子像素，且每一像素之有機發光7C件之一第二電極125在綠色有機發光元件之顯示區内連接至一第二電流供應線111，其他構造與第一實施例大一致相同。具體而言’利用與第一實施例相同之方法在一玻璃基板 116上形成一綠像素第一電晶體204、一綠像素電容器205、一綠像素第二電晶體2〇6、一紅像素第一電晶體2〇7、一紅像素電容器208、一紅像素第二電晶體2〇9、一藍像素第一電晶體210、一藍像素電容器211、一藍像素第二電晶體212 、化5虎線1〇9，1〇9’，1〇9”、掃描線106，106，、第一電流供應矣 110,110 ,110 第一電流供應線1 1 1、一第一層間絕緣用

11 8、一第一層間絕緣膜1丨9及一接觸孔1 14。建構綠像素、紅像素和藍像素之有機發光元件的形成方法如下所述。第二層間絕緣膜119上形成一綠像素第一電極2〇1、一紅像素第一電極202和一藍像素第一電極2〇3。其方法與第一實施例中用以形成第一電極115的方法相同。第一電極 201，202,203分別透過形成於第二層間絕緣膜119内之接觸孔（圖中未示）連接至第二電晶體2()6,2()9,212之源極，且綠像素第電極201並不受由接觸孔工14建構之饋電點覆蓋。 -27- 1228686

接下來，如同第一實施例，形成一第三層間絕緣膜i 2〇 ’且第三層間絕緣膜120也不受由接觸孔114建構之饋電點覆蓋。 ί1 边後’為每一像素共同在第一電極2〇ι，2〇2,2〇3上形成一 a -NPD層做為一電洞傳輸層ι2ι。其形成條件與實施例1相同’薄膜厚度控制在5〇毫微米，且氣體沈積速率控制在〇^ 5 ± 0.0)愛微米/秒鐘。氣體沈積作業係使用一罩幕以使饋電點不党電洞傳輸層12 1覆蓋的方式進行。接下來’形成每一像素之發光層213,214,215。形成一 Alq 和Qc的共同氣體沈積層做為綠像素之發光層213。其形成條件與第一實施例相同。後开^成紅像素之發光層2 14。也就是說，以二元同時真空氣體沈積法形成一 40毫微米厚之Alq和尼羅河紅（以下簡稱為Nr)的共同氣體沈積膜。分別將約10毫克和約5毫克之Alq和Nr材料置入兩個Mo 製什華艇内，且使Alq*Nr分別以〇 4〇± 〇〇5毫微米/秒鐘和〇·〇1± 0.005毫微米/秒鐘之氣體沈積速率進行氣體沈積作業。接下來形成藍像素之發光層215。也就是說，以一真空氣體沈積法形成一 40毫微米厚之聯苯乙烯伸芳基衍生物（以下簡稱為DPVBi)膜。將約4〇毫克之dpvBi材料置入一 Mo製汁華艇内’且以0.4〇± 〇.〇5毫微米/秒鐘之氣體沈積速率進行氣體沈積作業。隨後為每一像素共同形成一電子傳輸層123。也就是說， 1228686 v ' 發明說明顧以一真空I體沈積法形成-2G毫微米厚的Alq膜。在此情況將、力40¾克之材料置入一M〇製昇華艇内，且以ο。士 0.05毫微米/秒鐘之氣體沈積速率進行氣體沈積作業。 …接下來，在電子傳輸層123上形成一 Mg-Ag合金膜做為一電子注入層124。其形成條件與第一實施例相同。在其上形成一ιζ〇膜做為一第二電極125。其形成條件與第一實施例相同。第一電極125連接至第二電流供應線丨丨丨，以形成於第二層間絕緣膜U8和第三層間絕緣膜119内之接觸孔114做為一饋電點。隨後以一熱CVD法形成一 50毫微米厚的SlNx膜。以該膜做為保護層126。在本實施例中，如同第一實施例，接觸點114係用來在每一像素之顯示區内連接第二電極125與第二電流供應線iu ，使得因第二電極125而導致之線路電阻變動受到抑制，且得以減小面板亮度變動。此外，在本實施例中，第二電流供應線u丨係形成於綠像素區内且不形成於紅像素區和藍像素區内，如此雖然會在綠像素區内導致孔徑比降低，但如此在紅像素區和藍像素區内不會因接觸孔114之形成而導致孔徑比降低。在此情況中，若綠像素區内之孔徑比降低程度為1〇%，有可能藉由將亮度提高1 〇%的方式適應此孔徑比降低。換句話說，由 -於電流密度與亮度成正比，有可能以提高電流密度丨〇%的方式適應此孔徑比降低。應了解到即使電流密度增加了 -29- I228686

