TWI281661B - Method and device for detecting defect signals on a disc - Google Patents

Description

1281661 七、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（二）圖。 • \ (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 202〜碟片；204〜主軸馬達；206〜推動馬達；208〜鏡片；209 〜讀寫頭；210〜伺服機控制單元；212〜功率驅動器；220〜 前級放大器；230〜分片器；240〜鎖相迴路；250〜解碼器； 260〜缺陷偵測裝置；270〜邏輯組合單元；280〜資料路徑控 制單元 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 九、 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 • · 本發明係有關於訊號偵測之領域，特別是關於在碟片上 儀測缺陷訊號（defect signal)的方法與裝置。 【先前技術】 現今，碟片型式的儲存媒介由於具備強大的儲存能力而被 廣泛用來保存資料。這種碟片型式的儲存媒介，例如光碟片， 亦即CD-R碟片、CD-RW碟片、DVD-R碟片、DVD-RW碟片、 •DVD+R碟片、DVD+RW碟片、或DVD-RAM碟片等，也對儲 存於其中的資料提供較佳的保護以免於損傷。然而對於資料 1281661 % - 儲存而言，上面所描述的特色並不意味著光碟片為完美的儲 存媒介，某些缺陷可能發生於它們裸露的表面上，例如深的 到痕（deep scratch)、淺的刮痕（shan〇w scratch)，甚至於指紋 (fmgerprint)等等，這些缺陷（defec〇不只導致系統讀寫時發生 錯誤，也會於讀寫資料時產生對系統之干擾。因此偵測碟片 上的缺陷以保護系統避免出現被干擾或不穩定的情況是报重 要的事。 • 以往習知技術是利用訊號振幅（amplitude)的差異，例如射 頻位平（RF leve卜RFLVL)或是次電波訊號附加（sub如咖 added，SBAD)訊號，來偵測碟片上的缺陷。如第一 a圖所 ，示，其係為藉由習知射頻位準偵測方法㈣測深缺陷所得的 訊號示意圖。在第一 A圖中，射頻訊號11〇於時段12〇有一 個凹陷區域112。這表示凹陷區域112相對應的資料因缺陷而 又知，以至於無法讀出時段12〇中的射頻訊號11〇。更進一步 而吕，凹陷區域112的深度顯示缺陷的深度。由射頻訊號ιι〇 _經過一低通渡波器所形成的射頻位準（RFLVL)訊號ιΐ4顯現出 射頻訊號1'的封包（envelope)。偵測臨界值13〇為一固定 的直流參考電位。當RFLVL訊號114於時段12〇中低於偵測 臨界值i30時’缺陷旗標訊號14〇從低準位（邏輯狀態' 〇浪升 至高準位（邏輯狀態υ，代表偵測到一缺陷。此外， FE/TE(focusing err〇r/tracking e贿)訊號 15〇 分別於時段⑶ 的起點和終點產生正凸波（surge) 152及負凸波⑼㈣干聚 焦（focusing)及循執（tracking)的錯誤訊號。然而，當缺陷 :旗標訊號140由低準位提升至高準位時，伺服機系統，:如 1281661 焦與循轨伺服機，及資料路徑 分片罘Π 4 制糸、、先，例如前級放大器、 刀片态（sheer)或鎖相迴 因而可u® „ Λ 就此侍知系統偵測到缺陷訊號， u而可以利用一些適當的保 與不穩定性。 法及裝置來降低潛在的干擾 、“參考弟一 Β圖，其係為藉由習知射頻位準偵測方法來偵 測次缺陷所得的訊號示意圖。在第頻; 於時段咖中有—凹陷區域112]。這射頻w 相對應的資料因缺陷而受損丁凹區域112-1 nn】m 锔以至於知段U1中的射頻訊號 ,51 ,, 仁疋凹m-ι的深度可能只是 叉到一淺缺陷的影響，例如一 似夂刮痕，不似第一 A圖所示 之凹陷區域112那麼深qRFLV]： Λ旎1丨4-1顯現出射頻訊號 -1的封包。谓測臨界值13(Μ如同第一 α圖所示之请測臨 i 130 ^ i定的直流參考電位。报明顯的，肌vL訊號 叫總是高於偵測臨界i购，因為淺缺陷並未造成足多句 沬的凹陷區域m-ι。因此，不只缺陷旗標訊號14(M對淺缺 陷無反應’而且除了一些雜訊外，FE/TE訊號15〇·}並沒有明 顯的改變。