TWI280050B - Physical information acquisition method, a physical information acquisition apparatus, and a semiconductor device - Google Patents
Physical information acquisition method, a physical information acquisition apparatus, and a semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI280050B TWI280050B TW094122005A TW94122005A TWI280050B TW I280050 B TWI280050 B TW I280050B TW 094122005 A TW094122005 A TW 094122005A TW 94122005 A TW94122005 A TW 94122005A TW I280050 B TWI280050 B TW I280050B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- control line
- unit
- line
- drive
- point
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 66
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 1
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/672—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction between adjacent sensors or output registers for reading a single image
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
Description
1280050 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一實體資訊獲取方法、一實體資訊獲取裝 1 置及半導體元件。尤其地,本發明相關於自單元組件讀取 ^ 單元組件信號的驅動控制技術,尤其適用於一半導體元件 中如一固態影像感測器,其包括一單元組件陣列,該陣 1 列對電磁波(如自外界入射的光或輻射)敏感且能輸出一電 k號以指明該等單元組件偵測的實體數量分布。 • 【先前技術】 在多種應用中,為偵測實體數量分布,廣泛使用一半導 • 體元件,其包括一單元組件(像素)線性陣列或矩陣,其對實 體數量中的變化敏感,如壓力或電磁波(如外界入射的光嘎 輻射)。 例如,在視訊元件中,使用一固態影像感測器(其包括一 CCD(電荷耦合元件)型、一M〇s(金屬氧化物半導體)型或一 CMOS(互補金屬氧化物半導體)型的影像感測裝置),以偵 癱 測一實體數量中的變化,如光(其係一電磁波範例)。 在電腦裝置中,使用一指紋辨識裝置以獲取指紋資訊, - 係藉由根據與一壓力相關聯的電氣或光學特性來偵測一指 :紋的影像。在此等裝置中,一實體數量分布由數個單元組 件(若為固態影像感測器則為像素)轉換成一電信號,且讀出 該最終電信號。 在一些固態影像感測器中,使用一主動像素感測器,其 中用於放大的一驅動電晶體位於各影像信號產生部分中, 101826.doc 1280050 該影像信號產生部分產生一影像信號以對應至一電荷產生 部分中產生的一信號電荷。在許多CM〇s固態影像感測器中 使用此結構。 在此一主動固態影像感測裝置中,為讀取一影像信號, 設置在一像素陣列部分中的單元像素係藉由控制定址而循 序選取,且從該等個別單元像素讀取信號。意即,該主動 固態影像感測裝置係屬位址控制型的固態影像感測器。 例如,在χ·γ位址型的主動像素感測器中,其中數個單 元像素係設置在一矩陣陣列形式中,各像素配置成具有一 放大能力以使用具一 M0S結構(M0S電晶體)的一主動元 件。在此結構中,在作為一光電轉換元件的光二極體中累 積的一信號電荷(光電子)由該主動元件放大且讀出作為影 像資訊。 在此類型的X-Y位址固態影像感測裝置中,例如使用設 置在一一維矩陣陣列形式中的大量像素電晶體以形成一像 素陣列部分。對應至入射光的信號電荷的累積係逐線地(逐 列地)開始,且藉由定址來存取像素而從個別像素循序讀取 一對應至各像素中累積信號電荷的電流或電壓。在MOS型 (及CMOS型)的固態影像感測裝置中,例如執行定址,俾便 逐線地同時存取像素且從存取的像素讀取像素信號,意 即’從一像素陣列部分逐線地讀取像素信號。 在此類型的一些固態影像感測裝置中,為調適成逐線地 存取像素陣列部分及從存取線讀取像素信號的讀取架構, 個別垂直行設置類比至數位轉換器及/或其他信號處理單 101826.doc 1280050 元。此配置稱為行平行配置。在具行平行配置的數個固態 影像感測裝置中,一固態影像感測裝置(其中一 CD處理器或 一數位轉換器位於各垂直行中,俾便循序讀取及輸出像素 : 信號)稱為行型固態影像感測裝置。 - 作為如CCD或CMOS影像感測器等固態影像感測裝置尺 寸及成本減低的結果,已廣泛使用多種用用固態影像感測 , 裝置的視訊元件,如拍靜態影像的數位靜態相機、具相機 的手機,及拍動態影像的視訊相機。CM〇s$像感測器相較 • 於CCD影像感測器,可利用較少耗電操作且可以低成本製 造,因此咸希望廣泛使用CM0S影像感測器以取代CCD影像 . 感測器。 近年來,半導體科技已有大幅進展,結果已達成固態影 像感測裝置的像素數的增加。例如,固態影像感測裝置目 前已可有數百像素且可用於高解析度的數位靜態相機及攝 影相機中。 鲁 解析度的增加造成像素電晶體數目的增加。像素電晶體 數目的增加及存取任意像素能力達成的功能數目的增加, 造成用以控制像素信號讀取的控制線長度的增加。此造成 在連接至控制線的驅動器上施加的負載增加且亦造無法忽 視的偏斜增加。 例如,在CMOS影像感測器中,作為光電轉換結果所產生 的電子累積在各像素中,且自數個像素行(垂直行)中的像素 循序讀取像素信號,該等像素行係由—感測器控制單元 (SCU)輸出的位址控制信號所指定。 101826.doc 1280050 衍疋地,一位址解碼器係位於一垂直掃描電路(位置靠近 像素陣列部分)中,且自該位址解碼器供應一位址控制信號 以循序選取像素。根據該位址控制信號,該垂直掃描電路 經由驅動緩衝器將多種控制信號(可通稱為控制信號)供應 到數個驅動控制線上的預設點(尤其可稱其為原驅動點)。接 著,該等控制信號通過該等驅動控制線到達像素電晶體(其 連接到該等驅動控制線上的個別驅動點),藉此導通/截止在 才曰疋水平位址位置的像素電晶體。因此,該位址解碼器產 生資料以指明待選取像素的位址。 夕種控制信號(藉由該等信號以指定該水平位址位置,控 制該像素電晶體的導通/截止)係經由控制信號線來傳輸,及 自線單7G中的像素輸出的像素信號係經由一水平信號線 (水平傳遞線)在-水平方向中循序傳輸。有大量像素時,此 等控制信號線及水平信號線延伸一長距離以橫越整個像素 陣歹]邠刀,因此使該原驅動點與連接各像素的個別驅動點 間的間距更長。因Λ ’沿著此等控制信號線或水平信號線 的像素的位置差異造成的偏斜變得極嚴重。 該偏斜會在一水平方向中的遮光操作中,或在後續階段 傳遞資料到-放大器的操作中,造成時序邊際減小。因此, 期望將偏斜減至最小到儘可能地低位準。 例如’如圖10所不的樹狀佈局用以在一感測器中平均分 ^ «㈣㈣(時脈信號)。在此佈局中’該電路的整體 偏斜由在具最長互連的第一階段發生的偏斜支配。因此, 期望在該第一階段使該偏斜減至最小。 10l826.doc 1280050 廣泛用以使用一或二驅動緩衝器(像素驅動器)以驅動同 一線的技術係在該線的一或兩末端放置一或二驅動緩衝^ 且使用該等驅動緩衝器以驅動該等像素。
當以連接到該等驅動控制線的一末端的一驅動緩衝器 (一驅動單元範例)由一側驅動像素時,該驅動緩衝器與該像 素間的距離依該線上的位置而大不相同。因此,依該線上 的位置而定,在像素中發生一驅動脈波(偏斜)的到達時間 差。意即’該驅動脈波的到達時間差發生在位置靠近該驅 動緩衝器的像素與位置遠離該驅動緩衝器的像素之間。此 會無法讀取像素信號或會造成遮光。 田以連接到該等驅動控制線的兩末端的二個驅動緩衝器 (一驅動單元範例)由兩側驅動像素時,從該驅動緩衝器到該 像素的距離對該線上位置的依存性變成小於由一侧驅動驅 動像素的情形。然@,即使由兩側驅動像素時,該距離的 依存〖生仍大。思即,由兩側驅動像素時,當像素數目增加 或當信號讀取率增加時,會較難從位在該線中央的像素 靖取仏號。此為信號讀取率增加時待解決的嚴重問題。 【發明内容】 相關申請案 本發明包含主題相關 申請的曰本專利申請案 用方式併入本文中。 於20〇4年7月1日向日本專利局提出 第2004-195502號,其全部内容以引 本發明揭示—種自—半導體元件讀取單元 實體資訊獲取方法,該半導體元件包括依一特殊順序: 101826.doc
