TWI279825B - X-ray generator - Google Patents

Description

1279825 Ο)

(發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術範疇 本發明係有關於一種具有X光管等之X光產生裝置。 技術背景 X光產生裝置係一種設有用以放出X光之X光管的裝置， 大多數利用於醫療或工業用診斷裝置等。就X光管而言， 亦因應於X光產生裝置之用途，而有各種變化。例如，當 要以X光來檢查受檢查物之細微結構等時，係使用一種叫 作微聚焦的X光管，其在X光產生區域所在之陽極乾材上的 電子束焦點尺寸為數/z m至數十# m(例如參考特開 2001-273860 號公報）。 上述微聚焦X光管具有一用以將供放出χ光之陽極靶材 或陰極等配置於各個真空容器内之構造。陰極由用以在加 熱Is之加熱下產生電子束的陰極電極、控制管電流的柵極 電極、以及用以控制陽極耙材上之電子束焦點尺寸的聚焦 電極等所構成。 在具有此類構造之X光管中，一般係例如將陰極電極、陽 極靶材、或柵極電極設定至接地電位，並施加一特定之（X 光）管電壓至陽極㈣上。以管之動作狀態係藉由例如控 制-施加至聚焦電極或栅極電極之電壓而受到調整。若係 控：-施加至聚焦電極之電壓的情形，係利用一與用以產 生管電壓之陽極靶材用電源分開而設之聚焦電極用電源， 來產生一用以施加至聚焦電極之聚焦電壓。 I279825 然=，在控制聚焦電壓之方式中，若用以施加至陽極靶 材之管電壓，與施加至聚焦電極之聚焦電壓，有脈動等上 之良動，將影響到電子束之焦點形狀，而難以形成微小的 焦點。亦即，若要將電子束之焦點形狀作到最小，則例如 維持圖7之符號P所示之管電壓與聚焦電壓間之比例關係將 相田重要。若管電壓與聚焦電壓有變動的話，圖7所示之比 例，係將無法保持，而難以形成微小焦點。根據本發明者 之貫驗，已確認管電壓與聚焦電壓間之比率若變動0,15% 以上，將對於焦點直徑有很大的影響。 〇 相對於上述情形，在例如曰本特開平7_29532號公報中， 則記載2—X光產生裝置，其將聚焦電壓設定於接地電位 ，並隨著該施加至陽極靶材之電壓變化，而以一定之比率 ，使該施加至陰極電極之電壓產生變化。藉由此類習知x 光產生裝i ’由於聚焦電極保持於接地電位而沒有變動， 即使該施加至陽極乾材之電壓有脈動產生，亦能保 焦點之穩定。 然而，上述公報中所記載之x光產生裝置由於必須將聚焦 電極設定於接地電位，因而在裝置構造上之限制相當大…、 例如，在習知X光產生裝置中，一般雖然係將陽極：； 栅極電極設定於接地電位，但在此類χ光產生裝置上，= 無法應用上述公報中所記載之微小焦點形成方法。因此之 故，於將陽極靶材或栅極電極設定於接地電位時，將有㊉ 要-種可以控制電壓變動所對於電子束微小焦點 2 、 響的技術。 〜 -6- Ϊ279825

(3) 又’在微5^焦X光管中’係在陰極電極與概極電極之間， 施加一偏壓電壓，而以該偏壓電壓來控制一使又光產生之 電子束電流（管電流）。當應用此類管電流之控制方式時， 一般會獨立設置一用以產生該偏壓電壓之電源。 然而，在上述管電流控制方式中，當偏壓電壓用電源發 生故障時，X光管内將產生過大的管電流。這樣的過大管 電流會導致陽極靶材之熔化等，而招致X光管之特性劣化 甚至破壞專。因此，當以該施加至陰極電極之偏壓電壓 ’來控制管電流時，將希望能提高其可靠度與安全性等。 本發明之目的在於提供一種即使將陽極靶材或栅極電極 設定於接地電位時，亦能抑制電壓變動對於形成電子束焦 點之影響的X光產生裝置。本發明之其它目的則在於提供 一種當以一施加至陰極電極之偏壓電壓來控制管電流時， 能防止過大管電流產生，而藉以提高可靠性或安全性的x 光產生裝置。 發明概要 本發明所揭第一X光產生裝置包含：一陰極電極，用以產 生電子束，一栅極電極，用以控制該陰極電極所發生之該 電子束流；一聚焦電極，用以使該電子束集束；一陽極靶 材’用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而 放出X光；一偏壓電壓產生部，用以產生一供施加至該陰 極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；一管電壓產生部，用 以產生一供施加至該陽極靶材之管電壓；以及一分壓部， 用以對該管電壓進行分壓而產生聚焦電壓，再將該聚焦電 1279825

