TWI271125B - Hybrid integrated circuit device and method for manufacture thereof - Google Patents

Description

1271125 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為關於混合積體電路裝置及其製造方法，特別 係關於由一枚大張金屬基板製造多個電路基板的混合積體 電路裝置及其製造方法。 【先前技術】 以下參照第11圖說明習用之混合積體電路裝置的構 成。第11圖（A)表示混合積體電路裝置6之斜視圖，第11 圖（B)係表示沿第11圖（A)X-X’線的剖視圖。 參照第11圖（A)及（B)，習用混合積體電路裝置6具如 下構成。即由矩形之基板60，形成在設於基板60表面之 絕緣層61上的導電圖案62，固定在導電圖案62上之電路 元件63，將電路元件63與導電圖案62做成電氣連接之金 屬細線65，以及與導電圖案62為電氣連接之引線64構成 混合積體電路裝置6。然後將形成在電路基板6 0表面之混 合積體電路用絕緣性樹脂或殼體材料等予以封裝而完成混 合積體電路裝置6之製品。 其次參照第12圖至第14圖說明混合積體電路裝置6 的製造方法。 參照第12圖，說明將大張金屬基板66A分割為細長 形狀的工序。圖中，第12圖（A)表示大張金屬基板66A的 俯視圖。第12圖（B)表示大張金屬基板66A的剖視圖。 參照第12圖（A)，說明將大張金屬基板66A分割為細 長形狀的方法。於此，係將大張金屬基板6 6 A依切割線 5 316202 I271125 又：:]為細長形狀。其分割係由具有剪斷力之前切而忐 二個或二=1="性’係將金屬基板分割為 之金屬基板係分割為^不、^於此，该分割為細長形狀 為長度不同之兩個金屬基板66B。 板^弟U圖（B)說明金屬基板66A之構成。於此 A係由紹金屬形成基板，而於兩面經 ： ;广•里。且於形成混合積體電路之—面為= 二屬基板66A與導電圖案間的絕緣而設有絕緣声':成 在絕緣層61上壓接有形成導兩 "。;、、' 後 ^攻冷电圖案62之銅箔68。 成、曰13圖說明於細長分割之金屬基板66B表面y 二:“積體電路67的步驟。圖表面： 有多個混合積體電路67之細長 （)係表不形成 第13圖〇8)俜#干筮1Q 、，蜀基板66B的俯視圖。 、口（）係表不弟〗3圖（A)之剖視圖。 •首先對壓接在絕緣層61上之銅箔68進;r為方丨、 =導電圖案62。於此，為於細長金屬基板6 : :1 :场 :積體電路狀，刻形成導電圖案62 =:混 案62有於導雷同安 马保。又電圖 ¥电圖案62上進行外塗樹脂的狀態。 其次，用焊錫等的生材在導 接電路元“。電路元件63可全般性 於; 之放熱部（hea“mk，散熱座）0 參照第Η圖，說明將形成 金屬基板66Β之分判夂個二'夕们一體電路67之 之刀。J各個电路基板6〇的方法。 316202 6 ^71125 成有混合積體電路67之各電 將電路基板60部分打土板60使用沖廢機（press) 沖壓機係由形成有自金屬基板柳分割。此時， 乂欣有此合知體電路 _予以打穿。因此於電路基板6。之二面，將金屬基板 .電圖案62及電路元件63 之心“形成未設置導 .、經由上述步驟分離為各個電路:lgln)。 合積體電路67封裝 土板60後再經由將混 【發明内容】 ^寺而元成為製品。 (¾明所欲解決的課題） A、、而 如上述混合積體雷炊壯m 所述之問題。 