更進一步而言，由於並未偵測到淺缺陷，一些保 護的方法及裝置並未被觸發來保護系統免於潛在的干擾即不 穩定性換句話說，伺服㈣統及資料路徑控㈣統很容易 在此種缺陷情況下被影響。 類似的情況，參考第一 c圖，其係為藉由習知射頻位準 偵測方法來偵測指紋所得的訊號示意圖。在第一 C圖中，射 頻訊號110-2於時段120-2中有一凹陷區域112_2。這也表示 1281661 凹陷區域112-2相對應的資料因缺陷而受到輕微的影響，以至 於射頻訊號110-2於時段120-2有較弱的振幅。同樣的，凹陷 - 區域112-2可能只受到淺缺陷的影響，例如指紋，也不如第一 B圖所示之凹陷區域112-1那麼深。RFLVL訊號114-2顯現出 射頻訊號110-2的封包，且偵測臨界值130-2如同第一 A圖所 .，示·之偵測臨界值130為一固定的直流參考電位。RFLVL訊號 .η4·2總是高於偵測臨界值130-2，因為淺缺陷並未造成足夠 深的凹陷區域112-2。因此，不只缺陷旗標訊號140-2對淺缺 φ .陷·_.反應，而且除了 一些雜訊外，FE/TE訊號150_2並沒有明 i員.的改變。這情況類似於第一 Β圖所描述的情況，伺服機系 -統及負科路控控制系統不能被安全地保護。然而另一方面， 第一 B圖與第一 c圖所示之缺陷根據他們受損的深度、寬度 及方向’包含不同的狀態。有些缺陷可能還有原始的資料， 但是其他的只有已損壞的資料。因此，很難只靠偵測臨界值 的比較來決定缺陷旗標訊號。 ^ '【發明内容】 有於此，本發明揭露一於碟片上偵測缺陷訊號的裝置與方法，用以 ώ良上述所提到有關偵測缺陷訊號之習知技術，並解決習知技術偵測缺陷 訊號的缺點及問題。 r • · 本發明為根據各種不同的偵測標準，提供偵測缺陷的方法及裝置使得 倩㈣缺陷可以更為精確。 另一方面，本發明之偵測碟片上缺陷訊號的方法及裝置，更能偵測一 1281661 特定缺陷，用以啟動相關保護機制，保護系統免於干擾及不穩定性。 ♦本發明提供-種偵測碟片上缺陷訊號的裝置。該裝置包含一缺陷侧 裝置，用以接收複數個缺陷偵測訊號以設置複數個缺陷旗標訊號,·以及一 邏輯組合單元，用以對該些缺陷旗標訊號執行_邏輯運算以_一特定缺 陷，以對舰機测單元及簡路徑控鮮元啟動相義護制，其中該 缺·陷偵測單元包含-ADefect偵測裝置、一 ADefectl偵測褒置、一 麵efeCt_裝置、-中_測裝置、—Rp])efect細懷置以及一 DSPDefect偵測裝置。 本發明進—步揭露—種_碟片上缺随號的方法。本方法包含下列 •步驟·接收-射親號並產生_對應該侧喊之封訊號； 使用ADefect偏j以偵測—深缺陷並產生一第一缺陷旗標訊號；使用 ADefecti侧以__淺缺賴產生—第二缺_標訊雜^ •似以異吊資料長度並產生—第三缺_標職；使财斷侧以 摘到貝料中斷並產生_第四缺陷旗標訊號；使謂她以偵測以偵測 、 讀巾斷並產生_第五缺陷旗標減；制DSPDefect横測 、、σ "動之轉縣伽1 卜缺陷並產生—第六缺陷旗標訊號；以及 對該第一、該第二、一 一、〜弟二、該第四、該第五以及該第六缺陷旗標訊號執 行-邏輯運知__特定之缺陷。 *本發明之一* ^ 4->U i , 也，中’该ADefect偵測為比較該封包訊號與一第一臨 界位準’當該4 ^ 、氏號低於A第—^界位準時，設置(assert)該第-缺陷 1281661 旗標訊號。 本發狀-實施财，該腕eetl_^_封包減與比該第〆 臨界位準高之―第二臨界位準，當觸包峨低_第二臨界位準時，設 .置s亥第一·缺陷旗標訊號。 .本發明之-實施例中，該EFMDefect偵測更包含下列步驟：比較該射 蘋訊議之-育料柩架(data frame)與一第一預設資料長度，且當有至少d 個射頻訊號之樣式短_第—預設長度時，設魏第三旗標訊號；比 輯該射頻《之該龍框架與—第二預設資料長度，且當有至少n2個射 頻訊號之樣式長於該第二職長度時，設置該第三缺陷旗標訊號 ;比較該 射頻訊號之該簡框賴-非常（seriQUS) f料長度，且#錢少心個 射頻訊號之樣式長於鮮常資料長度時，設置鄕三缺陷旗標訊號；以及 當有至少於n4個射頻訊號之樣式介於該第一預設資料長度及該第二預設 資料長皮之間時，清除(de-assert)該第三缺陷旗標訊號。 本發明之一實施例中，該中斷偵測為比較該封包訊號與比該封包訊號 冋之一第二臨界位準，當該封包訊號高於該第三臨界位準時，設置該第四 缺陷旗樨訊號。 