CN1308886C - 电容式压力感测元结构及制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明有关一种电容式压力感测元结构及制造方法。其结构包括：一固定下电极板固定于一基底层上，一浮动上电极板悬浮于固定下电极板的上方，两电极板之间的间隙形成一平行板感测电容；具有一中间部分及一周边部分的一第一介电层罩覆基底层及两电极板，其周边部分中形成有电连接至浮动上电极板的数个上金属栓塞柱；一上金属复合层形成于周边部分上并电连接至该等上金属栓塞柱；保护层覆盖于周边部分及上金属复合层上；蚀刻窗孔贯通第一介电层及浮动上电极板并与间隙连通，且由一封口栓塞柱封住。本发明的电容式压力感测元结构可以有效减少复合式浮动结构的厚度，藉以提升感测效果。

Description

电容式压力感测元结构及制造方法

技术领域

本发明关于一种电容式压力感测元结构及制造方法，尤其关于一种具有不易受温度及水分噪声干扰的具有较佳感测效果的电容式压力感测元结构及制造方法。

背景技术

现有技术中的指纹读取方法，可以利用沾有墨水的手指按压在纸上，再利用光学扫描仪来扫描该纸张以将指纹输入计算机中，然后与数据库中的指纹图形比较。然而，上述方法的最大缺点为无法达到实时处理的目的，因此无法满足越来越多实时认证的需求，例如：网络认证，电子商务，携带式电子产品保密，IC卡个人身分认证，保安系统等等。

实时的指纹读取装置便成为生物辨识市场中的关键技术。传统的实时指纹读取装置为光学方式，请参见美国专利号第4,053,228及4,340,300号专利，其发展已相当成熟且精准度亦高，然而体积过于庞大且价格亦较为昂贵，不适用于各种便携式电子产品及普及化推广。

为此，利用硅半导体的晶片式指纹感测装置应运而生，其克服了上述光学式的指纹读取装置的缺点。基于硅集成电路制程的考虑，电容式指纹读取晶片成为最直接且简单的方法，其较早的文献请参见美国专利号第4,290,052及4,353,056号。然此种电容式指纹读取晶片最大问题乃在于无法有效克服干、湿手指所引起的侦测干扰问题，且无法有效防止静电破坏。

目前较新技术是利用微加工技术所发展的电容式压力传感器作为指纹侦测的方法，可以参见本案发明人的下列中国专利申请案：1.中国发明专利申请案序号01119057.4，申请日为2001年5月25日，发明名称为「电容式压力微传感组件及制造方法与信号读取方法」；2.中国发明专利申请案序号02105960.8，申请日为2002年4月10日，发明名称为「电容式指纹读取晶片」；3.中国发明专利申请案序号02123058.7，申请日为2002年06月13日，发明名称为「压力式指纹读取晶片及其制造方法」。该些专利可以有效解决上述问题。然而，仍具有以下缺点。

1.虽然浮动上电极板会在受压力的状态下弯曲往下沉，但是连同浮动上电极板一起弯曲往下沉的结构还有一金属间介电层及埋于其中的数个金属栓塞柱、一金属复合层、一保护层、一凸块及一覆盖层。这种复合式浮动结构的厚度大约是厚达3微米。由于弯曲下沉的程度与厚度的三次方成正比，使得太厚的整个浮动结构的灵敏度不高。

2.由于整个复合式浮动结构的组成材料太复杂，容易造成残余应力集中的现象，使得整个传感器的特性不稳定且效果不佳。

3.由于整个复合式浮动结构的组成材料太多，复合材料结构容易受到温度上升或下降而造成双晶(Bimorph)效应，使得传感器容易受到温度上升或下降而产生噪声，同样造成感测效果不佳的后果。

