1283013 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種基板處理裝置，為在搬運半導體 圓、扁平面顯示器（FPD)用玻璃基板、光罩用玻璃基板、 刷基板等之基板時，對基板施加超音波·高壓喷射洗淨 理、水洗處理、氣刀乾燥處理、蝕刻處理、顯像處理、 離處理等之各種處理。 【先前技術】 在對半導體晶圓或 FPD用玻璃基板等之基板施加超 波·高壓噴射洗淨處理、水洗處理、蝕刻處理等之濕式 理之情況時，係使用具備有處理室之基板處理裝置，在 處理室之内部配置有超音波·高壓噴射洗淨裝置、水洗 置、蝕刻裝置等之處理工具。然後，利用滚筒式輸送器 之搬運機構搬運基板之同時，在處理室内對基板供給純 或蝕刻液等之藥液，對基板施加指定之處理。依此，基 在處理室内被搬運的同時，在處理室内接受濕式處理。 此，處理室在以平面角度觀之為等於或大於基板之大小 另外，提案有未具備處理室，而具備在基板搬運方向 尺寸小於基板之處理.工具的基板處理裝置。亦即，所提 之基板處理裝置，在一端形成具有用來導入處理液之導 口的導入道路，和在一端形成具有用來將濕式處理後之 式處理液排出到系外之排出口的排出通路，將導入通路 排出通路各在另一端交叉而形成交叉部，在其交叉部具 由設有朝向基板開口之開口部的f嘴構成體所構成之處 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 晶 印 處 剝 音 處 該 裝 等 水 板 因 〇 之 案 入 濕 與 備 理 5 1283013 工具，該處理工具之在基板搬運方向之尺寸為小於基板（例 如，參照曰本平成1 0年專利申請公開第1 6 3 1 5 3號公報）。 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 具備有在内部配置處理工具的處理室之基板處理裝置 中，隨著基板尺寸之大型化，使處理室變大，而裝置全體 大型化。例如，在進行蝕刻處理之裝置中，需要在基板之 搬運方向連續設置餘刻處理室、水洗處理室和乾燥處理 室，則裝置全體大型化，佔用清潔室内之空間變大，裝置 之製造成本亦增加。另外，亦有由於處理室變大而使藥液 或純水之使用量增大的問題。 另一方面，在未具備處理室、而具備有小於基板之處理 工具的基板處理裝置，雖在設置空間或製造成本方面為有 利，藥液或純水之使用量亦減少，但需要有防止藥液與純 水流出或飛散到排出通路外之手段或控制，則使裝置構造 或控制機構複雜化。尚且，亦有處理液之飛沫或蒸發氣體 從喷嘴構成體之開口部朝向周邊環境擴散之虞。 本發明乃為鑑於上述之問題而成者，其目的為提供一種 基板處理裝置，係具有在内部配置有處理工具之處理室構 造，同時可以使裝置小型化，亦可以使處理液之使用量減 少，另外，由於其為具備有處理室之構造，所以可容易地 防止處理液之流出或飛散，不會有處理液之飛沫或蒸發氣 體擴散到周邊環境之虞。 (解決問題之手段） 6 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 申請專利範圍第1項之發明為一種基板處理裝置，具備 有：具有基板入口和基板出口的密閉型之處理室；對配置在 該處理室内部之基板施加指定之處理的處理工具；使基板 對於該處理工具相對地移動的移動手段；其特徵為：使上述 處理室之寬度等於或大於基板之相對移動方向之正交方向 的尺寸，且使處理室之長度小於基板之相對移動方向的尺 寸，並使配置有上述處理工具之處理室和基板相對地移 動；為隔絕上述處理室之内部環境和外部環境，而在基板 之相對移動路徑之上方側空間和下方側空間分別具備了將 沖洗用氣體供給至上述處理室的氣體供給手段（沖洗用氣 體供給手段），及將沖洗用氣體自上述處理室排出的氣體排 出手段（排氣手段）。 