壓施加至該聚焦電極。 在本發明之X光產生裝置中，由於係對管電壓進行分壓而 產生聚焦電壓，因而即使管電壓中有脈動等變動產生，亦 能維持管電壓與聚焦電壓間之比例關係。因此，管電壓之 變動所對於電子束焦點尺寸之影響即受到抑制，結果，將 可以在有比較好之再現性下形成電子束微小焦點。 第一 X光產生裝置還具特徵在於··在分壓部中對聚焦電壓 進行分壓而產生陰極電壓，再將該陰極電壓，與該偏壓電 壓產生部所產生之偏壓電壓加以合成。在此場合下，分壓 所產生之陰極電壓之大小係被設定成即使有相同大小之 電壓被施加在陰極電極與栅極電極間，亦不會有管電壓產 生。藉此’將可以提高X光產生裝置之安全性。 本發明所揭第二X光產生裝置包含：一陰極電極，用以產 生電子束；一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該 電子束流，一聚焦電極’用以使該電子束集束；一陽極乾 材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子束之撞擊，而 放出X光；一管電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極 靶材之管電壓；一聚焦電壓產生部，用以產生一供施加至 該聚焦電極之聚焦電壓；一偏壓電壓產生部，用以產生一 供施加至該陰極電極與該柵極電極間之偏壓電壓；以及一 分壓部’用以對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電壓，再 將該陰極電壓與該偏壓電壓合成後，施加至該陰極電極。 圖式簡單說明 圖1顯示本發明之第一實施例所成X光產生裝置之概略構 (5) 1279825

造與電路結構。 圖2顯不本發明之第二實施例所成χ光產生裝置之概略構 造與電路結構。 圖3為一顯示本發明之實施例中之χ光產生裝置之管電壓 與聚焦電壓間之關係的特性圖。 圖4為一顯示本發明之第二實施例中之χ光產生裝置之偏 麈電壓產生部之輸出電壓和管電流間之關係的特性圖。 圖5顯示本發明之第三實施例所成之χ光產生裝置之概略 構造與電路結構。 & 圖6顯示本發明之第四實施例所成之χ光產生裝置之概略 構造與電路結構。 圖7為一顯示X光產生裝置中之管電壓與聚焦電壓間之關 係的特性圖。 較佳實施例之說明 以下，就用以實施本發明之型態作一說明。 圖1為一顯示本發明之第一實施例所成χ光產生裝置之構 造的圖式。該圖所示之χ光產生裝置具有一微聚焦χ光管1〇 ^微聚焦χ光管ίο整體係由真空容器η所構成，在真空容器 11内之其中一側配置有陰極〗2，而在另一侧則配置有陽極 13’陽極13具有一陽極乾材14 ^ 陰極12例如包含有：用以產生電子束e之陰極電極15、用 以加熱陰極電極15之加熱器16、用以控制電子束e之流量（ 例如管電流）的栅極電極17、以及用以集束電子束e而來控 制陽極靶材14上所形成之電子束之焦點形狀的聚焦電極。 1279825

