TWI270991B - Organic adhesive light-emitting device with ohmic metal contact - Google Patents
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Description
1270991 五、發明說明(1) 技術領域 本發明係關於一種發光二極體,尤其關於一種具有歐 姆金屬接觸之有機黏結發光元件。 發光二極體之應用頗為廣泛,例如,可應用於光學顯 示裝置.、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝 置、以及醫療裝置。在此技藝中,目前技術人員重要課 題之一為如何提高發光二極體之亮度,另一重要課題為 如何降低發光二極體之製造成本。 先前技術 於中華民國專利公告第544 9 5 8號中〔其申請人與本 案相同〕,揭露一種發光二極體及其製法,其藉由一黏 結層將一發光二極體疊層及一透明基板黏結在一起,其 中該黏結層之上下表面分別存在一第一及第二反應層, 以避免黏結層產生剝離,使得光線能夠甴透明基板射岀 帶出,以提高發光二極體之亮度。但由於該黏結層不導 電,因此該先前技藝方法僅適用於兩電極位於同一側之 發光二極體,無法應用於電極位於發光二極體上下表面 之發光二極體。又由於兩電極需位於同一側,因此製程 中須加上蝕刻之步驟,將部分之發光二極體疊層移除, 不僅浪費材料,同時增加製程之複雜性。 發明内容 本案發明人於思考如何解決前述之缺點時,獲得一
苐.6頁 1270991
五、發明說明(2) 發明靈感,認為若藉由一具有歐姆金屬接觸之有機黏結 發光元件,其中該元件包含一導電基板,該導電基板之 上表面具有第一表面區及一第二表面區;一發光疊層; 一歐坶金屬凸塊形成於該導電基板之第一表面區上;一 反射層形成於該發光疊層之上;一第一反應層形成於該 歐姆金屬凸塊及導電基板之第二表面區上;一第二反應 層形成於該反射層上;以及一有機、黏結材料;其中藉由 該黏結材料黏結該第一反應層及該第二反應層,藉由該 歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第一反應 層穿透該有機黏結#料,與該第二反應層形成歐姆接 觸。如此,即可解決前述之黏接層不導電,無法應用於 垂直結構之發光二極體之問題,同時製造程序中不需要 經過钱刻步驟形成電極,簡化製程,降低製造成本。 黏結 層, 凸塊 電流 而能 結發 面具 姆金 層形 本發 層之 連結 使得 能夠 夠達 依本 光元 有第屬凸 成於 明之主要目的 發光二極體, —發光疊層與 該發光疊層及 導通。由於此 到簡化製程, 發明一較佳實 件,包 一表面 塊形成 該發光 含一導 區及一 於該導 S層之 在於 在其 一導 該導 製法 降低 施例 電基 第二 電基 上; 提供 製程 電基 電基 無前 成本 具有 板, 表面 具有 中, 板; 板形 述先 之目 歐姆 其中 區 , 板之第一 一第一反 歐姆金屬接觸有機 藉使兩一有機黏結 藉使用一歐姆金屬 成歐姆接觸,使得 前技藝之問題,因 的。 金屬接觸之有機黏 該導電基板之上表 一發光疊層;一歐 表面區上;一反射 應層形成於該歐姆
五、發明說明(3) ,屬凸塊及導電基板之第二 成於該反射層上;以及面區上,一第二反應層形 結材科黏結該第一反應層,,結材料,其令藉由該黏 金屬凸塊使得形成於該^趣反應層,藉由該歐姆 部份或全部穿透該有機 =凸,上之第一反應層可 歐姆接觸,另外,藉由該科二與該第二反應層形成 結材料之間之黏結力。Λ 及第二反應層以增加與黏 前述導電基板,係包含選 ρ Si、sic 及Ge 所構成材科组群 l = P、GaAsP、A1GaAs、 代替之材料;t述黏結材二中勺之人至/ -種材料或其它可 (Pi)、苯并m 了/係包含選自於聚醯亞胺 組群令之::二义或,,環丁烧(PFCB)所構成枓料 In、Sn、Ai: ftV、金屬凸塊係包含選自於
AuBe、AuGe、Ni 'pH、,、Ag、Ti、Pb,、CU、
