TWI289331B - Fabrication method of semiconductor integrated circuit device and method for making photomask - Google Patents

Description

1289331 A7 B7 [發明之技術領域] 本發明乃有關半導體積體電路裝置之製造方法與光罩之 製造技術，特別是關於在半導體積體電路裝置之步騾上， 以使用了光罩（以下稱罩）之曝光處理來適用於在半導體 晶圓（以下稱晶圓）上轉印特定圖案的光微影（ 影法）技術之有效的技術。 錢 [先前技術] 在半導體積體電路裝置之製造時，光微影乃作為將微細 圖案轉印於晶圓上之方法，。微影技術主要使用投影曝光裝 置，以將裝置於投影曝光裝置上之光罩圖案轉印於晶圓上 來形成裝置圖案。 此投影曝光法所使用之一般的•光罩具有遮光圖案結構， 其乃在對曝光光線而言為透明之光罩基板上設置由鉻等金 屬所組成之遮光圖案。此步驟中，具有以下内容。首先， 在透明基板上堆積由遮光膜之鉻等所形成之金屬膜，其上 塗以感光電子射線之光阻膜。然後，以電子射線描纟會裝置 等將電子射線照射於以上光阻膜之特定處，將其顯像而形 成光阻圖案。之後，將該光阻圖案作為蝕刻光罩而將下層 之金屬膜蝕刻以形成由金屬膜組成之遮光圖案。最後除去 殘餘之電子射線感光光阻膜而製造光罩。 但是，此種組成之光罩有以下問題：步驟繁多、成本高 以及以等方性蝕刻將遮光圖案加工而使得加工尺寸精密度 下降。考慮這些問題，而在特開平5-289307號公報中，公 開了以下技術：利用特定光阻膜對ArF激元雷射器可有〇 -4- 本紙張尺度適财關家標準(CNS) A4規格(21GX297公釐) 1289331 A7 ___ B7 五〉發明説明（2 ) %的穿透率，而以光阻膜來組成光罩基板上之遮光圖案。 [發明所欲解決之課題] 然而，將以上光阻膜作為遮光圖案之光罩技術中，本發 明者發現了以下課題。 第一個問題為並未充分考慮到將光罩有效率且短期間製 造。例如 ASIC ( Application Specific 1C)等之訂購產品， 因要求高功能而在產品開發上花費相當的工夫與時間，而 相反的，因現存之產品的老舊化迅速及產品壽命短，正期 待著產品開發與縮短製造期間。因此，重要的課題是如何 短時間且有效率地製造這種使用於產’品製造上的光罩。 第二個問題為未充分考慮到更加減低光罩成本。近年， 在半導體電路裝置方.面有一種光罩成本逐漸上昇的趨勢。· 這是因為以下的原因所導致。亦即，光罩裝置的領域中， 因為市場規模小，故不被列入生產預算中，而在光罩上形 成圖案的繪圖裝置及及檢查圖案的檢查裝置之開發費用與 流動成本隨著光罩上形成的圖案精細化、高度層疊化而變 得龐大，要回收這些費用等必須增加光罩成本。此外，隨 奢半導體積體電路裝置性能提升而製造一個半導體積體電 路裝置所需的光罩總數有增加的趨勢，這些均為如何降低 光罩成本上之重要課題。 本發明之目的乃提供一種能縮短光罩製造期間之技術。 此外’本發明之目的乃提供一種能縮短半導體積體電路 裝置製造期間之技術。 且本發明之目的乃提供一種能減低光罩成本之技術。 麵δ- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇Χ297公釐） 1289331 A7

種此減低半導體積體電路 的方面的新特徵從本說明 再者’本發明之目的乃提供一 裝置成本之技術。 本發明之前述部分以及其他目 書的敘述與附圖即可清楚明白。 [課題之解決手段] 本申請中所公開的發明中 要時，可敘述如下。 ，如簡單說明其代表性者之概 亦即’本發明乃在同-無塵室内進行半導體積體電路裝 置製造及由有機膜形成之遮光圖案所構成的光罩的製造。 、此外本發明在半導體積體電路裝置艇造及由有機膜形成 之遮光圖案所構成的光罩的製造時，乃共用製造裝置。 …且本發明在半導體，積體電路裝置製造及由有機膜形成之 遮光圖案所構成的光罩的製造時，乃共用檢查裝置。 ,本發明在半導體積體電路裝置製造及由有機膜形成之遮 光圖案所構成的光罩的製造時，乃共用製造裝置與檢查裝 置。 此外，本發明具有以下步驟，以第一曝光處理來檢查第 一半導體晶圓上所轉印之特定圖案，藉此來判定由前述有 機膜形成之遮光圖案所構成的光罩圖案是否優良，而此第 一曝光處理乃使用由前述有機膜形成之遮光圖案所構成的 光罩，再以第二曝光處理來轉印特定圖案到第二半導體晶 圓上，而第二曝光處理乃使用合格之由前述有機膜形成之 遮光圖案所構成的光罩圖案。 [發明之實施型態] -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1289331 A7 ___________B7_ 五、發明説明（4 ) 在詳細說明本申請之發明以前，茲將本申請中之用語的 含意說明如下。 1·罩（光罩）：其乃在光罩基板上形成遮光之圖案以及 形成變化光相位之圖案者。也包含了形成數倍於實際尺寸 之圖案的交叉線。光罩之第一主面乃形成將上述光線遮蔽 之圖案以及使光的相位變化之圖案，光罩之第二主面乃指 與第一主面相反方向的面（亦即内面）。 2. —般的罩·為以上光罩之一種’乃指在光罩基板上以 金屬組成之遮光圖案與以透光圖案來形成光罩圖案之一般 的光罩。 3. 光阻遮光軍：為上述光罩的一種，乃指在光罩基板上 具有由機膜形成之遮光體（遮光膜、遮光圖案、遮光領域） 的光罩。 4·將光罩（以上一般的光罩及光阻遮光罩）之圖案面分 類為以下領域。即配置應轉印之積體電路圖案的領域「積 體電路圖案領域」與其外圍的領域「周邊領域」。 5·言及「遮光體」、「遮光領域」、「遮光膜」、「遮 光圖案」時，表示其具有將照射於該領域之曝光光線中未 滿40%的光線穿透之光學特性。