TWI221635B - Stamper forming method - Google Patents

Description

1221635 五、發明說明（1) ~ (一） 、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種模版形成方法，特別關於一種用於 數位影音光碟的模版形成方法。 (二） 、【先前技術】 在光碟片的生產過程中，首先必需將原始的數位資料 或訊號轉換為雷射刻版訊號，接著於無塵的環境中，經過 刻版與電錢4處理步驟’製造出用以量產光碟的母版 (master )。接下來，再利用母版製成模版（stamper)以 供後續製程使用。 如圖1A所示，習知的DVD-RW之模版1係於ReadaMe Embossed 區域（區域A )以及UnreadaMe Emb〇ssed 區域 (區域B )中形成有複數個相同深度的‘槽，其溝槽深度 H1約為2 5nm-3 0nm。接著，為了促進光碟片與光碟機的相 容性，並使一般的DVD-ROM能夠讀取DVD-RW格式的光碟 片，係於DVD-RW Ver 1.1 版本中，將Readable Emb〇ssed 區域（區域A )訊號作部分的修改，亦即丄e Embossed區域（區域A )的溝槽深度H2增加為l〇〇nm，如圖 1 B所示之模版1 ’，其係用以增加訊號讀取的模式。 承上所述，在目前的模版形成製程中，係直接利用不 同強度的雷射光來曝光模版1，之正光阻；舉例而言，在曝 光Readable Embossed區域（區域A )的正光阻時，必須使 用南能虿的雷射光束’以便將Readable Embossed區域 (區域A )的正光阻曝光至所需之溝槽深度（i00llm )，而

1221635 五、發明說明（2) ' 在曝光Unreadable Embossed區域（區域B)的正光阻時， 必須使用較低能量的雷射光束，以便將U n r e a d a b 1 e Embossed區域（區域B )的正光阻曝光至較淺的溝槽深度 (約 25nm-30nm ) 〇 然而，在上述製程中，不同能量之雷射光束通常來自 同一雷射光源，而透過調整雷射光源的方式來產生所需之 不同強度的雷射光束’結果，在調整雷射光源時，雷射光 束之強度會呈現不穩定的狀況，進而造成所形成之溝槽深 度不均勻的情形’特別是在調整雷射光源以產生較低能量 之雷射光束、並用以曝光Unreadable Embossed區域（區 域B )的正光阻時。 因此’如何提供一種能夠避免調整雷射光源所造成之 溝槽深度不均勻的模版形成方法，正是士前光碟製造技術 的重要課題之一。 (三）、【發明内容】 有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種能夠利用 相同強度之雷射光束來形成不同溝槽深度的模版形成方 法。 緣疋，為達上述目的，依本發明之模版形成方法包括 於-基版上塗佈-光阻層、&光阻層上形成一圖案化之半 遮蔽層（patterned semi-bl〇cked Uyer)、以一光束曝 :光：層、顯影光阻層、以及朝光阻層的方向錢一金屬 層。在本發明巾，半遮蔽層係用以削減光束之能量，以部 1221635

五、發明說明（3) 分遮蔽此光束 承上所述，因依本發明之模版形成方法係於光阻 形”用以削減光束之能量的半遮蔽層，戶斤以本發明^ 使用早一強度的光束來進行光阻層之曝光，並形成所兩: ,2溝槽深度（如前述之溝槽深度H1趟），故能夠ς 凋正雷射光源所造成之溝槽深度不均勻的情形。 (四）、【實施方式】 版开參關圖說明依本發明較佳實施例之模 =成方法中相同的元件將以相同的參照符號 明 0 請參照圖2所示，依本發明知社與 法包括下列步驟佳貝^例之模版形成方 #阻屏J工闰2 塗佈一光阻層（S01)、於 先阻層上形成一圖案化之半遮蔽居 光光阻層（S03 )、顯景彡光阻屛/ 以一光束* 方向廣鍍一金屬層（S〇5)。需、、t立本义爷丄 — ^ ^ μ ^ ^ ^ ^ ^ . 而，主思者，依本發明較佳實 施例之权版形成方法係用以釗

用以製造數位影音光碑（D :;二一”权版，特別係指-)的光碟模版。碟（Dlgltal D1SC，DVD 為使本發明之内容夢交 照圖3A至3F，以說明依=里：1下將舉-實例並參 的流程。 依本發明較佳實施例之模版形成方法 士口圖3 A戶斤不’方^井'臣取。八η . 阻；^2。右+，其中，係於基版3!上塗佈一光 曰 土 31係為一玻璃基版。在本實施例中， 1221635 五、發明說明（4) '一"" 於塗佈光阻層3 2之前，通常會先以一清洗劑清洗基版3丨表 面’接著再塗佈一底黏膠（p r i m e r )，藉以增強基版3 1與 光阻層3 2之間的黏著度。 其次，如圖3B所示，於步驟s〇2中，係於光阻層32上 幵v成 圖案化之半遮蔽層3 3。於本實施例中，半遮蔽層3 3 係先形成於光阻層3 2上，然後再進行半遮蔽層3 3之圖案 化’以便將半遮蔽層33形成於Unreadable Embossed區域 (區域B );此外，半遮蔽層3 3可以是一半反射層 (semi-refleeting layer )，例如是由銀金屬所形成之 半反射層，其係能夠反射部分的光束，並讓部分光束透 過。舄主思者，所欲形成之模版更包含一資料區域（d a七a area )，而半遮蔽層33係更形成於資料區域上。 接著，於步驟S03中，係以一光束4曝光光阻層32，其 中半遮蔽層3 3係削減光束4之能量以部分遮蔽光束4，如圖 3 C與3 D所示。在此，工作母帶中之數位資料係經由訊號介 面乐統（Mastering Interface System，MIS)轉換成高 頻訊號，並傳輸至一讀取器中；然後，驅動光束發射器 (未顯不於圖）發射出光束4於塗有光阻層32的基版31上 以進行轉錄。在本實施例中，當光束4照射在Readable Embossed區域（區域a)之光阻層32時，光束4可以將光阻 層32曝光至較深的距離，例如前述之溝槽深度H2 ( 1〇〇nm )’另外’當光束4照射在Unreadable Embossed區域（區 域B )之光阻層3 2時，光束4會被半遮蔽層3 3遮蔽、削減， 例如部分之光束4會被半遮蔽層3 3反射，因此被削減之光