一韓材料.义、/ PeDSn sjauZn所構成材料組群中之至少 種材枓,㈤迹之反射層係包含選自In、〜、ai、aJ r、二、' Ag、、Tl、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、 Γ 、, 11 U^n或氧化銦錫所構成#料組群j之至少一 種材料,·前述之第一反應層係包含選自n及^所構成枯 料組群令之至少一種材料;前述之第二反應層係包含選 自T 1及Cy所構成材料組群中之至少一種材料;前述發光 $層’奋包含選自AiGalnP、GaN、InGaN及AlInGaN所構 成#料組群中之至少一種材料。 實施方式 1270991 五、發明說明(4) 請參閱圖1 A ’依本發明一較佳實施例具有.歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件1,包含一第一電極20、形成於 該第一電極上之一導電基板10,其申該導電基板之上表 面具有第一表面區及一第二表面區、形成於該導電基板 第一表面區上之一歐姆金屬凸塊121、形成於該導電基板 第二表面區及歐姆金屬凸塊上之一第一反應層110、形成 於該第一反應層上之一有機黏結材料122、形成於該有機 黏結材料上之一第二反應層11 1,其中藉由該歐姆金屬凸 塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第一反應層可部份或 全部穿透該有機黏結材料,與該第二反應層形成歐姆接 觸、形成於該第二反應層上之一反射層13、形成於該反 射層上之一透明導電層14、形成於該透明導電層上之一 第一接觸層15、形成於該第一接觸層上之一第一束缚層 16、形成於該第一束缚層上之一發光層17、形成於該發 光層上之一第二束缚層18、形成於該第二束缚層上之一 第二接觸層19、以及形成於該第二接觸層上之一第二電 極2 1。上述之第一及第二反應層功能在以強化與黏結犲 料間之黏結力;上述之歐姆金屬凸塊亦可形成於該反射 層及該第二反應層之間;上述之歐姆金屬凸塊亦可部份 或全部穿透該第一反應層,與第二反應層形成歐姆接 觸;上述之反射層之功能在提高亮度,因此亦可移除, 並不會影響本發明之實施。圖丨β為實施例1之電子顯微鏡 =\片’其中發光疊層101包含前述之第一接觸層15、第一 缚層16、發光層I?、第二束缚層18以及第二接觸層
第9頁 1270991 五、發明說明(5) 請參閱圖2,依本發明一較佳實施例具有歐姆金屬接 觸有機黏結層之發光二極體2,包含一第一電極220、形 成於該第一電極上之一導電'基板210、形成於該導電基板 上之一歐姆金屬層2111,其中該歐姆金屬層具有一凹凸 面,該凹凸面可以是形成金屬層時自然生成,亦可以是 金屬層成長完成後,經由蝕刻等候處理形成該凹凸面、 形成於該歐姆金屬層凹凸面上之一第一反應層2120、形 成於該第一反應層上之一有機黏結枋料2112、形成於該 有機 金屬 凸起 衧料 應層 黏結 觸、 明導 一第 216 、 箄二 終層 在以 可形 黏結材料上之一第二反應層2 1 2 1,其中藉由該歐姆 層凹凸面之凸起部分使得形成於該金屬層凹凸面之 部分上之第一反應層可部份或全部穿透該有機黏結 ’與該第二反應層形成歐姆接觸、形成於該第二反 上之一反射層2 1 2 ’其中該黏結材料與部分反射層相 ’該歐姆金屬凸塊與另一部份反射層形成歐姆接 形成於該反射層上之一透明導電層213、形成於該透 電層上之一第一接觸層214形成於該第一接觸層上之 一束缚層215、形成於該第一束缚層上之一發光層 形成於該發光層上之一第二束缚層217 '形成於該 束缚層上之一第二接觸層218、以及形成於該第二接 上之一第二電極2 21。上述之第—及第二反應層功能 強化與黏結封料間之黏結力;上遮之歐姆金屬層亦 成於該反射層及談第二反應層之間;上述之反射層
第10頁
1270991 五、發明說明(6) 之功能在提高亮度,因此亦可移除,並不會影響本發明 之實施。
請參閱圖3,依本發明一較佳實施例具有歐姆金屬接 觸有機黏結層之發光二極體3,包含一金屬基板310,其 中該金屬基板之上表面具有第一表面區及一第二表面 區、形成於該金屬基板第一表面區上之一歐姆金屬凸塊 3121、形成於該金屬基板第二表面區及歐坶金屬凸塊上 之一第一反應層3110、形成於該第一反應層上之一有機 黏結材料3 1 2 2、形成於該有機黏結材料上之一第二反應 層3111,其中藉由該歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金 屬凸塊上之第一反應層可部份或全部穿透該有機黏結枋 料,與該第二反應層形成歐姆接觸、形成於該第二反應 層上之一反射層312、形成於該反射層上之一透明導電層 313、形成於該透明導電層上之一第一接觸層314、形成 於該第一接觸層上之一第一束缚層315、形成於該第一束 缚層上之一發光層316、形成於該發光層上之一第二束缚 層317、形成於該第二束缚層上之一第二接觸層318、以 及形成於該第二接觸層上之一電極319。上述之第一及第 二反應層功能在以強化與黏結材料間之黏結力;上述之 歐姆金屬凸塊亦可形成於該反射層及該第二反應層之 間;上述之歐姆金屬凸塊亦可部份或全部穿透該第一反 應層,與第二反應層形成歐姆接觸;上述之反射層之功 能在提南贵度,因此亦可移除,並不會影經本發明之實
