TWI225221B - Capacitive fingerprint sensor against ESD damage and contamination interference and a method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1225221 五、發明說明（1) [交互參照資料] t發明係關聯至讓渡給本案受讓人之中華民國專利申 :|:J〇911_6 ’申請曰為2〇〇2年4月3曰，發明名稱為 ::式才曰紋讀取晶片』，其揭露書於此併入作參考。 【^明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電容式指紋感測器及直 方法， 尤八關於一種可抗靜電破壞及防電^ 測器及其製造方法。 丁杈之電谷式彳日紋感 【先前技術】 知的指紋讀取方法，可 在紙上，再利用光學播y^ 3 土水之手指杈壓 腦中，然後與資料知描該紙張以將指紋輸入電 之最大缺點為無法文圖形比對。然而，上述方法 來越多即時認證的參# 、处理的目的，因此無法滿足越 帶式電子產品保密而y二網路認證’電子商務，擔 即時的指紋讀取方t:t身分認證’保全系統等等。 術。傳統上，可使用朵與：j為生物辨識市場中的關鍵技 然而其具有體積過㈣n ^紋感測器來即時讀取指紋， 、 \么魔大之缺點。 為此’利用矽丰逡骑 ” 克服了上述光學式残、、彳考的二片式指紋感測器因應而生， 考量，電容式指紋點。基於石夕積體電路製程的 結構上，電容二^ 成為最直接且簡單的方法。 以陣列方式佈置夺12=測器包含複數個電容式感測元 時，便可以感測手；=觸暴露於外之感測元之表面 于扣紋峰留下的電容值曲線。因為感測器

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大部分面積都需要 造成其中電路短路 電處理便顯得格外 影像品質。 暴露於外界，任何靠 或永久損壞。為此， 重要。並且也要兼顧 近的帶電體都可能 感測器表面的抗靜 防止殘污干擾影響 指紋感測器之防止靜電破壞的方法，請參見“忖叩心 人之美國專利第6，114, 862號公告及Thomas在美國專利第 6, 5 1 5, 488號公告，其揭露書於此併入作參考。 卜请^見圖1至3，上述之靜電破壞防止方法係利用包圍 ^ 一電f式感測元且暴露於外的鎢金屬網丨丨3而連接至接地 端’將靠近中之物體的靜電導至接地端，此種設計可以有 效解決靜電破壞。然而這種鎢金屬網丨丨3的形成方法及設計 部會衍生其他問題。平板電極丨丨2與鎢金屬網丨丨3都位於基 板11 0之上方，但卻位於不同之高度，且是由不同之材料在 不同的製造步驟中形成。在鎢金屬的沈積及後續的回蝕步 驟中，感測器表面的保護層丨丨1上形成許多小孔洞1 〇 8而造 成缺陷，並會導致應力集中等問題。當手指指甲不小心衝 擊感測器之外表面1 〇 9時，會造成感測器之破壞。再者，微 小孔洞1 0 8的結構會使保護層表面形成親水性，因此當手指 的水分接觸外表面1 0 9時會擴散，進而使影像品質變差。為 此，Thomas提出藉由氧化矽丨的沈積及後續的化學機械研 磨（C Μ P)製程而將氧化石夕1 〇 7填滿前述的小孔洞1 〇 8而達到平 整的外表面1 0 9。然而，此舉又使製造過程太過複雜，而不 適合於一般商業晶圓代工廠的製造移序。 又，上述技術衍生出手指殘污十擾影像品質的問題。

1225221 五、發明說明（3) 如圖Λ所U手指1 (視為一虛擬接地端）接觸到感測器 =1 # 2 /、1疒，紋峰11與平板電極112所形成之感應電容 與平板電極11 2所形成的感應電容值。手指1 】：1^可二透*過鎢金屬網113而放1，此種完全裸露的鎢金 容115而千於L自手指之殘污114接地，間接地形成殘污電 谷115而干擾影像品質，如圖3所示。 【發明内容】 防殘、:2旙,t明之一個目的係提供一種可抗靜電破壞及 殘π干擾之電容式指紋感測器及其製造方法。 殘、、亏ί f f i ϊ:的’本發明提供一種可抗靜電破壞及防 殘5干擾之電谷式指紋感測器，其包含一内含 石夕基板、複數個平板雷搞、一 a 、-電路之 元、複數個焊墊及一保護声：㈡：二數個靜電放電單 的方式形成於該基板上。；全屬 係以陣列排列 電極之間並與該等平板電極齊平 :::亥4千板 烟、鱼：： 糕。该等靜電放電單元係與該金屬 網連接，並形成於該等平板電極中之預 金屬 板電極之間’該等靜電放電單元之數目小於該平

