TWI292495B - Light transmission structure and embedded substrate structure thereof - Google Patents

Description

1292495 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種光傳輸結構及其埋 構，該光傳輸結構係由漭I筮土席、音 败<、、、。 i於，笛幻• 先傳導材料編織成-體， :於==傳導材料表面包覆有第二光傳導材料所構 線路增層結構，以構成具有光傳輸結構之 【先前技術】 〜二著電子產業的蓬勃發展，電子產品亦逐漸邁入多功 月'、南性能的研發方向。為滿足半導體封裝件高積集度 tegration )以及微型化（驗㈣士此⑽）的封裝 提供多數主、被動元件及線路載接之電路板（Circui/ 以叫亦逐漸由單層板演變成多層板（Multi七yer Board) 〇 再者，半導體技術之發展日新月卩，除以往講求外形 ft輕薄短小之封裝外，並且對於資料的儲存容量也逐 ::楗幵：除此之夕卜，由於資料的處理量愈來愈a，以相同 貧料在單位時間内能最快的速度處理完成，則能展現更高 勺處理放率。而提高半導體處理速度最直接的方法即提高 使^頻率，但在資料傳輸達到Gb/s以上時，則面臨高功率 之j熱、訊號時間延遲、電磁干擾（EMI)等瓶頸，對於更高 月匕之半V體的製作則愈加困難。尤其傳統以來一直以銅 線=作為貢料訊號傳送之媒介的方式，則受材料本身先天 之&電彳寸性的限制，其所能達到的導電性能有限，因此訊 19513 5 1292495 .號傳送的速度難以藉由提高導電性的方式提昇。 • 再者’以金屬線材傳送訊號的結構，在傳於迠"一 易受外界雜訊的干擾或内部線路 2傳輪，中谷 傳送過程令因干擾及干、井 、 、"使知讯號在 此訊號傳送的結構必須m〜广“㈣^兄’因 +井㈣^ 相當的防護措施，以防干擾或 干V對傳輪讯號產生影響， 而此種防尤/、在同頻傳迗中更為明顯。 Μ 電路設計則造成相當程度的困難产及 額外的結構設計，故難以突破現有的狀況。度及 又傳統訊號傳送的方式細電流 訊號傳送，而在夂帝攸由如 ’販W #比式 位式處理0 號處理的方式現在多為數 的情況。纟—過程中經過轉換則容易造成失真 ^訊號傳輸結構的缺失，新技術係採用光 心雷傳輸方式’最明顯的效果係光訊號幾乎不 擾，因此訊號傳送品質較佳，以降低訊號傳 槿Γ 情況’並且可減少設計防電磁波干擾的結 構。故以光作為訊號傳送的方式已成為未來發展的方向。 如弟1圖所示之美國專利公告第6,839,476號即為一 種以光作為訊號傳送之電路板，係於-底層U上形成有一 芯層12,於該芯層12上形成有複數個溝槽I2a，而在該溝 才曰12a中置入一光纖13(〇ptical fib⑺，再於該芯層上 面形成一頂層14，俾以將光纖13埋在芯層12之中，其中 之光纖13係於一纖核na(core)外包覆纖殼 13b(cladding)。而可在光纖i 3的兩端裂設光發射、接收模 19513 1292495 ==動:件及連接器等’藉由光纖13傳送光訊號，以 兄沛电汛號傳送之缺失。 然而該光纖13係埋置在芯層12的溝样 必須先經過開槽製程，然後再將;置二 二有而::纖13置於溝槽叫 速生產的目⑻製造速度緩慢，而無法達到快 中，光纖13佔妙又’由於光纖13係、置於尺寸較大溝槽12a 積辦大…的空間較大，致使最終形成的封褒結構體 预〜大而不易於微型化。 再者’該域13必驗相對應㈣槽⑸長度先進 丁^ ’然後再將t纖13置於溝槽12a中，使其在製程中