〇%机往綠像素之電流不會改變，因為其孔徑比降低了 10%。另方面，倘若與電壓成一非線性關係之亮度增加了％則電壓會增加1至2%。因此，如果亮度提高1 〇%，功率9加量為1至2%。順帶一提，用於綠像素之有機發光元件的效率比起紅色和藍色元件之材料的效率高出數倍，是以此功率增加對一全彩面板來說無關緊要。因此藉由採用依據本實施例之結構，能不降低全彩面板之效率而抑制面板的亮度變動。 [實施例3] 7參圖6和7說明一依據本發明第三實施例之全彩有機發光顯示裝置。該顯示裝置包括在—發綠光像素區之一下部部分的一第二電流供應線和一饋電點，其建構為從一基板之背側引出光線，且具有高效率和長使用壽命。圖6為一本實施例之有機發光顯示裝置之一像素的平面圖，且圖7 為一沿圖6之線A-A，取得的剖面圖。在本實施例中，在一第二電極125之上側上提供一密封基板309以防止大氣環境中之水、氧氣及類似氣體穿入第二電極125、該第二電極下方之一有機層、或是該第二電極與有機層間之介面’其他構造與第二實施例大致相同。具體而言，利用與第二實施例相同之方法在一玻璃基板 116上形成一綠像素第一電晶體2〇4、一綠像素電容器、一綠像素第二電晶體206、一紅像素第一電晶體2〇7、一紅像素電容器208、一紅像素第二電晶體2〇9、一藍像素第一 -30- 1228686 發明說嘯頁電晶體21〇、-藍像素電容器211、—藍像素第二電晶體川、信號線⑽，109，，109，，'掃描線106 106，、第一電流供應線 110，110，，丨10”、一第二電流供應線"1、-第-層間絕緣膜 Π 8、及一第二層間絕緣膜丨丨9。一接下來是在第二層間絕緣膜上形成綠像素、紅像素、和 &像素之第-電極3()1，3()2,3()3。其形成條件與第二實施例相同。本實施例與第二實施例的差別在於綠像素第一電極一 3〇1小到不會與電容器205、第一電流供應線ιι〇或第二電流供應線111重疊。隨後如同第二實施例在第二層間絕緣膜i 19和第三層間絕緣膜120内形成一接觸孔114，且將接觸孔114製作成一饋電點。在其上側上形成綠像素、紅像素和藍像素共有之一電洞傳輸層121。其形成方法與第二實施例相同。接下來以與第二實施例相同的方法形成每一像素之發光層 304,305,306 ° 以與實施例2相同的方法在每一像素之發光層 304,305,306上形成綠像素、紅像素和藍像素共有之一電子傳輸層123。隨後在電子傳輸層123上形成一 LiF膜做為一電子注入層 124。此0.5毫微米厚的膜是由一真空氣體沈積法以〇〇5 士 0.01毫微米/秒鐘的氣體沈積速率形成。一接下來’在電子注入層124上形成一 A1膜做為一第二電極 125。此150毫微米厚的膜是由一真空氣體沈積法以1± 〇〇5 οι- 1228686

宅微米/秒鐘的氣體沈積速率形成。第一電極125連接至第二電流供應線丨丨丨，以形成於第二層間絕緣膜119和第三層間絕緣膜丨洲之接職ιι4做為一饋電點。隨後，將具備驅動部分和有機發光元件之基板（有機EL 基板）106移入一密封室内，在此室内將露點維持在_9〇。(：同時循環一脫水氮氣，不讓基板1〇6暴露於大氣環境。接下來，將-玻璃基板導入該密封室内。該玻璃基板變成一密封基板（對向基板）309。用一密封劑施配裝置將一光固化樹脂施加至構成該玻璃基板之密封基板3〇9的邊緣部分。光固化樹脂之密封寬度為2〇〇微米。將10微米直徑之玻璃珠以1份重量百分比的量載入該光固化樹脂内。使密封基板 309和有機EL基板3 10在該密封室内相互黏著，且在一〇5公斤重/平方公分的負載下相互壓抵。將一遮光板放在密封基板j 0 9的外侧上阻擋UV光照到全部顯示區，且從密封基板 3 09之侧進行UV光照射使光固化樹脂固化。使用一鹼金屬鹵化物燈做為—uv光源以4〇〇〇毫焦耳/平方公分的輻射強度照射4分鐘。有機EL基板3 10與密封基板309之間的間隙長度是由該光固化樹脂内所含之玻璃珠的直徑決定為1〇微米。在本實施例中，如同第一實施例，在像素内部具備一用來連接第二電極125與第二電流供應線1丨丨之饋電點，使得因第二電極125之電阻而導致之線路電阻分散受到抑制，且 •32- 1228686 p明說明續頁減小面板亮度變動。此外’在本實施例中，如同第二實施例，第二電流供應線11 1僅形成在綠像素區之一下部部分，使得每像素之雷流即使在綠像素之孔徑比約為50%的情況中也不會改變。另一方面，電壓會提高大約7%。因此，在本實施例中，功率提高大約7% ’然其以與第二實施例相同之方式不會導致全彩面板的性能降低。 [實施例4] 今參照圖8和9說明一依據本發明第四實施例之全彩有機發光顯示裝置。該顯示裝置包括在一第二電極之上側上的第二電流供應線。圖8為一本實施例之有機發光顯示裝置之一像素的平面圖，且圖9為一沿圖8之線A-A，取得的剖面圖。在本實施例中，不同於在同一層内形成一第二電流供應線111的方式，在一覆蓋隸屬於每一像素之一有機發光元件之一第二電極125的保護層126的上側上形成一八丨膜4〇2做為第二電流供應線，且從一基板之背側引出發射的光線，其他構造與第一實施例大致相同。具體而言’利用與第一實施例相同之方法在一玻璃基板 116上形成一第一電晶體1〇1、一電容器1〇4、一第二電晶體 1〇2、信號線1〇9，1〇9，、掃描線1〇6，1〇6，、第一電流供應線 110，110’、一第二層間絕緣膜119、一第一電極115、及一第 - 二層間絕緣膜119。在其上側上，一電洞傳輸層121、一發光層122和一電子 -33- (28) 1228686

傳輸層123以與該實施例相同的方法形成。 /接下來以與第三實施例相同的條件在電子傳輸層⑵上形成一UF膜做為一電子注入層丨24。、隨後以與第三實施例相同的條件在電子注入層124上形成一A1膜做為一第二電極。接下來，以一熱CVD法形成一 100毫微米厚的SlNx膜。以 -光學微影法去除該膜，同時在像素區上第—電極115與第 - 二電極125相互重疊之處留下一上部部分。在圖8和9中，、矛多- 除區為4〇1和401，。在此情況中，該SiNx膜在像素區内當作一保護層12 6。上以一濺鍍法在保護層126上形成一八丨膜，薄膜厚度為5〇〇耄微米。以此層做為一卜電流供應、線。在像素區内具備保護膜126的條件下，因該…膜之形成而對下層之電子傳輸層123、發光層122及電洞傳輸層121造成的損害會減小。& 在依據本實施例之有機發光顯示系統中，形成於每一像素之第二電極125之一上部部分的第二電流供應線4〇2透過形成於保護層126和每一像素附近之區4〇1，4〇1，内的接觸孔 (圖中未示）連接至第二電極125,使得第二電極125之線路電阻的受動減小，且因而能使面板表面之亮度變動減小。此外，由於形成於保護層126上之第二電流供應線4〇2有一保護功能，有機發光顯示裝置的壽命得以延長。