、 衣置及其製造方法有以下 八严：於對金屬基板06Β使用油壓機以使☆跋其4 孟蜀基板66B分離，因此，自 ⑨路土板60從 2職以内的部分將成為邊緣部Γ由，r之周端部至少 邊部將成為無用空間，無論如何提路基板60之周 積度、，亦仍構成裝置全體變大的問題體電路67之集 :相同於上述理由，致使散熱部之電路 置於电路基板周邊部。由而成為設計 件〜法配 制，以致無法提高混合積體電路密度。圖木62時之限 由於基板側面部為垂直狀 樹脂密封時有基板與密封樹脂間之:著；：’將該基板以 由於使用沖壓機實行「沖穿處理」者將力f問題。 電路基板表i二t二6;中！」時的街擊’有於形成在 衣面之、纟巴緣層61發生裂痕問題。 3】6202 7 1271125 ^其是在電路基板6G表面形成多層配線時，絕緣層係 =彖=悤數變厚。因而，如形成多層配線，則其發生 巴、、彖層61之裂痕問題更顯著。 芦61又充因埴於金屬基板66B表面形成絕緣層61，而且於絕緣 ，、减鋁而非常硬。因此使用為「沖 遂機切刃，々、收、Ϊ7、古Λ』口 〜土」心/f ',Λέφ 將迅速磨扣。而且為更換沖壓機切刃亦兩要 无、、、東工的操作，又因更換切刃 而 率降低的問題。使用於沖壓之切刀二，主必:發生生產 刃的毒侖非刀刀非吊〒貝。再則由於切 非❻暫而有招致裝置全體成本提高之虞。 /中I機之「沖穿處理」將t a 66B分離時，全眉 极ου自金屬基板 構成金屬基板: = = =邊料成材㈣失。由而 扳66Β材科之廢棄損失增大的問題。 本發明有鑑於上述的鬥0百丄々 基板表面有效面積之、旧入:、’本％明乃以提供一種增大 主要目的，係提供_種由 目的。本發明之 多個電路基板之混〜 張以基板，以切割製造 _ (解決課題的手段一，置的製造方法。 本發明之混合積體電路 前述電路基板表面的導電圖安'備.電路基板， ·設在 圖案之電路元件，·前述電：：’以及電氣連接於前述導電 表面周邊部向斜下方延 ^側面係由自前述電路基板 基板後面向斜上方延伸/ *傾斜。卩，以及由前述電路 第2傾斜部為其特徵。开/成之較則述第】傾斜部為大之 本發明之混合積體電路 衣^万法，係以具備··準 316202 1271125 備表面經絕緣處理之 ^ ^ 電圖宰之切· * 敗白，方；則述基板表面形成導 一十、： ，於前述基板表面形成格子狀之第"冓並於 刖述基板的背面形士 >、， 矛i屏亚於 十本· 形成較珂述第1溝為大之格子肤之裳7、、盖 在’對料導電圖案電氣連接電路元件之步|f，以及 -前述第1溝及前述第2溝的位置將 :離的步驟為其特徵。 、，处土板予以分 (發明之效果） 把依本形<%之混合積體電路裝置，係形成較„在 =之第1傾斜部為大的第2傾斜部。== 斜部將比第2傾斜邱盔丨 俠。之，弟1傾

Λ , ^ …邛為小。因而，由於將第1傾钭1# A 本=:能形成導電圖案之電路基板 第"冓及=合;:電:裝置的製造方法為，首先形成. 電路裝置。其後::各電路::::板 能容易進行。且由於心 口此，使分離步驟 埃，由而，能防止由'^ 分離時發生之導電性塵 【mu 由仏料電路之短路。 體電路施形態） …、、、第1圖說明使用絕緣性樹脂封穿曰 衣置的構成。第J圖（A) "此3積體電路 圖(鴨示電路基板10之斜視；。_x、，表之剖視圖。第1 的構Z，參照第1圖㈧及(物混合積一 ^ 3ί6202 9 1271125 層11本之^^刪W 1 w w面設有絕緣 組裝在導二基安板:·設在絕緣層11上之導電圖㈣，及 侧面形成由=二上之電路元件13°並於電路基板10之 .傾斜部幻，及由反，Γ邊部向斜下方延伸之第1 1傾斜部s Μ方向斜上方延伸之較第 > 為大之弟2傾斜部S3。 1〇表用面緣㈣脂16係具有··將設在電路基板 用。