CN111816792B - 发光器件及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光器件及显示装置，属于显示技术领域。本发明的发光器件，其包括基底，依次设置在所述基底上的第一电极、功能层、第二电极；所述功能层至少包括发光层；在所述第一电极和所述第二电极中的至少一者与所述功能层之间设置有介质层，且在所述介质层内设置有金属纳米颗粒；所述金属纳米颗粒的局域等离子体共振频率与所述发光层的发光波长相匹配；所述介质层的材料采用含有聚甲醛的聚合物。

Description

发光器件及显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种发光器件及显示装置。

背景技术

OLED(有机电致发光二极管：Organic Light-Emitting Device，简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点，因而有着广阔的应用前景。但由于OLED器件的制备工艺主要依靠蒸镀，在高精度显示方面存在一定的难度，且材料的利用率低。近年来量子点材料逐渐兴起，其发光光谱较有机材料更窄，稳定性较有机材料更好，因此QLED(量子点发光二极管：Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)孕育而生，被广泛的应用在显示领域。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种发光器件及显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种发光器件，其包括基底，依次设置在所述基底上的第一电极、功能层、第二电极；所述功能层至少包括发光层；

在所述第一电极和所述第二电极中的至少一者与所述功能层之间设置有介质层，且在所述介质层内设置有金属纳米颗粒；

所述金属纳米颗粒的局域等离子体共振频率与所述发光层的发光波长相匹配；所述介质层的材料采用含有聚甲醛的聚合物。

可选地，所述介质层为单层结构，所述金属纳米颗粒包括两种不同尺寸的金属纳米颗粒。

可选地，所述介质层包括沿背离所述发光层方向叠层设置的第一子介质层和第二子介质层；在所述第一子介质层和所述第二子介质层中均设置有所述金属纳米颗粒，且设置在所述第二子介质层中的金属纳米颗粒的尺寸大于设置在所述第一子介质层中的金属纳米颗粒的尺寸。

可选地，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间，且沿背离基底方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述介质层位于所述阳极和所述空穴注入层之间。

可选地，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间电子传输层；所述介质层位于所述阴极和所述电子传输层之间。

可选地，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间，且沿背离基底方向依次设置的电子注入层和电子传输层；所述介质层位于所述阴极和所述电子注入层之间。

可选地，所述阳极和所述阴极中的一者为透明电极，另一者为反射电极。

可选地，所述金属纳米颗粒的尺寸为5nm-450nm。

可选地，所述金属纳米颗粒材料包括金、银、铂中任意一种或多种。

可选地，所述介质层的材料包括聚甲醛。

可选地，所述发光器件包括有机电致发光二极管或者量子点电致发光二极管。

第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述的发光器件。

附图说明

图1为本公开实施例的一种发光器件的结构示意图；

图2为本公开实施例的另一种发光器件的结构示意图；

图3为本公开实施例的另一种发光器件的结构示意图；

图4为本公开实施例的发光器件的一种介质层的示意图；

图5为本公开实施例的发光器件的另一种介质层的示意图；

图6为本公开实施例的正置型发光器件的结构示意图；

图7为本公开实施例的一种倒置型发光器件的结构示意图；

图8为本公开实施例的另一种倒置型发光器件的结构示意图。

其中附图标记为：10、基底；1、第一电极；11、阳极；2、第二电极；21、阴极；3、功能层；31、发光层；32、空穴传输层；33、空穴注入层；34、电子传输层；35、电子注入层；4、金属纳米颗粒；5、介质层；51、第一子介质层；52、第二子介质层。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

发光器件的基本结构包括：阳极、阴极，以及在阳极和阴极之间的发光层。在外加电压作用下，电子和空穴分别从阴极方向和阳极方向注入，然后迁移并在发光层中相遇复合产生激子，激子的能量以光的形式衰减，即辐射出光。其中，发光器件的出光效率是衡量发光器件性能的指标之一。

