TWI220068B - A structure of chip package with copper bumps and manufacture thereof - Google Patents

Description

1220068 修正 1 號 92114521 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種覆晶封裝的結構及其製程，且特 別是有關於一種銅凸塊（c ο p p e r b um p )覆晶封裝的結構及 其製程。 【先前技術】 近年來’隨著電子技術的日新月異，高科技電子產業 的相繼問世，使得更人性化、功能更佳的電子產品不斷地 推陳出新，並朝向輕、薄、短、小的趨勢設計。目前在半 導體製程當中’基板型承載器（substrate type carrier) 是經常使用的構裝元件，其主要分為堆叠壓合式 (laminated)及積層式（built-up)二大類型之基板。其 中，基板（substrate)主要由多個圖案化線路層及多個'絕 緣層交替疊合所構成，且基板之表面具有多個接點，作’ 連接晶片或外部電路之輸出入媒介。由於基板具有 密、組裝緊湊以及性能良好等優點，已成為覆晶封裝、 (Flip Chip Package)結構中不可或缺的構裝元件之&一 此外，每一顆由晶圓（wafer)切割所形成的裸曰曰 。 (die)，經由黏晶（die bond)的步驟，將裸晶片勘= 述的基板上，接著裸晶片上所形成之焊墊（bondin者在上 pad)，藉由導線（wire)或凸塊（bump)之接合，將§ 裸 焊墊與基板之接點電性連接，之後再以一、封裝材课晶片之 片包覆著，以防•止裸晶片受到濕氣、雜訊的^響4將裸晶 片，如此即完成晶片封裝之製程。 y 9 ’並保護 意圖 第1A~1F圖繪示習知覆晶封裝之製程的流程示

1220068 _案號 92114521_^_月 日___修丨下___ 五、發明說明（2) 請先參考第1A圖，先提供一承載器100，承載器1〇〇例如為 一堆疊壓合式基板，其材質例如為環氧樹脂等基材。承^ 器1 0 0之表面具有多個第一接點1 1 0以及多個第二接點 1 1 2，第一接點1 1 〇係位於承載器1 0 0之上表面丨〇 2，而第二 接點1 1 2係位於承載器1 0 0之下表面1 〇 4，且第一接點丨丨〇係 藉由承載器1 0 〇内部之圖案化線路層（未繪示）而電性連接” 於第二接點1 1 2。其中，圖案化線路層係可藉由貫穿於絕 緣層之導通孔（Plated Through-Hole， PTH)或導電孔 (v i a )而彼此電性連接。此外，於承載器1 0 〇之上、下表面 102、104例如以貼合或塗佈的方式形成一銲罩層（s〇ider mask) 1 20，並使第一接點1 1〇、第二接點丨12可暴露於銲 層1 2 0之間。 接著請參考第1 B圖，利用網版印刷的方式填入一銲料 如錫船（Sn/Pb)合金於模板130之開口 132中，其錫錯比係 為63 : 37，以形成一錫鉛凸塊丨4〇於這些第一接點11〇上， 接著請參考第1C〜1D圖，移除模板130並迴銲（refi〇w)錫錯 凸塊1 4 0，以使錫鉛凸塊1 4 〇熔融為一球狀體，接著請參° 第1Ε〜IF圖，將一晶片150配置於承載器100之前，可先 球狀之錫船凸塊140壓鑄（coining)為一平面塊，接著再 日日片150以覆晶接合（flip Chip b〇nding)的方式與承藝 100之第一接點1 1〇電性連接，其中晶片15〇之接合面具有w 多個銲塾（bonding pad)152，且每一銲墊152分別具/有一 凸塊15 4〃，、而凸塊154之材質可為錫鉛合金等焊接材/料，其 錫鉛比係為9 5 : 5，用以電性連接承載器丨〇 〇的第_接點八

