TWI223331B - Dielectric film - Google Patents

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玖、發明說明： 【與相關之專利申請案交互為蒼考資料】 本專利申請案主張於2002年6月28日提申的美國臨時 申請案序列編號60/392,057以及於2002年6月14日提申的英 5 國專利申請案編號0213708.1與於2002年6月18日提申的英 國專利申請案編號0213888.1之優先權。 I：發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係關於具有一介電常數(k)低於大約2.5之孔隙 10 性介電薄膜。過去多年來持續在研發製造該等供用於(特別 是）半導體裝置之具有低介電常數介電材料，俾與日益縮小 尺寸之裝置架構相容。依目前所認定使一具通用絕緣體達 到k值低於大約2.5，該等材料會無可避免地具有某種程度 之孔隙性。此孔隙性於整合上會呈現重大問題，特別是以 15 導孔或互連模組形成之介電層，其係由於在蝕刻時，若孔 隙實際互連或貫穿表面，則該以蝕刻形成之面板將會粗糙 且可能被穿透。 於目前典型之架構中，銅被沉積入這些被蝕刻之溝槽 及導孔中，且由於銅將容易地擴散至介電材料，因此介電 20 材料必須包裝一隔離擴散物。一個理想是一種具有隔離特 性之絕緣體，但目前解決方案則是倚賴分隔沉積層。 【先前技術3 發明背景 沉積這些隔離層傳統上是使用物理氣相沉積技術，但 5 1223331 這些技術無法提供足夠之隔離覆層均一度’因而使用化學 氣相沉積(CVD)技術，例如：金屬有機CVD、金屬_化物 CVD及原子層CVD。由於CVD技術能夠產生接近1 〇〇%均一 度，前導體及反應物皆能穿透孔隙介電物。此效應被顯示 5 於第 1 圖（資料來源：IMEC at ARMM 2001Conference)及第2 圖（資料來源：Passemard et al; “intergration issue of low k and ULK materials and damascene structure” at ARMM 2001Conference)。於二者之情形中，可觀察到面板顯現“模 糊（fuzzy)”，此係意指CVD前導物已被吸附至孔隙性介電 10層，使介電及隔離層之間產生一個無分界隔離。 EP-A-1195801描述之方法，據信是可增加面板的孔隙 度，且其係藉由提供一保護層或密封層來產生面板封孔。 該方法暗示這種密封層可藉由一種包含氧氣及氮氣之電漿 來形成，但其並沒有實際描述該方法。添加額外之材料至 15高的高寬比之導孔中是不為所欲的，且可能會增加導孔中 銅的電阻。是否如該申請案所暗示會於密封層表面維持局 部低k值，這並不清楚。 【發明内容3 發明概要 20 由本發明之一方面而言，本發明係包含一種具有一介 電常數(k)低於大約2 · 5及一碳含量不低於丨〇 %之孔隙性介 電薄膜，其包含一導孔或其他居於導孔内的蝕刻形成物， 其中e亥居於導孔或形成物之外露表面或由薄膜所構成之表 面是實質為非孔隙性。 6 可被瞭解的是此方法與EP-A-1195801完全相反，該案 之介電製程會增高居於表面層之局部孔隙度，且此困擾僅 可藉由添加一額外的密封層來予以克服。 尚需注意的是密封居於結構頂部及底部之孔隙性表 5 面，較諸密封該等與送入反應物流平行之側面而言，被認 為是較為容易的。 於一較佳具體例中，其外露表面或諸等表面是以一層 較諸整片薄膜而言為碳空乏薄膜製成。額外地或可選擇性 地，該外露表面或諸等表面可以一密度高於整片薄膜材料 10 之層體製成。於一特佳具體例中，該外露表面或諸等表面 可以一層較諸整片薄膜而言為碳空乏薄膜製成。