TWI272885B - Method for forming presolder bump on circuit board by translate plate technique - Google Patents

Description

1272885 ____案號 91107396_年月日_修正__ 五、發明說明（1) 發明領域： 本發明係有關於一種經轉移板技術形成電路板上預銲 錫凸塊（preso 1 der bump)之製法，特別是關於經由轉移 板形成之預銲錫之輔助，迴焊（refl〇w)在電路板上之預 銲錫用以形成覆晶封裝及電路板間之銲接，應用於形成覆 晶元件。 發明背景： 自IBM公司在1 9 6 0年早期揭露出覆晶（nip一chip)封 裝技術以來，覆晶封裝元件即主要設置在價格昂貴之陶瓷 電路板上，於此結構中，矽晶片與陶瓷電路板間的熱膨脹 關係則由於差異小，因此在使用上並不致於造成明顯的可 罪度問過。其與一般打金線（w i r e _ b 0 n d i ng)封裝方式相 比較，覆晶方式可提供較高的封裝密度（低元件輪廓）及 南電性性此（較短的導線與低電感）。有鑑於此，業界覆 曰曰封I技術已使用咼溫銲錫於陶莞電路板上有4 〇年之久， 即所謂控制崩解晶片連接技術（control_c〇llapse chip connection, C4)。然而近年來，在現代電子產品漸小化 ”！度古：i度及低成本的趨勢下，將覆晶元件鑲嵌於 低，本之二機=板上’並利用環氧樹脂底膠於 underfill) 填充於晶片下古丨v # i-丄 ^ y 板結構間的熱應力所產生之不㈣，已呈現出爆：：：： 長。而業界矚目的低溫覆晶銲接與有機電路之： 可使業界得以達到低成本覆晶封裝之目的。 j用更 在一般低成本之覆晶#裝技術中，半導體叫片的最 1272885 修正 ---^-^J11073flR ^^ 五、發明說明（2) 一 斜Ϊ ^ Ξ係有若干輝塾之設計’而有機電路板亦有若干相 你 w 1接觸窗（contact)設計；在晶片與電路板間 執有&溫鋒锡凸塊或其他導電性黏著材設置，且晶片具銲 一 Ξ 2 2 了亚鑲嵌於電路板上’其中銲錫凸塊或導電性黏 1材提1晶片與電路板間的電性輸出/輸入及機械性連 1^錫凸塊而言’在晶片與電路板間的間隙可填入之 伙俏二ί ( Underf i 1 1)，藉此可壓制熱膨脹之不協調及 降低i干錫接之應力。 ^ I而a ，為使銲錫接形成覆晶裝配，通常金屬凸 J如銲錫凸塊、金凸塊或銅凸塊等，係預先形成於晶 =^極紅墊表面上，而其中凸塊可為任何形狀，係如釘 枉大凸塊球开》凸塊、柱狀凸塊或其他形狀。而對鹿的銲 錫凸塊（或稱預銲錫凸塊（pres〇lder bump))則;^常使 用低溫銲錫，亦形成於電路板之接觸銲墊上。在一迴焊 (reflow)溫度下，晶片以銲錫接與電路板鍵結在一起， 而在晶片與電路板間佈設底膠之後，覆晶元件即完 作。而以銲錫接形成覆晶元件之典型例子可參考圖一及圖 。ί:圖一，係為應用金屬凸塊及預鮮錫凸塊之典 曳例子。金屬凸塊11係形成於晶片13之電極銲墊12上，而 凸塊14,則形成於電路板16之接 叶墊圖一 Α所示。接著在一迴焊溫度使熔解簪 f塑預銲錫凸塊14以形成銲錫接17 ( s〇lder 一 著’佈設底膠（underfill) ]8於曰片im千办 隙德，所汁夕举日- # / 18於日日片13與電路板16之間 隙後所述之覆晶兀件1於焉完成，如圖一 B所示。 a曰 再蒼閱圖二A至B，係為另一未應用預銲錫凸塊之覆 第5頁