⑹ 在本實施例之X光產生裝置中，栅極電極π係成接地電位 G;在陽極靶材14與接地電位g間，連接有一可改變輸出之 官電壓產生部19;在陽極乾材14上受施加有一相對於柵極 電極17為正的管電壓Vt，管電壓Vt被控制在特定值。 又’在陰極電極15與接地電位G之間，連接有一輸出可變 之偏壓電壓產生部20 ’陰極電極15受施加有一相對於栅極 電極17為正之偏壓電壓vb。藉由該陰極電極15與柵極電極 17間的偏壓電壓Vb , X光管1〇之管電流將受到控 #、、、 為16受供應一來自加熱器電壓產生部21之dc或ac特定電 力。 在管電壓產生部19之兩端，並列連接有一分壓部31。分 壓部3 1係由二個電阻Ri、&所構成，這兩個電阻&、&串 列連接，且自例如管電壓產生部19之電位較高側依序取得 第一電阻心和第二電阻R2。第一電阻心和第二電阻R2間之 連接點a被連接至聚焦電極18，且第二電阻h之兩端形成 聚焦電壓Vf。 亦即，分壓部31係根據第一電阻心和第二電阻&而對管 電壓Vt進行分M ’而在第二電阻端產生聚焦電堡 而且，在聚焦電極18與接地電極G之間，施加有一藉由分 壓部3!而對管電Mvt加以分壓而成之聚焦電磨vf。在聚焦 電極18上職施加—相對於柵極電極17為正之聚 在具有上述構造之X光產生裝！中，以陰極電極15所產生 之電子束e係#由柵極電極17而使管電流受到控制，再 焦電極18來使其集束，最後撞擊陽極靶材14。藉由電子束e -10- 1279825 之撞擊陽極乾材14,由陽絲材14上將向箭頭γ方向放出乂 光。此時，被施加至聚焦電極18之聚焦電壓Vf，與 Vt間之關係如下式：

Vf = Vt X R2/(Rl+R2).................⑴ 如同由（1)式所明白者，聚焦電壓从（與管電壓％間，具有 一如圖7所不之比例關係。該聚焦電壓¥€與管電壓Μ間之比 例關係，由於基本上即使管電壓％有脈動等 持不變，因而管電壓vt之變動對於電子束之焦點直= 響將可以非常小。結果，陽極靶材14上即可以再現性良好 地形成電子束之微小焦點。 像這樣，根據第一實施例之X光產生裝置，電壓變動對於 電子束之焦點形成的影響可以相當少，藉此將可以再現性 良好地在陽極靶材14上形成電子束之微小焦點。又，由於 係以分壓部31來對管電壓vt進行分壓，而產生聚焦電壓Vf ’將沒有必要如習知X光產生裝置般，在管電壓產生部19 之外’另外設一聚焦電壓產生部，而可以簡化X光產生裝 置之裝置構造。又，在本實施例中，雖將柵極電極丨7設定 成接地電位G，但仍可以與例如將陽極耙材14設定成接地 電位時之情形同樣地動作。 其次，就本發明之第二實施例而成之X光產生裝置，參照 圖2作說明。圖2顯示一根據本發明之第二實施例而成之X 光產生裝置之構造。又，在圖2中，和圖1相對應之部分賦 予相同符號，並部分省略重複之說明。 在圖2所示之X光產生裝置中，和上述第一實施例相同地 -11- 1279825 ⑻ ’在管電壓產生部19之兩端，並聯連接有分壓部31。惟， 此分壓部31係由三個電阻Rl、、KM所構成，這三個電 阻Ri、Rn、R22串接在一起，且例如由管電壓產生部19之 電位較高側，依序取得第一電阻Rl、第二電阻、以及第 二電阻R2：2。 —此外，第一電阻Rl和第二電阻Rn間之連接點&，和第一 貫施例一樣，被連接至聚焦電極18，且二個電阻 之兩端的電壓即為聚焦電壓vf,且被施加於聚焦電極18與 接地電位G之間。聚焦電壓vf為i 一相對於栅極電極17為正 的電壓。 ' 在第二實施例之X光產生裝置中，分壓部3丨中有關於聚焦 電壓Vf之產生的動作，與第一實施例相同，聚焦電壓乂^目 對於官電壓Vt有一比例關係，亦即聚焦電壓Vf和管電壓％ 之關係如下式：

Vf = vt X (R21+R22) / (Rl + R2i+R22) ···..........(2) 像這樣，聚焦電壓Vf和管電壓％間，具有一如圖7所示之 比例關係，官電壓Vt之變動對於電子束之焦點直徑的影響 將非常小。 在本第二實施例之X光產生裝置中，分壓部31中之第二電 阻Rai和第二電阻尺22間之連接點b，還透過偏壓電壓產生部 20而連接至陰極電極1 5。亦即，分壓部3丨會根據第二電 阻1121和第二電阻R22，而對聚焦電壓Vf加以分壓，而在第 三電阻Ru兩端，產生一相對於栅極電極17為正電壓之陰極 電壓Vc(圖中未示）。生成於該第三電阻R22兩端之陰極電壓