申請專利範圍第2項之發明為一種基板處理裝置，具備 有：具有基板入口和基板出口的密閉型之處理室；對配置在 該處理室内部之基板施加指定之處理的處理工具，使基板 對於該處理工具相對地移動的移動手段；其特徵為：使上述 處理室之寬度等於或大於基板之相對移動方向之正交方向 的尺寸，且使處理室之長度小於基板之相對移動方向的尺 寸，並使配置有上述處理工具之處理室和基板相對地移 動；為隔絕上述處理室之内部環境和外部環境，而具備有 氣體供給手段，其構成包含有：上·下一對之入口側氣體吐 出手段，在上述處理室之基板入口 ，分別配置於包夾基板 之相對移動路徑之上方側和下方側，分別具有接近基板之 相對移動路徑之對向的氣體吐出口 ，從該氣體吐出口朝向 7 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 基板之相對移動路徑分別吐出氣幕用氣體；及上·下一對 之出口側氣體吐出手段，在上述處理室之基板出口 ，分別 配置於包夾基板之相對移動路徑之上方側和下方側，分別 具有接近基板之相對移動路徑之對向的氣體吐出口 ，從該 氣體吐出口朝向基板之相對移動路徑分別吐出氣幕用氣 體；並具備有氣體排出手段，其構成包含有：上·下一對之 入口側氣體吸入手段，在上述處理室之基板入口 ，分別配 置於包夾基板之相對移動路徑之上方側和下方側，分別具 有接近基板之相對移動路徑之對向的氣體吸入口 ，通過該 氣體吸入口分別吸入氣幕用氣體；和上·下一對之出口側 氣體吸入手段，在上述處理室之基板出口 ，分別配置於包 夾基板之相對移動路徑之上方側和下方側，分別具有接近 基板之相對移動路徑之對向的氣體吸入口 ，通過該氣體吸 入口分別吸入氣幕用氣體。 申請專利範圍第3項之發明，其特徵為，申請專利範圍 第2項之基板處理裝置中，具備有切換手段，切換成為當 在上述處理室之基板入口存在有基板時，使上述上·下一 對之入口側氣體吐出手段和上述上·下一對之入口側氣體 吸入手段分別進行動作；當在上述處理室之基板出口存在 有基板時，使上述上·下一對之出口側氣體吐出手段和上· 下一對之出口側氣體吸入手段分別進行動作；當在上述處 理室之基板入口未存在有基板時，使上述上方側或下方側 之入口側氣體吐出手段和上述下方側或上方側之入口側氣 體吸入手段分別進行動作；當在上述處理室之基板出口未 8 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 存在有基板時，使上述上方側或下方側之出口側氣體吐出 手段和上述下方側或上方側之出口側氣體吸入手段分別進 行動作。 申請專利範圍第4項之發明的特徵為在申請專利範圍第 1至3項中任一項之基板處理裝置中，使上述處理室在基 板之相對移動方向連續地設置多個。 (發明效果） 在申請專利範圍第1或2項之各個發明之基板處理裝置 中，在密閉型之處理室内部配置對於基板施加指定處理之 處理工具，由於利用氣體供給手段和氣體排出手段隔絕處 理室之内部環境和外部環境，所以可容易地防止處理液的 流出與飛散、並可防止處理液之飛沫或蒸發氣體擴散到周 邊環境。另一方面，處理室之長度設為在基板之相對移動 方向上的尺寸小於基板，因為使處理室和基板進行相對地 移動，所以可以使裝置小型化，可達成節省空間和降低成 本之同時，亦可以減少處理液之使用量。 尚且，在申請專利範圍第 1項之發明的基板處理裝置 中，藉由氣體供給手段（沖洗用氣體供給手段）將沖洗用氣 體供給到密閉型之處理室内，藉此抑制氣體從外部侵入到 處理室内，藉由氣體排出手段（排氣手段）將沖洗用氣體從 處理室内排氣，藉此抑制氣體從處理室内漏出到外部。