本發明之一實施例中，該RPDefect偵測為比較一 RFRP訊號與比該第 一臨界位準高之一第四臨界位準，當該RFRP訊號低於該第四臨界位準時， 設翠該第五缺陷旗標訊號，其中該RFRP訊號可為射頻訊號的峰端封包(peak envel〇Pe)或底端封包(bottom envelope)，也有可能為射頻訊號的峰端到 1281661 底端（peak to bottom)之值。 本發明之一實施例中，該DSPDefect偵測為比較該 a ^乙訊?虎與一 RFLVL一LPF訊號之間差異的絕對值與一第五臨界位準，火= 、 RFLVL-LPF訊號之間差異的絕對值高於該第五臨界位 ^包汛號與該 卡τ，設置該苐六缺 ¥旗“成號’其巾gRFLVL—LPF峨為該封包訊號經—低通滤波器〇〇w Pass filter)所產生。 • 【實施方式】 本發明的一些實施例將會在此較詳細地介紹。不過，必 員要了解本發明除了以下詳述的實施例之外，還可以以其他 車父大範·圍的實施例來實施，本發明所保護的範圍應在附錄的 申請專利範圍之内。此外，為使例證簡潔以及使本發明易於 了解·，一些無關之細節並未描繪出來。 請參考第二圖，其係為根據本發明所繪示之一應見缺陷 _ •俄測裝置之光碟機方塊示意圖。在第二圖中，伺服機控制單 :-元.21 〇透過功率驅動器212控制相關機電裝置，例如主軸馬達 2〇4的轉速、推動馬達2〇6的移動，以及鏡片2〇8些微的循執 與·聚焦的移動。也就是說，伺服機控制單元210可以使得鏡片 2〇8不只疋對準碟片202的正確軌道，也可於資料讀取與轉移 ••時有較好的聚焦。透過讀取頭2〇9於水平方向上粗略的移動及 鏡片208於水平方向上些微的循執移動，以及鏡片2〇8於垂直 •方·向上些微的聚焦移動，伺服機控制單元21〇可以使得鏡片208 於權片2 0 2之正確軌道上有較好的聚焦。資料路徑控制單元2 8 0 12 1281661 包含一如級放大器220、分片器（511〇61〇230、鎖相迴路（卩11&56 1〇〇]<: loop，PLL)240及解碼器250。前級放大器220由鏡片208接 收資料訊號並產生各種不同的訊號，例如資料處理用的射頻

訊號、伺服機控制單元210用的伺服機控制訊號，即FE/TE 訊號' 以及偵測缺陷用的其他訊號，即8到14個位元調變（eight to fourteen modulation，EFM)訊號及射頻位準（RFLVL)訊 *# '號。分片器230將由前級放大器220輸出來的射頻訊號數位化。 , 鎖相迴路240使得數位化的射頻訊號與系統計時器同步，且根 φ 據系統計時器計算數位化的射頻訊號的長度。解碼器250解譯 數位化的射頻訊號至一主機（未圖示）。為了偵測各種不同的 訊號，缺陷偵測裝置260透過不同的缺陷偵測方法來設定相對 應的缺陷旗標訊號，從前級放大器220接收各種不同的訊號， 以及從分片器230及鎖相迴路240接收EMF訊號。其中，不 同的缺陷偵測方法包含ADefect偵測方法、ADefectl偵測方 法、EFMDefect偵測方法、RPDefect偵測方法、中斷偵測方 法、及DSPDefect偵測方法，用以設置（set)ADefect旗標訊號、 φ- ADefectl旗標訊號、EFMDefect旗標訊號、RPDefect旗標訊 號、中斷旗標訊號及DSPDefect旗標訊號。此缺陷偵測裝置260 .- 可為一微處理器，或為一數位信號處理器（Digital Signal Processor，DSP)，其内部儲存上述該些偵測方法之韌體，用 以執行相對應之缺陷偵測。邏輯組合單元270對該些缺陷旗標 ”…訊號執行適當的邏輯運算，例如簡單的“或，，運算或者“及” i算，來精確地偵測缺陷。當此運算結果顯示偵測到一缺陷 時，邏輯組合單元270會觸發缺陷保護（defect protection)方法 13 1281661 及裝置來保護相對應的單元，例如伺服機控制單元210、前級 放大器220、分片器230、鎖相迴路240、及解碼器250。此 邏輯組合單元270可為數位邏輯電路，由使用者設計所需的運 算邏輯。 如第三A圖到三F圖所示，其係為根據本發明所繪示之 缺陷偵測方法流程圖。參閱第三A圖，其係為ADefect缺陷 ‘測方法流程圖。首先，比較RFLVL訊號與ADefect位準（步 驟3U)，其中RFLVL訊號為射頻訊號的封包，且ADefect位 準為固定的直流參考電位。當RFLVL訊號低於ADefect位準 時，ADefect旗標設成邏輯狀態1(步驟315)。當RFLVL訊號 高於ADefect位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間内（步驟 312)。