第11頁 1270991 五、發明說明(7) 施0
Si、/ 電基板,係包含選自GaP、GaAsP、A1GaAs、 代替之材構成材料組群中之至少一種材料或其它可 金屬美^七人二述金屬基板,係包含選自Cu、A1、Mo及 體所^ 材料(Metai Matrix ComP〇sites,MMC)載 二所=材料組群中之至少一種材料或其它可卩替之材 ί中ί i該ΐ屬基質複合材科載體係於一具有孔洞之載 載姊呈i入適合之金屬基質,使得該金屬基質複合材料 3 3可調變之熱傳.係數或熱勝嚴係數特徵。;前述 ίΞΐίϋΐ選自於聚醯亞联(ρι)、苯并環丁烷(⑽) ΐ fcb)所構成材料組群中之至少一種村 ί :G=屬τ凸塊:含選自於Ιη,、Α1、A…卜 ϋ ^ = 材料組群令之至少一種材料;前述之反射 P: %二% 11、Sn、Ai、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、
Pb、Pd、Cu、AuJBe、AuGe、Ni、Γτ- dk。 . ^ 銦錫所構成材料組群中之至少_ n u 氧化 應層係包含選自Ti及Cr所“材…反 料;前述之第二反應層係包nmu:, ?中之至少-種材料;前述:;:口;所 ^錫錫、氧化録錫、氧化鋅及氧化辞錫所 ,,材料、,且群申之至少一種材料;前 包含選自 A1InP、A1N、GaN、A1GaN、InGaN:A^^^ 第12頁 1270991 五、發明說明(8) 構成材料組群中之至少一種材料;前述發光層,係包含 選自AlGalnP、GaN、InGaN及AlInGaN所構成材料組群中 之至少一種材料;前述第二束缚層,係包含選自A1 InP、 AIN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構成材料組群中之 至少一種材料;前述第二接觸層,係包含選自於Gap、
GaAs 、GaAsP 、InGaP 'AlGalnP 、AlGaAs 、GaN 、InGaN 及 A 1 G a N所構成材料組群中之至少一種材料;前述第一接觸 層’係包含選自於GaP 、GaAs 、GaAsP 、InGaP 、
AlGalnP、AlGaAs、GaN、InGaN 及 AlGaN 所構成材料組群 中之至少一種材料。 參 雖然本發明之發光二極體已以較佳實施例揭露於 上、然士發明之範圍並不限於上述較佳實施例,應以下 述申明專利範圍所界定為準。因此任何熟知此項技藝 者,在不脫離本發明之申請專利範圍及精神下,當可做 任何改變。 Φ
第13頁 1270991 為 5簡A 明 A 說之91 單 圖 簡式 式圖 圖 明 說 單 U&ul 種 1 之 例 施 實 佳 較 1 明 發 本 依 示 顯· 圖 意 示 發 之 層 結 黏 機 有 觸 G-接 光屬 發金 之姆 層歐 結有 黏具 機之 凑示 f所 接A * ^;圖 金為 姆B歐酊 有 具 體 極 之 例 施; 實體 佳極 較二 一光 另發 明之 發層 本結 .,依黏 片示機 照顯有 鏡,觸 微圖接 顯意屬 子示金 電一姆 體為歐 極_有 二 具 光 種 之 例 施。 實體 佳極 較二 一光 又發 明之 發層 本結 依黏 示機 顯有 ,觸 圖接 意屬 示金 一姆 為歐 ]3有 圖 具 ^&二 種 符號說明 1 發光二極體 10 導電基板 101 發光疊層 110 第一反應層 121 歐姆金屬凸塊 122 有機黏結#料 111 第二反應層 13 反射層 14 透明導電層 15 第一接觸層 16 第一束缚層 17 發光層
第14頁 1270991 第15頁 圖式簡單說明 18 第二束缚層’ 19 第二、接觸層 20 第一電極 21 •第二電極 2 發光二極體 210 導電基板 2111 歐姆金屬層 2112 有機黏結材料 2120 第一反應層 2121 第二反應層 212 反射層 213 透明導電層 214 第一接觸層 215 第一束缚層 216 發光層 217 第二束·缚層 218 第二接觸層 220 第一電極 221 3 第二電極 發光二極體 310 金屬基板 3110 第一反應層 3121 歐姆金屬凸塊 3122 有機黏結材料
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第16頁
Claims (1)