[實施例5J 今麥照圖1 0和1 1說明一依據本發明第五實施例之有機發光顯示裝置。該顯示裝置包括成一篩網形式（格柵形式）的第 -34- (29) (29)1228686 發興_| -兒机供應線。圖1()為—依據本實施例之有機發光顯示裝置之一像素的平面圖’且圖"為-沿圖10之線A-A，取得的剖面圖。在本實施射，為了以_篩網形式形成第二電流供應線 ’將第二電流供應線5〇1，5〇1，形成為平行於信號線1〇9，1〇9, ，且將第二電流供應線5〇2形成為平行於掃描線1〇6，1〇6,，使得第二電流供應線的面積就整體來說加大，藉此設法讓第二電流供應線之電阻降低，其他構造與第一和第二實施例大致相同。具體而言，以與第一實施例相同的方法在一玻璃基板ii6 上形成一第一電晶體101之一活性層1〇3、一第二電晶體1〇2 之一活性層103,、及一電容器之下電極1〇5。接下來以與第一實施例相同的方法形成一閘絕緣層117 。在其上側上，以圖案化的方式形成一閘極丨〇7、掃描線 106,106’、及一電容器上電極1〇8。第二電流供應線5〇2形成於此層内。在其上側上’以與第一實施例相同的條件形成一第一層間絕緣層11 8。接下來’在活性層10 3，10 3 ’之兩端的上部部分於閘絕緣膜 117和第一層間絕緣層118内形成接觸孔。此外，一接觸孔形成在第二電晶體10 2之閘極12 1之一上部部分於第一層間絕緣層118内。此外’一接觸孔5 04 ’形成在第二電流供應線 502 上。在其上侧上’以與第一實施例相同的方式形成一信號線 -35- 1228686 (30) 發明觀㈤ 1 〇9、一第一電流供應線11 〇及第二電流供應線5〇丨，5 〇丨，。第二電流供應線502在一饋電點504,連接至第二電流供應線 501，。此外’形成第一電晶體1 〇 1之一源極2和一没極11 3以及苐一電晶體1 〇 2之一源極112 ’和一；:及極11 3，。將電容器下電極105連接至第一電晶體ι〇1之汲極113，將第電晶體10 1之源極112連接至信號線1 〇 9，且將第一電晶體101之汲極113連接至第二電晶體之閘極1〇7，。此外，將第二電晶體102之汲極113,連接至第一電流供應線11〇，且將電谷為上電極10 8連接至第一電流供應線11 〇。接下來，以與第一實施例相同的方式形成第二層間絕緣層118、第一電極114和第三層間絕緣層119。在其上側上，以與第一實施例相同的方式形成一電洞傳輸層丨2丨、一發光層122、一電子傳輸層123、一電子注入層124、和一第二電極 125。第二電極125在饋電點503，，504,連接至第二電流供應線 501，。在此之後，以與第三實施例相同的方式將具備驅動元件和有機發光元件之基板與一密封基板3〇9相互黏著。在依據本實施例之有機發光顯示系統中，第二電極1 與第二電流供應線501，，502,在每一像素之顯示區内相互連接，使得第二電極125之線路電阻的變動減小。特定言之，-由於第二電流供應線5〇1’,5〇2’是形成為一篩網形式，第二電流供應線之線路電阻更進一步降低，且因而能使面板表 1228686 V ；發明說8牖頁面之亮度變動減小。本發明貫施例採用之篩網構造的第二電流供應線是以每一子像素之信號線方向（縱向）和掃描線方向（橫向）配置。為減小線路電阻之變動’第二電流供應線並不一定就每一子像素依縱向和橫向配置。舉例來說，如本實施例就每一子像素依縱向配置第二電流供應線，同時僅就位在顯示區之中央部分之子像素依橫向配置第二電流供應線。此構造比一僅依縱向配置第一電流供應線的構造減小線路電阻的艾動此外，與第五實施例做比較，雖然線路電阻的變動加大，連接依縱向配置之第二電流供應線與依橫向配置之第一包流供應線之接觸孔的數量減少，此改善了流程廢品率。依橫向配置之第二電流供應線可為每二個、三個或四個子像素地形成。此外，即使依橫向和縱向形成之第二電流供應線的佈置方式互換亦能產生相同效果。 [實施例6 ] 今參,日、?、圖1 2和13說明一依據本發明第六實施例之全彩有機發光顯示裝置。該顯示裝置具有通往在建構一像素之複數個子像素提供之第二電流供應線的饋電點。圖12為一依據本實施例之有機發光顯示裝置之一像素的平面圖，且圖 13為一沿圖12所示像素區之線A-A，取得的剖面圖。一在本實施例中，為了就建構每一彩色圖像之每一像素的每一子像素形成通往第二電流供應線111，1丨丨，，m，，之饋電點’第二電流供應線11 1，Η 1 ’，1 Π ”是分別形成於紅像素、綠 -37- I228686 (32) 發稱說明續頁像素和藍像素之顯示區内，且一第二電極125透過每一子像素之顯示區内的接觸孔114,1 14，，1 14”連接至第二電流供應線Ul，lll，，llr，，其他構造與第二實施例大致相同。具體而言，利用與第二實施例相同之方法在一玻璃基板 116上形成一綠像素第一電晶體204、一綠像素電容器205、一綠像素第二電晶體206、一紅像素第一電晶體207、一紅像素電容器208、一红像素第二電晶體209、一藍像素第一一電晶體2 10、一藍像素電容器211、一藍像素第二電晶體212 、信號線109,1 09’，109，，、掃描線1〇6,106,、第一電流供應線 11 〇, 11 〇’，11 0”、第二電流供應線 i i ii i ii i i，，、一第一層間絕緣膜11 8、及一第二層間絕緣膜119。接下來’在第一層間絕緣膜1丨8和第二層間絕緣膜11 9内分別於第二電流供應線丨丨丨，丨丨丨，’丨丨丨，，之上部部分形成接觸孔114,114’，114” ’將每一接觸孔114,114，，114，，製作成一饋電點。隨後在與第二實施例相同的條件下為綠像素、紅像素和藍像素形成第一電極201，202,203。第一電極2〇 1，2〇2,203的形狀繪於圖1 2。接下來，以與第二實施例相同的方法形成一第三層間絕緣膜120。隨後，以與第二實施例相同的形成條件分別在子像素第一電極2〇1，2〇2,2〇3上形成電洞傳輸層6〇1，6〇3,6〇5。電洞傳-輸層6〇1，6〇3,605是以分別不會覆蓋接觸孔li4 ii4，，n4，，之圖案形成，以該等接觸孔做為饋電點。 -38- 1228686