當在該缺陷延遲時間内，RFLVL訊號高於ADefect位準， 則ADefect旗標設成設成邏輯狀態1(步驟314)。然而，當未 於該缺陷延遲時間内，RFLVL訊號高於ADefect位準時，則 ADefect旗標設成邏輯狀態0(步驟3 13)。ADefect偵測方法可 用於偵測深缺陷，例如刮痕。ADefect旗標訊號從低準位（邏輯 狀Μ 〇)提升至高準位（邏輯狀態1)，代表偵測到一缺陷。 參閱第三B圖，其係為ADefectl缺陷偵測方法流程圖。 第三B圖中的所有步驟與第三A圖類似。首先，比較RFLVL 訊號與ADefectl位準（步驟321)，其中RFLVL訊號為射頻訊 號的封包，且ADefectl位準為固定的直流參考電位，其中 ADefect·位準與ADefectl位準主要的差別在於ADefectl位準 高於ADefect位準，使得ADefectl偵測對於淺缺陷及指紋較 14 1281661 ADefecH貞測敏感。當RFLVL訊號低於ADefeCtl位準日夺’ _ ADefecti旗標設成邏輯狀態1 (步驟325)。當RFLVL訊號高於 'ADefectl位準時，則判斷是否在一缺陷延遲時間内（步驟322)。 當在該缺陷延遲時間内，RFLVL訊號高於綠㈣1位準，則 ADefectl旗標設成設成邏輯狀態1(步驟324)。然而，當未於 蜂陷延遲時間内，RFLVL訊號高於ADefectl位準時’則 • ADefectl旗標設成邏輯狀態〇(步驟323)。ADefeCtl旗標訊號 .從低準位（邏輯狀態〇)提升至高準位（邏輯狀態丨）’代表偵測到 φ . 一.缺陷。 參閱第三€圖，其係為EFMDefect缺陷偵測方法流程圖。 當一資料領域（sector)或資料框架（frame)有至少nl個射 頻訊號之樣式短於一第一預設資料長度，EFMDefect旗標設成 邏輯狀態1(步驟Ml)。例如’對CD與DVD而吕弟一預又資 料長度為3 T。當此資料領域或資料框架有至少個射頻义5虎 之樣式長於一第二預設資料長度時，EFMDefect旗標設成邏輯 狀態1(步驟332)。例如’此第二預設資料長度對於CD及DVD • 而言，分別為11T與14T。當此資料領域或資料框架有至少n3 個射頻訊號之樣式長於一非常（serious )資料長度時’例如 18·Υ，EFMDefect旗標設成邏輯狀態U步驟333)。另一方面’ 當此資料領域或資料框架有至少n4個射頻訊號之樣式介於第 一預設資料長度與第二預設資料長度之間，EFMDefect旗標設 成邏輯狀態〇。EFMDefect偵測方法可用於偵測異常的訊號長 度，且為即時缺陷偵測方法。其中，當變數nl、n2、n3及n4 的數值較小時，EFMDefect偵測方法較為敏感。EFMDefect旗 15 1281661 標訊號從低準位（邏輯狀態〇)提升至高準位（邏輯狀態1)，代表 偵測到一缺陷。 參蘭第三D圖，其係為中斷缺陷偵測方法流程圖。第三 D圖中的所有步驟與第三A圖類似。首先，比較RFLVL訊號 . 與中斷位準（步驟341)，其中RFLVL訊號為射頻訊號的封包， 且中斷位準為固定的直流參考電位，其中中斷位準的設定高 於RFLVL訊號以偵測因全反射而產生的缺陷。當RFLVL訊號 高於中斷位準時，中斷旗標設成邏輯狀態1(步驟345)。當 _ RFLVL訊號低於中斷位準時，貝|J判斷是否在一缺陷延遲時間 —内（步.驟342)。當在該缺陷延遲時間内，RFLVL訊號低於中斷 位準，則中斷旗標設成邏輯狀態1(步驟344)。然而，當未於 缺陷延遲時間内，RFLVL訊號低於中斷位準時，則中斷旗標 設成邏輯狀態〇(步驟343)。中斷旗標訊號從低準位（邏輯狀態 〇)提升至高準位（邏輯狀態1)，代表偵測到一缺陷。

參考第三E圖，其係為RPDefect缺陷偵測方法流程圖。 φ k第三E圖中的所有步驟與第三A圖類似。首先，比較RFRP 訊號與RPDefect位準（步驟351)，其中RFRP訊號可能為射頻 訊號的峰端封包或底端封包，也有可能為射頻訊號的峰端到 底端之值，且RPDefect位準為固定的直流參考電位。當RFRP 訊?虎低於RPDefect位準時，RPDefect旗標設成邏輯狀態1(步 驟355):當RFRP訊號高於RPDefect位準時，則判斷是否在 二缺陷延遲時間内（步驟352)。當在該缺陷延遲時間内，RFRP 訊號高於RPDefect位準，則RPDefect旗標設成設成邏輯狀態 16 1281661 1(步驟354)。