1280050 置的數個單元組件,各單 右w 一 邱八田、^ 早兀、,且件,、有一早兀組件信號產生 ^刀’用以輸出一單元έ且# 士辨以少:Bg 士 平7〇、、且仵L唬以扣明在一 測的變化,其中在一柝岳,丨綠μ十八士丨 里Τ 1貝 ^ W ㈣線上之—刀割點(更佳在該控制線 j的複數個分割點)驅動該控制線,以驅動數個單元組件以 讀取來自該等個別單元組件的單元組件信號。 本發明揭示—種第二實體資訊獲取方法,其中在一原驅 動點驅動-控制線,俾在一任意驅動點與—連接到該原驅 動點的驅動單元之間造成在該控制線上的該任意驅動點的 負載電容與線電阻的乘積的最大值減小。藉由(根據該時間 常數)判定驅動該控制線的位置’即使在線電阻及負載電容 非-致分布的情形中亦可選擇—最適點以驅動該控制線。 本發明亦揭不-種包括-驅動控制單元的實體資訊獲取 裝置,該驅動控制單元在依上述方式判定的一最適點驅動 一控制線。 本發明亦揭示一種包括一驅動控制單元的半導體元件, 該驅動控制單元在依上述方式判定的一最適點驅動一控制 線。 【實施方式】 以下參至配合附圖的數個實施例詳細說明本發明。在 以下說明的數個實施例中,舉例來說,使用一 CMQS影像感 測裝置(其像素全由NM0S或PM0S元件所形成)以建構一 X-Y位址型的固態影像感測器。 請注意’該影像感測裝置未侷限於M〇s型影像感測裝 置’本實施例及以下說明的其他任何實施例可應用至任何 101826.doc -11 - 1280050 半導體元件,其包括對由外界入射的電磁波(如光或輻射) 敏感的一維或二維元件陣列。 «固態影像感測器的結構》 圖1說明一 CMOS固態影像感測器(CM〇s影像感測器),其 係根據本發明一實施例的半導體元件範例。此CMOS固態 影像感測器亦為一根據本發明一實施例的電子元件範例。
睛注意,圖1係一電路配置範例,但圖丨的目的並非用以 疋義各功能單70的位置,根據本實施例將驅動緩衝器(像素 驅動器)定位的方式稍後將詳細說明。
固悲影像感測器1具有一像素陣列部分,其中複數個像素 /口著列及行&置(以二維陣列方式),各像素包括一光電轉換 元件(如一光二極體,其為一電荷產生部分範例),用以輸出 -對應至人射光強纟的電子信E。電壓信號餘個別像素 輸出且i、應至^料處理單元’如以行平行方式設置的 CDS(相關聯雙取樣)單元及類比至數位轉換器(八沉)。 本文中,以行平行方式設置"暗示複數個cds單元及ADC 大體上平行α置在對應至個別垂直行的數個位置,垂直信 號線19係沿著該垂直行而延伸。該等⑽單元及A%可僅 設置在鄰接像素陣列部分1G的—側(其垂直於行,其在^ 中看去是下側)的—面積中,或其可設置在鄰接像素陣列部 ;分!〇的兩側的面積中,俾便—些⑽單元及鞭可設置在 α亥一面積中的者中(圖j中的下部面積),且將其餘CDS單 元及継設置在另一面積(圖1中的下部面積)。在後者例子 中,期望將該水平掃描單元(其執行列方向中的掃描(水平掃 101826.doc ⑧ -12- 1280050 描))分成兩部分,且將該兩部分設置在鄰接像素陣列部分1〇 的上及下側的兩個個別面積中,俾便該兩部分可獨立地操 作0
該行類型係一典型範例,其中CDS單元及ADC設置在一 影像感測部分的一面積中(稱為行面積),以行平行方式係在 對應至個別垂直行的位置,俾便經由此等CDS單元及ADC
將信號循序讀取到外部。設置CDS單元及ADC的方式並未 侷限於上述行類型使用的方式,可設置CDs單元及ADC, 々CDS單元及一 ADC指派給一預設數目(例如二)的鄰接 垂直信號線19(垂直行),或令一(:〇8單元及一 ADC指派給每 N個(正整數)垂直信號線丨9(垂直行)。 在上述配置中(除了行類型以外),複數個垂直信號線 19(垂直行)共享一CDS單元及一 ADC。為此目的,設置一選 擇開關,令供應自像素陣列部分1〇的複數個垂直信號線 19(垂直行)的像素信號由該選擇開關循序選取,且將選取的 像素信號供應到該一 CDS單元及_adc。依後續階段中執 的需要_記憶體以儲存該等輸出像素信號。 在任何情況中,使用一CDS單元及一ADC用於複數個垂 直信號線丨喉直行),及在數單元像素行巾讀取像素信號後 :個別像素信號上執行信號處理,可以較簡單形式建構各 早70像素(相較於在各單元像素中執行類似信號處理的情 况)’因此可增加—影像感測器的像素數、減小元件尺寸及 降低成本。 號處理器可同時處理 因為以行平行方式設置的複數個信 101826.doc -13- 1280050 一列的像素信號,因此,相較於若僅由設置在一輸出電路 中或設置在元件外面的一CDS單元及一 ADC連續地處理像 素信號所需的操作速度,可容許該等信號處理器以較低速 度操作。有利的是,該等信號處理器可以較低耗電及較窄 頻寬來操作,且該等信號處理器產生較少雜訊。相反地, 當容許相同耗電及相同頻寬時,可增加該感測器的整體操 作速度。 若為行類型,除了以低耗電、窄頻寬及低速操作得到的 低雜訊衡量的優點外,另一優點是不需要行選擇開關。在 以下說明的數個實施例中,除非特別說明,假定該影像感 測量屬行類型。 如圖1所示,根據本實施例的固態影像感測器1包括:一 像素陣列部分(影像感測部分)丨〇,一驅動控制單元7,一行 處理器26(包括一 CDS單元26a(位於鄰接像素陣列部分1〇的 下侧(如圖1中看去)的一面積中)及數個行開關(未顯示),及 一輸出電路28。 行處理器26作為一正常影像處理系統的主要部分,用以 執行根據像素陣列部分1 〇取得的一影像信號以產生一正常 影像的相關聯信號處理。 視需要,在CDS單元26a前或後的一級,可將具信號放大 能力的一AGC(自動增益控制)電路及/或一 AD(類比至數位) 轉換器設置在與行處理器26相同的半導體面積中。若AGC 電路位於CDS單元26a前面的該級,則該AGC電路屬類比 型。另一方面,當AGC電路位於CDS單元26a後面的該級 101826.doc -14- 1280050 時’則該AGC電路屬數位型。甚脸 一 ^ 右將η位7〇數位資料簡單放 大’則可能在半色調品質中發生劣化。為避免上述問題, 期望先放大-類比信號,接著將最終㈣轉換成數位形式。 驅動控制單元7具有-控制電路,用以從像素陣列部们〇 循序讀取-影像信號。較特定地,例如,㈣控制單元7 包括:-水平掃描電路(行掃描電路)12,用以控制一行位址 及行掃描;一垂直掃描電路(列掃描電路)14,用以控制一列 位址及列掃描;及一通訊/時序控制器2〇,其具有產一内部 時脈信號的能力。水平掃描電路12包括一水平驅動控制器 (水平讀取掃描電路),用以從行處理器%或一處理單元27 讀取影像資訊。 驅動控制單元7的上述元件在單晶矽或類似物的半導體 面積中形成,使用類似半導體積體電路製造中使用的技術 將該單晶矽與像素陣列部分10以積體形式合在一起,以便 得到一固態影像感測裝置(影像感測裝置),其係根據本發明 的^ 半導體系統範例。 在本發明的實施例中,垂直掃描電路14包括複數個垂直 知描電路(圖1所示範例中的一第一垂直掃描電路14a、一第 一垂直掃描電路14b及一第三垂直掃描電路14c),用以藉由 從像素陣列部分1 〇的兩側或從像素陣列部分丨〇的一任意中 間位置驅動單元像素3,以循序選取像素陣列部分1 〇中的單 元像素3,且將自像素陣列部分1〇的各單元像素3讀取的影 像信號供應到行處理器26。 通常’第一垂直掃描電路14 a及第二垂直掃描電路i4b係 101826.doc -15- 1280050 用以從像素陣列部分10的左端或右端驅動控制線,及第三 垂直掃描電路14c係用以驅動一控制線上的一任意分割點。 為間化目的’雖然僅在圖1顯示一些列及行,但一實際的 固悲影像感測器包括大量的列及行,且在各列或行中有數 十至數千個單元像素3。各單元像素3包括一光二極體,以 作為一感光器(一電荷產生部分)及一像素放大器(其包括一 用於放大的半導體元件(例如,一電晶體))。 各早元像素3係經由一列控制線15而連接到垂直掃描電 路14以選取一列,及經由一垂直信號線19而連接到行處理 器26以輸出一正常影像。請注意,,,列控制線15"通常表示 從垂直掃描電路14延伸到該等像素的所有控制線。 通訊/時序控制器20控制輸出自複數個垂直掃描電路 14(14a、14b及14c)的驅動脈波的時序,令該等驅動脈波大 體上同時從個別垂直知描電路14的輸出端輸出到列控制線 15 〇 垂直掃描電路14(14a、14b及14c)及水平掃描電路12各具 有一解碼器,且回應供應自通訊/時序控制器2〇的一控制信 號CNl(CNla、CNlb或CNlc)或CN2而開始讀取待處理的像 素信號。因此,用以驅動單元像素3的多種不同驅動控制脈 波(如重設脈波RST、傳遞控制脈波τχ、一 drn控制脈波 DRN,及一垂直選取脈波SEL)係經由各列控制線15來傳送。 垂直掃描電路14(14a、14b及14c)及通訊/時序控制器2〇形 成一早元元件“號選擇控制器(垂直驅動控制器),其扑定待 處理的個別單元像素3的位置,且在該指定位置將來自該個 101826.doc -16 - 1280050 別早70像素3的像素信號讀取到行處理器26。 •—通訊/時序控制器2G包括(雖然未顯示)—功能區塊以作為 寺序產生器TG(其係一讀取位址控制器範例),其供應二 日夺脈信號或多種不同部分的操作中所需的時序脈波,:包 .肖—功能區域作為-通訊介面,其經由-端子5a接收—主 •日夺脈CLK〇,及經由一端子城收資料DATA(指日月-操作模 式等)’且輸出資料(包括固態影像感測器1的相關聯資訊)。 φ 例如 水平位址控制信號係供應到一水平解碼器,及 垂直位址控制信號係供應到一垂直解碼器,各解碼器根 據收到的水平或垂直位址控制信號而選取一列或一行。 ' 為達成自二維矩陣形式設置的單元像素3高速讀取影像 • 錢’想要掃描單元像素3,令單元像素3縣數單元列存 及獲取在行方向中自存取的單元像素3輸出的類比像素 信號,及接著在列方向中將獲取的類比像素信號輸出到外 部f路。不用上述方式中的掃描單元,一㈣單元像素3 φ 可藉由指定其位址而直接存取’用以從指定的單元像素3 讀取需要的資訊。 垂直掃描電路14供應一脈波以選取像素陣列部分1〇的一 • 列。較特定地,一第一垂直掃描電路14a、一第二垂直掃描 : 電路1413及一第三垂直掃描電路丨4〇各具有一垂直驅動電路 • 144,其包括一垂直解碼器(垂直位移暫存器)142以指定一列 (由該列讀取像素信號)的垂直位置,亦包括一驅動緩衝器 (像素驅動器)(未顯示)以緩衝自垂直解碼器142接收的信 號,且將一驅動控制脈波供應到一列控制線丨5(對應至垂直 101826.doc -17- 1280050 解碼器142指定的該列),以驅動該指定列上的單元像素]。 除了在信號讀取操作中選取一列外,垂直解碼器142亦用以 在電子擋板操作中選取一列。 水平掃描電路12與—低速時脈CLK2同步以循序選取行 處理器26的數個功能部分,且將輸出自行處理器^的數個 功能部分的信號供應到水平信號線(水平輸出線)18。水平掃 描電路12包括—水平解碼器122,其指定讀取—像素信號的