額外地或 可選擇性地，該外露表面或諸等表面可以一實質以矽-矽鍵 結構成之層體製成，且這些鍵結可以被形成於三價矽分子 之間。其他的機構目前尚不明瞭，但其係存在於該外露表 15 面或諸等表面。 於每一個此等情形中可被瞭解的是，構成外露表面或 諸等表面之層體的製成是藉由改質蝕刻介電材料，而非藉 由進一步沉積。 整片薄膜較佳地是以一種SiCOH材料製成。 20 表面形成層體或諸等層體可以含氮或氳之電漿處理蝕 刻表面或諸等表面來予以製成，此製程與另一製程(例如： 光阻去除）可能會至少部分地同步進行。 本發明進一步還包含一覆蓋外露表面或諸等表面之阻 障層，於此種情形之阻障層沒有穿透外露表面或諸等表 7 面。該阻障層較佳是藉由化學氣相沉積(CVD)來予以沉積。 於本發明更進一步之方面係包含一種於一半導體裝置 中製造一種互連模組層體之方法，該方法包含： a:於一基材上沉積一低K值孔隙性介電薄膜； 5 b:沉積一光阻； c:於光阻上形成圖型，俾以界定蝕刻孔洞； d··於介電層上，經由孔洞來蝕刻導孔或蝕刻形成物；及 e:去除光阻，其中去除該光阻是以一種氮氣或一種惰 性氣體或此等之組合，及氫氣電漿或氮氣或一種惰性氣體 10 或此等之組合，及氧氣電漿，且導孔或蝕刻形成物所在之 外露表面亦於同時曝露電漿，使該等構成外露表面之表層 敏密。 該方法亦包含於該緻密外露表面沉積一阻障層。此阻 障層可藉由化學氣相沉積法來予以沉積。 15 較佳地，氮氣或惰性氣體多於氫氣或氧氣。因此，較 佳之氮氣(N2) ··氫氣(H2)比例是5 : 1。 該基材於光阻去除期間可以是射頻偏壓。 於可選擇性之方法中，可於蝕刻步驟進行緻密，且其 可藉由非氧化電漿製程（例如：當低k值材料之特性為有機 20 物時）來予以製造。 雖然本發明已被界定如上文所述，可被瞭解的是本發 明係包含由上文提出或下文所描述之特點所構成之任何一 種創作組合。 圖式簡單說明 8 本發明可以各種不同的方式實施，在此藉由示例之方 式並參照下列圖式來描述一特定具體例，其中： 第1圖顯示穿透式電子顯微鏡(TEM)剖視圖（AL)，其顯 示CVD氮化鈦(TiN)阻障層與孔隙性低k值金屬層間介電層 (IMD)之間的交互作用； 第2圖顯示掃瞄式電子顯微鏡(SEM)剖面圖（M0)，其顯 示CVD氮化鈦(TiN)阻障層的交互作用； 第3圖是闡釋本發明特徵之一種製有溝槽之介電材料 的穿透式電子顯微鏡(TEM)剖視圖； 第4圖是第3圖之部分放大圖；及 第5a-d圖是以圖表顯示延第4圖所指示之a線之電子能 量耗失光譜(EELS)。 第6a圖是本發明介電薄膜之穿透式電子顯微鏡(TEM) 明視野剖面圖。 第6b及6c圖是闡釋前置技藝之前驅物擴散之穿透式電 子顯微鏡明視野剖面圖。 第7圖是闡釋本發明特徵之一個〇18微米結構的明視 野穿透式電子顯微鏡(TEM)圖（其相當於第3圖，但其結構 更微小）。 弟8圖是第7®結構之鈦以a)是氮氣及氧氣光阻去除/處 氮氣及氧氣光阻去除/處理之電子能量耗失光譜(eels) 掃猫。 第9圖是糊結構之碳叫是聽及氧氣轨去除/處 _氮氣及氫氣光阻絲/處理之電子能量耗失切(EELS) 9¾。 第10圖是闡釋本發明特徵之一種製有溝槽之介電材料 的明視野穿透式電子顯微鏡(TEM)圖，其中a)是全覽圖， b)、c)及d)是高倍放大圖。 第11圖顯示經由以本發明製成呈〇.18微米溝槽結構漏 電流。 第12圖顯示經由以本發明製成呈〇. 2 5微米溝槽結構漏 電流。 第13圖顯示本發明製造結構之凹陷式通道(Rc)產品。 第14圖顯示金屬有機化學氣相沈積(M〇CVD)與物理 氣相沈積(PVD)阻障層對本發明介電薄膜之比較。 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明 參見第3圖所闡釋之一組測試疊層，其係顯示嵌刻導線 製程架構中常見之一種結構。