藉 此可隔絕處理室之内部環境和外部環境。更進一步，在申 請專利範圍第1項之發明的基板處理裝置中，基板在處理 室内相對地移動，即使處理室之内部空間被基板分斷成為 9 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 上·下部份，藉由將氣體供給手段和氣體排出手段分別設 在基板之相對移動路徑的上方側空間和下方側空間，可確 實地隔絕處理室之内部環境和外部環境。 另外，在申請專利範圍第2項之發明的基板處理裝置， 從入口側氣體吐出手段和出口側氣體吐出手段之各氣體吐 出口 ，朝向基板之相對移動路徑分別吐出氣幕用氣體的同 時，通過入口側氣體吸入手段和出口側氣體吸入手段之各 氣體吸入口 ，分別吸入氣幕用氣體，藉此在處理室之基板 入口和基板出口分別形成氣幕。藉此可以隔絕處理室之内 部環境和外部環境。更進一步，在申請專利範圍第2項之 發明的基板處理裝置，基板對於處理室進行相對地移動， 即使處理室之基板入口或基板出口被基板分斷成為上·下 部份，藉由使入口側及出口側之各氣體吐出手段、和入口 側及出口側之各氣體吸入手段包夾著基板之相對移動路徑 並分別被設在上方側和下方側，則可以確實地隔絕處理室 之内部環境和外部環境。 在申請專利範圍第3項之發明的基板處理裝置中，當在 處理室内沒有基板存在時，在處理室之基板入口和基板出 口 ，分別從上方側或下方側之氣體吐出手段之氣體吐出 口，朝向基板之相對移動路徑吐出氣幕用氣體之同時，通 過下方側或上方側之氣體吸入手段之氣體吸入口 ，吸入氣 幕用氣體，藉此形成氣體之氣幕。 在處理室内基板之一部份進行相對地移動，當在處理室 之基板入口存在有基板、在基板出口未存在有基板時，在 10 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 處理室之基板入口 ，從上·下一對之入口側氣體吐出手段 之氣體吐出口 ，朝向基板之相對移動路徑分別吐出氣幕用 氣體，各氣幕用氣體在基板之上面和下面分別彈回，通過 上·下一對之入口側氣體吸入手段之氣體吸入口分別被吸 入，藉此在基板之上·下兩面側分別形成氣體之氣幕。另 一方面，在處理室之基板出口 ，從上方側或下方側之出口 側氣體吐出手段之氣體吐出口 ，朝向基板之相對移動路徑 吐出氣幕用氣體之同時，通過下方側或上方側之出口側氣 體吸入手段之氣體吸入口 ，吸入氣幕用氣體，藉此形成氣 體之氣幕。 在處理室内基板相對地移動，當在處理室之基板入口和 基板出口存在有基板時，在處理室之基板入口和基板出 口 ，分別從上·下一對之氣體吐出手段之氣體吐出口 ，朝 向基板之相對移動路徑分別吐出氣幕用氣體，各氣幕用氣 體在基板之上面和下面分別彈回，通過上·下一對之氣體 吸入手段之氣體吸入口分別被吸入，藉此在基板之上·下 兩面側分別形成氣體之氣幕。 另外，當在處理室之基板入口未存在有基板、而在基板 出口存在有基板時，在處理室之基板入口，從上方側或下 方側之入口側氣體吐出手段之氣體吐出口 ，朝向基板之相 對移動路徑吐出氣幕用氣體之同時，通過下方側或上方側 之入口側氣體吸入手段之氣體吸入口吸入氣幕用氣體，藉 此形成氣體之氣幕。另一方面，在處理室之基板出口 ，從 上·下一對之出口側氣體吐出手段之氣體吐出口，朝向基 11 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 板之相對移動路徑分別吐出氣幕用氣體，各氣幕用氣體在 基板之上面和下面分別彈回，通過上·下一對之出口側氣 體吸入手段之氣體吸入口分別被吸入，藉此在基板之上· 下兩面側分別形成氣體之氣幕。 