一般乃使用未滿數％到30 %者。另一方面，言及「透明」、「透明膜」、「透光領 域」、「透光圖案」時，表示其具有將照射於該領域之曝 光光線中60%以上的光線穿透之光學特性。一般乃使用90 %以上者。 6.晶圓乃是指使用於積體電路製造上之矽單結晶基板（ -7- 本紙張尺度適用中國國家檬準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1289331 A7 ________B7 五）發明説明（5 ) "~"-- 一般為平面圓形）、藍寶石基板、玻璃基板、其他絕緣、 反絕緣或半導體基板等以及上述之複合基板。此外，本申 請中言及半導體積體電路裝置時，不祇是矽晶圓及藍寶石 基板等半導體或絕緣體基板上所製作者，特別是，明示不 2包含上述者時，其也包含了在薄膜電晶體及超扭向列液 晶等之玻璃基板等之其他絕緣基板上所製作者。 7. 晶圓步驟乃是指從鏡面拋光晶圓（鏡面晶圓）狀態開 士口 ’經過元件及配線形成步驟而形成表面保護膜，到最後 能以探測器進行電氣測試之狀態為止之步驟。 8. 裝置面為晶圓之主面，其乃指在其面上以光微影形成 對應於多個晶片領域之裝置圖案的面。 9·轉印圖案：為以光罩而轉印於晶圓上之圖案，具體來 說乃指光阻圖案以及將光阻圖案作為光罩而實際形成之晶 圓上的圖案。 1 〇 ·光阻圖聿：乃以光微影將感光性樹脂膜圖案化後之膜 圖案。此外，在此圖案中包含了對應部分完全無開口之單 純的光阻膜。 11·一般照明：指非變形照明，光強度分佈比較平均的照 明。 12 ·變形照明：為降低中央部亮度之照明，包含斜方照明 、環狀照明、四極照明、五極照明等多極照明或與之等價 的瞳濾鏡超解像技術。 13 ·掃描曝光：對晶圓與光罩將細長狹缝狀的曝光帶在與 狹缝的長邊方向直角相交的方向（也可偏移）做相對的連 -3- t紙張尺度適用巾S S家標準(CNS) A4規格(21GX297公釐） ~； 1289331 A7

續移動（掃描），而將光罩上之電路圖案轉印於晶圓上之 希望部位的曝光方法，進行此曝光方法之裝置稱為掃描器。 14·逐次掃描曝光：組合以上掃描曝光與逐次曝光而將晶 圓上所有應曝光部分予以曝光的方法，相當於以上 光之下位概念。 、 15·逐次重複曝光··乃對光罩上的電路圖案投影像將晶圓 重複逐次移動，將光罩上之電路圖案轉印於晶圓上之希望 部位的曝光方·法。進行此曝光方法之裝置稱為逐次移動式 曝光裝置。 工 16·化學機械研磨（CMP : Chemical Mechanical Polish) _ 般乃是指將被研磨面接觸以相對柔軟的布片材料所作成的 研磨襯墊，而邊供給黏合液邊往面方向相對移動而進行研 磨，本申請中也包含將被研磨面對硬質地的砂輪面相對移 動來進行研磨之化學機械拋光，以及使用其他固定砂粒者 ，還有不使用砂粒之無砂粒CMP等。 以下之實施型態中為了方便而分割為多個部分或分為實 施型態來說明’除了有明示之外，其並非互相無關聯$， 而是一方面與另一方面或全部之變形例、詳細、綠士 μ n 補无說明 等有關聯。 此外以下之實施型態中，言及要素之數量時（包本個數 、數值、量、範圍等）時，除了有明示及原理上明&限定 於特定數量時之外，其並不被限定於特定數量，在特定數 量以上或以下亦可。 再者，以下之實施型態中，其組成要素（也包本要素步 本紙張尺度適用中國國研(CNS) A4規格(21〇X297公E ^ - 1289331 A7 _.___B7 _ 五，發明説明（7 ) 驟等）除了有明示及原理上明顯必須時之外，其並非一定 是必須的。 同樣地，以下之實施型態中，言及組成要素等之形狀、 位置關係+時’除了有明示及原理上明顯並非如此時之外 ’其乃包含了實質上近似於或類似於其形狀等者。此時， 在以上數值及範圍方面亦同。 此外，說明本實施型態的全圖上有相同功能者附加相同 符號，省略其重複說明。 而本實施型態中所用的圖面中，即使是平面圖也在遮光 部（遮光膜、遮光圖案、遮光領域等）及光阻膜上附加切 面線以使圖面更一目瞭然。 以下以圖面來詳細.說明本發明之實施型態。 (第一實施型態） 本實施型態中乃說明光罩製造與晶圓製程在同一無塵室 内進行時。 圖1表示本發明之一實施型態的無塵室D1組成之一例 。此無塵室D1中收納了光罩製造線（區域D2)與晶圓製程 製造線（區域D3〜D9)兩者。然後，光罩製造線與半導體 積體電路裝置製造線可共用一部份的區域設備。以此，與 光罩步驟及半導體積體電路裝置步驟上分別準備製造裝置 與檢查裝置時比較起來，設備投資額可減少約一半。此外 ，因半導體積體電路裝置步驟中所用的製造裝置與檢杳裝 置可使用於光罩步驟中，可以提昇其昂貴的製造震置與檢 查裝置之運轉效率。再者，將光罩從光罩製造線運到半導 -10- _- —-— - 、 本紙張尺度適财s目轉準(CNS) A4祕(21GX297公釐) " ^-- 1289331 五 發明説明（ =製造線時，因為是在同-無塵室⑴内故可 縮:r 時之 因此’可降低半導體積體及::裝 間1匕1卜、’ t罩製造線與半導體積體電路裝置製造線相互之 間=訊與交流可透過例如局部網路等之專用回線^ 。⑽’可㈣如光罩製造之進度資訊、 =度等之光軍品質資訊等有關光罩的；= :=提供給半導體積體電路裝置製造線。相反地，二 2等體積體電路裝置製造線提供資訊給光罩製造線方。 ^在資訊送受之際因可不使關際網路等外部回線來 =仃〈’故除了可增.加一定時間内之可送受信資訊量，亦 犯防止機密我漏與病毒感染，確保安全性。當然，也可使 用光碟等資訊記憶媒體來互相提供资 半導體積體電路裝置之製造步驟二程)雖有數百 個步驟，但主要可分類為例如微影步驟、姓刻步驟、氧化 膜+〈成膜步驟、離子注人步驟、金屬形成步驟、CMP等 (研磨步驟、洗淨步驟等》進行這些步驟之區域D3〜Dq 相有簡單的區分且為分刻狀態’而為有效進行各處理之功 能性配置。 區域D3乃將晶圓及光罩以洗淨裝置清洗之區域，區域 D4乃以離子注入裝置導入特定雜質於晶圓中之區域。區域 D5乃以氧化法及化學蒸氣沈殿法在晶圓上將特定絕緣膜 予以成膜之區域。區域D6乃使用區域〇2所製造之光罩轉 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 1289331 A7 _____B7__ 五 > 發明説明（9 ) — · 印特定圖案於晶圓上之微影區域。此區域D6中可以舉出例 如以F2雷射（波長157nm)為曝光光源之曝光裝置、以a