發明說嘯頁接下來’以與第二實施例相同的方法分別在電洞傳輸層 601，603,605 上形成發光層 213,214,215。隨後，以與第二實施例相同的方法分別在發光層 213,21 4,215上形成電子傳輸層602,604,606。接下來’以與第二實施例相同的形成條件在電子傳輸層 602,604,606上形成一 Mg-Ag合金膜做為一電子注入層124 。以與第二實施例相同的形成條件在電子注入層124上形成一 IZO膜做為一第二電極125。第二電極125透過形成在第一層間絕緣膜118和第二層間絕緣膜11 9内之接觸孔114,114，，114”分別連接至第二電流供應線111，111 ’，111”。也就是說，每一子像素之第二電極ι25 在每一子像素之顯示區内連接至第二電流供應線 111，111’，111” ’ 以接觸孔 114，114，，114，，做為饋電點。隨後以一熱CVD法形成一50毫微米厚的SiNx膜。以此膜做為一保護層126。依據本實施例，第二電極125在每一像素之子像素顯示區内連接至第二電流供應線1 1 1，1 11，，丨i丨”，使得因每一像素之第一電極12 5之電阻而導致之線路電阻變動受到抑制，且得以減小面板亮度變動。 [實施例7] 今參照圖14和15說明一依據本發明第七實施例之全彩有機發光顯示系統。此顯示裝置之構造中有一新的金屬層和一層間絕緣膜形成於一包括一有機層之驅動層且由該新金屬層形成一第二電流供應線。圖14為一依據本實施例之有 -39- 1228686

機發光顯示系統之一像素的平面圖，且圖15為一沿圖14所示像素區之線A-A，取得的剖面圖。在本實施例中’於一包括信號線109,109，，1〇9”和第一電流供應線1 1 〇，1 1 0 ’，1 1 〇 ”之佈線層與一包括一有機層之驅動層之間提供一金屬層及一層間絕緣膜以形成第二電流供應線π 1，Π Γ，1 Π ”，其他構造與第六實施例相同。具體而言，從開始到在一玻璃基板1丨6上形成一第二層間絕緣膜1 1 9的步驟都與第六實施例相同，差別在於第二電流供應線111，111，，111”係形成為一與包括信號線 109,109’，109”和第一電流供應線11〇, 11〇’，11〇，，之佈線層不同的層。接下來，以與第六實施例相同的方法在第二層間絕緣膜 119上形成第二電流供應線i丨丨，丨丨丨，，丨丨丨，，。後，在弟一電流供應線1 1 1, 1 1 1 ’，1 π ”上形成一聚酿亞胺塗層膜做為一第四層間絕緣膜7(H。該聚醯亞胺膜是利用

Hitachi Chemical DuPont Microsystems之一自身（薄膜）非光敏聚酿亞胺產品（代碼編號14〇〇)形成。此膜是以一旋塗法形成’用NMP做為溶劑兩倍稀釋。首先，以1〇秒鐘5〇〇 rPm讓浴液擴散在基板之整個表面上，然後在6 00〇 rpm和3 0 秒鐘的條件下形成一聚醯亞胺膜。在此之後，將基板放在大氣環境中之一熱平板上，按照(3分鐘）、(3分在里）、270 C (3分鐘）和350°C (5分鐘）之順序依序改變烘烤溫度（供烤時間）進行烘烤作業。此聚醯亞胺膜的厚度為5〇〇毫微米。第四層間絕緣膜701亦具備接觸孔1丨4，114，，114，，做為 -40- 1228686

