TWI295459B - Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus - Google Patents
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1295459 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 ▲ 本發明係關於一種像素電路’其中藉由電流驅動為每一 ' 像素所設置之一負載元件,且本發明亦係關於一種矩陣裝 - 置’其中將複數個像素電路設置在一矩陣中,且特定^之 本發明係關於一種主動矩陣裝置,其中藉由一提供於每_ 像素電路中之絕緣閘極型場效電晶體來控制待被供應給_ 負载元件之一定量的電流。本發明進一步係關於一種主動 矩陣型顯示器裝置,其包括一電光元件(諸如作為一負載 元件之有機電致發先(EL)元件),其亮度由電流值控制 【先前技術】 在諸如(舉例而言)液晶顯示器裝置之影像顯示器裝置 中,將大量液晶元件並置在一矩陣中且為每一像素控制入 射光之透射強度或反射強度以回應於待顯示之影像資訊且 藉此顯示一影像。雖然此同樣適用於一使用像素之有機el φ 凡件的有機EL顯示器裝置或一類似裝置,但是不同於一液 晶元件,一有機EL元件係一自發光元件。因此,有機el 顯示器裝置之有利之處在於其上所顯示之影像在可見度方 * 面f於液晶顯示器裝置上之影像、不需要背光且響應速度 另外,有機£1^顯示益裝置十分不同於液晶顯示器裝 、 1之處在於每一發光元件之亮度位準(等級)係電流受控 尘其中其可由流過其中之電流值來控制。 對於有機EL顯示器裝置而言,兩種不同驅動方法皆可 用,包括一種簡單矩陣型驅動方法及一種類似於液晶顯示 101374.doc 1295459 器裝置的主動矩陣型驅動方法。前者具有-問題,即具有 較大;^及較高清晰度的顯示器裝置之實施很難,雖然其 * 、。構簡#因此,使用該主動矩陣型驅動方法之有機EL顯 ' u置的&展正有利地進行著。根據主動矩陣型驅動方 .4 ’由—提供於像素電路中之主動元件(通常為薄膜電晶 體:TFT)來控制流至每一像素電路内部之一發光元件的電 流。 在(例如)日本專利特許公開案第2003-255856號及第 2003-271095號中揭不了所描述之類型的有機虹顯示器裝 置。 圖10展示了 一例示性有機EL顯示器裝置之組態。參考圖 10,所示之顯示器裝置100包括一像素陣列區1〇2(其中像 素電路(PXLC)lOl被配置於一 mXn矩陣中)、一水平選擇器 (HSEL)103、一寫入掃描器(WSCN)1〇4及一驅動掃描器 (DSCN)105。該顯示器裝置100進一步包括:訊號線 φ DTL101至DTLIOn,其由水平選擇器1〇3選擇使得向其供應 一基於壳度資訊之訊號;掃描線WSL101至WSLIOm,其由 寫入掃描器104選擇性地驅動;及掃描線DSL1〇l及 DSL*1 0m ’其由驅動掃描器1 〇5選擇性地驅動。 圖11展示了圖10中所示之像素電路的組態的一實例。參 — 考圖11,使用P-通道型之薄膜場效電晶體(下文稱為TFT) 來基本上形成所示之像素電路1〇1。詳言之,該像素電路 101包括一驅動TFT 111、一開關TFT 112、一取樣TFT 115、一有機EL元件117及一保持電容器ciu。在一訊號線 101374.doc 1295459 DTL10 1與一掃描線WSL101及訊號線dtL 1 01之交叉點處揭 示了所提及之由該等元件形成的像素電路i Ο 1。將訊號線 DTL101連接至取樣TFT 115之汲極,同時將掃描線 WSL101連接至取樣TFT 115之閘極,且將另一掃描線 DSL101連接至開關TFT 112之閘極。
將驅動TFT 111、開關TFT 112及有機EL·元件117串連連 接於電源電位Vcc與接地電位GND之間。詳言之,將驅動 TFT 111之源極連接至電源電位vcc,且將有機el元件 117(發光元件)之陰極連接至接地電位GND。由於有機EL 元件11 7 —般具有整流作用,因此其由二極體之標記來表 示。同時,將取樣TFT 11 5及保持電容器C111連接至驅動 TFT 111之閘極。該驅動TFT 111之閘極-源極電壓由Vgs表 示0 在像素電路101之運作過程中,將掃描線WSL1〇1首先置 放於一選擇狀態下(此處,低位準)且將一訊號施加至該訊 __ 號線DTL101。隨即’使取樣TFT 11 5變成導電以使得將該 訊號寫入保持電容器C 111中。被寫入該保持電容器c丨丨j之 訊號電位充當至驅動TFT 111之閘極電位。接著,將掃描 線WSL101置放於一非選擇狀態下(此處,高位準)。因此, 將訊號線DTL101及驅動TFT 111彼此電切斷。然而,藉由 ’ 保持電容器C111穩定地保持了驅動TFT 111之閘極電位
Vgs。此後’將另一掃描線DSL 101置放於一選擇狀離、下 (此處,低位準)。因此,使開關TFT 112變成導電,且驅動 電流自電源電位Vcc穿過TFT 111與112及發光元件117而流 101374.doc
1295459 向接地電位GND。接著,當將掃描線dslIOI置放於一非 選擇狀態下時,斷開開關TFT 112,且驅動電流不再流 動。插入開關TFT 112以便控制發光元件117的光發射時 間。 流過TFT 111及發光元件U7之電流具有一對應於驅動 TFT 111之閘極-源極電壓vgs的值,且該發光元件ι17持續 發出具有一對應於電流值之亮度的光。下文將選擇掃描線 WSL101以將一施加至訊號線dTli〇i之訊號傳輸至像素電 路101内部的此操作稱為”寫入”。若如以上描述執行一訊 號之寫入一次,則發光元件u 7繼續發射具有一固定亮度 的光並持續一時間週期直至隨後執行寫入有機El元件 117 ° 如以上描述,藉由回應於一輸入訊號調節待施加至充當 一驅動電晶體之TFT 111之閘極的電壓來控制流至發光元 件117之電流值。此時,由於將^通道驅動電晶體1丨丨之源 極連接至電源電位VCC,因此該TFT 111通常在一飽和區域 中運作因此,该驅動電晶體111充當一具有一由以下表 達式(1)給出之電流值的電流源:
Ids = (1/2) · μ · (W/L) · c〇x · (Vgs _ Vth)2 …⑴ 其中Ids係在於一飽和區域中運作之電晶體的汲極與源 極之間流動的電流,μ係遷移率,w係通道寬度,L係通道 長度’ Cox係閘極電容,且Vth係電晶體之臨限值。如自表 達式(1)可顯而易見,在該電晶體之飽和區域中,藉由閘 極-源極電壓VgS來控制該電晶體之汲極電流Ids。由於圖9 101374.doc 1295459 中所示之驅動電晶體n〗 …“極源極電壓被保持固 口此驅動電晶體Π1作為一恆定 發光元件117發射具有固定亮度的光。 可引起 化=Γ明一有賊元件之電流-電壓㈣特徵之老 ’二的圖。在該圖中’由實線所指示之曲線表示在一初 :肖:下之特铽’且另-由虛線所指示之曲線表示在老化
變質後之特徵。通常’如自該圖可看出,-有機EL元件之 W寺徵隨時間而損壞。然而,在圖U所示之像素電路 中’由於藉由恆定電流來驅動該驅動電晶體,因此汲極電 流Ids繼續流過有機EL元件,且即使該有機£1^元件之特 徵損壞,該有機EL元件之發射光的亮度仍不會隨時間而退 化。 【發明内容】 雖然圖11中所示之像素電路係使用严通道叮丁而形成, _ 但是若其可另外使用Ν通道TFT形成,則可將一習知非晶 φ 5夕(a_Si)過程應用於TFT生產。此使得減少TFT基板之成本 成為可能,且吾人預期將開發一使用N通道TFT而形成的 像素電路。 圖13係一展示一組態之電路圖,其中由n-通道TFT來替 4 代圖11中所示之像素電路的P-通道TFT。參考圖13,所示 • 之像素電路101包括η-通道TFT 111、112及115、一保持電 容器C111及一有機EL元件117(其為一發光元件)。該TFT 111係一驅動電晶體,且該TFT 112係一開關電晶體而該 TFT 115係一取樣電晶體。另外,在圖13中,參考符號 101374.doc -10· 1295459 DTL101指示一訊號線,且參考符號DSL101及WSL101各自 指示一掃描線。此外,在像素電路1 〇 1中,將作為驅動電 晶體之TFT 111的汲極連接至一電源電位Vcc且將該TFT 111的源極連接至有機EL元件11 7之陽極藉此形成一源極隨 耦器電路。
