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TWI278639B - Memory test tool - Google Patents

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TWI278639B
TWI278639B TW94142245A TW94142245A TWI278639B TW I278639 B TWI278639 B TW I278639B TW 94142245 A TW94142245 A TW 94142245A TW 94142245 A TW94142245 A TW 94142245A TW I278639 B TWI278639 B TW I278639B
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TW
Taiwan
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memory
test fixture
memory test
conductive structure
connection
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TW94142245A
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TW200722766A (en
Inventor
Tom Ji
Jr-Feng Chen
Original Assignee
Inventec Corp
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Publication date
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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

1278639 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 更詳而言之,本發明 之測試治具。 本發明係有關於一種測試治具, 係有關於一種應用於記憶體電性測量 【先前技術】 南速電路和電 的基準,而更快的 能力和空間的問題 因此,隨著電路工 乎所有設計都遇到 問題。一般來說 之完整性。 路板的佈線密度已成為今日數位產品 晶片組和多層電路板設計可以解決處理 ’但是也更容易受到電路異常的影響。 作頻率的提高,不管信號週期如何,幾 了信號完整性(叫㈣integrity ;SI) 係使用示波器觀察電路設計並評估信號 當使用者利用示波器對例如雙排直插式記憶體(_ ^LnlM"〇r"Modules;DIMM) t整性測1時,通㈣先參照職圖以制待測 二=精路圖,找出該待測信號線對應該咖 :性輪而上的導電片(俗稱“金手指”),在記憶體上 ^出所找導電片直接電性連接的且便於焊接的元 1=:),將引線焊上。最後,利用示波器之測量探頭 ^觸该引線,以對該記憶體中之待測信號線的信號完整性 進订測量。完成測量後,去該引線並重複上述步驟, 以對下一條信號線進行測量。 ’首先,將引線焊接至電 點為一通孔(v i a )時,則 唯,此種做法存在諸多缺失 路板上十分困難,尤其是若焊接 18788(修正本) 5 1278639 ㈣通孔上的絕緣漆才能進行焊接操作。而且,到絕 .接=必須十分小心,若絕緣漆到不乾淨,將無法完 .接,但’若過度刮除絕緣漆又會破壞通孔結構甚至 路、,以致於影響電路板之性能;又,更嚴重的情況為找不 到通孔,則只能焊接於電性連接 須除…… 同時,測量完後亦必 用、:應用此種習知技術除了不利於重複使 卜,更美尚了成本,而且浪費大量時間。 此外’為了方料接操作以及受限焊接技術之極限, 2往往不能太短’因為引線太短所焊上之引線較細會令 7點相對很小,易造成引線脫落,過長的引線則不利於 2傳輸’而勢必會令測量結果受到外界干擾,造成測量 =差亦相對增大。而且,由於需要焊接之引線數量比較多, 热法-次將所有引線都焊接到電路板上,必須多次開機、 關2、、=及插、拔該記憶體,而這些動作不僅容易對記憶 :4成損狄更使得測試操作繁瑣,故勢必需要浪費更多 時間,且更嚴重影響測量效率。 