目:複數個焊塾係作為該電容式指紋感測 J 輸出刀。該保護層係完全覆蓋於該等平板 網’並局部覆蓋於該等靜電放電單S及該等二金2 以於該等靜電放電單元上形成複數之第— 拍#，藉 焊墊之上形成複數之第二開口 歼 並於该等 各該第二開口之尺寸。 弟—開口之尺寸小於 第9頁 1225221

為 防殘污 含以下 層；移 極、金 屬疊層 阻層；口 ，以 對露出 窗口之 第二開 電放電 於各該 【實施 干擾之 步驟： 除部分 屬網、 與該基 於該光 使該保 之该保 複數個 口 ’而 單元由 第二開 方式】 述目的 電容式 於一内 之金屬 複數個 板上沈 阻層形 護層從 護層進 第一開 使該等 該等第 口之尺 ’本發 指紋感 含積體 疊層， 靜電放 積一保 成複數 該等第 行乾式 口以及 明亦提供一種可抗靜電 方法，基本 測器之製造 電路的矽基 以形成上述 電單元及複 護層；於該 個第一窗口 一窗口與該 破壞及 上其包 金屬疊 板電 於該金 成一光 第二窗 板上形成一 之複數個平 數個焊塾； 保護層上形 以及複數個 等第二窗口露出； 姓刻，以形 對應至該等 焊墊由該等第二開 一開口露出，各該 寸；以及移除該光 成對應至該 第二窗口之 口露出，使 等第 複數個 該等靜 第一開口之尺寸小 阻層。 圖4顯不利用本發明之電容式指紋感測器來讀取手指指 紋之不意圖。如圖4所示，此指紋感測器2包含以二維（2D) 陣列排列之複數個電容感測元20。當手指1接觸該感測器2 時，手指1表面的不規則形狀紋峰（Ridge)11會與部分之電 容感測元20接觸，而在該感測器2上留下 電容值曲線lla。透過讀取電容值曲線Ua的;f狀V便可以的 辨認原來紋峰1 1之形狀。 圖5顯示依據本發明第一實施例之電容式指紋感測器之 局部俯視示意圖。圖6顯示沿著圖5之線6 - 6之電容式指紋感 測器之剖視示意圖。如圖5與6所示，本發明之電容式指紋

1225221 五、發明說明（5) — 感測器2基本上包含一内含積體電路的矽基板21、複數個平 板電極22、一金屬網23、複數個靜電放電單元24、複數個 焊墊25、及一保護層26。該等平板電極22係以陣列棑列的 方式形成於該基板21上。金屬網23係形成於該等平板電極 22之間，並與該等平板電極22齊平，且包圍各該平板電極 2 2。詳吕之，金屬網2 3係縱橫地穿設於該等平板電極2 2之 間隙中。該等平板電極22與該等金屬網23隔開一預定之間 距。該等焊墊25係作為該電容式指紋感測器2之輸入與輸出 部分。該金屬網23連接至一接地端GND，主要是要將靜電 引至接地端GND，避免感測器遭受到靜電破壞。該等靜電放 電單元24係與該金屬網23連接，進而連接至接地端。相鄰 之靜電放電單元24之距離D遠大於相鄰之平板電極22之間 距，所以該等靜電放電單元24之數目遠小於該等平板電極 2 2之數目。 保護層26係完全覆蓋於該等平板電極22及該金屬網 23，並局部覆蓋於該等靜電放電單元24及該等焊墊託之 上。該保護層26係於該等靜電放電單元24上形 -開…，並於該等焊墊25之上形成複數之第

值得注意的是，各該第一開口27之尺寸遠小於各該第二 口 28之尺寸。 J 保遵層26通常為CMOS製程的保護介電層。習知之材料 可以是氧化矽及氮化矽之疊層，其厚度則視所選擇之製程 而有所不同，通常介於微米間。然而，為了增加 指紋感測器之使用壽命及抗靜電破壞，亦可增加一高硬度