Y行在水平方向中的位置(即,指定行處理H 26中的-CDS 單元26a),且亦包括—水平驅動電路124,其根據供應自水 平解碼器122的讀取位址,將行處理器%輸出的信號傳送到 水平信號線1 8。 若由行處理器26(更特別地,由個別CDS單元26a)將像素 =轉換絲位形式,所f的水平錢線丨㈣與行處理器 :=位元數n(正整數卜樣多。例如,當n=1。,則需要 10條水平信號線18。 在依上述方式建構的固態影像感測以中,自個別垂直行 ^的;70像素3輸出的影像信號係經由垂直信號線19供應 到行處理器26的CDS單元26a。 像影像產生/輸出系統中,來自像素陣列部分10的影 =號傳送到位於像素陣列部分1〇下侧(在圖^中的行 =器26。來自像素陣列部分1。的影像信號的此傳送中, 由垂直掃描電路14同時選 時並行地輸出個別垂直行的像;中:所有像素,且同 式中輸出像素信號。 素㈣。意即,在行平行模 101826.doc -18- 1280050 灯處理器26的CDS單元26a在經由垂直信號線! 9輸入的 電壓形式f彡像信號上執行__CDS過程。較特定地,從—像 素信號Vsig(指明人射光強度)減去重設—像素後立即得到 的一信號位準(指明一雜訊位準),藉此移除一雜訊信號,如 來自該像素信號的固定圖案雜訊(FPN)或重設雜訊。 由行處理器26執行CDS過程後,最終的影像信號經由水 平選擇信號(供應自水平掃描電路12)驅動的一水平選擇開 關(行開關)傳送到水平信號線18,尚傳送到輸出電路M。^ 知上述在JL常模 < 中執行的過程(進一步詳細㉟明例如可 參看isSCC/2000/SESSION6/具内後式處理器之cm〇s影像 感測器/6.丨(2000 IEEE國際固態電路會議)),因此不再贅述。 以上述方式配置的固態影像感測器1中,個別像素由第一 垂直掃描電路14a、第二垂直掃描電路14b、第三垂直掃描 電路14e來驅動,俾便將個別垂直行中的像素輸出的影像信 號從像素陣列部分1G(其巾作為電荷產生部分的數個感光 器以矩陣陣列形式配置)逐列地供應到行處理器%,且以正 常訊框速率輸出到外部電路。 結果,從像素陣列部分10中之以矩陣陣列形式排列之各 自感光器(諸如光二極體光電轉換裝置)輸出的一組像素信 所組成的一影像訊框,係當做一影像信號從輸出電路“輸 出至外部電路100。 外部電路100包括一類比至數位(A/D)轉換S,用以將輸 出電路28輸出的類比影像信號SQ轉換成數位影像資料d〇, 亦包括一數位信號處理器(DSP),用以在該A/D轉換器輸出 101826.doc -19- 1280050 的數位影像資料上執行數位信號處理。該數位信號處理器 在該影像資料域行分色,及在影像資料RGB上尚執行其 他信號處理,藉此產生影像資料咖,其代表待輸出至監 :器R(紅)、G(綠)AB(藍)色影像成分。該數位信號處理器 具有-功能區i鬼’用w壓縮待儲存在一儲存媒冑上的影 資料。 外部電路100亦包括一數位至類比(D/A)轉換器,用以將 該數位信號處理H輸出的數位影像資料轉換成—類比影像 信號。由該D/A轉換器輸出的影像信號係供應到一顯示裝 置’如-液晶監視器。使用者在觀看顯示裝置上顯示的影 像時可執行多種不同操作。 雖然在本實施财,固態影像感測H1(其係根據本發明 的實體資訊獲取裝置(廣義上))係藉由在單一電路板或單一 半導體基板上形成像素陣列部分10而實現,該像素陣列部 分係該影像感測器(一半導體元件範例)的主要部分,及該實 體資訊獲取裝置(狹義上)包括驅動控制單元7(其驅動像素 陣列部分10),且亦包括行處理器26(其在像素陣列部分1〇 輸出的影像信號上執行信號處理),但固態影像感測器^亦 可以其他多種方式配置。例如,可分開地形成像素陣列部 分10及其他部分。在此例中,該實體資訊獲取裝置係使用 驅動控制單元7及行處理器26來配置。 «像素結構》 圖2說明一單7L像素3的結構範例,及圖丨所示固態影像感 測器丨中使用的驅動單元與像素電晶體的關係。在圖2所示 101826.doc -20- 1280050 範例中,像素陣列部分10中的各單元像素(像素單元)3的結 構類似於一般CMOS影像感測器者,且各單元像素3係以四 個電晶體來配置。請注意,單元像素3的配置未侷限於本文 利用的4電晶體配置,只要單元像素3的配置可形成一 cm〇s 影像感測器陣列,亦可利用其他配置,如日本專利號 2708455揭示的3電晶體配置。 至於像素中放大器,例如可使用一浮動擴散放大器。較 特定地,例如可使用一讀取選擇電晶體(其係連接到一電荷 產生部分的一電荷讀取部分(傳遞閘/讀取閘)範例)、一重設 電晶體(其係一重設閘範例)、一垂直選擇電晶體,及一放大 電晶體(以一源極追蹤器形式,其係一偵測元件範例,用以 侦測該浮動擴散層的電壓變化)來實現廣泛用於CM〇s感測 器的4電晶體配置。 例如,在圖2A所示的4電晶體配置中,形成單元像素3係 使用:一電荷產生部分32(用以將入射光轉換成一電荷且儲 存該最終電荷)、一讀取選擇電晶體(傳遞電晶體)34(其連接 到電荷產生部分32且為一電荷讀取元件(傳遞閘/讀取閘)範 例) 重叹電晶體3 6 (其係一重設閘範例)、一垂直選擇電 晶體40 ’及一放大電晶體42(以源極追蹤器形式,其係一債 測70件範例,用以偵測一浮動擴散層38的電壓變化)。 此單元像素3包括一影像信號產生部分5,其係以浮動擴 散層38(其係一電荷注入部分範例,具有一電荷累積功能) 形成的一浮動擴散放大器(FDA)形式。浮動擴散層3 8係具有 寄生電容的一擴散層。 101826.doc -21- 1280050 讀取選擇電晶體(第二傳遞元件)34係經由一傳遞線(讀取 選擇線TX)55由一傳遞驅動緩衝器250來驅動。重設電晶體 36係經由一重設線(RST)56由一重設驅動緩衝器252來驅 動。垂直選擇電晶體40係經由一垂直選擇線(SEL)52由一選 擇驅動缓衝器254來驅動。此等驅動緩衝器係由第一垂直掃 描電路14a或第二垂直掃描電路14b來獨立地驅動。 影像信號產生部分5中的重設電晶體36的源極係連接到 浮動擴散層38,及其汲極係連接到電源供應VDD。一重設 脈波RST係經由一重設驅動緩衝器而輸入到重設電晶體36 的閘極(重設閘RG)。重設電晶體36係用以重設輸出電路28 的電壓。 垂直選擇電晶體40的汲極係連接到放大電晶體42的源 極,其源極係連接到像素線5 1,及其閘極係連接到垂直選 擇線5 2。该連接未侷限於此範例,垂直選擇電晶體4 〇的電 極亦可以其他方式連接。例如,垂直選擇電晶體4〇的汲極 可連接到電源供應VDD,源極可連接到放大電晶體42的沒 極,及閘極可連接到垂直選擇線52。 垂直選擇彳§號SEL施至垂直選擇線52。放大電晶體42 的閘極係連接到浮動擴散層38,其汲極係連接到電源供應 VDD,及其汲極係經由垂直選擇電晶體4〇的汲極而連接到 像素線5 1且尚連接到垂直信號線19。 在此4電晶體配置中,因浮動擴散層38係連接到放大電晶 體42的閘極,因此放大電晶體42將對應至浮動擴散層刊的 電壓(以下稱為FD電壓)的一電壓信號經由像素線Η輪出到 101826.doc ③ -22- 1280050 垂直信號線53(19)。 重设電晶體36重設浮動擴散層38。讀取選擇電晶體(傳遞 電晶體)34將電荷產生部分32中產生的信號電荷傳遞到浮 動擴散層38。為在連接到垂直信號線19的許多像素中選取 一像素’將連接到一待選取像素的一垂直選擇電晶體4〇導 通’同時將其他垂直選擇電晶體40維持在截止狀態。結果, 選取的像素連接到垂直信號線19,且經由垂直信號線19輸 出該選取像素所輸出的一信號。 另一方面’若利用使用一電荷產生部分及三個電晶體的3 電晶體配置,則可減少單元像素3中的電晶體佔用的面積, 且因此可減少單元像素3的總尺寸(例如參看日本專利號 2708455) 〇 例如,如圖2B所示,在一 3電晶體配置中形成一單元像素 3 ’可使用·一電荷產生部分32(例如一光二極體),用以藉 由一光電轉換產生對應至入射光的一信號電荷;一連接到 一沒極線(DRN)的放大電晶體42,用以放大該信號電荷以對 應至電何產生部分3 2產生的信號電荷;及一重設電晶體 36 ’用以重設電荷產生部分32。