1272885 __MMl 五、發明說明（3) 元件2之典型例子。銲錫凸塊21係形成於晶片“之電極’ 墊2 2上，而晶片2 3在一迴焊溫度下與電路板2 4鍵結，如 二A所示，且此時銲錫接25形成於接觸銲墊26上。同樣回 地’在佈設底膠2 7於晶片2 3與電路板2 4之間隙後，即完成 覆晶元件2， 如圖二B所示。 一般而言，形成預銲錫凸塊於電路板上之最常見方法 為核版印刷法（stencil printing)。一些參考資料揭露 模版印刷法技術可參考11.8.?&1:.1^〇3.5，2 0 3，0 7 5 (〇· G. Angulas et al), 5,492,266 (K. G. Hoebener ct al)與 5, 8 28, 1 28 (Υ· Higashiguchi et al )。覆晶裝 配之銲錫凸塊技術之選用則包含凸塊間距與尺寸縮小化之 雙重考量。根據實際經驗，當凸塊間距在〇. 1 5 mm以下 時，模版印刷法即產生製作之困難，而必須改採電鍍法製 作，而習知有關於覆晶封裝在電路板上製作電鍍凸塊之技 術，則可參考 U· S. Pat· Nos· 5, 391，514 (Τ· P. Gal 1 et al)與 5，480，835 (Κ· G· Hoebener et al)。然而 雖然以電鍍法在電路板上製作之銲錫凸塊之間距較模版印 刷法佳，但實施上仍有一些缺點存在，例如在銲錫凸塊之 製程中，有機絕緣保護層必須不受傷害，以避免影響產品 可靠度。同時，電鍍及凸塊高度之一致性必須加以掌控。 而這些細節部分在U.S. Pat· Nos· 5，391，514及 5, 48 0, 8 3 5皆未被揭露出。 有鑑於此，本發明係提供一種經轉移板技術形成電路 板上預得錫凸塊之製法，其係為在有機電路板上形成良好 凸塊間距銲錫凸塊之製程（亦即小於〇 · 1 5 mm)，不但不

1272885 主月 曰_修正 並可提供銲錫凸塊高度之一致 —__案號 91107396 五、發明說明（4) 會傷害有機絕緣保護層 性。 發明之簡要說明： 本發明之主要目的在於提供一種經轉移板技術形成電 路板上預銲錫凸塊之製法，不會傷害防焊膜（s 〇 1 d e r mask layer)，形成銲錫凸塊用以製作覆晶封裝元件與電 路板間或電路板與電路板間之銲接。 ' % 本發明之另一目的在於提供一種經轉移板技術形成電 路板上預銲錫凸塊之製法，該轉移板包含至少一表面具縮 錫特性’可以電性導通供電艘製程，且電鍍銲錫 (electroplating solder)即形成在其表面上。 本發明之再一目的在於提供一種經轉移板技術形成 路板上預銲錫凸塊之製法，該轉移板包含至少一表面具ρ 錫特性，可為導電性或非導電性，且無電鍍銲錫 (electroless plating solder)即形成在置表面卜 本發明之再-目的在於提供一種經轉移板=成電 路板上預銲錫凸塊之製法，其中該電路板包含一設有若干 電路佈局之表面，且設有至少一銲墊。該電路板之電^展 係以若干有機絕緣層區隔開；且該有機絕緣層係以有機= 料、纖維強化有機材、或顆粒強化有機材所構成。 本發明之再一目的在於提供一種經轉移板技術形 路板上預銲錫凸塊之製法，該轉移板係安置於電路板上， 而該轉移板上形成之銲錫則可以對準電路板上的銲墊。而 在迴焊過程之後，所述之銲錫於是熔解並成為球狀銲锡，

第7頁 1272885 —__案號 911Q73%_车月日 你π： _ 五、發明說明（5) 而最後座落於該電路板上之銲墊。 為達上述之目的，本發明係提供一種經轉移板技術形 成電路板上預銲錫凸塊之製法，其步驟包括：首先提供一 部分表面具縮錫（dewetting)特性之轉移板（translate plate) ’其可為電導性以形成電鑛ί于錫 (electroplating solder)，或為非電導性以形成無電 鍍銲錫（electroless plating solder);在該轉移板上 形成銲錫，之後將該轉移板置於一有機電路基板上；該有 機電路基板係設有若干電路佈局，其上並設有至少一銲 墊，以作為該轉移板銲錫與該電路板之對準標的；進行迴 焊，轉移板之銲錫於是熔解並成為球狀銲錫，最後座落於 電路板之銲墊上。 為了使 貴審查委員對本發明之目的、特徵及功效， 有更進一步的瞭解與認同，茲配合圖式詳加說明如後·· 詳細說明： 為了使 貴審查委員對本發明之目的、特徵及功效， 有更進一步的瞭解與認同，茲配合圖式詳加說明如後。當 然，本發明可以多種不同方式實施，並不只限於本說明^ 中所述内容。 胃 本發明係有關於一種經轉移板技術形成電路板上預鮮 錫凸塊（presolder bump)之製法，其可形成具良好* ^ 一致性之銲錫凸塊，但卻不會傷害電路板上之“絕二 護層。然而，本發明之圖式僅為簡單說明，並非依f斤尺 度描繪，亦即未反映出晶片載體結構中，各層次之^ ^尺