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層（在本實施例中，其為類鑽碳膜（Diam〇nd—like carbc)n f i 1 m )及奴化；5夕膜，也可以是鈦酸鋇膜、鈦酸錯膜及氧化 鈕膜等）於保護層26上，且其厚度可介於〇·3至2微米之間。 從圖5可以清楚看出，為了製作靜電放電單元24，本發 明在不影響感測效果之情況下犧牲掉某些平板電極之感測 面積。所以，該等平板電極22包含複數個犧牲電極22s及複 數個標準電極22N，該等犧牲電極2 2S係與該等靜電放電單 元2 4鄰接’且各該犧牲電極2 2 S之尺寸小於各該標準電極 22N之尺寸。於本實施例中，各該靜電放電單元24係僅與一

個犧牲電極2 2 S鄰接。所以在九個平板電極2 2中，只有一個 犧牲電極2 2 S。 平板電極2 2與金屬網2 3可以是由相同之材料所製造 成。舉例而言，平板電極22與金屬網23可以是鋁金屬疊層 30或銅金屬疊層。鋁金屬疊層3〇係為積體電路製程中的最 頂層之金屬薄膜。於本實施例中，平板電極2 2之面積約為 40微米*40微米，電容式感測元2〇之面積為5〇微米*50微 米，平板電極2 2與手指1間形成感測電容，而金屬網2 3係作 為靜電防護用。

當手指靠近感測器時，靜電可以從第一開口 2 7經由金 屬網23而流向接地端GND。於本實施例中，二個相鄰之靜電 放電單元2 4的最佳化間距D為5 0 0至1 0 〇 〇微求。 圖7顯示圖6之焊墊之放大示意圖。圖8顯示圖6之放電 單元之放大示意圖。如圖7與8所杀，鋁金屬疊層30包含位 於該基板21上之一鈦層51，位於該鈦層51上之一鋁合金層

第12頁 I22522l 五、發明說明（7) 52 ’及位於該鋁合金層52上之一氮化鈦層53。鋁合金層52 係由各該第一開口 2 7露出。各焊墊2 5包含位於該基板2 1上 之一鈦層51，位於該鈦層51上且由各該第二開口 28露出之 一結合金層52，及位於該鋁合金層52上且圍繞各該第二開 口 2 8之一氮化鈦層5 3。值得注意的是，由於下述說明之蝕 刻製程之特性’使得在各該第一開口 2 7中之該氮化鈦層5 3 之一中間厚度T1小於該氮化鈦層53之一周邊厚度T2，而位 在各該第二開口 28中之氮化鈦層53實質上完全會被移除。 圖9顯示依據本發明第二實施例之電容式指紋感測器之 俯視示意圖。圖9之感測器係與圖5類似，不同之處在於圖9 之各該靜電放電單元24係僅與兩個犧牲電極22S鄰接。亦 即，兩個鄰接之平板電極22各犧牲掉一個區域來供靜電放 電單元24使用。 圖10顯示依據本發明第三實施例之電容式指紋感測器 之俯視不意圖。圖1 0之感測器係與圖5類似，不同之處在於 圖10之各該靜電放電單元24係僅與四個犧牲電極22s鄰接。 亦即，四個鄰接之平板電極22各犧牲掉一個區 放電單元24使用。 个卜、砰电 圖11 A與1 1 B分別顯示本發明之雷交—此“ a . ,,^ β <尾谷式指紋感測器在被 施加靜電之前後的感測結果。本發 „ ... ,、 今货明抹用之測試條件為空 軋模式（air mode)下各施加1 〇次之+ a y 率為W。如圖m與11B所示，兩電’間隔頻 顯的破壞’表示感測器仍能正常運作果比較下無明 中雙1乍。因此，木發明井 紋感測器的靜電放電（ESD)防護能六p^ ^ 更此力已經可以達2〇κν以上，