一讀取選擇電晶體(傳遞 閘)34(其經由一傳遞線(TRF)55由一垂直掃描電路14來驅 動)设置在電荷產生部分32與放大電晶體42的閘極之間。 放大電晶體42的閘極及重設電晶體36的源極係經由讀取 選擇電晶體34而連接到電荷產生部分32,而重設電晶體% 的汲極及放大電晶體4 2的汲極係連接到該汲極線。放大電 晶體42的源極係連接到垂直信號線53。 101826.doc -23· 1280050 項取選擇電晶體34係經由傳遞線55由傳遞驅動缓衝器 250來驅動。重設電晶體36係經由重設線56由重設驅動緩衝 器252來驅動。 傳遞驅動缓衝器2 5 0及重設驅動緩衝器2 5 2係以〇伏的參 考電壓與一電源供應電壓間的一電壓擺動來操作。因此, 在違像素中供應到瀆取選擇電晶體3 4的閘極的低位準電壓 等於0伏。 在具3電晶體配置的此單元像素3中,如同在具4電晶體配 置的單元像素3中,因浮動擴散層%係連接到放大電晶體42 的閘極,因此,從放大電晶體42輸出到垂直信號線53的一 信號具有一電壓,其對應至浮動擴散層38的電壓。 連接到重設電晶體36的重設線(RST)56在列方向中延 伸。汲極線(DRN)57係共用地連接到幾乎所有像素。汲極線 57係由一汲極驅動緩衝器(以下稱為DRN驅動緩衝器)24〇來 驅動。重設電晶體36係由重設驅動緩衝器252來驅動以控制 浮動擴散層38的電壓。 雖然在圖2B中,汲極線57係在列方向中分割,但一列中 的數個汲極線57實際上係共用地互相連接,俾便同時驅動 該列中的所有像素。電荷產生部分32(光電轉換元件)產生的 電荷信號係經由讀取選擇電晶體34而傳遞到浮動擴散厣 38。 3 在該3電晶體配置中,與該4電晶體配置不同的 干凡 像素3未具有與放大電晶體42串聯的垂直選擇電晶體仂。在 連接到垂直選擇53的許多像素中選取一像素並非藉由導通 101826.doc -24-
1280050 »亥選擇電晶體來執行,卻是藉由 通常是在低位準。若待選取像素_;壓升二=壓 像素輸出的信號供應到垂直信號線53 '然後, 任亥選取像素的fd電塵$丨兮 素同時執行此過程。低位準。對—列中的所有像 較特定地’將FD電壓控制如下:υ將一待選取列的印電 壓升到該高位準’將沒極線57升到該高位準以經由待選取 列中的重設電晶體36將該FD電壓升至該高位準;及2)藉由 將沒極線57降至該低位準而使該選取列的FD電壓回復_ 低位準’藉此經由該待選取列中的重設電晶體%將該FD電 壓降至該低位準。 在上述操作中,汲極驅動緩衝器24〇驅動汲極線Η時在汲 極驅動緩衝器240強加的負冑,變成大於傳遞驅動緩衝器 250驅動傳遞閘極線55(為另一驅動線)時在傳遞驅動緩衝器 250強加的負載,且大於重設驅動緩衝器252驅動重設閘極 線56時在重設驅動緩衝器252強加的負載,且因此依該線上 的位置而定的偏斜(作為該負載)變成大於在傳遞閘極線55 或重設閘極線56上的偏斜。 各電晶體34、36及40(其包含在單元像素3中)係經由驅動 控制線52、55、56及57由驅動緩衝器來驅動。 驅動控制脈波係利用連接到該驅動控制線的數個預設點 的驅動單元而傳送到該驅動控制線(如圖2B所示)。接著, 該等驅動控制脈波通過該驅動控制線而到達該等像素電晶 體(其連接到該驅動控制線上的數個任意點)。該驅動控制線 101826.doc •25· 1280050 整個係該驅動單元的驅動物件,因此該驅動控制線上的所 有點皆可為驅動點。 《改良方法的概念》 在本實施例中,藉由驅動像素陣列部分丨〇的各單元像素3 以項取-像素信號時’在—控制線(包含在像素面積ι〇的實 質有效面積中)的一特殊範圍中的一特殊點(或在複數個點) 驅動該控制線’其中為由—驅動緩衝器(驅動器單元)抑制該 偏斜而使在該驅動緩衝器上的像素強加的負載減少且成為 一致(減少該負載上的位置的依存性)。 為達成上述目的,該控制線係由在任意一分割點(更佳 地,在複數個分割點)的一驅動緩衝器(像素驅動器)來驅 動。視需要,亦在該控制線的—末端或兩末端驅動該控制 線。 為在一分割點驅動該控制線,一驅動緩衝器在該任意分 割點連接到該控制線,其在像素陣列部分1〇中延伸,且以 由控制線的一或兩末端點供應一驅動控制脈波的相同時 序,由該驅動緩衝器在該控制線之上供應一驅動控制脈 波。在該驅動控制線上的分割點(其連接到該驅動單元)為原 驅動點。 ,設置該控制線(沿著該控制線的偏斜待抑制)及該等驅動 缓衝器,以便使待抑制偏斜的有效範圍内的該驅動控制線 上的該分割點(原驅動點)與一任意驅動點間的負載電容及 線電阻的乘積的最大值,小於在先前技藝的驅動方法(一末 端驅動或兩末端驅動)上者,且較佳使一乘積的最大值為局 101826.doc -26 - 1280050 部最小值或大體上局部最小值。該技術細節將參照至特定 範例說明如下。 «第一實施例》 圖3說明根據本發明第一實施例的一方式,其中設置數個 驅動緩衝器,以便減少偏斜(以下該技術將稱為偏斜減少佈 局技術)。圖4說明一比較範例,其中在一末端執行驅動, 及圖5說明另一比較範例,其中在兩末端執行驅動。 當一垂直驅動電路144(即一驅動緩衝器BF)僅設置在像 素陣列部分10的一側時(如在圖4A所示的配置例子中),負 載隨著像素數目增加而增加以達成較高的解析度。負載的 增加造成位置接近該驅動緩衝器的一像素與位置遠離該驅 動緩衝器的一像素間的讀取時間差增加。此會難以正確地 讀取像素信號,且會造成遮光或雜訊。 若R表示總線電阻及c表示總寄生電容(如圖4B所示),則 由A式(1)表示在一末端執行驅動時用於距離該驅動點最遠 _ 的一點的時間常數Ta。 [公式1] xa= RC (1) , 遠的點”指一控制線上的一點’其與一原驅動點(一驅 : 冑緩衝器在該點連接到該控制線)的距離最大。當線電阻及 ' f載:容-致地分布時’該時間常數(線電阻父負載電容)在 X最遇點成為最大’且藉由適當地選取驅動該控制線的點 使該時間常數的最大值減至最小。 、咸幸工上述問題的一技術為(如圖5 A所示),將數個垂直驅 101826.doc -27- 1280050 動電路1 44(驅動緩衝器)設置在像素陣列部分1 〇的左側及右 側,且由像素陣列部分1 〇的兩側驅動連接到數個像素的一 控制線,藉此減少強加在各驅動緩衝器上的負載。 在此例中,如圖5Β所示,若R表示總線電阻及c表示總寄 生電谷’則在離兩驅動點(末端點)最遠的一點(在該控制線 的中央)的線電阻及寄生電容分別表示成R/2及c/2,因此由 公式(2)表示在兩末端驅動該控制線時在離該等驅動點最遠 的點的時間常數Tb。因此,理論上,該偏斜可減少到在一 末端驅動該控制線時發生者的1/4。 [公式2] xb= R/2xC/2= RC/4 ⑺ 然而,當在兩末端驅動該控制線時,位於該控制線中央 的的一像素係以一最大延遲來驅動(雖然該延遲小於在一 末端驅動該控制線時發生的延遲)。此為需要以較高速讀取 像素信號時待解決的一嚴重問題。
有鑑於上述問題,在第一實施例中(如圖3所示),不在兩 末端驅動該控制線,而在該控制線的:分割點驅動該控制 線’邊分割點距離將使偏斜最小化的範圍的較接近末端 該範圍總長度的1/4。以下,此驅動方法將稱為二分割點等 驅動方法。 〜在此驅動方法中,若尺表示總線電阻及C表示總寄生電 谷’則在離該等個別驅動點最遠的點此施 控制線的兩端及該控制線的中央)的線電一 及C/4表不,因此由公式(3)表示在,,二分割點等驅動 101826.doc -28- 1280050 方法”中在離該等驅動點最遠的點的時間常數π。由公式 (3),可見到該時間常數為兩末端驅動方法者的1/4,且為一 末端驅動方法者的1/16。 [公式3] xc= R/4xC/4= RC/16 (3) 意即,當原驅動點係設定在與一線的較接近末端的距離 為該線總長度的1/4時,理論上的偏斜會減少到圖4所示一 末端驅動方法中者的1/16,且減少到圖5所示兩末端驅動方 法中者的1/4。 在數個分割點用以驅動該控制線的數個驅動緩衝器不必 然需要設置在垂直掃描電路14c内。較佳地,可將其設置在 垂直掃描電路14a及14b中的至少—者中,且將該等分割點 經由數條連接線(其與該金屬控制線平行朝該控制線的一 或兩末端延伸)而連接到個別的驅動緩衝線。 如此設置的原因是,當驅動一二維感測器(其包括在列方 向中延伸的複數條控制線),若驅動緩衝器設置在第三垂直 掃描電路14c(其位於鄰接像素陣列部分1〇的上半側的面積 中),則該等驅動緩衝器與該列的距離依該列而有所不同, 因此特性亦依該列而有所不同。意即,發生新的偏斜。另 一方面,若驅動緩衝器設置在垂直掃描電路14a及i4b中, 且該等驅動點係經由與該等控制線平行的數條連接線而連 接到個別的驅動緩衝器,則所有列具有相等特性。 圖6說明在節點b0&bl的模擬偏斜(其發生在原驅動點設 定在根據傳統技術的兩末端點時),及在節點⑼及。的模擬 101826.doc -29- 1280050 偏斜(其發生在原驅動點設定定在兩分割點時卜 在該模擬中,數個參數設定如下。 1) 總線電阻:R = 1.3 1ζ:Ω