rF激元雷射（波長193ηιη)為曝光光源之曝光裝置、以KrF 激元雷射（波長248nm)為曝光光源之曝光裝置、以i射線 (波長=365nm)為曝光光源之曝光裝置之任一種，或依 吾好所選擇之2或3種，或配置所有種類。以配置曝光條 件相異之多個曝光裝置可以按照要求曝光，故可以有效率 地製造出高性能的半導體積體電路裝置。此外，區域D6中 也設置了曝光處理後的顯像及洗淨等裝置。區域D7乃對晶 圓實施蝕刻處理之區域。區域D8乃在晶圓上堆積金屬膜的 區域。區域D9乃對晶圓實施例如CMP等之研磨處理的區 域。 此種無塵室D 1中，乃在減低或防止異物產生等觀點之下 而裝设了生產線自動化機制，各區域D2〜D9透過運送線而 連結。無塵室D1中央配置之運送線D1〇乃運送晶圓及光罩 之主運送線，透過其分歧之運送線D11而以機械性連锋於 各區域D3〜D9。此外，環送線D丨〇端部以機械性連接晶圓 運出運入埠D 12。接著要進行處理之多張晶圓被納入晶圓運 出運入埠D12後，一張一張地透過運送線D1〇而自動搬運 至各區域D3〜D9。另一方面，處理完畢的晶圓一張一張地 透過運送線D 10而再度自動搬運至晶圓運出運入埠D12。進 行微影的區域D6與製造光罩的區域D2透過光罩運送線D13 而以機械性連接。 接下來，說明本實施型態所使用之光阻光罩結構的一例 12_ 本紙張尺度咖巾@ Η家標準(CNS) A4規格(21GX297公复)—--— 1289331 A7 ___ B7 五、發明説明（1〇 ) 。圖2〜圖5表示該光阻光罩MR1〜MR4之一例。圖2〜圖5 的U)表示光阻光罩MR1〜MR4之全體平面圖，各圖（b )表示各圖（a)之χ_χ線的剖面圖。 此光阻光罩MR1〜MR4乃將例如實際尺寸之ι〜1〇倍的積 體電路原始圖案透過縮小投影光學系統而顯像於晶圓上來 轉印的交叉線。圖2〜圖5的光阻光罩MR1〜MR4t光罩基 板1乃由平面四角狀之厚度6mm程度的透明合成石英基板 所組成。光罩基板1之第一主面上的中央處配置了以上積 體電路圖案領域，其外圍為以上之周邊領域。積體電路圖 案領域中形成了轉印積體電路圖案之光罩圖案。此處，雖 無特殊限制，但均為轉印配線圖案等之光阻光罩mR1〜mr4 。此外，其為表示使.用任一光阻光罩MR1〜MR4亦轉印相 同形狀之配線圖案時。 圖2及圖3之光阻光罩MR卜MR2乃表示積體電路圖案領 域之光罩2a全為由有機膜所組成之光罩結構。圖2為遮光 圖案2a轉印於晶圓上作為配線圖案，圖3中遮光圖案2&中 暴露出的透光圖案3a轉印於晶圓上作為配線圖案。此光阻 光罩MR1、MR2中，形成金屬膜所組成之遮光圖案乜而包 圍著積體電路圖案領域的外圍。此外，其外侧形成由金屬 膜所組成之遮光圖案4b。遮光圖案仆表示了在進行光罩與 曝光裝置或與晶圓之間的定位時所使用的定線標記等。由 此，即使是使用鹵素燈等而進行光罩位置檢測之曝光裝置 ，因為也能確保定線標記之平常的檢測能办，故能確保與 以上之一般光罩同等的光罩定位精密度。此外，在此光阻 -13-

1289331 A7 B7 五》發明説明（Μ 光罩MR1、MR2中，在周邊領域上因為未設置有機膜所組 成的遮光圖案，故能防止因有機膜之遮光圖案磨損及缺陷 所產生的異物。 圖4之光罩MR3乃表示了積體電路圖案領域與周邊領域 之遮光圖案2a〜2c全由有機膜所組成之光罩結構。遮光·圖案 2b、2c雖與以上遮光圖案4a、4b的材料相異，但為相同形 狀及功能之圖案。光罩MR3時，遮光圖案2a〜2e全為有機 膜構成，因播金屬膜之蚀刻步驟，故與其他光阻遮光光罩 MR1、MR2、MR4比較起來其可縮短製造時間，且可減低 製造成本。 圖5足光罩MR4表示了在積體電路圖案領域上配置了由 有機膜所構成之遮光·圖案2a，以及由金屬膜所構成之遮光 圖案4c兩者的光罩結構。此時，可做積體電路圖案領域之 光罩圖案部分修正（有機膜之遮光圖案2a的修正）。關於 周邊領域則是與以上圖2及圖3之光阻光罩“…、乂…相 同組成，可得到相同效果。 任一光阻光罩MR1〜MR4上因為都是以有機膜組成積體 電路圖案領域之遮光圖案2a，而與一般光罩比較起來，其 較容易進行遮光圖案2a的形成及去除，故可大幅度縮短光 阻光罩MR1〜MR4纟製造_，料，可大幅度減低製造 成本。而且，在遮光圖案2a形成時因不進行蝕刻，故以蚀 刻來消除圖案尺寸誤差可提升轉印圖案之尺寸精密度。 以上遮光圖案2a〜2c的有機材料可舉出感光性樹脂（光 阻）膜。形成此遮光圖案2a〜2c的光阻膜具有吸收KrF激 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21GX297公奢了 1289331 A7 B7 五）發明説明（12 ) 元雷射光（波長248nm) 、ArF激元雷射光（波長193nm) 或F2雷射光（波長l57nm)等之曝光光線的性質，具有與 以金屬形成之遮光圖案幾乎相同的遮光功能。