然而，當未於缺陷延遲時間内，RFRP訊號高於 RPDefect位準時，則RPDefect旗標設成邏輯狀態〇(步驟353)。 RPDefect旗標訊號從低準位（邏輯狀態0)提升至高準位（邏輯狀 態1)，代表偵測到一缺陷。RPDefect偵測方法透過進一步處 癱 理射頻訊號來偵測缺陷，所以對於缺陷偵測較為敏感。由於 對偵測缺陷的敏感度，使得RPDefect偵測適合用來偵測小刮 戒以.及中斷缺陷。 參考第三F圖，其係為DSPDefect缺陷偵測方法流程圖。 第三F圖中的所有步驟與第三A圖類似。首先，比較RFLVL 訊號與RFLVL_LPF訊號之間差異的絕對值與一預設臨界值（步 驟3_61)，其中RFLVL_LPF訊號為RFLVL訊號經過低通濾波 器之後一個緩慢漸降的訊號。當RFLVL訊號與RFLVL_LPF 訊號之問差異的絕對值高於該預設臨界值，則DSPDefect旗標 設成‘輯狀態1(步驟365)。當RFLVL訊號與RFLVL_LPF訊 麓之間差異的絕對值低於該預設臨界值時，則判斷是否在一 缺陷延遲時間内（步驟362)。當在該缺陷延遲時間内，RFLVL 訊號與RFLVL_LPF訊號之間差異的絕對值低於該預設臨界 值，貝1丨DSPDefect旗標設成邏輯狀態U步驟364)。而當未於 缺陷延.遲時間内，RFLVL訊號與RFLVL JLPF訊號之間差異的 絕對值低於該預設臨界值時，則DSPDefect旗標設成邏輯狀態 0(步驟363)°DSPDefect旗標訊號從低準位（邏輯狀態0)提升 至高準位（邏輯狀態1)，代表偵測到一缺陷。DSPDefect偵測 方，法透過一可變動之臨界值來偵測缺陷，因此不需要固定的 直流參考電位。 17 1281661 以下將舉一最佳實施例來說明上述數種缺陷偵測方法之 應用。請參考第四圖，其係為根據本發明的缺陷偾測方法來 偉測不同的缺陷所得的訊號示意圖。在第四圖中，射頻訊號41 有一床凹ρ曰區域’因此它的封包訊號411也有一深凹陷區域。 根據之前提過的ADefectl及ADefect偵測方法，當封包訊號411 低於 ADefectl 位準 402 及 ADefect 位準 401 時，ADefectl 旗 標訊號.416及ADefect旗標訊號415分別由邏輯狀態0設成邏 輯狀態丨。因為此凹陷區域足夠寬，且產生異常資料長度，所 • 以eEFMPefeCt.標訊號417 一樣也由邏輯狀態0設成邏輯狀 …態1。:·中斷旗標訊號419對此凹陷區域沒有任何反應，因為封 -包•訊號411總是低於中斷位準4〇4。RFRp(峰端維持）訊號412 及RFRP(底端反向）訊號413分別表示射頻訊號41的峰端封包 •及反向底端封包。因此，RFRP(峰-底）訊號414由RFRp(峰端 維持）訊號412減RFRP(底端反向）訊號413所得到。當RFRp(峰 -底）訊號414低於RPDefect位準405時，RPDefect旗標訊號 由邏輯狀態0設成邏輯狀態丨。如此，由深缺陷所造成的深凹 •陷區域，例如刮痕，可以透過ADefect、ADefect卜EFMDefect 灰RPDefect偵測方法而偵測出來，因為它的深度及寬度對於 缺陷偵測而言，夠深且夠寬。 .射頻訊號42有一淺及窄的凹陷區域，因此它的封包訊號 421也有相同的形式。根據ADefecU偵測方法，當此封包訊 號42i低於ADefectl位準4〇2時，…也⑴旗標訊號4%由 '.邏輯狀態〇設成邏輯狀態i。RFRP(峰端維持）訊號422及 RFRP(底端反向）訊號423分別表示射頻訊號42的峰端封包及 18 1281661 反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底）訊號424由RFRP(峰 端維持）訊號422減RFRP(底端反向）訊號423所得到。然而 ADefect旗標訊號425、EFMDefect旗標訊號427、中斷旗標 •訊號，29對此淺且窄的凹陷區域沒有任何反應’因為封包訊號 411總是高於ADefect位準401，也並不滿足之前所提的 EFMDefect偵測方法的條件，亦即並無偵測到異常的資料長 度':冼且總是低於中斷位準404。如此淺且窄的凹陷區域可能 是由一淺刮痕所引起，只能由ADefectl及RPDefect偵測方法 • 來偵測出來，因為它的深度及寬度不符合其他的缺陷偵測條 件。 射頻訊號43有一淺及寬的凹陷區域，因此它的封包訊號 431也^1相同的形式。當此封包訊號431低於ADefectl位準402 '時，ADefectl旗標訊號436由邏輯狀態〇設成邏輯狀態1。