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Vc，與偏壓電壓產生部20之輸出電壓會相合成。 其中，圖2中之偏壓電壓產生部20被連接成使陰極電極15 相對於栅極電極17呈負電壓，且將負的輸出電壓vb，施加至 陰極電極15上。而且，由於第二電阻Rn和第三電阻r22之 連接點b，係被連接至偏壓電壓產生部20之正端子，在陰極 電極15上，將被施加一由第三電阻R22兩端的電壓（陰極電 壓）Vc和偏壓電壓產生部20之輸出電壓Vb，兩者間所得之差 壓。 然而，在微聚焦X光管中，如前所述，管電流係受陰極電 極15和柵極電極17間之偏壓電壓Vb所控制，而且，在偏壓 電壓Vb和聚焦電壓Vf之間，有一如圖3之符號Q所示之關係 :圖3之橫轴表示聚焦電壓（V)、縱轴為偏壓電壓（v)、直線 Q為管電流遮斷偏壓電壓。 如圖3所示，以管電流遮斷偏壓電壓q為界，在其上方之 部分為官電流沒有流通之區域，而在下方部分則為管電流 有流通之區域。換言之，相對於某一聚焦電壓Vf，偏壓電 堡Vb右為"比管電流遮斷偏壓電壓Q還小之電壓，則不合 有管電流。又，符號Q1表管電流為40 v A之場合。 又，如同由圖7之關係所明瞭者，管電壓vt之動作範圍例 如為0〜80kV時，聚焦電壓Vf之調整範圍為〇〜2〇〇〇V。在 此場合，由圖3之關係可知，會有管電流之偏壓電壓vb之 調整範圍為例如0〜150V。在圖1所示之第一實施例中，係 直接由連接成會使陰極電極相對於栅極電極17為正電壓的 偏壓電壓產生部之輸出電壓，來調整這樣範圍（例如〇〜 1279825

(10) 1 50V)的偏壓電壓vb。 - 另一方面，在圖2所示之第二實施例之分壓部3 1中，在第 三電阻R22兩端所產生之電壓（陰極電壓）Vc，係比例於聚焦 電壓Vf。亦即，可知在第二電阻Rn與第三電阻R22之連接 點b上之電壓（第三電阻r22兩端之電壓Vc)為：

Vc = Vf χ r21 / (R21+r22)..............(3) 且其比例於聚焦電壓vf。又，由於聚焦電壓Vf比例於管 電壓Vt，陰極電壓Vc和管電壓％將呈比例關係。 因此，在第二實施例之χ光產生裝置中，係將第三電阻 R22兩端所產生之陰極電壓Vc，設定成一即使將一和其一樣 大小之電壓加在陰極電極〗5與柵極電極17間下亦不會有管 電流之大小，亦即圖3所示管電流遮斷偏壓電壓Q，再將該 管電流遮斷陰極電壓Vc和偏壓電壓產生部2〇所產生之電壓 Vb’加以合成，而加至陰極電極15上。在此場合，管電流遮 斷陰極電壓Vc係例如沿著管電流遮斷偏壓電壓q (圖3)之 直線而變化。 進一步，如同由圖3所示關係可明瞭者，在有管電流之情 形下，只要在一降低管電流遮斷陰極電壓¥(：之方向上，控 制偏壓電壓產生部20所發生之電壓vb，即可。亦即，將身為 正電壓之管電流遮斷陰極電壓Vc，和身為負電壓之偏壓電 壓產生部20所產生之電壓Vb，加以合成，再將其間之差，加 至陰極電極15作為偏壓電壓Vb(==Vc-Vb’），而來控制管電流。 因此，可以將控制管電流所需要之偏壓電壓產生部2〇之 發生電壓Vb’設定成例如〇〜30V之範圍。藉由如此狹窄範圍 -14- 1279825