形成此遮光 圖案2a〜2c的光阻膜使用了以α_曱基苯乙烯與心氯丙烯酸 之共聚物、漆用酚醛樹脂與苯醌迭氮基、漆用酚醛樹.脂與 聚甲基戊婦-1-碼、氯甲基化聚苯乙烯等為主成分者。在聚 乙烯齡醛樹脂等之酚醛樹脂及漆用龄醛樹脂上可使用混合 了抑制劑及酸產生劑之所謂化學增寬性光阻等。此處所使 用之遮光用光阻膜材料若對投影曝光裝置之光源具有遮光 特性，對光罩步驟之圖棄繪圖裝置的光源，例如電子射線 或230nm以上的光有感度之特性即可，並不受限於前述材 料而能做各種變更。. 形成膜厚約1 OOnm之聚酚醛系列、漆用酚醛系列樹脂時 ，若為150nm〜230nm程度之波長其穿透率幾乎為〇，而對 波長193nm之ArF激元雷射光、波長i57nm之？2雷射光等 具有充分的光罩效果。此處，雖以波長2〇〇nm以下的真空 紫外線為對象，但並不限定於此。可以使用KrF激元雷射光 (波長248nm )及i射線（波長365nm )之比200nm波長要 長的曝光光線。此時，必須使用其他光阻材料或在光阻膜 上添加吸收材料及遮光材料。此外，以光阻膜來形成遮光 圖案之技術方面，本發明者之特願平11β185221號（平成 11年6月30日）、特願平2000-206728號（平成12年7 月7曰）及特願2000-206729號（平成12年7月7曰）中 有記載。 -15- 本紙張尺度咖巾a a家標準(CNS) Μ規格(21GX297公董） * 1289331 A7 _____— —_B7^_ 五、發明説明（13 ) 此外，以上金屬膜之遮光圖案3a〜3c乃由鉻等之金屬膜 所組成。但是，遮光圖案3a〜3e之材料並不限定於此而可做 各種變更’例如使用鎢、鉬、鈕或鈦等之高熔點金屬、氮 化鎢等之氮化物、鎢矽化物（Wsix)及鉬矽化物（M〇Six) 等之咼熔點金屬矽化物（化合物）、或是其層疊膜亦可。 本實施型態之光阻光罩MR1〜MR4時，在除去有機材料所組 成之遮光圖案2a〜2c後，因可清洗該光罩基板i而再度使 用，故富耐氡化性及耐磨損性，以及耐剝離性之鎢等高熔 點金屬較適於作為遮光圖案3 a〜3 c的材料。 其次，說明本實施型態之光罩製造方法的一例。此處， 舉一例說明以上之光阻光罩MR1的製造方法。首先，如圖 6 (a)所示，準備一已經形成金屬膜遮光圖案％、3b的光 罩基板1(亦即光罩半成品。此外，圖4之光罩MR3中未 形成金屬之遮光圖案的光罩基板本·身為光罩半成品。）， 如圖6 (b)所示，在該第一主面上塗上以上之遮光圖案 2a〜2c形成用光阻膜2。接著，在光阻膜2上塗以防止帶電 用的水溶性導電有機膜5。水溶性導電有機膜5 一般使用埃 斯培塞（昭和電工κκ製）及阿夸塞夫（三菱ray〇n公司 製）等。之後，在以電氣接觸水溶性導電有機膜5與地線6 的狀態下，進行圖案繪圖之電子射線繪圖處理。其後，在 光阻膜2之顯像處理時也除去了水溶性導電有機膜$。如 此，如圖6 (c)所示，在積體電路圖案領域上製造光阻光 罩]ViR 1而其具有由光阻膜2所組成之遮光圖案2a。 此外，光阻膜之圖案繪圖不限於電子射線繪圖，也適用 -16- 、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) "------ 1289331 A7 B7 五、發明説明（14 ) 於230nm以上之紫外線的圖案繪圖等。而在形成此種由光 阻膜2所組成之遮光圖案2a〜2c之後，必能提升對於曝光 光線照射的耐性，而在附加熱處理，強力照射紫外光之所 謂光阻膜硬化處理之際也是有效的。此外，以防止遮光用 的光阻膜2氧化為目的而將圖案面保持於氮（Μ】）等之非 活性氣氛中亦是有效的。 接下來以圖7表示使用以上曝光處理之縮小投影曝光裝 置一例。從縮小投影曝光裝置7之光源以發光的曝光光線 透過光線調譜指示管透鏡7b、照明形狀調整孔眼7c、聚光 鏡7dl，7d2及鏡面7e而照射裝設於光罩平台上之上述光阻 光罩MR1〜MR4中表示的光阻光罩MR或上述一般光罩MN 之任一。曝光光源如上述所示使用了例如KrF、ArF激元雷 射、Pi雷射或i射線等。光阻光罩或一般的光罩mn 乃將形成遮光圖案之第一主面朝下方（晶圓8侧）的狀態 下而裝載於縮小投影曝光裝置7 ^因此，上述曝光光線乃從 光阻光罩MR或一般光罩MN之第二主面側照射。由此， 緣圖於光阻光罩MR或一般的光罩· mn上之光罩圖案乃透 過投影透鏡7f而投影於試料基板的晶圓8裝置面上。光阻 光罩MR或一般的光罩MN第一主面上視情況而設置上述 薄膜PE。此外，光阻光罩MR或一般的光罩MN在以光罩 位置控制手段7g所控制之光罩平台7h的裝設處被真空吸 附，以位置檢測手段7i而被定位，其中心與投影透鏡7f 之光軸的定位是正確的。 晶圓8乃在其裝置面朝上的狀態下被真空吸附於試料台 -17- 1289331 A7 B7 五\發明説明（15 7j上。試料台7j乃裝載於投影透鏡7f之光軸方向，亦即 可在Z軸方向移動的z平台7k上，再搭載於χγ平台7m 上。Z平台7k與XY平台7m配合主控制系統化之控制命 令而由各驅動手段7pl，7p2來驅動，故可移動到希望的曝 光位置。其位置乃作為固定於Z平台7k之鏡面7q位置而 以雷射測長器7r正確地監視。再者，位置檢測手段7i使 用一般的鹵素燈。亦即，不必使用特別光源於位置檢測手 段7i上（不必重新導入新的技術及困難的技術），可使用 目前的縮小投影曝光裝置。以上主控制系統7η以電氣連接 於網路裝置上，可以遠距監视縮小投影曝光裝置7的狀態 等。曝光方法可使用上述逐步重複曝光方法或掃描曝光方 法（逐步掃描曝光方法）之任一種。曝光光源使用上述一 般照明亦可，使用變形照明亦可。 圖8表示使用上述光阻光罩MR1〜MR4之任一而由上述 縮小投影曝光裝置7實施曝光處理的晶圓8全體平面圖。 