利用上述之作用，可以使處理室之内部環境和外部環境 時常且確實地隔絕。 在申請專利範圍第4項之發明的基板處理裝置中，藉由 多個連續設置的處理室對於基板連續地施加多種之處理， 例如蝕刻處理、水洗處理和乾燥處理。另外，由於各個處 理室之長度小於基板之相對移動方向的尺寸，所以可以抑 制裝置全體之大型化。 【實施方式】 下面參照圖1至圖1 1，針對本發明之最佳實施形態進行 . 說明。 圖1概略地表示本發明之實施形態之1實例，為模式性 地表示基板處理裝置之概略構造。 該基板處理裝置具備有基板搬入口 1 2和基板搬出口 1 4 的密閉型之處理室1 0。在處理室1 0之内部配置有作為對 基板 W施加指定處理之處理工具的超音波·高壓噴射洗 淨·水洗處理部1 6和氣刀乾燥處理部1 8。超音波·高壓 喷射洗淨·水洗處理部1 6和氣刀乾燥處理部1 8係包夾著 基板W之搬運路徑而分別被設置在其之上方側和下方側。 另外，具備有滾筒輸送器2 0，以進行基板W之搬入到處理 室10内，在處理室10内之搬運和從處理室10内之搬出。 12 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 處理室10如圖2之概略平面圖所示，其寬度設為大於 或等於基板W在搬運方向之正交方向的尺寸’其長度設為 小於基板W在搬運方向的尺寸。因此，基板W在其一部份 被收容於處理室1 0内之狀態，對其收容部份實施超音波· 高壓噴射洗淨·水洗處理或氣刀乾燥處理。然後，基板 w 藉由滾筒輸送器 2 0搬運而各部份順序地通過處理室 1 0 内，在基板W之全體完全通過處理室1 0内時，則結束對基 板W之全面的處理。依此，藉由使處理室1 0之平面形狀小 於基板W，可使裝置全體小型化。 另外，在處理室1 0分別設有氣體供給口 2 4和排氣口 2 6，在氣體供給口 2 4，連通地接續有空氣、氮氣等之沖洗 用氣體之供給管，例如空氣供給管2 8，成為從圖中未顯示 之空氣供給源通過空氣供給管2 8將空氣供給到處理室1 0 内。另外，在排氣口 2 6連通地接續有排氣管3 0，通過空 氣供給管2 8而供給到處理室1 0内之沖洗用空氣，則通過 排氣管3 0藉由圖中未顯示之真空排氣泵排氣。藉由適當地 調節·控制對處理室1 0内之空氣供給流量和自處理室1 0 内之排氣流量，可抑制外來氣體通過基板搬入口 1 2或基板 搬出口 1 4從外部侵入到處理室1 0内，並可抑制氣體通過 基板搬入口 1 2或基板搬出口 1 4從處理室1 0内向外部漏 出。依此，使處理室1 0之内部環境和外部環境被隔絕，可 防止洗淨所使用之純水的飛洙或以氣刀1 8從基板W上除去 而蒸發之氣體向處理室1 0外擴散。尚且，在處理室1 0亦 設有排水口’但省略其圖示。 13 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 圖3模式性地表示，本發明之另一實施形態之基板 裝置的概略構造。該基板處理裝置具備有與圖1所示 板處理裝置之處理室1 0為同樣的處理室1 0 (在圖3中 與圖1所不之基板處理裝置為共通之構成構件’亦標 圖1所使用之符號為相同之符號，而其等之說明則加 略），同時，在處理室1 0之上游側設置有另一個之處 3 2。處理室 3 2亦為具有基板搬入口 3 4和基板搬出〗 之密閉型，在處理室3 2之内部配置有對基板W上面施 刻處理的蝕刻處理部38。另外，在處理室32之内部 有搬運基板W用之滾筒輸送器2 2。 與處理室1 0同樣地，處理室3 2亦使其寬度等於或 在基板W搬運方向之正交方向的尺寸，使其長度小於 板W之搬運方向的尺寸。