又多一道加工製程，因而增加製作的困難度；且光纖U 的長度不-’故增加製程分類的複雜度， 增加，且複雜度提高。 體的衣权 而在芯層12上形成溝槽12a再置入光纖13，於尺寸 叹计上因溝槽12a與溝槽12a之間必須保持相當的間隔， 1可將光纖13定位在芯層12中，而間隔大小即影響佈線 山度，並且佈線密度受到光纖13線徑大小的影響，因此無 法達到高密度佈線之目白勺，相應的使得最終形成的封裝結 構之頻道數量受到限制。 。 此外，該用以傳導光訊號的光纖13係於_纖核 外包覆纖殼13b，而可藉由包覆在纖核13a外面的纖殼 内層作為反射面，使光訊號藉由纖殼i 3b内層不斷向前反 19513 7 1292495 .2以達傳达訊號的目的。而該光纖13與電路板 _、、度且整合兩種不同製程的產品即增加困難 度0 、 因此’如何提供—種種符合電子褒置輕薄短小、 減小訊號傳遞損失、縮短導電路徑、減少雜訊等問題1 及提升，電訊號傳輸品質、簡化製程、降低製程難度 升佈，密度、及提升量產性之光電路板嵌埋光電元件結 構，只為目剷業界亟欲解決的課題。 【發明内容】 鐾於習知技術的缺失，本發明之主要目的’係在提供 一種光傳輸結構及其埋入基板之結構，得詈 輕薄短小需求。 了。电于衣置 本發明之另—目的，係在提供—種光傳輸結構及其埋 入基板之結構，得以簡化製程、降低製程難度及提升量產 性。 U之X目的’係在提供—種光傳輸結構及其埋 入基板之結構，得以提升佈線密度。 本U之X目的，係在提供—種光傳輸結構及其埋 入基板之結構，該光傳輸結構係為預浸材，俾以增加該基 板之支撐強度，且該光傳輸結構係可為基板增層或核 之基材。 曰 本發明之又-目的，係在提供_種光傳輸結構及其埋 入基板之結構’传以縮短訊號傳輸路徑以降低訊號傳遞損 8 19513 1292495 失，亚減少雜訊及提升光電訊號傳輸品質。 /為達上述及其他目的，本發明提出—種光傳 係^括：複數第-光傳導材料，係經由編織而成—體。；以 及弟一光傳導材料，係包覆該第一 -^ U (V 1寻冷材枓表面以構成 預/又材（prepreg)，該第一光傳導材料可 增加該光傳輸結構之支撐強度。 、〜、’可 材料供—種光傳輸結構，係包括複數非光傳導 以及第-光傳導材料，係經編織而成一編織體； 導= ，係包覆該第—光料材料及非光傳 冷材料所編織成之編織體表面 光傳輸結構。 ㈣預4(prepreg)之 該第構復可包括有一線路增層結構，係形成於 數電性連2料表面，且該線路增層結構表面形成有複 ，錢該糾輸結構及線路增層結構中形成 百至V —電鍍導通孔（PTH)哎導帝亡 係包括有介電增層結構 介電声中之二： 上之線路層以及形成於 可於該線路增層結構表面形成有 、/于€ ’且雜焊層中形成有複數個開孔，俾以顯露線 路增層結構之電性連接墊。 、 M 5亥弟一光傳導材料係例如為光纖或有機光傳導材 ::又該第二光傳導材料係為有機樹脂材料，且該第一光 傳導材料之折射率係大於該第二光料材料之折射率。 本發明復提供-種光傳輸結構埋入基板之結構，係包 括.一基板，該基板形成有至少—開^，·以及至少一光傳 19513 9 1292495 •輸結構’係容置於該開Π中，該光傳輸結構係由複 •光傳導材料編織成-編織體，且於該編織體表 二光傳導材料。 G设有乐 本發明之ϋ光傳—里人基板之結構，係包 括.-基板，該基板形成有至少一開口；以及至少 =’係置於該開口中，該光傳輸結構係由複數非光】 及至少一第一光傳導材料經編織而成-編織體，且 、"玄編織體表面包覆有第二光傳導材料。 該光傳輸結構^基板之結難㈣ ::料表面及該基板表面形成有線路增層結構：二 增層結構表面形成有複數電性連接墊，並於=路 增層結構中形成有至少-電鑛導通孔（PTH)、或導^亡及孔泉路 孔，俾以顯露線路增層結構之電性連接塾。 I之靖^ 構係包括有介電層、疊置於該介1上 I之線路層以及形成於介帝 、邊；I包層上 構係利用線路增層，程；;一：電結構；該線路增層結 上，俾以構成— = Γ 成於該光傳輸結構 ，、有先傳輪結構之電路板。 