圖14係一說明圖13中所示之像素電路之運作的計時圖。 參考圖14,若將一選擇脈衝施加至掃描線wsl 101,則取 樣TFT 115變成導電且取樣一來自訊號線DTL1〇1之訊號且 將έ亥訊號寫入保持電容器C111。因此,將驅動tft 111之 閘極電位保持在该取樣訊號電位。按線順序地執行此取樣 運作。詳言之,在將一選擇脈衝施加至第一列之掃描線 WSL 1 0 1之後,將另一選擇脈衝施加至第二列之掃描線 WSL102,且此後,在各自一水平週期(1H)内選擇一列之 像素。由於在選擇掃描線WSLl〇i的同時亦選擇掃描線 DSL1〇1,因此接通開關TFT 112。因此,驅動電流穿過驅 動TFT 111及開關TFT 112而流至發光元件117以便自該發 光元件117發射光。在—個場週期〇f)中^,將掃描線 DSL101置放於一非選擇狀態下,且斷開開關丁ft 。因 此,停止光的發射。掃描線DSLl〇1控制佔據該一個場週 期之光發射的時間週期(占空時間)。 圖15 A係一說明在初始狀態下之驅動電晶體丨丨〗及元 件117之工作點的圖。參考圖〜橫座標之軸指示驅動電 晶體111之汲/極〜^極電壓Vds,且縱座標之軸指示汲極電 流Ids。如圖·所見,源極電位視驅動電晶體⑴及虹 — 10I374.doc
解決的主題,即若該有機EL元件之Ι-V特徵改變,則亨有 機EL元件之光發射亮度隨時間變化。 1295459 元件11 7之工作點而定,且源極電位之電壓具有 、 電^雨定而不同的值。由於在飽和區域中驅 視閘極 •動该驅動雷曰 體111,因此可供應相對於對應於該工作點 曰曰 t源極雷愿 的閘極-源極電壓Vgs之由上文所給出的表達式(1)戶 % 1 電流值之汲極電流Ids。 所界疋的 然而,如上文所描述,EL元件之Ι-V特徼晬奸 符欲炚時間損壞。 如圖1 5B中所見,老化變質改變了該工作 卩使施加 一相同閘極電壓,該電晶體之源極電壓仍會改微。 m 交0因此, 驅動電晶體111之閘極·源極電壓Vgs改變, 五机動電流之 值變化。同時,流過EL元件117之電流的值亦變化。以此 方式,圖13中所示之源極隨耦器組態的像素電路具有一待 應注意,反向地設置驅動TFT 111與EL元件117以便消除 以上所描述之主題亦為一可能的想法。詳言之,根據僅提 及之可能的電路組態,將驅動電晶體1U之源極連接至接 地電位GND且將驅動電晶體n丨之汲極連接至el元件丨丨7之 陰極,同時將EL元件11 7之陽極連接至電源電位Vcc。在所 述之電路組態中,驅動電晶體n丨之源極的電位係固定的 且驅動電晶體111類似於在上文參考圖11所述之通道TFT 組悲的像素電路中那樣作為一恒定電流源而運作。因此, 亦可阻止由EL元件之I-V特徵損壞而引起的亮度變化。然 而,根據該電路組態,必須將該驅動電晶體連接至EL元件 之陰極側。此陰極連接要求發展一新的陽極及一陰極,且 101374.doc -12- 1295459 吾人認為使用目前之技術此會报難。自前述之情況,習知 技術無法置放-使用η-通道電晶體且不會將亮度變化顯示 於實際使用中的有機EL顯示器襞置。 在主動矩陣型之有機EL顯示器裝置中,除了 EL元件之 特徵變化外,形成像素電路之η·通道加的臨限電壓亦隨 時間而變化。如自上文給出之表達式⑴可顯而易見,若驅 動電晶體之臨限電壓Vth變化’則沒極電流ids改變。因
此,存在一待解決之主題,即發射光之亮度隨臨限電壓 Vth之變化而變化。 因此,需要提供—像素電路,即使諸如發光元件的電流 驅動型之負載元件(-電光元件,諸如(舉例而言)一有機 EL元件)m_V特徵隨時間變化,仍可藉由該像素電路來保 持待發射之光的亮度固定。 亦需要提供-像素電路,其中即使形成該像素電路之電 晶體的臨限電壓隨時間變化,仍可穩定地驅動一負載元 件。 另外需要提供—像素電路,其具有—補償負載元件之特 徵變化的功能及另一補償電晶體之臨限電塵之變化的功 月匕’其中將提供該等補償功能所必需之電路組件的數目降 至最大限度。 丑為了達到以上描述之要求,根據本發明之一實施例,提 供了-設置於一掃描線與一訊號線彼此相交又之點處的像 素電路,其包括_雷伞- 電先凡件、一保持電容器及五個N通道 薄膜電晶體’該等薄膜電晶體包括—取樣電晶體、一驅動 I0l374.doc -13- 1295459
、曰體、-開關電晶體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶 體,其中將該保持電容器連接在該驅動電晶體之源極與間 極之間、將该電光元件連接在該驅動電晶體之源極與一預 定陰極電位之間、將該第一摘測電晶體連接在該驅動電晶 體之源極與第一接地電位之間、將該第二摘測電晶體連接 f該驅動電晶體之閘極與第二接地電位之間、將該取樣電 日日體連接在該驅動電晶體之閘極與該訊號線之間、將該開 關電晶體連接在該驅動電晶體之該汲極與一預定電源電位 之間,當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一 來自該訊號線之輸入訊號且供應該經取樣之輸入訊號以便 將其保持在該保持電容器内,該驅動電晶體使用回應於由 忒保持電谷器保持之訊號電位的電流來驅動該電光元件, 當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將來自電 源電位之電流供應給該驅動電晶體,且當由該掃描線選擇 時,第-及第二侦測電晶體運作以在使用該電流驅動該電 光元件之前偵測該驅動電晶體之臨限電壓且為了提前消除 該臨限電壓之影響而供應該經偵測之電位以便將其保持在 5亥保持電容器内。 根據本發明之另一實施例,提供了—主動矩陣裝置,其 包括沿著列延伸之複數個掃描線、沿著行延伸之複數個訊 號線及設置在-矩陣巾之料掃描線與料㈣線彼此相 交又之點處的複數個像素,其中,該等像素各自包括一負 載元件、一保持電容器及五個N通道薄臈電晶體,該等薄 膜電晶體包括一取樣電晶體、一驅動電晶體、一開關電晶 I01374.doc -14- 1295459 體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶體, 連接在該驅動電晶體之源極與閘極之間、 ,將該保持電容器
應該經取樣之輸入訊號以便將其保持在該保持電容器内, 該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器所保持之訊號電 位的電流來驅動該負載元件,當由該掃描線選擇時,該開
作以在使用該電流驅動該負載元件之前偵測該驅動電晶體 私m <龟流供應給驅動電 第一及第二偵測電晶體運
之臨限電壓且為了提前消除該臨限電壓之影響而供應該經 偵測之電位以便將其保持在該保持電容器内。 根據本發明之另一實施例,提供了 一顯示器裝置,其包 括沿著列延伸之複數個掃描線、沿著行延伸之複數個訊號 線及設置在一矩陣中之該等掃描線與該等訊號線彼此相交 叉之點處的複數個像素,其中,該等像素各自包括一有機 電致發光元件、一保持電容器及五個N通道薄膜電晶體, 該等薄膜電晶體包括一取樣電晶體、一驅動電晶體、一開 關電晶體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶體,將該保持 101374.doc •15· 1295459 電容器連接在該驅動電晶體之源極與閘極之間、將該有機 電致發光元件連接在該驅動電晶體之源極與一預定陰極電 ·. 位之間、將該第一偵測電晶體連接在該驅動電晶體之源極 • 與第一接地電位之間、將該第二偵測電晶體連接在該驅動 電曰曰體之閘極與第二接地電位之間、將該取樣電晶體連接 在該驅動電晶體之閘極與該訊號線之間、將該開關電晶體 連接在該驅動電晶體之汲極與一預定電源電位之間,當由 、㈣描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣—來自該訊號 線之輸入訊號且供應該經取樣之輸入訊號以便將其保持在 。亥保持電谷器内,該驅動電晶體使用回應於由該保持電容 器所保持之訊號電位的電流驅動該有機電致發光元件,當 由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將來自電源 電位之電;^供應給遠驅動電晶體,且當由該掃描線選擇 時’第一及第二偵測電晶體運作以在使用該電流驅動有機 _ 電致發光元件之前偵測該驅動電晶體之臨限電壓且為了提 Φ 前消除該臨限電壓之影響而供應該經偵測之電位以便將其 保持在該保持電容器内。 根據本發明之更進一步實施例,提供了一設置在一掃描 線與一訊號線彼此相交叉之點處的像素電路,其包括一電 光元件、一保持電容器及五個N通道薄膜電晶體,該等薄 膜電晶體包括一取樣電晶體、一驅動電晶體、一開關電晶 體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶體,其中將該驅動電 晶體在其閘極處連接至一輸入節點、在其源極處連接至一 輸出節點且在其汲極處連接至一預定電源電壓,將該電光 101374.doc -16-
