TWI299060B - Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures - Google Patents

Description

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相關申請案相互對照 本案係爲2000年12月8日申請之美國專利申請案第 09/732,370號之部分延續申請案，該申請案主張1 999年8 月20日申請之美國專利申請案第〇9/331，537號之優先權， 其係以1 997年12月23日申請之國際專利申請案第 PCT/US 97/23 9 1 7號爲基礎且主張其優先權，且指定美國爲 指定國。 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上關於適用於半導體製程之化學配方，且特 別地關於用以於抗鈾電漿灰化步驟後自晶圓移除殘渣之化 學配方。更具體地，本發明關於一種用以自含微細的銅內 連接線結構之半導體晶圓移除無機殘渣之洗淨配方。 【先前技術】 許多化學配方傳統上係用於抗蝕電漿灰化步驟後移除 殘渣及洗淨晶圓。此等化學配方中之一些包含具胺類及/ 或四烷基氫氧化銨、水及/或其他溶劑及鉗合劑之鹼性組成 物。此等配方具相關缺點包含不必要的移除金屬或絕緣層 以及增進需要的金屬層（尤其是銅或銅合金形貌）之腐蝕現 象。 此等配方之一些係使用腐蝕抑制添加劑，以防止洗淨程 序中不希望的銅金屬腐蝕現象。然而，習用的腐蝕抑制添 加劑通常對洗淨程序有不利的效果，因爲此等添加劑與殘 渣進行交互作用且抑制此等殘渣溶解於洗淨流體中。再 6 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 者，於完成洗淨程序後，習用的添加劑不容易自銅表面沖 洗掉，且其存在造成積體電路之污染。積體電路污染可能 不利地提高受污染區域之電阻，且造成電路中不可預期的 導電故障。 因此，本發明之目的係提供一種化學配方，其可有效地 移除抗蝕灰化步驟後的殘渣。 本發明之另一目的係提供一種晶圓洗淨配方，其不會攻 擊及潛在地降解微細的金屬結構，表示仍保留於晶圓上。 本發明之又一目的係提供一種晶圓洗淨配方，其包含一 種經改良的腐飩抑制劑，俾保護半導體基板上之銅結構， 其係以完成殘渣移除程序後可容易地以水或其他沖洗媒介 沖掉之組成形式存在，藉以降低晶圓基板上之積體電路污 本發明之其他目的及優點由隨後之說明及隨附之申請 專利範圍當可更加明白。 【發明內容】 (發明之槪述） 本發明係關於適用於洗淨半導體晶圓之半導體化學配 方，例如用於後電漿灰化半導體製程中。 在一個態樣中，本發明關於一種晶圓之抗蝕電漿灰化步 驟後進行之自晶圓移除殘渣之方法，該方法包含以洗淨配 方接觸晶圓，洗淨配方包含⑴有機胺、（ii)水、（iii)含氮羧 酸或亞胺、（i v) 1，3 ·二羰基化合物鉗合劑、（v)極性有機溶劑 及視情況選用（vi)額外不同的紺合齊[(。 7 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 另一態樣本發明係關於一種晶圓洗淨配方，其包含（1)有 機胺、（η)水、（ni)含氮羧酸或亞胺、（lv)i，3-二鑛基化合物 鉗合劑、（v)極性有機溶劑及視情況選用（vi)額外不同的# 合劑。 又一態樣中，本發明係關於一種適用於後電绩灰化半導 體製程之半導體晶圓洗淨配方，其包含以下以重量百分比 表示範圍之成分（以配方之總重量爲基準）： 有機胺 2-98% 水 0 - 5 0 % 1，3 -二幾基化合物鉗合劑 0.1-60% 額外不同的鉗合劑 0 - 2 5 % 含氮羧酸或亞胺 0.1-40% 極性有機溶劑 _2-98% 合計 100%。 本發明之配方可有效地於電漿灰化步驟後移除無機殘 渣，尤其是金屬鹵化物及金屬氧化物殘渣。使用此等配方 亦明顯地降低半導體晶圓上之銅金屬結構不希望的腐蝕現 象或移除。 本發明之配方另外地於殘渣移除程序後留下較少的污 染物，因而改良所生成微電子元件產品之品質。 本發明之其他特徵及優點由隨後之說明及隨附之申請 專利範圍當可更加明白。 【實施方式】 (較佳具體例之詳細說明） 8 312/發明說明書(補件)/92·〇2/91135183 1299060 本發明係關於一種配方，其適用於淸除自高密度電漿蝕 刻且接著進行含氧電漿灰化後產生之無機晶圓殘渣。 