第8頁 1272885 -案號91107396_年 月 日 修正 五、發明說明（6) 寸與特色，合先敘明。 σ月參閱圖二A所不’係本發明弟一實施例，首先提供 一轉移板（transfer plate) 100，該轉移板1〇〇包含矣 材板102( base plate)及其表面上之導電層1〇3。而在^ 電層1 0 3上覆有一包含若干開口 1 〇 5之縮錫絕緣層1 〇 $ (dewetting insulative layer)。其中所述之基材板 1 0 2係可以較硬（s t i f f)材質所構成；而所述之導電層 1 0 3為縮錫材料所組成，其不易熔解於銲錫中且對銲锡為 低黏著性，係如鋁（A1)、鉻（Cr)或導電粒子填充之'樹 月旨（conductive particles filled resin)等，另外， 該導電層1 0 3亦可選擇會熔解於銲錫中之材質，係如錫 (Sn)、金（Au)、錫鉛（Sn-Pd)或錫銅合金（Sn-C u);而所述縮錫絕緣層1 〇 4係可由有機材質、纖維強化 (fiber-reinforced)有機材質或顆粒強化（particle — reinforced)有基材質等所構成，如環氧樹脂（ep〇xy r e s i η)、聚乙醯胺（p〇 1 y i m i de)、雙順丁稀二酸醯亞 胺 /三氮阱（bismaleimide triazine-based)樹脂、氰 酯（cyanate ester) 、polybenzocyclobutane或石夕顆粒 填充之複合材料等。 其中該導電層1 0 3可扮演一晶種層（s e e d 1 a y e r)之 角色’以使得電鍍電流（p 1 a t i n g c u r r e n t)可經由該導 電層103傳導至轉移板100之邊電極（edge eiectrode) (圖中未示）而從邊電極没取之。而藉由該導電層10 3之 輔助，可以電鍍方式形成銲錫凸塊1 〇 6於轉移板1 〇 〇之各該 開口 105中’如圖三B戶斤示。

第9頁 1272885 ____tli 911Q7^fi ^^日—修正 五、發明說明⑺ ' "—' 而另較佳實施者，在進行電鍍之前，可先沈積一薄 電層1 0 7於開口 1 〇 5底緣中，如圖三C所示。而該導電層、丨〇 7 係為縮錫材料所組成，其不易溶解於銲錫中且對鋒錫為低 黏著性，係如鋁（A1)、鉻（Cr)或導電粒子填充之樹= (conductive particles fHled resin)等，當然同時曰 亦可選擇會炼解於銲錫中之材質’係如錫（Sn)、金 (Au)、錫鉛（Sn-Pd)戒錫銅合金（Sn-Cu)等。 再一較佳實施者，所述之基材板1 0 2亦可直接以導電 縮錫材料所形成，係如、鉻或導電粒子填充之樹脂等， 因此導電層1 0 3也可不必形成，如圖三D所示。 然藉由一設有若干開口 1 0 5之縮錫絕緣層1 q 4之輔助， 電鏡銲锡可形成於各該開口 10 5之中，且為使形成更大之 銲錫凸塊，各該開口 1 〇 5可設計深入部分基材板1 〇 2，如圖 三E所示。 對本發明之實施例而言，不僅電鍍銲錫 (electroplating solder)，且連無電鍍 銲錫（electroless plating solder)亦可以應用之。參 閱圖四A，一基材板1 0 8，可以導電或非導電材質所構成， 但仍以具縮錫特性以利進行銲錫為較佳，如前述之鋁、鉻 及樹脂等。一薄催化層1 〇 9’係如鈀（Pd)形成於該基材 板10 8之表面上，作為一無電鍍銲錫形成的催化者。而在 催化層1 0 9上形成一包含若干開口 π 1之縮錫層1 1 〇，所述 縮錫層1 1 〇係可為導電或非導電材所組成，係如鋁、鉻、 樹脂或導電粒子填充之樹脂等。最後，無電鍍銲錫則可形 成於各該開口 1 1 1中，而形成完整之轉移板Π 2。

