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Publication number: TWI295666B
Application number: TW093118758A
Authority: TW
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co
Priority date: 2003-07-29
Filing date: 2004-06-28
Publication date: 2008-04-11
Also published as: CA2534108A1; CN1826198A; DE112004001403T5; JP2005048237A; JP4489389B2; WO2005009652A1; KR20060040712A; KR101132283B1; TW200503961A; CN100500333C; US20070079665A1

Description

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五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】銀粉之製造方銀粉為目的之本發明疋有關於一種微粒銀粉及該微粒法，特別是一種以提供不純物含量低之微粒微粒銀粉及該微粒銀粉之製造方法。【先前技術】習知銀粉多採用溼式還原製程來製造，根號所揭露，渔式還原製程係本先專以利有：還Γΐϋΐ製備銀氨錯合物水溶液’再於其中添加原y之方法。近年來，銀粉主要應用於曰電黎顯示器面板等之電極與電路的形成。 '日日70 、因此’該電極與電路中所形成之電路盥化f求曰益增高，而隨著配線的高密度化1 =精：可靠度的要求也日趨嚴袼。回精度化，高 j而，以習知方法所獲得之銀粉的之平均敖你Π 、S A 1 W 其一次粒子仏Du通吊超過〇 . 6 ，以雷射〜得之平均粒㈣5。超過h“m，其凝聚二'二佈」則定法所化之電4:等⑽mi並不適用於目前微間距另-κ .是製品產率大幅降低的主要原因。方面，由銀粉之使用方法來看，屮拐τ 丁 η 碭。。一直以來，於使用銀膠之電路形成中，二問 3 0 0 °C以下的非隐从 > 中’以加熱溫度於為了传到低結晶性之銀粉，於製造條件上不得低、，w緙^〜非燒結、或低溫燒結型的用途較多，為了於社恤又侍向的燒結性能，一般認，、、、；

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不採用還原快速之反應類，只能獲得凝聚顯著的銀粉。因此，提供習知所沒有聚少之單分散的分散性、以粉，即是目前的重要課題。此外，減少銀粉中不純即，銀粉係採用上述渥式還用之還原劑等容易殘留於銀採用習知之製造方法，此即當銀粉中之不純物含量增加氣阻抗也會隨之增加。 &果雖然得到低結晶性，但卻的銀粉、且具備更接近粉粒凝及具有良好低溫燒結性的銀物含量之需求也日益增加。亦原製程來製造，該製程中所使卷之粉粒表面上。因此，既然成為不可避免的問題。而且， ’使用銀粉所形成之導體的電因此，業者不僅要求銀粉具有細小微粒、高分散性，而且，減少不純物含量之要求也同時進行。【發明内容】因此，本發明人等以習知混合硝酸銀水溶液與氨水、使其反應以得到銀氨錯合物水溶液，再於其中添加還原劑以還原析出銀粒子’並進行過濾、清洗、乾燥的製造方法為基本，對該製造方法加入新的創意，並進行研究改盖。結果’不僅可製造出以習知方法所無法得到之等級的&粒銀粉，且藉由顯著減少該微粒銀粉之不純物含量，而得到習知所沒有的微粒銀粉。而且，本發明之製造方法亦可提幵微粒銀粉之產率、並能穩定地形成。以下將本發明分為「微粒銀粉」與「製造方法」兩部分來作說明。