因此，如何提供一种能解决上述问题的电容式压力感测元结构，实为本领域所欲解决的问题。

发明内容

本发明提供一种电容式压力感测元结构及制造方法，其中电容式压力感测元结构几乎可以视为单一材料的薄型结构，藉以解决上述所有的问题。

本发明提供的电容式压力感测元结构，其包含一基底层、一固定下电极板、一浮动上电极板、一间隙、一第一介电层、一上金属复合层、一保护层、多个蚀刻窗孔及封口栓塞柱。基底层中形成有多个下金属栓塞柱；固定下电极板系固定于基底层上，并电连接至该等下金属栓塞柱；浮动上电极板悬浮于固定下电极板的上方，用以与固定下电极板形成一平行板感测电容；间隙位于固定下电极板与浮动上电极板之间；第一介电层罩覆基底层、固定下电极板、浮动上电极板及间隙；第一介电层具有中间部分及周边部分，周边部分中形成有电连接至浮动上电极板的多个上金属栓塞柱；上金属复合层形成于第一介电层的周边部分上，并电连接至该等上金属栓塞柱；保护层覆盖于第一介电层的周边部分及上金属复合层上。多个蚀刻窗孔贯通第一介电层及浮动上电极板，该等蚀刻窗孔位于第一介电层的中间部分的边缘，并与间隙连通。封口栓塞柱用以封住该等蚀刻窗孔。

本发明亦提供一种电容式压力感测元的制造方法，包括下列步骤：

提供一感测元初始结构，其包含：

一基底层，其中形成有多个下金属栓塞柱；

一下金属复合层，位于该基底层上，该下金属复合层包含：一第一金属层，与该基底层接触；一合金层，位于该第一金属层上；及一第二金属层，位于该合金层上；

一第一介电层，罩覆该基底层及该下金属复合层，该第一介电层具有中间部分及周边部分，该周边部分中形成有电连接至该第二金属层的多个上金属栓塞柱；

一上金属复合层，其形成于该第一介电层的周边部分上，并电连接至所述上金属栓塞柱；及

一保护层，覆盖于该第一介电层的周边部分及上金属复合层上；

移除该保护层的一部分，藉以使该第一介电层露出，并使位于该第一介电层的周边部分的该上金属复合层不露出；

于露出的该第一介电层上形成多个蚀刻窗孔，所述蚀刻窗孔贯通该第一介电层及该第二金属层以使该合金层露出，且该等蚀刻窗孔位于第一介电层的该中间部分的边缘；

从该等蚀刻窗孔以一蚀刻溶液蚀刻该合金层，以移除该合金层，并保留该第一金属层及该第二金属层，以分别形成一固定下电极板、一浮动上电极板、及位于该固定下电极板与该浮动上电极板之间的一间隙，该浮动上电极板用以与该固定下电极板形成一平行板感测电容；

于该等蚀刻窗孔周围形成一封口栓塞柱，用以封住该等蚀刻窗孔。

本发明的电容式压力感测元结构可以有效减少复合式浮动结构的厚度，藉以提升感测效果。

附图说明

图1为本发明较佳实施例的电容式压力感测元结构的剖视图。

图2A至2E为本发明较佳实施例的电容式压力感测元的制造过程的剖视图。

图3为图2D的电容式压力感测元结构的俯视图。

图4为应用本发明的电容式压力感测元结构的指纹传感器的立体示意图。

图5为应用本发明的电容式压力感测元结构的指纹传感器的结构方框图。

图6为图4的指纹传感器在读取指纹时的立体示意图。

图7为图4的指纹传感器在读取指纹时的原理示意图。

具体实施方式

图1显示依据本发明较佳实施例的电容式压力感测元结构的剖视图。

如图1所示，本实施例的电容式压力感测元20包含一基底层301、一固定下电极板303A、一浮动上电极板303B、一间隙303C、一第一介电层304、一上金属复合层306、一保护层307、多个蚀刻窗孔308及封口栓塞柱309。

基底层301中形成有多个下金属栓塞柱302以及相关的电路组件。固定下电极板303A系固定于基底层301上，并电连接至该等下金属栓塞柱302。固定下电极板303A是由一钛或氮化钛材料所构成。相同的，浮动上电极板303B是由一种钛或氮化钛材料所构成，且其悬浮于固定下电极板303A的上方，用以与固定下电极板303A形成一平行板感测电容21。间隙303C位于固定下电极板303A与浮动上电极板303B之间。第一介电层304罩覆基底层301、固定下电极板303A、浮动上电极板303B及间隙303C。第一介电层304具有一中间部分304A及一周边部分304B。周边部分304B中形成有电连接至浮动上电极板303B的多个上金属栓塞柱305。上金属复合层306形成于第一介电层304的周边部分304B上，并电连接至该等上金属栓塞柱305。保护层307覆盖于第一介电层304的周边部分304B及上金属复合层306上。该等蚀刻窗孔308贯通第一介电层304及浮动上电极板303B。