絕緣樹月匕16兀=3而成之混合積體電路予以封裝的功 封m 了 ^種類’可採用射出成型（in— m0uld) 熱或:下注塑型 基板10表：之電絕Γ生樹脂16係將形成在電路 此時，電路美二η復瓜 電路基板側面部予以覆蓋。· 之1的背面係由絕緣性樹脂露出，可將内建· 兀件13所產生之熱量積極向外散出。亦可將包含Ϊ 正肢的耐撫性。此時係將電路基板10以樹脂宓 才木用殼體材等之其他密封形態亦可。 - < 參照第1 _) ’電路基板1Q侧面係由電路基板 部^周邊部产向夕卜侧擴大狀形成有向斜下方延伸之第丄傾斜 例萨二：弟2傾斜部S3由電路基板1〇背面周邊部向外 擴大狀向斜上方延伸。第i傾斜部S1#f =由對電路基板1。之面方向垂直延伸之垂直部:： 本發明之要點在於第1傾斜部W形成較第2傾斜部 316202 10 1271125 平方向传以部S1與第2傾斜部S3對水 伸距離延伸。因此，該傾斜部越小橫方向的延 大，可:Γ二第2傾斜部S3之形成較第1傾斜部S1 小第 斜部S1盡量形成為較小值，由此，可減 ' 頃斜部S1向橫方向的延伸距離。由而可全旦 :電路基板16表面的有效面積，增大可能开里增大 12之面積。 曰大了此形成之導電圖案 成。混合積具有以下的構 及組裝在導電圖層j 2=絕緣層11上之導電圖案12, 成混合積“路;:番之預定位置之電路元件13等以構 以Η細說明上述之構成元件。 电土板1 0之材料係採用鋁、銅、 入 用該等之合金為電路基板1G的材料。於此°亦可採. 成的電路基板10’其兩面可經氧化紹處理。形 之具體的製造方法，將於說明混合積體路基板 方法的實施形態中說明。 、电衣置之製造讀 絕緣層1H系形成於電路基板1〇表面 圖案12與電路基板予以絕緣之功能。亦可為將導電 13所產生之熱積極地傳達於電 而ι路兀件 氧化紹。 & 1Q㈣絕緣層填積 導電圖案12係設於絕緣層η表面 於此，將導電圖案12形成於電路基板：銅：-屬形成。 體言之，導電圖案12係形成於離電、=全面。具 攸1υ之周端2mm 316202 1] 1271125 叔0周糕"卩附近。如上述，能形成導電圖案12至★路λ 板1〇之r λ山加I、匕. ^木以主包路基 10的方法。的理☆ ’係在於分割電路基板 本發明，係將金屬：二= 個別沾+ 板予以切断而將大張金屬基板分割為 :在=。如依習_ 明，周邊附近_部〜 全部領域此，可於 周端部至最外侧之具體s之’可將電路基板1〇 ^ -卜仞之泠电圖案距離縮短到0.5mm程度。 上之: = 以焊錫等焊接材料組裝在導“案12 件或千' 电 件13可全盤採用受動元件、能動元 固等。於組裝功率系元件時，則將元件組裝在、 、V电圖案上的散熱部。如本發明，可將帝' 配設於電路基板1〇之任音 、电路兀件13- 周端邻、/f女 ^位置亦即，在電路基板10之 電晶二!Γ電路元件13。於此之能動元件可採用 (响灿二極體等。受動元件可採用晶片電阻^ P eSlstG1)及晶片電容器等。 電極部之電感器、埶變阻哭rth 、、知用兩端設有 亦可將樹脂封裝型；器等。 定在導電圖案12上。'才声㈣寺虽做電路元件固 後，於1上組裝在導電圖案12上之預定位置。夕火 鱼、首衣功率系的半導體元件，而將功率…姓 電圖案i2以金屬細線…故成電 二 月文熱部13A配置在電ait 1Λ ^ 万、此，可將 罝在-路基板Η)上之任意位置。具體言之， Π6202 12 1271125 散熱部UA可配置於離電路基板1〇之周端2匪以内 端部附近。如上所述可將散熱部13A配置至距離電路 1〇周端部附近之表面的理由，在分割電路基板1〇的方；。 分Μ路基板1Q的方法將容後詳述。依本發日 金屬基板切斷以將大張的金屬基板分割為各個電路= 10。