2) 總寄生線電容:c = 1.5 pF 3) 驅動緩衝器大小:適當地設定成能驅動該線。 如圖6所見,節點⑽與!^間的偏斜為25〇ps,及節點⑼與 =間的偏斜為70 ps’其為節點⑽與^間者(當以〇5 Vdd測 量該偏斜時)的1/4。此表示,理論上,藉由利用該二分割點 聲 等驅動方法可減少該偏斜。 <<第二實施例》 圖7根據本發明一第二實施例說明一偏斜減少佈局技 術。在此第二實施例中,不使用該控制線的二末端作為原 驅動點,卻將原驅動點設定在該控制線的三個分割點,令 距離將抑制偏斜的範圍内的個別驅動點最遠的數點係大體 上相等地分布。以下,此驅動方法將稱為,,三分割點等驅動 方法"。 為設定三個原驅動點,令距離將抑制偏斜的範圍内的個 別原驅動點最遠的數點相等地分布,距離對應原驅動點最 -遠的各點間的距離設定成該控制線總長度的1/6(如圖7所 示)。 在此例中,若R表示總線電阻且c表示總寄生電容,則在 距離該等個別原驅動點最遠的數點的線電阻及寄生電容分 別以R/6及C/6表示,因此由公式(4)表示該,,三分割點等驅動 方法π中的時間常數Td。由公式(4),可見到時間常數係兩 101826.doc 30· 1280050 末端驅動方法中者的1/9,且為一末端驅動方法中者的ι/36。 [公式4] xd=R/6xC/6=RC/36 ⑷ 意即,當利用"三分割點等驅動方法”時,理論上的偏斜 減少到圖4所示一末端驅動方法中者的1/36,且減少到圖$ 所示兩末端驅動方法中者的1/9。 如上述,在第一及第二實施例中,不使用該控制線的二 末端作為原驅動點,卻設定複數個原驅動點,令距離將抑 ►制偏斜的範圍内的個別原驅動點最遠的數點係相等地分 布。如在此二實施例所見到,分割點數目越增加,偏斜可 減少越多。 當僅在一分割點驅動該控制線時,偏斜成為等於該控制 線在其兩末端驅動時的偏斜。然而(甚至在此例中),該分割 點驅動方法的優點是,僅使用一驅動緩衝器亦可得到類似 在兩末端使用二驅動緩衝器驅動該控制線時發生的偏斜。 «第三實施例》 ► 圖8根據本發明一第三實施例說明一偏斜減少佈局技 術。在此第三實施例中,除了在該控制線上的三個原驅動 點外(其中一者位於與該控制線的一較接近末端的距離為 忒控制線總長度的1 /4的點,另一者位於該控制線的中央), 原驅動點尚設定在該控制線的二個別末端點。以下,此驅 動方法將稱為”兩末端及三分割點等驅動方法”。 在此例中(如圖8所示),若R表示總線電阻且c表示總寄生 電容,則在距離該等個別原驅動點最遠的數點的線電阻及 101826.doc -31- 1280050 寄生電谷分別由R/8及C/8表示,因此由公式(5)表示”兩末端 及二分割點等驅動方法”中的時間常數。由公式(5),可見到 時間常數係兩末端驅動方法中者的1/16,且為_末端驅動 方法中者的1/64。 [公式5] xe= R/8xC/8 = RC/64 (5) 意即’當利用,,兩末端及三分割點等驅動方法"時,理論 上的偏斜減少到圖4所示一末端驅動方法中者的1/64,且減 少到圖5所示兩末端驅動方法中者的1/16。與根據第二實施 例的二分割點等驅動方法”比較,可見到不僅在末端點亦 在數個分割點驅動該控制線,可減少一中央範圍中的延遲。 雖然在此第三實施例中,除了二原驅動點設定在該控制 線的二個別末端點外,原驅動點尚設定在該控制線上的三 個分割點(其中二者位於與該控制線的一較接近末端的距 離為忒控制線總長度的1/4的點,另一者位於該控制線的中 央)’在該控制線上作為原驅動點使用的分割點數目未侷限 於三個,原驅動點但可設定在一任意數目的分割點。 可依像素數目、所需反應速度、負載電阻、負載電容等 而定,以適當判定是否使用一或兩末端作為原驅動點,及/ 或使用多少分割點作為原驅動點。除了主控制線外,尚可 使用一或多條辅助控制線以驅動應以較少偏斜驅動的一範 圍中的像素。 田線電阻及負載電容係一致分布時,帛望設定原驅動 點,令距離將抑制偏斜的範圍内的個別原驅動點最遠的數 101826.doc ③ 1280050 點係相等地(對稱地)分布。 然而’原驅動點可設定成令最遠的數點不相等地分布。 甚至在此例中,若選擇該等原驅動點的位置令線電阻與線 電容的乘積(時間常數)用於所有最遠的點皆相等,則可達成 的偏斜減少類似於設定原驅動點令該等最遠數相等地分布 (參考稍後說明的一第四實施例)時達成者。 例如’當除了兩末端點外,-原驅動點亦設定在_分_ 點時,設定該分割點的位置,令該原驅動點與離該原驅動 點最遠的-點的距離為該控制線總長度的1/4。為此目的, 该分割點的位置設定成該控制線的中央。意即,準備兩條 控制線,其中-條連接到-線中的所有素,另一條僅連接 ^一中央範圍中的像素。僅連接到中央範圍中像素的控制 =具有小負載電容(其源自該等像素電晶體的電容)作為負 > 按』所有像素的控制線的驅動脈 波’她至此控制線的驅動脈波可較㈣地上升。該上 間:與在一控制線的兩末端點驅動該控制線的驅動緩衝器 所輸出的驅動脈波的上升時間一樣小。 不使用兩末端點及-或多個分割點作為原驅動點,可 ^用一末端點及一或多個分割點作為原驅動點。例如,, 僅使-末端點及-分割點作為原驅動點時,設㈣分^ 的位置,令該分割點與未選擇作為原驅動點的末端點間的 距離等於該控制線總長度的1 /3。 ” 、 «第四實施例》 圖9根據本發明一第四實施例說明-偏斜減少佈局技 101826.doc -33- 1280050 =在此第四實施例中’不使用該控制線的二末端作為原 ,動點,但在該控制線上的數個分割點設定原_,令 距離原驅動點最遠的數點係以不相等間距分布,且令: 阻與線電容的乘積(時間常數)用於所有最遠點皆㈣、,。以 下,此驅動方法將稱為"不相等驅動方法"。 及線電容係非—致地分布時,絲個驅動緩衝 。在數個位置俾使時間常數咖線電阻與線電容的乘 積得出)用於所有最遠點皆相等, 、 第三實施中的—者達成的偏斜減少。、这據第一至 例:,當原驅動點係設定在兩個不對稱點時,由公式⑹ 數:=何最遠點(在該點時間常數成為最大)的時間常 者的1/9 A式⑷’可見到時間常數讶係兩末端驅動方式中 者的 且為—末端驅動方式中者的1/36。 [公式6] ^16RC/(27x27)=i6RC/729 (6) 因此,若利用根據本發明第四實施例的"不相等驅動方法", 理論上的偏斜可減少到圖4所示—末端驅動 ^ 16/729’且減少到圖5所示兩末端驅動方式中者的4/729。 制=在在t!明中’在將抑制偏斜的-範圍内的-控 驅動,r二任意分割點驅動(相較於在-分割點 於動m在複數個㈣點驅動) 圍中偏斜減少。 ,市彳彿针的瓌粍 在電阻及線電容係-致地分布時,及已知 …’用於驅動該控制線的驅動緩衝器數目時,若 101826.doc -34- 1280050
設定該等分割點的位置,令距離連接到該等驅動缓衝器的 個別原驅動點最遠的數點以一致間距定位在該控制線上, 則在該控制線上的一任意驅動點與將抑制偏斜的有效範圍 内的一驅動緩衝器之間,此配置使其線電阻與負載電容的 乘積的最大值減至最小。 當一控制線的線電阻及線電容係非一致地分布時,及已 知在數個分割點用於驅動該控制線的驅動緩衝器數目時, 若設定該等分割點的位置,令時間常數在距離連接到該等 驅動緩衝器的個別原驅動點最遠的任何點成為相等,則可 達成偏斜的最大改善。 在本發明中,因在一控制線上的一分割 ’和呢軔孩控制 線,因此藉由使用少量的驅動電路,即可在應抑制偏斜的 一範圍中減低偏斜。 若敎該分割點的位置,令該位置造成該時間常數(已知 為在該任意驅動點與驅動該原驅動點的一驅動單元 该控制線上的一任咅點j^兩 大值们, 的負載電容與線電阻的乘積)的最 大值減小’料在-最輕置㈣馳 線電容係非-致地分布時)。 1 更線電阻及 因此’本發明可減輕驅動容量的非 斜),當像素數目辦.加Di? ,v古、Λ ^战的問題(偏 a 5阿速驅動像素時該問題# A„ 重。因此’本發明可減少遮光及其他問題。續尤其嚴 使用CMOS轉相n作為本發_ (本發明應用到該範例 蚣體疋件範例 1置,像相機模組或相機。 實體-貝訊獲取 101826.doc -35 - 1280050 【圖式簡單說明】
圖1以方塊圖說明一 CM0S固態影像感測器(CM0S影像感 測器)’其係根據本發明一實施例的一半導體元件範例。 圖2(包括圖2A及圖2B)以圖說明圖1所示固態影像感測器 中使用的一單元像素的配置範例。 圖3根據本發明一第一實施例,以圖說明一偏斜減少佈局 技術。
圖4(包括圖4A及圖4B)以圖說明一比較範例,其中一控制 線僅在其一末端點驅動。 圖5(包括圖5A及圖5B)以圖說明一比較範例,其中一控制 線在其兩末端點驅動。 圖6以圖表說明根據一傳統技術將驅動點設定在兩末端 點時發生的模擬偏斜’及使用二分割點等驅動方法以驅動 一控制線時發生的模擬偏斜。 圖7根據本發明一第二實施例,以圖說明一偏斜減少佈局 技術。 σ
圖8根據本發明一第三實施例 技術。 以圖說明一偏斜減少佈局 技術。 圖9根據本發明一第四實施例 以圖說明一偏斜減少佈局 圖10以圖說明一樹狀結構佈局。 【主要元件符號說明】 3 固態影像感測器 單元像素 101826.doc 36- 1280050
5 影像信號產生部分 5a、 5b 端子 7 驅動控制單元 10 像素陣列部分 12 水平掃描電路 14、 14a、14b、14c 垂直掃描電路 15 列控制線 18 水平信號線 19、 53 垂直信號線 20 通訊/時序控制器 26 行處理器 26a 相關雙取樣(CDS)單元 27 處理單元 28 輸出電路 32 電荷產生部分 34 讀取選擇電晶體 36 重設電晶體 38 浮動擴散層 40 垂直選擇電晶體 42 放大電晶體 51 像素線 52 垂直選擇線 55 傳遞線 56 重設線 101826.doc -37- 1280050 57 汲極線 100 外部電路 122 水平解碼器 124 水平驅動電路 142a、142b、142c 垂直解碼器 144 > 144a、144b、144c 垂直驅動電路 240 汲極驅動緩衝器 250 傳遞驅動緩衝器 252 重設驅動緩衝器 254 選擇驅動緩衝器 101826.doc -38-