因 為此凹陷區域足夠寬’也產生異常資料長度’ EFMDefect旗標 訊號437 —樣由邏輯狀態〇設成邏輯狀態1。RFRP(岭端維持） 訊號432及RFRP(底端反向）訊號433分別表示射頻訊號43的 籲 峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底）訊號434 由：RFRP(峰端維持）訊號432減RFRP(底端反向）訊號433所得 到。當’ .RFRP(峰-底）訊號434低於RPDefect位準405時’ RPDefect旗標訊號由邏輯狀態0設成邏輯狀態1。然而ADefect 旗標訊號435及中斷旗標訊號439對此淺且寬的凹陷區域沒有 任何反應，因為封包訊號431總是高於ADefect位準401且低 於中斷位準404。如此淺且寬的凹陷可能是由一淺缺陷所引 一起，且因為它的深度及寬度不符合其他的缺陷摘測條件’所 19 1281661 以只能由ADefecU、EFMDefect及RPDefect偵測來偵測出來。 _ 射頻訊號44有一淺及寬的凹陷區域，因此它的封包訊號 441也有相同的形式。當此封包訊號441低於ADefectl位準402 時’ ADefectl旗標訊號446由邏輯狀態0設成邏輯狀態1。 RFRP(峰端維持）訊號442及RFRP(底端反向）訊號443分別表 示射頻訊號44的峰端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰 '底）訊號444由RFRP(峰端維持）訊號442減RFRP(底端反向） -铒號443所得到。因為RFRP(峰-底）訊號444總是高於RPDefect 位平405 ’所以RPDefect旗標訊號448對此淺且寬的凹陷區 域沒有反應。此外，ADefect旗標訊號445、EFMDefect旗標 訊號447以及中斷旗標訊號449都對此淺且寬的凹陷區域沒有 任何反應’因為此封包訊號441總是高於ADefect位準401， 也並無偵測到異常的資料長度，且總是低於中斷位準404。如 此淺且寬的凹陷區域可能是由指紋所造成，在此情況下，因 為它的深度及寬度不符合其他的缺陷偵測條件，只能由 _ ADefectl偵測來偵測出來。 至’於射頻訊號45及射頻訊號46，兩者皆由很強訊號之強 度所造成’例如強光反射。射頻訊號45於其峰端及底端封包 具有強振幅之區域，此區域也稱為中斷缺陷區域。因此它的 封包訊號451有此相對應的形式。由於此中斷缺陷區域足夠 寬，且產生異常資料長度，EFMDefect旗標訊號457由邏輯狀 一態·0設成邏輯狀態1。當封包訊號451高於中斷位準404，中 斷旗標訊號459也由邏輯狀態〇設成邏輯狀態1。至於其他的 20 1281661 旗標訊號，因為封包訊號451總是高於ADefectl位準4〇2及 ADefect位準401，ADefectl旗標訊號456及ADefect旗襟气 號455對此封包訊號451沒有任何反應。RFRP(峰端維持）訊 號452及RFRP(底端反向）訊號453分別表示射頻訊號45的峰 端封包及反向底端封包。更進一步，RFRP(峰-底）訊號454由 RFRP(峰端維持）訊號452減RFRP(底端反向）訊號453所得到。 因為RFRP(峰-底）訊號454總是高於RPDefect位準405，所以 RPDefect旗標訊號458對這種中斷缺陷區域沒有任何反應。 鲁.這種中斷嘴陷區域只能透過之前提過的EFMDefect偵測及中 斷偵測方法來偵測出來。 射頻訊號46由其底端封包形成反向凹陷區域，因此它的 峰喊封包訊號461有相對應的形式。EFMDefect旗標訊號467 由邏輯狀態0設成邏輯狀態1，因為此中斷缺陷區域足夠寬， 且產生異常資料長度。RFRP(峰端維持）訊號462及RFRP(底 端各向）訊號463分別表示射頻訊號46的峰端封包及反向底端 封έ。更進一步，RFRP(峰-底）訊號464有一由RFRP(峰端維 w 持）訊號·462減RFRP(底端反向）訊號463所形成的深凹陷區 域。/當RFRP(峰-底）訊號464低於RPDefect位準405時， RPDefect旗標訊號468由邏輯狀態0設成邏輯狀態1。當封包 訊號461高於中斷位準404時，中斷旗標訊號469由邏輯狀態 0設成邏輯狀態1。然而因為封包訊號461高於ADefectl位準 402 及 ADefect 位準 401，所以 ADefectl 旗標訊號 466 及 ADefect 旗標訊號465對此封包訊號461沒有任何反應。