因此，基板W在其一部份被 於處理室3 2内之狀態，於其收容部份實施蝕刻處理， 基板W以滾筒輸送器2 2搬運則各個部份順序地通過處 3 2内，而對基板W之全面進行蝕刻處理。在該基板處 置係利用2個連設之處理室3 2、1 0對於基板W連續施 刻處理與超音波·高壓喷射洗淨·水洗處理及氣刀乾 理，但因為各個處理室3 2、1 0之長度分別小於基板W 運方向的尺寸，故可使裝置全體小型化。 另外，在處理室3 2亦分別設有氣體供給口 4 0和排 4 2，於氣體供給口 4 0連通接續著空氣供給管 4 4，於 口 4 2連通接續著排氣管4 6。其次，與處理室1 0同稽 藉由適當地調節·控制對處理室3 2内之空氣的供給流 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-04/93139789 處理 之基 ，於 示與 以省 理室 ]36 力口蚀 配置 大於 在基 收容 藉由 理室 理裝 力口雀虫 無處 之搬 氣口 排氣 [地， 量與 14 1283013 從處理室3 2内之排氣流量，可隔絕處理室3 2之内部環境 和外部環境。 圖4和圖5為表示處理室之構造例，圖4為處理室之沿 基板搬運方向之剖面圖，表示圖5之I V - I V箭頭視線剖面 圖；圖5為處理室在基板搬運方向之正交方向之剖面圖， 表示圖4之V - V箭頭視線剖面圖。 該處理室48為具有基板搬入口 50和基板搬出口 52之 密閉型，在處理室48之内部配置有處理工具54，但處理 室4 8在基板.W之搬運方向之正交方向，使其底面和頂面傾 斜，基板W亦以在其搬運方向之正交方向為傾斜之姿勢藉 由滾筒搬送器（圖中未顯示。在圖6至圖1 0亦同）搬運。另 外，該處理室48亦為使其寬度等於或大於基板W之搬運方 向之正交方向的尺寸，使其長度小於基板W之搬運方向的 尺寸。尚且，在處理室48於其頂面之高側端附近設有氣體 供給口 5 6，於該氣體供給口 5 6連通接續有空氣供給管5 8， 又，在處理室 48之底面的低側端附近設有排氣·排液口 6 0，在該排氣·排液口 6 0連通接續著排氣·排液管6 2。 在此種構造之處理室4 8，流下到底面之排液沿著傾斜面自 然地流向一側端側，通過排氣·排液管6 2從排氣·排液口 6 0排出。 其次，於圖6所示之沿基板搬運方向之剖面圖的處理室 64，為具有基板搬入口 66和基板搬出口 68之密閉型，在 該處理室64之内部，處理工具70a、7 0 b包夾著基板搬運 路徑而分別設置於其之上方和下方。另外，在處理室 64 15 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 之頂面與處理工具70a之間，及處理室64之底面與處理工 具7 0 b之間，分別設有隔壁7 1 a、7 1 b，藉由該隔壁7 1 a、 7 1 b在基板搬運方向將處理室6 4之内部空間前後地分隔， 該前·後之内部空間經由形成於基板W與處理工具7 1 a、 71 b之對向面之間的通路，連接成流通路徑。接著，在處 理室6 4之頂面和底面，於較隔壁7 1 a、7 1 b之形成位置的 基板搬運方向之前方側，分別設置氣體供給口 7 2 a、7 2 b， 在該各氣體供給口 7 2 a、7 2 b分別連通接續著空氣供給管 74a、74b。又，在處理室64之頂面和底面，於較隔壁71a、 7 1 b之形成位置的基板搬運方向之前方側，分別設置排氣 口 7 6 a、7 6 b，在該各排氣口 7 6 a、7 6 b分別連通接續著排 氣管 78a 、 78b 。 