如依習用例係由以沖 土 基板1〇之周端部附近必”ϋ路基板，因此於電路 元件之散熱部13Α二7:?而且，組裝功率系 @ , .Μ ^ ^ 路70件13中，具有最高的高度。 Q此，無法配置在電路基板1〇周邊 门又 省除上述邊緣散熱部13Α可：二而本金明’則可 —4iL W 〇 ^ ^F> —置在电路基板10表面之任 位置對其他電路元件13亦然。 引線14係固接在由導 、 上，具有與外部間的幹入 山木斤形成之連接墊（pad) 不做電氣連接的部分^用=魏。其對於導電圖案η 、… 了用樹脂等予以獲益。 所述混合積體電路裝置 述效果。 的構成，可達成以下所 由於能將導電圖案12形成至 近，若形成與習用例同 电路基板10之端部附 裝置之整體大小。 电路蛉，可減小混合積體電路 由於能將電路元件 ^此，可提高料路設計的m電路基板1(3端部附近， 度，因此，形成盥習用h 又。又由於能提高圖案密 電路裝置之整體大小。樣的電路時’可減小混合積體 由於電路基板10 + ^、 "、斜部與絕緣性樹脂16之間發生 316202 13 1271125 為電氣連接。電路元件13則 於此，#表干右妾在上層第2導電圖案 係表不有兩層配線構 以上的配線構造。 然而亦可形成3層 由於形成多層配線，絕緣層丨丨亦 隨導雷^成為多層。因而， '現W圖案12之層數增加，絕 形成-層導電圖案12時，絕緣層，體… 於形成第！導電圖案以及第2導電圖^為6 士0而

、、巴、、彖層11Α及第2絕緣層12B U 述，於#而浓氺士子戾為UO/zm。如上 '表面形成有較厚之絕緣層〗} 用之沖壓法將；# lilt# ^ E 电路基板之分離依習 R法將有困難。其原因在於沖[時 車乂厚的絕緣層11發生開裂之故。 谷 置的至㈣說明第1實施形態之混合積體電路裳 第1步驟：參照第3圖 本步驟係對大張金屬基板10Α 屬基板1犯者。 仃刀d以形成中張金 參照第3圖⑷’準備大張金屬基板ι〇Α。而 _ 土板10A為約】公尺四方的正方形 二 :在= 爾化紹處理的㈣板。然後 ㈣核㈣。再於絕緣層表面形錢為導 多=而於形成多層的導f圖案時，則—層貼接 其次’參照第3圖⑻，沿切割線m以切割鋸㈣ 316202 ]5 1271125 saw)3!將金屬基板1〇A予以 板10Λ重疊。切_ # ° 化，係將多個金屬基 里且切告丨J鋸幻係以高速旋轉，、、, 土 屬基板10A進行分判去± /口刀。'!、，泉D1對金 狀之大張全屬I:: 時之分割方法係對具有-方形 浪孟屬基板A，沿其切割線 ^ 之中張之金屬基板B，該中…刀副為細長 為短邊的二倍者。 " 土板10B之形狀係長邊 第3圖（C)係說明切割鑛3 之切割㈣刀刃3^近的擴大圖刀。刀:二？ 坦’而有鑲設之鑽石片。將且有^、刀刃31A^端部平 旋轉即可沿切割線D1將全屬美板二刀刀的切割鑛，高速 肝孟屬基板10A予以分割。 蝕岁丨二’對依上述步驟製造之中張的金屬基板10B實施 蝕刻去除部分銅箔而形成導# 极明貝細 將依全屬美杯m 案。形成導電圖案之個數 可开混合積體電路的大小而異，一般 乂成數十至數百個之混合積體 屬基板10B。 （¥电圖案於一枚金 =基板1QA之分㈣用㈣法亦可。具體言之 形成含有多個(例如2到8個程度)電路基板大 J之金屬基板10B亦可。 第2步驟··參照第4圖及第5圖 此步驟係對中板金屬基板應表面及背面以格子狀形 此弟1 4 20A及第2溝20B的步驟。第4圖⑷表示經過 則步驟分割之中板的金屬基板刚的平面圖，第4圖⑻ 丁，用V切#這35對金屬基板B形成溝之狀態的斜視 圖’第4圖（C)表示刀刃35A的擴大圖。 