该等蚀刻窗孔308位于第一介电层304的中间部分304A的边缘，并与间隙303C连通。封口栓塞柱309用以封住该等蚀刻窗孔308。封口栓塞柱309可以由一种光阻材料、一种金属材料、一种介电层材料例如氧化硅材料、氮化硅材料、碳化硅及类钻碳膜所构成，抑或上述材料的组合。为了更进一步保护平行板感测电容21，例如防尘、耐压、耐磨及耐腐蚀，封口栓塞柱309的材料亦可用以覆盖住图2E的组件的最外层的所有上表面。

电容式压力感测元20可以应用于感测流体(液体或气体)压力变化的场合，亦可以应用于触觉压力的感测，例如机械手臂的触觉感测，特别本实施例中应用于指纹纹路施力读取以作为一指纹传感器，其中应用于指纹传感器时，电容式压力感测元20可以更包含一凸块310，其作为浮动上电极板303B上的一受手指施力集中点。于此情况下，上金属复合层306更形成于第一介电层304的中间部分304A上。保护层307更覆盖于第一介电层304的中间部分304A及位于中间部分304A的上金属复合层306上，藉以使位于中间部分304A的上金属复合层306与第一介电层304构成凸块310。

图2A至2E显示依据本发明较佳实施例的电容式压力感测元的制造过程的剖视图。特别的是，本发明的制造方法及使用材料完全兼容于商用集成电路制程，特别是CMOS制程。如图2A至2E所示，本发明的一种电容式压力感测元20的制造方法包含以下步骤：

首先，如图2A左半部所示，提供一感测元初始结构300，此一感测元初始结构300完全依据商用集成电路制程及设计准则所完成，所不同的是尚未完成最后的金属焊垫保护层蚀刻(bonding pad passivation opening)。其中包含一基底层(氧化硅)301、一下金属复合层303、一第一介电层(氧化硅)304、一上金属复合层306及一保护层(氧化硅及氮化硅的复合层)307。基底层301中形成有多个下金属栓塞柱302。下金属复合层303位于基底层301上，且包含一第一金属层303A、一合金层303D及一第二金属层303B。第一金属层303A与基底层301接触。合金层303D位于第一金属层303A上。第二金属层303B位于合金层303D上。

第一介电层304罩覆基底层301及下金属复合层303。第一介电层304具有一中间部分304A及一周边部分304B。周边部分304B中形成有电连接至第二金属层303B的多个上金属栓塞柱305。上金属复合层306形成于第一介电层304的周边部分304B上，并电连接至该等上金属栓塞柱305。保护层307覆盖于第一介电层304的周边部分304B及上金属复合层306上。

然后，如图2B所示，移除保护层307的一部分，藉以使第一介电层304露出，并使位于第一介电层304的周边部分304B的上金属复合层306不露出。图2A及图2B的右半部显示感测元初始结构300可以更包含一焊垫层311，其形成于第一介电层304的周边部分304B上。焊垫层311由上金属复合层306与覆盖上金属复合层306的保护层307所形成。于移除保护层307的一部分的该步骤中，位于焊垫层311上的保护层307的一部份被移除，以形成多个外露的焊垫312。焊垫312是控制感测元的输入输出的部位，本发明的制造方法可以利用形成不可或缺的焊垫的步骤同时定义出图2B的图案。

接着，如图2C所示，于露出的第一介电层304上形成多个蚀刻窗孔308。该等蚀刻窗孔308贯通第一介电层304及第二金属层303B以使合金层303D露出，且该等蚀刻窗孔308位于第一介电层304的中间部分304A的边缘。

然后，如图2D所示，将完成图2C制程的晶圆置入一蚀刻溶液中，藉以从该等蚀刻窗孔308以该蚀刻溶液蚀刻合金层303D，以移除合金层303D，并保留第一金属层303A及第二金属层303B，以分别形成一固定下电极板303A、一浮动上电极板303B、及位于固定下电极板303A与浮动上电极板303B之间的一间隙303C。浮动上电极板303B用以与固定下电极板303A形成一平行板感测电容21。