目前，为了提高出光效率通常采用两种方法：一种方法是提高内量子效率，另一种方法是提高外量子效率。其中，当光子入射到光敏器材的表面时，部分光子被吸收而激发光敏材料产生电子空穴对，形成电流，此时产生的电子与被吸收的光子数之比即内量子效率(internal quantum efficiency)；而此时产生的电子与所有入射的光子数之比即外量子效率(external quantum efficiency)。内量子效率主要衡量注入载流子在发光层中复合产生的激子转变为光子耦合发光的部分占总激子数的比例。以发光器件为OLED为例，提高内量子效率可以通过改善材料性能或使用磷光材料等方式实现，理论上可达到接近100％的内量子效率发光。提高外量子效率即提高OLED的耦合出光效率，对于平面发光器件来说，通常激子发光只有20％左右的光子能够被提取出来，绝大部分(80％)的能量以多种模式被损耗掉，例如：发生在OLED的阳极与基底、基底与空气等折射或反射界面处的基板模式、发生在OLED的阳极与发光层界面之间的波导模式、发生在金属电极附近的表面等离子体(Surface Plasmon，简称SP)模式。其中，超过40％的光因为SP模式局限在OLED中，波导模式及基板模式局限的光各占15％与23％，由于金属吸收造成的损耗为4％，导致从发光层发出的光仅有大约20％左右能透出OLED进入到空气中被人眼看到。

为提高发光器件的出光效率，发明人在发光层和阳极之间和/或发光层与阴极之间形成一层金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒的局域表面等离子体共振频率与发光层的发光波长相匹配，以提高发光器件的出光效率。

具体的，表面等离子体(Surface Plasmon，简称SP)是指在金属表面存在的自由振动的电子受电子或光波激发，而与电子或光子相互作用产生的沿着金属表面传播的一种电子疏密波。其是一种电磁表面波，可以将光波横向限制在亚波长的尺度范围内，并且在近谐振频率附近其色散曲线平坦、光子态密度大，与周围介质相互作用时可以增强其自发辐射。该电子疏密波在表面处场强最大，在垂直于界面方向呈指数衰减场。如果金属表面非常粗糙或在金属的曲面结构(如球体、柱体等)附近，表面等离子体不能以波的形式沿界面传播，而是被局域在这些结构的表面附近，即是表面等离子体的局域化，此时表面等离子体SP即被称作局域表面等离子体(Localized Surface Plasmon，简称LSP)。当尺寸接近或小于光波长的金属颗粒被光照后，其振荡电场使金属颗粒的电子云相对于原子核发生位移，由于电子云和原子核之间库仑引力的作用产生恢复力，引起电子云在原子核周围的振荡，这种电子云的集体振荡被称为局域表面等离子体共振。

发生局域表面等离子体共振时，金属颗粒周围的电磁场被大大增强。此时可以将金属颗粒视为一个纳米透镜，而振荡等离子是一个光子，其被强烈限制于一个纳米尺寸的颗粒之内。局域表面等离子体共振带来的一个重大效果就是:表面等离子体在激发光子(例如发光层的发光光子)的荧光诱导下，产生与荧光分子辐射波长一致的辐射，同时增大了体系的辐射衰减速率，减小了光子的荧光寿命，使荧光量子效率增大，荧光发射增强。

在此需要说明的是，以上是以发光器件为OLED为例进行说明的，对于QLED其与OLED的区别仅在于发光层的材料不同，其发光原理大致相同。

综上，虽然在发光器件中增加金属纳米颗粒，并利用局域表面等离子体共振的原理，可以提升发光器件的出光效率，但是发明人发现，当存在氧气渗入发光器件时，氧气会对发光器件的造成破坏，导致发光器件的寿命降低。针对该问题，在本公开实施例中提供下述技术方案。

第一方面，如图1-3所示，本公开实施例提供一种发光器件，其包括基底10，沿背离基底10方向依次设置的第一电极1、功能层3、第二电极2；其中，第一电极1和第二电极2中的一者为阳极11，另一者为阴极21；功能层3至少包括发光层31。特别的是，在发光器件的第一电极1和功能层3之间设置介质层5，在介质层5中设置有金属纳米颗粒4，和/或在发光器件的第二电极2和功能层3之间设置介质层5，在介质层5中设置有金属纳米颗粒4。金属纳米颗粒4的局域表面等离子体共振频率与发光层31的发光波长相匹配，介质层5的材料采用含有聚甲醛(POM)的聚合物。