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U L 1 ^錫錯凸塊1 4 〇在迴鋒時由於溶點較低，因而包覆於 凸塊1 5 4之表面上。 #私$知覆晶接合技術中’由於晶片1 5 0之主要成分為石夕 ^ ’而承載器100之材質為高分子聚合物，兩者之熱膨 服，數（Coefficient 〇f Thermal Expansion， CTE)相差 非吊大。因此受到兩者之熱應變（thermal strain)不匹配 的影響’兩者之間的高度（stand〇f f )d必須能克服其凸塊 154連接於晶片150與承載器1〇〇之兩端不會受到過大的應 力而產生破壞，或在反覆受力下，所產生之疲勞損壞。然 而’習知覆晶接合技術中，為了滿足足夠的可靠高度d， 係將球形凸塊1 5 4的外徑加大，以使晶片丨5 〇與承載器丨〇 〇 f間的距離能大於等於可靠高度d。然而，值得注意的 是’若球形凸塊1 54的外徑加大，相對地凸塊丨54與凸塊 1 5 4之間的間距p也隨之增加。因此，在無法進一步縮小凸 塊間距之下’勢必無法提高承載器丨〇 〇之接點丨丨〇數目以及 晶片150之單位面積的銲墊152數目。 【發明内容】 因此’本發明的目的就是在提供一種銅凸塊覆晶封 裝’用以縮小凸塊之間距，進而提高承載器之接點數目以 及日日片之早位面積的桿塾數目0 本發明的另一目的是提供一種覆晶封裝基板，其中承 載器之接點上具有多個銅凸塊，用以作為連接覆晶封裝之 凸塊。 本發明的又一目的是提供一種覆晶封裝製程，其中銅

10366twfl.ptc 第8頁 1220068 _案號92114521_年月曰 修正_ 五、發明說明（4) 凸塊形成於承載器之接點上，且銅凸塊的高度可符合可靠 高度的要求。 為達上述之目的，本發明提出一種銅凸塊覆晶封裝， 主要包括一承載器、多個銅凸塊、一銲罩層以及一晶片。 承載器具有一第一表面及對應之一第二表面，其中第一表 面具有多個第一接點，而第二表面具有多個第二接點，這 些第一接點與這些第二接點電性連接。每一銅凸塊分別配 置於這些第一接點之一上，並與之連接，而銲罩層配置於 第一表面且位於這些銅凸塊之間，暴露出這些銅凸塊。此 外，晶片具有多個銲墊，每一銲墊分別配置有一焊接材 料，且每一焊接材料分別與這些銅凸塊之一連接。 為達上述之目的，本發明提出一種覆晶封裝基板，應 用於一晶片之覆晶封裝，其中晶片具有多個銲墊，此覆晶 封裝基板主要包括一承載器、多個銅凸塊以及一銲罩層。 承載器具有一第一表面及對應之一第二表面，其中第一表 面具有多個第一接點，而第二表面具有多個第二接點，這 些第一接點與這些第二接點電性連接。此外，每一銅凸塊 分別配置於這些第一接點之一上，並與之連接，銅凸塊分 別對應於這些銲墊之一，並適於與晶片之銲墊連接。另 外，銲罩層配置於第一表面且位於這些銅凸塊之間，暴露 出這些銅凸塊。 ' 為達上述之目的，本發明提出一種覆晶封裝製程，先 提供一承載器，承載器具有一第一表面及對應之一第二表 面，其中第一表面具有多個第一接點，而第二表面具有多

10366twf1.ptc 第9頁 1220068 案號 92114521 曰 修正 五、發明說明（5) 個第二接點 著形成一銲 這些第一接 這些第一接 表面，並暴 第一接點表 子層 些銅 ;接著 凸塊， 行一覆晶步 些鮮塾之一 可無 合金 除膠 酸鈉 凸塊 而晶 較佳 熱膨 顯易 細說 【實 依照本 電電鍍 或錫合 渣及表 等溶劑 本發明 之間距 片之單 的延展 脹係數 為讓本 懂，下 明如下 施方式 ，這 罩層 點； 點之 露出 面分 提供 且這 驟， 〇 發明 一金 金。 面粗 對銲 因採 縮小 位面 性與 不同 發明 文特 些第 於第 接著 表面 這些 別形 一晶 些銲 藉由 的較 屬黏 此外 化的 罩層 用銅 ，因 積的 抗拉 ，所 之上 舉一 一接點與這些第 一表面；移除部 無電電鍍一種子 ;接著形成一圖 第一接點 成一銅凸 片’晶片 墊表面分 焊接材料 佳實 著層 ，在 步驟 之表 凸塊 此承 銲塾 性， 造成 述和 較佳 施例 ， 而 無電 ，其 面進 覆晶 載器 數目 因此 之熱 其他 實施 二接 分銲 層， 案化 行銅 除圖 ；並進 塊；去 具有多個銲 別配置一焊 連接每一銅 點電性 罩層， 形成於 光阻層 電鍍， 案4匕光 墊分別 接材料 凸塊及 連接 以暴 銲罩 於銲 以在 阻層 對應 ;接 對應 。接 露出 層及 罩層 每一 及種 於這 著進 之這 所述， 金屬黏 電鍍種 方式例 行表面 封裝的 之接點 可增加 可克服 應變的 目的、 例，並 上述之銅凸 著層之材質 子層之前， 如以高錳酸 處理。 結構及其製 之間的間距 。此外，銅 晶片與承載 破壞。 特徵'、和優 配合所附圖 塊表面係 係為鎳金 還可進行 钟或南猛 程，而銅 可縮短， 凸塊具有 器之間其 點能更明 式，作詳