Claims (1)
12娜辱。5號專利申請案 中文申請專利範畴換本(95年11月) 十、申請專利範圍·· 1 · 種貫體資訊獲取方法,其係自半導體元件讀取單元組 件信號者,該半導體元件包括依一特殊順序設置之數個 單元組件,各單元組件具有一單元組件信號產生部分, 用以輪出一單元組件信號以指明在一實體數量中偵測之 變化,其中 在 &制線上之一分割點驅動该控制線,其用以驅動 數個單元組件以讀取來自該等個別單元組件之數個單元 組件信號。 2·如請求項1之實體資訊獲取方法,其中在該控制線上之複 數個为割點驅動該控制線。 月长員1之實體資訊獲取方法,其中尚在該控制線上之 有效範圍之一末端點驅動該控制線。 4.如請^項3之實體資訊獲取方法,其中尚在該控制線上之 有效範圍之兩末端點驅動該控制線。 • 5. 一種實體資訊獲取方法,其係自半導體元件讀取單元組 :信號者’該半導體元件包括依一特殊順序設置之數個 早兀、’且件’各早元組件具有一單元組件信號產生部分, 用以輸出-單元組件信號以指明在_實體數量中價測之 連動一控制線,俾在—任意驅動點與- 連原驅動點之驅動單元之間,造成在該控制線上 之U亥任思驅動點之自恭雷 貞載電I、線電阻之乘積之最大值減 小 0 101826-951107.doc
1280050 6.如請求項5之實體資訊獲取方法,其係自半導體元件 早凡組件信號者’其中該最大值小於僅在—末端^該 驅動控制線時之值。 如請求項5之實體資訊獲取方法,其係自半導體 單元組件信號者,其中該最大值小於僅在二末端驅3 驅動控制線時之值。 8· 一種實體資訊獲取|置,其係自半導體元件讀取單元組 虎者’該半導體元件包括依一特殊順序設置之數個 單7L組件’各單元組件具有—單元組件信號產生部分, 用以輸出—單70組件信號以指明在-實體數量t偵測之 變化,該實體資訊獲取裝置包括: 、 一驅動控制單元’其驅動一控制線以驅減個單元組 件,用以自該等個別單元組件讀取數個單元組件信號、, 俾便該控制線係在該控制線上之一 > 割點上驅動。 9·如請求項8之實體資訊獲取裝置,其中該驅動控制單元係 在該控制線上之複數個分割點驅動該控制線。 1 〇·如明求項8之實體資訊獲取裝置,其中該驅動控制單元尚 在β控制線上之有效mu之—末端點驅動該控制線。 11·如請求項1G之實體資訊獲取裝置,其中該驅動控制單元 尚在忒控制線上之有效範圍之兩末端點驅動該控制線。 12·如請求項8之實體資訊獲取裝置,尚包括該半導體元件。 13· —種自半導體元件讀取單元組件信號之實體資訊獲取裝 置,虡半導體元件包括依一特殊順序設置之數個單元組 件,各單元組件具有一單元組件信號產生部分,用以輸 101826-951107.doc ' 1280050
J 出一單元組件信號以指明在一實體數量中偵測之變化, 該裝置包括: 一驅動控制單元,其在一原驅動點驅動一控制線,俾 在任忍驅動點與一連接到該原驅動點之驅動單元之 間’造成在該控制線上之該任意驅動點之負載電容與線 電阻之乘積之最大值減小。 如4求項13之實體資訊獲取裝置,尚包括該半導體元件。 種半導體兀件,其包括依一特殊順序設置之數個單元 組件’各單元組件具有一單元組件信號產生部分,用以 輪出一單元組件信號以指明在一實體數量中偵測之變 化’該半導體元件包括: 控制線’其連接至位於—有效面積内之數個單元組 ,用以驅動該等單元組件以讀取來自該等個別單元組 件之單元組件信號;及 ' :連接線,經由該連接線在該控制線上之有效範圍内 分割點驅動該控制線。 16.=半=元件,其包括依—特殊順序設置之數個單元 輸出一。。早70組件具有一單元組件信號產生部分,用以 出早兀組件信號以指明在一實體數| Λ ^ 化,該半導體元件包括:f體數…測之變 -控制線,其連接至位於一有效面積内 件’用以酿勤兮望s - Z L 固單7G組 組 連接線,、經由該連接線在一原驅動點驅動該4 件之…動“早讀件以讀取來自該等個别單元 件之早兀組件信號;及 早兀 101826-951107.doc 1280050
線,俾在一任意驅動點與一連接到該原驅動點之驅動單 元之間,造成在該控制線上之該任意驅動點之負載電容 與線電阻之乘積之最大值減小。 101826-951107.doc 1280050 第094122005號專利申請案 中文圖式替換頁(95年9月)
101826.doc
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004195502 | 2004-07-01 | ||
| JP2005175959A JP4337779B2 (ja) | 2004-07-01 | 2005-06-16 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200614804A TW200614804A (en) | 2006-05-01 |
| TWI280050B true TWI280050B (en) | 2007-04-21 |
Family
ID=35513547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW094122005A TWI280050B (en) | 2004-07-01 | 2005-06-29 | Physical information acquisition method, a physical information acquisition apparatus, and a semiconductor device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20060001918A1 (zh) |
| JP (1) | JP4337779B2 (zh) |
| KR (1) | KR101207136B1 (zh) |
| CN (1) | CN1728784B (zh) |
| TW (1) | TWI280050B (zh) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4337779B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
| JP4862473B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2012-01-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
| JP2008135964A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| JP4870610B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2012-02-08 | シャープ株式会社 | 並列接続トランジスタ |
| JP5164531B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| EP2235825B1 (en) * | 2007-12-19 | 2019-07-24 | Microsoft International Holdings B.V. | Apparatus and method for improved skew time |
| KR101596796B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2016-02-23 | 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸 | 정보 취득 장치 및 광통신 시스템 |
| JP4803261B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2011-10-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、およびカメラシステム |
| JP5523131B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| US20120049041A1 (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-01 | International Business Machines Corporation | Switched rail circuitry and modified cell structure and method of manufacture and use |
| JP2013044891A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
| US9578226B2 (en) * | 2012-04-12 | 2017-02-21 | Qualcomm Incorporated | Photometric registration from arbitrary geometry for augmented reality |