、 因此,如何提供一種有助於快速、準確、安全方便且 可重複使用之記憶體測量技術,藉此提高測量效率、減少 干I節省成本並k供使用便利性,以解決習知技術之種 種缺失,實為目前業界亟待探討之課題。 【發明内容】 為解決上述習知技術之缺點,本發明之主要目的在於 提t、種可快速、準確地進行測量之記憶體測試治具。 本發明之另一目的在於提供一種安全方便之記憶體 6 18788(修正本) 1278639 測試治具。 本發明之再一目的在於提供 .體測試治具。 種』董禝使用之此憶 本發明之又一目的在於提供一 記憶體測試治具。 《可“測1效率之 .憶體又另-目的在於提供-種可節省成本之記 .·性之=::具1的在於提供-種可提供使用便利 為達成上述目的及並袖曰 m 〇β,| ^ 八 々,本發明即提供一種記f咅
版測忒治具,係應用於且 U 量,哕圮产辦、a^+ 連接鳊的記憶體之電性測 電性連接端電性連接之第一^处連接和具有用以與該 治該第一連接邻日士 ^ v电、、、口構,以在該記憶體藕接 電性連接二:第體=記,試治具形成 春第二導電姓構^ -山 /、有舁外部裝置電性連接之 )與外;裝置藕憶體測試治 二,第二連接部二= 罘一導電結構電性i表技廿已A 命包、、、口構及 豆中,n # ^ W。σ卩外露於該記憶體測試治且。 二:Γ可例如為雙排直插式記憶錄
Line Memory Modules · nTMun ^ 電路板或主機板。 ,该外部裝置為印刷 =地’該第-連接部係為一 弟一導電結構由複數個 插^之、、、。構。该 守私月所構成,而該第二導電 18788(修正本) 7 1278639 、、、。構則由硬數個金屬導電片所構成。於 中,該測量部係具有複數個測量只m 以成列方式佈設置於該測量部之::上且=測量單元乃 5 人歷 < 本體上,同時該測量單元 可為至屬引腳,該等金屬引腳復可設有編號。 ,體知技術,本發明提供可作為諸如轉接頭之記 具,該記憶體測試治具係設計第—連接部盘第 lit 別f性連接至記憶體之電性連接端以及電路 电性連接端插槽並將二者進行電 準確__電性進行測量。而:電:=可= 技t限於¥接操作以及焊接技術之極限所造成之干擾及 測量誤差等缺點,不對記憶㉘ 一 爻 接技術,提供—種安全方便之記憶體測試治^ =::開機、關機、以及插、拔該記憶體等動作, 古拉Γ時’藉由測量部將記憶體内部之線路導出,因此可 直接猎由例如示波器等儀器進行記憶體電性之測量,而且 引線極短’更可將外界對信號之干擾降到最低。此外,本 發明之記憶體賴治具係可插拔,因此可多次重複使用, 亦降低了習知技術測量記憶體電性之成本,相對節省 並提供較佳之使用便利性。 【實施方式】 、以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方 式,所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書所揭示 之内谷輕易地瞭解本發明之其他優點與功效。纟發明亦可 18788(修正本) 8 1278639 “他不同的具體實施例加以施行或應用,本說明壹中 、項細節亦可基於不同觀點與: 精神下進行各種修飾與變更。 在不W本發明之 =外,須注意的-點是’該些圖式均為簡化之示咅 二本sr示意方式說明本發明之基本架構,因此僅顯示 數目關之構成,且所顯示之構成並非以實際實施時 丈目、形狀、及尺寸比例繪製,其實際實施時之數目、 可例為一種選擇性之設計’且其構成佈局形態 請參閲第1圖,係顯示本發明之較 ::治具及所應用之記憶體之分解示意圖。如圖所;Γ 憶體測試治具W應用於輔助例如示波器之測量 !: 2示記憶體2之電性測量,該記憶體測試 1匕括.弟一連接部u、第二連接部12以及測量部 二。=的是,雖於本實施例中該記憶體2係可為例如