在此需要说明的是，金属纳米颗粒4的局域表面等离子体共振频率与发光层31的发光波长相匹配是指，金属纳米颗粒4尺寸接近或小于发光层31的发光波长，以此金属纳米颗粒4被光照后，其振荡电场使金属纳米颗粒4的电子云相对于原子核发生位移，由于电子云和原子核之间库仑引力的作用产生恢复力，引起电子云在原子核周围的振荡，即发生局域表面等离子体共振。

聚甲醛(POM)是一种性能优良的工程塑料，在国外有“夺钢”、“超钢”之称。聚甲醛具有类似金属的硬度、强度和钢性，在很宽的温度和湿度范围内都具有很好的自润滑性、良好的耐疲劳性，并富于弹性，此外它还有较好的耐化学品性。POM以低于其他许多工程塑料的成本，正在替代一些传统上被金属所占领的市场，如替代锌、黄铜、铝和钢制作许多部件，自问世以来，聚甲醛已经广泛应用于电子电气、机械、仪表、日用轻工、汽车、建材、农业等领域。

在一些实施例中，介质层5的材料可以为聚甲醛或者含有聚甲醛的共聚物。

在一些实施例中，金属纳米颗粒4的形成材料通常是惰性贵金属，比如可以为金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铝(Al)中的任意一种，或金、银、铂、铝的合金，或金、银、铂、铝中的任意组合；金属纳米颗粒4的形态为球状、棱柱状、立方体状、笼状、核-壳结构中任意一种或它们的任意组合。根据不同发光颜色(红/绿/蓝)的发光器件所发出的光的波长可知，LSP产生所需的金属纳米颗粒4的尺寸约为5nm-450nm，优选的尺寸约为5nm-100nm。

在本公开实施例中发光器件中设置局域表面等离子体共振频率与发光层31的发光波长相匹配的金属纳米颗粒4，以此可以提高发光器件的出光效率，原理与上述相同，在此不再重复赘述。特别的是，在发光器件的电极(第一电极1和/或第二电极2)与功能层3之间形成含有聚甲醛的聚合物材料的介质层5，聚甲醛可以非常缓慢的释放出甲醛，甲醛在金属纳米颗粒4的催化作用下可以与氧气发生反应，转化成甲酸，防止氧气对发光器件本身造成损坏。

在一些实施例中，基底10作为发光器件中电极层和功能层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺或者较薄的金属制成。

在一些实施例中，发光器件的介质层5仅设置在第一电极1和功能层3之间，也即先形成介质层5之后再形成功能层3，这样一来，可以有效的避免在形成介质层5时影响功能层3的性能。当然，介质层5设置在第二电极2和功能层3之间也是可行的，为描述方便，在下述描述中以介质层5设置在第一电极1和功能层3之间为例。

其中，由于介质层5设置在第一电极1和功能层3之间，其中，功能层3通常不仅包括发光层31，还包括设置在第一电极1发光层31之间的载流子传输层，其中若第一电极1为阳极11时，载流子传输层为空穴传输层32，若第一电极1为阴极21时，载流子传输层为电子传输层34。因此，介质层5中的金属纳米颗粒4的尺寸在保证能够实现LSP的同时，还要保证介质层5能够将第一电极1和载流子传输层良好的电连接。对此，在本公开实施例提供以下两种实现方式。

在一个示例中，如图4所示，介质层5采用单层结构，金属纳米颗粒4包括两种不同尺寸的金属纳米颗粒4，其中，两种不同尺寸的金属纳米颗粒4中小尺寸的具有良好的LSP特性，大尺寸的具有良好的导电性能。当然，在介质层5中也可以仅设置一种尺寸的金属纳米颗粒4，该金属纳米颗粒4可以产生LSP即可。其中，小尺寸金属纳米颗粒4的尺寸在2nm-300nm左右，大尺寸金属纳米颗粒4的尺寸在50nm-5000nm左右。对于大尺寸和小尺寸的金属纳米颗粒4均可以在形成介质层时，将大尺寸和小尺寸的金属纳米颗粒4在介质层5中进行物理混合，以使介质层5包括大尺寸和小尺寸的金属纳米颗粒4。