晶圓8乃形成平面圓形，其主面上規則配置了四角形之多 個晶片領域CA。圖9 ( a)表示圖6晶片領域CA之擴大平 面圖，（b)表示（a)的X_X射線剖面圖、組成晶圓8之 半導體基板8S由矽單結晶組成，其裝置面上透過以氧化矽 所組成之絕緣膜9而堆積了鋁或鎢等所組成之導體膜丨〇。 此導體膜10在上圖1之金屬形成用區域D8上以濺鍍法等 堆積。再者，導體膜ίο上形成了對ArF有感光性之厚度 3〇〇nm程度的一般光阻圖案llae此外，光阻圖案iu使用 上述光阻光罩MR1，MR3，MR4時，乃使用正片型者，使用 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公董) 1289331 A7 B7 五\發明説明（16 上述光阻光罩MR2時乃使用負片型者。 在此種光阻圖案1 la的曝光處理時，乃使用了以i93nm 之ArF激元雷射光為曝光光源的縮小投影曝光裝置7。此 外’投;透知之開口數N A乃使用〇 · 6 8，而光源之相干性σ 乃使用0_7。縮小投影曝光裝置7與光阻光罩MR之定線乃 以檢測上述光阻光罩MR的金屬膜遮光圖案4c來進行之。 此處的定線，乃使用了波長633nm的氦-氧（He-Ne )雷射 光。此時，因有充分的光對比而可輕易以高精密度來進行 光阻光罩MR與曝光裝置岭相對定位。 此外，圖10 ( a )乃表示了將上述晶圓8運送至上述圖1 之蚀刻用區域D7而進行蚀刻處理後之晶圓8的晶片領域 CA要部擴大平面圖，（b )為（a )的χ·χ射線剖面圖。 絕緣膜9上形成了由上述導體膜1 〇所組成之配線圖案1 〇a 。此處’可獲致使用了上述一般光罩之與曝光時幾乎相同 的圖案轉印特性。例如0 · 19 μπι線路空間乃以〇 · 4 μιη之焦點 深度而形成。 接下來，以圖11表示丰實施型態之光罩步驟及半導體積 體電路裝置步驟的實際流程。 流程A1表示上述光阻光罩MR之步驟流程。亦即其順序 為，準備了上述光罩半成品之步驟100、在該光罩半成品第 一主面上如以上般塗以形成遮光圖案用的光阻膜與導電性 膜之步驟101在該光阻膜上以電子射線繪圖處理等轉印積 體電路圖案之步驟102、將已做實施顯像處理及洗淨處理之 步驟10 3及顯像處理之光阻光罩M R收納於儲料器之步驟 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 1289331 A7 B7 五、發明説明（17 ) ST。 本實施型態中，半導體積體電路裝置步驟（晶圓製程） 中所使用的曝光裝置（圖7所示）而將檢查對象之光阻光 罩MR圖案轉印於檢查用的晶圓（第一晶圓）上（第一曝 光處理），以檢查該轉印圖案來判斷上述檢查對象之·光阻 光罩MR圖案優良與否。以檢查晶圓上之轉印圖案來檢查 光罩之圖案而能做實質的圖案檢查，故可提升光罩檢查之 可信度。此外，因可提升光罩檢查之可信度，故能減少重 做光罩檢查等。因此，可Θ達到光罩製造效率提升、縮短 開發期間以及製造期間。而且可以縮短半導體積體電路裝 置之開發期間及製造期間，再者，可提升光罩之良率。此 外，亦能減少或削減光罩檢查重做時的費用。以此降低光 罩成本。因此而降低了半導體積體電路裝置的成本。 流程B1表示了該檢查用晶圓之處理流程。亦即，首先， 在檢查用晶圓之裝置面上塗以光阻膜（光阻塗敷步驟RC ) 。接著，在半導體積體電路裝置的步驟中所使用的曝光裝 置上裝設檢查對象的光阻光罩MR，對檢查的晶圓實施曝 光處理（步驟EX )。之後對檢查用晶圓實施顯像處理（步 騾 DE) 〇 其次，轉移到檢查用晶圓上所形成之轉印圖案檢查步驟 。此處，將檢查用之晶圓的轉印圖案形狀以各種裝置做檢 查，檢查其檢查對象之光阻光罩MR品質。其轉印圖案之 短邊尺寸（圖案之寬邊尺寸）乃使用測長SEM ( Scanning Electron Microscope )，而長邊尺寸（圖案之長邊方向尺寸 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐) " " 一 1289331 A7 B7

IN) 〇 檢查用晶圓上之基準 缺陷檢查乃以外觀檢 t查裝置進行之（步驟 檢查結果乃纟自根據其纟格不合格之判定來處理之·。亦 即，不合格時乃以再生判斷（步驟REJ )來將檢查對象之光 阻光罩MR送到光阻去除再生處理步驟RE。光阻去除後之 光罩基板1再利用作為光罩半成品。另一方面，檢查合格 時乃將檢查資料回饋到曝光裝置之修正輸入部，利用:實 際半導體積體電路裝置的製造時之轉印精密度提升上。例 如其根據尺寸測定結果而修正曝光裝置之曝光量，根據定 位檢查結果而修正曝·光裝置的定位修正值。 如此，本實施型態中，光罩檢查中使用的曝光裝置與裝 置圖案（積體電路圖案）轉印時使用之曝光裝置乃使用相 同者’其曝光裝置固有之各種誤差及透鏡像差等亦相同， 故可將檢查步驟中獲得的資訊做為裝置圖案轉印的曝光條 件而有效活用。因此，可將裝置圖案之曝光條件設定為較 佳者’所以可提升裝置圖案之尺寸精密度與定位精密度等 各種精密度。因此，而提升了半導體積體電路裝置的良率 即可信度。 此外’流程A2表示一般的光罩流程。以本實施型態外 的步驟所製作之一般光罩直接保管於光罩儲存器中（步 驟ST )。因此一般光罩為已檢查者，故不需本實施型態之 檢查。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1289331 A7 —— ______B7 五）發明説明（19 ) 。此=，流程B2表示形成半導體積體電路裝置之裝置用晶 圓（第一晶圓）之處理流程。裝置用晶圓乃自前步驟被運 送而進入到光阻塗敷步驟RC。