第10頁 1272885 案號91107396_年月 日—_ 五、發明說明（8) 另一較佳實施者，該催化層1 0 9亦可在縮錫層n 〇形成 後才形成，但其只有形成於各該開口 111底邊上，如圖四β 所示。在此實施方式中，為達簡化製程之目的，該縮錫材 料，係如1&丨7〇?8卜40 0 0型，可直接選作為縮錫層11〇， 在此較簡易製程中’無電鍍銲錫可最後形成於各該開口 111 中。 以電鍍或無電鍍形成銲錫凸塊於轉移板上之後，該轉 移板係可安置於一有機電路板3 0 0上，如圖五Α所示。圖中 轉移板2 0 0係如前述以電鍵或無電鍍方式形成有銲錫凸塊 113。而在該有機電路板30 0表面上已形成有若干銲墊31〇 以及由有機絕緣層區隔之佈線電路層。所述之有機絕緣層 係由有機材料、纖維強化有機材料（f彳, 」曰 η κ I I oer-reinforced 〇rganiC material)或顆粒強化有機材料（paeticie — reinforced organic material)等，係如環氧樹脂聚 乙胺、雙順丁稀一酸驢亞胺/三氮阱樹脂、氰酯、 polybenzocyclobutane或玻璃纖維之複合材料等。而一防 焊膜 32 0 ( solder mask 1 aver)、、女接 * 分士 α 工 此積在该有機電路板3〇〇 表面’以保護電路佈局及提供絕緣作用。 接著，將該轉移板2 0 0之銲錫凸塊113及該有機電路板 3 0 0之銲墊310作接合。在迴焊（ren〇w)過程之後（亦即 以適當溫度環境使銲錫凸塊113熔化），便將轉移板2〇〇移 除之，如圖五B所*。如此，因所述鲜錫凸塊i i 3與該轉移 板2 0 0之縮錫表面接觸著，造成銲錫凸塊i丨3可被拉至該 機電路板3 0 0，而造成一新的預銲錫凸塊（Η” bump) 3 13保留在銲墊310上。 1272885 ----11107396 玍月日 五、發明說明（9) ' ^ ^—— 而另一較佳實施者，該轉移板2 0 0置於所述有機 板300^方，但卻未與銲墊310接觸到。而在迴焊步驟之 後，銲錫凸塊i丨3熔化，並形成一球狀銲錫i丨8。然因 狀曲面之球狀銲錫Π 8與轉移板2 〇 〇之縮錫表面只維持著^ 弱鍵結強度，造成所述球狀銲錫n 8便自然地座落在有^ 電路板3 0 0的銲墊3 1 0上，如圖五c所示。最後亦可形成如 同圖五β之結果，新的預銲錫凸塊3丨3便形成在有機命 3 0 0之銲墊3 1 0上。 ^ 本發明之再一實施例，所述之銲錫凸塊1 〇 6、i丨3係為 下列金屬任選混合之合金：鉛（pd)、錫（Sn)、銀 ' (Ag)、銅（Cn)、鉍（Bi)、銻（Sb)、辞（Zn)、、鎳 (Ni)、鋁（A1)、鎂（Mg)、銦（ln)、鎵（Ga)、蹄 (Te)專。另在迴焊步驟後’亦可藉一清潔步驟，例如超 音波清潔 (ultrasonic cleaning)，以移除助焊劑 (f 1 ux)殘渣。 以本發明而言，所述之防焊膜3 2 0並未限制必需覆蓋 住銲墊之部分表面。如圖六所示，防焊膜3 2 1沈積在有機 電路板3 0 0之表面上，但並未覆蓋住銲墊3 1 0之任何部分。 如此，預銲錫凸塊31 3亦可以前述實施方法形成於該鮮墊 3 1 0上。 本發明之再一實施例，所述之銲墊3 1 0係非限定於任 何形狀與尺寸。如圖七所示，其僅顯示有機電路板3 〇 〇的 最上三層電路層301、302、303。圖中，有機電路板3〇〇之 表面沈積一防焊膜3 2 0，並使之圖案化以暴露出該銲墊 3 1 0。而垂直方向之電路線3 0 5係通常以所謂的疊層通孔