在另一个示例中，如图5所示，介质层5采用双层结构，即介质层5包括叠置的第一子介质层51和第二子介质层52；其中，第一子介质层51和第二子介质层52沿背离发光层31的方向依次设置。在第一子介质层51和第二子介质层52中均设置有所述金属纳米颗粒4，且设置在第二子介质层52中的金属纳米颗粒4的尺寸大于设置在第一子介质层51中的金属纳米颗粒4的尺寸。从而使得第一子介质层51中的小尺寸金属纳米颗粒4能够产生LSP，第二子介质层52通过大尺寸的金属纳米颗粒4具有良好的导电性。其中，对于小尺寸和大尺寸的金属纳米颗粒4的尺寸范围与第一个示例中的范围可以相同，小尺寸和大尺寸的金属纳米颗粒4分别与第一子介质层51和第二子介质层52的混合方式可以与第一个示例中的大尺寸和小尺寸的金属纳米颗粒4在介质层5中的混合方式相同，故在此不在重复描述。

在本公开实施例中，发光器件可以为OLED，也可以为QLED。

当发光器件为OLED时，其发光层31的材料可以采用以下几种材料制成：

(1)采用无掺杂的荧光发光的有机材料(由具有空穴传输能力的发光材料组成)制成，所述具有空穴传输能力的发光材料可以采用NPB或DPVBI等。

(2)采用掺杂荧光材料的有机材料(由荧光掺杂剂与基质材料组成)制成，所述荧光掺杂剂可以采用香豆素染料(coumarin 6、C-545T)、喹吖啶酮(DMQA)、或DCM系列等。

(3)采用掺杂磷光材料的有机材料(由磷光掺杂剂与基质材料组成)制成，所述磷光掺杂剂可以采用基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物发光材料，比如：FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)、或(MDQ)2Iracac等。

其中，掺杂荧光材料的有机材料和掺杂磷光材料的有机材料中的基质材料可以采用：金属配合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等，具体可采用：双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(Balq)、9，10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、CBP、MCP、TCTA、或NPB等。

当发光器件为QLED时，其发光层31的材料可以采用以下几种材料制成：

发光层31的材料为量子点材料，该量子点材料的示例包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSeS、CdSe/CdS、ZnSe/ZnS、InP/ZnS、CuInS/ZnS、(Zn)CuInS/ZnS、(Mn)CuInS/ZnS、AgInS/ZnS、(Zn)AgInS/ZnS、CuInSe/ZnS、CuInSeS/ZnS、PbS/ZnS、有机无机钙钛矿材料和无机钙钛矿材料。

其中，有机无机钙钛矿材料的示例包括MAPbX3，其中MA表示CH3NH3，X表示卤化物。无机钙钛矿材料的实例包括CsSb2Br9、CsBi2Br9、CsPbX3，其中X表示卤化物。可选地，量子点包括核和覆盖核的壳。可选地，核包括选自由CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、(Zn)CuInS、(Mn)CuInS、AgInS、(Zn)AgInS、CuInSe、CuInSeS、PbS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料。可选地，壳包括选自由ZnS、ZnSeS、CdS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料。

在本公开实施例中，发光器件可以是正置型发光器件，也可以是倒置型发光器件。其中，正置型发光器件的第一电极1为阳极11，第二电极2为阴极21；倒置型发光器件的第一电极1为阴极21，第二电极2为阳极11。无论发光器件为正置型发光器件，还是为倒置型发光器件，该发光器件可以是顶发射型发光器件，也可以是底发射型发光器件；当发光器件为顶发射型发光器件时，第一电极1为反射电极，第二电极2为透射电极；当发光器件为底发射型发光器件时，第一电极1为透射电极，第二电极2为反射电极。以下根据发光器件的类型对发光器件的具体结构进行说明。

第一种示例，如图6所示，发光器件为正置型发光器件，第一电极1为阳极11；第二电极2为阴极21；功能层3包括沿背离第一电极1依次设置的空穴注入层33(Hole InjectionLayer，简称HIL)、空穴传输层32(Hole Transport Layer，简称HIL)、发光层31、电子传输层34(Electron Transport Layer，简称ETL)。当然，在电子传输层34和阴极21之间还可以设置电子注入层35(Electron Injection Layer，简称EIL)。介质层5设置在空穴注入层33和阳极11之间，且介质层5中设置有金属纳米颗粒4。发光层31的材料可以上述材料中的任意一种。