該疊層10配置於一基底介電 層11之上，且係由一餘刻終止層12、一介電層13 (具有餘 刻於其中之溝槽14)、一居於介電層13頂面之碳化矽帽蓋 15、以及一阻卩早層16所構成。添加一氧化石夕層η及一偏光 層18則僅供TEM樣品製備之目的。 介電層11及13是由一具有超過1〇%碳之低]^iSic〇HM 料構成’由本案申明人給予之商品名為〇ri〇n。此材料具孔 隙性且具有一介電常數k為大約2.2。偏光層18是一種由本 案申請人給予之商品名為Flowfill的材料。 沉積介電層11及13是使用如WO-A-01/01472所述之

Trikon/xP™工具機，該案揭露内容在此併入本案作為參考 資料。此材料是一種聚合物的冷沉積物，其後以氫氣電漿 固化。 在沒有一硬式光罩下，於一部Trikon MORI™迴旋共振 5 供應電漿蝕刻工具機中，使用（CF4/CH2F2)化學，以射頻(RF) 晶圓偏壓來蝕刻溝槽14。接續劃定供用於溝槽之蝕刻孔洞 之電漿蝕刻光阻後，於MORI™工具機，再次以迴旋共振波 型電漿供應器及射頻(RF)晶圓偏壓，使用5 : 1氮氣(N2): 氫氣(H2)化學來原位去除光阻（即於同一反應室内）。此去 10 除工阻亦同時移除聚合物殘基。如本技藝中所熟知，於去 除光阻至接續MOCVD阻障沉積阻障層16之間可進一步進 行濕式或乾式製程步驟，然而於此個例中並不施行任一 者。由於這些製程為習知本技藝人士所已知，因此不在此 詳述。 15 於一獨立系統中，使用TDEAT(四二乙胺基鈦）及氨前 驅物以及氦氣供壓來沉積MOCVD氮化鈦(矽）(TiN(Si))。迅 即於沉積之後，以氫氣電漿處理該MOCVD薄膜，其後浸泡 矽烷。於沉積之前無加熱或電漿處理。 可立即由第3圖中參見，甚至於第4圖會更清楚看見， 20 居於阻障層16與溝槽侧壁之間的交界面是平滑且連續，這 與該等顯示於第1及第2圖之前置技藝的佈置是完全相反 的。更進一步來看，該阻障層本身是平滑且連續。其顯微 照片更進一步顯示：臨近阻障層之溝槽側壁較諸該等側壁 遠端區域具有較少之孔隙（較為緻密）。該緻密區域於明視 11 野TEM影像中較暗，且於顯微照片中被標記為j及κ。 I由於_薄財㈣均雜，因麟賴侃（電浆钱 /或接、只光阻去除)之期間，該溝槽側壁產生緻密化。據 信由於在_形成期間，有大量聚合物存在於難(俾以產 5生異向㈣）’其可藉由接續去除製程予以移除，因此至少 大部分的緻密化是發生於去除光阻之期間。 旦更進—步的側壁緻密化證據是來自第5a-c圖。電子能 I耗失光譜(EELS)分析可以被使用來提供有關樣品整體厚 度及、，且成物以及個別元件分佈之資料。空間圖像可以取第4 1〇圖所確岭之軸線A作—系列一維圖像來予以產生其結果被 顯不於第5a-b圖。 比車乂諸等圖像可支持一緻密化溝槽侧壁的存在。繪製 於第5圖之訊號隨樣品厚度及樣品組成物/密度而異。居於 阻障層16雙峰之間之介電層n所產生之凹陷性訊號顯示介 15電層13靠近側壁是較為緻密或稠密的。據信該差異並非由 於厚度。第5b圖顯示鈦訊息，並證實阻障層16之界限緊密， 由薄膜13無法偵測到任何鈦訊號。第5c圖顯示溝槽側壁是 石厌空乏，而苐5d圖之氧氣曲線圖則相當平坦。 因此結論是溝槽蝕刻及/或光阻去除製程會緻密孔隙 20性低^值層體之溝槽側壁，藉此產生一平滑表面來避免阻障 層前驅物或反應物滲入。這能夠使一連續性阻障層被沉積 來防止銅滲入。雖然這些試驗僅施用於本案申請人之材 料’然而相信以至少某些其他具有超低k值孔隙性介電薄膜 (特別是諸等SiCOH家族，其係為孔隙性且含有二氧化矽 12 1223331 之氫化碳）應可得到相同之結果。此等薄膜内之碳及氫典 型是C-Η3基團，其具有效結合大量氫之c_si鍵，而此氫被 認為是使薄膜基質及所產生孔隙具有低]^值之主要因素。 緻密化之確實機制尚不清楚，但據信可能是碳由緻密 5層缺失使三價石夕原子之間形成Si_Si(石夕-石夕)鍵結。 BARC之反應性離子蝕刻製程及居於2〇〇匪晶圓上具 有一光阻遮罩之孔隙性低k值SiCOH材料為： 製程氣體 CF4及CH2F2呈4.4 : 1至6.6 : 1之比例 壓力 1_5-2亳托 _ 電漿功率 丨·25仟瓦(KW)至一感應天線 晶圓偏壓功率 400瓦特