五、發明說明（3) <微粒銀粉〉首先，針對本發明之微粒銀粉來作說明。本發明之微粒銀粉之主要特徵在於具備有下列a.〜d•之粉體特^性。在此舉出的這些粉體特性，係目前粉體測量技術中最容易突顯，發明之微粒銀粉之特徵、且同時成立的特性。以下針對每個特性來作說明。 a.特性係指以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所得之一次粒子之平均粒徑Du為〇6#m以下。在此，以電子顯微鏡照相圖作影像分析所得之一次粒子‘平均二象'm f用掃描電子顯微鏡(S E M )所觀察之銀粉作影像分析所得之平均粒徑。本說明書 =1?鏡⑽)所觀察之微粒銀粉的影像解析，係：用Asahi Englneering股份有限公司所製之 ’、木以圓度閥值為10、重疊度為2〇來進行圓I ，並 J平均粒徑dia。由於藉由對微觀” :求夠確實地捕捉一次粒子之平均粒徑。依接，析而传’故能察，本發明中所述之微粒銀粉 '落=人的觀 //in之範圍内，但是實1A成干洛於0·01 //in〜〇·6 此此處不敢斷定其下限值。13 、、、田微粒控的粒子，因 b ·特性係指由於本發明之 :具有的高分散性，故以「凝聚度；= 標。」术作為此分散性之指本說明書中所述之凝聚度係指以上述平均粒徑〜、與 1295666 五、發明說明（4) 雷射粒徑分佈測定法所得值。在此，D孫蚀田兩Γ 5Q所表示的D5G/Du 為5 0。/味+ a 5Q係使用雷射粒徑分佈測定法所得之重量累籍為50/。時之粒徑，此平均粒里累積粒子是”Λ平：粒：。這是因為實際的銀粉粉粒的每個的凝聚狀態少，平均粒徑Ds。值小至粉且右“為·25//ΙΠ〜0·80_，此微粒銀外了本戈明：中2 : f所無法得到之平均粒徑^範圍。此卜本°兒明書中之雷射粒徑分佈測定法係將0 t# 粉與離子交換水混合，以超立、㈣曾二將士0.2g之被粒銀所製之USinnTH / 質機（日本精機製作所測定儀ir τ二5 /刀鐘的分散後，再以雷射粒徑分佈司製)進Π 量'a。RA 932°-X1°° 型(UedS+ N〇rthrup 公 r夕Π :謂、:以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所 (Lmt'均粒徑、」係指對使用掃描電子顯微鏡 (S E Μ)所観察之銀粉的影像作影像分析所得之平均粒徑，不需考慮其凝聚狀態，可確實地捕捉―次粒子徑。 -結果，本發明人等以雷射粒徑分佈測定法所得之平均粒徑D5。、與影像分析所得之平均粒徑〜所求出值作為凝聚度。亦即，假設同一批之微粒銀粉能以同一精度來測里D5。與D1A值’根據上述理論，於測量值中反應凝聚狀第10頁 2213-6406-PF(N2).ptd 1295666

五、發明說明（5) 態之D5。值應比dia值還大。此時，D5。值幾乎呈現無微粒之粉粒狀態、無限地接近DIA值，故凝聚度H1A值接近於％ 1。當凝聚度等於1時’可說是完全無粉粒之凝聚單分散粉。早於粒銀粉體表面由此可微粒銀度於1. 之表面狀態愈密度愈此值。— 故，理真球，疋，本發明人等探究了凝聚度、與以各凝聚度之所製造之微粒銀粉漿料的黏度、燒結加工所得之暮平滑性等之間的關係。結果得知其關係相當密切。知，若能控制微粒銀粉之凝聚度，則可任意地控粉所製造之微粒銀粉漿料的黏度。而且，若使凝铲 5以下，則可使微粒銀粉漿料之黏度、燒結加工後^ 平滑性等的變動縮小至狹窄的範圍中。此^卜，凝聚 ^，則對該氧化微粒銀粉進行燒結所得之導體的= 咼，進而降低所形成之燒結導體的電氣阻抗。外，試著求出實際的凝聚度，有時會得到未滿i的般認為這是因為將計算凝聚度之DIA假設為真球之緣一上雖然不會出現未滿1的值，但由於實際上並非故可獲得未滿1之值的凝聚度。 C.特性係晶粒粒徑於丨0nm以下，此晶粒粒徑與燒結起始溫度間有相當密切之關係。亦即，以平均粒徑相當之銀粉來比較，晶粒粒徑小者可於低溫進行燒結。因此，由於如本發明之微粒銀粉般小的微粒，所以表面能量大，且具有1 Onm以下之小的晶粒粒徑，因而可使燒結起始溫度低溫化。在此並無設定晶粒粒徑之下限值，這是因為測量裝置、測量條件等會產生一定的測量誤差之緣故。此外，要

1295666 五、發明說明（6) —-- 粒粒，小於10⑽之範圍的測量值具有高可靠性是相當 + α的，右一定要設定下限值的話，根據本發明人等研究之結果，其約為2nm。 v d.特性係指有機不純物含量以含碳量換算於〇. 25wt0/〇 H1在此，使用碳之含量作為有機不純物含量之指標， ^為附著於銀粉粉粒之不純物量之基準。此時含碳量之 ^則定係使用堀場製作所之EMU —32〇v，並將微粒銀粉