第12頁 1272885 皇號 91107396 五、發明說明（10) (stacked via)技術完成。而預銲錫凸塊31 3亦可以前述 所提方式形成於銲墊3 1 0上。 所述之預銲錫凸塊3 1 3可以應用於覆晶（f丨丨p ch丨p) 封裝技術上。如圖八A所示，一佈設有電極銲墊4丨〇之丨^ 片4 0 0與該有機電路板3 〇 〇耦合。接著，在一迴焊溫度 下，覆晶銲錫接3 4 0在銲墊3 1 0與電極銲墊4 1 〇之間形^， 如圖八所示。 本發明之再一實施例，所述之預銲錫凸塊3丨3亦可以 應用於覆晶封裴技術上，以IC晶片上之金屬凸塊加以銲 接。如圖九A所示，一丨c晶片5 〇 〇利用在各個電極銲墊5丄〇 上所附之金屬凸塊5 2 〇與有機電路板3 〇 〇黏著。在一迴焊溫 度下，一覆晶銲錫接35〇可形成於銲墊31〇與電極銲墊5iP 之間，如圖九B所示。而所述金屬凸塊52〇可以金屬、金屬 合金或多層疊層數種金屬所組成，係如銲錫凸塊、金凸 塊銅凸塊或覆蓋著錫帽（solder cap)之銅柱等，告铁 該金屬凸塊5 2 0可以县杠打求仙於， 田…、 π ^ Λ ^ 疋任何形狀，係如釘柱狀凸塊、球形 凸塊柱狀凸塊或其他形狀等。 护成ΐ f : Ϊ , 一實施例’所述預銲錫凸塊313可應用於 = 板鲜接之搞合。％圖十A所示，一電 有銲墊61〇，及！ Tm变電路板’…上並設 路板600之表面。^ ^ 6 5 0设有電極銲墊660鍵結於與電 以及其他金屬凸塊—6^塊62°形成在各該銲塾上， 述電路板6〇〇再盘有機於各該電極銲墊660上。接著所 下，形成—位於m路板灣輕合。在-迴焊溫度 ____电極〜塾6 6 0與銲墊310間之銲接3 6 0,及 第13頁 1272885 MM^nrn^ '發明說明（11)

S ，於一墊31 〇與銲墊61〇間之鵪合銲接川（b〇ard older joint) ，^ 固丄 - ,7Π^ . η , ^ 如圖十Β所不。而所述之金屬凸塊6 2 0、 ^ ^ 屬、金屬合金或疊層數種金屬所組成，係 狀 等 法 ( 口、干、^ 金凸塊、銅凸塊或覆蓋著錫帽（solder c a p /之銅柱虽然該金屬凸塊β 2 0、β 7 0可以是任何形 係如釘柱狀凸&、球形凸塊、桎狀凸塊或其他形狀 Ϊ 5 f $經轉移板技術形成電路板上預銲锡凸塊之製 ，至少具有下列優點： 1) ί t =在有機電路板上形成銲錫凸塊之製程，不會 t ϋ電路板上之有機保護層，並可提供銲錫凸塊高 度之一致性。 (2) 本發明提供以棘銘也姑 ^ ^ 1上轉私板技術形成電路板上預銲錫凸塊 之方法，可減少電路板傷害。 (3) 本發明以轉移板技術形 = ^ ^ ^ ^ ^ 成鲜锡凸塊之後，再與電路 高之覆晶元件。有仏良之對準效果’完成良率 製程率高=良率，，效改善習知之 成本亦非常低&，量產性高，^發明之整體製程容易、 功效上均深富實施之進步性：顯不出本發明之目的及 曰兪市而μ私土曰 . 極具產業之利用價值，且為 目刖市面上所未見之新發明。 法中所規定之發明專利要件 ，本發明誠已符合專利 塞杳卷g奎不索、 ， 戋依法提出申請’謹請 貴 審笪妥貝惠予審視，並賜准專利為* __^ Θ於有機電路板上形成預銲

第14胃 當然’以上所述僅為本發明二禱 1272885

第15頁 1272885 _案號 91107396_年月日_^_ 圖式簡單說明 圖式之簡單說明： 圖一 A至一 B係習知應用金屬凸塊及預銲錫凸塊之結構 示意圖。 圖二A至二B係另一習知應用銲錫凸塊之結構示意圖。 圖三A至三B係本發明實施例於轉移板上形成電鍍銲錫 凸塊之製法示意圖。 圖三C係本發明實施例於轉移板上形成電鍍銲錫凸塊 之製法之另一實施例示意圖。 圖三D係本發明實施例於轉移板上形成電鍍銲錫凸塊 之製法之再一實施例示意圖。 圖三E係本發明實施例於轉移板上形成電鍍銲錫凸塊 之製法之再一實施例示意圖。 圖四A至四B係本發明另一實施例於轉移板上形成無電 鍍銲錫凸塊之方法示意圖。 圖五A至五B係本發明實施例於經轉移板技術形成電路 板上預銲錫凸塊之製法示意圖。 圖五C係本發明實施例於經轉移板技術形成電路板上 球狀銲錫之製法示意圖。 圖六係本發明另一實施例於銲錫膜沈積在有機電路板 之表面上，並未覆蓋住銲墊之方法示意圖。 圖七係本發明另一實施例於疊層通孔技術形成電路線 之銲墊之方法示意圖。 圖八A至八B係本發明另一實施例於覆晶元件上進行電 鍍銲錫之方法示意圖。