接着，如图2E所示，于该等蚀刻窗孔308周围形成一封口栓塞柱309，用以封住该等蚀刻窗孔308。

同上所述，感测元初始结构300可以更包含一凸块310，其位于第一介电层304的中间部分304A上。凸块310在后续过程中都不被移除，藉以作为浮动上电极板303B上的一施力集中点。

此外，上金属复合层306更形成于第一介电层304的中间部分304A上，但位于中间部分304A上的上金属复合层306不电连接至该等上金属栓塞柱305。且于移除保护层307的一部分的步骤中，位于中间部分304A上的上金属复合层306上的保护层307不被移除，藉以使位于中间部分304A上的上金属复合层306上与保护层307形成凸块310。

在商用集成电路制程中，第二金属层303B由一钛或氮化钛薄膜所构成，第一金属层303A由一钛或氮化钛薄膜所构成，而合金层303D为一铝合金层，这一种303A/303D/303B的金属层结构存在于各种标准的晶圆工厂制程，本发明便是利用此一标准结构进行平行板电容设计，同样的，在铜导线制程中也可以采用同样的观念，选择性的去除铜材料。在本实施例中该蚀刻溶液为一铝蚀刻溶液。铝蚀刻溶液是由磷酸、硝酸及醋酸混合而成，在适当的比例调配及温度之下，可以快速去除铝材料(＞1微米/分)。同时，此蚀刻溶液对于钛及氮化钛有极佳的选择性，因此可以完成去铝留钛及氮化钛的选择性蚀刻技术。封口栓塞柱309可以是由一种光阻材料、一种金属材料、一种氧化硅材料或一种氮化硅材料所构成。

至此，本发明的电容式压力感测元便可以完全利用商用的集成电路制程完成制造，因此可以很容易的整合相对应的读取及处理电路于感测元下方或旁边，达成集成化(monolithic)的设计。同时本发明亦具备了几个特点，感测元的悬浮结构是由部份第一介电层304及第二金属层303B形成，其中第一介电层304通常为氧化硅材料，且厚度约为1微米(μm)或更厚(不同制程略有不同)，而第二金属层303B厚度通常仅有0.1μm左右，故二者形成的双晶结构几乎可以视为单一介电层304结构，因此双晶结构所造成的问题在此可以忽略。同时本发明去铝留钛及氮化钛的方法可以形成固定下电极板303A、浮动上电极板303B及间隙303C三者所构成的平行板电容，由于二电极板间为一空气或真空间隙，可以达到最好的压力/电容变量灵敏度。

图3显示图2D的电容式压力感测元结构的俯视图。于其中可看出复合式浮动结构21a、保护层307、蚀刻窗孔308及凸块310。

本发明的电容式压力感测元结构及制造完全兼容于IC工厂制程，特别是CMOS制程，而且由于本发明的压力感测元二电极板的间隙相当小，在本实施例中为0.4μm，因此即使是相当小的压力变化，都可以得到灵敏的侦测，也就是说感测元的面积可以大幅缩小到小于100μm×100μm以下。

本发明结构除了作为传统的流体压力感测外，也可将其应用于指纹传感器更详细说明，请参见前面所述及的本案发明人的相关专利申请案。

图4显示应用本发明的电容式压力感测元结构的指纹传感器的立体示意图。请参见图4，本发明的指纹传感器2包含以二维(2-D)数组方式排列的多个电容式压力感测元20制作于一硅基板200上方。每一电容式压力感测元20的结构主要为一平行板感测电容21包含底部的固定下电极板303A(图1)以及复合式浮动结构21a。复合式浮动结构21a的周围固定于硅基板200，在上下电极板中间为一空气间隙303C(图1)，而且在上电极板上方的中央部份，制作至少一凸块23(图1的310)，以作为手指施力时的应力集中点，加大复合式浮动结构21a受力的位移量(电容改变量大)，以增加灵敏度。在每个电容式压力感测元20中，每一感测电容21下方设计一参考电容(图中未示)与之连接，且配属一信号读取单元22于感测电容21旁，以便立即将侦测的信号处理输出。