In-Line Mem〇ryM〇dules;DIMM) 之4體,亚且具有由複數個金屬導電片所構成之雷㈣ 接端2卜但所屬技術領域中具有通常知識者皆可了解二 其他實施例中,該記憶體2亦可為其它類型之記 、 並非=此限制本發明之應用範圍。同時,由於例^示波哭 之測量儀器以及記憶體等之結構與作用原理均屬習知者, 故於此不再多作說明。 該第-連接部11具有用以與待測之記憶體2的電性 連接端21電性連接之第—導電結構lu。於本實施例中, 18788(修正本) 9 1278639 j弟一連接部11係為形成有一插槽之結構,且該插槽係可 k擇地與習知電路板上對應於記憶體2之插槽(均未圖示) ^結構相同’而該插槽之開口尺寸則係略大於該電性連接 = 之厚度,以便令該電性連接端21插入例如為插槽之 弟一連接部u,而使該記憶體2與該記憶體測試治具工電 \連接該第一導電結構lu係可由複數金屬導電片所構 =,以設於該第一連接部u之插槽内,俾於測量時與該記 L體2之電性連接端21對應地電性連接,以傳導進出 憶體2之電性信號。 立應/主思的是,雖本實施例中係對可設於電路板上之記 憶體進行測量,但並非以此限制本發明之記憶體測試治° 具’且由於電路板之結構與作用原理均屬習知者,故於此 不再為文贅述。 此外,習知之記憶體2可於設有該電性連接端21之 -=置具有防止記憶體插反之凹部22,為配合該記憶體 =有之'凹部22,該第一連接部11復可選擇設有對應該凹 :…之:隔架112。該分隔架112係將該第-導電結構111 :為兩‘刀’以避免記憶體2插反,藉此而達到防 用0 以士 連接部12係具有與該第—連接部11之第一導 =籌u電性連接之第二導電結構121,用 電路板3之外部裝置上所設之插槽3〇。於本實施中 ::=121係可由對應於該第一導電結構iu之複數 個孟屬¥電片所構成’且該第二導電結構⑵可與電路板 18788(修正本) 10 1278639 ^之插槽内的線路(未圖示)相對應,以於測量時藉之使本 -發明之記憶體測試治具丨與電路板3電性連接。同時,★亥 第二導電結構121與前述第一導電結構之電性連接可 使電流信號經由該第二連接部丨2以及該第—連接部11而 在該記憶體2與該電路板3之間傳遞。應注意的是,於其 他貫施例中,該第一連接部11以及第二連接部12間之電 .性連接亦可透過諸如導線連接或其他等效元件,而非以本 實施例中所述之由該第一導電結構U1以及第二 Ί21狀電性連接者為限。 、焉 該測量部13係與該第一連接部u及第二連接部12 結合’並與該第一連接部n之第一導電結構以及該第 ,連接部12之第二導電結構121對應電性連接,以與例如 不波益之測量儀器之測量探頭(未圖示)電性連接,俾在 記憶體2插置於該記憶體測試治具i之第一連接部u上 後,藉之對該記憶體2進行例如信號完整性(^抑^ 籲加e g r i t y ;⑴之測量。於本實施射,該測量部13係包 .括複數個金屬引腳以作為測試單元,該等金屬引腳之一端 可分別與該第一導電結構⑴以及該第二導電結構121電 性連接,另一端則外露於該記憶體測試治具1;換古之, 該等金屬引腳(即,該测量部13)係為雙面設置者,分別 可對應該記憶體2之電性連接端21之各金屬導電片,以供 如示波器之測量儀器進行電性測量,藉此便可輕易地完 成對該記憶體2之信號完整性測量。 應了解的是,雖本實施例中之測量部13為單列金屬 18788(修正本) 11 1278639 丨列方式’但所屬技術領域中具有通常知識者皆 虽本發日㈣期於記憶體之電 電片)分佈較爲宓隹去,士十 接而IP至屬¥ 屬引腳之間距增大,以在測量時 示、古更地t出需要測量之線路,並藉此避免測量時例如 二量儀器的測量探頭不慎與其它金屬 造成測量結果的錯誤。 叩 第3^:-设可令該測量部13之金屬引腳設有編號(如 =戶:不)、’如此即可更快速地根據編號進行測量,而 干性找、’於第3圖中所示之編號方式係為例 月者’亚非以此限制本發明,而可加以修改及變化, i 術領域中具有通常知識者易於思及者,故不 再針對其他修改及變化例進行說明。 波哭㈣可採用較硬之材質製成,以便於例如示 於本實施例心:一接附加的引腳’而㈣限 測=於:知” ’本發明係設計諸如轉接頭之記憶體 端,第%技用弟一連接部連接待測記憶體之電性連揍 二連接習知電路板上之用於配合待測記憶體 == 藉由包括例如複數金屬引腳之測量部與 该弟-連接部之第一導電結構以及該第二連接 — 導電結構進行電性連接,並且使該 一 揞驊、、目I丨4 ▲曰 里I局°卩外路於該記 L、體物口具,即可透過例如示波器之測量儀器直接測量 18788(修正本) 12 1278639 玄/貝】里4對^己體進行測量,而不需如習知技術逐一找出 •,待測信號線、對應之金屬引腳與金手指、及適當之焊接點。 故’應用本發明可快速、準確地對記憶體進行電性測量。 