(π) 之發生電壓Vb’，將可以充分地控制管電流。是以，可以簡 單化偏壓電壓產生部20之構造與控制。進一步，即使偏壓 電壓產生部20發生故障，由於在陰極電極15上受施加有來 自分壓部3 1之管電流遮斷陰極電壓Vc，因而將可以防止因 過大管電流產生而使陽極乾材14溶化之事故發生。 在此’就改變聚焦電壓vf下之管電流，以及偏壓電壓產 生部20之發生電壓Vb，間之關係，參照圖4作說明。圖4之縱 軸為管電流[#A]，橫軸為偏壓電壓產生部2〇之發生電壓 vb’[v]，符號vi表聚焦電壓vf為400v下之情形，符號V2 表聚焦電壓為1000V之情形。像這樣，即使偏壓電壓產生 部20之發生電壓Vb’之範圍在例如〇〜3〇v之狹窄範圍，亦可 以將管電流控制至必要範圍。 根據上述第二實施例之χ光產生裝置，由於係以分壓部31 來對管電壓Vt進行分壓，而產生聚焦電壓vf，因而將可以 使電壓變動對於電子束之焦點形成所造成之影響減到最少 。又，由於係以分壓部3丨所產生之管電流遮斷陰極電壓… ，和偏壓電壓產生部20之發生電壓Vb，間之差，來作為偏壓 電壓vb而施加至陰極電極15 ,因而可以簡化偏壓電壓產生 部20之構造與控制。 此外，即使偏壓電壓產生部20發生故障，由於在陰極電 極15上受施加有一來自分壓部31之管電流遮斷陰極電壓％ ，因而可以防止因過大管電流所致χ光管1〇之特性劣化或 破壞亦即，將可以大幅提高X光產生裝置之可靠度或安 全ft又，在本實施例中，雖係就栅極電極丨7設定成接地 1279825 電位G之情形作說明，但若將陽極托材顺定成接地電位 ，亦可以相同地動作。 人^就本發明之第三實施例所成之χ光產生裝置，參照 、，5作說明。圖5顯示一根據本發明之第三實施例而成之X =產生裝置之構造。又’在圖5中，和圖1與圖2相對應之部 刀賦予相同符號，並部分省略重複之說明。 /第一實施例之X光產生裝置中之陽極靶材14，亦即陽極Η 係接地G的。而且，設有一用以產生一供應給微聚焦X光管 ion：源電壓的高電壓產生部22 ’以及一用以控制該高電 壓產生部22之控制部30等，且高電壓產生部22係被容納於 例如絕緣物中。分壓部3丨之動作和前述第二實施例一樣。 在本第二實施例中，管電壓產生部丨9所產生之負電壓被 知加至拇極電極17上。且管電壓產生部19之輸出電壓由管 f壓檢測部32所檢測出。管電壓檢測部32所檢測出之管電 壓值VI ’和所設定之管電壓設定值v〇，會在管電壓比較部 33中被比較。所比較得之資料被送至管電壓控制部，再 由管電壓控制部34來控制管電壓產生部19，使管電壓值vi 和管電壓設定值V0相等。 又’陰極電極15和陽極靶材14間所流之管電流π會為管 電流檢測部3 5所檢測出。由管電流檢測部3 5所檢測出之管 電流值11會和所設定之管電流設定值10在管電流比較部36 中被比較。比較得之資料被送至偏壓電壓控制部37，再由 偏壓電壓控制部37來控制偏壓電壓產生部2〇 ,而使管電流 值II和管電流設定值1〇相等。加熱器電壓產生部21為加熱 -16 - 1279825 () 器電壓控制部38所控制。 在具有上述構造之X光產生裝置中，藉由加熱器16之加熱 ，陰極電極15將會放出電子e,而使管電流產生。由陰極電 極15所放出之電子束e會因柵極電極17，而使管電流受到控 制，並為聚焦電極18所集束，而撞擊於陽極靶材14上，再 由陽極乾材14向箭號Y方向放出X光。 根據上述第二實施例所揭X光產生裝置，即使陽極乾材i 4 之電壓因脈動而變化，仍可以將最佳之聚焦電壓施加至聚 焦電極18上❶藉此，將可以在障極靶材14上，再現性良好 地形成電子束之微小焦點。又，和前述第二實施例一樣， 可以縮小偏壓電壓之控制範圍，並能以簡單之控制電路， 來穩定地控制高解析度之管電流。 其次’就本發明之第四實施例所成之X光產生裝置，參照 圖6作說明。圖6顯示一根據本發明之第四實施例而成之X 光產生裝置之構造。又，在圖6中，和圖i與圖2相對應之部 分賦予相同符號，並部分省略重複之說明。 本第四貫施例之X光產生裝置之柵極電極丨7係設成接地 電位G。陽極靶材14和接地電位g之間連接有可變更輸出之 官電壓產生部19。陽極靶材14被施加一相對於柵極電極j 7 為正的管電壓V卜在聚焦電極18與接地電位〇之間，連接 有可變更輸出之聚焦電壓產生部23，聚焦電極18並被施加 一相對於柵極電極17為正的聚焦電壓vf。偏壓電壓產生部 2〇被連接於陰極電極15和接地電位G之間，俾施加一負電 壓（輸出電壓Vb’（圖中未示））至陰極電極15上。 4〇 -17- !279825 V1 v . . 聚焦電壓產生部23之兩端並聯連接有一-分壓部41。該分 壓^M1係由二個電阻！^、Ευ所構成。此兩電阻I!^2 ★串聯連接，且例如由聚焦電壓Vf23之高電位側，依序成= 第一電阻Rn和第二電阻R22。而且，分壓部41中之第一電 阻尺21與第二電阻R22間之連接點b ,透過偏壓電壓產生部2〇 ’而被連接至陰極電極15。 亦即，分壓部41係根據第一電阻和第二電阻心2,而對 聚焦電壓vf進行分壓，並在第二電阻尺22兩端，產生一相對 於柵極電極17使陰極電極15成為正電壓的陰極電壓Vc(圖 中未示）《生成於該第二電阻KM兩端之陰極電壓¥(：會與偏 壓電壓產生部20之輸出電壓Vb，相合成。由於第一電阻R2i 和第二電阻之連接點b被連接至偏壓電壓產生部2〇之正 端子，因而陰極電極15上所被供應的，應是第二電阻兩端 電壓（陰極電壓）Vc和偏壓電壓產生部20之輸出電壓vb，間 之差壓。 在本第四實施例之X光產生裝置中，和前述第二實施例一 樣’係將生成於第二電阻R22兩端之陰極電壓Vc，設定成當 和其相同大小之電壓被施加於陰極電極1 5與柵極電極1 7間 時不會有管電流產生之大小。在陰極電極1 5上，被施加一 作為偏壓電壓Vb之由管電流遮斷陰極電壓（正電壓）Vc和偏 壓電壓產生部20之發生電壓（負電壓）Vb，間所產生之差壓 (Vc-Vb*)，而由該偏壓電壓Vb(=Vc-Vb，）來控制管電流。 像這樣，根據第四實施例之X光產生裝置，和第二實施例 一樣’可以縮小該控制管電流所需之偏壓電壓產生部20之 -18- 1279825

(15) 調整範圍。藉此，並可以簡化偏壓電壓產生部2〇之構造與 控制。進一步，即使偏壓電壓產生部2〇發生故障，在陰極 電極15上’由於受施加有一來自分壓部31之管電流遮斷陰 極電壓Vc，將可以防止一因過大管電流所致之χ光管的特 性劣化或破壞。亦即，可以大幅地提高又光產生裝置之可 靠度與安全性。 又，在本實施例中雖係就一將柵極電極17設定成接地電

位G之情形作說明，但即使例如將陽極靶材14設定巧接地 電位，亦有相同之動作。 · [產業上之可利用性] 根據本發明之X光產生裝置，將可以抑制電壓變動所對方 電子束之焦點形成所造成之影響。是以，可以再現性良女 陽極靶材上，形成電子束之微小焦點。進一步，可C 提同X光產生裝置之可靠度與安全性。像本發明這樣的^ 產生裝置可以有效地被利用於醫療用或卫業用診斷裝置 圖式代表符號說明 <

10 X光管 11 真空容器 12 陰極 13 極 14 陽極乾材 15 陰極電極 16 加熱器 17 栅極電極

-19- 1279825 (16) 18 聚焦電極 19 管電壓產生部 20 偏壓電壓產生部 21 加熱器電壓產生部 23 聚焦電壓產生部 31，41 分壓部 32 管電壓檢測部 33 管電壓比較部 34 管電壓控制部 35 管電流控制部 36 管電流比較部 37 偏壓電壓控制部 38 加熱器電壓控制部

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Claims (1)

1. j辑5丨::呼:ι::-换割 ;慕姐11删4號專激吏讀{案 中文申請專刹範圍替換本年1月） I >ϋ 月 拾、申請專利範圍 1· 一種X光產生裝置，其特徵在於具有： 一陰極電極，用以產生電子束； 一栅極電極，用.以控制該陰極電極所發生之該電子束 流； 一聚焦電極，用以使該電子束集束； 一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子 束之撞擊，而放出X光； 偏壓電壓產生部，用以產纟一供施加至該陰極電極 與該栅極電極間之偏壓電壓； 一官電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶材之 管電壓；以及 一分壓部，用以對該管電壓進行分壓而產生聚焦電壓 再將該聚焦電壓施加至該聚焦電極，並對該聚焦電壓 進行分壓而產生陰極電壓；且 將該分壓部所產生之該陰極電壓與該由該偏壓電壓產 生σ卩所產生之偏壓電壓相合成，並將此合成後之電壓施加 至該陰極。 2.如申請專利範圍第2項之X光產生裝置，其中由該分壓部 所產生之該陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小 之電壓被施加至該陰極電極與該柵極電極之間時，不會 有管電流產生。 3·如申請專利範圍第1項之X光產生裝置，其中該分壓部係 相對於該管電壓產生部呈並聯連接。

   •如申請專利範圍第1項之X光產生裝置，其中該分壓部係 由電阻、第二電阻、以及第三電阻，由該管電壓產 生部之高電位側，依序串接而成，且該第一電阻與該第 二二電阻間之連接點被連接至聚焦電極，而該第二電=與 X第一電阻間之連接點則被連接至偏壓電壓產生部。 5· 一種x光產生裝置，其特徵在於具有·· σ 一X光管，其具有·· 一陰極電極，用以產生電子束； 、☆一栅極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電子束 流； 一聚焦電極，用以使該電子束集束；及 一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子 束之撞擊，而放出X光； f偏壓電壓產生部’用以產生-供施加至該陰極電極 與該栅極電極間之偏壓電壓； —偏壓電壓控制部’用以檢測出該X光管中所流之管 電流’再將檢測出之該管電流與—基準值相比較，以控 制一由該偏壓電壓產生部所生成之偏壓電壓； 一-管電壓產生部’用以產生—供施加至該陽極乾材之 管電壓； :官電麼控制部’用以檢測出該管魔產生部所產生 之官電壓’再將檢測出之該管電壓與一基準值相比較， 以控制該管電壓；以及 -分壓部，用以對該管電屋進行分壓而產生聚焦電壓 -2- 1279825- lL· !B3. .4. :潜換1

   ，並將該聚焦電壓施加至該聚焦電極，並對該聚焦電壓 進行分壓而產生陰極電壓；且 將該分壓部所產生之該陰極電壓，與該由該偏壓電壓 產生部所產生之偏壓電壓相合成，並將此合成後之電壓施 加至該陰極。 6·如申請專利範圍第5項之X光產生裝置，其中由該分壓部 所產生之该陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小 之電壓被施加至該陰極電極與該柵極電極之間時，不會 鲁 有管電流產生。 曰 7· 一種X光產生裝置，其特徵在於包含： 一陰極電極，用以產生電子束； 一柵極電極，用以控制該陰極電極所發生之該電 流； 一聚焦電極，用以使該電子束集束； 一陽極靶材，用以藉由該聚焦電極所集束得之該電子 束之撞擊，而放出X光； 一官電壓產生部，用以產生一供施加至該陽極靶 管電壓； ▼ 一聚焦㈣產生部，用以產生_供施加至該聚焦電極 之聚焦電壓； 一偏壓電壓產生部，用以產生_供施加至該陰極電極 與該柵極電極間之偏壓電壓；以及 一分壓部，用以對該聚焦電壓進行分壓而產生陰極電 壓，再將該陰極電壓與該偏壓電壓合成後，施加至該陰

   極電極。 8. 如申請專利範圍第7項之X光產生裝置，其中由該分壓部 所產生之該陰極電壓之大小，被設定成當和其相同大小 之電壓被施加至該陰極電極與該栅極電極之間時，不會 有管電流產生。