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第2 A〜2 Η圖緣示本發明一較佳實施例 — 『先提供-承載器2 0 0，承載器2〇〇例如為—堆： 板，其材質例如為玻璃環氧基樹脂（F R _ 4，F R疒w土 烯二酸醯亞氨（BT)、環氧樹脂（以〇}^ resin) ^美^順: 工，器2 0 0亦心：積層式基板，其材質例如“亞酿氨 (Polyiimde)荨基材。承載器2〇〇之表面具有多個 2j 0以及多個第二接點2 1 2，其中第一接點2丨〇係位於承載 器2 0 0之第一表面2 0 2上，而第二接點212係位於承載器2〇〇 之第二表面2 0 4上，且第一接點21〇係藉由承載器2〇〇内部 ^圖案化線路層（未繪示）而電性連接於第二接點2丨2。接 著凊參考第2B圖’形成一銲罩層（s〇ider mask)220於第一 表面2 0 2上，其中銲罩層2 2 0例如以貼合或塗佈的方式形成 於第一表面202上’並且以雷射鑽孔的方式來移除部份銲 罩層220，以暴露第一接點21〇。此外，銲罩層220亦可為 一感光式銲罩層’其具有感光材質（ph〇t〇-imageable material)，並且以曝光、顯影等微影製程來移除部份感 光材質，以暴露第一接點2 1 〇。 請參考第2C圖’以無電電鍍的方式形成一種子層 (seed lay er)230於銲罩層220上以及第一接點210的表 面。種子層230的材質可為銅，而銅與銲罩層220之接合性 佳，因此銅可以完全貼合在銲罩層220上不會脫離，並且 種子層230與第一接點21〇之材質均為銅，故種子層230與 第一接點2 1 0之間的導電性良好。此外，於無電電鍍種子

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五、發明說明（7) ，23 0之^前，還可進行除膠渣及表面粗化的步驟。苴 例如以咼錳酸鉀或高錳酸鈉等溶劑來清洗銲罩声2 ^，二 方面用以去除上述移除部份銲罩層22〇時所殘曰 =21〇表面的膠狀物，另—方面可使銲罩層22〇之表第面粗 化，以利於種子層2 3 0與銲罩層2 2 〇之貼合。 請參考第2D圖，形成一圖案化光阻層24〇於銲罩層22〇 之表面，其方式例如將光阻塗佈於銲罩層22〇之 ， 利用曝光、顯影等微影製程以形成一圖案化之光阻芦 2 4 0，並暴露第一接點21〇。接著請參考第2Ε〜2ρ圖，曰進 =電鍍，以種子層2 3 0作為一電鍍液中電極（未繪示）的一 端’用以將電鍍液中的銅（Cu)離子電鍍於種子層23〇之表 面上’並使暴露於圖案化光阻層24〇之第一接點21〇表面的 種子層2 3 0上分別形成一銅凸塊2 5 0，之後再以一溶劑（未 綠:）將圖案化光阻層2 4 0去除，並以一蝕刻劑（未繪示）將 暴露於外之種子層230去除，如此可得到第2F圖所示之結 構。 請參考第2F圖，其中承載器200之第一表面202的第一 接點210上分別配置一銅凸塊2 50，而銲罩層220包覆於這 些銅凸塊2 50之間，並且銲罩層220之表面暴露出這些銅凸 塊2 5 0 ’用以作為連接覆晶封裝之凸塊。此外，銅凸塊2 5 〇 的表面還配置一金屬黏著層2 5 2，其中金屬黏著層2 5 2係以 無電電鍍鎳金合金或錫等材質，而形成於銅凸塊2 50的表 面’用以預防銅凸塊250之表面產生氧化物。另外，當銅 凸塊250製作完成之後，更可配置多個銲球（solder ball)

10366twf1.ptc 第12頁 1220068 __案號92114521_年月日 铬ff___ 五、發明說明（8) (未繪示）於承載器2 0 0之第二接點2 1 2上，以形成一球格陣 列式（Ball Grid Array， BGA)封裝基板。當然，承載器 2 0 0之第二接點2 1 2上亦可為多個針狀端子（p i n )(未緣口 示），以形成一針格陣列式封裝基板（Pin Grid Ai^/y， PGA)，或是以第二接點212所在之平面作為接合面，以形 成一平面接點格陣列式封裝基板（Land Grid Amy, LGA)。 ’ 請參考第2G圖，當承載器200之銅凸塊250製作完成之 後，接著進行一覆晶封裝於承載器2 0 0上。其中，一晶片 260已完成内部積體電路之製作，並在晶片260之接合面配 置多個銲墊262，而銲墊262表面分別配置一焊接材料264 如錫膏（solder paste)或錫鉛凸塊（s〇ider bump)等，如 此晶片260之銲塾262可藉由焊接材料264連接銅凸塊250之 ’且晶片2 6 0與承載器2 0 0之間能夠彼此電性連接以傳遞 電子訊號。 值得注意的是，由於銅凸塊2 5 0係以電鍍的方式形成 於承載器200之第一接點210上，因此承載器2〇〇與晶片260 之間的熱膨脹所造成之不同熱應變，可藉由電鑛銅所形成 的凸塊高度d 1來增加承載器2 〇 〇與晶片2 6 0之間的距離，且 焊接材料2 64若為錫鉛凸塊時，最後高度d係為銅凸塊的高 度dl與錫鉛凸塊的高度d2的總合（dl+d2)、。其中，銅凸塊 250的高度dl愈高，相對地銅凸塊250連接於承載器200與 晶片2 6 0之兩端所造成之熱應變可以縮小。此外，銅凸塊 250與第一接點210之材質均為銅，而銅的延展性佳，因此

10366twf1.ptc 第13頁 1220068 案號921UW1 發明說明（9) 月 曰 即使鋼凸塊之兩端承受反覆熱應力，仍可比 塊具有較佳的疲勞壽命。 匕％知的錫鉛凸 凸二外“Λ參考第2H圖’當覆晶裝封完成之後，為使銅 凸塊2 5 0與焊接材料2 6 4之接合處受到更佳的 熱應變破壞焊揍材料2 6 4，更可選擇性地進行’二底填制 Ϊ材H片2 6 0與承載器2 0 0之第一表面2 0 2之間填入：底 ^材枓2 7 0如環氧樹脂（如虛線所示），用以包覆焊接材料 ，同樣銅凸塊25〇受到銲罩層22〇所包覆，因此可避免 熱應變的破壞。當然，除了底填材料2 7 0之外，亦可以一 封裝材料2 7 2將晶片2 6 0包覆著，其中封裝材料’272 ^: 樹脂’其包覆於晶片2 6 0之表面’但可暴露出晶”6 之背面。由於晶片2 6 0之材質易脆，而封裝材料272 步防止晶片2 6 0表面受到外力所破壞。 退 由以上之說明可知，本發明所揭露之鋼凸 的結構及其製程，乃於承載器之第—接點上 =裝 方式形成於第一接點上，其凸塊的高度可符合晶片盥g ^ 器之間可靠高度的要求，使其可靠度佳、疲勞壽命 外’相鄰二銅凸塊之間的間距可克服習知球形錫鉛凸塊之 徑向尺寸過大’而無法再縮小第—接點之間的間距。因 此，利用銅凸塊可進一步縮小第一接點之間的間距（約165 微米左右）’故可提高承載器之第一接點數目，而相對地 晶片之單位面積的銲墊數目可增加，因此適用於高接點數 (high lead count)、高密度（high density)之覆晶封裝

10366twfl.ptc 第14頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 五、發明說明（10) 結構。綜上所述，本發明之銅凸塊覆晶封裝的結構及其製 程具有下列優點： 1 .對本發明之銅凸塊覆晶封裝而言，銅凸塊之間距 小，因此可提高承載器之接點數目以及晶片之單位面積的 鮮塾數目。 2 .對本發明之覆晶封裝基板而言，利用銅凸塊作為連 接覆晶封裝之凸塊，可縮小承載器之第一接點之間的間 距。 3.對本發明之覆晶封裝製程而言，其中銅凸塊係以電 鍍的方式形成於承載器之接點上，而銅凸塊的高度可符合 可靠高度的要求，使其可靠度佳、疲勞壽命長。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10366twf1.ptc 第15頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 圖式簡單說明 第1 A〜1 F圖繪示習知覆晶封裝之製程的流程示意圖； 以及 第2 A〜2 Η圖繪示本發明一較佳實施例之一種銅凸塊覆 晶封裝的結構及其製程的流程示意圖。 【圖式標 記說明】 1 00 、 200 承載器 102 202 第一表 面（ 上 表 面） 104 % 204 第二表 面（ 下 表 面） 110 210 第一接 點 112 212 第二接 點 120 220 銲罩層 130 二 光阻 132 • 開口 140 ： 錫錯 凸塊 150 λ 260 晶片 152 262 銲墊 154 264 焊接材 料 230 種子 層 240 圖案 化光阻層 250 銅凸 塊 252 金屬 黏著層 d、dl 、d2 :高度 P : 間 距

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Claims (1)

1220068 _案號92114521_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 . 一種銅凸塊覆晶封裝，包括： 一承載器，具有一第一表面及對應之一第二表面，其 中該第一表面具有複數個第一接點，而該第二表面具有複 數個第二接點，該些第一接點與該些第二接點電性連接； 複數個銅凸塊，每一該些銅凸塊分別配置於該些第一 接點之一上，並與之連接； 一銲罩層，配置於該第一表面且位於該些銅凸塊之 間，暴露出該些銅凸塊；以及 一晶片，該晶片具有複數個銲墊，每一該些銲墊分別 配置有一銲接材料，且每一該些焊接材料分別與該些銅凸 塊之一連接。 2. 如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，更 包括一底填材料，填充於該晶片與該第一表面之間。 3. 如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，其 中該承載器為一球格陣列式封裝基板，更包括複數個銲球 分別配置於該些第二接點。 4. 如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，其 中該承載器為一針格陣列式封裝基板，該些第二接點係為 針狀端子。 5 .如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，其 中該承載器為一平面接點格陣列式封裝基板。 6. 如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，更 包括一封裝材料，包覆該晶片。 7. 如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，其

10366twf1.ptc 第17頁 1220068 _案號92114521_年月日__ 六、申請專利範圍 中該些銅凸塊表面還包括一金屬黏著層與該焊接材料連 接。 8 .如申請專利範圍第7項所述之銅凸塊覆晶封裝，其 中該金屬黏著層之材質係選自於由鎳金合金、錫及該等之 組合所組成之族群。 9 .如申請專利範圍第1項所述之銅凸塊覆晶封裝，其 中該焊接材料包括錫鉛合金。 1 0 . —種覆晶封裝基板，應用於一晶片之覆晶封裝， 其中該晶片具有複數個銲墊，該覆晶封裝基板包括： 一承載器，具有一第一表面及對應之一第二表面，其 中該第一表面具有複數個第一接點，而該第二表面具有複 數個第二接點，該些第一接點與該些第二接點電性連接； 複數個銅凸塊，每一該些銅凸塊分別配置於該些第一 接點之一上，並與之連接，該些銅凸塊分別對應於該些銲 墊之一，並適於與該晶片之該些銲墊連接；以及 一銲罩層，配置於該第一表面且位於該些銅凸塊之 間，暴露出該些銅凸塊。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所述之覆晶封裝基板，其 中該些銅凸塊之表面分別配置一金屬黏著層。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之覆晶封裝基板，其 中該金屬黏著層之材質係選自於由鎳金合金、錫及該等之 組合所組成之族群。 1 3.如申請專利範圍第1 0項所述之覆晶封裝基板，其 中該承載器為一球格陣列式封裝基板，更包括複數個銲球

10366twf1.ptc 第18頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 分別配置於該些第二接點。 1 4 .如申請專利範圍第1 0項所述之覆晶封裝基板，其 中該承載器為一針格陣列式封裝基板，該些第二接點係為 針狀端子。 1 5 .如申請專利範圍第1 0項所述之覆晶封裝基板，其 中該承載器為一平面接點格陣列式封裝基板。 1 6 .如申請專利範圍第1 0項所述之覆晶封裝基板，其 中該承載器為一積層板。 1 7. —種覆晶封裝基板製程，包括： 提供一承載器，具有一第一表面及對應之一第二表 面，其中該第一表面具有複數個第一接點，而該第二表面 具有複數個第二接點，該些第一接點與該些第二接點電性 連接； 形成一銲罩層於該第一表面； 移除部分該銲罩層，以暴露出該些第一接點； 無電電鍍一種子層，形成於該銲罩層及該些第一接點 之表面； 形成一圖案化光阻層於該銲罩層表面，並暴露出該些 第一接點； 進行銅電鍍，在每一該些第一接點表面分別形成一銅 凸塊；以及 去除該圖案化光阻層及該種子層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，更 包括無電電鍍一金屬黏著層於該些銅凸塊表面，其中該金

10366twf1.ptc 第19頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 屬黏著層之材質係選自於由鎳金合金、錫及該等之組合所 組成之族群。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，在 無電電鍍種子層前還包括進行一除膠渣及表面粗化步驟。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述之覆晶基板製程，其 中該除膠渣及表面粗化步驟包括以高錳酸鉀及高錳酸鈉其 中之一進行表面處理。 2 1 .如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，其 中該鮮罩層為一乾膜，係以貼合的方式形成於該第一表 面。 2 2.如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，其 中該銲罩層係以塗佈的方式形成於該第一表面。 2 3.如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，其 中移除部分該銲罩層的方法包括雷射鑽孔。 2 4.如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，其 中該銲罩層為一感光材質，而移除部分該銲罩層之方法包 括微影。 2 5.如申請專利範圍第1 7項所述之覆晶基板製程，其 中該種子層為銅，該種子層的形成方法包括無電電鍍銅。 2 6. —種覆晶封裝製程，包括： 提供一承載器，具有一第一表面及對應之一第二表 面，其中該第一表面具有複數個第一接點，而該第二表面 具有複數個第二接點，該些第一接點與該些第二接點電性 連接；

10366twfl.ptc 第20頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 形成一銲罩層於該第一表面； 移除部分該銲罩層，以暴露出該些第一接點； 無電電鍍一種子層，形成於該銲罩層及該些第一接點 之表面； 形成一圖案化光阻層於該銲罩層表面，並暴露出該些 第一接點； 進行銅電鍍，在每一該些第一接點表面分別形成一銅 凸塊； 去除該圖案化光阻層及該種子層； 提供一晶片，該晶片具有複數個銲墊分別對應於該些 銅凸塊，且該些銲墊表面分別配置一焊接材料； 進行一覆晶步驟，藉由該焊接材料連接每一該些銅凸 塊及對應之該些銲墊之一。 2 7.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，去 除該圖案化光阻層及該種子層之後更包括無電電鍍一金屬 黏著層於該些銅凸塊表面，其中該金屬黏著層之材質辞選 自於由鎳金合金、錫及該等之組合所組成之族群。 2 8.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，在 無電電鍍種子層前還包括進行一除膠渣及表面粗化步驟。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項所述之覆晶封裝製程，其 中該除膠渣及表面粗化步驟包括以高錳酸' 鉀及高錳酸鈉其 中之一進行表面處理。 3 0 .如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，更 包括一底填製程，在該晶片與該第一表面之間填入一底填

10366twf1.ptc 第21頁 1220068 _案號92114521_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 材料。 3 1 .如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，更 包括一封膠製程，以一封裝材料包覆該晶片。 3 2 .如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，其 中該銲罩層為一乾膜，係以貼合的方式形成於該第一表 面〇 3 3.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，其 中該銲罩層係以塗佈的方式形成於該第一表面。 3 4.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，其 中移除部分該銲罩層的方法包括雷射鑽孔。 3 5.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，其 中該銲罩層為一感光材質，而移除部分該銲罩層之方法包 括微影。 3 6.如申請專利範圍第2 6項所述之覆晶封裝製程，其 中該種子層為銅，該種子層的形成方法包括無電電鍍銅。

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