其中，阳极11包括但不限于柔性电极，其材料包括但不限于高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)或无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)。

阴极21包括但不限于柔性电极，其材料包括但不限于低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如LiF、CsCO3等)和上述金属或合金制成。

空穴注入层33的材料包括但不限于聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、铜酞菁和4,4，4“-三(N,N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、MoO3、CuPc、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)。

空穴传输层32的材料包括但不限于p型聚合物材料和各种p型低分子量材料，例如，聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、和具有聚-3,4-亚乙基二氧噻吩和聚(对苯乙烯磺酸钠)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA),N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)的混合物，或其任何组合。

电子传输层34的材料包括但不限于氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌。

电子注入层35的材料包括但不限于氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。

对于上述正置型发光器件，该发光器件可以是顶发射型发光器件也可以是底发射型发光器件。当正置型发光器件为顶发射时，阳极11为反射电极，阴极21为透射电极；此时，阳极11可以选用例如ITO/Ag/ITO材料制备形成的复合膜层(Ag膜层作为反射层)；阴极21则可以采用Mg:Ag/ITO材料制备形成的复合膜层，但此时阴极21的膜层厚度应当保证阴极21可以透光。当正置型发光器件为底发射时阳极11可以采用氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等透明导电材料，阴极21则可以采用Al材料制备形成。

第二种示例，如图7和8所示，发光器件为倒置型发光器件，第一电极1为阴极21；第二电极2为阳极11；功能层3包括沿背离依次设置的电子传输层34、发光层31、空穴传输层32、空穴注入层33。当然，在电子传输层34和阴极21之间还可以设置电子注入层35(Electron Injection Layer，简称EIL)。如图7所示，当发光器件中未设置电子注入层35时，介质层5设置在电子传输层34和阴极21之间，且介质层5中设置有金属纳米颗粒4；如图8所示，当发光器件中设置电子注入层35时，介质层5设置在电子注入层35和阴极21之间，且介质层5中设置有金属纳米颗粒4。其中，发光层31的材料可以上述材料中的任意一种。电子注入层35、电子传输层34、空穴传输层32、空穴注入层33均可以采用与上述相同的材料。

同理，当倒置型发光器件为顶发射时，阳极11为反射电极，阴极21为透射电极；此时，阳极11可以选用例如ITO/Ag/ITO材料制备形成的复合膜层(Ag膜层作为反射层)；阴极21则可以采用Mg:Ag/ITO材料制备形成的复合膜层，但此时阴极21的膜层厚度应当保证阴极21可以透光。当倒置型发光器件为底发射时阳极11可以采用氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等透明导电材料，阴极21则可以采用Al材料制备形成。

第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，其包括上述的任意一种发光器件，故本实施例的显示装置的具有很好的发光效率和使用寿命。

该显示装置可以为：电子纸、OLED面板、QLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种发光器件，其包括基底，依次设置在所述基底上的第一电极、功能层、第二电极；所述功能层至少包括发光层；其特征在于，

在所述第一电极和所述第二电极中的至少一者与所述功能层之间设置有介质层，所述介质层与所述功能层接触，且在所述介质层内设置有金属纳米颗粒；

所述金属纳米颗粒的局域等离子体共振频率与所述发光层的发光波长相匹配；所述介质层的材料采用含有聚甲醛的聚合物；

所述介质层包括沿背离所述发光层方向叠层设置的第一子介质层和第二子介质层；在所述第一子介质层和所述第二子介质层中均设置有所述金属纳米颗粒，且设置在所述第二子介质层中的金属纳米颗粒的尺寸大于设置在所述第一子介质层中的金属纳米颗粒的尺寸。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间，且沿背离基底方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层；所述介质层位于所述阳极和所述空穴注入层之间。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间的电子传输层；所述介质层位于所述阴极和所述电子传输层之间。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述功能层还包括位于所述基底和所述发光层之间，且沿背离基底方向依次设置的电子注入层和电子传输层；所述介质层位于所述阴极和所述电子注入层之间。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述阳极和所述阴极中的一者为透明电极，另一者为反射电极。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒的尺寸为5nm-450nm。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述金属纳米颗粒材料包括金、银、铂中任意一种或多种。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括有机电致发光二极管或者量子点电致发光二极管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的发光器件。