發明說嘯頁饋電點。「近彳交以與第六實施例相同的方法在第四層間絕緣膜70 1 上形成綠像素、紅像素和藍像素之第一電極2〇1，2〇2,2〇3、一第三層間絕緣膜120、電洞傳輸層6〇1，603,605、發光層 213,214,215、電子傳輸層602,6〇4,6〇6、一電子注入層124 、一第二電極125、及一保護層126。依據本實施例，第二電極125和第二電流供應線 111，111，111 ’’在每一子像素之顯示區内相互連接，使得因第二電極125而導致之線路電阻變動受到抑制，且得以減小面板亮度變動。此外，依據本實施例，第二電流供應線丨1丨，丨丨1，，丨丨丨，，係形成於一與第一電流供應線11 〇, 110，，110，，之層不同的層内，如此有可能放大線路寬度，且能讓第二電流供應線 111，π Γ，111 ”之電阻降低。 [實施例8] 今參照圖16和17說明一依據本發明第八實施例之全彩有機發光顯示裝置。此顯示裝置之構造中有一金屬層和一層. 間、.邑、’水膜形成於一包括一有機層之驅動層且由該金屬層形成第一私流供應線。圖16為一依據本實施例之有機發光顯不裝置之一像素的平面圖，且圖17為一沿圖16所示像素區之線A-A，取得的剖面圖。在本貝％例中，一金屬層和一層間絕緣膜形成於一包括佗唬線1〇9，1〇9’，1〇9”和第一電流供應線11〇，11〇，，1丨〇，，之佈、’泉層與包括一有機層之驅動層之間，且以與第七實施例 -41- 1228686 (36) 發萌說啜繽頁相似的方式由該金屬層形成一第二電流供應線，差別在於本實施例中之第二電流供應線80 1形成為平行於掃描線 106，106’，而第七實施例中第二電流供應線平行於信號線1〇9，109，，109”形成，且第二電流供應線8〇1具備接觸孔 1 14,114，，114，，。具體而言，從開始到在一玻璃基板116上形成一第二層間絕緣膜119的步驟都與第七實施例相同。

接下來’在第二層間絕緣膜119上形成第二電流供應線 8 0 1。第一電流供應線8 0 1由與第七實施例相同的方法形成為平行於掃描線106,106,。後續步驟與第七實施例相同。依據本實施例’第二電極125以一子像素為基準連接至第二電流供應線801 ’用接觸孔114，114，，114”做為饋電點，使得因第二電極125而導致之線路電阻變動受到抑制，且得以減小面板受度變動。

此外，依據本實施例，第二電流供應線8〇1係形成於一與第一電流供應線110,110，，110”之層不同的層内，如此得放大第二電流供應線801之線路寬度，且能讓第二電流供應線 801之電阻降低。 [實施例9] 今參照圖18和19說明一依據本發明第九實施例之全彩^ 機發光顯示裝置。此顯示裝置之構造中以專用於個別^名素之第二電流供應線連接至個別彩色子像素。圖18為一名據本實施例之有機發光顯示系統之一像素的平面圖，且0 1 9為一沿圖1 8所示像素區之線A-A’取得的剖面圖。 -42- 1228686

發釋__

在本實施例中，為每一像素之每一子像素形成平行於信號線之第一電流供應線1 1 1，1 1 1，，1 1 1 ”，且第二電極 901，902,903分別在個別子像素之顯示區内分別連接至個別子像素之第二電流供應線1丨丨，丨丨丨，，丨丨丨”，用接觸孔 114, 114’，114”做為饋電點。此外，使綠像素、紅像素和藍像素以每種像素排成一列的方式形成為一條紋圖案，且在第二電極901，902,903之上側上提供一用以防止大氣環境中之水、氧氣及類似氣體穿入第二電極、第二電極下方之一有機層、或是第二電極與有機層間之介面的密封基板川9 。其他構造與第六實施例相同。具體而言，從在一玻璃基板116上形成第—電晶體 2〇4,2〇7,2Π)之步驟到形成電子注人層3()7,3()7，，3()7，，的” 都和第六實施例㈣，藉此使綠像素、紅像素和藍像素以每種像素排成一列的方式形成為一條紋圖案。成-條紋圖案之第二電極9〇1，9〇2,9〇3是用一金屬罩幕在

與第六實施例相同的條件下形成於電子注入層 307,307，，307，，上 ° 雖然所述在圖案化作業巾使用金屬罩幕以形成第二電極 9〇1，9〇2,9G3，此並不具限制性。舉例來說，_第三層間罐緣層12。之邊緣部分可能形成為—倒錐狀，且第二電極 901，902,903可以一裁開狀鲅彤狀怎形成為一條紋圖案，無須使用一罩幕。隨後以與第三實施例相行密封作業。同的方式利用一在、封基板3 0 9進 -43- (38) (38)1228686