在具有此種構造之處理室64中，基板W被搬入到處理 室64内，即使處理室64之内部空間如圖6所示般地以基 板W分斷成為上·下部份，通過空氣供給管7 4 a、7 4 b將沖 洗用之空氣分別供給到基板搬運路徑之上方側空間和下方 側空間，又，通過排氣管7 8 a、7 8 b從基板搬運路徑之上方 側空間和下方側空間分別將空氣排氣。因此，藉由適當地 調節·控制對處理室 64内之空氣的供給流量和從處理室 6 4内的排氣流量，可確實地隔絕處理室6 4之内部環境和 外部環境。另外，由於處理室64内之空氣如圖6中以虛線 所示般地流動，故藉由形成該種氣流，可防止霧（粒子）再 附著於處理完成之基板W表面。 圖7至圖1 0為表示處理室的另一構造例之沿基板搬運 16 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 方向之剖面圖。該處理室8 0亦為具有基板搬入口 8 2和基 板搬出口 8 4之密閉型，在處理室8 0之内部設有處理工具 86，而在該處理室80於基板搬入口 82和基板搬出口 84 分別配置有氣體供給手段和氣體排出手段。 亦即，在處理室80之基板搬入口 82於包夾著基板搬運 路徑之上方側和下方側，設置有接近基板搬運路徑並對向 地開口之上·下一對的空氣吐出通路88a、88b，在各空氣 吐出通路8 8 a、8 8 b分別連通接續著流通接續到空氣供給源 (圖中未顯示）之空氣供給管90a、90b。又，在包夾著基板 搬運路徑之上方側和下方側，設置有鄰接空氣吐出通路 8 8 a、8 8 b、且接近基板搬運路徑並對向地開口之上·下一 對的空氣吸入通路92a、92b，在各空氣吸入通路92a、92b， 分別連通接續著流通接續到真空排氣泵（圖中未顯示）之排 氣管94a、94b。空氣吐出通路88a、88b和空氣吸入通路 9 2 a、9 2 b分別被設置成涵蓋基板搬入口 8 2之開口寬度（基 板搬運方向之正交方向的開口寬度）的全體。接著，從空氣 吐出通路88a、88b自該空氣吐出口朝向基板搬運路徑吐出 氣幕用空氣，該吐出之空氣通過空氣吸入口被吸入到空氣 吸入通路92a、92b内，如後述般地在基板搬入口 82形成 空氣氣幕。 另外，在處理室8 0之基板搬出口 8 4亦同樣地，在包夾 著基板搬運路徑之上方側和下方側，設置有接近基板搬運 路徑並對向地開口之上·下一對的空氣吐出通路 96a、 9 6 b，在各空氣吐出通路9 6 a、9 6 b分別連通接續著流通接 17 312XP/發明說明書(補件)/94-(M/93139789 1283013 續到空氣供給源（圖中未顯示）之空氣供給管 9 8 a、9 8 b。 又，在包夾著基板搬運路徑之上方側和下方側，設置有鄰 接空氣吐出通路9 6 a、9 6 b、且接近基板搬運路徑並對向地 開口之上·下一對的空氣吸入通路100a、100b，在各空氣 吸入通路1 0 0 a、1 0 0 b分別連通接續著流通接續到真空排氣 泵（圖中未顯示）之排氣管1 0 2 a、1 0 2 b。 雖圖中未顯示，但在各空氣供給管90a、90b、98a、98b 和各排氣管9 4 a、9 4 b、1 0 2 a、1 0 2 b分別插入設有開閉控制 閥。接著，利用控制裝置分別切換控制各開閉控制閥，藉 此在基板搬入口 8 2和基板搬出口 8 4經常地形成空氣氣 幕，構建成為使處理室8 0之内部環境和外部環境經常且確 實地被隔絕。該切換動作係以下面所述般進行。 首先，如圖7所示，當在處理室80内存在有基板W時， 分別在處理室 8 0之基板搬入口 8 2和基板搬出口 8 4，從 上·下一對之空氣吐出通路88a、88b; 96a、96b之空氣吐 出口 ，朝向基板搬運路徑分別吐出空氣，該被吐出之空氣 在基板W之上面和下面分別彈回，通過空氣吸入口分別被 吸入到上·下一對之空氣吸入通路92a、92b; 100a、100b 内並被排氣。