| JP2014120858A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| KR20150021812A (ko) | 2013-08-21 | 2015-03-03 | 삼성전자주식회사 | 신호 특성을 향상한 라인 구동 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
| JP2015062275A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-04-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6192469B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2017-09-06 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| KR102135677B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2020-07-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서를 구동하는 방법 |
| JP6501403B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2019-04-17 | 国立大学法人静岡大学 | イメージセンサ |
| JP2015177311A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2015185855A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP2015185823A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、及び、撮像装置 |
| TWI543056B (zh) * | 2014-08-14 | 2016-07-21 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置及觸控顯示裝置 |
| CN105334650B (zh) * | 2014-08-14 | 2018-11-13 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及触控显示装置 |
| US9082144B2 (en) | 2015-02-18 | 2015-07-14 | Cargo Chief | Transportation service matching with arrival estimation adjusted for external factors |
| CN107277396B (zh) | 2016-03-30 | 2021-02-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
| EP3490248B1 (en) | 2016-08-23 | 2021-07-14 | Nikon Corporation | Image capturing element and image capturing system |
| US10418405B2 (en) * | 2017-09-05 | 2019-09-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
| US11089293B2 (en) * | 2017-12-06 | 2021-08-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device |
| FR3091113B1 (fr) * | 2018-12-21 | 2021-03-05 | Trixell | Détecteur matriciel à conducteurs de ligne d’impédance maitrisée |
| US11095836B2 (en) * | 2019-11-15 | 2021-08-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor far end driver circuitry providing fast settling row control signals |
| CN115152202B (zh) * | 2020-02-25 | 2025-08-29 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置及摄像装置 |
| KR20220165734A (ko) * | 2020-04-09 | 2022-12-15 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 신호 처리 장치, 센싱 모듈 |
| JP7618393B2 (ja) * | 2020-05-18 | 2025-01-21 | キヤノン株式会社 | 信号処理回路、光電変換装置および機器 |
| US11457166B1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for an image sensor |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2761137A (en) * | 1946-01-05 | 1956-08-28 | Lester C Van Atta | Solid dielectric waveguide with metal plating |
| US3577105A (en) * | 1969-05-29 | 1971-05-04 | Us Army | Method and apparatus for joining plated dielectric-form waveguide components |
| US4647882A (en) * | 1984-11-14 | 1987-03-03 | Itt Corporation | Miniature microwave guide |
| JPH0783105B2 (ja) | 1986-03-19 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 電荷転送素子 |
| US4922138A (en) * | 1987-05-25 | 1990-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan circuit using a plural bootstrap effect for forming scan pulses |
| US4875026A (en) * | 1987-08-17 | 1989-10-17 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Dielectric waveguide having higher order mode suppression |
| US5134488A (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-28 | David Sarnoff Research Center, Inc. | X-Y addressable imager with variable integration |
| JPH07326720A (ja) | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| JP3529190B2 (ja) * | 1995-04-03 | 2004-05-24 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5805030A (en) * | 1995-08-04 | 1998-09-08 | Apple Computer, Inc. | Enhanced signal integrity bus having transmission line segments connected by resistive elements |
| US6337713B1 (en) * | 1997-04-04 | 2002-01-08 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Processor for image-pixel signals derived from divided sections of image-sensing area of solid-type image sensor |
| GB2323958A (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-07 | Sharp Kk | Active matrix devices |