該配方有利地含有1，3-二羰基化合物及/或金屬鉗合 劑、含氮羧酸或亞胺、胺類及水或其他溶劑作爲主要組份。 較佳的配方包含以下以重量百分比表示範圍之成分（以 配方之總重量爲基準）： 有機胺 2-98% 水 0-50% 1，3-二羰基化合物鉗合劑 0.1-60% 額外不同的鉗合劑 0-25% 含氮羧酸或亞胺 0.1-40% 極件有機溶劑___2-98% 合計 100% 。 上述配方之成分可爲任何適合的種類或形式，如熟習本 技藝之人士所熟悉者。就配方之每一組份而言，具體的說 明及較佳配方成分說明如下，其中具體成分係視其於配方 中之較佳重量％濃度（以以上指明之總重量爲基準）。 較佳的胺類包含： 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 5-95% 三乙醇胺（TEA) 5-95%。 其他非常有利的胺類包含： 單乙醇胺 二甘醇胺 二吖雙環（2.2.2)辛烷 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 二伸乙基三胺 3,3’-亞胺基雙（1屮二甲基丙基胺） N -甲基咪唑 四伸乙基五胺 三伸乙基四胺 三甲氧基乙氧基乙基胺 二乙醇胺 甲基二乙醇胺 四甲基己烷二胺 N，N-二乙基乙醇胺 2·(甲基胺‘基）乙醇 4-(2-羥乙基）嗎啉 4-(3-胺基丙基）嗎啉 N，N-二甲基- 2-(2-胺基乙氧基）乙醇 含： 2 - 9 0 % 2-90% 15-70% 10-48.3%。 包含： 特佳的1，3-二羰基化合物鉗合劑包 2，4 ·戊烷二酮 N，N-二甲基乙醯乙醯胺 乙醯醋酸甲酯 丙二酸二甲酯 其他非常有利的1，3-二羰基化合物 N-甲基乙醯乙醯胺 乙醯乙醯胺 丙二醯胺。 較佳的含氮羧酸及亞胺包含： 10 312/發明說明書(補件)/92-02/9113 5183 1299060 亞胺基二醋酸 0.1-8% 甘胺酸 0.1-8% 腈基醋酸 0.1-8% 1，1，3,3-四甲基胍 0.1-8% 羥乙基亞胺基二醋酸 0.1-8%。 其他非常有利的含氮羧酸及亞胺包含： CH3C( = NCH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NCH2CH2〇CH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NH)CH2C(〇）CH3 (CH3CH2)2NC(二 NH)N(CH3CH2)2 HOOCCH2N(CH3)2 H〇〇CCH2N(CH3)CH2C〇〇H 較佳的溶劑包含： 0 - 5 0 % 0 · 7 4 % 0-74% 0-49% 0-10%。 水 乙二醇 丙二醇 N-甲基吡咯烷酮（NMP) 環丁硕 視需要用於本發明一些配方中之較佳的二級或替代的 鉗合劑包含： 吡咯啶二硫胺基甲酸銨 0-25% 胺基甲酸銨 0-15% 草酸銨 0-15% 硫氰酸銨 0-15% 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 硫 代 硫 酸銨 0-15% 三 氟 醋 酸 0-15% 硼 酸 0-15% 兒 茶 酚 0-15% 硼 酸 二 乙醇胺 0 -1 5 % 苯 并 二 Π坐 0-15% 丙 一 酸 0-15% 乳 酸 0-15%。 使 用 含 1，3-二 羰基化合物及/或其他金屬鉗合劑合倂胺 類及溶劑之配方使技藝之獨特改良得以實現。本發明之配 方提供較佳的汽提效能以及較含有兒茶酚、胺及溶劑之習 用的晶圓汽提配方更低的腐蝕率。 添加含氮羧酸及/或亞胺爲本發明之另一有利的改良。含 氮羧酸或亞胺含有特定吸引自由銅原子之官能基團。如圖 1所示，特定銅腐蝕抑制劑c於殘渣移除程序中與銅表面 接觸而附著於銅表面上，並且形成保護層以防止銅表面受 洗淨劑A +及）Γ腐蝕。再者，如圖2所示，此一特定銅腐蝕 抑制劑C可容易地藉去離子水或其他沖洗媒介沖掉，因而 於洗淨操作完成後於銅表面上留下極少量的污染物。 除了特別例示者外，本發明之配方可含有各種溶劑、有 機胺、鉗合劑及含氮羧酸或亞胺。特殊的1,3-二羰基化合 物及具適合特性之相關成分包含具下式者：