模板溫度 -15°C 於同一反應室内進行200mm晶圓上反應性離子光阻去 除製程為： 氮(N£)及氫(¾)呈5 : 1之比例 5毫托 2.5仟瓦(KW)至一感應天線 200瓦特 o°c 製程氣體 壓力 電漿功率 晶圓偏壓功率 模板溫度 10 此姓刻製程是以靜電晶圓夾钳及氦氣背面壓力，且因 此使晶圓溫度接近模板溫度。低溫被使用來維持光阻完敕。 光阻去除製程不夾鉗晶圓，俾使晶圓溫度較高，藉此 改善殘基移除效率並增加去除速率.。於叱模板溫度下:曰匕 圓溫度峰值標示為⑽（工業標準加熱貼紙），而皿2 15板溫度下為l〇4^。 匕挺 13 1223331 雖然這些武驗使用氮氣及氫氣，然而設若氮氣於緻密 化製程中不具反應性時，可選擇性取代為（例如）氦、氖、氬、 氙及氪或任何一種其他適合濺鍍蝕刻之氣體。其等可選擇 性地被添加至氮氣及/或氫氣混合物中。 5 進行更進一步的試驗來闡釋本發明的效用。於第6(a) 圖顯不之明視野穿透式電子顯微鏡(TEM)影像為一個由本 發明介電薄膜所構成之完整結構，其具有一MOCVD沉積氮 化鈦阻障層以及由一濺鍍銅接種層、電鍍銅及化學機械研 磨步驟所構成之完全銅填洞。可參見沒有金屬擴散自阻障 10層或者銅擴散至介電薄膜。 更進一步於第6(a)圖顯示一個厚度5至8奈米之非結晶 層，其係被電漿處理改質，且具有一較諸整體孔隙性介電 薄膜有更高之密度。 相反地，於第6(b)及6(c)圖則顯示有前驅物擴散。於第 15 6(b)圖之影像是摘錄自 w. Besling，Proc. IITC 2002

Burlingame (CA) USA，2002 pP288-291。於第 6⑷圖之影像 則是摘錄自 S. Kawamura et al· Proc· IITC 2001 San Francisco, USA，ppl95-197。由明視野TEM影像參見的是金 屬擴散入介電薄膜的一種熟知且可信賴指標。 20 第7圖是如上文所述製成之一個0.18微米結構，其參照 第3圖之TEM影像。看不到金屬擴散通過阻障層，且被更進 一步驗證於第8(a)及8(b)圖，該圖為第7圖所顯示結構之鈦 的電子能量耗失光譜(EELS)掃瞒。 第8(a)圖闡釋氮氣及氧氣混合物之電子能量耗失光譜 14 (EELS)掃瞄。第8(b)圖則使用一種由200 seem氮氣及10 seem氧氣所構成之氣體混合物（一個目前所建立之最佳比 例為40 : 1)。氧氣被熟知可移除碳，且此試驗闡釋氮氣可 減低氧氣之碳移除效應，並容許孔隙性介電薄膜能夠維持 5 住一種氣體金屬前驅物之高吸收度（雖然不如氮氣+氫氣）。 此製程與EP-A-1195801所述相反，該案使用一種氮氣/氧氣 電漿來形成一密封層。 第9(a)及9(b)圖顯示第7圖結構之碳的電子能量耗失光 譜(EELS)掃瞄。於第9(a)圖中，EELS掃瞄氮氣及氧氣顯示 10 其較諸該被闡釋於第9(b)圖之氮氣及氫氣的情形而言，介電 薄膜側壁有較多的碳耗失。 第10圖是更進一步闡釋本發明具體例之明視野TEM影 像。第10(a)圖是如上文第3圖所述製成之一個結構的全覽 圖。第10(d)圖是如上文所述之氮氣及氫氣製程的結果，而 15 第10(b)及10(c)圖則為闡釋一種氮氣與氧氣之氣體混合物 處理的影像。 