图5显示应用本发明的电容式压力感测元结构的指纹传感器的结构方框图。如图5所示，本发明的指纹传感器包含了一电容式压力感测元数组201，其中的特定的电容式压力感测元20′由一列译码器202通过特定字元线202a选取，再由行译码器203通过多条行控制线212、一连续二次取样器(Correlated Double Sampling，CDS)204及特定位元线203a，读取该特定电容式压力感测元20′的电压信号。CDS的功用可以去除噪声，得到更好的信噪比。所读取的电压模拟信号最后由一放大器205放大，再藉由一模拟/数字转换器206将模拟信号转换成数字信号输出。上述的动作皆由一逻辑控制及接口电路210选取控制，而逻辑控制及接口电路210是通过一种高密度闪存接口而与一终端系统连接。上述的组件202、202a、203、203a、及204至210可以通称为一周边电路211。更详细说明，请参见本案发明人的前述专利申请案「压力式指纹读取晶片及其制造方法」。

图6显示图4的指纹传感器在读取指纹时的立体示意图。当手指1接触该压力式电容式压力指纹传感器2时，手指1表面的不规则形状纹峰(Ridge)11会施力于电容式压力感测元数组201的部分的电容式压力感测元20，而在该电容式压力指纹传感器2上留下对应于该纹峰11的电容值曲线11a，通过读取电容值曲线11a的形状便可以还原原来指纹纹峰11的形状，其更进一步说明请参见图7。

图7显示图4的指纹传感器在读取指纹时的原理示意图。如图7所示，电容式压力感测元20的平行板感测电容21是由复合式浮动结构21a及固定下电极21b(图1的303A)组成，两个电极板中间为一空气间隙24，复合式浮动结构21a中央形成一凸块23，作为受力集中点，加大受力时浮动上电极板的位移量。

当手指1接触此压力感测元数组时，仅有部分感测组件与指纹纹峰11接触(部分感测组件则是覆盖于指纹纹谷12下)，并感受到来自手指1的压力，此一压力造成感测组件的复合式浮动结构21a产生一位移量d(位移量大小视所承受的压力而定)，进而改变二平行板间的电容值。经由电路读取，即可反应出在此一数组中，受指纹纹峰11接触而产生变化的电容式压力感测元20数目，进而建构出指纹纹峰11的形状分布11a。此种感测原理完全反应手指纹路施力分布，手指干湿不会干扰指纹读取。同时，复合式浮动结构21a是连接至接地电位，手指的静电如避雷针原理般直接导通至接地电位，不会破坏底部的电路。

本发明电容式压力指纹传感器制造的最大特色为可以完全采用商用次微米(sub-micron)铝金属联线集成电路制程，特别是互补式金氧半CMOS制程。为了简化起见，在此仅说明如何利用商用集成电路制程完成单一平行板感测电容21的结构设计及材料属性，至于其它的电路设计及制因为是现有技术，在此不赘述。

有关电容式压力感测元的感测原理及触发开关的架构，可以参见上述的相关专利：「电容式压力微感测组件及其制造方法与讯号读取方式」。

由以上叙述可知，本发明的结构可以减少复合式浮动结构21a的厚度，使复合式浮动结构21a的组成材料单纯化，因此能提高整个浮动结构的灵敏度、避免应力集中的现象，使得整个传感器的特性非常稳定且效果良好，同时不会有因为双晶(Bimorph)效应所引起的噪声。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围的内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种电容式压力感测元结构，其特征在于包括：

