TWI228383B - Manufacturing method of organic electroluminescence device - Google Patents

Description

1228383 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光裝置的製造方法，特別是指 一種有機電激發光裝置的製造方法。 【先前技術】 如圖1所示，一般有機電激發光裝置的製造過程，大 致如下： 一、 先在一由玻璃或透明材質製成的基板Η上濺錢被 覆層透明之導電材料’並經由黃光製程與钱刻等技術將鲁 10 15 不必之部份去除，而餘留複數縱向間隔排列被覆在該基板 11頂面的條狀陽極12。 、接者配a汽光製程與姓刻技術，在兩兩相鄰陽極 12間自被覆上一條狀之絕緣區塊15，並讓每一絕緣區塊η 兩側邊緣部分重疊於所對應兩相鄰陽極12頂面。 二、 以物理蒸錢方式’在每一陽極12頂面間隔被覆複 數長方片狀之有機發光體13。 .四、在各列橫向排列之發光體13 了頁面皆被覆—條狀陰# 20 别述該等陽極 (Indium Tin Oxide， 鋁膜（A1)。 12通常是採用透明電極，例#氧化銦锡 縮略1TO)，而該等陰極14通常為金屬 刖述在兩兩相鄰陽極12 栘P給γK 破後條狀之絕緣區塊15，並 使、%緣區塊15兩側邊緣部分 並 主要是為避免該等陽極 ；广極12頂面的作用， 過程所產生的金屬殘留缺陷 5 1228383 與發先體13表面㈣過程❹之遮罩（圖未示）所存在的對 心差，以及遮罩製造時的誤差等因素，造成蒸鍵在該等 ==3頂面上的陰極14與下方之陽極12出現短路現象 5 10 15 ，¥致有機電激發光裝置的不良率提高。 雖然此方法可有效避免因蒸鑛製程使用之遮單的事造 誤差或基板U與鮮㈣位精準度_素，所造成有機電 激發光裝置的製造良率降低的問題，但因纽極12