1295459 元件連接在輸出節點與— 、 預疋陰極電位之間,蔣^ VP 容器連接在輸出節點與於々々 、/”、電 ^ 卽點之間,將該取樣電晶P、查 接至輸入節點及訊號 像罨日日體連 外 、、、將该第一偵測電晶體連接在浐ψ 節點與第一接地電 > ⑨接在輪出 曰 將该弟二谓測電晶體連接在^ 入節點與第二接地電位 篮運接在輸 10 ^ ^ ^ ,將该開關電晶體插入於輸入 即點與该驅動電晶體夕„& ^ 體之間極之間,當由該掃描線選擇時, 义取樣電日a體運作以取樣_來自該訊號線之輸人訊號且供 應該經取樣之輸入訊號以便將其保持在該保持電容器内:、 當由該掃描線選擇時Γ „扣—。& Μ開關電日日體變成導電以將該保持 電容器連接至該驅動電晶體之閑極,該驅動電晶體使用回 應於由该保持電容器所保持之訊號電位的電流驅動該電光 元件’且當由掃描線選擇時’第一及第二積測電晶體運作 以在使用該電流驅動該電光元件之前㈣該驅動電晶體之 臨限電壓且為了提前消除該臨限電麼之影響而供應該經偵 測之電位以便將其保持在該保持電容器内。 根據本發明之又進一步實施例,提供了 一主動矩陣裝 置,其包括沿著列延伸之複數個掃描線、沿著行延伸之複 數個訊號線及設置在一矩陣中之該等掃描線與該等訊號線 彼此相父叉之點處的複數個像素,其中,該等像素各自包 括一負載元件、一保持電容器及五個Ν通道薄膜電晶體, 該等薄膜電晶體包括一取樣電晶體、一驅動電晶體、一開 關電晶體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶體,將該驅動 電晶體在其閘極處連接至一輸入節點、在其源極處連接至 一輸出節點及在其汲極處連接至一預定電源電壓,將該負 101374.doc 17 1295459 ίΓΓ連接在輸㈣點與—預定陰極電位之間,將該保持 日合益連接在該輸出節點與該輸人節點之間,將該取樣電 :連接至輸入即點與訊號線,將該第一偵測電晶體連接 =輸出節點與第—接地電位之間,將該第二㈣電晶體連 接在輸入節點與第二接地電位之間,將該開關電晶體插入 於輸入節點與驅動電晶體之間極之間,當由該掃描線選擇 時,該取樣電晶體運作以取樣-來自該訊號線之輸入訊號 m取樣之輸人訊號以便將其保持在該保持電容器 内’當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將該 保持電容器連接至該驅動電晶體之間極,該驅動電晶體使 用回應於由D亥保持電容器所保持之訊號電位的電流驅動該 負載元件’且當由掃描線選擇時,第一及第二偵測電晶體 運作以在使用該電流驅動該負載元件之前偵測該驅動電晶 體之-臨限電壓且為了提前消除該臨限電壓之影響而供應 該經偵測之電位以便將其保持在該保持電容器内。 根據本發明之仍進一步實施例,提供了一顯示器裝置, 其包括沿著列延伸之複數個掃描線、沿著行延伸之複數個 訊號線及設置在-矩陣中之該等掃描線與該等訊號線彼此 相交叉之點處的複數個像素,其中,該等像素各自包括一 有機電致發光元件、一保持電容器及五個N通道薄膜電晶 體,該等薄膜電.晶體包括一取樣電晶體、一驅動電晶體、 一開關電晶體、第一偵測電晶體及第二偵測電晶體,將該 驅動電晶體在其閘極處連接至一輸入節點、在其源極處連 接至一輸出節點及在其汲極處連接至一預定電源電壓,將 101374.doc 1295459 該有機電致發光元件連接在該輸出 之間,脾兮位壮+ ^與一預定陰極電位 將该保持電容器連接在該輸出 間,脾兮说從兩〇 /、必W入即點之 將5亥取樣電晶體連接至輸入 偵淛雷B遍土 〆、況就線,將該第一 、貝】電日日體連接在輸出節點與第一 二偵測雷曰认 接也電位之間,將該第 、=日日體連接在輸人節點與第二接地電位之間,將該 二電:體,入於該輸入節點與該驅動電晶體之間極之 …亥知描線選擇時’該取樣電晶體運作以取樣一來 =號線之輸入訊號且供應該經取樣之輪入訊號以便將 /、保持在該保持電容器内,當由 田田Θ輙描線選擇時,該開關 電日日體邊成導電以將該保持電容 了电合态連接至該驅動電晶體之 該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器所保持之 ^電位的電流驅動該有機電致發光元件,且當由掃描線 4擇時’第一及第二偵測電晶體運作以在使用該電流驅動 "亥有截電致發光π件之前谓測該驅動電晶體之一臨限電壓 且為了提前消除該臨限電屢之影響而供應該經侦測之電位 以便將其保持在該保持電容器内。 根據本兔明,该像素電路包括一電光元件、一保持電容 器二五個Ν通道薄膜電晶體,該等薄膜電晶體包括一取樣 電晶體、一驅動電晶體、一開關電晶體、第一偵測電晶體 及第一伯測電晶體。該像素電路具有該保持電容器之一啟 動功%且因此’即使諸如發光元件之電流驅動型的電光 兀件之I-V特徵隨時間變化,光發射之亮度仍可保持固 定另外’由第一及第二偵測電晶體偵測該驅動電晶體之 I限電壓且藉由電路構件補償該驅動電晶體之臨限電壓 101374.doc -19- 1295459 的變化°因此’可穩定地驅動電磁元件。特定言之, 素電路包含一保持電容器及五個電晶體且其具有一包:最 少數目之電,元件的合理組態。由於組成元件之數目很 小’因此提高了良率且可預期到成本之減少。另外,根據 本發明,將該開關電晶體連接在該輸人節點與該驅動電晶 體之閘極之間。因& ’可將該驅動電晶體直接地連接至該
電源電位而無開關電晶體之干預’且因此,可消除剩餘功 率消耗。另外,由於將該開關電晶體連接至該驅動電晶體 之閘極,因此不需要一供應電容之較高電流,且因此可預 期到小型化。 結合隨附圖式,本發明之以上及其它目的、特徵及優點 自以下描述及附加之申請專利範圍將變得顯而易見,在該 等圖式中,相同部件或元件由相同參考符號來表示。 【實施方式】 現在將參考隨附圖式來詳細描述本發明之較佳實施例。 • 為描述之便利性,首先描述一具有充當一負載元件之發光 元件的特徵變化補償功能(啟動功能)的像素電路,且接 著’描述額外具有一驅動電晶體之臨限電壓變化補償功能 的另一像素電路。此後,描述具有如以上所提及之此等補 償功能同時具有最少數目之電路組件的另一像素電路。圖 1展示了一顯示器裝置之組態,其包括一居於一啟動功能 之像素電路,該啟動功能係一發光元件(其為一電光元件) 之特徵變化的補償功能。應注意,圖1中所示之電路組態 揭示於由本專利申請案之受讓人在曰本於2003年5月23曰 101374.doc -20-
1295459 申凊之日本專利申請案第2003-146758號中。 參考圖1,所示之顯示器裝置1〇〇包括一像素陣列區 1〇2(其中將像素電路(PXLC)1〇1配置於一矩陣中)、一水平 選擇器(HSEL)103、一寫入掃描器(WSCN)1〇4及一驅動掃 描器(DSCN)105。該顯示n裝置1〇〇進一步包括:訊號線 DTL101至DTLIOn,其由水平選擇器1〇3選擇使得將一基於 焭度資訊之訊號供應至其;掃描線WSL1〇1至wsu〇m,其 由寫入掃描器104選擇性地驅動;及掃描線DSL1〇l及 DSLIOm,其由驅動掃描器1〇5選擇性地驅動。應注意,為 簡化之說明,圖1中展示了一像素電路之特定組態。 該像素電路101包括η·通道TFT 111至115、一電容器 C111、一自一有機el元件(OLED ··有機發光二極體)形成 之發光元件117及節點ND111及ND112。另外,在圖i中, 參考符號DTL101指示一訊號線,WSL1〇1指示一掃描線, 且DSL101指示另一掃描線。在該等組件中,tft 111充當 一驅動場效電晶體;取樣TFT 115充當第一開關;TFT 114 充當第二開關;且電容器C111充當一保持電容元件。 在像素電路101中,將發光元件(〇LED)117插入於TFT 111之源極與一接地電位gnd之間。更特定言之,將發光 元件11 7之陽極連接至TFT 111之源極,且將發光元件丨i 7 之陰極侧連接至接地電位GND。自發光元件11 7之陽極與 TFT 111之源極之間的一連接點形成節點nd 111。將TFT 1 Π之源極連接至TFT 114之汲極及電容器cill之第一電 極’且將TFT 111之閘極連接至節點ND112。