X-CHR-Y 其中R爲氫或脂族基團，例如C!-C8烷基、芳基、烯基等。 12 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 X及Y可相同或彼此相異，且爲含有具吸電子性質之多層 鍵結部分之官能基團，例如C〇Ν Η 2、C〇N H R ’、c〇N R ’ R ”、 CN、N〇2、S〇R’及S〇2Z，其中R’及R”爲相同或相異且代 表烷基基團，且Z代表其他原子或基團，例如氫、 鹵素或C 1 - C 8院基。 具有本發明廣泛實施例用性之額外的含氮羧酸包含具 下式者： COOH-CH2-NRR5 其中R及R5中之每一者獨立地選自由氫、烷基、芳基及羧 酸組成之群。 胺基甲酸鹽及二烷基二硫胺基甲酸酯，除了以上特別提 出者外，可用作本發明廣泛實施之鉗合劑。 可使用許多其他的極性溶劑，例如單獨或與水混合使 用。 本發明之配方視需要亦可包含此類成分：界面活性劑、 安定劑、腐蝕抑制劑、緩衝劑及共溶劑，其係於本發明配 方之特定最終應用中有用或必要而使用。 本發明之配方特別適用於已以含氯或含氟電漿飩刻且 接著進行氧氣電漿灰化之晶圓上。藉此種處理方式產生之 殘渣通常含有金屬氧化物。此等殘渣通常不易在不使金屬 形貌腐蝕下完全溶解，而完成有效元件效能所需。 本發明之特徵及優點由隨後之非限制說明當可更完全 地顯示。 實施例1 13 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183 1299060 具有含氫羧酸或亞胺之特定銅腐蝕抑制劑係於二種不 同類型的鹼性洗淨配方（具以下成分及特性）中進行試驗。 表1 成分 溫度 PH 銅蝕刻速率 (人/分鐘） 配方1 二甲基乙醯乙醯胺、胺類 及水 70 6.2 17.4 配方2 氟化銨、三乙醇胺、五甲 基二伸乙基三胺及水 40 8.6 7.5 銅蝕刻速率係藉由標準四點探針技術決定。如下表所 示，根據本發明添加之腐蝕抑制劑明顯地降低銅蝕刻速 率，並且有效地防止於洗淨程序期間不希望的腐飩現象。 ^_2 溫度 所用 濃度 溶液 銅蝕刻速 蝕刻速率 腐蝕抑制劑 (°C) 配方 (%) 之pH 率（A/分鐘） 減少（％) 亞胺基二醋酸 40 2 1.5 8.0 1-2 -73.3 〜86.7 甘胺酸 40 2 1.5 9.2 3.6 -52.0 腈基三醋酸 40 2 1.5 8.2 3.6 -52.0 1，1，3,3-四甲基胍 40 2 1.5 8.7 3.4 -54.7 CH3C(=NCH2CH2〇H)CH2 70 1 24 10.9 6.2 -64.4 C(〇)N(CH3)2 CH3C(=NCH2CH2〇CH2CH2〇H) 70 1 36 10.7 0.32 -98.2 CH2C(0)N(CH3)2 CH3C(=NH)CH2C(0)CH3 40 2 13.68 7.9 4.4 -41.3 實施例2 對於含亞胺二醋酸抑制劑之配方2進行污染試驗。欲洗 14 312/發明說明書(補件)/92-〇2/91135183 1299060 淨之半導體晶圓含有銅及矽酮薄膜。於洗淨操作完成後， 以2 5 °C去離子水沖洗晶圓約1 5分鐘。得到的二級離子質 譜數據（SIMS)如下：

Cu(原子/cm2) F(原子/cm2) C(原子/cm2) CuxO(A) 未洗淨的晶圖 1.6xl010 3·3χ10π 7.5xl013 42 經洗淨的晶圓 8.5xl09 5·1χ10】3 1·5χ10】3 15 以上結果顯示氧化銅CiuO已有效地藉洗淨程序移除， 而碳污染物（主要由洗淨配方中之有機腐蝕抑制劑產生）大 大地降低。 雖然本發明已參照特定特徵、態樣及具體例敘述，^惟可 理解本發明不應受其限制。因此，本發明係以廣泛種類之 組成物、相應的組份變化及最終應用而對應地具體呈現。 因此，應瞭解本發明涵蓋符合隨附申請專利範圍之本發明 精神與範圍之所有此類變化、修改及其他具體例。 【圖式簡單說明】 圖1爲用於本發明廣泛實施之特定銅腐蝕抑制劑之示意 圖，其係於銅金屬上形成保護層以防止腐蝕。 圖2爲藉去離子水自銅表面沖洗掉特定銅腐蝕抑制劑之 示意圖。 15 312/發明說明書(補件)/92-02/91135183

Claims (1)

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請專利範圍 年月 補

1. 一種半導體晶圓洗淨配方，適用於後電漿灰化半導體 製程中，其包含以下成分，所示之重量百分比範圍係 以配方之總重量爲基準： 有機胺 2 - 9 8 % 水 0-50% 1，3-二羰基化合物鉗合劑 0.1-60% 額外不同的鉗合劑 0-25% 含氮羧酸或亞胺 0.1-40% 極性有機溶劑 2 - 9 8 % 合計 100%。 2 ·如申請專利範圍第1項之洗淨配方， 其中該有機胺包 含選自以下成分組成之該類化合物： 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 2 - 9 8 % 三乙醇胺（TEA) 2-98%。 3.如申請專利範圍第1項之洗淨配方， 其中該1，3-二羰 基化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之該類化合 物： 2，4 -戊烷二酮 2 - 9 0 % N，N-二甲基乙醯乙醯胺 2 - 9 0 % 乙醯醋酸甲酯 15-70% 丙二酸二甲酯 10-48.3%。 4.如申請專利範圍第1項之洗淨配方， 其中該含氮羧酸 或亞胺包含選自以下成分組成之該類化合物： 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 16 1299060 亞胺基二醋酸 0.1-8% 甘胺酸 0.1-8% 腈基醋酸 0.1-8% 1，1，3,3 -四甲基胍 0.1-8% 羥乙基亞胺基二醋酸 0.1-8%。 5.如申請專利範圍第1項之洗淨配方 ，其中該極性有機 溶劑包含選自以下成分組成之該類溶劑物質 乙二醇 0 - 7 4 % 丙二醇 0 - 7 4 % N-甲基吡咯烷酮（NMP) 0 - 4 9 % 環丁颯 0-10%。 6.如申請專利範圍第1項之洗淨配方： ，其中該額外不同 的鉗合劑包含選自以下成分組成之該類物質 吡咯啶二硫胺基甲酸銨 0-25% 胺基甲酸銨 0 -1 5 % 草酸銨 0 -1 5 % 硫氰酸銨 0-15% 硫代硫酸銨 0-15% 三氟醋酸 0 -1 2 % 硼酸 0 · 1 5 % 兒茶酚 0 -1 5 % 硼酸三乙醇胺 0 -1 5 % 苯并三唑 0 -1 5 % 丙二酸 0 -1 5 % 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 17 1299060 乳酸 0-15%。 7. 如申請專利範圍第1項之洗淨配方，其中該有機胺包 含選自以下成分組成之該類物質= 單乙醇胺 二甘醇胺 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 三乙醇胺（TEA) 二吖雙環（2.2.2)辛烷 二伸乙基三胺 3,3’-亞胺基雙（叱1二甲基丙基胺） N -甲基咪唑 四伸乙基五胺 三伸乙基四胺 三甲氧基乙氧基乙基胺 二乙醇胺 甲基二乙醇胺 四甲基己烷二胺 N，N-二乙基乙醇胺 2-(甲基胺基）乙醇 4-(2-羥乙基）嗎啉 4-(3-胺基丙基）嗎啉 N，N-二甲基-2-(2-胺基乙氧基）乙醇。 8. 如申請專利範圍第1項之洗淨配方，其中該1,3-二羰 基化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之該類化合 18 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 物： 2，4 -戊烷二酮 乙醯醋酸甲酯 丙二酸二甲酯 N -甲基乙醯乙醯胺 N，N-二甲基乙醯乙醯胺 乙醯乙醯胺 丙二醯胺。 9. 如申請專利範圍第1項之洗淨配方，其中該含氮竣酸 或亞胺係選自以下化合物組成之該類： 亞胺基二醋酸（IDA) 甘胺酸 腈基醋酸（NTA) 1，1，3,3-四甲基胍（TMG) CH3C( = NCH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NCH2CH2〇CH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NH)CH2C(〇）CH3 (CH3CH2)2NC( = NH)N(CH3CH2)2 H〇〇CCH2N(CH3)2 HOOCCH2N(CH3)CH2COOH 羥乙基亞胺基二醋酸。 10. 如申請專利範圍第1項之洗淨配方，其中 該有機胺包含選自以下成分組成之該類化合物： 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 2-98% 19 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 2 - 9 8 % 三乙醇胺（TEA) 該1，3-二羰基化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之 該類化合物： 2,4-戊烷二酮 2 - 9 0 % n，n-二甲基乙醯乙醯胺 2 - 9 0 % 乙醯醋酸甲酯 1 5 - 7 0 % 丙二酸二甲酯 10-48.3% 該含氮羧酸或亞胺包含選自以下成分組成之該類化 合物： 亞胺基二醋酸 0.1-8% 甘胺酸 0.1-8% 腈基醋酸 0.1-8% 1，1，3,3-四甲基胍 0.1-8% 羥乙基亞胺基二醋酸 0.1-8% 且該極性有機溶劑包含選自以下成分組成之該類溶 劑物質： 乙二醇 0 - 7 4 % 丙二醇 0 - 7 4 % N-甲基吡咯烷酮（NMP) 0 - 4 9 % 環丁楓 0-10%。 .如申請專利範圍第1項之洗淨配方： •其包含具式 X-CHR-Y之鉗合劑，其中 R爲氫或脂族基團’且 X及Y爲含有具吸電子性質之多層鍵結部分之官能基 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 20 1299060 團。 1 2.如申請專利範圍第1 1項之洗淨配方，其中X及Y中 之每一者係獨立地選自CONH2、CONHR’、CONR’R”、 CN、N〇2、S〇R’及S〇2Z，其中R’及R”爲烷基且Z爲 氫、鹵素或烷基。 1 3.如申請專利範圍第1項之洗淨配方，其中該含氮羧酸 包含具下式之化合物： COOH-CH2-NRR5 其中R及R’中之每一者獨立地選自氫、烷基、芳基及 羧酸組成之該類。 14. 一種製造半導體晶圓之方法，其包含以下步驟： 自晶圓表面電漿蝕刻一金屬化層； 自該晶圓表面電漿灰化一抗蝕劑；及 以含有以下成分之半導體晶圓洗淨配方洗淨該晶 圓，其中所示之重量百分比範圍係以配方之總重量爲 基準： 有機胺 2 - 9 8 % 水 0-50% 1，3 -二羰基化合物鉗合劑 0.1-60% 額外不同的鉗合劑 0-25% 含氮羧酸或亞胺 0 - 4 0 % 極性有機溶劑 2 - 9 8 % 合計 100% 〇 15·如申請專利範圍第14項之方法，其中該有機胺包含 21 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 選自以下成分組成之該類化合物： 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 2-98% 三乙醇胺（TEA) 2_98% ° 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該1，3 -二鐵基 化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之該類化合物1 ： 2,4-戊烷二酮 2 - 9 0 % N，N-二甲基乙醯乙醯胺 2-90% 乙醯醋酸甲酯 1 5 - 7 0 % 丙二酸二甲酯 10-48.3%。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項之方法 ，其中該含氮羧酸或 亞胺包含選自以下成分組成之該類化合物 亞胺基二醋酸 0.1-8% 甘胺酸 0.1-8% 腈基醋酸 0.1-8% 1，1，3，3 ·四甲基胍 0.1-8% 羥乙基亞胺基二醋酸 0.卜 8 %。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之方法 ，其中該極性有機溶 劑包含選自以下成分組成之該類溶劑物質： 乙二醇 0 - 7 4 % 丙二醇 0 - 7 4 % N-甲基吡咯烷酮（NMP) 0-49% 環丁碾 0-10%。 1 9 .如申請專利範圍第1 4項之方法 ，其中該額外不同的 鉗合劑包含選自以下成分組成之該類物質 22 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 吡咯啶二硫胺基甲酸銨 0 - 2 5 % 胺基甲酸銨 0 -1 5 % 草酸銨 0 -1 5 % 硫氰酸銨 0 -1 5 % 硫代硫酸錢 0 -1 5 % 三氟醋酸 0 -1 2 % 硼酸 0 -1 5 % 兒茶酚 0 -1 5 % 硼酸三乙醇胺 0 -1 5 % 苯并三唑 0 -1 5 % 丙二酸 0-15% 乳酸 0 -1 5 % 20.如申請專利範圍第14項之方法，其中該有機胺包含 選自以下成分組成之該類物質： 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA)

單乙醇胺 二甘醇胺 三乙醇胺（TEA) 二吖雙環（2.2.2)辛烷 二伸乙基三胺 3,3’-亞胺基雙（义1二甲基丙基胺） N -甲基咪唑 四伸乙基五胺 三伸乙基四胺 23 326\總檔 \91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 三甲氧基乙氧基乙基胺 二乙醇胺 甲基二乙醇胺 四甲基己院二胺 N，N-二乙基乙醇胺 2-(甲基胺基）乙醇 4-(2-羥乙基）嗎啉 4-(3-胺基丙基）嗎啉 N，N-二甲基-2-(2-胺基乙氧基）乙醇。 21.如申請專利範圍第14項之方法，其中該1，3-二羰基 化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之該類化合物： 2,4-戊烷二酮 N，N-二甲基乙醯乙醯胺 乙醯醋酸甲酯 丙二酸二甲酯 N-甲基乙醯乙醯胺 乙醯乙醯胺 丙二醯胺。 22·如申請專利範圍第丨4項之方法’其中該含氮羧酸或 亞胺係選自以下化合物組成之該_ : 亞胺基二醋酸（IDA) 甘胺酸 腈基醋酸（NTA) 1，1，3,3-四甲基胍（TMG) 326V總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 1299060 CH3C( = NCH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NCH2CH2〇CH2CH2〇H)CH2C(〇）N(CH3)2 CH3C( = NH)CH2C(0)CHs (CH3CH2)2NC( = NH)N(CH3CH2)2 H〇〇CCH2N(CH3)2 H〇〇CCH2N(CH3)CH2C〇〇H 羥乙基亞胺基二醋酸。 23.如申請專利範圍第14項之方法，其中 該有機胺包含選自以下成分組成之該類化合物·· 五甲基二伸乙基三胺（PMDETA) 2-98% 三乙醇胺（TEA) 2-98% 該1，3 -二羰基化合物鉗合劑包含選自以下成分組成之 該類化合物： 2,4 -戊烷二酮 2-90% N，N-二甲基乙醯乙醯胺 2-90% 乙醯醋酸甲酯 15-70% 丙二酸二甲酯 10-48.3% 該含氮羧酸或亞胺包含選自以下成分組成之該類化 合物： 亞胺基二醋酸 0.1-8% 甘胺酸 0.1-8% 腈基醋酸 0 ·卜 8 % 1，1，3,3-四甲基胍 0.1-8% 羥乙基亞胺基二醋酸 0.1-8% 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 25 1299060 且該極性有機溶劑包含選自以下成分組成之該類溶 劑物質： 乙二醇 0-74% 丙二醇 0 - 7 4 % N-甲基吡咯烷酮（NMP) 0 - 4 9 % 環丁颯 0-10%。 24. 如申請專利範圍第14項之方法，其包含具式X-CHR-Y 之鉗合劑，其中 R爲氫或脂族基團，且 X及Y爲含有具吸電子性質之多層鍵結部分之官能基 團。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中X及Y中之每 一者係獨立地選自 C〇NH2、CONHR，、CONR’R’，、CN、 N〇2、S0R’及S〇2Z，其中R’及R”爲烷基且Z爲氫、鹵 素或烷基。 26. 如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該含氮羧酸包 含具下式之化合物： COOH-CH2-NRR5 其中R及R’中之每一者獨立地選自由氫、烷基、芳基 及羧酸組成之群。 26 326\總檔\91\91135183\91135183(替換)-3 说ο ?細 :m、圖式 薇¥#眾鳟》^棼塚韌 ¥

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