同時’由於本發明之設計係對應該記憶體之電性連結 而口又置該第一連接部,因此一次就可以測量所有記憶體信 號不必重複插拔,不僅相對於習知技術節省大量時間, ,藉此k同工作效率,並可避免習知技術中之記憶體因多次 ,鲁^複插拔或重複開關機所造成的損壞,提供安全方便之記 體測试治具。而且,由於該測量部(即,金屬引腳)可 以很短,相對可避免習知技術因焊接較長之金屬引腳所引 起的測量誤差。 it匕外 、L過對該測量部之分排及綱現寻設計,可方便 !·夬,地找到待測之金屬引腳,進而亦可節省時間。而且, =明之記憶體測試治具係可重複使用,俾大幅減少測量 i:::性之成本。另外’應用本發明無需對記憶體或者 電路板進料接可省略焊接之㈣及成本, e己憶體損壞、以及避免進行繁續 L 、麵作,更可確保記 匕體女全、大幅地提高工作效率、且使用上 *上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及3。 而非用於限制本發明。任何所屬技術領域^ 知識者均可在不違f本發明之精神及範 ,、有^ 例進行修飾與變化。因此,本發明之權二:二述實施 後述之申請專利範圍所列。 …已圍,應如 【圖式簡單說明】 18788(修正本) 13 1278639 第1圖係為本發明之較佳實施例的記憶體測試治具及 所應用之記憶體之分解不意圖, 第2圖係為第1圖之記憶體測試治具之變化例之示意 圖;以及 第3圖係為第2圖之測量部之變化例之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 記憶體測試治具 11 第一連接部 111 第一導電結構 112 分隔架 12 第二連接部 121 第二導電結構 13 測量部 2 記憶體 21 電性連接端 22 凹部 3 電路板 30 插槽 14 18788(修正本)

Claims (1)

1278639 、申請專利範圍: 一種記憶體測試治且,係 ,,體之^…: 具有電性連接端的記 U體,a Μι ’該記憶體測試治具包括: 第一 ::ί接部’具有用以與該電性連接端電性連接之 ± 電、、·口構,以在該記憶體藕接治該第一連接部 7該記憶體能與該記憶體測試治具形成電性連接關 弟二連接部’具有與外部裝置電性連接之第二導 結構’以藉由該第二連接部,使該記憶體測試治一具能 兵外部裝置藕接並電性連接;以及 人測量部’係與該第一連接部以及該第二連接部結 U ’且與該第—導電結構及第二導電結構電性連接並 局部外露於該記憶體測試治具。 2·如申請專利範圍第丨項之記憶體測試治具,其中,兮 苐一連接部係為一具插槽之結構。 3·如申請專利範圍第1項之記憶體測試治具,其中,兮 第一導電結構係由複數個金屬導電片所構成。 Μ 4·如申請專利範圍第2項之記憶體測試治具,其中,該 第一導電結構係設於該插槽内。 5·如申請專利範圍第1項之記憶體測試治具,其中,該 第二導電結構係由複數個金屬導電片所構成。 6·如申請專利範圍第1項之記憶體測試治具,其中,該 測量部具有複數個測量單元。 •如申請專利範圍第6項之記憶體測試治具,其中,該 18788(修正本) 15 1278639 測量單元係成列設置。 8. 如申請專利範圍第6項之記憶體測試治具,其中,該 測量單元係包括金屬引腳。 9. 如申請專利範圍第8項之記憶體測試治具,其中,該 等金屬引腳復設有編號。 10. 如申請專利範圍第1項之記憶體測試治具,其中,該 記憶體係為雙排直插式記憶體(Dual In-Line Memory Modules ; DI匪)。
ψ 16 18788(修正本) 1278639 七、指定代表圖·· (一) 本案指定代表圖為:第(1 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 1 記憶體測試治具 11 第一連接部 111 第一導電結構 112 分隔架 12 第二連接部 121 第二導電結構 13 測量部 2 記憶體 21 電性連接端 22 凹部 3 電路板 30 插槽 - 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 無0 4 18788(修正本)
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