將TFT 114之 101374.doc -21 - 1295459 源極連接至一固定電位(在本實施例中,為接地電位 GND) ’且將TFT 114之閘極連接至掃描線DSL101。將電容 , 器C111之第二電極連接至節點ND112。將取樣TFT 115之 • 源極與汲極分別連接至訊號線DTL101及節點ND112。將 — 1^丁115之閘極連接至掃描線冒81^101。 以此方式,組態根據本實施例之像素電路1〇1使得將該 電容器C111連接在充當驅動電晶體之TFT m的閘極與源 極之間以便藉由充當一開關電晶體之TFT 114將TFT 111之 源極電位連接至固定電位。 現在,將主要參考與像素電路之運作相關的圖2A至2F 及3A至3F來描述具有以上所述之組態的顯示器裝置1〇〇之 運作。應注意,圖3A說明了一施加至該像素陣列之第一列 的掃描線WSL101之掃描訊號ws[l];圖3B說明了另一施加 至該像素陣列之第二列的掃描線WSL102之掃描訊號 ws[2];圖3C說明了一施加至該像素陣列之第一列的掃描 B❿ 線DSL101的驅動訊號ds[l];圖3D說明了另一施加至該像 素陣列之第二列的掃描線DSL102的驅動訊號ds[2];圖3E 說明了 TFT 111之一閘極電位vg(節點ND112);且圖3F說明 了 TFT 111之源極電位Vs(節點ND111)。 首先’在EL發光元件117之普通發光狀態下,如圖3A至 3D中所見,將至該等掃描線WSL101、WSL102、…之掃描 訊號ws[l]、ws[2]、…藉由寫入掃描器1〇4選擇性地設定為 低位準且將至該等掃描線DSL101、DSL102、…之驅動訊 號ds[l]、ds[2]、…藉由驅動掃描器1〇5選擇性地設定為低 101374.doc -22- 1295459 位準。結果’在像素電路1〇1中,將TFT 115及7]?7 114保 持在如圖2 A中所見的斷開狀態下。
- 接著,在EL發光元件117之一無光發射週期内,如圖3A • 至3D中所見,將至該等掃描線WSL101、WSL102、…之掃 - 描訊號w^1]、ws[2]、…藉由寫入掃描器1〇4保持在低位準 且將至該等掃描線DSL101、DSL102、…之驅動訊號 ds[l]、ds[2]、…藉由該驅動掃描器1〇5選擇性地設定為高 ^ 位準。結果,在像素電路101中,如圖2B中所見,TFT 114 被接通而TFT 11 5則被保持在一斷開狀態下。隨即,電流 流過TFT 114,且如圖3F中所見tft m之源極電位Vs降至 接地電位GND。因此,施加至發光元件丨17之電壓亦降至〇 V,且將發光元件117置放在一無光發射的狀態下。 此後,如圖3A至3D中所見,在將至該等掃描線 DSL101、DSL102、···之驅動訊號ds⑴、ds[2]、…藉由驅 動掃描器105保持在高位準時,將至該等掃描線wsl 1 〇 1、 __ WSL102、…之掃描訊號ws[i]、ws[2]、…藉由寫入掃描器 104選擇性地設定為高位準。結果,在像素電路丨〇 J中,如 圖2C中所見,在將TFT 114保持在一接通狀態下時,將 TFT 115置放在一接通狀態下。因此,將藉由水平選擇器 1 03而傳播至訊號線DTL1 01的輸入訊號(vin)寫入作為保持 電谷裔的電谷裔C111中。此時’由於作為驅動電晶體之 TFT 111的源極電位Vs等於接地電位位準(GND位準),因 此在TFT 111之閘極與源極之間的電位差等於該輸入訊號 的訊號Vin。 101374.doc •23 · 1295459
此後,在發光元件117之無光發射週期内,如圖3A至3D 所見,在將至談等掃描線DSL101、DSL102、…之驅動訊 號ds[l]、ds[2]、···藉由驅動掃描器105保持在高位準時, 將至該等掃描線WSL101、WSL102、…之掃描訊號 ws[l]、ws[2]、…藉由寫入掃描器1〇4選擇性地設定為低位 準。結果,在像素電路101中,如圖2D所見,將TFT 115置 放於一斷開狀態下,且以此完成了將輸入訊號寫入作為一 保持電容器的電容器C111。 此後,如圖3A至3D中所見,將至該等掃描線WSU(H、 WSL102、…之掃描訊號ws[1]、ws[2]、…藉由寫入掃描器 104保持在低位準下,且將至該等掃描線DSL1(n、 DSL102、…之驅動訊號ds[l]、ds[2]、…藉由驅動掃描器 105選擇性地設定為低位準。結果,在像素電路1〇1中,如 圖2E中所見,將TFT 114置放在一斷開狀態下。在將該 TFT 114置放在一斷開狀態下之後,作為一驅動電晶體之 TFT 111的源極電位Vs上升,且電流亦流至發光元件丨丨7。 雖然TFT 111之源極電位Vs變化,但是如圖3E及3F中所 見閘極-源極電壓通常保持在電壓Vin。此時,由於作為一 驅動電晶體之TFT 111在一飽和區域中運作,因此流過TFT 111之電流值Ids視為TFT 111之閘極-源極電壓的電壓而 定。電流Ids亦同樣流至發光元件117,且因此該發光元件 117發射光。圖2F中展示了發光元件117之一等效電路,且 因此在節點ND111處之電位升至閘極電位(電流Ids使用其 來流過該EL發光元件117)。由於該電位以此方式上升,因 101374.doc -24- 1295459 此在2節點NDU2處之電位亦同樣藉由該電容lciu(保 持電谷态)而上升。因此,如上文所描述,將TFT j丨丨之閘 極-源極電壓保持在電壓Vin。 ,通常,一EL發光元件之〗_ν特徵隨自其之光發射的時間 的柘加而損壞。因此,即使該驅動電晶體供應一相等值之 電流,施加至該EL發光元件之電位仍變化且在節點ndiu 把之電位下降。然而,在本電路中,由於在節點丨“處 l 之電位下降而驅動電晶體之閘極-源極電壓保持固定,因 此流至該驅動電晶體(TFT m)之電流不改變。因此,流至 4 EL發光凡件之電流亦不改變,且即使該el發光元件之工· 特彳政損壞,對應於輸入電壓Vin之電流仍繼續流動。 如以上所述,在用於參考像素電路之本形式中,將作為 驅動電Βθ體之TFT i丨丨的源極連接至發光元件117的陽 極同時將忒tft 111之汲極連接至電源電位Vcc,且將電 谷器C111連接在TFT 111之閘極與源極之間以便將TFT ji _❸源極電位藉由作為—開關電晶體之τρτ丨丨4而連接至該 固定電位。因此,可預期下列優點。詳言之,即使該ELs 光元件之Ι-V特徵隨時間變化,仍可獲得沒有亮度退化之 源極隨搞器輸出。3夕卜,可實施⑽道電晶體之源極隨耦 器電路,且一 η-通道電晶體可用作該EL發光元件之驅動元 件同時使用現有之陽極及陰極。另外,可僅自N通道電晶 體來形成該像素電路之電晶體,且因此,可在TFT生產中 使用a-Si過程。結果,可預期以低成本生產TFT。 圖4展示了一像素電路之組態,其中為具有上文參考圖i 101374.doc -25 - 1295459 一臨限電壓消除功
以簡化該電路組熊。其* l ,甘士、,. 描述之啟動功能的像素電路額外提供一 s 能。圖4中所示之像素電路與於2003年6月 且讓渡給本專利巾請案之相同受讓人的日 線DSL101連接至被包括在該自舉電路中的工μ之
地,可如圖1中之實例類似地將一專用之掃描線dsli〇i連 接至TFT 114之閘極。 參考圖4,該臨限電壓消除電路基本上包括一驅動電晶 體111、一開關電晶體112、一額外開關電晶體113及一電 容器C111。除了該臨限電壓消除電路之組件之外,圖4中 # 所不之像素電路包括一耦合電容器C112及一開關電晶體 116。將額外提供之開關電晶體113的源極/汲極連接在TFT 111之閘極與汲極之間。另外,將開關電晶體116之汲極連 接至TFT 115之汲極,且將一偏移電壓v〇fs施加至開關電 晶體116之源極。將該耦合電容器ci 12插入於TFT 11 5側上 之節點ND114與驅動電晶體hi側上之節點ND112之間。將 一用以消除臨限電壓(Vth)之掃描線AZL101連接至開關電 晶體113及11 6之閘極。 圖5說明了圖4中所示之像素電路的運作。該像素電路在 101374.doc -26- 1295459 一個場(if)週期内順次執行臨限電壓Vth修正、訊號寫入及 啟動運作在1『之無光發射週期内執行臨限電麼vth修正 • 及訊號寫入,且在光發射週期之最高時執行啟動運作。另 ' 外,在該臨限電壓vth修正週期内,掃描線AZL1〇1逐步形 成至高位準同時掃描線DSL1〇1保持在高位準。因此,將 開關電晶體112及113同時接通,且因此,電流流動且在連 接至TFT 111之閘極的節點NDU2處之電位上升。此後, ^ 掃描線DSL1 01降至低位準,且因此,將發光元件117置放 於一非發光狀態下。因此,在節點ND112處所積累之電荷 藉由開關電晶體113而得以放電,且在節點NDU2處之電 位逐漸降低。接著,當節點ND112與節點ND111之間的電 位差變得與臨限電壓Vth相等時,穿過TFT 111之電流停 止。如可自圖5明顯看出,在節點ND112與節點ND111之間 的電位差對應於閘極-源極電壓Vgs,且自表達式(1 ),當達 到Vgs = Vth時,電流值Ids變得等於〇。結果,由電容器 籲_ C111保持節點ND112與ND111之間的臨限電壓Vth。 接耆’在1Η之週期内掃描線W S L1 01顯示高位準,且在 該週期内,取樣電晶體11 5導電且一訊號之寫入得以執 行。詳言之,藉由取樣電晶體115來取樣被施加至訊號線 DTL101的視頻訊號Vsig且藉由耦合電容器C112將該視頻 • 訊號Vsig寫入電容器C111中。結果,電容器C111之保持電 位Vin變得等於以前被寫入之臨限電壓Vth與該視頻訊號 Vsig的和。然而,該視頻訊號Vsig之輸入增益並非1〇〇 % 而是顯示出一些損失。 101374.doc -27- 1295459 此後,掃描線DSL1(M逐步形成至高位準且開始發射 光,且執行該啟動運作。因此,施加至驅動電晶體⑴之 閘極的訊號電位Vin根據肛發光元件…之⑼特徵上升了 △V。以此方式’圖4之像素電路將臨限電屡他及電屢w 添加至被施加至驅動電晶體⑴之閘極的淨訊號分量。即 使該臨限電屋Vth及電屢Λν變化,由於可消除該變化之影 響,因此仍可穩定地驅動發光元件η 7。 ;圖6展示了-像素電路,本發明被應用於該像素電路且 4像素電路包合自上文參考圖4所描述之像素電路的元件 所減少的大量元件。參考圖6,將本像素電路⑻設置在掃 描線與訊號線彼此相交叉的每一點處且可將其應用於主動 矩陣型之顯示器裝置。雖然訊號線之數目僅為一個(為訊 號線DTL101),但是掃描線之數目為四個,包括彼此平行 設置之掃描線WSL1〇1、DSL1〇1、AZL1〇la及八紅1〇^。 該像素電路101包含五個N通道薄膜電晶體,該等薄膜電晶 體包括一電光元件117、一電容器C111、一取樣電晶體 115、一驅動電晶體m、一開關電晶體112、第一偵測電 晶體114及第二㈣電晶體113。以此方<,該像素電路 1〇1包含一保持電容器及五個電晶體,且當與圖4所示之像 素電路比較時,電容元件之數目少一個且電晶體之數目亦 少一個。因為組成元件之數目較少,所以可提高良率且可 同樣降低成本。 將保持電容器C111在其一端子處連接至驅動電晶體m 之源極且同樣地在其另一端子處連接至驅動電晶體111之 101374.doc -28 - 1295459 閘極。在圖6中,由節點1^〇112表示驅動電晶體211之閘 極,且同樣地由節表示驅動電晶體ηι之源極。相 應地’將保持電容器c 111連接在節點ND111與節點ND112 β 之間。電光元件11 7係自(例如)二極體結構之有機EL·元件 形成且其具有一陽極及一陰極。將有機EL元件11 7在其陽 極處連接至驅動電晶體丨丨丨之源極(節點Ndi 11)且在其陰極 處連接至一預定陰極電位Vcath。應注意,有機EL元件117 ^ 在其陽極與陰極之間包括一電容分量,且由Cp表示該電容 分量。 將第一偵測電晶體114在其源極處連接至第一接地電位 Vssl且在其汲極處連接至驅動電晶體m之源極(節點 ND111)。另外將第一偵測電晶體114在其閘極處連接至掃 描線AZLIOla。將第二偵測電晶體U3在其源極處連接至 第二接地電位Vss2且在其汲極處連接至驅動電晶體1丨丨之 _ 閘極(節點ND112)。另外,將第二偵測電晶體113在其閘極 _ 處連接至掃描線AZLIOlb。 將取樣電晶體115在其源極處連接至訊號線DTL101、在 其汲極處連接至驅動電晶體U1之閘極(節點ND112)且在其 閘極處連接至掃描線WSL1(n。將開關電晶體112在其汲極 處連接至電源電位Vcc、在其源極處連接至驅動電晶體丨u 之汲極,且在其閘極處連接至掃描線DSL101。將掃描線 AZLIOla、AZLIOlb及DSL101平行於掃描線WSL1 01設置 且由周邊掃描器以合適之時序按線順序地掃描。 §由~描線W S L101選擇時,取樣電晶體11 5運作以取樣 101374.doc -29-
1295459 一來自訊號線DTL101之輸入訊號Vsig且藉由節點^^⑴^將 該經取樣之輸入訊號Vsig置放在保持電容器Clu内。驅動 電晶體ill使用回應於在保持電容器CU1中所保持之訊號 電位Vin的電流來驅動電光元件117。當由掃描線dsli〇i選 擇時,開關電晶體112變成導電以將來自電源電位Vcc之電 流供應給驅動電晶體111。當由掃描線AZL i 〇丨&及AZL i i b 刀別遥擇時,第一積測電晶體114與第二谓測電晶體m運 作以在該電流驅動該電光元件丨i 7之前债測驅動電晶體1 j j 之臨限電壓Vth且將該經偵測之電位置放在該保持電容器 C111内以便消除臨限電壓vth之影響。 作為保證像素電路101正常運作的一個條件,將第一接 地電位Vssl设定為低於一由自第二接地電位Vss2減去該驅 動電晶體之臨限電壓Vth所計算出的位準。換言之,設定 弟一接地電位Vss 1以滿足Vss 1 <Vss2—Vth。另外,將一由 向陰極電位Vcath添加有機EL元件117之臨限電壓vthEL所 汁异出之位準設定為高於另一由自第一接地電位Vss丨減去 驅動電晶體111之臨限電壓Vth所計算出的位準。若此由一 表達式表示,則為Vcath+VthEL>Vssl - Vth。較佳地,將第 一接地電位Vss2之位準設定為一在自訊號線dtl 101所供 應之輸入訊號V s i g之最低位準附近的值。 參考圖7之計時圖詳細描述圖6中所示之像素電路的運 作。如此表示圖7之計時圖以使得一個場(1 J7)在時序丁 1啟 動且在另一時序T6結束。在進入該場之前的時序T0時,掃 描線WSL101、AZLIOla及AZLIOlb具有低位準而掃描線 101374.doc -30- 1295459 DSL101具有高位準。因此,開關電晶體112在一接通狀態 下而取樣電晶體115及成對之偵測電晶體113與114在一斷 ; 開狀態下。此時,驅動電晶體111供應回應於出現在節點 • ND112處之訊號電位的驅動電流以激勵電光元件117發射 - 光。此時,將驅動電晶體111之源極電位(在節處 之電位)保持在一預定工作點處。圖7之計時圖說明瞭在節 點ND112處之電位及在節點之電位,其分別表示 驅動電晶體111之閘極電位及源極電位的變化。 在時序T1時,掃描線AZL101a&AZL101b二者均自低位 準逐步形成至高電位。結果,第一偵測電晶體U4與第二 偵測電晶體113二者均自斷開狀態轉變為接通狀態。結 果,在節點ND112處之電位快速降至第二接地電位Vss2, 且在節點ND111處之電位亦快速降至第一接地電位Vssl。 此時,由於設定第一接地電位Vssl及第二接地電位Vss2以 , 便滿足如上文所述之Vssl<Vss2-Vth,因此驅動電晶體1^ • 保持接通狀態且汲極電流Ids流動。此時,由於滿足關係
Vcath+Vth(EL)>Vssl-Vth,因此有機 El 元件 117處於一反 向偏壓狀態且無電流流過其。因此,將有機EL元件117置 放在一無光發射之狀態下。驅動電晶體丨丨丨之汲極電流Ids 穿過處於接通狀態之第一偵測電晶體丨14流至第一接地電 位 V s s 1 〇 接著在時序T2時,掃描線AZL101 a自高位準轉變為低位 準’且因此’第一谓測電晶體114自一接通狀態轉變為一 斷開狀態。結果,中斷了汲極電流Ids流過驅動電晶體丨i! 101374.doc -31 - 1295459 的電流路徑,且在節點^^^丨丨處之電位逐漸上升。當在節 點ND111處之電位與在節點ND112處之電位之間的電位差 變得與臨限電壓Vth相等時,驅動電晶體丨丨丨自一接通狀態 轉變為一斷開狀態且汲極電流Ids停止。由保持電容器 cm來保持在節點1^1)111與節點1^]〇112之間出現的電位差 vth。以此方式,當在合適之時序時分別由掃描線 AZLIOla及AZLlOlb選擇時,第一及第二偵測電晶體114及