第16頁 1272885 _案號 91107396_年月日__ 圖式簡單說明 圖九A至九B係本發明另一實施例於覆晶元件上進行電 鍍銲錫，以I C晶片上之金屬凸塊加以銲接之方法示意圖。 圖十A至十B係本發明另一實施例於覆晶元件上進行電 鍍銲錫，形成覆晶銲接與電路板銲接之耦合之示意圖。 圖號說明： 1， 2-覆晶元件 1 1 -金屬凸塊 12，2 2-電極銲墊 13， 23—晶片 1 4 -預銲錫凸塊 1 5，2 6-銲墊 16，24 -電路板 1 7，2 5 -銲錫接 1 8，2 7 -底膠 2卜銲錫凸塊 1 0 0，1 1 2，2 0 0 -轉移板 1 0 2，1 0 8，2 1 0 -基材板 10 3-導電層 , 1 0 4 -縮錫絕緣層 1 0 5 -開口 1 0 6 -銲錫凸塊 10 7-導電層 1 0 9 -催化層

第17頁 1272885 _案號91107396_年月日 修正 圖式簡單說明 1 1 0，2 1 2 -縮錫層 111-開口 1 1 2 -轉移板 1 1 3 -銲錫凸塊 1 1 8 -球狀銲錫 3 0 0 _有機電路板 301，302, 303-電路層 3 0 5 -電路線 3 1 0，6 1 0 -銲墊 3 1 3 -預銲錫凸塊 3 2 0，3 2 1 -防焊膜 3 4 0 -覆晶銲錫接 3 5 0 -覆晶銲錫接 3 6 0，3 7 0 -銲接 4 0 0，5 0 0，6 5 0 — I C晶片 4 1 0，5 1 0，6 6 0 -電極銲墊 5 2 0，6 2 0，6 7 0 -金屬凸塊 6 0 0 -電路板

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Claims (1)

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1 · 一種經轉移板技術形成電路板上預銲 步驟包括： 凡心表法，其 (a) 提供一有機電路板，該有機電路板之至少— 形成有電路佈局，並包含至少一銲墊； 、面上 (b) 提供一轉移板（translate plate)，其至少一 面部分具電導性之縮錫特性（dewetting);" (c )在該轉移板之表面部分形成電鍍銲錫 (electroplating solder)； (d )施以一迴焊步驟（r e f丄〇w)熔解該銲錫，以該夕 板之銲錫對準於該電路板之銲墊，使得該銲锡Λ係$ 移並黏著至該銲墊成為一新的預銲錫凸塊 (presolder bump)。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之經轉移板技術形成電路板 上預銲錫凸塊之製法，其中所述之銲錫材料可為任選 列金屬所組成之合金：錯、錫、銀、銅、级、銻、= 鎳、鋁、猛、銦、碲與鎵等。 3 · —種經轉移板技術形成電路板上預銲錫凸塊之製法，盆 步驟包括： 、’ ’ (a)提供一有機電路板，該有機電路板之至少一表面上 形成有電路佈局，並包含至少一輝塾； (b )提供一轉移板，其至少一表面部分具縮錫特性， (c )在該轉移板之表面部分形成無電鍍銲錫 (electroless plating solder)； (d)施以一迴焊步驟熔解該銲錫，以該轉移板之銲錫對

1272885 _案號 91107396_年月日__ 六、申請專利範圍 準於該電路板之銲墊，使得該銲錫係轉移並黏著至 該銲墊成為一新的預銲錫凸塊。 4 .如申請專利範圍弟3項所述之經轉移板技術形成電路板 上預銲錫凸塊之製法，其中所述之銲錫材料可為任選下 列金屬所組成之合金：錯、錫、銀、銅、银、録、辞、 鎳、鋁、錳、銦、碲與鎵等。

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