裝置用晶圓乃經過了使用上 述光罩檢查步驟中之合格光罩的曝光處理步驟（第二曝光 處理）EX、顯像處理步驟DE，而送到各檢查步驟麵，从，出 上，檢查結果乃各自根據其合格不合格之判定來處理之。 不合格時乃以再生判斷來將對象之光阻光罩送到光阻去除 再生處理步驟RE2 ^無關合不合格而檢查結果被逐一回饋 到曝光裝置的修正檔案（修正係數等），回饋於下一批或 同一品種的下一批上。此外，檢查結果的回饋一般不直接 進行，在經過資料之統計分析處理而轉換為修正資料的狀 態下，回饋於曝光裝置上。 如此，根據本實施型態可實現光罩製造的快速反轉時間 (Quick Turn Around Time )，可有效製造光罩與半導體積 體電路裝置。因此，也能向ASIC等般對應於製造交期短 的產品時。此外，ASIC、光罩 R0M ( Read 〇nly Mem〇ry )或是半導體積體電路裝置的開發期與檢查期等之圖案形 狀與尺寸不安定，且變更頻繁之產品或期間時，相對於= 使用一般光罩時，其能做到短時間且低成本。 其次，說明光阻光罩MR或一般光罩的圖案缺陷檢查。 光罩之一般的圖案缺陷及形狀檢查方法有資料庫比較檢 查與膜片對膜片檢查。資料庫比較檢查乃是將檢查用的雷 射光直接照射於檢查對象光罩之際，將光罩反射的光線= 穿透光罩的光線或其雙方予以檢出所得到之圖案影像與光 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1289331 A7 -------- B7_ 五，發明説明（2〇 ) 罩設計資料比較，以判定光罩圖案優良與否的方法 '此外 ，乃光罩内之多個相異區域（晶片領域CA)上形成同一電 路圖，比較其相異區域之同一電路圖來判定光罩圖案優良 與否的方法。 但是，在檢查光罩上之圖案的方法中，若在光罩内存在 微小圖案（解像限度以下之圖案等）時，則無法檢查或是 產生檢查錯誤。特別是近年來光微影技術使用了光鄰位效 應修正（OPC: Optical Proximity Correction)及相位轉移 技術’將微影步驟中之解像限度以下的圖案配置於光罩上 ’將特異的圖案配置於先罩上的情況增多，而使以上問題 更趨顯著。解決此問題的方法為，在本實施型態中，對於 如以上般以使用了檢，查對象光罩（光阻光罩及一般光罩）之 曝光處理而實際轉印於晶圓上之圖案，進行了上述資料庫 比較檢查或膜片對膜片檢查。由此，可實質上檢查晶圓上 是否實際形成了合乎要求之形狀及尺寸的圖案。此外，如 上述般在使用半導體積體電路裝置步驟中所使用的檢查裝 置可以削減設備投資》 此處以圖12說明本實施型態之光罩圖案缺陷檢查的具 體例。 圖12 ( a)表示無OPC之光罩的圖案資料12A的一例。 此為積體電路圖案之設計資料圖案，表示欲轉印於晶圓上 的光阻膜之圖案形狀。圖12 ( b)表示使用（a)的光罩做 曝光處理時乏光阻圖案lib的平面形狀。圖12(a)之圖案 資料。與圖12 ( a )之圖案形狀比較其變形為差異很大的形 _ 23 _

_. -__S 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1289331 A7 __B7 五y發明説明（2彳） 狀。此處在圖12(a)之圖案資料12A上加諸〇pc來製作圖 12 (〇)所示之圖案資料12B。圖12 (d)表示使用該圖 12 ( c)之光罩做曝光處理時之光阻圖案lie的平面形狀。 此形狀對圖12 ( a)之圖案形狀其各邊位置一致。然後，圖 12 ( a)之圖案的角部若為圓角則形狀與圖12 ( d)形狀幾乎 一致。圖12 (d)之圖案形狀也能以使用了圖12 (c)光罩 資料之投影像模擬所獲得之圖12 ( e )的圖案資料12 C來 預測。 此處，本實施型態中，乃使用外觀檢查SEM來進行資料 庫比較檢查，比較檢查_ 12 ( a)之光罩圖案12A的形狀、 使用圖12 ( c )之光罩而轉印於晶圓上之圖12((1)的光阻 圖案11c的形狀。以此，可檢測出〇pc尺寸錯誤及光罩尺 寸錯誤。此外，資料庫中，在使用採用了圖丨2(c)之光罩 的轉印圖案形狀模擬所獲得之圖案資料12C (圖12 (e)) 時，也能同樣地檢出缺陷及形狀異常。 此種檢查亦能適用於光罩上存在相位轉移圖案時。判定 相位轉移圖案優良與否時，乃與上述同樣地進行實際圖案 資料與轉印圖案之比較或是模擬圖案與轉印圖案之比較來 判定優良與否。判定相位轉移圖案相位優良與否時，乃是 在使用了該檢查對象之光罩的曝光處理時，轉移焦點，改 變曝光量。此時，在轉印圖案上產生尺寸差時可判定相位 轉移圖案的相位上有問題。此外，不改變焦點及曝光量而 在原本的部位上無相位轉移圖案時因為圖案不被解像，故 能可由此判定相位轉移圖案的配置優良與否。 -24 - 本紙張尺1適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐)~' -

裝 訂