依據本實施例，第二電極901，902,903係分別在每一像素之個別子像素之顯示區内連接至第二電流供應線 111，1Π’，11 1”且以接觸孔114，114，，114，，做為饋電點，使得因第二電極901，902,903而導致之線路電阻變動受到抑制，且得以減小面板亮度變動。此外，依據本實施例，建構每一像素之子像素的綠像素、紅像素和藍像素係透過專用的第二電流供應線 111，111’，111”連接且以接觸孔114，114，，Π4”做為饋電點，如此能獨立地控制施予每一子像素之電壓或電流。依據本發明，至少在隸屬於每一像素之一有機發光元件之一側上的電極在每一像素之顯示區内連接至電流供應線 ,使得因用以連接有機發光元件電極與一電源之線路之電阻而導致的發光度分散得以減輕，且得以抑制顯示區内之發光度分散。 [實施例10] 以下參照圖2 1和22說明一第十實施例，其中第一電流供應線和第二電流供應線配置成一篩網形式。圖2 1為一本實施例之有機發光顯示系統之一像素的平面圖。圖U為一沿圖21之線Α-Α，取得的像素區剖面圖。此顯示系統包括以一縱向形成於一亦包含信號線1〇9，1〇9，之佈線層内的第一電流供應線1 1 〇 ’，1 1 0和第二電流供應線5 〇 1，，5 〇 1，以及以一検向形成於一亦包含一閘極線503，之佈線層内的第一電流供應線60S和第二電流供應線6〇4。第一縱向電流供應線 110’，110與第一橫向電流供應線603分別就交會處透過接 -44- 1228686 1 ; 發興難牖買觸孔60丨’，60丨連接。第二縱向電流供應線5〇ι，，5〇ι與第二橫向電流供應線604分別就交會處透過接觸孔602，，602連接。因此’第一和第二電流供應線分別以一篩網形式形成。此外’第二電極透過做為饋電點之接觸孔⑼6，，祕分別連接至第二電流供應線5〇1’，5〇1。其他部分的構造與第五實施例相似。藉由此種構造，由於能降低第一和第二電流供應線的電一得以抑制線路電阻變動且因而能降低面板表面的亮度變動。特定言之’第-電流供應、線之一電料會改變決定一像素之顯示亮度的第二電晶體1〇2,1〇2，參考電壓，使得一小幅電壓變動會造成一大幅電流變動。因此抑制第一電流供應線之電壓降變化對於抑制面板表面之亮度變動很有效。舉例來說，第一電流供應線内一〇 5伏特之電壓變動大約相當於一電晶體之閘極偏壓變動。因此，電晶體之一〇 5伏特/dec的S值導致電流有十倍之多的變動。另一方面，第二電流供應線内—〇’5伏特之電壓變動（其對應於肛驅動電壓之一變動）影響亮度。因此，假設VDS== 8伏特，一電壓-電流特性為一指數函數，且一指數丨為I〇e〇.8V，一電流比為1 5 倍且亮度改變大約U倍。因此，第一電流供應線和第二電流供應線内小到1伏特或更小之電壓降都會對亮度導致大幅變動。特定言之，第一電流供應線之電壓變動對亮度造- 成較大幅變動。由本實施例呈現之電阻變動量減小會產生減輕亮度變動的效果。 -45- 1228686 (40) 發明_麟薦此外’依此方式建構之篩網狀線路減輕橫向相鄰像素或子像素之間的電壓變動，使得模糊現象減少。模糊現象以下述方式發生。如先前所述實施例，在第一電流供應線是以一條紋圖案平行於信號線排列的案例中，第一電流供應線之電流回應於一連接至相應第一電流供鹿線之縱向配置子像素之平均亮度而改變，結果是_電壓降以一縱向線為基準自由地變動。因此，即使是要在面板之大致中央部分顯示具相同充度的圖案’會回應於在每一縱向方向内定位在面板外圍部分之相應顯示圖案而在定位於 3玄中央部分之圖案的其中之一發生亮度變動。由於在本實施例中的橫向電流供應線是連接至縱向電流供應線，得以減輕縱向和橫向方向内的電壓變動，從而防止發生模糊現象。 [實施例11 ] 今參照圖23和24說明一第十一實施例。在本實施例中，額外地以一格柵形式提供一低電阻鋁佈線層和一層間絕緣膜且以此做為一第一電流供應線層。圖23為一平面圖且圖 24為剖面圖。此額外的链佈線層605和層間絕緣膜6 1 〇係由與第二貫施例相似的程序形成。形成一第二層間膜119且形成第二電流線路接點6〇2,6〇2，及第一電流線路接點 614,614’。在此之後，形成鋁佈線層6〇5及額外的層間絕緣膜610並提供一接觸孔608。然後，形成—EL元件且形成一第二電極125做為一最上層。每一鋁佈線層605就每一像素具備一開口丨丨以便讓來自 -46- 1228686 於一基板表面之光線穿過。一形成於最上層内之第二電極 124透過在個別接觸開口 612,612，下方提供之個別Z點 602,602’連接至第二電流供應線501，501，。另_方面，做為一第一電流供應線之链佈線層605透過第一電流供應線接點614,614，分別連接至第二電晶體1〇2，1〇2，。错由此構造，對於亮度變動有大效果之第一電流供應線的面積能夠大幅增加以降低一電壓降，從而能減小亮度變動。此外，此構造對於減輕模糊現象產生大效果。此係因為以一格栅形式使用低電阻的鋁佈線層。特定言之，因為 -有機EL面板(其為一電流驅動元件)内之格栅狀線路所谇成的影像品發升效果賴大於在_液晶顯示^造成: 效果。又，-液晶顯示系統具備對每一像素同樣供應相同 t位的、’泉路α &而’由於液晶顯示器是電壓驅動型且此裝置在其作業原理中是由—電容負載驅動，#改善顯示影像 =質必須使—像素之選擇時間與線路之—瞬變響應的時間吊士數配合。以電流驅動元件如—有機EL為例，由於在掃描 ^間後之顯示期間内有—電流穩4流動，要抑制顯示器亮度之變動必須抑制因、線路電阻本身造成的電壓降。因此， =驅動元件與液晶顯示器在呈現線路電阻效應方面明辞 :式形I:電流佈線層係由低電阻率的銘製成且以-格柵楔糊現象Γ更為低電阻的’本實施例具有減輕亮度變動和棋糊現象的好處。 [實施例12] 下，知、圖25和26說明一第十二實施例。在本實施例中 -47- 1228686 、~ 發明說嘯頁，弟一和第二縱向電流供應線皆配置為平行於一信號線，曰 · 一—和第二橫向電流供應線皆配置為平行於一掃描線。矛苐一縱向電流供應線以一格柵形式連接至第一和第之，、向包流供應線。特定言之，為了配置為平行於信號線 /向、、表，使用如第《I 實施例所提供之一低電阻鋁佈線办及層間絕緣膜。此構造放大第一和第二縱向線的個別見度而提供降低其電阻和減少模糊現象的效果。一 —本實施例之製造程序與第十一實施例相似。也就是說，弟一電流供應線110，110,和第二電流供應線5〇1，5〇1，是由 1呂線路構成且平行於信號線109,109，配置。另一方面，第一彳第一向電流供應線603,604配置為平行於一掃描線且形成於一掃描佈線層内。第一縱向電流供應線丨1〇和11〇，分別透過接觸孔6〇1和6〇1，連接至第一橫向電流供應線6〇3，而第二縱向電流供應線50 1和50 1，分別透過接觸孔6〇2和 602’連接至第二橫向電流供應線6〇4。順帶一提，第二電極 125透過做為饋電點之接觸孔606和606,分別連接至第二電流供應線501和501，。此外，第一電流供應線丨1〇是透過一連接圖案609和一接觸孔607連接至一第二電晶體1〇2;第一電流供應線11 〇 ’是透過一連接圖案6 〇 9 ’和一接觸孔6 〇 7，連接至一第二電晶體1〇2,。雖然已就較佳實施例描述本發明，應理解到本說明書所述文字是用來說明而非設定限制’且有可能不脫離本發明最廣泛觀點之真實範圍和精神做出在所附申請專利範圍之條款内的改變。 -48- (43) (43)1228686 發明說街翁? 圖式簡單說明本發明之其他目的和優點從以上實施例說明表昭 Μ附圖式變得明顯，圖式中：圖1為一依據本發明第一實施例之有機發光顯示裝置一像素區的平面圖；之圖2 Α為一沿圖1所示像素區之線Α-Α，取得的剖面圖· 圖2B為一沿圖1所示像素區之線β·Β，取得的剖面圖. 圖3 Α為一緣出在習知有機發光顯示裝置内一應線與一饋電點間之關係的簡圖； ” 圖3 B為一繪出在依據本發明之有機發光顯示裝置内一一二電流供應線與一饋電點間之關係的簡圖；，第圖4為一依據本發明第二實施例之有機發光顯示一像素區的平面圖； '/”、、、之圖5為一沿圖4所示像素區之線A-A，取得的剖面圖· 圖6為一依據本發明第三實施例之有機發光顯示名么一像素區的平面圖； ’丁、統之圖7為一沿圖6所示像素區之線A-A，取得的剖面圖. 圖8為一依據本發明第四實施例之有機 / 一像素區的平面圖；尤糸統之圖9為一沿圖8所示像素區之線A-A，取得的剖面圖· 圖10為一依據本發明第五實施例之有機發光顯示么一像素區的平面圖； ”、、、不糸統之圖11為一沿圖丨〇所示像素區之線A_A，取得的剖面圖12為-依據本發明第六實施例之有機回， u，、、貝不乐統之 -49- (44) (44)1228686 發明說興續頁一像素區的平面圖；沿圖12所示像素區之線A_A，取得的剖面圖；一斤"依據本發明第七實施例之有機發光顯示系統之像素區的平面圖； —沿圖順示像素區之線Α·Α，取得的剖面圖； =「為—依據本發明第人實施例之有機發光顯示系統之一像素區的平面圖；圖η為一沿圖16所示像素區之線α·α，取得的剖面圖； =為-依據本發明第九實施例之有機發光顯示系統之像素區的平面圖；圖19為—沿圖18所示像素區之線Α.Α’取得的剖面圖；為-依據本發明第一實施例之有機發光顯示系統之像素電路簡圖； —圖2!為一依據本發明第十實施例之有機發光顯示系統之一像素區的平面圖；圖22為-沿圖21所示像素區之線，取得的剖面圖； _-依據本發明第十一實施例之有機發光顯示系統之一像素區的平面圖；圖24為一沿圖23所示像素區之線α_α，取得的剖面圖； _-依據本發明第十二實施例之有機發光顯示系統之一像素區的平面圖；且圖26為一沿圖25所示像素區之線α_α，取得的剖面圖。圖式代表符號說明 101，101’ 第一電晶體 -50- 1228686 (45) 102,102，第二電晶體 103 第一電晶體之活性層 103’ 第二電晶體之活性層 104 電容器 105 下電極 106,106，掃描線 107,1075 閘極 108 上電極 109,109，，109” 信號線 110，110，，110” 第一電流供應線 111，111，，111，，第二電流供應線 112,1125 源極 113,1137 汲極 114，114，，114” 接觸孔 115 第一電極（陽極） 116 玻璃基板 117 閘絕緣膜 118 第一層間絕緣膜 119 第二層間絕緣膜 120 第三層間絕緣膜 121 電洞傳輸層 122 發光層 123 電子傳輸層 124 電子注入層發明說_繽頁