中g、鶴粉1 · 5g與錫粉〇· 3g進行混合，其後將其置入坩堝丄以燃燒-紅外線吸收法來進行測量。以習知製造方法所知之銀粉之含碳量不管如何加強清洗，仍〇· 25wt0/〇〇、Z為本發明之微粒銀粉具有上述a·〜d.之粉體特性，故為4知所沒有的銀粉。而且，由燒結起始溫度之特性來看ί發明之微粒銀粉，其可說是可於240 °c以下進行燒結 : 之微粒銀粉。另外，此處並無對此燒結起始溫度之下限值_ 作特別的規範，但依照本發明人等所進行之研究與一般的技術常識，幾乎不可能獲得低於17 0°C之燒結起始溫度，故可將其視為下限值。 ^ 再者’具備上述粉體特性之效果包括本發明之微粒銀 < 粉之，實填充密度可高達4· Og/cm3以上。在此所述之振實 1 填充密度係先精秤微粒銀粉20 0g，將其置入15〇cm3的量筒中’於行程（stroke)40mm處反覆進行1 00 0次的落下、輕敲之後’對微粒銀粉進行測量所得。此振實填充密度係如同理論上具有微小的粒徑、且粉粒間無凝聚之高分散性之狀

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態般高的數值。比起振實填充密度未滿4. 〇g/cm3之習知銀叙，本發明之微粒銀粉非常地微細，且呈有良好的分散性。八五、發明說明（7) 〈微粒銀粉之製造方法> 本毛月之製造方法之主要特徵係於混合端酸銀水溶液與^水、使其反應以得到銀氨錯合物水溶液，再將其與有機還原劑接觸，使其反應以還原析出銀粒子，並進行過 f、凊洗、乾燥來製造銀粉之方法中，使用添加後成稀薄浪度之還原劑量、硝酸銀量、氨水量。習知還原劑溶液盘銀氨錯合物水溶液係於同一槽中進行混合，因此由於銀濃度一般設定為10g/l以上，若添加多量的硝酸銀、還原劑與氨水，則無法確保獲得對應設備規模的生產性。本發明之製造方法之第1特徵在於銀氨錯合物水溶液與有機還原劑接觸產生反應後的有機還原劑濃度低少吸附殘留於生成之銀粉粉粒表面上、或於粉粒成2 中進入粉粒内部的有機還原材料。因此，此混合後 ^ :’相對於lg/卜6g/1的銀濃度，有機還原劑好合：持於lg/Ι〜3g/l。取野維在此，銀的濃度與還原劑量間成比例關係，者度愈高，可獲得愈多的銀粉。然而，若此處之銀銀浪 6g/l的話，所析出之銀粒子會呈現大顆粒的傾向/辰度超過與習知銀粉相同之粒徑，因而無法得到本發明所述而形成高分散性的微粒銀粉。相對地，若此處之銀濃度^之具有的話’雖然獲得非常細小之微粒銀粉，但因高1 g /1 q双過於細小使

1295666 五、發明說明（8) 吸油量增大，造成漿料黏度增加，因此必須增加有機載體的塁’因而導致最終形成之燒結導體的膜密度降低、電氣阻抗增加。而且，也無法滿足所需的工業生產性。相對於上述lg/Ι〜6g/l的銀濃度，有機還原劑濃度維持於lg/Ι〜3g/l，這是提升本發明之微粒銀粉的產率之最佳條件。在此，將有機還原劑濃度設定為lg/1〜3g/l，是因為此範圍是與銀氨錯合物水溶液之銀濃度間的關係中最適合得到微粒銀粉之範圍。若有機還原劑濃度超過3 g / 1的 U舌’雖然對銀氣錯合物水》谷液添加之還原劑液量變少，但疋還原析出之銀粉粉粒開始顯著地凝聚，包含於粉粒之不純物量（於本說明書中不純物量係指含碳量）也開始急遽增多。若有機還原劑濃度未滿1 g / 1的話，使用之還原劑的總液量增加，廢水處理量也增大，因而無法滿足工業上之經濟效益。在此所述之「有機還原劑」係指對笨二齡、於驗酸、葡萄糖等。其中，最好於有機還原劑中選擇性地使用對笨二酚。於本發明中，對苯二酚比其他有機還原劑具有較佳之反應性，可說是具備有最適於得到晶粒粒徑小之低結曰性銀粉的反應速度。 " 此外，還可於與上述有機還原劑之組合中使用其他的添加劑。在此所述之添加劑最好使用明膠等之膠類、胺類高分子劑、纖維素等能使銀粉之還原析出製程穩定、且同時能達到一定之分散劑之功能者，亦可因應有機還原劑、製程種類等來作適當的選擇。

1295666 五、發明說明（9) ------ #丨μ i發明於使上述方法所得之銀氨錯合物水溶液與還原背發生反應以還原析出微粒銀粉的方法中，最好採用t第1圖所不之方法，其係將銀氨錯合物水溶液S1以特定奴徑（以上與以下將此稱為「第一流徑」）進行流動，於此第一流徑a中途設置匯流之第二流徑b，藉由此第二流徑 b j吏有機還原劑與因應需要而使用之添加劑s 2流入第一流徑a，於第一流徑a與第二流徑b之匯流點1}1進行接觸、混合，以還原析出銀粒子（以下將此方法稱為「匯流混合方才木用此匯流混合方式因為可於最短時間内將2個溶液此合，且系統於均勻狀態下進行反應，故可形成具有均勻 f狀之粉粒。而且，以混合後整個溶液來看，有機還原劑量低，其表示吸附殘留於還原析出之微粒銀粉之粉粒表面上的有機還原劑量減少。如此，可降低過濾、乾燥後所得之微粒銀粉的不純物附著。又由於此微粒銀粉之附著不純量降低，故可降低以銀膠所形成之燒結導體的電氣阻抗”。再者，當銀氨錯合物水溶液與氨水接觸、產生反應以生成銀氨錯合物水溶液時，最好使用硝酸銀濃度為 2· 6g/l〜48gn的硝酸銀水溶液，以獲得銀濃度為 2g/l〜12gM之銀氨錯合物水溶液。在此，規範硝酸銀水、☆ 液之濃度與規範硝酸銀水溶液之液量是同義的，將銀氨二合物水溶液之銀濃度設定為Zg/uggM，則於其中添加^ 氨水的濃度與液量也自然地確定。雖然現階段尚無法給明確之技術上的理由，但藉由此處所述之硝酸銀濃度為2

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1295666 6g/l〜48g/l的硝酸銀水溶液，可獲得具有最優良之製造穩定性、且品質穩定的微粒銀粉。本發明之製造方法之第2特徵係於最後進行非常重要的清洗^驟。此時之清洗步驟可使用水清洗與乙醇清洗之組合，亦可僅使用乙醇清洗，主要是加強以乙醇進行清洗時的清洗。亦即，對還原析出4 0 g之微粒銀粉’一般係以約1 0 Om 1的純水來清洗，其後再以約5 Om 1的乙醇進行乙醇清洗。而本發明於進行乙醇清洗時，以2 〇〇 m 1以上的乙醇，亦即相當於對1 kg的微粒銀粉以5L以上之過量的乙醇來進行清洗。一藉由=強清洗以降低不純物，亦是因為於銀氨錯合物 ίt Ϊ:原劑接觸反應而得到微粒銀粉之製程中，採用原劑量的方法之緣故。口傻您正個，合液的有機還〈發明之效果〉本發明之微粒銀粉係習知精由上述製造方法，率 / 散性高，且為習知之銀粉$ 形成之微粒，不僅分 ϋ cb μ #制、4 ' +存在之微細粉粒。而且，提升本發明之微粒録之生產效【實施方式】以下同時比較對態。评細說明本發明之最佳實施形【實施例1】 2213-6406-PF(N2).ptd 第16頁 1295666 五、發明說明（11) 本實施例中，對以上述製造方法體特性進行測定。並且使用微粒銀粉製成銀;“立2的粉測试電路，以進行導體阻抗與燒結起始溫度之測定-成首先將63.3g之硝酸銀溶解於9·7升的純水中，以 =銀水，液’=其中添加濃度為2^%之氨水235mi2 撥拌’而付到銀氣錯合物水溶液。门其後，將此銀氨錯合物水溶液以15〇〇ml/sec的流入第1圖所示之内徑為13_的第一流徑a 導 ! 5咖/咖的流量導入於第二流徑b，並使兩€/於^