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圖13表示上述檢查步驟中使用的外觀檢查此％13的組 成一例。外觀檢查SEM 13乃將電子槍13a放射之電子射 線EB透過射線偏向系統13b及對物透鏡nc等而在平台 13d上之晶圓8裝置面上掃描時，將晶圓8之電子射線掃 描面放出之2次電子等以檢出部13e檢出而能獲得電予射 線掃描面之影像。電子射線掃描時，乃將處理室13f内以 真空控制系統i3g來維持在真空狀態。外觀檢} 8聰13 的動作乃由程序控制系統13h來控制。射線偏向系統 之射線控制乃由射線控制季統13i進行。此外，晶圓8之 運入及運出乃透過裝料器系統Uj來進行之。 檢查邵…所檢出之2次電子信號被傳送到影像輸入系 統13k而轉換為影像資料。此影像資料被傳送於影像資制 處理系統13m，進行晶片比較檢查與資料比較檢查。本賓 施^態中’具有光罩資料庫13n及模擬資料庫i3p。在为 罩資料庫13ri中，儲存了光罩之jgj | & 喊什J尤皁 < 圖案設計資料。此外，名 模擬資料庫13ρ中，儲存了預測卜 < ^ 什J頂成1上述轉印圖案之形狀的圖 案資料。這些資料在上述影像資料 、 貝料系統13m中之比較檢查 《際被當成基準資料（比㈣象資料）來參考。 (第二實施型態） 例本ΪΓ4型態V、以圖14說明前述無塵室之運轉狀態變形 明Lrr1的組成因與前述圖1相同故省略說 月< 不同處為揲塵室D1在多個公司運轉。 典塵室D1整體的管理及罄道上 Δ\n S運乃+導體積體電路裝置之 k嵌商A公司所進行之^公司乃料如無塵室⑴全 -25 - 1289331 A7 —— ___ B7___ 五）發明説明（23 ) 體之物理設備維持及管轄與有關於財產管理的法律手續。 此處表示，光罩製造廠商之B公司管理光罩製造區域D2 ，且C公司管理CMP的區域D9時。 A公司不提供B公司、C公司地點及電、水等基本燃料 ，而是B公司、C公司各自準備製造裝置及製造時所·需之 材料等、各自業務上必須之設備及材料人A公司可削減設 備投’貝。且B、C公司因不必確保地點故能減低投資額。 而B公司如前述實施型態一所說明者，可提升光罩製造效 率、光罩信賴度及減低光旱製造成本。 A公司把減少設備投資部分之一定額度的營運資金定期 支付給B、C公司。此營運資金為扣除B、c公司應支付a 公司之租借費後的金顧。且A公司把因B、c公司的助益 而製造之產品的銷售額中的數百分比支付給B、c公司。 此時’若為光罩製造廠商之B公司時，其將因光罩良率及 生產張數而有不同的領取金額。例如若良率高時，領取金 額多。且品質佳之光罩生產張數增加其領取金額愈多。當 然，B、C公司以能製造A公司的產品以外的產品。 本實施型態中光罩及半導體積體電路裝置之製造與前述 實施型態一相同。如下所示。 首先，光罩製造戚商之B公司在無塵室D1内的區域D2 製造則述光阻光罩。此外，準備—般光罩。接著，B公司 將所製造之光阻光罩及準備之一般光罩交付給半導體積體 電路裝置製造廠商之A公司。亦即，將光阻光罩及一般光 罩運送到區域D6。 -26 · ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) ^ --；----- 1289331 A7 B7 五、發明説明（24 ) A公司乃將該光阻光罩及一般光罩在設定於區域〇6中 之縮小投影曝光裝置的狀態下對晶圓實施曝光處理來轉印 圖案於晶圓上，如前述實施型態一中所說明般檢查該轉印 圖案。以此來檢查所進貨之光阻光罩及一般光罩圖案之優 良與否。 A公司將光阻光罩及一般光罩之與合格與否無關的以上 光罩檢查步驟所獲得的資訊透過以上LAN等專用回線或 光碟等資訊記憶媒體而提供於光罩製造廠商之B公司。以 上光罩檢查的結果，該光阻光罩及一般光罩合格時，A公 司以使用了該光罩及區域D6之縮小投影曝光裝置之曝光 處理來轉印積體電路圖案於晶圓上。此時，A公司以光罩 檢查步驟所獲得之資訊來調整（修正）曝光裝置之曝光條 件。之後經過與前述實施型態1相同的步驟而轉移到一般· 的半導體積體電路裝置步驟上。另一方面，上述光罩檢查 結果，該光罩不合格時，A公司將該光罩退還光罩製造廢 商之B公司。亦即，運送到區域D2。 納入了不合格光罩之B公司，若該光罩為光阻光罩時， 乃將有機膜組成之遮光圖案從光罩基板去除之，將該光罩 基板當作光罩半成品再利用。此外，：B公司乃考慮到以上 檢查步驟的結果而製造新的光阻光罩或一般的光罩，再产 交付給A公司。 以上根據發明之實施型態而具體說明了本發明者之發明 ，但本發明並不限於前述實施型態，而能在不脫離其要旨 的範圍内做各種變更。 胃 -27-

1289331 A7 B7 、發明説明（25 例如前述實施型態在光阻膜上形成光罩之定線標記等圖 案時’可在該光阻膜上添加吸收標記檢出光（例如缺陷檢 且裝置之探測光（波長比曝光波長長之光，例如波長 :資訊檢出光））的吸收材料。 此外，前述實施型態中，雖已說明了使用電子射線以轉 印光罩基板上之圖案時，其並不受限而能做各種變更，例 如可使用雷射射線。 以上之說明中，主要是將本發明者之發明就其適用於其 背景利用範圍之半導體積體電路裝置之製造方法時予以說 明之，但其並不受限而也可適用於必須將特定圖案以使用 了光罩之曝光處理來轉印纟光碟M造方法、液晶顯示器 造方法或微型機械的.製造方法。 ' 【發明的效果】 本申請書中所公開之發明中1以代表性者簡單說 獲致之效果時則如下所示。 ⑴根據本發明’在同-無塵室中進行半導體積體電 置製造與具有有機膜之遮光圖案的光罩製造而能縮短光 之製造期間。 早 (2)由以上（1)可縮短光罩之製造细 早表坆期間，故可縮短半導 體積體電路裝置製造期間。 卞夺 (:二據本發明，在同一無塵室中進行半導體積體電路裝 =造與具有有機膜之遮光圖案的光罩製造而能降低光罩 (4 )由以上（3 )可以降低半導體籍贼 千竽把積體電路裝置之成本。 -28 - 本紙張尺度適财Η时標準(CNS) A4規格(210X297公釐） A7 B7 1289331 説明（26 ) 【圖式之簡要說明】 圖1為本發明之一實施型態的無塵室組成一例之說明圖。 圖2 ( a)為圖1之無塵室内使用的光罩之一例的全體平 面圖，（b)為（a)之X-X射線剖面圖。 圖3(a)為圖1之無塵室内使用的光罩之其他例的全體 不面圖，（b)為（a)之X-X射線剖面圖。 圖4 ( a)為圖1之無塵室内使用的光罩之其他例的全體 不面圖，（b)為（a)之X-X射線剖面圖。 