113運作,且其偵測驅動電晶體丨丨丨之臨限電壓V化並將臨 限電壓vth置放在保持電容器C111内。 此後,在時序T3時,掃描線AZLl〇ib自高位準轉變為低 位準,且掃描線DSL1〇1亦在大體上相同的時序時自高位 準轉變為低位準。結果,第二偵測電晶體113與開關電晶 體112自接通狀態轉變為斷開狀態。在圖7之計時圖上,由 vth修正週期指示自時序T2至時序T3的時間週期,且將驅 動電晶體111之經偵測之臨限電壓Vth作為一修正電位保持 在保持電容器C111中。 此後,在時序T4時,掃描線WSL1〇1自低位準逐步形成 至高位準。因此,取樣電晶體115變成導電,且將輪入電 位Vin寫入保持電容器cin。以如此之形式保持該輸入電 位Vin以便將其添加至該驅動電晶體之臨限電壓Vth。妗 果’始終消除了驅動電晶體U1之臨限電壓Vth的變 J3- 因此,此表示執行Vth修正。應注意,由下列表達式來表 示被寫入保持電容器C 111中之輸入電位Vin :
Vin=Cp/(Cs+Cp)x(Vsig.Vss2) 101374.doc -32- 1295459 其中Cs係保持電容器C111之電容值,且Cp表示如上文 所描述之有機EL元件117的電容分量。通常,有機EL元件 之電容分量Cp比保持電容器C111之電容值Cs高得多。 因此’輸入電位Vin大體上等於Vsig-Vss2。在此情況下, 若將第二接地電位Vss2設定為一在輸入訊號Vsig之黑色位 準附近的值,則該輸入訊號Vin變得大體上等於輸入訊號 Vsig 〇
此後,掃描線WSL101自高位準變回低位準藉此結束對 輸入訊號Vsig的取樣。接著在時序T5時,掃描線DSL101 自低位準逐步形成至高位準且將開關電晶體丨丨2置放在一 接通狀態下。因此,將驅動電流自電源電位VCC供應給驅 動電晶體111以啟動有機EL元件11 7之發光運作。由於電流 流過有機EL元件117,因此出現一電壓降落且在節點 ND111處之電位上升。回應於該電位上升,在節點nD〗j 2 之電位亦上升,且因此,不管在節點ND111處之電位上升 而始終將驅動電晶體1U之閘極電位Vgs保持在Vin + vth。 結果’有機EL元件11 7繼續發射具有一對應於輸入電壓vin 之亮度的光。當掃描線AZLIOla及AZLIOlb在該一個場之 最後的時序T6時逐步形成時’進入下一個場之臨限電壓 Vth修正週期且自電光元件117之光發射亦停止。 圖8展示了根據本發明之另一實施例的像素電路。參考 圖8 ’將本像素電路ι〇1設置在掃描線與訊號線彼此相交叉 的每一點處且可將其應用於主動矩陣型之顯示器裝置。雖 然訊號線之數目僅為一(為訊號線DTL101),但是掃描線之 101374.doc -33- 1295459 為四個’包括彼此平行設置的掃描線™卜 L101、AZLl014AZL101b。像素電路1〇1基本上包含 五個N通道薄膜電晶體,該等薄膜電晶體包括一電光元件
117、-保持電容器cm、一取樣電晶體115、一驅動電晶 體lu、-開關電晶體112、第一價測電晶體114及第二债 測電晶體⑴。當與圖!中所示之像素電路比較時,電容元 件之數目少-個且電晶體之數目亦少-個。因為所實施之 像素電路包含一電容元件及五個電晶體,所以當與習知像 素電路比較時,可提高良率且降低成本。 將驅動電晶urn在其閘極處連接至輸入節點Nmi2、 在$源極處連接至輸出節點ndiii,且在其汲極處連接至 預定電源電位Vcc。電光元件117係自二極體型之有機肌元 件形成且其具有一陽極及一陰極。將電光元件117在其陽 極處連接至輸出節點]^〇111且在其陰極處連接至一預定陰 極電位Vcath。有機EL元件117包括一與一電阻分量平行的 電谷刀里,且由Cp表示該電容分量。將保持電容器C1丨丨連 接在輸出節點ND111與輸入節點ND112之間。輸出節點 ND111與輸入節點ND112之間的電位差僅等於驅動電晶體 111之閘極電位Vgs。將取樣電晶體115在其源極處連接至 訊號線DTL101、在其汲極處連接至輸入節點ND112,且在 其閘極處連接至掃描線WSL1 01。 將第一偵測電晶體114在其源極處連接至第一接地電位 Vssl、在其汲極處連接至輸出節點ND111、且在其閘極處 連接至掃描線AZLIOla。將第二開關電晶體】13在其源極 J0I374.doc -34 - 1295459 處連接至第三接地電位Vss2、在其汲極處連接至輸入節點 ND112、且在其閘極處連接至掃描線AZL1〇ib。將開關電 • 晶體112在其源極/汲極處連接在輸入節點ND112與驅動電 - 晶體111之閘極之間。將開關電晶體112在其閘極處連接至 掃描線DSL101。同時,在圖4所示之供參考的實例中,將 開關電晶體連接在電源電位Vcc與驅動電晶體之間,在本 實施例中,將開關電晶體112連接在輸入節點與該驅動電 ^曰曰曰體之閘極之間。根據本實施例,由於可將驅動電晶體 111直接連接至電源電位Vcc,因此可避免剩餘的功率消 耗。另外,由於將開關電晶體112連接至驅動電晶體U1之 閘極,因此其不需要一供應電容之較高電流且由此可使其 小型化。 當由掃描線WSL101選擇時,取樣電晶體115運作以取樣 來自訊號線DTL101之輸入訊號Vsig且將該經取樣之輸入 訊號Vsig置放在該保持電容器CU1内。當由掃描線 _ DSL101選擇時,開關電晶體112變成導電以將保持電容器 C 111連接至驅動電晶體丨丨丨之閘極。驅動電晶體丨丨丨使用回 應於被保持在保持電容器c i丨丨中之訊號電位Vin的電流來 驅動電光元件117。當分別由不同掃描線AZLl〇ia及 AZLIOlb選擇時,第一偵測電晶體114與第二開關電晶體 113運作以在電流驅動電光元件117之前偵測驅動電晶體 111之臨限電壓Vth且將該經偵測之電位置放在保持電容器 c 111内以便提前消除臨限電壓Vth之影響。因此,即使臨 限電壓Vth變化,目為始終消除了該變化,所以驅動電晶 101374.doc •35- 1295459 體111可將固定的汲極電流Ids供應給有機EL元件117而不 受臨限電壓Vth之變化的影響。
為了致使像素電路101正常運作,必須正確設定電位關 係。為此目的,將第一接地電位Vss 1設定為低於一由自第 二接地電位Vss2減去該驅動電晶體之臨限電壓Vth所計算 出的位準。此可由一表達式Vssl<Vss2-Vth表示。另外, 將一藉由向陰極電位Vcath添加有機EL元件117之臨限電壓 VthEL所计异出的位準設定為高於另一由自第一接地電位 Vs s 1減去该驅動電晶體之臨限電壓vth所計算出的位準。 若此可由一表達式,則為Vcath+VthEL>Vssl-Vth,表示。 該表達式表示將有機EL元件117置放在一反向偏壓狀態 下。較佳地,將第二接地電位Vss2之位準設定為一在自訊 號線DTL101所供應之輸入訊號Vsig之最低位準附近的 值。若Cs表示保持電容器C111之電容值,則下列表達式表 示由該保持電容器C111所保持之訊號電位vin :
Vin=(Vsig-Vss2)x(Cp/(Cs+Cp)) 有機EL元件117之電容分量Cp比該保持電容器的值〇高 得多,且訊號電位Vin大體上等於Vsig_Vss2。此處,由於 將第二接地電位Vss2設定為一在輸入訊號Vsig之最低位準 附近的值,因此由保持電容器C111所保持之訊號電位vin 大體上等於輸入訊號Vsig之淨值。 參考圖9詳細描述圖8中所示之像素電路的運作。圖9之 計時圖指示在一個場(1F)之週期内四個掃描線wsu〇i、 DSLHU、AZL101a及AZU〇lb之位準變化。該計時圖進一 101374.doc -36- 1295459 步指示在一個場之週期内驅動電晶體u丨之輸入節點 ND112及輸出節點ND111處的電位變化。一個場(1F)於時 * 序τ 1時開始且於另一時序T6時結束。 • 在進入該場之前的時序TO時,掃描線DSL101具有高位 準而剩餘掃描線WSL101、AZLIOla及AZLIOlb具有低位 準。因此,開關電晶體112處在接通狀態下而剩餘之取樣 電晶體115、第一偵測電晶體114及第二偵測電晶體113處 ^ 在斷開狀態下。在此情況下,藉由處於導電狀態之開關電 曰曰體112將由保持電容器c 111保持之訊號電位Vin施加至驅 動電晶體111之閘極。因此,驅動電晶體U1將根據訊號電 位Vin之汲極電流Ids供應給有機el元件117。結果,該有 機EL元件117發射具有一對應於該視頻訊號Vsigi亮度的 光。 接著在時序T1時,掃描線AZLIOla及AZLIOlb二者同時 I 自低位準轉變為高位準。結果,第一偵測電晶體U4與第 φ 二偵測電晶體11 3二者同時接通。當將第二偵測電晶體11 3 接通時,在輸入節點ND112處之電位快速降至第二接地電 位Vss2。另外,當將第一偵測電晶體U4接通時,在輸出 節點ND111處之電位快速下降至接地電位vssi。