-51- 1228686 發明說明續頁 (46) 125 第二電極（陰極） 126 保護膜 201 綠像素第一電極 202 紅像素第一電極 203 藍像素第一電極 204 綠像素第一電晶體 205 綠像素電容器 206 綠像素第二電晶體 207 紅像素第一電晶體 208 紅像素電容器 209 紅像素第二電晶體 210 藍像素第一電晶體 211 藍像素電容器 212 藍像素第二電容器 213 綠像素發光層 214 紅像素發光層 215 藍像素發光層 301 綠像素第一電極 302 紅像素第一電極 303 藍像素第一電極 304 綠像素發光層 305 紅像素發光層 306 藍像素發光層 307,307，，307” 電子注入層 -52- 1228686 發明說獎纘夏 (47) 309 密封基板 3 10 有機EL基板 401,40 17 移除區 402 第二電流供應線 501，50Γ，，502 第二電流供應線 503，，504’ 饋電點 601 電洞傳輸層（接觸孔） 601，，602’ 接觸孔 602 電子傳輸層（接觸孔） 603 電洞傳輸層（第一電流供應線） 604 電子傳輸層 605 電洞傳輸層 606 電子傳輸層（接觸孔） 606，，607,607’ 接觸孔 609,6095 連接圖案 610 層間絕緣膜 612,6125 接觸開口 614,614，第一電流線路接點 701 第四層間絕緣膜