於匯流點m產生接觸，以還原析出微粒銀粉。此時之還原劑係採用以21g之對苯二酚溶解於丨〇升純水中備之對苯二酚水溶液。因此，於混合結束時對苯二衣* 度約為1· 〇4g/l，係非常稀薄的濃度。激、、為了分離上述所得之4〇g的微粒銀粉，使用漏斗進行，濾，並以100ml的水與6〇〇ml的甲醇來清洗，然後進行小時的乾燥，以得到微粒銀粉。第2圖即為上述所得之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。上述所得之微粒銀粉之粉體特性，與實施例2及對照例中所得之銀粉的粉體特性一同列於表格1中。因此，在此補充上述測定方法等說明中不清楚之部分。表格丨之燒結起始溫度之測定係以天平精秤〇· 5g的微粒銀粉，以 21 /、c m的壓力進行1分鐘的重壓，以形成板狀，然後使用型號為TMA/SS6000之Seiko Instruments公司所製的熱機械分析裝置（TMA裝置），以空氣流量為2〇〇cc/分、升溫速度

1295666 五、發明說明（12) 為2 °C /分、停滯時間為〇分鐘的條件，於常溫〜9〇〇它的範圍中進行測量。表格1中所列之導體阻抗的測定係先以各銀粉製成銀膠，於陶瓷基板上形成電路，並利用於 1 8 0〜2 5 0 C的溫度中進行燒結加工所得之1 mm寬度的電路來進行量測。此外，銀膠之組成為微粒銀粉85wt%、乙基纖維素0.75wt%、與松烯醇14.25% 〇FIB分析係測量析出結晶粒之大小，用於晶粒粒徑的測定。【實施例2】本實施例係對使用不同於實施例1之製造條件所製造而得之微粒銀粉，進行粉體特性的測定。並且使用微粒銀粉製成銀膠，進而形成測試電路，以進行導體阻抗與燒結起始溫度之測定。首先將63· 3g之硝酸銀溶解於3· !升的純水中，以製備硝酸銀水溶液，於其中添加濃度為25wt%之氨水235mi 一同稅拌’而得到銀氨錯合物水溶液。 +其後，-將此銀氨錯合物水溶液以15〇〇1111/3^的流量導入第1圖所示之内徑為13_的第一流徑a，將還原劑以 15〇〇ml/sec的流量導入於第二流徑b，並使兩者於2〇。〇下於，流點'產生接觸，以還原析出微粒銀粉。此時所使用之還原j係採用以2 1 g之對苯二酚溶解於3 · 4升純水中所製 2之對苯二酚水溶液。因此，於混合結束時對苯二酚之‘ 度約為3· 〇g/1，係非常稀薄的濃度。、# 一 t ϋ實知例1，將上述所得之40g的微粒銀粉使用漏斗灯a L，並以l〇〇ml的水與6〇〇ml的甲醇來清洗，然後進

1295666 五、發明說明（13) __ 行7 0 C x5小時的乾燥，以得到微粒銀粉。第 … 所得之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。w p為上述粒銀粉之粉體特性，與實施例丨及對照例中达所得之微粉體特性一同列於表格1中。 f之銀粉的【對照例1】本對照例中僅改變實施例丨之清洗條複說明，在此僅說明清洗條件。為了避免重將實施例1中所得之微粒銀粉4 〇g使用漏斗並以10〇ml的水與50ml的甲醇來清洗，然後' 過^慮，時的乾燥，以得到微粒銀粉。第2圖即為上述=〇Cx5小銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。上述之所侍之微粒體特性，與其他實施例及對照例中所得之==粉一同列於表格1中。 m私的粉體特性【對照例2】本對照例中僅改變實施例2之清洗條複說明’在此僅說明清洗條件。 ’、為了避免重將實施例2中所得之微粒並以1 0〇ml的水與50ιη1的甲 2，使秋用漏斗進行過濾’ 時的乾燥，以得到微粒銀粉。 =彳進仃70 °Cx5小銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖马上述所得之微粒體特性’與其他實施例及對；例戶微粒銀粉之粉一同列於表格1中。、斤件之銀粉的粉體特性【對照例3】本對照例係對使用下列所示之製造方法所製造而得之