1225221 五、發明說明（8) 且感測為的内部電路不會受到破壞。 圖1 2A至1 2E分別顯示本發明之電容式指紋感測器之製 造步驟。 參見圖12A ’首先於一内含積體電路的矽基板21上形成 一金屬疊層50。 、…接著’請參見圖丨2β，部分之金屬疊層5〇被移除，以形 成複數個平板電極2 2、一金屬網2 3、複數個靜電放電單元 24、及複數個焊墊25。上述元件之構造及相互之關係已經 說明於上，於此不再詳述。 然，，請參見圖12C，於該金屬疊層50與該基板21上沈 積一保濩層2 6。在本實施例中，保護層2 6結構包含了一氧 化，層與氮化矽層之疊層。所以，可以於該金屬疊層5 〇 與，基板2 1上沈積一氧化矽層，然後於該氧化矽層上沈積 一氮化石夕層。 、 接著’請參見圖1 2 D，於該保護層2 6上形成一光阻層 4〇，之後，於該光阻層4〇形成複數個第一窗口 41以及複數 個第二窗口42，以使該保護層26從該等第一窗口41與該等 第二窗口 42露出。 然後，請參見圖12Ε，對露出之該保護層26進行乾式蝕 刻，以形成對應至該等第一窗口41之複數個第一開口27以 及對應至該等第二窗口42之複數個第二開口28，而使該等 焊墊25由該等第二開口 28露出，使該等靜電放電單元24由 該等第一開口 27露出，各該第一開口 27之尺寸遠小於各該 第二開口 28之尺寸。於此乾蝕刻製程中，在完全移除位=

1225221 五、發明說明（9) 該等第二開口 2 8中之該氮化鈦層5 3的同時，可以移除位於 該等第一開口 2 7中之該氮化鈦層5 3之一部份，以使在各該 第一開口 2 7中之該氮化鈦層5 3之一中間厚度T 1小於該氮化 欽層5 3之一周邊厚度T 2 ’如圖8所不。值得注意的是，該保 護層26更可以包含上述之高硬度層，位於該氮化鈦層53 上。於此狀況下，高硬度層可以視為是保護層2 6之一部 份。 接著，該光阻層4 0被移除，以形成如圖6所示之構造。 藉由上述構造及方法，因為金屬網2 3係設計於保護層 2 6下方，所以保護層2 6沈積完成後不會再暴露於蝕刻環境 中。即使在形成開口 27與28的過程，保護層26上面亦有光 阻層40的保護，故不會有任何受損。藉此，保護層26之表 面便不會有如習知技術之微小孔洞，容易造成應力集中、 表面親水性、ESD破壞、使用不當損壞、及殘污干擾影像之 情況。 另外，供靜電放電單元24使用之第一開口 27係與供焊 墊25使用之第二開口 28係設計於同一道光罩中，但其尺寸 則有相當大差距。舉例而言，第一開口 2 7之尺寸通常為5至 1 〇微米，而第二開口 2 8之尺寸通常為1 0 〇至1 5 〇微米。所 以’故在開口形成之過程中，不僅可以完全去除保護層2 6 而形成第二開口 2 8，最上面的氮化鈦層5 3亦可以完全被去 除而使鋁合金層5 2完全裸露出，以利後續的打線動作。熟 ‘本項技藝者應可輕易理解到，形成開口所使用的乾式餘 刻方式皆有負載效應（1〇ading ef f ect)，也就是說，開口

1225221 五、發明說明（10) 較小者蝕刻速度較慢 間的控管，得以保留 度約為0 · 1微米）。由 合長期使用、適合暴 體的靜電便可以藉由 52連線導通至接地端 上述之製程設計 習知技術，而且可完 程及材料來製造本發 本發明優點不僅 之少數靜電放電單元 污’大部分殘污也是 了許多殘污電容對影 在較佳實施例之 以方便說明本發明之 於上述實施例，在不 圍之情況，所做之種 。本發明即是利用這一特性，藉由時 第一開口 2 7中之部分的氮化鈦層5 3 (厚 於氮化鈦層5 3不易氧化，耐腐蝕、適 露於空氣中。如此，靠近感測器之物 第一開口 2 7、氮化鈦層5 3及鋁合金層 ’藉以避免靜電破壞。 心全不需要使用具有高複雜度之前述 全利用商業用積體電路工廠的標準流 明之感測器。 μ 在於ESD防護能力，同時僅利用長間距 便可以完成E S D防護，即使使用後有殘 獨立的，並不與金屬網2 3連接，減少 像所造成的干擾。 '夕 詳細說明中所提出之具體實施例僅用 ，術内容，而非將本發明狹義地限 超出本發明之精神及以下申請 種變化實施，皆屬於本發明之範圍乾