結果,當 由Vss2 - Vssl給出驅動電晶體之閘極電位vgs時,由於 此值高於驅動電晶體111之臨限電壓Vth,因此驅動電晶體 _ 111保持接通狀態且汲極電流Ids流動。另一方面,由於在 輸出節點ND111處之電位降至第一接地電位vssi,因此將 有機EL元件117置放在一反向偏壓狀態下且無電流流過 101374.doc -37- 1295459 其。因此,將有機EL元件117置放在一無光發射的狀態 下。驅動電晶體111之汲極電流I(js穿過處於接通狀態之第 • 一偵測電晶體114而流至第一接地電位Vssl。 . 接著在時序T2時,掃描線AZLIOla自高位準轉變為低位 準,且因此,將第一偵測電晶體114置放在一斷開狀態 下。結果’中斷了驅動電晶體丨丨丨之電流路徑,且在輸出 節點ND111處之電位逐漸上升。當輸出節點nd 111與輸入 節點ND112之間的電位差變得等於驅動電晶體111之臨限 電壓Vth時’電流變得等於零且藉由連接在節點丨丨2與 ND111之間的保持電容器C1丨丨保持臨限電壓Vth。藉由該 對摘測電晶體113及114來偵測驅動電晶體1丨丨之臨限電壓 vth且以此方式由保持電容器c丨丨丨來保持該臨限電壓Vth。 由一 Vth修正週期表示自時序T2至時序T3的時間週期(其中 執行上述運作)。應注意,時序Τ3表示在電流減少至零之 ^ 後掃描線DSL101及掃描線AZLIOlb自高位準轉變為低位準 _ 的時序。結果’將開關電晶體112 —次置放在一斷開狀態 下且亦將第二偵測電晶體113置放在一斷開狀態下。因 此,使輸入節點ND112自驅動電晶體11丨之閘極斷開且亦 自第二接地電位Vss2斷開且因此此後可執行取樣運作。 在時序T4時,掃描線WSL101逐步形成至高位準且將取 樣電晶體115接通。因此,對自訊號線1)1^1〇1供應之輸入 訊號Vsig進行取樣,且將大體上等於輸入訊號Vsig之淨值 的輸入電位Vin寫入保持電容器C111。以如此之形式保持 輸入電位Vin以便將其添加至以前所保持之臨限電壓vth。 101374.doc -38·
1295459 在對視頻訊號Vsig之取樣以此方式結束之後的時序T5 時’知描線DSL1 01再次逐步形成至高位準且將開關電晶 體112置放於接通狀態下以便啟動自有機el元件117之光的 發射。詳言之,藉由開關電晶體丨12將保持在保持電容器 C 111中之輸入電位vin施加至驅動電晶體丨丨丨之閘極。驅動 電晶體111將根據輸入電位Vin之汲極電流Ids供應給有機 EL元件117以啟動自有機EL元件117之光的發射。在電流 開始流過該有機EL元件117之後,發生一電壓下降,且在 輸出節點ND111處之電位開始上升。同時,由於在輸入節 點ND112處之位準亦開始上升,因此被保持在保持電容器 cm中之電位Vin+Vth保持固定。藉由如以上描述之啟動 運作,即使在輸出節點ND111處之位準根據有機EL元件 U7之工作點的變化而變化,驅動電晶體iu仍可供應通常 固定的汲極電流Ids。在時序丁6日车,声以μ Λ 了汴野,知描線AZLlOla及 AZL· 1 0 1 b最終逐步形成,且啟動下一 ^ ^ ^ 和r 個%之臨限電壓Vth 偵測運作。 雖然已使用特定術語描述了本發明之較佳實施例,但是 此描述僅為說明之目的,且應瞭解在^背離以下中請申請 專利範圍之精神及範<#的前提下可作出 3 【圖式簡單說明】 八 圖 圖 圖; 1係一展示一像素電路之實例的方塊圖 2A至2F係說明圖!中所示之像素電路 之運作的電路 圖 3A至3F係說明圖1中所示 之像素電路之運作的計時 101374.doc -39- 1295459 圖; 圖4係一展示一像素電路一 員例的電路圖; 圖5係一說明圖4中所示之像素電 于电峪之運作的計時圖; 圖6係一展示應用本發明之像辛雷 圖; I电路之一組態的電路 圖7係一 圖8係一 圖;
說明圖6中所示之像夸雷攸 诼京電路之運作的計時圖; 展示應用本發明之另一傻去 力像素電路之組態的電路 運作的計時圖; 襞置之組態的方塊 圖9係一說明圖8中所示之像素電路之 圖1〇係一展示一習知有機EL顯示器 圖; 圖11係一展示一習知像素電路之實例的電路圖; 圖12係一說明一 EL元件之-特徵的老化退化的圖; 圖13係-展示-習知像素電路之另一實例的電路圖;
圖14係-說明圖13中所示之像素電路之運作的計時圖; 圖15A及15B係說明一驅動電晶體及_el元件之一工作 點的圖。 【主要元件符號說明】 100 101 102 103 104 105 顯示器裝置 像素電路(PXLC) 像素陣列區 水平選擇器(HSEL) 寫入掃描器(WSCN) 驅動掃描器(DSCN) 101374.doc 1295459
111 N通道驅動電晶體 112 N通道開關電晶體 113 額外開關電晶體 114 第一偵測電晶體 115 取樣電晶體 116 開關電晶體 117 發光元件 AZL101 掃描線 AZLIOla 掃描線 AZLIOlb 掃描線 cm 保持電容器 C112 耦合電容器 Cp 電容分量 DTL101,……DTLIOn 訊號線 ds[l]? ds[2] 驅動訊號 DSL101,......DSLIOm 知描線 GND 接地電位 Ids 汲極電流 ND111 輸出節點 ND112 輸入節點 ND114 節點 Vcath 預定陰極電位 Vcc 電源電位 Yds 汲極-閘極電壓 101374.doc -41 - 1295459
Vgs 閘極-源極電壓 Vin 輸入電壓 Vofs 偏移電壓 Vsig 視頻訊號 Vssl 第一接地電位 Vss2 二接地電位 Vth 臨限電壓 ws[l],ws[2] 掃描訊號 WSL101,……WSLIOm 掃描線 IF 個場
101374.doc -42-
Claims (1)
1295459 十、申請專利範圍: 種"又置在一掃描線與一訊號線彼此相交叉之一點處之 像素電路,其包含: 一電光元件; 一保持電容器;及 五個N通道薄膜電晶體,其包括一取樣電晶體、一驅 動電曰0體 開關電晶體、一第一偵測電晶體及一第二
偵測電晶體;其中, 將該保持電容器連接在該驅動電晶叙該源極與該閘 極之間; 、 將該電光元件連接在該驅動電晶體之該源極與一預定 陰極電位之間; 將該第-偵測電晶體連接在該驅動電晶體之該源極與 第' *""*接地電位之間; 將該第二偵測電晶體連接在該驅動電晶體之該閘極與 一第二接地電位之間; ^ 將該取樣電晶體連接在該驅動電晶體之該閘極與該 號線之間; /、μ。 將該開關電晶體連接在該驅動電晶體之該沒極與 定電源電位之間; ^ 當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 自該訊號線之輸入訊號且供應該經取樣之輸入訊號以f 將其保持在該保持電容器中; ~ 更 該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器所保持之該 101374.doc 1295459 訊號電位的電流來驅動該電光元件; 當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將來 自該電源電位之電流供應給該驅動電晶體;及 當由該掃描線選擇時,該第一偵測電晶體及該第二摘 測電晶體運作以偵測在使用該電流對該電光元件進行該 驅動之前偵測該驅動電晶體之一臨限電壓且為了提前消
除該臨限電壓之一影響而供應該經偵測之電位以便將其 保持在該保持電容器内。 2. 如請求項1之像素電路,其中將該第一接地電位設定為 低於一藉由自該第二接地電位減去該驅動電晶體之該臨 限電壓所計算出之位準,且將一藉由向該陰極電位添加 該電光元件之該臨限電壓所計算出之位準設定為高於一 藉由自該第一接地電位減去該驅動電晶體之該臨限電壓 所計算出之位準。 3·如請求項2之像素電路,其中將該第二接地電位之該位 準設定為-在自該訊號線所供應之該輸人訊號之最低位 準附近的值。 4· 一種主動矩陣裝置,其包含: 沿著列延伸之複數個掃描線; 沿著行延伸之複數個訊號線;及 設置在-矩陣中之該等掃描線與該等訊號線彼此相交 叉之點處的複數個像素;其中, 该專像素各自包括一負截开杜 、、貝戰兀件、一保持電容器及五個 N通道薄膜電晶體,該等薄曰 守肤电日日體包括一取樣電晶 101374.doc