316202 16 1271125 参照第4圖⑷及（B)，將V切割鑛35以高速旋轉 :對二在二屬基板1〇B的表面形成第1溝2°A。然後， 2〇Β ΓΛ f Μ ^置之金屬基板1〇B背面形成第2溝 絕緣/ 2為格子狀。而切割線D2為對應於形成在 [η上之個個構成電路的導電圖案（單位）的境。 対ΓΓ4圖（c)t^v切龜35的形狀。^割们5 开，^如上圖所不形狀之刀们5八。於此，刀刀35A的 斷面2應於設在金屬基板1〇A之溝形狀。即以具有乂型 λ /形成在金屬基板的兩面。因此，刀刃35A的形狀 亦為V型。而於刀刀35Α上即埋設有鑽石。 其次，參照第5圖（Α)及⑻說明形成溝部2〇之金屬基 ^狀第5圖（Α)表示以ν切割鋸35形成溝部20 · 基板1〇Β斜視圖，第5圖(聯金一 ^ 、二…、第5圖（Α) ’在金屬基板10Β表面及背面形成格 狀第1溝20Α及第2溝20Β。於此，將第i溝20Α及第籲 之平面位置將正確對應。依本實施形態，係使用 「有V型形狀刀刀35A之v切割们5形成溝部，因此， 溝部2〇形成為ν型斷面。再且，溝部^之中心線係對應 :瓜成在、名緣層1!上，構成各個電路之導電圖案^ 2 (單位） i兄界線。於此，係在形成樹脂層u之面，形成第i溝2〇a， 而在其反面形成第2溝20B。 ί…、、第5圖（B) §兒明溝部2〇之形狀等。於此，將溝部 20形成為略V型斷面。第i溝2〇a及第2溝2〇B之深度 17 316202 1271125 係較金屬基板1QB之—半厚度為淺 金屬基板10B分割為個別的電 ，由此步驟未將 1。仍由對應於溝部2〇之部分之全:板〇。各個電路基板 ^結。因此，在分割成個別電路基其餘厚度部 '基板1⑽以—張板片狀⑼里。二:+仍可將金屬 :時，則可進行高壓洗淨，以除去 ^中如產生鑛碎 溝咖形成為較第"籌嵐大。。此時，將第2 於此，步驟可將第i及第2溝 度得自由調節。具體言之，係使第^:B之寬度及深 1較小，即可增大形成之導電圖宰 之開口角“ 1溝⑽之深度較淺亦可達成相同效果有^積。若將第 之開口角度Μ大，可促進後續步 ^又使第2溝咖 2,20B^ 弟3步驟1照第6圖及第了目 人 此步驟係於導電圖案ί2上 路元件13與導電圖荦 ；电路兀件13,並對電 夂日… 間做電氣連接之步驟。 一、、、 圖"兄明在導電圖案〗2上跋—杜 黏結（bond)步驟。電路 衣叹电路兀件13的 電圖案】2上之預定位置。等材料組裝在導 基板10的周端附近 、¥电圖案形成於電路 其板H)的用 此’電路元件13亦可組裝在電路 I3A與其他電路元 革件的放熱部 此，如使用習用沖塵機之元件。尉 散熱部13“能―基…=::: J8

Sj62〇2 ^71125 •明則使用圓切割刀切割成 ^ ° ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ΓβΓΓ^ ί ^ < 13:Λ在電路基板10的周端部附近。门又的电路兀 之二欠說明對電路元件13與導電圖案12實行”、* '之L線（mrebond)步驟。於此 、仃电虱連接 :之數十至數百個混合積^ ^成在一牧金屬基板咖 繼而，參-第起實行搭接。

人并雕千 、 圖具肢說明形成在金屬基板]〇R 。積體電路。第7圖表 蜀丞扳10B之混 電路17 >立 形成在金屬基板10B之混人__ 电路17之一部分俯視圖，實〜口積體 17。圖中之卢的也 、τ有更夕個屍合積體電路 口T之虛線係表示金貝版电路 10的切割線D3。由圖可， B刀利成個別電路基板 t P, ^ 1〇 , 固知，形成個別混合積F帝啟 >、胃 电圖案12與切割線〇2 檟版电路之導 的表面全面形成有導電圖二近。、由此可知對金屬基板刚 電路元件配置於、、日入亚可明瞭散熱部似等之 一卞㈤直於化合積體電路周邊部。 面之說明係於細長形狀之金屬基板咖夺… 成匕合積體電路。於此，如於每 B表面一起形 上有所限制時，則可在卜 只丁合接或搭線的製造裝置 割為希望尺寸。如於本牛將金屬基板Μ分