Claims

煩請貧明示，本案修ft變更原實質内m 1228686 ©第091135〇49號專利申請案中文申清專利範圍替換本(93年2月）拾、申請專利範圍 1 · 一種有機發光顯示裝置，其包括·· 複數個像素，每—像素為_圖像之—最小複數個有機發光元件，做為各該像素，· ，其中在配置於該複數個有機發光元件之— 相反側上的電極對中，隸屬 ’曰·" 光元件之-側上的至少一個二：素：一個有則不區内連接至一電流供應線。 ^ 2· —種有機發光顯示裝置，其包括：複數個像素，每一像素為一圖像之一最小單元，·及複數個有機發光元件，做為各該像素；，其中在配置於該複數個有機發光元件之-有機層之相反側上的對電極中，在一側上的一個電極在每一該像素之一顯示區内連接至一電流供應線。 ^ 3· —種有機發光顯示裝置，其包括：復數個像素，每-像素為一彩色圖像之一最小單元；么出不同顏色之光的複數個有機發光元件，做為各該像素；人其中在配置於該複數個有機發光元件之一有機層之相反側上的-對電極中，隸屬於每一該像素之一個;機發光元件之一側上的至少一個電極在每一該像素之一顯示區内連接至一電流供應線。 4. 一種有機發光顯示裝置，其包括： O:\82\82202-930223.doc 1228686 申靖：專利範圍續I買複數個像素，每一像素為一彩色圖像之一最小單元· 及，發出不同顏色之光的複數個有機發光元件，做為各談像素，其中在配置於该複數個有機發光元件之一有機声之相反側上的一對電極中，在一側上的一個電極在每一該像素之一顯示區内連接至一電流供應線。 5· —種有機發光顯示裝置，其包括：複數個像素，每一像素為一彩色圖像之一最小單元；及發出不同顏色之光的複數個有機發光元件，做為各該像素；其中在配置於該複數個有機發光元件之一有機層之相反側上的一對電極中，在每一該像素之一指定發光顏色有機發光元件之一側上的一個電極在每一該像素之一顯示區内連接至一電流供應線。 6· —種有機發光顯示裝置，其包括： , 複數個像素，每一像素為一圖像之一最小單元；複數個有機發光元件，做為各該像素;及至少一電流供應線，其配置在一包含每一該像素之顯示區内；其中在配置於該複數個有機發光元件之一有機層之相反側上的一對電極中，隸屬於每一該像素之一個有機發光元件之一側上的至少一個電極在每一該像素之一 O:\82\82202-930223.doc -2 - 1228686 申請專利範圍續，頁顯示區内連接至該電流供應線。 7.如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中一包括一用來驅動該有機層之驅動元件的驅動層堆疊在一基板上，一包括連接至該驅動元件之信號線和掃描線的佈線層疊在其上，該複數個有機發光元件之該有機層是以一像素基準連同配置在該有機層之相反側上的一對電極堆疊在該佈線層上，且該電流供應線配置在該佈線層内並透過一層間絕緣膜連接至在一側上的該電極。 8·如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中一包含一用來驅動該有機層之驅動元件的驅動層堆疊在一基板上’一包括連接至該驅動元件之信號線和掃描線的佈線層疊在其上，該複數個有機發光元件之該有機層是以一像素基準連同配置在該有機層之相反側上的一對電極堆疊在該佈線層上，且該電流供應線配置在一介於泫佈線層與該有機層之間的層内且透過一層間絕緣膜連接至在一側上的該電極。 9·如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中配置在該複數個有機發光元件之該有機層之該相反側上之一對電極當中在一側上的一個電極形成於一基板上該有機層之一上部部分做為一第二電極，與一形成於該基板上該有機層之一下部部分的一第一電極相對，且該電流供應線連接至該第二電極之一上部部分。 1〇·如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中一包含一用來驅動該有機層之一驅動元件的驅動層堆疊在 O:\82\82202-930223.doc 申請專利範圍續頁. 1228686 一基板上，一包括連接至該驅動元件之信號線和掃描線的佈線層疊在其上，該複數個有機發光元件之該有機層是以一像素基準將該複數個有機發光元件之有機層連同配置在該有機層之相反側上的一對電極堆疊在該佈線層上，配置在該複數個有機發光元件之該有機層之相反側上之一對電極當中在一侧上的一個電極形成於該基板上該有機層之一上部部分做為第二電極，與一形成於該基板上該有機層之一下部部分的一第一電極相對 ’且該電流供應線連接至該第二電極之一上部部分。 11 ·如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該等電流供應線中至少有兩條相互連接。 12·如申請專利範圍第丨項之有機發光顯示裝置，其中該電流供應線對應於每一該像素之每一該有機發光元件劃分成複數個電流供應線，且依此方式劃分之該複數個電流供應線分別連接至每一該像素之每一該有機發光元件做為一專用的電流供應線。 13·如申請專利範圍第丨項之有機發光顯示裝置，其中該電流供應線是沿該等像素間之每一空間形成。 14·如申請專利範圍第丨項之有機發光顯示裝置，其中該電流供應線形成為覆蓋每一該像素。 1 5 ·如申印專利範圍第5項之有機發光顯示裝置，其中該指定發光顏色之該有機發光元件的效率或壽命高於其他發光顏色之有機發光元件。 16.如申請專利範圍第旧之有機發光顯示裝置，其中配置 O:\82\82202-930223.doc -4 - 1228686 申請專利範圍續頁 < 在該複數個有機發光元件之該有機層之相反側上之一對電極當中在一側上的一個電極形成於一基板上該有機層之一上部部分做為一第二電極，與一形成於該基板上該有機層之一下部部分的一第一電極相對，該第一電極連接至一電源之一正極做為陽極，且該第二電極連接至該電源之一負極做為陰極。 17. 18. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置，其中該第二電極是由一讓光線穿透傳送之透明材料構成。一種製造如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置之方法，其包括以下步驟：在一基板上形成一包括複數個有機發光元件之有機層；形成一包含用來驅動該複數個有機發光元件之驅動元件的驅動層；形成一包括連接至該等驅動元件之信號線和掃描線的佈線層；在該有機層之上側上或在該有機層之下側上形成電流供應線；在一形成於該等電流供應線之附近的層間絕緣膜内形成接觸孔；及透過該等接觸孔連接配置在該複數個有機發光元件之該有機層之相反側上之電極對之一側上的電極與該等電流供應線。 O:\82\82202-930223.doc