依此，在處理室8 0之基板搬入口 8 2和基板 搬出口 84的基板W之上·下兩面側分別形成空氣氣幕。 其次，如圖8所示，當在處理室80内未存在有基板W 時，分別在處理室8 0之基板搬入口 8 2和基板搬出口 8 4， 從上方側或下方側（於圖示例中為上方側）之空氣吐出通路 8 8 a、9 6 a之空氣吐出口 ，朝向基板搬運路徑吐出.空氣，該 18 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 被吐出之空氣通過空氣吸入口被吸入到下方側或上方側 (於圖示例中為下方側）之空氣吸入通路9 2 b、1 0 0 b内並被 排氣。依此，僅從上·下一對之空氣吐出通路8 8 a、8 8 b ; 96a、96b之其中一側的空氣吐出口吐出空氣，在上*下一 對之空氣吸入通路92a、92b; 100a、100b中，僅於與吐出 空氣之空氣吐出通路為對向側的空氣吸入口吸入空氣，藉 此在處理室8 0之基板搬入口 8 2和基板搬出口 8 4分別形成 空氣氣幕。 又，如圖9所示，當基板W之前端位於處理室80内時， 在處理室80之基板搬入口 82，從上·下一對之空氣吐出 通路8 8 a、8 8 b之空氣吐出口，分別朝向基板搬運路徑吐出 空氣，該被吐出之各空氣在基板 W之上面和下面分別彈 回，通過空氣吸入口分別被吸入到上·下一對之空氣吸入 通路92a、92b内並被排氣。依此，在處理室80之基板搬 入口 8 2的基板W之上·下兩側分別形成空氣氣幕。另一方 面，在處理室8 0之基板搬出口 8 4，從上方側或下方側（於 圖示例中為上方側）之空氣吐出通路9 6 a的空氣吐出口，朝 向基板搬運路徑吐出空氣，該被吐出之空氣通過空氣吸入 口被吸入到下方側或上方側（於圖示例中為下方側）之空氣 吸入通路100b内並被排氣。依此，在處理室80之基板搬 出口 84形成空氣氣幕。 另外，如圖1 0所示，當基板W之後端位於處理室8 0内 時，在處理室8 0之基板搬入口 8 2，從上方側或下方側（於 圖示例中為上方側）之空氣吐出通路8 8 a的空氣吐出口，朝 19 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 向基板搬運路徑吐出空氣，該被吐出之空氣通過空氣吸入 口被吸入到下方側或上方側（於圖示例中為下方側）之空氣 吸入通路92b内並被排氣。依此，在處理室80之基板搬入 口 82形成空氣氣幕。另一方面，在處理室80之基板搬出 口 84，從上·下一對之空氣吐出通路96a、96b之空氣吐 出口朝向基板搬運路徑分別吐出空氣，該被吐出之各空氣 在基板W之上面和下面分別彈回，通過空氣吸收口分別被 吸入到上·下一對之空氣吸入通路 100a、1 0 0 b 内並被排 氣。依此，在處理室80之基板搬出口 84的基板W之上· 下兩面側分別形成空氣氣幕。 在上述之各實施形態之說明中，為處理室1 0、3 2、4 8、 6 4、8 0被固定而搬運基板W之方式，但亦可使處理室和基 板相對地移動以進行基板之處理。圖 1 1 ( a )所示之概略圖 的裝置，為如上述各實施形態之基板處理裝置般，將在内 部配置有處理工具104之處理室106固定而搬運基板W之 方式。圖11(b)所示之裝置為將基板W固定，而使處理室 1 0 6相對於基板W相對地移動。圖1 1 ( c )所示之裝置為使基 板W和處理室1 0 6分別朝向同一方向移動，而使處理室1 0 6 之移動速度較基板W之搬運速度慢。尚，亦可使基板W和 處理室1 0 6分別朝向互相相反之方向移動。