/刀割，該金屬基板將成為正方形。 、屬基板10B 第4步驟··參照第8圖及第9圖 此步驟係對金屬基板〗〇β之 以獲得個別之電路基板10的步驟。第置進行分割 板1 0B予以総％ ®备' 表不將金屬基 室Q予以弓折而分割為電路基板10的叫㈣ 弟9圖㈧表示使用圓切割山見圖。又，於 打孟屬基板】0B分割為個 316202 19 上271125 別黾路基板1 〇狀能之斜 ^ 視圖。雖未圖-二^圖。弟9圖（Β)為第9圖（Α)的剖 未圖不’但在第9圖（八） 多個混合積體電路。 Ώ(Α)之㈣層11上，形成有 參知、第8圖，說明將全屬 個別由電路基才反1〇的方去21〇Β予以彎折而分割為 溝•及第U20B的部份= =、，储形成有第1 ^ ^ ψ ^ η Ί ^ 弓折以將金屬基板1 ΟΒ 部2〇之=^連4 Α及第2溝20Β的部位係由未成溝 將各電路基板!。分割。，析0±將；處予以言折即可容易的 表面的带跋，為不損壞形成在金屬基板 ' ^ σ將金屬基板1OB向後彎折。 ν其次，麥照第9圖說明以圓切割刀41將金屬其板 ;; = Γ。如第9圖⑷，以圓切割刀41沿：割線仍 將金屬基板10Β壓切。Α μ_ ^ Α 承U3 別的+由此，可將金屬基板10B分割成個 之^基板1〇。圓切割刀41對金屬基板漏之溝部2〇 部分係以溝部2〇之中心線為準，實行墨切者。 且有2弟9圖⑻，詳細說明圓切割刀41。圓切割刀41 ::Υ反形狀’其周端部形成銳角。圓切割刀41之中心呷 ^圓切割刀41能自由轉動狀固定於支持部42。前述^ 告,J鑛係由驅動力以高速旋轉切斷金屬基板·。於此，因 :=41不具驅動力。惟將圓切割刀“之一部 方;金屬基板，沿切割線移動，使圓切割刀Μ轉動者。 ^照第9圖（B)，於本發明可將具有散熱部Μ高度的 电路兀件1 j g己置在電路基板i 〇周邊部位置。目此，可如 圖不將散熱部13A之位置，接近於電路基板iq周邊部。 336202 20 !271125 =在增態下，支持部42亦不致於接觸散熱部13A。 二將散熱部UA等具有較高的元件，配置在電路基 板10的周邊部。 屯峪丞 10 :!上述方法之外，亦可使用雷射分割各電路基板 ===設有第U#20A的部分，照射雷射如第9 及第"路基板10表面形成具有第1導電圖案12A f 2B之多層配線。由於形成多層導電® :、、、邑、.彖層U變厚。因而’細切機打穿，以分 二,10則較固難。故於本實施形態，係使用： ::41，將基板予以分離。因此，能不損傷絕緣層= 各電路基板10加以分離。 s 11舲 第5步驟：參照第10圖 I照第10圖說明以絕緣性樹脂16密封電 的步驟，第10圖传表干用y 土板10 /係表不用杈具50將電路基板10以絕緣性 树月曰16予以密封之步驟剖面圖。 首先，將電路基板10放置在下模具50B。盆欠， 口（g邮3，將絕緣性樹脂注人。其密封方法可採用 先、硬化性樹脂之下注塑造（transfel. _丨 化性樹脂之射出成型。然後對應於由注入口 )53== 性樹脂16量將模穴(，内部的氣體藉由通氣二 vent)54放出外部。 乳口（an 如上述’在電路基板則面部設有傾斜部。因此，田 絕緣性樹脂密封時，絕緣性樹脂16將回流於傾 : 5 此，得在絕緣性樹脂16與傾斜部間，產生以效果°，使= 316202 2] 1271125 緣性樹脂16與電路其妃τ n + &人 耐 濕性。 