頂面被《之各絕緣區塊15遮蔽，使得各發光體13盘: 對應之陽極12的接觸面積縮減，造成開孔率下降，同時導( 致相鄰發光體15之有效發光區域間的間距變大，進而〕 該有機電激發光裝置的整體解析度相對下降。 < 【發明内容】 因此，本發明之目的，《名 即在楗供一種可以提高開孔率 舁解析度的有機電激發光裝置製造方法。 於是’本發明有機電激發光裝置之製造方法包含： 在-基板頂面被覆複數間隔之陽極。⑻在 極頂面被覆-絕緣層。（C)磨除位於該等陽極頂面之 ，使該絕緣層覆蓋於該等陽極之側面及該基板頂面。（D): Γ陽極頂面被覆—發光體。及⑻在每—發光體頂面被 :-陰極。此製造方法使每—發光體可與所對應陽極頂面完 全接觸，而提南開孔率及解析度。 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點與功效 以下配合參考圖式之-較佳實施例的詳細說明中，將可清 20 1228383 楚的明白。 本I明有機電激發光裝置之製造方法的較佳實施 下： ' 美（A)濺鍍（sputter)陽極：如圖2所示，在一透明玻璃 土板2頂面被覆複數縱向間隔平行排列之長條狀透明陽極3 被覆絕緣材料：如圖3所示，利用表面錢膜以絕 、'、、材料在.亥等陽極3頂面與該基板2裸露之頂面，被覆形 10 15 、€厚度均勻的絕緣層4。在本實施例中該絕緣層4所使 用/絕緣材料可為_、Si3N4、pGly imide或pQlymer。該 巴緣層4之被覆方式在實施時不以表面鍍膜為限，例如亦 可採用塗佈方式。 (C)磨除絕緣層之局部區域：湘化學機械研磨技術（ C— Machine Polishing，縮略為cMp)，將覆蓋於該等 陽極3頂面之絕緣層4完全去除，形成如圖4所示狀態， 保留絕緣層4中多數S，丨| ^ β 後1於各陽極3兩側面之側面部 41 ’及多數覆蓋於該基板2 τ頁面並連接於兩兩相鄰側面部 41間之頂面部42，使得各陽極3頂面可完全裸露。經由步 驟⑻、（C)的實施結果，如同使絕緣層4所餘留下來之側面 部41與頂面部42提供的絕緣作用，獲得自動對準的效果 ，精由此一自動對準效果使各陽極3與基板2所欲絕緣的 部位精準地被絕緣材料覆蓋，完全不會發生偏移。 (D)蒸鍍發光體：如圖5所V，以遮Vw 則sk，圖未不）及蒸鍍方式在每—陽極3頂面被覆複數間 20 1228383 隔排列之長方片狀有機發光體5，並使全部發光體5的排列 方式呈一矩陣型態。又設計上，更使每一發光體5左右側 突伸出所對應陽極3頂面而略微重疊於該陽極3兩側之絕 緣層4的側面部41頂面上，此重疊比例可預先設計為相當 於遮罩對位誤差率與遮罩製造時之誤差率絕對值的和，以 ί保母务光體5的左右側在遮罩造成之誤差範圍内都能 夠元王覆蓋住所在位置之陽極3頂面的左右邊緣。 (Ε)被覆陰極：如圖6所示，最後再配合遮罩與表面 ίο 15 鍍膜，以鋁膜製作出複數橫向間隔排列之長條狀陰極6，使 母陰極6跨越各陽極3上同列橫向對應之發光體5。 依據本實施例上述製造步驟所製成之有機電機發光裝 置具有以下之優點： 、 Ο)透過步驟（C)對絕緣層4的研磨製程，使每一陽極 3頂面可S全裸露出’而以全部寬度供其相對應之各發光體 5完全接觸，且絕緣層4之側面部41與頂面部仏仍保有所 需的絕緣功能，因此本實施狀各發光體5的開 顯提升。 ⑺每-發光體5之邊緣略重疊於所對應陽極3之免 緣層4的側面部41頂面，使其在考慮遮罩誤差率之因素下 ，仍能確保每一陽極3盥陰極 破所對應發光體5完全隔 離，也就疋能確保陰極6不會鱼 之製造良率。 不…㈣3短路，而確保甚佳 ⑺本實施例中由於每一陽極3頂面是 露而供發光體5完全接觸1此相鄰發光體5之有效^光 20 1228383 區域間的距離，便明顯比前述習知製造方法的距離縮小， 2實施例所製成之有機電激發光裝置的整體解析度相對 提咼。 歸納上述，本發明有機電激發光製置之製造方法，除 了可避免陽極3姓刻過程所產生之缺陷及遮罩對位、製造 的誤差對製程良率的影響，更可提高各發光體5的開5 ，並使所製成之有機電激發光裝置的解析度相對提高，故 確實能達到本發明之目的。 ίο 惟以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，當 不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請: 利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修飾， 皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 15 圖1是一種習知製造方法所製成之有機電激發光裝置 的正視剖面示意圖； 圖2是一正視剖面示意圖，說明本發明有機電激發光 裝置之製造方法的較佳實施例在步驟（A)的情況； 圖3是類似圖2的視圖，說明該較佳實_在㈣⑻ 的情況； 圖4是類似圖3的視圖，說明該較 的情況； “爛在步驟(c) 圖5是類似圖4的視圖說明該較祛每 1土具靶例在步驟（D)的 情況；及 圖6是類似圖5的視圖，說明該康 _ 佳貫施例在步驟（E) 20 1228383 的情況。

10 1228383 【圖式之主要元件代表符號說明】 2 ♦………基板 42 * 3 *…陽極 5… 4…”…μ絕緣層 6…* 41 *…μ"側面部 …頂面部 …發光體 …陰極 11

Claims (1)

1228383 拾、申請專利範圍： 1. 一種有機電激發光裝置之製造方法，包含·· (A)在一基板頂面被覆複數間隔之陽極； (B )在該基板及該等陽極頂面被覆一絕緣層； (c )磨除位於該等陽極頂面之絕緣層，使該絕、綠 I覆蓋於該等陽極之側面及該基板頂面； (D) 在每一陽極頂面被覆一發光體；及 (E) 在每一發光體頂面被覆一陰極。

2· 2據申請專利範圍第〗項所述之有機電激發光裝置之製 一中母發光體邊緣是略微重疊於所在之陽 極側邊的該絕緣層頂面。 3·:據申請專利範圍第i項所述之有機電激發光裝置之製 =法’其中’該”（C)磨除該等陽極頂面之絕緣 層的方法是採用化學機械研磨製程。 4·依據申請專利範圍第1 、生古土 * 員斤述之有機電激發光裝置之製 k方法，其中，該步

+ 4 疋採用表面鍍膜方式來被 覆形成該絕緣層。 5 ·依據申請專利範圍第1 m ^ 項所述之有機電激發光裝置之製 w方法，其中，該步驟 成該絕緣層。 ^用塗佈方式來被覆形 12