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五、發明說明（14) 微粒銀粉，進行粉體特性的測定。並且使用微粒銀粉製成銀膠，進而形成測試電路，以進行導體阻抗與燒結起二、、w 度之測定。首先將6 3 · 3 g之硝酸銀溶解於1升的純水中，以製備确酸銀水溶液，於其中添加濃度為25wt%之氨水235ml —同授摔’而得到銀氣錯合物水溶液。其後，將此銀氨錯合物溶液置入反應槽中，此時一同添加以對苯二酚2 1 g溶解於1 · 3升的純水、作為還原劑之對苯二紛水溶液，將溶液溫度維持於2 〇 X：進行攪拌、使其發生反應，以還原析出銀粉。於混合結束時對苯二酚之^ ^ 約為14· 5g/l，係高濃度溶液。 /又如同實施例1，將上述所得之微粒銀粉使用漏斗過濾，並以100ml的水與5〇ml的甲醇來清洗，然後 Cx5小時的乾燥，以得到微粒銀粉。第4圖即為上之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。斤仔粉之粉體特性，盥卜a每a , ^ ^行< Μ粒銀的e转I π與上述實施例及第2對照例中所得之銀粉的叔體特性一同列於表格】中。、跟物【對照例4】微粒銀粉，進;^ :：歹:所：之製造方法所製造而得之銀膠，進而形成測試電0、測疋。並且使用微粒銀粉製成度之測定。以電路’以進行導體阻抗與燒結起始溫盲先將6 3 · 3 g之石肖酸夺、々硝酸銀水溶液，於豆中六X/谷解於3 00nU的純水中，以製有、八中添加濃度為25wt%之氨水2351]11一同

1295666 五、發明說明（15) 擾拌’而得到銀氨錯合物水溶液。其後’將此銀氨錯合物溶液置入添加以明膠3g溶解於200ml的純水所應槽^中’此時一同對苯二酚21g溶解於700ml的純水、、之溶液、以及以水溶液，將溶液溫度維持於2G t進.f原剤之對苯二酚應，以還原析出銀粉。於混合結束二使其發生反 14· 5g/l，係高濃度溶液。、本一酚之濃度約為如同實施例1，將上述所得之微粒銀過濾，並以100ml的水與50roi的甲醇々使用漏斗進行 °Cx5小時的乾燥，以得到微粒銀粉 ^ =進行70 之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照圖尸為/述所得的粉體特性一同列於表格1中。銀私【對照例5】本對照例係對使用下列所示之製造方法所製 =銀：而开進Γ'體特性之測定。並且使用微粒銀粉ϊί =測J而形成測試電路’以進行導體阻抗與燒結起始】首先將20g之聚乙烯吡咯烷酮溶解於26〇mi 然後使其轉奶Or錢銀，㈣備錢銀切屯水中’ ，其中添加25g的硝酸一同進行授拌，而得 =溶液。於混合結束時於驗酸之濃度約為36 〇之^ 濃度溶液。 1 係鬲另外還原劑之製作係將3 5 · 8 g之菸鹼酸溶解於5 〇〇 m i 第21頁

2213-6406-PF(N2).ptd 1295666 五、發明說明（16) 的純水中，而配製成還原溶液。其後，將此含銀之硝酸颛溶液置入反應同添加上述還原溶液，將溶液溫度維持於2 5此時一使其發生反應，以還原析出銀粉。、進行攪拌、如同實施例1，將上述所得之微粒銀粉使過濾，並以1 0 0 m 1的水與5 0 m 1的甲醇來清洗，然^斗進行。㈤小時的乾燥’以得到微粒銀粉。：述所得？微進= 之粉體特性，與上述實施例及對照例中所得之 = 特性一同列於表格1中。刀曰]物體〈實施例與對照例之比較〉請參照表格1，以進行上述各實施例與對照例的比較。此外，由第2圖〜第5圖之掃描電子顯微鏡照相圖可明確得知粉粒之一次粒子的粒徑。