一基底层，其中形成有多个下金属栓塞柱；

一固定下电极板，固定于基底层上，并电连接至所述下金属栓塞柱；

一浮动上电极板，悬浮于固定下电极板的上方，用以与固定下电极板形成一平行板感测电容；

一间隙，位于固定下电极板与浮动上电极板之间；

一第一介电层，罩覆所述基底层、固定下电极板、浮动上电极板及间隙，该第一介电层具有中间部分及周边部分，周边部分中形成有电连接至浮动上电极板的多个上金属栓塞柱；

一上金属复合层，形成于第一介电层的周边部分上，并电连接至所述上金属栓塞柱；

一保护层，覆盖于第一介电层的周边部分及所述上金属复合层上；

多个蚀刻窗孔，贯通第一介电层及浮动上电极板，所述蚀刻窗孔位于第一介电层的中间部分的边缘，并与间隙连通；

一封口栓塞柱，用以封住所述蚀刻窗孔。

2.如权利要求1所述的电容式压力感测元结构，其特征在于：更包含一凸块，其作为该浮动上电极板上的一应力集中点。

3.如权利要求2所述的电容式压力感测元结构，其特征在于：所述上金属复合层更形成于所述第一介电层的中间部分上，所述保护层更覆盖于该第一介电层的该中间部分及位于该中间部分的该上金属复合层上，藉以使位于该中间部分的该上金属复合层与该第一介电层构成该凸块。

4.如权利要求1所述的电容式压力感测元结构，其特征在于：所述封口栓塞柱是由一种光阻材料、一种金属材料、一种氧化硅材料或一种氮化硅材料所构成。

5.如权利要求1所述的电容式压力感测元结构，其特征在于：所述浮动上电极板由一氮化钛材料所构成。

6.如权利要求1所述的电容式压力感测元结构，其特征在于：所述固定下电极板由一钛金属材料所构成。

7.一种电容式压力感测元的制造方法，包含以下步骤：

提供一感测元初始结构，其包含：

一基底层，其中形成有多个下金属栓塞柱；

一下金属复合层，位于该基底层上，该下金属复合层包含：一第一金属层，与该基底层接触；一合金层，位于该第一金属层上；及一第二金属层，位于该合金层上；

一第一介电层，罩覆该基底层及该下金属复合层，该第一介电层具有中间部分及周边部分，该周边部分中形成有电连接至该第二金属层的多个上金属栓塞柱；

一上金属复合层，其形成于该第一介电层的周边部分上，并电连接至所述上金属栓塞柱；及

一保护层，覆盖于该第一介电层的周边部分及上金属复合层上；

移除该保护层的一部分，藉以使该第一介电层露出，并使位于该第一介电层的周边部分的该上金属复合层不露出；

于露出的该第一介电层上形成多个蚀刻窗孔，所述蚀刻窗孔贯通该第一介电层及该第二金属层以使该合金层露出，且所述蚀刻窗孔位于第一介电层的该中间部分的边缘；

从所述蚀刻窗孔以一蚀刻溶液蚀刻该合金层，以移除该合金层，并保留该第一金属层及该第二金属层，以分别形成一固定下电极板、一浮动上电极板、及位于该固定下电极板与该浮动上电极板之间的一间隙，该浮动上电极板用以与该固定下电极板形成一平行板感测电容；

于所述蚀刻窗孔周围形成一封口栓塞柱，用以封住所述蚀刻窗孔。

8.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述感测元初始结构更包含一凸块，位于该第一介电层的中间部分上，该凸块不被移除，藉以作为该浮动上电极板上的一应力集中点。

9.如权利要求8所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述上金属复合层更形成于第一介电层的中间部分上，但位于该中间部分上的上金属复合层不电连接至所述上金属栓塞柱，且于移除该保护层的一部分的步骤中，位于该中间部分上的上金属复合层上的该保护层不被移除，藉以使位于该中间部分上的上金属复合层与该保护层形成该凸块。

10.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述感测元初始结构更包括：

一焊垫层，形成于该第一介电层的周边部分上，该焊垫层由该上金属复合层与覆盖该上金属复合层的保护层所形成，且于移除该保护层的一部分的步骤中，位于该焊垫层上的该保护层的一部份被移除，以形成多个外露的焊垫。

11.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述第二金属层由一氮化钛材料所构成。

12.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：其中该第一金属层是由一钛金属材料所构成。

13.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述合金层为一铝合金层，且该蚀刻溶液为一铝蚀刻溶液。

14.如权利要求12所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述铝蚀刻溶液是由磷酸、硝酸及醋酸混合而成。

15.如权利要求7所述的电容式压力感测元的制造方法，其特征在于：所述封口栓塞柱由一种光阻材料、一种金属材料、一种氧化硅材料或一种氮化硅材料所构成。

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