第11至14圖顯示以諸等本發明具體例之介電薄膜製成 的電子測試結構結果。測試結構為單一鑲欲之線寬/間距 0.18及0.25微米溝槽/間距。指狀梳具有一周邊長44公分， 20 尺寸為100微米xl600微米。線間漏電流被檢測為0.5 MV/cm，而線間容電量則被檢測為1MV。 電漿處理/光阻去除製程如下： 15 氮氣+氫氣 (比例5 : 1) 氮氣 200 seem(每分鐘標準立方公分） 氫氣 40 seem 壓力 7毫托 模板溫度 -15°C，具有2托耳氦氣背壓之靜電吸附極 MORFM電漿供應器 感應耦合 電漿功率 2.5计瓦(kW)至一 13.56 MHz之感應天線 磁場功率 40/60安培内線圈/外線圈 模板功率（晶圓偏壓） 200 W 13.56MHz 氮氣+氧氣 (比例20 : 1) 氮氣 200 seem(每分鐘標準立方公分） 氧氣 10 seem 壓力 7毫托 模板溫度 -15°C ’具有2托耳氦氣背壓之靜電吸附極 MORJ™電漿供應器 感應轉合 電漿功率 2.5仟瓦(kW)至一 13.56 MHz之感應天線 磁場功率 60/60安培内線圈/外線圈 模板功率（晶圓偏壓） 30 W 13.56MHz 1223331 此為最佳之氮氣+氧氣緻密化製程，且其與 5 EP-A-1195801所述之密封製程相反。 應注意於這些接續的試驗中，晶圓是以靜電夾鉗，藉 此來降低其溫度，俾以接近模板溫度。已發現此等製程於 這些較低之晶圓溫度下仍具效力。 第11圖顯示該專氮氣+氫氣及氮氣+氧氣之氣體混合 10物，於0.18微米溝槽結構漏電流結果(較少為佳）。可看見較 諸氫氣而言，氧氣效能哀降。此可預期其於第9(a)及9(b)圖 之EELS結果顯示氮氣+氧氣製程會增加碳耗失。再者，一 16 種濕式清洗並不會衰降氮氣+氫氣處理介電薄膜，但卻會略 微衰降氮氣+氧氣處理介電薄膜，其更進一步指出具有某種 程度之孔隙度。此種濕式清洗被廣泛知悉且被使用於工業 界，用以移除一乾式光阻去除製程之後的任何_種殘基。 第12圖係如同第11圖，但其係於0·25微米結構上，對比 較氮氣與氫氣或氧氣之作用作更進一步闡釋。其結果與於 論同第11圖。 第13圖顯示凹陷式通道(RC)產品之測試結構（較少為 佳）。可看出一工業標準濕式清洗會略微衰降氮氣+氫氣及 氮軋+氧軋製程之RC產品，但其再次顯示氮氣+氫氣製程有 較佳之結果。 第14圖顯示以金屬有機化學氣相沈積（M〇CVD)與物 理氣相沈積(PVD)濺鍍方法沉積之阻障層對〇18及〇25微米 電子測試結構的比較結果。該比較顯示漏電流量低且相似。 【圖式1簡明】 第1圖顯示穿透式電子顯微鏡(TEM)剖視圖，其顯 示CVD氮化鈦(TiN)阻障層與孔隙性低k值金屬層間介電層 (IMD)之間的交互作用； 第2圖顯示掃瞄式電子顯微鏡(SEM)剖面圖，其顯 示CVD氮化鈦(TiN)阻障層的交互作用； 第3圖是闡釋本發明特徵之一種製有溝槽之介電材料 的穿透式電子顯微鏡(TEM)剖視圖； 第4圖是第3圖之部分放大圖；及 第5a-d圖是以圖表顯示延第4圖所指示之a線之電子处 ^月匕 量耗失光譜(EELS)。 第6a圖是本發明介電薄膜之穿透式電子顯微鏡(TEM) 明視野剖面圖。 第6b及6c圖是闡釋前置技藝之前驅物擴散之穿透式電 子顯微鏡明視野剖面圖。 第7圖是闡釋本發明特徵之一個0.18微米結構的明視 野牙透式電子顯微鏡(TEM)圖（其相當於第3圖，但其結構 更微小）。 第8圖疋第7圖結構之鈦以a)是氮氣及氧氣光阻去除/處 理b)氮氣及氧氣光阻去除/處理之電子能量耗失光譜(eels) 掃瞄。 第9圖是第7圖結構之碳以句是氮氣及氧氣光阻去除/處 理b)氮氣及氫氣光阻去除/處理之電子能量耗失光譜(EELS) 掃瞄。 