1295666 — 五、發明說明（17) 表辂1 試料粉體特性 _燒結導體 SSA m2/g 振霣塡充密度〇 g/cm Dso Dia D50/ Dia 晶粒粒徑 nm 含碳量 % 導體阻抗 μΩ· cm 燒結起始溫度 °C μιη 賞施例1 2.54 4.2 0.31 0.30 1.03 7 0.15 4.6 160 富施例2 1.68 4.7 0.55 0.49 1.12 7 0.21 5.9 190 對照例1 2.89 4.3 0.29 0.28 1.04 7 0.28 8.5 160 對照例2 0.55 4.0 3.90 2.20 1.77 7 0.32 7.9 190 對照例3 1.18 4.3 1.78 1.02 1.75 9 0.88 無法測量 250 對照例4 0.55 4.0 3.90 2.20 1.77 8 0.89 無法測量 250 對照例5 0.62 4.0 3.03 1.20 2.53 38 0.30 無法測量 350 由表格1可得知，比較各個粉體特性值，上述實施例中所得之微粒銀粉不僅比以習知製造方法所製造之銀粉粉 :二細分散性較高，也降低了不純物含量，係習妒銀 m:; ϊϊ粉所形成之電路不僅膜密度高，真電 :阻抗也降低。而各對照例因導體阻抗高，而無法進行測產業上可利性：本發明之微粒銀粉具有習不僅粉粒之凝聚度低，而且比性。此外，藉由本發明之微粒知銀粉所沒有的微細粉粒，習知銀粉具有更良好的分散銀粉之製造方法，可降低微

2213-6406-PF(N2).ptd 第23頁 1295666 五、發明說明（18) 粒銀粉上所殘留的有機物，雖為微粒銀粉，但與原來的膜密度之高度重疊、作用，因而有助於降低最終所獲得之導體的電氣阻抗。

2213-6406-PF(N2).ptd 第24頁 1295666 圖式簡單說明第1圖繪示銀氨錯合物水溶液與還原劑混合之示意圖。第2圖與第3圖係本發明之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。第4圖與第5圖係以習知方法所得到之微粒銀粉之掃描電子顯微鏡照相圖。符號說明： 51 :銀氨錯合物水溶液 52 ··添加劑 a :第一流徑 b :第二流徑 m :匯流點

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Claims

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1 · 一種微粒銀粉，粉粒凝聚性低之銀粉包括下列a ·〜d ·之粉體特性： a·以掃描電子顯微鏡照相圖作影像分析所得之〜子之平均粒徑Du為〇· 6 μιη以下；次极 b •以上述平均粒徑DIA、與雷射粒徑分佈測定法戶平均粒徑I所表示之凝聚度D5q/Dia為丨，5以下；得之 C .晶粒粒徑為1 Q nm以下·，及 d·有機不純物含量以含碳量換算於〇· 25以％以下。 2·如申請專利範圍第i項所述之微粒銀榼起始溫度為2 40 t：以下。、甲^結 & 3· —種微粒銀粉之製造方法，由混合硝酸銀水溶液與 i ^，使ΐ反應得到銀氨錯合物水溶液，再於其中添加對本一酚以還原析出銀粒子，並進行過濾、清洗、乾燥，其特徵在於： ' 使對苯一酞與上述銀氨錯合物水溶液進行接觸、混 :输且仏合後〉谷液中之銀濃度為1 g/ 1〜6g/ 1、對苯二酚濃 ς :持於1 g/ 1 3 g/ 1，以還原析出銀粒子，並對該銀粒子進仃過濾、水清洗、及過量的乙醇溶液清洗。

4.如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方 ^1中當對苯二酚與上述銀氨錯合物水溶液進行接觸、 4，上述銀氨錯合物水溶液以特定流經（以下稱為、古，一流徑」Ο流動，於該第一流徑中途設置匯流之第二版=，错由該第二流徑使對苯二酚流入，於第一流徑與第一 k徑之匯流點進行接觸、混合。

第26頁 1295666 案號 93Π8758 修正六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方法，其中使用硝酸銀濃度為2. 6 g / 1〜4 8 g / 1之硝酸銀水溶液與氨水進行混合、反應、且銀濃度為2 g / 1〜1 2 g / 1之銀氨錯合物水溶液。 6. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方法，其中使用之對苯二驗中包含分散劑。 7. 如申請專利範圍第3項所述之微粒銀粉之製造方法，其中乙醇係使用相當於對1 k g之銀粒子使用5 L以上之乙醇的量來進行。

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