圖1 1 ( d )所示 之裝置為將設有處理工具104a之處理室106a和設有處理 工具 104b之處理室 106b連續設置·於基板搬運方向並固 定，相對於該等之處理室1 0 6 a、1 0 6 b搬運基板W的構造例。 當然，與圖1 1 ( b)或（c)同樣地，亦可將基板W固定，使處 20 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 理室1 0 6 a、1 0 6 b相對於基板W移動，或使處理室1 0 6 a、 1 Ο 6 b以較基板搬運速度為慢之速度，與基板W朝向同一方 向移動。又，圖11(e)所示之裝置為將在包夾著基板搬運 路徑之上方和下方分別配置有處理工具1 0 8 a、1 0 8 b之處理 室1 1 0固定，相對於該處理室1 1 0搬運基板W的構造例。 當然，與圖1 1 ( b)或（c)同樣地，亦可將基板W固定，使處 理室1 1 0相對於基板W移動，或使處理室1 1 0以較基板搬 運速度為慢之速度，與基板W朝向同一方向移動。 【圖式簡單說明】 圖1表示本發明之實施形態之1例，為模式性地表示基 板處理裝置的概略構造之圖。 圖2為圖1所示之基板處理裝置之處理室的概略平面圖。 圖3為模式性地表示本發明之其他實施形態之基板處理 裝置的概略構造之圖。 圖4表示本發明之基板處理裝置之處理室的構造例，為 處理室之沿基板搬運方向之剖面圖，且為圖5之I V - I V箭 頭視線剖面圖。 圖5為圖4所示之處理室的基板搬運方向之正交方向之 剖面圖，且為圖4之V-V箭頭視線剖面圖。 圖6為表示本發明之基板處理裝置的處理室之其他構造 例之沿基板搬運方向的剖面圖。 圖7為表示本發明之基板處理裝置的處理室之其他構造 例之沿基板搬運方向的剖面圖。 圖8同樣為處理室之剖面圖，表示與圖7所示之狀態為 21 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 0 狀 之 異 相 狀 示 所 8 圖 和 7 圖 與 示 表 圖 面 剖 之 室 S 處 為 樣 同 9 圖 態 狀 之 異 相 為 態 大 M3 之 示 所 9 圖 至 7 圖 示 表 圖 面 剖 之 室 S 處 為 榡 同 ο 11 圖 態 大 之 異 相 為 態 圖 至 a 之 移 對 相 之 室 ^*•1 S 處 和 板 基 示 表 別 分 為 圖 式 模 的 樣 態
W
ο IX 明 8 說 、 號64 符板、 件基48 元 、 要32 主 、 室 S 處 106、 106a、 106b、 110 12、 34、 50、 66、 82 基板搬入口 14、 36、 52、 68、 84 基板搬出口 16 處理工具（超音波·高壓喷射洗淨·水洗處理部） 18 處理工具（氣刀乾燥處理部） 2 0、2 2 滾筒輸送器 24、 40、 56、 72a、 72b 氣體供給口 26 、 42 、 76a 、 76b 排氣口 28、 44、 58、 74a、 74b 空氣供給管 、90a、 90b、 98a、 98b 3 0、46、78a、78b、9 4 a 排氣管 94b > 102a、 102b 38 蝕刻處理部 54、 70a、 70b、 86、 104處理工具 104a、 104b、 108a、 108b 60 排氣·排液口 62 排氣·排液管 22 312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 1283013 88a、88b、96a、9 6b 空氣吐出通路 92a、92b、100a、100b 空氣吸入通路
312XP/發明說明書(補件)/94-04/93139789 23