路基板10之接合得以強化。亦可提高 味切=上述步驟’進行樹脂密封之電路基板1G，再婉引 線切斷步驟，完成為製品。 丹、、、工引 如本貫施形態，可達成以下所示之效果。 由於在金屬基板10B之表面及後面 成=及請咖，因此可容易地沿形成溝 ^路基板H)。分割成電路基板i。的方法 二 折法及使用圓切割刀41的方法， 心使用、·弓 割。 的方法3亥任一方均可容易達成分 由於使用高速旋轉的切割錫 r:r用之使用剪切分割方法時，其== = 於製造步驟之途巾階段，可防止由料構成併 a積體電路之短路等不良產品。 …/刀ϋΐ]鑛3 1發生磨損時，其更換切割鑛3 1之作業， 付月b較迅速地進行。故盥習 八 可提高作業效率。“用樹之更換刀刀比較，則 尹可於一枚金屬基板10β，組裝數十個至數百個併合 積體'路。因而爾刻步驟、搭接步驟、線接步驟等一 起貫仃。由此，亦可提高其生產性。 方、將至屬基板10Β分割為各個電路基板的步驟，將 吏用不…驅動力之圓切割刀4 i按壓於金屬基板移動 使之旋轉以將金屬基板刚予以分割。由圓切割刀41切 除溝部20之剩餘厚度及絕緣層^，因此，不會發生切削 3]6202 22 1271125 J〇：：^ p 、、、刀。刀41按壓在對應溝部20而予以八 屬基板10B，因此，可防歹 刀口|J至 基板的耐壓性。且」树曰層11發生裂痕而降低電路 &性且可確保電路基板10之平垣性。 而於圓切割刀41磨損時，圓切割刀 能在短時間完成作孝。 ^ 之更換間早亦 ^ 杲由而，可提鬲其生產性。 “：依本奄明’使用切割鋸31及圓切割刀41予以 所」孟屬基板成為各個電路基板。但如使用 刀 機切割電路基板時[ 自用例之沖壓 使用不同大小之刀刀= 製造之電路基板大小而 (刀刃本發明則於製造且右灭n丄， 合積體電路裝置時，亦U ^ /、 同大小的混 衣置守亦只變更切割線即可對應。 依本發明係對一枚金屬 混合積雕-攸 /蜀基板咖以矩陣方式組裝多個 八严I a % 且因各混合積體電路極接近，因此，將於 :屬基板_之略全面形成電路基板H)。由此，可減：： 料的廢棄損失。 了減^材 於形成金屬基板10B上第

切害m35刀刃35A^^35B#2QA及弟2溝細之V 一。I J5B，由此，可減少 的磨損。由此，可防止v切宝 又於設有樹脂層u之金屬以=；；刀雜能的迅速下降。 亦可防止在樹脂層丨丨發生裂痕。 了 【圖式簡單說明】 弟1圖為本發明之混合積㈣ 視圖⑻、斜視圖⑹。積月旦电路叙置之斜視圖⑷、剖 弟2圖為本發明之混合積體電路裳置之剖視圖（A)、剖 316202 23 1271125 視圖（B)。 第3圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用俯視圖（A)、斜視圖（B)、擴大圖（C)。 第4圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用俯視圖（A)、斜視圖（B)、擴大圖（C)。 第5圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用斜視圖（A)、剖視圖（B)。 第6圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用剖視圖。 第7圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用俯視圖。 第8圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用剖視圖。 