‘，：叨說明（5) 束4雖然能夠穿透本 較淺的距離，：二遮蔽層33，但僅能將光阻層32曝光至 於本實施深度们（約25則—。 的標準。另外，達到刻錄高密度數位影音光碟 以確保成品的良率。in ?，通常需先測試平整度， 同光=斤發射出，且維持相同=例中之光束4係利用相 阻層32 ί除於：=〇4中_，,以-顯影液將經過曝光的* 驗性化學溶液：所；二本實施例中’顯影液可為一 者，太牛哪技门 風乳化釣、氫氧化鉀）。需邙立 者’本步驟係同時移除半遮蔽声Μ 7 /而左思 之前便先移除半遮蔽層3 3。曰 ^疋在頌影光阻層3 2 最後’於步驟S〇5中，# ά , < 1^34 ^ 〇 5係使曝光顯影後之凹凸部；呈&:屬性；鍍金屬層34的功 導電之電極一樣，用以在後病雪貝以使其成為可 本實施例中，金屬層34係^ ::電•成形步驟中使用。於 綜上所述，由於依本發明金（Nl—V AU〇y)。 上形成半遮蔽層，以便削減衩==成方法係於光阻層 之模版形成方法僅需使用單—^旎置，所以利用本發明 曝光，並且能夠同時形成所—:的光束來進行光阻層之 度H1及H2)，故能夠避免詞溝槽深度（如溝槽深 不均勻的情形，進而提高產σ二、…源所造成之溝槽深度 7 7芝σσ的良率。 以上所述僅為舉例性’而 Γ者任何未脫 1221635

第10頁 1221635 圖式簡單說明 (五）、【圖式簡單說明】 圖1 A為一示意圖，顯示習知DVD-RW之模版的示意圖； 圖1B為一示意圖，顯示DVD-RW Ver 1.1之模版的示意 圖； 圖2為一流程圖，顯示依本發明較佳實施例之模版形 成方法之流程；以及 圖3 A〜3 F為示意圖，顯示利用本發明較佳實施例之模 版形成方法製造DVD-RW Ver 1.1之模版的示意圖。 元件符號說明： 1 模版 Γ 模版 31 基版 32 光阻層 33 半遮蔽層 34 金屬層 4 光束 A Readable Embossed 區域 B Unreadable Embossed 區域 HI 溝槽深度 H2 溝槽深度 SO卜 S05 模版形成方法的流程

Claims (1)

1221635 六、申請專利範圍 1、 一種模版形成方法，其係用以形成一模版，包含： 於一基版上塗佈一光阻層； 於該光阻層上形成一圖案化之半遮蔽層（patterned semi-blocked layer )； 以一光束曝光該光阻層，其中該半遮蔽層係削減該光束之 能量以部分遮蔽該光束； 顯影該光阻層；以及 朝0亥光阻層的方向賤鍵一金屬層。 2、 如申請專利範圍第1項所述之模版形成方法，其中該模 版包含一readable embossed 區域及一unreadable embossed區域，而該半遮蔽層係形成於該unreadable embossed區域上，且未形成於該readable embossed區域 3、 如申請專利範圍第2項所述之模版形成方法，其中該模 版更包含一資料區域（clata area )，而該半遮蔽層更形 成於該資料區域上。 4、 如申請專利範圍第1項所述之模版形成方法，更包含·· 於顯影該光阻層之前，移除該半遮蔽層。 5、 如申請專利範圍第1項所述之模版形成方法，其中該半 遮蔽層係為一半反射層（semi-reflecting layer)。

第12頁 1221635 六、申請專利範圍 6、 如申請專利範圍第5項所述之模版形成方法，其中該半 遮蔽層係由銀所構成。 7、 如申請專利範圍第丨頊所述之模版形成方法，其中該基 版係為一玻璃基版。 8、 如申請專利範圍第1頊所述之模版形成方法，其中該光 束係直接曝光未被該半遮蔽層遮蔽之該光阻層。 9、 如申請專利範圍第1頊所述之模版形成方法，其中該光 束係部分穿透該半遮蔽層，以曝光位於該半遮蔽層下方之 該光阻層。 1 0、如申請專利範圍第1頊所述之模版形成方法，其中該 金屬層係由鎳釩合金所構成。 11、如申請專利範圍第1頊所述之模版形成方法，其中該 模版係為一光碟模版。