這種中斷缺陷 區域只能由之前提過的EFMDefect、RPDefect及中斷偵測方 21 1281661 法來偵測出來。 一般而言，比起ADefect偵測，ADefectl偵測方法較適合 偵測小且淺的缺陷區域。RPDefect偵測方法對於偵測小刮痕 較敏感。因此，應該了解到本發明所提及的缺陷積測方法， 對於特定的缺陷偵測可以各種方式結合而成。例如對於小刮 痕偵測，可以透過“或，，邏輯來結合ADefectl與EFMDefect 偵測方法，或者小刮痕偵測之外，不要偵測指紋，則可透過 .及邏輯來結合ADefectl與EFMDefect偵測方法等等。 .本，明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神 和範._，當可做各種的更動與潤飾，因此本發明之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 .第一 A圖係為藉由習知射頻位準㈣方法來偵測深缺 所.得的訊號示意圖； .··第一 B圖係為藉由習知射頻位準偵測方法來偵 所得的訊號示意圖； 、 ^第广c圖係為藉由習知射頻位準偵測方法來偵 得的訊號示意圖； 陷 測淺缺陷 測指紋所 第二圖係為根據本發明所綠 示之一應用缺陷偵測裝 光碟機方塊示意圖； 第一 A圖至第二F圖係為根據本發明所 置之 繪示之缺陷偵測 22 1281661 方法流程圖；以及 第四圖係為根據本發明的缺陷偵測方法來偵測不 - 的缺 陷所得的訊號示意圖。 【主要元件符號說明】 110、·11(Μ、110_2〜射頻訊號； 112、112-1、112-2〜凹陷區域； φ / 114、114-1、114-2〜射頻位準訊號； 春 120、120-1、120-2〜時段； 130、1·30-1、130-2〜偵測臨界值； 140、140-1、140-2〜偵測旗標訊號； 150、.150_1、15〇_2〜FE/TE 訊號； 152〜正凸波；154〜負凸波； 202〜碟片；204〜主軸馬達；206〜推動馬達；208〜鏡片；2〇9 〜讀寫頭；210〜伺服機控制單元；212〜功率驅動器；22〇〜 前級放大器·，230〜分片器；240〜鎖相迴路；25〇〜解碼器； 籲260〜缺陷偵測裝置；270〜邏輯組合單元；28〇〜資料路徑控 制單元； ' • 311、、313、314、315、321、322、323、324、325、342、 352、#2、331、332、333、341、342、343 ν 344、345、351、 352、3.53、354、355、361、362、363、⑽、奶〜步驟； 401 〜ADefect 位準；402 〜ADefectl 位準； 404〜中斷位準；4〇5〜RPDefect位準； 41、42、43、44、45、46〜射頻訊號； 23 1281661 411、 421、431、441、451、461 〜封包訊號； 412、 422、432、442、452、462〜RFRP(峰端維持）訊號； 413、 423、433、443、453、463 〜RFRP(底端反向）訊號； 414、 424、434、444、454、464〜RFRP(峰-底）訊號； 415、 425、435、445、455、465〜ADefect 旗標訊號； 416、 426、436、446、456、466〜ADefectl 旗標訊號； 417、 427、437、447、457、467〜EFMDefect 旗標訊號； 418、 428、438、448、458、468〜RPDefect 旗標訊號； • 419、429、439、449、459、469〜中斷旗標訊號。

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Claims (1)