第9圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說明 用斜視圖（A)、剖視圖（B)、剖視圖（C)。 第10圖為本發明之混合積體電路裝置製造方法之說 明用剖視圖。 第11圖為習用之混合積體電路裝置之斜視圖（A)、剖 視圖（B)。 第12圖為習用之混合積體電路裝置之俯視圖（A)、剖 視圖（B)。 第13圖係習用之混合積體電路裝置之俯視圖（A)、剖 視圖（B)。 第14圖係習用之混合積體電路裝置之俯視圖。 24 316202 1271125 【主要元件符號說明】 1 混合積體電路裝置 10 電路基板 11 絕緣層 12 導電圖案 13 電路元件 13A 散熱部 14 引線 15 金屬基板 16 絕緣性樹脂 S1 第1傾斜部 S2 垂直咅1^ S3 第2傾斜部

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Claims (1)

112T Ά:;! 曰修(更)正本I 弟93 128408號專利申請案 申凊專利範圍修正本 (95年4月20曰） :種構成混合積體電路裝置，係具備··電路基板；設在 岫述电路基板之表面的導電圖案，以及對前述導電圖案 為電氣連接之電路元件，而 别述電路基板側面係由從前述電路基板之表面周 f部向斜下方延伸之第1傾斜部，及從前述電路基板之 背面向斜上方延伸之較前述第1傾斜部為 大之第2傾斜 部所構成， 卜 蝻述第1傾斜部之寬度係比前述第2傾斜部之寬 更狹窄。 、、2明專利範圍第1項之混合積體電路裝置，其中，前 =第1傾斜部之外側與前述電路基板之面方向所構成之 X係比$述第2傾斜部之外側與前述電路基板之面方 向所構成的角度為小者。 =請專利範圍第i項之混合積體電路裝置，其中，前 2第傾斜邛之對前述電路基板的厚度係較前述第i傾 斜部之形成較大者。 2請專利範圍第i項之混合積體電路裝置，其中，前 傾斜部之1度形成係較前述第2傾斜部狹小者。 述I請專利範圍第丨項之混合積體電路裴置，其中，前 2 Φ 4 土板之表面及側面係由封裝用樹脂予以密封者。 月專和範圍第1項之混合積體電路裝置，其中，前 (修正本）316202 1 1271125 …‘ 述導電圖案係形成為多層者。 7·如申請專利範圍第1項之混合積體電路裝置，其中，前 述電路基板係由金屬形成之基板，而且， 於前述電路基板表面形成有絕緣層者。 8 · —種混合積體電路裝置之製造方法，係具備： 準備表面經過絕緣處理之基板的步驟； . 於前述基板表面形成導電圖案的步驟； 於前述基板之表面以格子狀形成第丨溝，且於前述· 基板背面以格子狀形成比前述第！溝為大之第2溝的步φ 對於前述導電圖案形成電氣連接電路元件的步 驟，以及 對形成於前述第！溝及前述第2溝之位置進行將前 述基板予以分割，且在各個前述電路基板之側面，形成 從前述電路基板之表面周邊部向斜下方延伸之第i傾斜

和及攸則述電路基板之背面向斜上方延伸之較前述第 1傾斜部為大之第2傾斜部的步驟； 並且使前述第 寬度更狹窄。 1傾斜部之寬度比前述第2傾斜部之 9.:申二專利範圍第8項之混合積體電路衷置的製造方 :…㈣’對刖述第1溝按壓不具驅動力之圓切割刀並 使之輅動，而進行前述電路基板之分割。 1〇:申：：利乾圍第8項之混合積體電路裝置的製造方 法〜、中’藉由對前述第！溝照射雷射光線以實行前述 (修正本）316202 2 1271125 ‘· 電路基板之分割。 11.如申請專利範圍第8項之混合積體電路裝置的製造方 法，其中，藉由使具有對應於前述第1溝或前述第2溝 斷面之形狀之刀刃的切割鋸高速旋轉，以形成前述第1 溝或前述第2溝。 (修正本）316202