第10圖是闡釋本發明特徵之一種製有溝槽之介電材料 的明視野穿透式電子顯微鏡(TEM)圖，其中a)是全覽圖， b)、c)及d)是高倍放大圖。 第11圖顯示經由以本發明製成呈0.18微米溝槽結構漏 電流。 第12圖顯示經由以本發明製成呈〇 · 2 5微米溝槽結構漏 電流。 第13圖顯示本發明製造結構之凹陷式通道(RC)產品。 第14圖顯示金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)與物理 氣相沈積(PVD)阻障層對本發明介電薄膜之比較。 1223331 【圖式之主要元件代表符號表】

10…疊層 11…基底介電層 12…餘刻終止層 13…介電層 14…溝槽 15…碳化矽帽蓋 16…阻障層 17…氧化石夕層 18…偏光層

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Claims (1)

1223331 於1‘ 卜 〇 ::]ι Ί f 了： ^v| 第921侧7號專利申請案中文申請專利範圍修93年^ 拾、申請專利範圍： ^M3B !種孔隙性介電薄膜’其具有一低於大約2·5之介電常數 ㈨及-不低於10%之碳含量，其包含一導孔或其他居於 導孔内之⑽形成物，其特徵在於，該居於導孔或形成 物内之薄膜的外露表面或表面實質為非孔隙性。 2·如申請專利第1項之孔隙性介電薄膜，其中該外露 表面或該等表面是以一層較該整片薄膜而言為碳空乏 之薄膜所製成。 10 3.如巾請專利範圍第1項之薄膜，其中該外露表面或該等 表面是以-密度高於整片薄膜材料之層體所製成。 4. 如申請專利範圍第1項之薄膜，其中該外露表面或諸等 表面是以-層較該整片薄膜而言為氧空乏薄膜製成。 5. 如申請專利範圍第1項之薄膜，其中該外露表面或該等 15 I面是以—實質叫頻結構成之層體所製成。 6·如:請專利卿4項之薄膜，其中_.被形成於 一 ^貝石夕分子之間。 申請專利範圍第1項之M 甘 + 貝之厚，其中該薄膜之基質是以 SiCOH材料所製成。 20 8·如申請專利範圍第1項薄 貞之，其中該表面形成層是以 成i乳及/錢氣μ處理祕刻表面或該等表面而製 其中該外露表面或該等 其中該阻障層沒有穿過

9·如申請專利範圍第1項之薄膜 表面被覆蓋以一阻障層。 10·如申請專利範圍第9項之薄膜 20 25 5 5 其中該阻障層是以化學 該外外露表面或該等表面。 1L如申請專利範圍第9項之薄膜 氣相沉積法予以沉積。 12· —種於一半導體裝置中製 法，其包含： 造一種互連模組層 體之方 a:於-基材上沉積—低κ值孔隙性介電薄膜； b ··沉積光阻； 10 c:圖案化該光阻， d:於介電層中，經 物；及 俾以界定蝕刻孔洞； 由該孔洞來蝕刻導孔或蝕刻 形成 e··去除該光阻，其特徵在於，該光阻係以—氮氣或 —種惰性氣體或此等之組合、及域電漿或氮氣或一情 性氣體或此等之组合、及氧氣《所去除，且該導孔或 15 _形成物之外露表面會於同時曝露至該電漿，使該等 構成外露表面之表層緻密化。 13,如申請專利第12項之方法，其中—阻障層被沉積於 該被緻密之外露表面。 14·如申請專利範圍第13項之方法，其中該阻障層是以化學 氣相沉積法予以沉積。 2〇 15.如申請專利範圍第12項之方法，其中該氮氣⑽：氫氣 (¾)比例是3-7 : 1。 I6·如申凊專利範圍第U項之方法，其中該氮氣⑽：氧氣 (〇2)比例是至少大約15 : 1。 R如申請專利範圍第16項之方法，其中該氮氣(N2):氧氣 21 1223331 (〇2)比例是大約20 : 1。 18.如申請專利範圍第12項之方法，其中該基材於去除該光 阻期間係經射頻偏壓(RF)。

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