本《W之料輸結構及^入基;& 二訊號用之第-先傳導材料，經編織二之二==專輸 再形成有第二光傳導材科，《由”二於其表面 :❹一光傳導材料外表面以構成 光=全包 構成具有光傳輪結構之電路板;或者… ， 肝。亥先傳輪結構嵌埋 19513 10 1292495 板中，再於該基板及光傳輸結構表面形成有線路增 相㈣f知技術’本發明係於電路板内部 傳輪結構而無須額外形成容置該第一光傳導材料之溝二 2而可簡化製程’俾可降低製程難度 ： 線之密声、拇A旦* t, 风7T、深路佈 【實施㈤ 符合電子裝置微型化之發展趨勢。 =下係糟由特定的具體實施例說明 =热悉此技藝之人士可由本說明書所 二方 瞭解本發明之其他優點與功效。 〜“地 [第一實施例] 請麥閱第2A至2D圖，係為本發明 面示意圖。 几1寻掏結構之剖 如第2A圖所示，提供複數 -光傳導材料21係 九傳—材枓21;該第 一，且該第-光傳或父互編織以成為-編織 並不以此為ΡΡ，〜^為光纖或有機光傳導材料，但 -收、、义，而付依需要排列佈設，·或如第 不，將至少一筮—止扁宿L L , · 禾〜A圖所 21，以平行編織 21以及複數非光傳導材料 料2!，係為纖維強化材料。纟、4織體’且該非光傳導材 如第2B圖所示，於該第一 編織體表面形成m ¥#料21所編織成之 ,p 战弟一先傳導材料22以構成—預、、*& 仍啊g)之光傳輸結構2;或如2 霉成預4 一光傳導;^•祖0 ! . 圖所不’係將至少—笫 寻V材科21及複數非 ^ 子V材科21以平行編織或 19513 11 1292495 交互編織以成一編織體，再將該編織體 料22中，使該第二光傳導材料。 弟一先傳導材 一預浸材（Prepreg);前述該第二光傳^’以構成 =脂材料，該編織體係預浸於該第二光傳導材料=為有機 經預烘烤而未完全聚合以形成一 、" ，亚 ㈣之折射率係大於該第二二’:二：導 俾使光訊號得以在第-光傳導材料21中折射斤射率， ，參閱第2C圖，復可於該第二料 、 形成線路增層結構23 ,該線 之表面 β 曰⑭ 曰層結構23係包括有介電 曰31、畳置於該介電層231上之線路層 介電層23i中之導電結構233,且兮 2 =及形成於 形成有複數電性連接墊234;復；‘一構23表面 形成-防焊層24,且該防焊層復2::;=層結構23上 傀以曰s干μ a 中形成稷數個開孔240， 線路增層結構之電性連接塾234;且該線 ^ 23係利用線路增層製程或壓 >傳導材料22之表面。有關於哕綠&+、，a/欣於°亥弟一先 惟乃業界所周知之製程 予贅述。 一卩本案技術特徵，故未再 如弟2D圖所示，於該弁值仏 23中可來占心、.· 九傳輪、，構2及線路增層結構 甲了形成電鍍導通孔（PTH)25或導 以電性連㈣騎輸結構 (H)’俾 該線路增心槿2^^^有減電性連接墊234，復於 24切成表面形成有—防焊層24,又該防焊層 成有祕術耗綱，細顯料路增層結構之電 19513 12 1292495 性連接墊234。 本發明復提供—種光傳輪結構2 傳導材料21 ’係經由編織而成-體;以及第二 22,係包覆該第一光傳導 先傳V材料 2。 ¥叫21表㈣構成^傳輸結構 本發明另提供一種光傳輪 導材料織至少-第—光專傳輪導包括複數非光傳 編織體；以及第二光傳導上卿21，係經編織而成- >料2 i及非光傳導材料2編=係包覆該第—光傳導材 ~編織成之編織體表面以構成一 預汉材（Prepreg)之光傳輸結構：，該第一光 ， 供傳輸訊號，並可增加該光傳輸結構2之支撐強度。 再者’於該第二光傳導材料22之表面復可形成 ?:層:结：23,該線路增層結㈣係包括有介電層二 宜置方。亥介電層231上之線路層扣以及形成於介電層 231中之導電結構233，且該線路增層結構Μ ^ ,複數電性連接墊234，另於該線路增層結㈣上復可 一防知層24,又該防焊層24中具有複數個開孔跡俾以 顯露線路增層結構23之電性連接墊234,並構成一且有光 傳輸結構之電路板；利用本發明中之光傳輸結構2進 訊號傳輸時’可藉由包覆於該第—光傳導材料21表面之第 二光傳導材料22内側作爲反射面，使光訊號藉由該第一光 傳導材料21内層不斷向前反射以達到傳送訊號之目的；其 中，該光傳輸結構2係可依製程需要而為電路板之任一層 板材，如基板增層或核心層之基材，其實施不以本實施; 19513 13 1292495 為限。 [第一實施例] 結構圖’係為本發明之具光傳輪之基板 同處在例之剖面示意圖’與前-實施例不 ^ ^光傳輸、、、口構係形成於一基板之開口中。 二閱第3 Α圖，提供一基板3，且該美才 一開口 30，兮甘丄 且扳3具有至少 電路板。基板3料—絕緣m板、兩層或多層 月ΐ閱第3B圖，於該基板3開 輸結構2,而土 川中接置一光傳 平行編織或 龍結構2係由複㈣—光料材料 有第-純以編織以成—編織體，且於該編織表面包覆 有弟一先傳導材料22;或 匕復 2,係由複數非光傳導材料2=圖所不，该光傳輸結構 平行編心 及至少一第-光傳導材料2! 覆有第二光傳導材料22 “…於顧織體表面包 Φ導材：圖’接著於該基板3兩表面之第二光傳 V材枓22上形成線路增 包括有介雷厗θ 稱d 。亥線路增層結構23係 ⑽有"电層231、疊置於該介電層2 以及形成於介電層231中之 =線路層232 及線路增層° ，並於该基板3 w岡/一構23中可形成電錢導通孔（ΡΤΗ)25或導“ 孔（圖未不），俾以電性 '次―电目 23，且嗲綠枚，a 基板3兩面之線路增層結構 4，且:，層結構23表面形成有複數電性連接塾 該防_中形成有複二表:二成有，防焊層24’又 複數個開孔240,俾以顯露線路增層 19513 14 1292495 結構之電性連接墊234。 本=设揭τ—種具光傳輸之基板結構 =3’該基板3形成有至少-開口 30;以及至少，基 、、、：2’係置於該開口 3〇中，該光傳 =輸 :广#導材料21平行編織或交互編織以成一編^ 该編織體表面包覆有第二光傳導材料22。扁為體，且於 本發明另揭卜種具光傳輸之基板結構， •=該基板3形成有至少，3〇;以及至少一

St置於該WO中，該光傳輸結構2係由複3 先傳導材料至少—第―光傳導材料 互編織以成一編舛麯 η从# 丁仃、、届織或父 導材料22 4體"於錢織體表*包覆有第二先傳 又於該基板3表面及第二光傳導材料22表面形 層結構23，該線路增層結構23係包括有介電層 層23^ί於2電層231上之線路層232以及形成於介電 ^之導電結構2 3 3，且該線路增層結構2 3表面 ==電性連接墊234;另於該基板3及線路增層結構以 令形成有電鑛導通孔（ΡΤΗ)25或導電盲孔（未圖示），俾以 電性連接位於基板3兩表面上之線路增層結構沈又於鲸 線路增層結構23表面復可形成有—防焊層24，又該防谭/ 層24中形成有複數㈣孔跡俾㈣料路增層結構之 電性連接墊234，並構成-具有光傳輸結構之電路板；並 中，該光傳輸結構2係嵌埋於該基板3中，該光傳輸結構 2及該基板3係可依製程需要而為該電路板之任一層板 19513 15 1292495 材如基板增層或核心層之莫从、， 因+ 基材，亚不以本實施例為限。 因此，本發明之光傳輪結構及其埋入 為傳輸光訊號用之第—光傳導八 土 、、、口構，係 .+ 九傳導材料，經編織而成―俨，^ 其表面再形成有第二光傳導^ 取體，於 几1寻¥材枓，以由該第二# 完全包覆該第一光傳導材料外I 、V材料 ;;構，:f復可於該第二光傳導材料上形成有線路增 構，以構成具有光傳輸結構之電路板；或者 :二、、，。 r線路增層結構。再"亥基板及光傳輸結構表面形成有 而本發明係於電路板内部直接佈設光傳輸結構， 而無須如習知技術額外形成容 M .. , φ, 弟先傳導材料之溝 氕，仉而可間化製程，俾可降 路佈線之穷产、接斗”“ 冋時可提升線 趨勢。 才〇冤千衣置镟型化之發展 ★上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功 > 而非用於限制本發明。任何熟f此項技藝之人士均可 背本發明之精神及範脅下，對上述實施例進行修饰 =交化°因此，本發明之權利保護範圍，應如後述 專利範圍所列。 τ 【圖式簡單說明】 第1圖係為美國專利公告第6,839,476號之剖面示意 圖； 社第fA至2D圖係為本發明光傳輸結構及其埋入基板之 、、、°構之第一實施例之剖面示意圖； 19513 16 1292495 第2A，及2B，圖係為本發明光傳輪結構及其埋入基板 =結構之第-光傳導材料及複數非光傳導材料編 織體之剖面示意圖； 第3 A至3 C圖係為本發明|也爲 ^ 5具先傳輪之基板結構及其製 /之弟一貫施例之剖面示意圖·，以及 #一乐3B®1係為本發明具光傳輪之基板結構及其製法之 =光傳導材料及複數非光傳導材料編織成—編織體之剖

【主要元件符號說明 11 12 12a 13 13a 13b 底層 芯層 溝槽 光纖 核纖 纖殼

14 2 21 22 22, 23 231 232 233 頂層 光傳輸結構 第一光傳導材料 第二光傳導材料 非光傳導材料 線路增層結構 介電層 線路層 導電結構 19513 1292495 234 電性連接墊 24 防焊層 240 開孔 25 電鍍導通孔 3 基板 30 開口

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Claims (1)

1292495 、申請專利範圍·· 種光傳輪結構，係包括·· 體=第-光傳導材料，係經由編織而成_編織 昂二光傳導材料，係包覆 2· 以構成該光傳輪結構。 切導材料表面 3· ?請專利範圍第！項之光傳輸結構 光傳導材料係為光纖及有機光傳導材料;1 一 而該第二光傳導材料係為有機樹脂材料:中之-者， 如申請專利範圍第！項之光傳輸 :傳導材料之折射率係大於該第:光傳導:料::: 4. 構’其中，數 成為-編織雜織及父互編織其中-者以 5· =申請專利範圍第4項之光傳輪結構，其中，該 取入:先傳導材射，並經預烘烤且未完冬 聚合，俾以形成一預浸材。 一 6· 範圍第1項之光傳輪結構，復包括有-線 ^層、、，。構’係形成於該第二光傳導材料表面，又該 、、增層結構表面形成有複數電性連接墊。 =利範圍第6項之光傳輪結構，復包括至少— ⑽)及導電盲孔其中一者，係形成於該光 傳輸結構及該線路增層結構中。 19513 19 7. 1292495 8. 如申請專利範圍第7項之光傳輪 •谭層，係形成於該線路增層 復匕括有—防 有複數個開孔，俾以顯露該 層中具 墊。 K略^層結構之電性連接 9.如申請專利範圍第6項之光傳 增層結構係包括有介電層 中’該線路 層以及形成於介電層中之導=介電層上之線路 0· 一種光傳輸結構，係包括： 衩數非光傳導材料及至少—一 經編織而成一編織體；以及 〃、&材料，係 第二光傳導材料，係包覆該第 光傳導材料所編織成之編織體表面以M 材料及非 構。 飞體表面以構成該光傳輸結 U.如申請專利範圍第1G項之光傳輪結構， ，，導材料係為光纖及有機光傳導材料1、，该第-该弟二光傳導材料係為有機樹脂材料。-者，而 如申請專利範圍第10項之光傳輪結構，甘 傳導材料係為纖維強化材料。 /、中，該非光 請專利範圍第1G項之光傳輪結構， 光傳導材料之折射率係大 、，该第- 率。 切料料之折射 "久申請專利範圍第10項之光傳輪結構 … 非光傳導材料及至少一第一光傳 该複數 織及交互編織其中—者以成為—編織體。’係經平行編 19513 20 1292495 15.如中請專·㈣14項之 體係預浸於第二光料材料巾構’其中，該編織 來合，俾以形成一預浸材。 巧禾凡王 16·如中請專利範目帛1G項之光 路增声έ士馗.^ 予珣、、、°構，復包括有一線 θ層、、、。構，係形成於該第二光 線路婵® έ士棋主二…丄； 号^材科表面’又該 ⑻κ構表面形成有複數電性連接塾。 .如申請專利範圍第16項之光傳 雷蚀道、s % ^ 卞询μ構，设包括至少一 电鍍V通孔（ΡΤΗ)及導電盲孔其中一 傳輸結構及該線路增層結構中。 ’、7、於該光 18·如申請專利範圍f 17項之光傳輪結構，復 焊層，係形成於該線路增層結構上， 方 t數個開孔’俾以顯露該線路增層結構之電性連接 19·如申請專利範圍第16項之光傳輪結構， =結構係包括有介電層、疊置於該介電層上之^路 γ層以及形成於介電層中之導電結構。 2〇‘ 一種光傳輸結構埋入基板之結構，係包括： 一基板，該基板形成有至少一開口；以及 至少一光傳輸結構，係容置於該開口中，該 輸結構係由複數第一光傳導材料編織成一編織體，且 於该編織體表面包覆有第二光傳導材料。 21.如申請專利範圍第2〇項之光傳輪結構埋入基板之結 構，其中，基板係為一絕緣板、陶瓷板及具有線路° 電路板其中一者。 19513 21 1292495 • 22·如中請專利範圍第2G項之光傳輸結構埋人基板之结 構，復包括於該第二光傳導材料表面及該基板表面形 成有線路增層結構，且該線路增層結構表面形成有複 數電性連接塾。 23.如中請專利範圍第22項之光傳輸結構埋人基板之結 構，復包括至少一電鍍導通孔（PTH)及導電盲孔其中一 者，係形成於該基板及線路增層結構中。 •如巾#專利$&圍第22項之光傳輸結構埋人基板之結 構’復包括於該線路增層結構表面形成有一防焊層， 2該防桿層中形成有複數個開孔，俾以顯露線路增層 、、、。構之電性連接墊。 25. :申請專利範圍第22項之光傳輸結構埋入基板之結 ’其中’該線路增層結構係包括有介電層、疊置於 =電層上之線路層以及形成於介電層中之導電結 攝0 26. ^申請專利範圍第20項之光傳輸結構埋入基板之社 材料ίΓ該第—光料材料料光纖及有機光傳導 材者’而該第二光傳導材料係為有機樹脂 利範圍第20項之光傳輸結構埋入基板之結 】傳導:Γ第一光傳導材料之折射率係大於該第二 九傳材料之折射率。 28.如申請專利範圍第2〇項之 構，其中，該複數P光料 尤得¥材枓係經平行編織及交 19513 22 1292495 —扁、'歲其中—者以成為一編織體。 •縣傳輸結構埋人基板之結構，係包括： 一基板，該基板形成有至少―開口；以及 ‘ 至少一光傳輸結構，係詈於4日日^ 導材料及至光:= ' 編織體’且於該編織體表面包覆有第二 .· 30.ΠΓ範圍第29項之光傳輪結構埋入基板之結 # 其中，該基板係為一絕绫柘 ^ ^ 之電路板其中一者。陶究板及具有線路 31.:申請專利範圍第29項之光傳 :有復:括於該第二光傳導材料表面及該基板表面； 複數結構’且該線路增層結構表面形成有 2 :申圍第31項之光傳輸結構埋入基板之結 j復包括至少-電鑛導通孔（PTH)及導電盲孔其中一 知形成於該基板及線路增層結構中。 申請專·圍第31項之光傳輸結構埋人基板之姓 冓，復包括於該線路增層結構表面形成有一防坪芦， 2防焊層巾形成有複數個㈣，俾㈣露線路❹ 結構之電性連接墊。 曰 34.:申請專利範圍第31項之光傳輸結構埋入基板之处 構’其中，該線路增層結構係包括有介電層、疊置於 孩；丨包層上之線路層以及形成於介電層中之導電釺 23 19513 1292495 構。 二申Π利範圍第29項之光傳輪結構埋入基板之結 材料其:之::::::材:::光纖及有機光傳導 材料。 # ^玄弟一先傳導材料係為有機樹脂 36·:申利範圍第29項之光傳輸結構埋入基板之- 37. 如申非光傳導材料係為纖維強化材料。、、° =利：圍第29項之光傳輪結構埋入基板之結 光㈣Γ 光傳導材料之折射率係大於該第- 先傳導材料之折射率。 弟一 38. 如申請專利範圍第29項之光傳輸結構埋入 構，其中，該複數非光傳導材料及至少—第土二結 =:係經平行編織及交互編織其中一者以成為= 19513 24