第16頁 1225221 圖式簡單說明 圖1顯示一種習知之指紋感測器之上表面部分之示意 圖。 圖2顯示一種習知之指紋感測器與手指接觸之示意圖。 圖3顯示圖2之指紋感測器上面殘留有污點之示意圖。 圖4顯示利用本發明之電容式指紋感測器來讀取手指指 紋之示意圖。 圖5顯示依據本發明第一實施例之電容式指紋感測器之 局部俯視不意圖。

圖6顯示沿著圖5之線6 - 6之電容式指紋感測器之剖視示 意圖。 圖7顯示圖6之焊墊之放大示意圖。 圖8顯示圖6之放電單元之放大示意圖。 圖9顯示依據本發明第二實施例之電容式指紋感測器之 俯視不意圖。 圖1 0顯示依據本發明第三實施例之電容式指紋感測器 之俯視示意圖。 圖11 A與1 1 B分別顯示本發明之電容式指紋感測器在被 施加靜電之前後的感測結果。

圖1 2A至1 2E分別顯示本發明之電容式指紋感測器之製 造步驟。 [元件代表符號說明] 1〜手指 2〜電容式指紋感測器 1 1〜紋峰 11 a〜電容值曲線

第17頁 1225221 圖式簡單說明 12〜 紋谷 20- ，電 容 式 感 測元 2卜 基板 22〜 ，平 板 電 極 22N 〜標準電極 22S〜 '犧 牲 電 極 23〜 金屬網 24〜 靜 電 放 電 口口 — 早兀 25〜 焊墊 26〜 保 護 層 27〜 第一開口 28〜 第 二 開 V 30〜 鋁金屬疊層 40〜 光 阻 層 4卜 第一窗口 42〜 第 二 窗 口 50〜 金屬疊層 51- 鈦 層 52〜 鋁合金層 53〜 氮 化 鈦 層 107 〜氧化矽 108〜 孔 洞 109 〜外表面 110〜 基 板 111 〜保護層 112〜 平 板 電 極 113 〜鎢金屬網 114〜 殘 污 115 〜殘污電容

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Claims (1)

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污干擾之電容式指紋感測 1 · 一種可抗靜電破壞及防殘 器，包含： 一内含積體電路的矽基板； 複數個平板電極，以陣列排 上； j辨歹J的方式形成於該基板 金屬網’縱橫地穿設於該等平} 平柘雷扛赢τ ^ 发寻十板電極之間並與該等 十板電極齊平，且包圍各該平板 接地端； Θ孟屬網連接至一

2個靜電放電單元，與該金屬網連接，並形成於該 雷：：？極中之預定數目之相鄰之平板電極之間，該等靜 双電早元之數目小於該等平板電極之數目； 複數個焊墊’作為該電容式指紋感測器之輸入斑輸出 部分；及 ^ 一保護層，完全覆蓋於該等平板電極及該金屬網，並 ，部覆蓋於該等靜電放電單元及該等焊墊之上，藉以於該 專靜電放電單元上形成複數之第一開口，並於該等焊墊之 上形成複數之第二開口，各該第一開口之尺寸小於各該第 二開口之尺寸。

2 ·如申請專利範圍第1項所述之可抗靜電破壞及防殘 污干擾之電容式指紋感測器，其中該等平板電極與該金屬 網包含相同之材料。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之可抗靜電破壞及防殘 污干擾之電容式指紋感測器，其中各該平板電極包含一鲜 金屬疊層。

第19頁 1225221 六、申請專利範圍 4.如申請專利範圍第3項所述之可γ ^ 污干擾之電容式指紋感測器，豆 j柷諍電破壞及防殘 -鈦層，位於該基板上；〃…呂金屬疊層包含： 一鋁合金層，位於該鈦層上；及 一氮化鈦層，位於該鋁合金層 露出。 〇查禮上，並由各該第一開口 5 ·如申睛專利範圍第2項所述之可浐κ + 污干擾之雷究彳扣好rV、、， T抗静電破壞及防殘 金屬ΐί 紋感測器，其中各該平板電極包含-銅 污干6擾項所R可抗靜電破壞及防殘 個犧牲電枉及ί ί f感測器’其中該等平板電極包含複數 電ίΐΓ 標準，極，該等犧牲電極係與該等l 極之尺寸， ，且各該犧牲電極之尺寸小於各該標準電 $ 如申印專利範圍第6項所述之可抗靜電破壞及防殘 命干擾之電容式指紋感測器，其中各該靜電放電單元係僅 /、一個犧牲電極鄰接。 、、一 8·如申請專利範圍第e項所述之可抗靜電破壞及防殘 了干擾之電容式指紋感測器，其中各該靜電放電單元係僅 與兩個犧牲電極鄰接。 、一 9 ·如申明專利範圍第6項戶斤述之可抗靜電破壞及防殘 一干擾之電谷式指紋感測器，其中各该靜電放電單元係僅 與四個犧牲電極鄰接。 / 1〇·如申請專利範圍第6項所述之可抗靜電破壞及防殘