圖5(a)為圖1之無塵室内使用的光罩之再一例的全體 不面圖，（b)為（a)之X-X射線剖面圖。 圖6 ( a)〜（c)為說明圖2之光罩製造方法一例之步驟 中的光罩基板要部剖面圖。 圖7為圖1之無塵室中設置的縮小投影曝光裝置一例的 説明圖。 圖8為圖1之各區域中實施處理之半導體晶圓全體平面 圖。 圖9 (a)為微影步驟後之圖8之半導體晶圓要部擴大平 面圖，（b)為（a)之X_X射線剖面圖。 圖10 ( a )為蝕刻步驟後之圖8的半導體晶圓要部擴大平 面圖，（b )為（a)之X-X射線剖面圖。 圖11為表示本發明之一實施型態的光罩步驟及半導體積 骨豊電路裝置步驟流程圖。 圖12(a)〜（e)為說明本發明之一實施型態的光罩檢查 方法之說明圖。 _ 29 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） ' - 1289331 A7 B7 五、發明説明（27 ) 圖 13為在本發明之一實施型態的光罩檢查步騾中使用 之檢查裝置一例的說明圖。 圖 14為本發明之其他實施型態的無塵室運用型態說明 圖。 【元件符號說明】 1 光罩基板 2 光阻膜 2a〜2c 遮光圖案 3 a 透光圖案 4a〜4c 遮光圖案 5 水溶性導電有機膜 6 地線 7 縮小投影曝光裝置 7a 光源 7b 光線調諧指示管透鏡 7c 照明形狀調整孔眼 7dl，7d2聚光鏡 7e 鏡面 7f 投影透鏡 7g 光罩位置控制手段 7h 光罩平台 7i 位置檢出手段 7j 試料台 7k Z平台 本紙張尺唐谪用Φ -30- r 囷國宏摄A /ι昶抽，____________ ----- 1289331 A7 B7 五、發明説明（28 ) 7m XY平台 7n 主控制系 統 7pl，7p2驅動手段 7q 鏡面 7r 雷射測長 器 8 半導體晶 圓 8S 半導體基板 9 絕緣膜. 10 導體膜 10a 導體膜圖 案 lla^ -11c 光 阻圖案 12A，12B 圖 案資料 13 外觀檢查 SEM 13a 電子槍 13b 射線偏向 系統 13c 對物透鏡 13d 平台 13e 檢出部 13f 處理室 13g 真空控制 系統 13h 程序控制 系統 13i 射線控制 系統 13j 裝料器 13k 影像輸入 系統 •31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 1289331 A7 B7 五、發明説明（29 ) 13m影像資料處理系統 13η光罩資料庫 13ρ模擬資料庫 D1無塵室 D2〜D9區域 D10，D11 運送線 D12晶圓運入運出埠 D13光罩運送線 MR，MR1〜MR4光阻光罩 MN —般光罩 CA晶片領域 EB 電子射線 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

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1· 一種半導體積體電路裝置之製造方法，具有以下步驟： 在與半導體積體電路裝置之製造線同一之無塵室内，製 造供上述製造線用之具有遮光圖案的光罩，而此遮光圖 案由有機膜構成。 2·如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置之製造方 法’其中使用曝光裝置來製造半導體積體電路裝置，而 此曝光裝置乃設置於前述半導體積體電路裝置之製造線 的光微影區域上。 3·如申請專利範圍第1項之半導體積體電路裝置之製造方 法，其中具有以下步驟： (a )在第一半導體晶圓上將第一圖案轉印之步驟，其乃 以使用上述光罩的第一曝光處理來進行之； (b) 判定光罩之上述第一圖案優良與否之檢查步驟，而 此步驟乃以檢查被轉印於前述第一半導體晶圓上之上 述第一圖案來進行之； (c) 在第二半導體晶圓上將第二圖案轉印之步驟，其乃 以使用上述光罩的第二曝光處理來進行，此光罩為在前 述檢查步驟中合格的光罩。 4.如申請專利範圍第3項之半導體積體電路裝置之製造 方法，其中在前述檢查步騾中具有判定前述光罩圖案優 良與否之步驟，而其乃以檢查被轉印於前述第一半導體 晶圓上之第一圖案的尺寸與缺陷來進行。 5·如申請專利範圍第3項之半導體積體電路裝置之製造 方法，其中在前述檢查步驟中具有判定前述光罩圖案優 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1289331 Λ8 B8 _ C8 --- D8 六、申請專利---------— ^與=之步驟，而以㈣被轉印於前4 一半導體晶圓 上 < 弟一圖案的長邊尺寸來進行之。 、申叫專利範圍第3項之半導體積體電路裝置之製造 方去，其中在前述檢查步驟中具有判定前述光罩圖案優 良與否之步驟，而以測定被轉印於前述第一丰導體晶圓 上之第一圖案的短邊尺寸來進行之。 •如申請專利範圍第3項之半導體積體電路裝置之製造 方法’其中在前述檢查步驟中具有判定前述光罩圖案優 良與否之步驟，此步驟乃以檢查被轉印於前述第一半導 體晶圓上之第一圖案的長邊尺寸及短邊尺寸來進行之。 8·如申請專利範圍第3項之半導體積體電路裝置之製造 方法’其中係將前述檢查步驟中所獲得之資訊作為前迷 第二曝光處理時之資訊使用之。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

平啤&月*>3日修(更)正本 第090125544號專利申請案 中文圖式替換頁(96年6月）

t 1 D2 D3 D4 D5 昼33先 月乂日修(更)正本 系_如44號專利申請案 ——U………，…—…— 圖14 A公司管理整體 B公司管理