1295459 體、一驅動電晶體、—開關電晶體、一第一偵測電晶體 及一第二偵測電晶體; 將4保持電容器連接於該驅動電晶體之該源極與該閉 極之間,· 將該負載元件連接於該驅動電晶體之該源極與一預定 陰極電位之間; 將該第一偵測電晶體連接於該驅動電晶體之該源極與 一第一接地電位之間; 將該第二福測電晶體連接於該驅動電晶體之該閘極與 一第二接地電位之間; 將該取樣電晶體連接於該驅動電晶體之該閘極與該訊 號線之間; 將該開關電晶體連接於該驅動電晶體之該汲極與一預 定電源電位之間; 當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 自該訊號線之輸入訊號且供應該經取樣之輸入訊號以2 將其保持在該保持電容器内; 該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器保持之該訊 號電位的電流來驅動該負載元件; ^ ° 當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將以 自該電源電位之電流供應給該職動電晶體·及 來 當由該掃描、線選擇時,t亥第_侦測電晶體及㈣二 測電晶體運作以在使用該電流對該負载元件進^。夂 之前偵測該驅動電晶體之一臨限電壓且丁 μ驅動 句1钕前消除該 101374.doc
1295459 臨限電壓之一影響而供應該經偵測之電位以便將其保持 在該保持電容器内。 一種顯示器裝置,其包含: 沿著列延伸之複數個掃描線; 沿著行延伸之複數個訊號線;及 設置在一矩陣中之該等掃描線與該等訊號線彼此交又 之點處的複數個像素;其中, 5亥4像素各自包括一有機電致發光元件、一保持電容 器及五個N通道薄膜電晶體,該等薄膜電晶體包括一取 樣電晶體、一驅動電晶體、一開關電晶體、一第一偵測 電晶體及一第二偵測電晶體; 將該保持電容器連接在該驅動電晶體之該源極與該閘 極之間; 將忒有機電致發光元件連接於該驅動電晶體之該源極 與一預定陰極電位之間; 將該第一偵測電晶體連接於該驅動電晶體之該源極與 一第一接地電位之間; 將該第二偵測電晶體連接於該驅動電晶體之該閘極與 一第二接地電位之間; 將該取樣電晶體連接於該驅動電晶體之該閘極與該訊 號線之間; 將该開關電晶體連接於該驅動電晶體之該汲極與一預 定電源電位之間; 當由该掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 101374.doc 1295459 自该§fl $虎線之輪入訊號且供應該經 脾苴佴姓.兮y 樣之輸入訊號以便 將其保持在该保持電容器内; 該驅動電晶體使用回應於由該 τ付逼谷器所保持之該 訊號電位的電流來驅動該有機電致發光元件· 當由該掃描線選擇時,該開關電憎 ή ^ ^ %日日體變成導電以將來 自该電源電位之電流供應給該驅動電晶體·及
:由該掃描線選擇時’該第一谓測;晶二 測電晶體運作以在使用該電流對該有機電致發光元件進 行該驅動之前侦測該驅動電晶體之—臨限電堡且 前消除該臨限㈣之—影響而供應該經偵測之電位以便 將其保持在該保持電容器中。 6· —種設置在一掃描線與一訊號線 像素電路,其包含·· 錢相父又之一點處之 一電光元件; 一保持電容器;及 五個N通道薄膜電晶體,其包括—取樣電晶體、一驅 動電晶體、一開關電晶體、一第一谓測電 偵測電晶體,·其中, 弟一 將該驅動電晶體在其之該閘極處連接至一輸入節點、 接至一預定電源電壓; 將該電光元件連接於該 在其之該源極處連接至一輸出節點且在其之該沒極處連 不百令帝、、広兩1ST,. 與一預定陰極電位之 將該保持電容器連接於該輸出節點與該輸入節點: 10l374.doc 1295459 將該取樣電晶體連接至該輸入節點及該訊號線; 將該第一積測電晶體連接於該輸出節點與一第一接地 電位之間; 將該第二债測電晶體連接於該輸入節點與一第二接地 電位之間;
將該開關電晶體插入於該輸入節點與該驅動電晶體之 該閘極之間; 當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 自該訊號線之輸人訊號且供應該經取樣之輸人訊號以便 將其保持在該保持電容器内; 當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將該 保持電容器連接至該驅動電晶體之該閘極; ;該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器所保持之該 訊號電位的電流來驅動該電光元件;及 當由該掃描線選擇時,該第一偵測電晶體及該第二偵 測電晶體運作以在使用該電流對該電光元件進行該驅動 =物動電晶體之一臨限電壓且為了提前消除該 之-影響而供應該則貞測之電位以便將其保持 在该保持電容器内。 :二”1之像素電路’其十將該第-接地電位設定為 第二接地電位減去該驅動電晶體之該臨 ,電光-件异出之位準’且將一藉由向該陰極電位添加 件之該臨限電朗計算出之位準設定為高於一 101374.doc 1295459 藉〃 Λ第接地電位減去該驅動電晶體之該臨限電壓 所計算出之位準。 8•如:^項7之像素電路,其中將該第二接地電位之該位 準疋為纟自该訊號線供應之該輸入訊號之最低位準 附近的值。 9. /種主動矩陣裝置,其包含: 沿著列延伸之複數個掃描線;
/;σ著行延伸之複數個訊號線;及 X置在㊣陣中之該等掃描線與該等訊號線彼此相交 又之點處的複數個像素;其中, 體、-驅動電晶體、一開關電晶體 及一第二偵測電晶體; 省等像素各自包括一負載元件、一保持電容器及五個 Ν通道薄膜電晶體,該等薄膜電晶體包括—取樣電晶 第一偵測電晶體 將該驅動電晶體在其之哕 ”亥閘極處連接至一輸入節點、 在其之該源極處連接至一;Φ^ 接至一預定電源電壓; 处思按主輸出即點且在其之該汲極處連 間; 將該負載元件連接於該輪出節點與一預定陰極電位 之 點之 將该保持電容器連接於哕鈐 、Μ輸出郎點與該輸入節 間; 將該取樣電晶體連接至嗲鈐 °亥輪入節點及該訊號線; 出卽點與一第一接地 將該第一偵測電晶體連接於該輪 電位之間; 101374.doc 1295459 將該第二偵測電晶體連接於該輸入節點與一第二接地 電位之間; 將該開關電晶體插入於該輸入節點與該驅動電晶體之 該閘極之間; 當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 自該訊號線之輸人訊號且供應該經取樣之輸人訊號以便 將其保持在該保持電容器内;
當由該掃描線選擇時,該開p蕾曰 ^邊開關電晶體變成導電以將該 保持電容器連接至該驅動電晶體之該閑極; 該驅動電晶體使用回應於由該佯拉 发保符電容器所保持之該 訊號電位的電流來驅動該負載元件;及 當由該掃描線選擇時,該篦—扁、Βί _ 、日^ _電晶體及該第二偵 :晶體運作以在使用該電流對該負載元件進行該驅動 =職驅動電晶體之-臨限電壓且為了提前消除該 在該保持電容器内。 、狀電位則更將其保持 ι〇· —種顯示器裝置,其包含·· 沿著列延伸之複數個掃描線; 沿著行延伸之複數個訊號線;及 設置在一矩陣中之該等掃描線與該 叉之點處的複數個像素;其中, f *相交 該等像素各自包括-有機電致發光元件、一保 窃及五個N通道薄膜電晶體, ;、谷 樣電晶體、一驅動電晶體 嫌…、….一亥4薄膜電晶體包括-取 開關電晶!ί、一帛一偵測 101374.doc 1295459 電晶體及一第二偵測電 曰曰 體 極處連接至一輸入節點、 _點且在其之該汲極處連 將該驅動電晶體在其之該閘 在其之該源極處連接至一輸出 接至一預定電源電壓; 將該有機電致發光元件連接於該輪出節點與—預定陰 極電位之間;
將該保持電容器連接於該輪出 間; 節點與該輸入節點之 將該取樣電晶體連接至該輸入節點與該訊號線; 將該第-偵測電晶體連接於該輪出節點與一第一接地 電位之間; 將該第二偵測電晶體連接於該輸入節點與一第二接地 電位之間; 將該開關電晶體插入於該輸入節點與該驅動電晶體之 該閘極之間;
當由該掃描線選擇時,該取樣電晶體運作以取樣一來 自该訊號線之輸入訊號且供應該經取樣之輸入訊號以便 將其保持在該保持電容器内; 當由該掃描線選擇時,該開關電晶體變成導電以將該 保持電容器連接至該驅動電晶體之該閘極; 該驅動電晶體使用回應於由該保持電容器所保持之該 訊號電位的電流來驅動該有機電致發光元件;及 當由該掃描線選擇時,該第一偵測電晶體及該第二谓 測電晶體運作以在使用該電流對該有機電致發光元件進 101374.doc 1295459 行該驅動之前偵測該驅動電晶體之一臨限電壓且為了提 前消除該臨限電壓之一影響而供應該經偵測之電位以便 將其保持在該保持電容器内。
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