第20貢 1225221 六、申請專利範圍 >可干擾之電容式指紋感測器，其中該保護層係由_氧化矽 層及一氮化矽層所堆疊組成： 、一 如申請專利範圍第6項所述之可抗靜電破壞及防殘 π干擾之電容式指紋感測器，其中二個相鄰之 元的間距實質上在5〇〇Μ_微米之間。 東放電早 、、一 12·如申請專利範圍第1項所述之可抗靜電破壞及防殘 /亏干擾之電容式指紋感測器，更包含： ^ m Ί硬度層，位於該保護層上，該高硬度層包含選自 赠'、碳膜、碳化矽膜、鈦酸鋇膜、鈦酸鳃膜、及氧化鈕 膜之'。 一 器之U·、:種可抗靜電破壞及防殘污干擾之電容式指紋感測 &方法，包含以下步驟： =一内含積體電路的矽基板上形成一金屬疊層； 移除部分之金屬疊層，以形成： 上·硬數個平板電極’以陣列排列的方式形成於該基板 平板電ί Ϊ:::=穿設於該等平板電極之間並與該等 複數個靜電；;=各：：：】極；廿 等平板電極之預定I 與该金屬網連接，並形成於該 放電單元m 3 ?目之相鄰之平板電極之間，該等靜電 :小於該等平板電極之數目.及 禝數個焊墊，作 ^數目’及 部分； 碍该電谷式指紋感測器之輸入與輸出 於該金屬疊層與今其 μ基板上沈積一保護層；

1 第21頁 1225221 六、申請專利範圍 於該保護層上形成一光阻層； 於該光阻層形成複數個第一窗口以及複數個第二窗 口 ，以使該保護層從該等第一窗口與該等第二窗口露出； 對露出之該保護層進行乾式蝕刻，以形成對應至該等 第一窗口之複數個第一開口以及對應至該等第二窗口之複 數個第二開口 ，而使該等焊墊由該等第二開口露出，使該 等靜電放電單元由該等第一開口露出，各該第一開口之尺 寸小於各該第二開口之尺寸；以及 移除該光阻層。 14.如申請專利範圍第1 3項所述之可抗靜電破壞及防 殘污干擾之電容式指紋感測器之製造方法，其中於該基板 上形成該金屬疊層之步驟包含以下步驟： 於該基板上形成一鈦層； · 於該鈦層上形成一紹合金層；及 於該铭合金層上形成一氮化鈦層。 1 5.如申請專利範圍第1 3項所述之可抗靜電破壞及防殘 污干擾之電容式指紋感測器之製造方法，其中對露出之該 保護層進行乾式蝕刻之該步驟包含以下步驟： 實質上完全移除位於該等第二開口中之該氮化鈦層； 以及 移除位於該等第一開口中之該氮化鈦層之一部份，以 使在各該第一開口中之該氮化鈦層之一中間厚度小於該氮 化鈦層之一周邊厚度。 1 6.如申請專利範圍第1 3項所述之可抗靜電破壞及防殘

第22頁 1225221 六、申請專利範圍 污干擾之電容式指紋感測器之製造方法，其中於該金屬疊 層與該基板上沈積一保護層之步驟包含： 於該金屬疊層與該基板上沈積一氧化^夕層；及 於該氧化矽層上沈積一氮化矽層。 1 7.如申請專利範圍第1 6項所述之可抗靜電破壞及防殘 污干擾之電容式指紋感測器之製造方法，其中於該金屬疊 層與該基板上沈積一保護層之步驟更包含： 於該氮化石夕層上沈積一高硬度層。

18. 如申請專利範圍第1 7項所述之可抗靜電破壞及防 殘污干擾之電容式指紋感測器之製造方法，其中該高硬度 層包含選自於類鑽碳膜、碳化矽膜、鈦酸鋇膜、鈦酸锶 膜、及氧化钽膜之一。

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