| TW439000B (en) * | 1997-04-28 | 2001-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Liquid crystal display device and its driving method |
| US6590477B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-07-08 | Fci Americas Technology, Inc. | Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap |
| JP2001251557A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Canon Inc | エリアセンサ、該エリアセンサを有する画像入力装置および該エリアセンサの駆動方法 |
| JP2002158932A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
| US6885549B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-04-26 | Dell Products L.P. | System and method for flexible circuits |
| KR100532995B1 (ko) * | 2003-04-18 | 2005-12-02 | 엘지전자 주식회사 | 평판 디스플레이 패널 구동방법 |
| JP4337779B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2009-09-30 | ソニー株式会社 | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに物理量分布検知の半導体装置 |
-
2005
- 2005-06-16 JP JP2005175959A patent/JP4337779B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-29 TW TW094122005A patent/TWI280050B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-29 US US11/170,246 patent/US20060001918A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-01 CN CN2005100981588A patent/CN1728784B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-01 KR KR1020050059126A patent/KR101207136B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-22 US US12/357,590 patent/US8310574B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-10-11 US US13/649,475 patent/US9071782B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-05-26 US US14/721,858 patent/US9456158B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060049750A (ko) | 2006-05-19 |
| CN1728784B (zh) | 2010-05-26 |
| JP4337779B2 (ja) | 2009-09-30 |
| JP2006050566A (ja) | 2006-02-16 |
| US20150271427A1 (en) | 2015-09-24 |
| US9071782B2 (en) | 2015-06-30 |
| US9456158B2 (en) | 2016-09-27 |
| CN1728784A (zh) | 2006-02-01 |
| KR101207136B1 (ko) | 2012-12-04 |
| US20060001918A1 (en) | 2006-01-05 |
| TW200614804A (en) | 2006-05-01 |
| US20140028882A1 (en) | 2014-01-30 |
| US20090128675A1 (en) | 2009-05-21 |
| US8310574B2 (en) | 2012-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI280050B (en) | Physical information acquisition method, a physical information acquisition apparatus, and a semiconductor device | |
| US10608101B2 (en) | Detection circuit for photo sensor with stacked substrates | |
| US8089530B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus, drive method for the solid-state image pickup apparatus, and image pickup apparatus | |
| US7446805B2 (en) | CMOS active pixel with hard and soft reset | |
| CN101296330B (zh) | 固态图像拾取设备及其驱动方法和信号处理方法 | |
| JP5664175B2 (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器 | |
| TWI345912B (en) | Physical quantity distribution detecting apparatus and imaging apparatus | |
| US7375748B2 (en) | Differential readout from pixels in CMOS sensor | |
| US7139024B2 (en) | Large-area imager with direct digital pixel output | |
| JP2013031226A (ja) | Cmosイメージセンサのための、小サイズ、高利得及び低ノイズのピクセル | |
| CN103283216A (zh) | 改进的图像传感器装置 | |
| US20200068152A1 (en) | Image sensor | |
| JP2003258228A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
| US7116367B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus having a reset transistor controlled by an output line | |
| US9549138B2 (en) | Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device using comparator in analog-to-digital converter | |
| CN104980669A (zh) | 具有一致性的图像传感器优化像素结构 | |
| JP2014078901A (ja) | データ転送回路、撮像素子、および撮像装置 | |
| JP4661212B2 (ja) | 物理情報取得方法および物理情報取得装置並びに半導体装置 | |
| CN120238770A (zh) | 操作具有像素阵列的图像传感器的方法及图像传感器 | |
| JP2021048588A (ja) | 電圧供給回路 | |
| WO2017110163A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、及び、電子機器 | |
| US20220286630A1 (en) | Imaging device | |
| JP2006238444A (ja) | アクティブピクセルイメージセンサ | |
| CN118214959A (zh) | 具有高动态范围像素的图像传感器 | |
| CN103491321A (zh) | 固态成像器件、驱动固态成像器件的方法和电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |