TWI278991B - Solid image-pickup device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
1278991 玖、發明說明: [發明所屬之技術領域] 本發明爲有關一種由C-MOS (互補金氧半導體)或CCD (電荷耦合裝置)等的光敏元件所代表之固態攝像元件者。 [先前技術] 在C CD等固態攝像元件上的光電轉換元件中,其對光電 轉換有用的領域(開口部位)是依存於固態攝像元件的大小 和像素數量,而,其係只能達到固態攝像元件全面積的 2 0〜4 0 %程度。開口比率太低會直接影響到靈敏度的降低, 因而,在一般上是在光電轉換元件上形成聚光用的微透鏡 以補償之。 然而,近來,超過3 0 0萬像素的高精細固態攝像元件之 需求量很大,由於此固態攝像元件的高精細化所連帶的微 透鏡開口比率之降低,及寄生光斑、污斑的增加所引起之 圖像品質的降低已成爲大的問題。在C-MOS或C CD等的 攝像元件之製造中,像素數量已逐漸趨近於理想之値’因 而,製造廠商間之爭,已從像素數量轉移到圖像品質上。 有關微透鏡的形成技術中爲眾所周知者,有如在特開昭 6 0 - 5 3 0 7 3號公報中有較詳細的說明。此文獻中,有詳細的 公佈一種利用加熱的樹脂之熱流動性,以形成正圓的半球 形狀透鏡之技術,及,由數道飩刻方法以加工透鏡之技術 。又,也公佈一種對透鏡表面光散射所引起的聚光性能損 失之改善對策,是在透鏡表面形成聚縮水甘油甲基丙烯酸 酯(PGM A )等的有機膜或OCD(東京應化工業股份公司製的 1278991 s i 〇2系被覆膜形成用塗布液)的無機膜之技術等。 爲了要防止在於微透鏡的反射’而在微透鏡上形成單層 或多層的反射防止膜之技術,是公佈在例如特開平4-22 3 3 7 1 號公報中。又,對微透鏡的乾式蝕刻加工的技術是,除上 述技術外,在特開平1 - 1 〇 6 6 6號公報中有詳細的記載。又 ,有色微透鏡(經著色的微透鏡)的技術是在特開昭64-7 5 62 號公報,特開平3 · 2 3 0 1 0 1號公報等中有所發表。 第1 A圖是以往的典型固態攝像元件一例之斷面圖。如第 1A圖所示,在光電轉換元件80上形成有平坦化層81、82 φ 和濾色片8 3,並看情形也形成層內透鏡等,而在一般上, 其係形成5〜6 μ m程度的較長(較厚)之透鏡下距離D 1。 又第1 B圖是以往的固態攝像元件另一例(配置有色透鏡 9 0)之斷面圖。是用兼具濾色片功能的有色透鏡90,以簡化 固態攝像元件的構成者。 [發明欲解決之問題] 然而,在於以往的固態攝影像元件中,係有例如下列之 問題。 # 第1,在於以往的固態攝像元件之構成中,要縮短其透 鏡下距離是有所困難。即,在第1 A圖中,要提升微透鏡 8 5來的入射光之聚光性,且,要提升在於光電轉換元件8 0 的S/N (信號/雜訊)比之有力手段是要縮短透鏡下距離D1 (減少其厚度)。然而,I要無條件的減少微透鏡8 5的厚度 (透鏡高度D2),其在以熱流動製造微透鏡的方法中,難於 形成爲大略半球形狀,不能製成理想的微透鏡。 1278991 此問題是在於其消耗電力少,可和驅動電路一體化以省 空間化之點上,最近受到注目之C-MOS攝像元件中,尤爲 顯著。其因是C-MOS攝像元件在構造上,其微透鏡到光電 轉換元件間的距離會有加長之趨勢,其對上述要縮短透鏡 下距離D 1上是種不利的構成。 第2,在以往的構成中,是有由於光的入射位置的關係 而產生色彩純度的降低,以致其圖像品質降低之問題。即 ,在第1 B圖中,從有色透鏡9 0中央附近所入射的光L 1 是可透過足夠厚度的有色透鏡,因而,其透射光L3當可獲 得接近於目標之濾色效果。然而,從有色透鏡9 0邊端所入 射的光L2是會透過有色透鏡的較薄部位,因而,其透射光 L4會成爲相當發白的色彩,在結果上是會大大的減低其色 彩純度。 [發明內容] [發明之解決手段] 本發明乃有鑑於上述問題,目的是在於提供一種固態攝 像元件及其製造方法,係可縮短其透鏡下距離,以改善 其聚光性和S/N比,並使微透鏡的實質上之厚度在〇.5 μιη 以上,以抑制在有色透鏡的色彩純度之降低,並且,可提 高其開口比率者。 本發明的第1觀點是一種固態攝像元件,其係在於具備 :以二維配置的多數光電轉換元件;和覆蓋於上述各個光 電轉換元件上的多數大略半球形狀微透鏡之固態攝像元件 中,其特徵爲:上述微透鏡爲多層構造之透鏡,而至少包 含:形成爲上述大略半球形狀的至少一部分之透明樹脂上 -8- 1278991 部層,和設在該透明樹脂上部層的上述光電轉換元件側, 其與該透明樹脂上部層的界面是成爲順著上述光電轉換元 件表面形狀之著色下部層者。 本發明的第2觀點是一種固態攝像元件製造方法,其係在 於具備··以二維配置的多數光電轉換元件,和覆蓋於上述各 個光電轉換元件上的多數大略半球形狀微透鏡之固態攝像元 件的製造方法中,其特徵爲包含:在於半導體基板上配置成 爲二維的多數光電轉換元件上,形成平坦化層;在上述平坦 化層上,使用以色素爲色料的感光性著色抗蝕劑,以光蝕刻 φ 法形成多數顏色的著色下部層;在上述多數顏色的著色下部 層上塗布第一樹脂塗布液,以形成透明樹脂上部層;使用持 有鹼溶性、感光性、及熱流動性的透鏡材料,在上述透明樹 脂上部層上以光蝕刻法及熱處理形成透鏡母模;在上述透鏡 母模上實施乾蝕刻加工,將上述透鏡母模圖案至少轉印到上 述透明樹脂上部層,以形成至少包含上述透明樹脂上層部和 上述著色下層部之上述微透鏡者。 [實施方式] φ 以下,參照圖面說明本發明的各實施形態。又,在以下 說明中,具大致同一功能及構成之構成要素是附與同一符 號,僅在於必要時才做重複說明。 •第1實施形態 第2A圖是第1實施形態的固態攝像元件1之俯視圖。第 2B圖是第2A圖中順著A-A箭頭之斷面圖。首先,參照第 2A圖及第2B圖說明固態攝像元件之構成。 -9- 1278991 如第2 A、2 B圖所示,固態攝像元件1是具備微透鏡1 〇 、半導體基板11、光電轉換元件13、遮光層16、及平坦 化層1 5。 半導體基板11是作爲安裝光電轉換元件13等用的基板 。光電轉換元件1 3是可將經由微透鏡1 〇所入射的光轉換 爲電荷者。平坦化層1 5是要將微透鏡1 〇的安裝面平坦化 者。 微透鏡1 0是半球形狀者,而包括形成該微透鏡1 〇上部 半球形狀的透明樹脂上部層1 0a,和形成透鏡1 〇下擺部分 鲁 的著色下部層10b。透明樹脂上部層i〇a與著色下部層i〇b 的界面是形成爲順著光電轉換元件1 3表面的形狀,也即, 成爲平坦面者。此平坦面的面積是對應於著色下部層1 〇 b 的有效面積(具聚光功能的表面)之一部分。又,在第2 B圖 的例中,%色下部層1 Ob的一部分也形成爲構成微透鏡1 〇 的半球形狀之一部分。以如此地將著色下部層1 〇b形成爲 微透鏡1 〇的半球形狀之一部分者較爲理想。 透明樹脂上部層1 0 a的厚度τ 1並無特別的規定,但要有 鲁 熱流動的厚度下限値之0 · 4 μ m以上爲理想。又,由於本實 施形態是以微細像素間距爲對象者,因而,透明樹脂上部 層1 〇 a的厚度Τ 1之上限是以約1 μ m爲理想。 著色下部層l〇b的厚度T2是只要具有可達成其分色爲目 的所需之濾色膜厚度即可,並無特別限定的意思。一般上 在0·5μιιι〜1·5μηι範圍內當可符合。著色下部層10b與透明 樹脂上部層】〇 a的平坦界面是從分色的觀點上,在於像素 -10- 1278991 大小的容許範圍應爲愈大愈好。 又著色下部層1 Ob是可用有機顔料爲色料來著色,但以 用染料來著色爲理想(色料是指包括著色劑的材料)。其理 由是可列爲如:如使用有機顏料時會有由於其種類的不同 ’而在乾蝕刻加工時產生蝕刻速率的差異,致使各個顏色 的透鏡形狀易於變化;其表面形狀會成爲粗糙面;且,在 於本實施形態對象物的微細像素間距之攝像元件中,顏料 本身的粒徑(粒子)易於對S/N比產生不良影響;及,難於 濾除該著色抗蝕劑材料的異物等。 對於含有有機顏料作爲色料所形成的著色層實施較深的 蝕刻加工時,其表面會產生很大的起伏,如將該成爲粗糙 面的著色下部層之一部分作爲微透鏡之用時,要保持微透 鏡形狀是有所困難。在蝕刻加工前的各個顏色著色下部層 之膜厚如有差異時,要用乾蝕刻工程來做最後的膜厚調整 ,因而,必然地蝕刻加工所需的著色下部層之厚度也要增 加。因此,要使其飩刻表面的粗糙化可在於容許範圍時, 宜將各個顏色的著色下部層厚度之差限制在0.3 μηΐ以內。 該多數的著色下部層膜厚之差越小,可獲得越理想透鏡形 狀之微透鏡。 17爲了要儘可能的使入射於光電轉換元件之光量不致於減 少,透明樹脂上部層1 〇a與著色下部層1 〇b的折射率差是越 小越好。又爲了減低其表面反射,透明樹脂上部層1 Oa的折 射率是以越低者越好。由這些觀點,也可在透明樹脂上部層 1 0 a與著色下部層1 0 b的界面插入減低反射用的光學薄膜。 -11- 1278991 在此場合中,透明樹脂上部層1 〇a與光學薄膜的界面並不必 爲平坦者,但,光學薄膜與著色下部層1 Ob的界面必需爲平 坦者。又,也可在微透鏡1 〇的整面上,層疊反射防止膜。 低折射率的透明樹脂上部層1 〇a是比其爲高折射率時可形成 較厚的膜,由此點上,在於具微細像素的本固態攝像元件1 中,層疊反射防止膜的構成也可稱爲理想者。 微透鏡1 〇是以使用透鏡母模的乾蝕刻加工所形成。這種 使用母模的乾蝕刻加工中,透鏡間的凹部會有蝕刻較快之 傾向,易使微透鏡的完成形狀劣化。爲了要緩和此點,在 f 乾蝕刻加工前,先用膜厚0.05 μιη〜0.3 μπι前後的透明樹脂薄 膜層覆蓋於透鏡母膜整體上爲佳。插入此工程後可更順利 的實施透鏡母模之轉印。 又,在本固態攝像元件1的製造中,爲了要縮短透鏡下 距離,是儘量的加深乾蝕刻的深度。此時,如深入到著色 下部層的底層(即平坦化層1 5 )時,著色下部層的平坦面 (有效面)會減少,而會使從微透鏡周邊所入射的、其色彩 純度較差之光量增加,致使圖像品質劣化,因此,乾蝕刻 馨 加工的深度是以到著色下部層厚度方向的中途爲止爲理想 。如在著色下部層保留0.4 μηι程度,理想的是0.7 μπι不蝕 刻部分時,可抑制色彩純度的降低。 乾蝕刻加工通常是用氧氣,但,如用具還原性的氟利昂 系氣體作爲蝕刻氣體時,可轉印狹小間隙的母模,而易確 保透鏡形狀。可使用的氟利昂系氣體是列舉如CF4、C2F6 、(:3F8、c4f8、CHF3、CHF5等,而可使用這些中的一種或 -12- 1278991 多種的組合者。尤以C或Η的相對於F之比率增加時,對 保持狹小間隙很有效果。在具體上是以CF4爲基本氣體, 而添加少量的C3F8、C4F8等之混合氣體爲理想。但是,爲 了要獲得最合適的透鏡形狀和透鏡間間隙,蝕刻氣體的成 分是大部分都要依靠於所使用的乾蝕刻加工裝置,因而, 氣體成分並未受限制。 透明樹脂上部層1 Oa如使用丙烯酸系樹脂時,如從粘著 力和折射率的觀點上,感光性著色抗蝕劑的樹脂是以丙烯 酸系的感光性樹脂爲理想。染料的添加是可用將其溶解於 f 感光性著色抗蝕劑的主溶劑中之方式、將其分散於抗蝕劑 樹脂中的方式、或將其組合於樹脂骨架的所謂懸吊(pendant) 方式等。 又,使用染色槽的一般上之染色方法是會增加工程數, 因而從成本的觀點上,是不理想,以染料爲色料的濾色片 之在於著色抗蝕劑階段中,可做到0.2 μ m〜0.1 μπι的高度濾 除(除去異物)。因而,其與分散著其濾除界限爲1μΐΏ〜〇.5pm 的有機顏料之著色抗蝕劑相比,可獲得具較高度圖像品質 鲁 ,且大大的提升S/N比之攝像元件。 染料是可列舉如偶氮基系、咕噸系、酞菁系、蒽醌系、 香豆素系及苯乙烯基系等,而可使用紅、綠、藍的3原色 染料或天藍色、品紅色、黃色的補色染料,也可在於這些 之中加上綠色者。 •製造方法的實施例1 以下,詳細的說明本固態攝像元件1的製造方法之一例。 -13 - 1278991 第3 A〜3C圖是固態攝像元件1的製造方法之說明圖。 如第3 A圖所示,在於已形成光電轉換元件1 3遮光膜和 鈍態層(passivation)(均未圖示)的半導體基板11上,使用 熱硬化型丙烯酸系樹脂塗布液,以施轉塗布法形成平坦化 層1 5。接著,使用R(紅)、G(綠)、B(藍)各個的感光性著 色抗蝕劑,經3次的光蝕刻,形成著色下部層1 Ob。R(紅) 、G (綠)、B (藍)各個的感光性著色抗蝕劑是用旋轉塗布法 塗布,而曝光是使用步進曝光機。 接著,如第3B圖所示,在著色下部層10b的R(紅)、G φ (綠)、B(藍)上,使用熱硬化型丙烯酸樹脂塗布液,以旋轉 塗布法形成透明樹脂上部層1 〇a。 又,在透明樹脂上部層1 〇 a上,將具熱流動性的感光性 丙烯酸系樹脂,同樣以旋轉塗布法塗布,經曝光、顯像、 並使其熱流動,以形成半球形狀之透鏡母模1 9。熱流動處 理時的溫度是例如爲1 9 0 °C。然後,將和用於形成透明樹 脂上部層1 〇a相同之丙烯酸系樹脂塗布液塗布於透鏡母模 1 9的整面上,以形成乾燥後的膜厚爲約0 · 1 μηι之透明樹脂 φ 薄膜層(圖未示)。 接著,將已形成透鏡母模1 9的半導體基板1 1,在乾蝕 刻裝置中,以〇2氣體實施蝕刻處理。此蝕刻處理是在壓力 5Pa、高頻電力(RFpowe〇500W、偏壓功率(Bias)lOOW之 狀態下實施之,而可獲得如第3 C圖所示形狀之固態攝像元 件1。又,也可在所形成的微透鏡1 〇上層疊反射防止膜。 在上述製造例中,透明樹脂上部層著色下部層i〇b -14- 1278991 、及平坦化層1 5的樹脂材料是使用其在光波長5 5 Onm的折 射率爲1 . 5 1〜1 · 5 5範圍的、持有大致相同折射率之丙烯酸樹 脂。又,著色下部層1 〇b由於其所含有色料之關係,較難 於做到正確的折射率測定,而R(紅)在波長時的折 射率爲1.61(R(紅)對5 5 0nm的綠色光之吸收很大,要在 5 5 Onm下做正確的折射率測定是有所困難)。 又,形成著色下部層l〇b的R(紅)、G(綠)、B(藍)時是分 別使用以染料索引上的,C.I.AcidRedll4、C.I.AcidGreenl6 、C.I.AcidBlue86染料爲中心之色料,和丙烯酸系樹脂及 環乙酮溶劑一起所調製之丙烯酸系感光性著色抗蝕劑。色 料的添加量在各個抗蝕劑中之固體成分比爲約20%。 由這種方法所製成的固態攝像元件1係如第3 C圖所示, 是在半導體基板11上形成有光電轉換元件13和,由著色下 部層1 〇b與透明樹脂上部層1 Oa所構成的微透鏡1 〇者。依 據發明者們的實驗時,所製成的固態攝像元件1的透明樹脂 上部層l〇a之最高厚度(中央部位的厚度)T1爲0.6μιη,加上 著色下部層l〇b的形成透鏡形狀部分之深度時,微透鏡10 的厚度T5爲約Ι.ίμιη。又,著色下部層l〇b本身的厚度T2 爲0.9 μπι,透鏡下距離(著色下部層l〇b到光電轉換元件13 的距離)爲約3·4μηι。從來的透鏡下距離爲5.5μη!,本固態攝 像裝置1已將其縮縮到約60%。又,在本實施例中,微透鏡 的間距爲3.5 μ m,透鏡間的間隙爲0.3 μ m。 •製造方法的實施例2 其次詳細的說明本固態攝像元件1的製造方法之另一例。 -15- 1278991 除在於乾蝕刻加工中,使用80%的CF4氣體和20%的C3F8 氣體以取代於0 2氣體作爲蝕刻氣體以實施飩刻加工外,其 他是和上述實施例1同一方法製造本固態攝像元件1。 由這種方法所製成的固態攝像元件1係如第3 C圖所示, 是在半導體基板1 1上形成有光電轉換元件1 3和由著色下部 層1 〇b與透明樹脂上部層1 〇a所構成的微透鏡丨〇者。依據 本發明者們的實驗時,所製成的固態攝像元件1的透明樹脂 上部層10a之最高厚度(中央部位的厚度)爲〇.4μπι,加上 著色下部層1 〇 b的形成透鏡形狀部分之深度時,微透鏡1 〇 的厚度T5爲約0·6μηι。又,著色下部層i〇b本身的厚度T2 爲0.8 μηι,透鏡下距離(著色下部層1 〇b到光電轉換元件1 3 的距離)爲約2.5μιη。從來的透鏡下距離爲5·5μηι,本固態攝 像元件1已將其縮短到約4 5 %。又,在本實施例中,微透鏡 的間距爲2 · 7 μ m,透鏡間的間隙爲〇 . 〇 5 μ m。 如上所述,依本實施例的固體攝像元件1及其製造方法 時,至少可獲下列中之一的效果。 第1,可縮短透鏡下距離,其與從來的相較,可提升聚 光性和S/N比。其理由是本固態攝像元件1所具備的微透 鏡1 〇是包括透明樹脂上部層1 〇 a和著色下部層1 〇 b之至少 兩層構造,而透明樹脂上部層l〇a與著色下部層1〇b的界 面是形成爲順著光電轉換元件1 3表面的形狀(本實施形態 的例中是順著水平之形狀)者。因而,使著色下部層】〇b包 含在微透鏡1 〇內,就可將設在透鏡下的疊層形成到最薄限 度。 -16- 1278991 第2 ’對具微小像素間距的固態攝像元件也可容易的加 工。其理由是在本固態攝像·元件1中,由於縮短透鏡下距 離,而可使實質上的微透鏡10的厚度形成到〇.5 μιη以上。 有此厚度時’可由熱流動,容易的使透鏡形狀形成爲大略 半球形狀者。 又’依據發明者們的實驗時,要形成薄化到〇·4 μηι以下 的透鏡形狀是極爲困難。例如在3 μ m間距的像素之場合中 ’考慮到大量生產性時’微透鏡的膜厚是以〇· 4 μιη爲下限 ’在於0.3 μ m時並不形成爲大略半球形狀,而成爲梯形者 φ 。相對的,如本固態攝像元件中,將具實質上的微透鏡! 〇 之厚度設定在〇·5 μηι以上時,可容易的形成爲大略半球形 狀者。 第3,可抑制在於有色透鏡的色彩純度之降低,和提高 開口比率。其理由是本固態攝像元件1的著色下部層1 〇 b 之與透明樹脂上部層1 〇a的界面是形成爲順著光電轉換元 件1 3的表面形狀(本實施形態的例中,是順著水平形狀)之 形狀,而其有效面積是比從來的爲大者。 ® 第4,在於經縮短其透鏡下距離,改善其聚光性物S/N 比,且抑制其在於有色透鏡中的色彩純度之降低,並提升 其開口比率之固態攝像元件中,對其具微小像素間距者, 仍可容易的製成之。其理由是本固態攝像元件製造方法係 包含:在光電轉換元件上形成多數顏色的著色下層部之工 程;在該多數顏色的著色下部層上形成透明樹脂上部層之 工程;在透明樹脂上部層上形成透鏡母模之工程;和在該 1278991 透鏡母模上實施乾蝕刻加工,以將透鏡母模圖案轉印於透 明樹脂上部層和著色下部層之工程者。 •第2實施形態 第4圖是第2實施形態的固態攝像元件2 0之俯視圖。第 5A圖是固態攝像元件20的在第4圖中的順著A-A箭頭之 斷面圖。如第5A圖所示,固態攝像元件20是具備半導體 . 基板Π、光電轉換元件13、微透鏡10、遮斷層16、及平 坦化層1 5。 微透鏡1 0是包括透明樹脂上部層1 0 a和著色下部層10 b # ,而可在於透明樹脂上部層1 〇a及平坦化層1 5中賦與紅外 線吸收功能。通常,用於數位相機或攜帶式電話機上的固 態攝影元件之光學系統上,係加上厚度2 mm程度的紅外線 截斷濾光片,而在透明樹脂上部層1 0a或平坦化層1 5中賦 與紅外線吸收功能時,就可將紅外線截斷濾光片從光學系 統中去掉。 又,如第5 B圖所示,也可形成爲將紫外線吸收層1 4配 置在平坦化層1 5與著色下部層1 Ob之間的構成。 ® 近來,固態攝像元件一直向微細化進展,像素(或微透鏡) 已逐漸進入3 μηι間距以下,或2 μηι間距以下的極微細之領 域。在於這些微細的像素中,其圖案形狀的帶疵點會以斑 點等的形態,對圖像品質產生不良影響。
J 爲了防止由於圖像形狀的帶疵點所引起的,由底部來的 反射光(步進曝光裝置(曝光波長爲3 6 5 nm的紫外線)的再反 射光),是以預先形成具紫外線吸收功能的層,以作爲著色 . -18- 1278991 下部層的襯底者爲理想。而可在平坦化層1 5上形成紫外線 吸收層1 4 ’也可使平坦化層1 5持有紫外線吸收功能者。 只要能將持有紫外線吸收功能的層形成在著色下部層1 〇b 的底部即可,也可使平坦化層1 5兼具紫外線吸收功能。 紫外線吸收層1 4是在形成紅外線吸收層的工程與形成 透鏡母模的工程之間,插入經由塗布,以形成紫外線吸收 層的工程所製造。如此的,在製造工程中設置紫外線吸收 層’就可防止在步進曝光裝置中的成暈現象,而可形成高 精度的微透鏡圖案。又,也可賦與能保護耐光性較低的紅 外線吸收層,使其不受到紫外線傷害之功能。 紫外線吸收層1 4是可使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚酯 樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、苯乙烯樹 脂、酚醛樹脂、或這些的共聚物等之透明樹脂。 又,紫外線吸收層1 4是以固態攝像元件製造過程中所使 用的i線(3 6 5 nm),和在於要使用被裝上固態攝像元件的攝 影機時,其外光所含有的紫外線作爲其吸收的對象。紫外 線吸收層14的對前者之作用是可防止i線(3 6 5 nm)的成暈 ,以確保透鏡母模的圖案形狀者。而對於後者是可將其吸 收,以防止紅外線吸收層功能的劣化。 又,紫外線吸收功能是可在於上述透明樹脂成平坦化層 形成樹脂中,將紫外線吸收性化合物或紫外線吸收劑以添 加或懸掛(以反應型紫外線吸收劑等的形式,加入於樹脂分 子鏈)方式賦與之。可使用的紫外線吸收劑是可列舉如苯并 三唑系化合物、三苯甲酮系化合物、水楊酸系化合物,香 -19- 1278991 豆素系化合物等。也可在這些紫外線吸收劑中添加例如像 受阻胺系化合物的光穩定劑或抑制劑(例如單態氧抑制劑) 。又,可利用氧化鈽或氧化鈦等的金屬氧化物微粒子的紫 外線吸收劑。 微透鏡10是包括透明樹脂上部層l〇a和著色下部層l〇b 。透明樹脂上部層1 〇 a及平坦化層1 5係具紅外線吸收功能 。因而,該固態攝像元件2 0並不需要紅外線截斷濾光片。 因此’可在不損及色彩重現性下,比從來的縮短其透鏡下 距離。 φ 可使用在透明樹脂上部層1 0a及平坦化層1 5的紅外線吸 收劑是可列舉如蒽醌系化合物、酞菁系化合物、花青系化 合物、聚甲烯化合物、鋁系化合物、二亞胺系化合物、亞 胺系化合物、偶氧系化合物等。 又,紅外線吸收功能是可在於上述透明樹脂中,將紅外 線吸收性化合物或紅外線吸收劑以添加或懸吊(將反應性 染料等以反應型紅外線吸收劑等的形式,加入於樹脂子鏈) 方式賦與之。 Φ 又,紅外線吸收劑的多半是其吸收波長範圍受到限制。 要將C-MOS和CCD等的光電轉換元件中所要求的近紅外 及紅外區(例如6 5 0 nm〜1 100 nm)全部範圍用一種紅外線吸 收劑來掩護是有所困難。因此,使用2〜6種程度的多種紅 外線吸收劑之混合劑或使用各不同種類的紅外線吸收劑, 以多層的形成其一構成要素者爲理想。 又,要在確保可見光(40 Onm〜70 Onm)的透射率之下,賦與 -20- 1278991 充分的紅外線吸收功能時,是以使C - Μ 0 S或C C D等的光 電轉換元件中所具備的多數構成要素上,分坦紅外線吸收 功能者爲理想。例如經使不同構成要素含有同一種紅外線 吸收劑,以強化紅外線吸收功能;或使不同構成要素分別 含有其吸收波長範圍各爲不同的紅外線吸收劑等之處理, 以使其分擔紅外線吸收功能者爲理想。又,也可考慮紅外 線吸收劑本身的耐熱性,以選擇使其在那一構成要素中含 有者。 又,在於要使著色下部層1 Ob持有紅外線吸收功能之際 € ’要使其含有的、具不同波長吸收範圍的紅外線吸收劑之 種類及含有量是要經過調節者。其理由是在於光電轉換元 件13上所具備的原色(RGB)系歹!j,或補色(YMC)系列的三 原色濾色片層中,各色的在紅外區之分光特性(吸收)是各 不相同者。 在於形成微透鏡1 〇時的乾蝕刻加工深度、所使用氣體的 條件、及有關著色下部層1 〇b所使用的著色樹脂之條件, 是和上述實施形態相同。又,爲了要縮小非開口部2 5,以 · 提高微透鏡10的開口比率,也可在微透鏡10上,以塗布 薄膜的方法層疊紅外線吸收層。 爲了減低微透鏡1 〇的表面和非開口部位的對入射光之 再反射,最好是在微透鏡1 〇上和上述紅外線吸收層的薄膜 上,再形成低折射率樹脂的薄膜者。又,爲了要吸收在微 透鏡表面所反射的漫射光,以儘量的減低在固態攝像元件 所產生的雜訊(在此場合中是反射光的再入射),也可在露 -21- 1278991 出於微透鏡10之間的非開口部位(第4圖)上’層疊低折射 率材料之薄膜。 •製造方法之實施例1 以下詳細的說明本固態攝像元件2 0製造方法之一例。
第6 A〜6C圖是固態攝像元件20的製造方法說明圖。如 第6A圖所示,在已形光電轉換元件13及遮光層16的半導 體基板1 1上形成平坦化層1 5後’使用步進式曝光機’將 R (紅)、G(綠)、B(藍)3色的著色抗鈾劑’以光蝕刻法,依序 形成3色的著色下部層1 〇b,各個著色下部層1 Ob的膜厚 是例如爲〇.9μιη〜0.8μπι。 又著色下部層1 〇 b的R (紅)、G (綠)、Β (藍)是可使用分別 以有機顏料爲色料的東洋墨水製造股份公司製之著色抗蝕 劑。本實施例1的顏色配置是以一個像素由2個G(綠)、1 / 個R(紅)、和1個B(藍)共4單元所構成之所謂海灣地形 (Bayer)配置'、者。又第4圖是固態攝像元件20 —例的從微 透鏡側所視^平面圖,同時,表示海灣地形配置中的濾色 層及微透鏡在二維(平面)上的配置圖。 接著,如第6 B圖所示,使用包含3種紅外線吸收劑的樹 脂塗布液,在著色下部層1 0 b上形成膜厚1 μηι之紅外線吸 收層2 6。接著,將持有熱流動性的感光性酚醛樹脂以旋轉 塗布法塗布,經曝光、顯像、熱流動,以形成半球形狀的 透鏡母模1 9。此時的熱流動溫度是例如爲200 °C,透鏡母 模1 9的厚度(透鏡高度)爲〇·7μηι。 又’在本實例中所使用的持有紅外線吸收功能之樹脂塗 -22- 1278991 布液是將熱硬化丙烯酸樹脂1 00重量分和紅外線吸收劑 YK3080、YKR3030、YKR200的3種合計20重量分溶解於 環己酮等的有機溶劑中之樹脂塗布液者。 接著,如第6 C圖所示,對已形成透鏡母模1 9的半導體 基板1 1,用乾蝕刻裝置,以0 2氣體實施蝕刻處理(圖中白 箭頭)。在基板溫度爲常溫、壓力IPa、高頻電力500W,偏 壓功率5 0 W條件下處理,將透鏡母模1 9完全的轉印於下 方的紅外線吸收層,以形成持有紅外線吸收功能之透明樹 脂上部層l〇a。 又,透鏡母模1 9的材料可由使用如苯酚系樹脂等的、其 腐蝕速率較慢之樹脂(或者下方的紅外線吸收層樹脂是使 用腐蝕速率較快的材料)等的腐蝕速率不相同之樹脂材料 ,以使微透鏡形成爲最合適於光學特性之形狀者。 •.製造方法之實施例2 接著,詳細的說明本固態攝像元件20製造方法之另一例。 第7圖是本實施例2所製造的固態攝像元件20在第4圖 中順著B - B箭頭之斷面圖。如該圖所示,固態攝像元件2 0 是在已形成光電轉換元件13的半導體基板11上,以塗布 法層疊平均厚度〇 · 6 μ m的,持有紅外線吸收功能之平坦化 層1 5,及0.5 μηι厚度之紫外線吸收層1 4。並且,使用反應 性染料爲色料,以形成厚度〇 · 9 μ m的3顏色之著色下部層 1 0 b者,又由於像素單元是以海灣地形的配置,第7圖是 第4圖中的順著B-B箭頭之斷面,因而只表示G(綠)像素 者。 -23- 1278991 又’在著色下部層1 0 b上,再以旋轉塗布法形成各爲厚 度約0.1 μιπ的紅外線吸收層薄膜26及低折射率樹脂薄膜 27。在微透鏡1 0之間的凹處部分之紅外線吸收層薄膜的厚 度爲0 · 5 μ m程度,是成爲稍微厚一點。此乃如後述的,是 由乾蝕刻在濾色片層的各色片之間,預先形成約0 · 4 μ m深 度的凹處所致之效果者。 第8A〜8C圖是固態攝像元件20的製造方法說明圖。首 先,如第8A圖所示,在半導體基板1 1上,用旋轉塗布法 形成持有紅外線吸收功能的平坦化層1 5和紫外線吸收層 | 1 4。這些層膜的硬化是例如用2 3 0 °C的加熱板實施之。又 ,使用以染料爲色料的著色抗蝕劑(以丙烯酸感光性樹脂爲 主要材料),和實施例1同樣以光蝕刻法依序形成3種顏色 之著色下部層l〇b。 接著,和實施例1同樣形成紅外線吸收層2 6及透鏡母模 1 9後,以乾蝕刻法將透鏡母模1 9轉印,以形成微透鏡1 〇 。在此場合中,触刻要深入到著色下部層1 Ob的一部分, 並在著色下部層l〇b的像素單元之間形成約0.4 μπι深度之 d 凹處28。 接著,如第8B圖所示,形成約1 μιη膜厚(微透鏡之間的凹 處會加厚)之紅外線吸收層薄膜26。又,如第8C圖所示,以 塗布法形成約〇. 1 μηι膜厚的低折射率樹脂層27(氟系丙烯酸 樹脂,折射率1 .45)。由低折射率樹脂層27的疊層,其與無 該低折射率樹脂層27的構成(例如,第8Β圖的構成)相較, 可減低光的反射率約2% (即,光的透射率增加2%)。 -24- 1278991 如上所述,依本實施形態的固態攝像元件2 0及其製造方 法時,至少可獲下列中之一的效果。 第.1,由於固態攝影元件2 0的透明樹脂上層部1 〇 a及平 坦化層1 5係持有紅外線吸收功能,因而,不需要從來的紅 外線截斷濾光片,可容易的使攝影機小型化。 第2,由於將其紅外線吸收波長範圍各不相同的多種紅 外線吸收劑,分派在各構成要素以賦與吸收功能,因而, 可容易的在固態攝像元件20上任意的設定廣範圍之紅外 線吸收功能。再者,可依各個紅外線吸收劑的耐熱性或耐 φ 光性,分別將其配置在最適當處所之優點。 第3,由於是用乾蝕刻法將透鏡母模1 9轉印到紅外線吸 收層26上,因而可提供一種光的利用效率高,由薄膜所構 成之固態攝像元件。又由於蝕刻到著色下部層1 Ob的一部 分,可更加薄膜化,而可提供具更高圖像品質之固態攝像 元件。 第4,由於在微透鏡10表面或著色下部層10b的襯底中 賦與紫外線吸收功能,因此,可使其持有對耐光性差一點 · 的紅外線吸收劑加以保護之效果。 第5,由於在微透鏡1 0表面及非開口部位形成低折射率 樹脂的薄膜,因此,可減低反射光而改善固態攝像元件的 圖像品質。在一般上,從微透鏡或紅外線吸收層薄膜的表 面來的反射光,會成爲再被固態攝像元件的玻璃蓋所反射的 再反射光,並再入射於固態攝像元件內成爲雜訊,而成爲 圖像品質降低的原因之一。但是,在本固態攝像元件2 0中 . -25- 1278991 ,由於可減低這種雜訊,因而可獲得高品質圖像者。 第6,由於在透明樹脂上部層1 〇 a及平坦化層1 5中持有 紅外線吸收功能,因此,可製成一種不需要從來的紅外線 截斷濾光片之固態攝像元件2 0。而此乃由於上述製造方法 係包括:在半導體基板1 1的光電轉換元件1 3上形成持有 紅外線吸收功能的平坦化層1 5之工程;形成著色下部層 1 Ob之工程;形成紅外線吸收層26之工程;和,用光蝕刻 及熱處理以形成透鏡母模1 9之工程;實施乾蝕刻,將透鏡 母模圖案轉印於紅外線吸收層2 6,以使紅外線吸收層2 6 | 成爲透明樹脂上部層1 〇a之工程者。 •第3實施形態 第9圖是第3實施形態的固態攝像元件3 0之在第4圖中 的順著A-A箭頭之斷面圖。首先參照第9圖說明固態攝像 元件3 0之構成。 如第9圖所示,固態攝像元件3 0係具備:微透鏡1 0、 半導體基板11、光電轉換元件13、平坦化層15、遮斷層 1 6、和外部樹脂層3 1。 鲁 如第9圖所示,微透鏡1 〇的厚度T5是透明樹脂上部層 1 Oa的厚度T 1和形成爲微透鏡的一部分之著色下部層的部 分厚度T4(著色下部層10b的形成爲透鏡形狀之深度)之和 (T5 = T1+T4)。 在具體上,透明樹脂上部層1 0a的理想厚度τ 1、著色下 部層10b的理想厚度T2、及透明樹脂上部層l〇a與著色下 部層1 Ob之間的界面之理想面積是和上述實施形態相同。 . -26- 1278991 相當於微透鏡1 0的下擺部分s之著色下部層1 Ob的表面 是形成爲將透明樹脂上層部1 0 a表面延伸之曲面者。此點 也和第1實施形態相同。 外部樹脂層3 1是形成在相當於微透鏡1 〇的下擺部分S 之著色下部層1 Ob上的薄膜。此外部樹脂層3 1是以其折射 率是比著色下部層1 Ob的折射率爲低的透明樹脂材料(低折 射率樹脂)者爲理想。又,外部樹脂層3 1的膜厚是以可在 於著色下部層和低折射率樹脂中由光學干擾而易於獲得防 止反射的效果之厚度者爲理想。由於著色下部層1 0 b是含 有其所用的色料(顏料或染料),在光學上易於引起其折射 率的升高,而由此防止反射的效果,可減低從非開口部位 2 5來的反射光之影響,而可防止由再入射光所引起的圖像 品質之降低。 又,形成爲微透鏡10的一部分之透明樹脂上部層10a的 折射率是爲了降低其表面反射,而以更加低折射率者爲理 想。又從增加透射光量的觀點上,也可在透明樹脂上部層 與著色下部層之間的界面插入減低反射的光學薄膜。又, 也可在微透鏡1 〇的整面上,層疊防止反射膜。低折射率的 透明樹脂上部層1 〇 a的膜厚是可形成爲比高折射率者爲厚 ,因而,在於以微細像素爲對象的本發明中,可謂是很理 想者。 透明樹脂上部層1 〇 a是以低折射率樹脂的氟系丙烯酸樹 脂所形成,由此可減低在微透鏡1 〇上的反射光。 在一般上,半徑r的透鏡焦距f是以下式(1)所表示。 1278991 £=111/(111-η 0)· r …(1) 式中,ι·爲球面半徑,η 〇爲空氣的折射率,η 1爲透鏡的 折射率。例如折射率nl = 1.61的透鏡在於空氣(折射率η0=1) 介質中,其焦距爲2.64r。 如上所述的,在一般上,要形成膜厚0·4μηι以下的半球 形狀之微透鏡是有所困難。然而,如使用折射率1 . 5以下 ,較理想的是1.45〜1.40範圍低折射率的透明樹脂,以形成 透明材料樹脂上部層1 〇a時就可安定的形成較厚的半球形 狀微透鏡10。例如使用折射率1.43的透明氟系丙烯酸樹脂 肇 時,可將要〇·4μηι膜厚的以其1.25倍的0.5μ1Ώ膜厚來形成 之。 又,有關於形成微透鏡1 〇時的乾蝕刻深度,所使用的氣 體條件、著色下部層1 〇b所使用的著色樹脂,和形成著色 下部層1 Ob時所使用的感光性著色抗蝕劑的樹脂及染料等 之條件是和上述實施形態相同。 •製造方法的實施例 以下,詳細的說明本固態攝像元件的製造方法之一例。 φ 在本實施例的固態攝像元件3 0中,是將透明樹脂上部層 1 〇 a的最高厚度T 1 (底面到中央部位頂點之高度)設定爲 〇.3μηι,該T1與著色下部層1 0b的被形成爲透鏡形狀部分 的深度之和T5設定爲約0.8 μπι。又,著色下部層l〇b本身 的厚度T 2設定爲0.9 μ m。由此設定可使透鏡下距離成爲約 3. 1 μπι,而只有從來的5. 5 μ m之約56%,已加以極短化。 又,形成著色下部層l〇b的R(紅)、G(綠)、Β(藍)時,是 , -28- 1278991 分別使用以染料索引上的,C.I.Acid Red 1 14、C.I.Acid Green 1 6、C. I. Acid Blue 86染料爲中心之色料,和丙烯酸系樹脂及 環乙酮溶劑一起所調製之丙烯酸系感光性著色抗蝕劑。色 料的添加量在各個抗蝕劑中之固體成分比爲例如爲約20%。 第10A〜10C圖是固態攝像元件30的製造方法說明圖。首 先,如第10A圖所示,在半導體基板11上形成光電轉換元 件1 3、遮光膜1 6、和鈍態層。在該半導體基板1 1上,使 用熱硬化型丙烯酸樹脂塗布液,以旋轉塗布法形成平坦化 層15,接著,使用R(紅)、G(綠)、B(藍)各個的感光性著 色抗蝕劑,經3次的光蝕刻,形成著色下部層1 〇b。R(紅) 、G(綠)、藍(B)各個的感光性著色抗蝕劑是用旋轉塗布法 塗布,而曝光是使用步進式曝光機。 接著,如第10B圖所示,在著色下部層l〇b的R(紅)、 G(綠)、B(藍)上,使用熱硬化型氟系丙烯酸樹脂塗布液(第 一樹脂塗布液)以旋轉塗布法形成透明樹脂上部層1 〇 a。 接著’將持有熱流動性的感光性丙烯酸系樹脂,同樣以 旋轉塗布法塗布在透明樹脂層1 〇 a上,經曝光、顯像及熱 流動,形成爲半球形狀的透鏡母模1 9,又熱流動處理的溫 度是例如爲1 9 0 °C。 接著’用乾蝕刻裝置對已形成母模1 9之半導體基板n ,以〇2氣體實施蝕刻處理。此蝕刻處理是例如在基板溫度 爲常溫、壓力IPa,高頻電力500W、偏壓功率50W的條件 下實施之。再將折射率1.45的熱硬化型氟系丙烯酸樹脂塗 布液(第一樹脂塗布液)(將上述第一樹脂塗布液用有機溶劑 -29- 1278991 稀釋者)以旋轉塗布法塗布約0· 09 μηι厚度,以形成如第IOC 圖所示的透明樹脂薄膜之外部樹脂層3 1。 又,在本實施例中,著色下部層1 Ob及平坦化層1 5的樹 脂材料是使用其在波長5 5 0 n m的折射率爲1 . 5 1〜1 . 5 5範圍 的、持有大致相同折射率之丙烯酸樹脂。透明樹脂上部層1 0a 是使用折射率爲1 ·45的日本化藥股份公司製之氟系丙烯酸 樹脂。又,著色下部層1 0 b是由於其所含有的色料的關係 ,較難做到正確的折射率測定,而其R(紅)在70 Onm的折 射率爲1 .61(R(紅)對5 5 0nm綠光的吸收很大,難於在5 5 0 μηι φ 做到正確的折射率測定)。 第1 1圖是順著第4圖的B-B箭頭之斷面圖。在該圖中表 示本固態攝像元件3 0的非開口部位2 5。非開口部位2 5及 微透鏡下擺部分S的在於第1 0B圖階段中,是露出高折射 率的著色下部層,但到最後,在此面上已經過塗布而形成 厚度約0 · 0 9 μ m之外部樹脂層3 1。由該外部樹脂層3 1的光 學千擾和包括著色下部層的光吸收,而可大大的減低非開 口部位2 5來的再反射光。作爲微透鏡下擺部分S的著色下 β 部層之表面是經乾蝕刻等形成少許粗面化,也有減低反射 光的效果。 又,在本實施例中是省略掉攝影元件的腳位(Pad ;電路 上的連接點)裸露工程之說明。又,外部樹脂層3 1如以鹼 溶性感光性樹脂的形式使用時,在曝光、顯像工程中’可 和腳位裸露工程互換。又,在本實施例中是以層疊外部樹 脂層3 1薄膜的構成爲例者,但,該外部樹脂層3 1的疊層 · -30* 1278991 也可省略掉。以如此構成時從第1 1圖的非開口部位2 5來 的反射光會有少許的增加,但可將本實施例中的蝕刻處理 和腳位裸露工程兼用,由此,可由工程的省略而有低成本 化之優點。 依上述本實形態的固態攝像元件3 0及其製造方法時,至 少可獲得下列中之一的效果。 第1,可縮短透鏡下距離,而改善其聚光性,又,對於 微小像素間距也可容易的加工。其理由是在本固態攝像元 件中’微透鏡是由透明樹脂上部層和著色下層部的至少兩 層所構成;透明樹脂上部層與著色下部層的界面是平坦面 ;構成微透鏡下擺部分的著色下部層表面係持有透明樹脂 上部層的曲面所延長之曲面;且,透明樹脂上部層的折射 率是比著色下部層的折射率爲低者。因而,其透鏡下距離 可形成爲比從來的爲短,且,微透鏡1 0的厚度可形成爲比 所定的爲高者。 第2,可抑制在有色透鏡中的色彩純度之降低,以獲得 高圖像品質,且,可減低從非開口部位來的反射光,以改 善其S /N比。其理由是在本固態攝像元件中,著色下部層 的表面是由其折射率是比著色下部層的折射率爲低的透明 樹脂薄膜所覆蓋,且,透明樹脂上部層的材料是用氟系丙 烯酸樹脂者。 •第4實施形態 第1 2A圖是第4實施形態的固態攝像元件40之一例的、 從微透鏡側之俯視圖,其係表示以海灣地形配置的著色下 1278991 部層及微透鏡的二維(平面)上之配置圖。第1 2 B圖是固態 攝像元件40的順著第12A圖中的A-A箭頭之斷面圖。首 先參照第12B圖說明固態攝像元件40之構成。 如第1 2Β圖所示,固態攝像元件40係具備:大略球形狀 的微透鏡4 1、半導體基板1 1、光電轉換元件1 3、平坦化 層1 5、遮斷層(兼作電極)1 6、和外側樹脂層3 1。 微透鏡4 1是包括經由乾鈾刻等蝕刻處理所形成的透鏡 母模4 1 a、透明樹脂中間層4 1 b、和著色下部層1 〇 b。透明 樹脂中間層4 1 b和著色下部層1 Ob的至少一部分是形成爲 大略半球狀的一部分。 透明樹脂中間層4 1 b是要作爲透鏡母模4 1 a的襯底者, 其原料是和上述的第1到第3實施形態中的透明樹脂上部 層1 0的相同。又,著色下部層1 〇 b是要作爲透明樹脂中間 層41b的襯底者。透明樹脂中間層41b與著色下部層l〇b 之間的界面是形成爲順著光電轉換元件1 3表面的形狀,也 即成爲平坦面者。此平坦面的面積是對應於著色下部層1 〇b 之有效面積。 將微透鏡4 1形成爲如上述構成時,可縮短透鏡下距離 D 1,而設實質上的透鏡厚度爲0 · 5 μπι時,可容易的做到像 素間距0.3 μιη以下的微透鏡之加工。 第13圖是微透鏡41的放大圖,是要針對著色下部層10b 的膜厚加以說明者。如第1 3圖所示,本實施形態的固態攝 像元件40中,設構成微透鏡4 1的曲線部分之著色下部層 10的一部分之厚度爲T4,著色下部層10b的膜厚爲T2時 -32- 1278991 ,其構成係可滿足T4S 0.5 T2之條件者。此乃利用著色下 部1 〇b的與透明樹脂中間層4 1 b之界面部位作爲透鏡之一 部分,以儘量縮短透鏡下距離D 1之同時,也可防止著色像 素層的色彩純度之降低者。 在基本上,要縮短透鏡下距離時,要儘量加深乾蝕刻的 深度。然而,如蝕刻到著色像素層的底面時,著色像素層 的平坦面(有效面)會縮小致使從微透鏡周邊入射的、色彩 純度已降低之入射光會增加,而關聯到圖像品質的降低。 在過度蝕刻的Τ4>0·5Τ2下,濾色片之間會產生間隙,其開 鲁 口比率會降低。又,如第1 4圖所示,在Τ4> 0.5 Τ2下,橫 過著色像素的光路長度13會太短,計色彩純度(圖像品質) 會有不良影響。因此,構成爲透鏡的一部分之著色像素層 部分的膜厚是必需滿足T4S 0.5Τ2之條件者。 又’ Τ4的下限是以可滿足〇.〇2T2S Τ4者爲理想,其理 由是在於用乾蝕刻加工以蝕刻樹脂之際,其解像能力 (resolving power)爲〇·〇2程度,以此値對應於著色下部層 的尺度時,會成爲0.02T2程度。因而,對著色下部層實施馨 蝕刻加工時,其被蝕刻的深度應在乾蝕刻加工的解像能力 以上,即,〇 · 0 2 T 2以上者。 又’平坦層15是使用其在於曝光波長(3 65 nm)的透射率 爲4 0 °/。以下,且,在可見光範圍的透射率爲9 〇 %以上的樹 脂形成之。以這種構成的理由是如在於第2實施形態的固 態攝像元件中’要形成持有紫外線吸收功能的層一項所述 的、著色下部層10b在於曝光波長( 3 6 5 nm)的透射率和著色 . -33- 1278991 下部層10b的襯底之平坦化層15的在於曝光波長(3 6 5 nm) 的透射率會對於著色下部層丨〇 b的像素形成重現性有很大 的影響者。即於形成著色下部層1 〇b之際,可將其在於曝 光波長的紫外線(3 6 5 nm)之反射率抑制的很低,而可提升著 色下部層1 Ob的在於像素尺寸3 · 5 μηι以下時之像素形狀重 現性。尤其是在像素尺寸3.5 μιη以下,進而2.5μηι以下, 更進而2 μηι以下的固態攝像元件4 0中,爲了確保光學特 性和圖像品質,必需在亞微細粒領域下控制著色下部層i b 的像素尺寸,因而在作爲著色下部層的襯底之平坦化層中 ’賦與紫外線吸收功能時,可在於該2.5 μηι〜2 μΐΉ範圍獲得 係相當顯著的像素形狀改善效果。 •固態攝像元件之製造方法 以下說明固態攝像元件4 0的製造方法。第1 5 Α〜1 5 G圖 是固態攝像元件製造方法一實施例之工序圖。 以第15A圖所示,首先在已具有光電轉換元件13及遮斷 層1 6等的半導體基板〗1上,將在於丙烯酸樹脂等透明樹 脂中添加紫外線吸收劑的樹脂溶液,以旋轉塗布法等塗布 鲁 ’經加熱、硬化,形成所定厚度之平坦化層1 5。形成該平 坦化層1 5所用的透明樹脂是除上述丙烯酸樹脂外,也可使 用環氧、聚酯、聚氨酯、三聚氰胺、尿素等的尿素樹脂, 苯乙烯樹脂、酚醛樹脂或這些的共聚物。 要使其在於曝光波長(3 6 5 n m )的透射率爲4 0 %以下的手 法是可將紫外線吸收性化合物或紫外線吸收劑以添加或懸吊 (以反應型紫外線吸收劑等的形式,加入於樹脂分子鏈)方 , •34- 1278991 式實施之。 紫外線吸收劑是可列舉如苯并三唑系、二苯甲酮系、三 氮雜苯系、水楊酸酯系、香豆素系、咕噸系或甲氧肉桂酸 系有機化合物等。也可利用氟化鈽或氧化鈦等的金屬氧化 物微粒子之紫外線吸收劑。 在此,製造其在於曝光波長( 3 6 5 nm)的透射率分別爲10% 、2 0%、30%、40%、及50%之平坦化層15。經過各顏色著 色下部層l〇b的在於曝光波長(365nm)之反射率和在於像 素尺寸3 ·5μηι以下的著色下部層形狀加以評價的結果係如 肇 下表1。 表1 \ 平坦化層在於3 6 5nm的對於各透射率之反射率.(%)和 著色下部層形狀的評價 5 0% 形狀 4 0% 形狀 3 0% 形狀 2 0% 形狀 10% 形狀 C 2.2% Δ 1.4% 0 0.8% 〇 0.3% 〇 0.1% 〇 Μ 11.3 X 7.2 X 4.1 X 1 .8 〇 0.5 〇 Υ 5.0 X 3.2 X 1 .8 〇 0.8 〇 0.2 〇 R 2.0 〇 12 〇 0.7 〇 0.3 〇 0.1 〇 G 0.8 〇 0.5 〇 0.3 〇 0. 1 〇 0.0 〇 Β 0.3 〇 0.2 〇 0.1 〇 0.0 〇 0.0 〇 (註)C :天藍,Μ ··品紅,Υ :黃,R :紅,G :綠,Β :藍 (註)在於各著色下部層單體(不含平坦化層紫外線吸收) 的3 6 5 nm之透射率請參照表2。各著色下部層左邊的數字 (%)是平坦化層的3 6 5 nm透射率與平坦化層的3 6 5 nm透射 -35- 1278991 率平方之乘積,係表示於365nm的反射率。 (註)著色下部層的形狀是以像素尺寸3 . 5 μ m以下的微細 像素作爲評價對象。 如表1所示,在補色系著色像素(C、Μ、Y)中,平坦化 層15的在於曝光波長( 3 6 5 nm)之透射率爲20%以下時,3 顏色都可使其著色下部層形狀精確的重現,而在原色系著 色像素(R、G、B)中,其透射率爲40%以下時,可將著色下 部層形狀精確的重現。 又’著色下部層單體(膜厚Ιμπι)的在於曝光波長(3 65 nm) φ 之透射率係如下表2所示。 表2 在於3 65 nm的著色下部層之透射率(%) 透射率 C 9% Μ 45% Υ 2 0% R 8% G 3% Β 1 %
在此,由表1及表2的結果得知,這些著色下部層的在 於曝光波長(3 65nm)之透射率,和著色下部層l〇b的襯底之 平坦層15的在於曝光波長(3 6 5 nm)之透射率,會對著色下 部層1 〇b像素形狀重現性有很大的影響。此傾向是在於像 素大小3.5 μηι,進而在3.0 μπι以下時,其效果特別顯著。 -36- 1278991 接著,如第1 5 B圖所示,將預先混合染料的著色抗蝕劑 ,用旋轉塗布法塗布,以形成著色感光層,經圖案曝光、 顯像等的一連串圖案形成處理,而在平坦化層1 5上形成各 顏色的著色下部層l〇b。在於,著色下部層l〇b的厚度是 以可達成分色爲目的所需之膜厚即可,並無特別的規定。 一般上是在0.4〜1·5μηι範圍內。著色抗蝕劑的樹脂及要形 成在著色下部層1 Ob上的透明樹脂中間層之樹脂材料是從 其粘著力或折射率之觀點上,以丙烯酸系感光性樹脂爲理 想。 _ 又,染料添加是可用將其溶解於著色抗蝕劑的主溶劑中 之方式,將其分散於抗蝕劑樹脂中的方式,或將其組合於 樹脂骨架的所謂懸吊方式。使用染色槽的一般的染色方法 是由於工程數會增加而從成本觀點上不理想。以染料爲色 料的濾色片之在於著色抗蝕劑階段中,可做到 0·2μηι〜Ο.ίμηι的高度濾除(除去異物),因而,其與分散界限 爲Ιμπι〜0.5 μιη的有機顏料分散型的濾光片相比,可提供具. 較高度圖像品質的攝像元件,且可提供提升其s /Nf之攝像 春 元件。 在具體上的染料可列舉如偶氮系、咕噸系、酞菁系、蒽醌 系、香丑素系,及苯乙烯基系等,而可使用紅、綠、藍的3 原色染料或天藍、品紅、黃的補色系染料,也可在這些之中 添加綠色者。 ‘ 又’上述者色下部層】0 b的構成材料是使用預先將染料混 合在其中的著色抗蝕劑者,但也可採用以有機顏料爲色料之 -37- 1278991 著色樹脂。但,使用有機顏料時,會由於其種類,在於下述 的乾蝕刻加工中會有腐蝕速率的差異,而產生列舉如各顏色 的透鏡形狀容易變化,其表面形狀會粗糙化;並且,在於微 細像素尺寸的攝像兀件中,顏料本身的粒徑(粒子)容易對 S/Ν比產生不良影響;其抗蝕劑材料也難於濾除(除去異物) 等,因此,是以染料爲色料的著色樹脂爲理想。 接著,如第1 5 C圖所示,用旋轉塗布法塗布持有熱反流 性的酚醛系感光性樹脂溶液,經乾燥硬化,以形成感光性 樹脂層。接著,經圖案曝光,顯像等一連串的圖案形成處 1 理,以在著色下部層1 Ob上形成所定膜厚的透明樹脂中間· 層41b及其在遮斷層16上有開口部位42之圖案化樹脂層 43 ° 在此,透明樹脂中間層4 1 b的厚度(形成爲透鏡形狀後的 最高厚度)並無特別規定’但,以可吸收襯底的濾光片之凹 凸而言,其厚度的下限是以0 · 2 μπι以上爲理想。又,本固 態攝像元件是以微細像素間距爲對象者,因而,透明樹脂 中間層4 1 b的厚度上限是以1 μ m爲理想。 φ 接著,如第15D圖所示,用旋轉塗布法塗布特有熱反流 性的丙烯酸系感光性樹脂溶液,經乾燥硬化,以形成所定 厚度之感光性樹脂層4 4。 接著,如第1 5 Ε圖所示,對感光性樹脂層4 4實施圖案曝 光、顯像等一連串的圖案形成處理’以在著色下部層1 Ob 上形成透鏡圖案44a。 接著,如第〗5F圖所示,將透鏡圖案44a以所定溫度加 -38- 1278991 熱’使其產生反流’形成持有所定曲率之透鏡母模4 4 b。 在此透鏡母模44b的曲率半徑爲〇·7μηι左右。 接著’如第1 5 G圖所示,將已形成透鏡母模4 4 b的半導 體基板1 1,用乾蝕刻裝置,對透鏡母模4 4 b、透明樹脂中 間層4 1 b、及著色下部層〗〇 b、平坦化層1 5實施蝕刻處理 ,以形成微透鏡4 1及電路上的連接腳位45。 經由以上的各工程’可製成在於已形成光電轉換元件! 3 及遮光層16的半導體基板η上,具備由透鏡母模4ia、 透明樹脂中間層4 1 b及著色下部層1 〇 b所構成的微透鏡4 1 φ ,及電路上的連接腳位4 5之固態攝像元件4 0。 又’乾鈾刻加工的鈾刻終點是以構成爲微透鏡的一部份 之著色下部層1 Ob的部分膜厚T4在著色下部層1 〇b的膜厚 T2之1 /2以下。又,要對透鏡母模4丨a實施乾蝕刻加工之 際’在於透鏡母模4 1之間的凹部會有腐蝕較快之傾向,而 容易引起微透鏡4 1成品形狀的劣化。爲了要緩和這點,在 乾触刻加工之前,先用〇·〇5〜0.3 μιη前後的透明樹脂薄膜層 覆蓋於透鏡母模整體上爲理想。插入此工程後,可順利的 0 貫施透鏡母模的轉印。 又’也可在微透鏡41整面上設置反射防止膜之構成者。 有關乾蝕刻加工的深度、條件及可用於乾蝕刻加工的氣體 等是如第1實施形態中所述者。 •製造方法的實施例 以下參照第15Α〜15G圖詳細說明本固態攝像元件40的 製造方法實施例。 首先,如第15Α圖所示,在已形成光電轉換元件13,遮 · -39- 1278991 光層1 6、及鈍態層等的半導體基板1 1上,將在熱硬化型 丙烯酸樹脂等中添加紫外線吸收劑的樹脂溶液以旋轉塗布 法塗布,經加熱硬化,形成0.6 μπι厚度之平坦化層15。在 此,0·6 μηι厚的平坦化層1 5之在於曝光波長(3 60nm)的透 射率爲4 0 %。 接著,在丙烯酸系樹脂中混合以染料索引上的C.I. Ac id Red 114,C.I.Acid Green 16,C.I.Acid Blue 86 的染料爲中 心之色料,並和環己酮溶液一起調製成感光性的R、G、B 各色之丙烯酸系著色抗蝕劑。色料的添加量是以分別在於 _ 抗蝕劑中的固態比(聚合體、單體、色料等的合計)爲約20% 重量%。 接著,如第1 5 B圖所示,使用R、G、B各色的丙烯酸系 著色抗蝕劑,經反複3次的著色感光層的形成、圖案曝光 、顯像等的圖案形成處理,以形成由R、G、B所構成的1 .2 μπι 厚之著色下部層10b。在此,各色著色感光層的形成是用 旋轉塗布法,圖案曝光是使用曝光波長爲365 nm之步進式 曝光機。 籲 接著,如第1 5 C圖所示,將對紫外線3 6 5 nm持有靈敏度 的感光性熱硬化型酚醛系樹脂溶液,以旋轉塗布法塗布, 經乾燥硬化,形成感光性樹脂層。然後經圖案曝光、顯像 等的一連串圖案形成處理,以在著色下部層10b上形成 0·4μπι厚的透明樹脂中間層41b及在遮光層16上持有開口 部位42之圖案化樹脂層43。 接著,如第1 5 D圖所示,將持有熱反流性的丙烯酸系感 -40- 1278991 光性樹脂溶液以旋轉塗布法塗布,經乾燥硬化,形成所定 厚度之感光性樹脂層4 4。又,如第〗5 e圖所示,對感光性 樹脂層44實施圖案曝光 '顯像等的一連串圖案形成處理, 以在著色下部層l〇b上形成透鏡圖案44a。 接著,如第1 5 F圖所示,將透鏡圖案4 4 a以1 9 0 °C的溫 度加熱,使其產生反流,形成持有約〇 . 7 μ m曲率的透鏡母 模 4 4b。 接著,將已形成透鏡母模44b的半導體基板1 1,用乾蝕 刻裝置,以〇2氣體實施蝕刻處理。此鈾刻處理是例如在基 馨 板溫度常溫、壓力5Pa、高頻電力500W、偏壓功率100W 之、狀態下實施之。 經由以上的各工程,可製成如第1 5 G圖所示的,在於已 形成光電轉換元件1 3及遮光層1 6的半導體基板1 1上,具 備由透鏡母模4 1 a、透明樹脂中間層4 1 b及著色下部層1 〇b 所構成的微透鏡4 1 ;及遮斷層4 6之固態攝像元件4 0。 又,依據發明者們的實驗時,在著色下部層1 〇 b的膜厚 T2爲0·7μιη時,形成爲微透鏡41曲面的一部分之著色下 ® 部層10b的部分厚度Τ4爲0.3 μηι。又,本固態攝像元件40 的透鏡下距離爲約2 . 1 μηι,其與從來的固態攝像元件透鏡 下距離5 · 5 μπι相較,已實現一半以下的透鏡下距離。 依上述本實施形態的固態攝像元件40及其製造方法時 ,至少可獲得下列中之一的效果。 第1,可大幅的縮短透鏡下距離,而可更加提升入射光 的聚光效果之同時,可大幅的減低雜訊光的斜向入射’因 · -41- 1278991 而可提升攝像元件的圖像品質。 第2,可緩和隨著像素微細化的透鏡薄膜化(以及,在工 程途中的透鏡母模的薄膜化),而可提供一種對0.5 μπι以上 厚度的微透鏡在製造上無困難之固態攝像元件。 第3,由於也將著色下部層1 0 b的一部分蝕刻爲透鏡形 狀,因而,使用有色微透鏡時可消除其中央部位與周邊部 位的入射光色彩之差異,而可提供高圖像品質之固態攝像 元件。同時,蝕刻加工是到著色下部層1 〇b厚度方向的中 途爲止,因而,在其厚度方向的蝕刻雖有一些參差,也可 _ 減少其對色彩和聚光之影響。 第4,微透鏡4 1之間的凹部也有著色,具可減少凹部來 的反射光之效果,且,可關聯到圖像品質的改善。 第5,依固態攝像元件4 0的製造方法時,可省略從來的 要使電路上的連接腳位裸露之複雜工程,而只要以乾蝕加 工的簡單工程就可製成是有電路上的連接腳位之固態攝像 元件。 •第5實施形態 _ 第1 6圖是第5實施形態的固態攝像元件5 0的一例之從 微透鏡側的俯視圖,其係表示以海灣地形配置的著色下部 層及透鏡之二維(平面)配置圖。又,第17圖是第16圖中 的順著B-B箭頭之斷面圖。第18圖是第16圖中的順著A-A 箭頭之斷面圖。首先參照第1 6〜1 8圖說明固態攝像元件5 0 之構成。 如各圖所示,固態攝像元件5 0係具備:大略半球形狀的 -42- 1278991 微透k 5 1、半導體基板丨〗、光電轉換元件〗3、平坦化層 1 5、遮光層1 6、和非開口部層5 2。微透鏡5丨是包括由氟 系丙烯酸樹脂所形成的透明樹脂上部層丨〇a和著色下部層 1 〇b。非開口部層5 2是由氟系丙烯酸樹脂或其他的,折射 率較低之透明樹脂材料(低折射率樹脂)所形成,而是形成 在著色下部層1 Ob上面的,微透鏡5丨之間的非開口部位 2 5之薄膜者。本固態攝像元件5 〇中,微透鏡5 1及非開口 部層5 2是以低折射率樹脂之氟系丙烯酸樹脂所形成,由此 以減低微透鏡來的反射光者。又著色下部層1〇b是含有色 鲁 料(顏料或染料),在光學上容易引起其折射率的升高。因 此’形成非開口部層5 2所用的透明樹脂薄膜之膜厚是以塗 布形成爲可借由著色下部層1 Ob和低折射率樹脂的光干擾 ,而易於獲得防止反射的效果之厚度爲理想。由此,也可 減低非開口部位2 5來的反射光之影響,而可防止由於再入 射光所引起的圖像品質之降低。 又,在本固態攝像元件5 0中,爲了改善其耐熱性,微透 鏡5 1及非開口部層5 2是以耐熱性樹脂的氟系丙烯酸樹脂鲁 所形成。而使用氟系丙烯酸樹脂後,在於2 5 0 °C、一小時 程度的熱處理中,也未見到微透鏡的變色。 有關透明樹脂上部層l〇a的厚度T1及著色下部層l〇b 的厚度T2之理想條件是和在第1實施形態所述的透明上部 層1 〇a及著色下部層1 Ob的條件相同。 在一般上,半徑r的透鏡之焦距f是以上述的式(1 )所表 示。例如折射率nl = 1.61的透鏡在空氣(折射率n0=1)介質 · -43- 1278991 中,其焦距爲2 · 6 4 r。如上所說明的,要形成〇 . 4 μ m以下膜 厚的半球形狀之微透鏡是有所困難。但是,如本實施形態 的,使用折射率1 · 5以下,較理想的是1 · 4 5〜1 · 4 0範圍的低 折射率透明樹脂以形成微透鏡時,就可安定的形成厚度 0.3μιη以上的半球形狀微透鏡。例如使用其折射率爲143 的透明氟系丙烯酸樹脂時,可將0·4μιη膜厚形成到1 .25倍 的0·5μηι膜厚。 又,氟系丙烯酸樹脂是一種低折射率且高透射率(反射率 約低2%)的樹脂。此透射率是比例如上述以酚醛樹脂爲骨 架的、折射率1 · 6〜1.7之高折射率樹脂的透射率爲高者。尤 其是其在可見光領域的短波長側之透射率是比高折射率樹 脂爲高。氟系丙烯酸樹脂的持有高透射率之事,係在於CCD 、C-MOS的固體攝像元件中,對於提升其靈敏度、提升其 圖像品質上很有效果。 •製造方法之實施例 以下參照第18圖、第19Α〜19C圖,詳細說明本固態攝 像元件50之製造方法。第19Α〜19C圖是說明本固態攝像 元件50製造工程用的、在第16圖中順著Β-Β箭頭之斷面 圖.。本實施例的固態攝像元件5 0係如第1 8圖所示,是在 半導體基板11上形成光電轉換元件13、著色下部層i〇b 、及,由氟丙烯酸樹脂所形成的透明樹脂上部層1 〇a所構 成之微透鏡5 1者。 在本實施例中,著色下部層1 Ob和平坦化層1 5的樹脂材 料是使用其在光波長55 Onm的折射率爲1·51〜1.55範圍的 -44- 1278991 、持有大致相同折射率之丙烯酸樹脂。透明樹脂上部層1 Oa 是使用其折射率爲1 · 4 5的日本化藥股份公司製之氟系丙烯 酸樹脂。又,著色下部層1 〇b由於其所含有的色料之關係 ,對其折射率較難做到正確的測定,但其R(紅)的在於 700nm之折射率爲1.61(R(紅)對5 5 0nm綠光之吸收很大, 因而要在5 5 Onm下做正確的折射率測定是有所困難)。 又,著色下部層1 〇b會受到分散在樹脂中的色料之影響 ,其折射率與基底材料樹脂的折射率會有些差異(會向高折 射率轉移)。本實施例的顏色配置是如第1 6圖所示,其一 像素是由兩個G(綠)、和一個R(紅)及一個B(藍)的4元件 所構成之所謂海灣地形配置者。又,著色下部層1 〇b的R (紅)、G(綠)、B(藍)是可使用各以有機顏料爲色料的東洋墨 水製造股份公司之感光性著色抗蝕劑。 第19A〜19C圖是固態攝像元件、50的製造方法說明圖。 如第19A圖所示,在於已形成光電轉換元件13、遮斷層16 、及鈍態層等的半導體基板Π上,將熱硬化型丙烯酸樹脂 塗布液用旋轉塗布法塗布,以形成平坦化層1 5。接著,使 用R(紅)、G(綠)、B(藍)各顏色的感光性著色抗蝕劑,經由 3次的光蝕刻法形成著色下部層l〇b。R(紅)、G(綠)、R(藍) 各顏色的感光性著色抗蝕劑是以旋轉塗布法塗布,而曝光 是用步進式曝光機。 接著,如第1 9B圖所示,將熱硬化型氟系丙烯酸樹脂塗 布液(曰本化藥股份公司製)以旋轉塗布法塗布於著色下部 層10b的R(紅)、G(綠)、B(藍)上,以形成透明樹脂上部層 -45- 1278991 感像 的顯 性 、 動光 流曝 熱經 有, 持布 將塗 , 法 上布 oa塗 1X 專 層旋 部用 上樣 脂同 樹脂 明樹 透系 在酸 , 烯 著丙 a°接性 10光 並使其熱流動,以形成半球形狀的透鏡母模1 9,在此,熱 流動處理時溫度爲例如設在200 °C。 接著,將已形成透鏡母模1 9的半導體基板1 1,用乾蝕 刻裝置,以〇 2氣體實施蝕刻加工處理。此蝕刻加工處理是 在於基板溫度爲常溫,壓力1.2Pa、高頻電力500W,偏壓 功率200W之狀態下實施之。 φ 最後,經由蝕刻加工處理,以使位於微透鏡5 1之間的非 開口部位25上之透明樹脂(氟系丙烯酸樹脂)僅剩下約〇. :[ μηι 厚度。由此製成如第1 9C圖所示之固態攝像元件50。 在第16圖及17圖中有表示固態攝像元件50的非開口部 位25在非開口部位25中係有作爲其襯底的折射率較高之 濾色片,在此面上並層疊著約0 · 1 μηι厚度的低折射率樹脂 之氟系丙烯酸樹脂。而由該低折射率樹脂薄膜的光干擾效 果和濾色片的光吸收,可大大的減低非開口部位2 5來的再 肇 反射光。 又,依發明者們的實驗時,由本實施例所製成的固態攝 像元件50中,其透明樹脂上部層i〇a的最高厚度(其與著 色下部層l〇b的界面到透鏡中央部位之高度)T1爲0.9μιη, 非開口部層52的厚度Τ6爲0·1μπι,而微透鏡的厚度Τ5是 透明樹脂上部層1 〇 a的厚度Τ 1減去非開口部層5 2的厚度 T6之0·8μχη。又,光是著色下部層i〇a的厚度T7爲0·8μηι -46- 1278991 。又,透鏡下距離成爲約3 . 3 μ m,其與從來的5 . 5 μ m相較 ,已大大的縮短到從來的60%又,在本實施例中是以微透 鏡間距爲3 · 5 μ m,透鏡間的間隙爲〇 . 3 μ m。 又,爲了做比較,將本實施例固態攝像元件5 0和使用高 折射率(折射率1.6)透鏡材料的從來固態攝像元件之反射 光狀況,用積分球和變角測角器(都是村上色彩股份公司製) 測定比較。在此,積分球是要看在於元件的全面與整體上 的反射光量之多寡者,而變角測角器是變化光接收部位的 對於入射光(平行光)之相對角度,以調查在各變角(局部性 的)上的反射光狀態者。 本實施例的固態攝像元件5 0在積分球測定中與從來的 比較時,其在可見光全波長範圍的反射率是降低2〜3 %。而 角測角器的測定是使光從正反射方向的-5度入射,並使光 感元件從+5度到20度的變角,其結果是在反射光的強度 値上,本實施例固態攝像元件5 0的反射光強度値是低到從 來的一半以下。 又,在本實施例中是將攝像元件5 0的腳位(電路上的連 接部位)裸露工程之說明省掉者。又,低折射率樹脂如以鹼 溶性感光樹脂的形態來使用時,在於曝光、顯像工程中, 可和腳位裸露工程互換。 依本實施形態的固態攝像元件5 0及其製造方法時,至少 可獲得下列中之一的< 效果。 第1,極力的減低微透鏡之間的非開口部位及微透鏡表 面來的反射光,而可改善其S/N比,提升其圖像品質者。 -47- 1278991 其理由是本固態攝像元件是在著色下部層面上形成由氟系 丙烯酸樹脂所構成之透明樹脂上部層,並在微透鏡之間的 非開口部位形成氟系丙烯酸樹脂之非開口部層,由此可防 止在該微透鏡的反射。 第2,可一面縮短透鏡下距離,一面使實質上的透鏡厚 度達到上述〇·5μπι〜0.3μιη’甚至於5μηι以上者。由此,可 容易的將微透鏡形成在3 μπι以下像素間距的微細攝像元件 上。 第3,透明樹脂上部層和非開口部層是以氟系丙烯酸樹 · 脂所形成,因而,其與從來的相較,可實現可適應於更嚴 酷處理條件下的耐熱性者。 [發明之效果] 依上述固態攝像元件及其製造方法時,其係可縮短透鏡 下距離,以改善聚光性和S/N比,且可將微透鏡實質上的 厚度提高到〇 · 5 μ m以上’以抑制在有色透鏡中的色彩純度 之降低,並提高開口比率者。 [圖式簡單說明] ® 第1 A圖:從來的典型固態攝像元件一例之斷面圖。 第1 B圖:從來的固態攝像元件另一例(配置有色透鏡90) 之斷面圖。 第2A圖:第1實施形態的固態攝像元件1的俯視圖。 第2B圖:第2A圖中的順著A-A箭頭之斷面圖。 第3 A〜3 C圖:固態攝像元件1的製造方法說明圖。 第4圖:第2或第3實施形態的固態攝像元件一例之從 · -48- 1278991 微透鏡側所見的俯視圖,其係表示在海灣地形配置中的著 色下部層及微透鏡之二維(平面上的)配置圖。 第5A圖:固態攝像元件20在第4圖中順著A-A箭頭之 斷面圖。 第5B圖:第2實施形態另一例的、固態攝像元件20在 第4圖中順著A_A箭頭之斷面圖。 第6A〜6C圖:固態攝像元件20的製造方法說明圖。 第7圖:依第2實施形態的方法所製造的、固態攝像元 件20在第4圖中順著B-B箭頭之斷面圖。 第8 A〜8C圖:固態攝像元件20的製造方法說明圖。 第9圖:第3實施形態的固態攝像元件3 0在第4圖中順 著A-A箭頭之斷面圖。 第10A〜10C圖:固態攝像元件30的製造方法說明圖。 第1 1圖:第3實施形態的固態攝像元件3 〇在第4圖中 順著B - B箭頭之斷面圖。 第1 2 A圖:第4實施形態的固態攝像元件一例之從微透 鏡側所見的俯視圖,其係表示在海灣地形配置中的著色下 部層及微透鏡的二維(平面上)配置圖。 第1 2B圖:第4實施形態的固態攝像元件40在第4圖中 順著A-A箭頭之斷面圖。 第13圖:微透鏡41的放大圖,其係有關著色下部層i〇b 膜厚的說明圖。 第1 4圖:第4實施形態的固態攝像元件4 0之效果說明 圖0 •49- 1278991 第1 5 A〜1 5 G圖··固態攝像元件4 0的製造方法一實施例 之工序圖。 第1 6圖:第5實施形態的固態攝像元件5 〇 一例之從微 透鏡側所見的俯視圖,其係表示在海灣地形配置中的濾色 片層及微透鏡之二維(平面上的)配置圖。 第1 7圖:在第1 6圖中的順著Β -Β箭頭之斷面圖。 第18圖:在第16圖中的順著Α-Α箭頭之斷面圖。 第19Α〜19C圖:固態攝像元件50的製造方法說明圖。 主要部分之代表符號說明 · 1,2 0,3 0,4 0,5 0 固態攝像元件 10,41,51 微透鏡 10a 透明樹脂上部層 10b 著色下部層 11 半導體基板 13 光電轉換元件 14 紫外線吸收層 15 平坦化層 16 遮光膜,遮斷層,遮光層 19 透鏡母模 25 非開口部位 26 紅外線吸收層 2 7 低折射率樹脂 28 凹處 3 1 外部樹脂層 -50- 1278991 4 1a 透 鏡 母 模 4 1b 透 明 樹 脂 中 間 層 42 開 □ 部 位 43 圖 案 化 樹 脂 層 44 感 光 性 樹 脂 層 4 4a 透 鏡 圖 案 44b 透 鏡 母 模 45 電 路 上 的 連 接 腳位 52 非 開 □ 部 層 -51-
Claims (1)
1278991 拾、申請專利範圍: 1. 一種固態攝像元件,其係具備:以二維配置的多數光學 轉換元件,覆蓋於各個上述光電轉換元件上的多數大略 半球形狀的微透鏡,其特徵爲; 上述微透鏡爲多層構造的透鏡,而至少包含·· 形成爲上述大略半球形狀的至少一部分之透明樹脂上 部層;和, 設在上述透明樹脂上部層的上述光電轉換元件側,其* 與該透明樹脂上部層的界面是成爲順著上述光電轉換元 φ 件表面的形狀之著色下部層者。 2 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中; 上述透明樹脂上部層與上述著色下層部之間的上述界 面爲平坦面者。 3 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中; 上述著色下部層的一部分是形成爲上述大略半球形狀 的至少一部分者。 4 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中; · 上述著色下部層是以染料爲色料的著色樹脂層者。 5 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中; 多數的上述著色下部層厚度之差是在〇·3μηι以內者。 6 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中; 上述透明樹脂上部層的折射率是和上述著色下部層的 折射率相同或在其以下者。 7 ·如申請專利範圍第1項之固態攝像元件,其中更具備有 -52- 1278991 設在上述微透鏡與上述光電轉換元件之間的平坦化層; 而 上述微透鏡或上述平坦化層的至少一方是具有紅外線 吸收功能者。 8 ·如申請專利範圍第7項之固態攝像元件,其中更具備有 設在上述平坦化層與上述著色下部層之間的紫外線吸收 層者。 9 ·如申請專利範圍第8項之固態攝像元件,其中; 上述平坦化層是具有紫外線吸收功能者。 1 〇·如申請專利範圍第3項之固態攝像元件,其中; 上述微透鏡更具備有: 設在上述透明樹脂上部層上面,而形成爲上述大略半 球形狀的至少一部分之透鏡母模者。 1 1 ·如申請專利範圍第3項之固態攝像元件,其中; 從上述著色下部層的膜厚T減去形成爲上述大略半球 形狀的至少一部份之上述著色下部層的部分厚度T 1之 値爲0·4μιη以上者。 1 2 ·如申請專利範圍第11項之固態攝像元件,其中; 形成爲上述大略半球形狀的至少一部分之上述著色下 部層的部分厚度Τ 1爲設該上述著色下部層的膜厚爲τ 時’其係可滿足0 . 〇 2 τ $ Τ 1 S 0.5 Τ之條件者。 •如申請專利範圍第7項之固態攝像元件,其中; i @平坦化層的材料是其在曝光波長的透射率爲4 〇 % l4以下且在可見光範圍的透射率爲90%以上之樹脂者。 如申請專利範圍第3項之固態攝像元件,其中; -53· 1278991 上述透明樹脂上部層的折射率是比上述著色下部層的 折射率爲低者。 1 5 ·如申請專利範圍第丨4項之固態攝像元件,其係再具備: 形成爲上述大略半球形狀的至少一部分,且覆蓋於上 述著色下部層的一部分,而其折射率是比上述著色下部 層的折射率爲低之外側樹脂層者。 1 6.如申請專利範圍第丨4項之固態攝像元件,其中; 上述透明樹脂層是由氟系丙烯酸樹脂所形成者。 1 7 ·如申請專利範圍第丨項之固態攝像元件,其係再具備:泰 將上述多數的微透鏡之間所存在的非開口部位加以覆 蓋之非開口部層;且, 上述透明樹脂上層部或上述非開口部層的至少一方是 由氟系丙烯酸樹脂所形成者。 1 8 · —種固態攝像元件的製造方法,其係具備:配置成爲二 維的多數光電轉換元件,和覆蓋於上述各光電轉換元件 上的多數大略半球形狀的微透鏡,其特徵爲包含·· 於半導體基板上配置成二維的多數光電轉換元件上,· 形成平坦化層; 在上述平坦化層上,使用以色素的色料的感光性著色 抗蝕劑’以光蝕刻法形成多數顏色之著色下部層; 在上述多數顏色的著色下部層上塗布第一樹脂塗布液 、 ,以形成透明樹脂上部層; 使用具有鹼溶性、感光性、及熱流動性的透鏡材料, 在上述透明樹脂上部層上以光蝕刻法及熱處理形成透鏡母 -54- 1278991 模;及, 在上述透鏡母模上實施乾蝕刻加工,將上述透鏡母模 圖案至少轉印到上述透明樹脂上部層上,以形成至少包 含上述透明樹脂上部層和上述著色下部層之上述微透鏡 者。 1 9.如申請專利範圍第i 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: 於形成上述透鏡母模後,再形成透明樹脂薄膜層以覆 蓋以二維配置之上述透鏡母模的整面上。 20·如申請專利範圍第i 9項之固態攝像元件製造方法,其中; 於上述透鏡母模圖案的轉印中,上述乾触刻加工的深度 是到上述著色下部層之在其厚度方向之一部分爲止者。 2 1 ·如申請專利範圍第〗8項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述乾蝕刻加工所用的氣體是至少包含氟系氣體的cf4 、c2f6、c3f8、c4f8、chf3、c2hf5 中的一種氣體者。 22·如申請專利範圍第i 8項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述色素爲染料者。 23 ·如申請專利範圍第i 8項之固態攝像元件製造方法,其中, 在上述平坦化層的形成中藉由使用具有紅外線吸收功 能的樹脂塗布液,以使上述平坦化層具有紅外線吸收功 能者。 24.如申請專利範圍第丨8項之固態攝像元件製造方法,其中, 在上述透明樹脂上部層的形成中,藉由使用具有紅外 線吸收功能的樹脂塗布液,以使上述透明樹脂上部層持 -55- 1278991 有紅外線吸收功能者。 25·如申請專利範圍第23或24項之固態攝像元件製造方法, 其中, 上述樹脂塗布液係含有紅外線吸收波長範圍不同的多 種紅外線吸收劑者。 2 6 ·如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: 在上述透明樹脂上部層之形成與上述透鏡母模之形成 之間,以塗布法形成紫外線吸收層者。 2 7.如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: 至少在將上述透鏡母模圖案轉印於上述透明樹脂層後, 以塗布法將紅外線吸收層的薄膜層疊於上述微透鏡上者。 2 8 .如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: 將低折射率樹脂薄膜層疊於上述微透鏡的最外層者。 29·如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述平坦化層的材料係使用曝光波長的透射率爲4〇% 以下,且,在可見光波長範圍具有透射率爲9 0 %以上之 樹脂者。 3 0·如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述透明樹脂上部層的折射率是比上述著色下部層的 折射率爲低者。 3 1 ·如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其係 -56- 1278991 再具備: 於將上述透鏡母模圖案轉印後,使用第2樹脂塗布液 ,以形成覆蓋於上述微透鏡整面上的,其折射率是比上 述著色上部層的折射率爲低之透明樹脂薄膜者。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述第一樹脂塗布液或上述第二樹脂塗布液的至少一 方是含有氟系丙烯酸樹脂之塗布液者。 3 3 .如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: _ 把於形成上述透明樹脂上部層後的上述透鏡母模之形 成工程改爲:在上述透明樹脂上部層上使用具有熱流動 性的感光性樹脂溶液以形成感光層;對該感光層實施至 少包括圖案曝光和顯像之圖案形成處理,以形成透鏡圖 案,於熱流動而被陣列狀配置的各個感光元件位置上形 成大略半球形狀之透鏡母模;而 於上述透鏡母模圖案的轉印中,將上述透鏡母模圖案 至少轉印到上述透明樹脂上部層及上述透鏡母模者。 β 3 4 ·如申請專利範圍第! 8項之固態攝像元件製造方法,其係 再具備: 形成可將上述多數微透鏡之間所存在的非開口部位加 以覆蓋之氟系丙烯酸樹脂薄膜者。 3 5 ·如申請專利範圍第1 8項之固態攝像元件製造方法,其中, 上述第一樹脂塗布液爲氟系丙烯酸樹脂;而, 對上述透鏡母模上的乾蝕劑加工是將透鏡母模圖案轉 -57- 1278991 印到上述透明樹脂上部層,以將上述多數顏色的多數下 部層上之上述透明樹脂上部層形成爲微透鏡;且在微透 鏡之間的非開口部位形成由上述氟系丙烯酸樹脂所構成 的非開口部層者。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223242A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2005332917A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置及びその製造方法 |
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| KR101106336B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2012-01-18 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 신호대잡음비를 개선할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US7329856B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method |
| JP4761740B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズの形成方法 |
| JP4725106B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-07-13 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2006190905A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4152980B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ドーム型カメラ |
| JP4840850B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-12-21 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
| EP2482316B1 (en) | 2006-04-03 | 2013-10-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Color imaging device manufacturing method |
| JP5003124B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-08-15 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子 |
| CN101598819B (zh) * | 2008-06-04 | 2012-10-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜镜片制作方法 |
| JP5353200B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-11-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
| CN101990058A (zh) * | 2009-07-30 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 晶圆级相机模组的镀膜方法及晶圆级相机模组 |
| JP2012160691A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光装置、光学装置および受光装置の製造方法 |
| US8513587B2 (en) * | 2011-01-24 | 2013-08-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor with anti-reflection layer and method of manufacturing the same |
| TW201921662A (zh) * | 2012-05-30 | 2019-06-01 | 日商新力股份有限公司 | 攝像元件、攝像裝置、製造裝置及方法 |
| JP5941424B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2016-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
| JP2014026070A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Fujifilm Corp | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
| WO2014017574A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
| JP5890805B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-03-22 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
| JP5946389B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
| JP2014041213A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Fujifilm Corp | 近赤外線吸収剤、近赤外線吸収性組成物、これらを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、カメラモジュール及びその製造方法、ならびに、近赤外線吸収剤の製造方法 |
| JP6016518B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2016-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収剤、近赤外線吸収性組成物、これらを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、カメラモジュール及びその製造方法、ならびに、近赤外線吸収剤の製造方法 |
| JP5953322B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 赤外線吸収組成物ないしは赤外線吸収組成物キット、これを用いた赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法 |
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| JP2015056530A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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| JP6277056B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性物質の分光調整方法、近赤外線吸収性組成物およびその製造方法、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、カメラモジュール、ならびに、銅化合物の分光調整剤 |
| TW201600574A (zh) * | 2014-06-30 | 2016-01-01 | Fujifilm Corp | 近紅外線吸收性組成物、近紅外線截止濾波器、近紅外線截止濾波器的製造方法、固體攝像元件、照相機模組 |
| US10515991B2 (en) * | 2015-04-17 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
| US9830789B2 (en) * | 2015-12-29 | 2017-11-28 | Honeywell International Inc. | Ceiling mount intrusion detector with arbitrary direction detection capability |
| JP6564329B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2019-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 受光モジュールおよび受光モジュールの製造方法 |
| US10670784B2 (en) * | 2017-05-17 | 2020-06-02 | Visera Technologies Company Limited | Light filter structure and image sensor |
| DE102017113535A1 (de) | 2017-06-20 | 2018-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleitersensor |
| JP2019087545A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| CN111077667B (zh) | 2018-10-22 | 2021-12-07 | 中强光电股份有限公司 | 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置 |
| CN111580342B (zh) * | 2020-06-18 | 2023-10-31 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 光纤传像元件端面微凸结构的制备及光纤传像元件的应用 |
| US12166053B2 (en) | 2021-03-11 | 2024-12-10 | Visera Technologies Company Limited | Semiconductor device for receiving and collecting inclined light |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3166220B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2001-05-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH05226624A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH05326902A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
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| JPH0746612A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Matsushita Electron Corp | カラー固体撮像装置の製造方法 |
| JPH08211336A (ja) * | 1995-02-08 | 1996-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的ローパスフィルタ付き固体撮像素子 |
| JPH10326885A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPH11307748A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4067175B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2008-03-26 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2000193819A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | プラズマディスプレイパネル用フィルター |
| US6249034B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-06-19 | Intel Corporation | Microlens formed of negative photoresist |
| JP2001358320A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法、並びにオンチップレンズ金型の製造方法 |
| JP2002110952A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sony Corp | オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 |
| KR100382723B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
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Cited By (1)
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