1281661 十、申請專利範圍： 1. 一種偵測碟片上缺陷訊號之裝置，包含： 一缺陷偵測裝置，接收複數個缺陷偵測訊號以設置複數 個缺陷旗標訊號，其中該缺陷偵測裝置包含一 ADefect偵測單 羌、一 ADefectl偵測單元、一 EFMDefect偵測單元、一中斷 偵測單元、一 RPDefect偵測單元以及一 DSPDefect偵測單元； ，以及 ' . 邏輯組合單元，用以對該複數個缺陷旗標訊號執行一 ^ - # 邏輯運算以偵測一特定之缺陷； 其中該複數個缺陷偵測訊號至少包含一射頻訊號之一封 包（envelope)訊號以及8至14個位元調變（eight to fourteen modulation，EFM)訊號。 2. 如f請專利範圍第1項所述之裝置，其中該ADefect偵 .測單元將該封包訊號與一第一臨界位準比較，當該封包訊號 :‘低於該第一臨界位準時，設置（assert)—第一缺陷旗標訊號。 # · •申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該ADefectl 偵'測單元將該封包訊號與比該第一臨界位準高之一第二臨界 位準比較，當該封包訊號低於該第二臨界位準時，設置一第 • i 二缺陷旗標訊號。 4.如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該EFMDefect 偵’潮單元包含： 將該射頻訊號之一資料框架（data frame)與一第一預設資 料'長度比較，且當有至少nl個射頻訊號之樣式短於該第一預 25 1281661 號之間差異的絕對值與一第五臨界位準比較，當該 與該RFLVL_LPF訊號之間差異龍對值高於該第五臨界位準u 時，設置一第六缺陷旗標訊號。 平 8·—種偵測碟片上缺陷訊號之方法，包含·· 接收一射頻訊號並產生一對應該射頻訊號之封勺 (envelope)訊號； 匕 使用ADefect偵測以偵測一深缺陷並產生一第一 訊號； 知 使用ADefect"貞測則貞測一淺缺陷並產生一第 標訊號； A 使用EFMDefect偵測以偵測一異常資料長度並產生 三缺陷旗標訊號； •使用中斷制以彳貞測—f料中斷並產生—第四缺陷 訊號； T 使用RPDefecn_,x偵測—小缺陷及_資料中斷並產生 一第五鳞•陷旗標訊號； 々使用DSPDefect#測以透過一可變動之臨界值來谓測一缺 陷並庠生一第六缺陷旗標訊號；以及 上對該第-、該第二、該第三、該第四、該第五以及該第 六梦陷旗標訊號執行一邏輯運算以偵測一特定之缺陷。 • 9.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該ADefect^ 測.·為比較該封包訊號與―第—臨界位準，當該封包訊號低於 該第一臨界位準時，設置（assert)該第一缺陷旗標訊號。 27 丄281661 1 〇·如申凊專利範圍第8項 偵測A a > 、厅攻之方法，其中該ADefectl 包訊號與比該第-臨界位準高之-第二臨界 陷旗標‘號/“5*低於該第二臨界位準時，設置該第二缺 U.如申請專利範圍第8項所沭 .^ _更包含： 貝所返之方法，其中該EFMDefect 第-㈣ μ0Γ，且*有至少nl個射頻訊號之樣式短於該第-預設 長度日”設置該第三缺陷旗標訊號； 且二較Γ射頻訊號之該資料框架與-第二預設資料長度， 署n2個射頻訊號之樣式長於該第二預設長度時，設 置該弟二缺陷旗標訊號； έ射頻Λ娩之該資料框架與一非常（serious)資料長 度，且當有至Φ μ 、 乂幻個射頻訊號之樣式長於該非常資料長度時， 設置該第三缺陷旗標訊號；以及 丄淖·夕114個射頻訊號之樣式介於該第一預設資料長度 •及°玄弟—預設資料長度之間時，清除（de_assen)該第三缺陷旗 標訊號。 ' 12·如巾請專利範圍帛8項所述之方法，其中該中斷備測 :，、、車/封包汛號與比該封包訊號高之一第三臨界位準，當 該封包訊號高於該第三臨界位準時，言史置該第四缺陷旗標訊 號。 I3·如申凊專利範圍第δ項所述之方法，其中該RPDefect 28 1281661 偵測為比較一 RFRP訊號與比該第一臨界位準高之一第四臨界 位準，當該RFRP訊號低於該第四臨界位準時，設置該第五缺 陷旗標訊號，其中該RFRP訊號可為射頻訊號的峰端封包（peak envelope)或底端封包（bottom envelope)，也有可能為射頻訊號 *的峰端到底端（peak to bottom)之值。 14.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該DSPDefect 偵測為比較該封包訊號與一 RFLVL_LPF訊號之間差異的絕對 * ‘ -「值與」第五臨界位準，當該封包訊號與該RFLVL_LPF訊號之 ® 間差異的絕對值高於該第五臨界位準時，設置該第六缺陷旗 ·、. φ .、，標訊號，其中該RFLVL_LPF訊號為該封包訊號經一低通濾、波 器（low pass filter)所產生。

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