1270991 六、申請專利範圍 1. 一種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一第一半導體疊層; 形成於該第一半導體疊層上之一歐姆金屬接觸區; 形成於該歐姆金屬接觸區上之一第一反應層; 形成於該第一反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第二反應層,其中藉由 該歐姆金屬接觸區使得形成於該歐姆金屬接觸區上之第 一反應層可部份或全部穿透該有機黏結材料,與該第二 反應層形成歐姆接觸; 形成於該第二反應層上之一第二半導體疊層。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,該第一半導體疊層為一導電基 板0 3. 如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,該第二半導體疊層包含: 一第一導電型半導體疊層; 形成於該第一導電型半導體疊層上之一發光層;以及 形成於該發光層上之一第二導電型半導體疊層。 4. 如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,該第二半導體疊層為一導電基
第17頁 1270991 六、申請專利範圍 板0 第令 圍其 範, 利件 專元 請光 申發 如結 5·黏 機 有 之 觸 接 金 姆 歐 有 具 之 述 所 項 含 包 層 疊 體 導 半 一 第 該 及 以 Ο 光疊 發體 一導 之半 上型 層電 疊導 •,體二 層導第 疊半一 體型之 導電上 半導層 型一光 電第發 導該該 一於於 第成成 一形形 第中成 圍其形 範,間 利件之 專元層 請光疊 申發.體 如結導 6·黏半 機 有 之 觸 接纟 層 Μ 應 反 二 第 該 於。 含層 包射 更反 金 姆 歐 有 具 之 述 所 項 第 該 與 7. 如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,該歐姆金屬接觸區是以一或多個 金屬凸塊組成。 8. 如申請專利範圍第1項所.述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,讓歐姆金屬接觸區是以一金屬凹 凸面組成。 9. 如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結發光元件,其中,該第一半導體疊層與該歐姆金屬 接觸區形成歐姆接觸。
第18頁 1270991 六、申請專利範圍 1 0 ·如申請專利範圍第1項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第二反應層與該第二半導體 疊層形成歐姆接觸。 11. 一種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件、,至少包 含: 一導電基板,其中該導電基板之上表面具有第一表面 區及’ 一弟-"表面區, 形成於該導電基板第一表面區上之一歐姆金屬凸塊; 形成於該歐姆金屬凸塊及第二表面區上之一第一反應 層; 形成於該第一反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第二反應層,其中藉由 該歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第一反 應層可部份或全部穿透該有機黏結#料,與該第二反應 層形成歐姆接觸;以及 形成於該第二反應層上之一發光疊層。 1 2. —種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一發光疊層,其中該發光疊層之上表面具有第一表面 區及一第二表面區; 形成於該導電基板第一表面區上之一歐姆金屬凸塊; 形成於該歐姆金屬凸塊及第二表面區上之一第二反應
第19頁 1270991 六、申請專利範圍 層; 形成於該第二反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第一反應層,其中藉由 該歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第二反 應層可部份或全部穿透該有機黏結材料,與該第一反應 層形成歐姆接觸;以及 形成於該第一反應層上之一導電基板。 1 3.如申請專利範圍第1 1項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,更包含於該第二反應層與該發 光疊層之間形成一反射層。 1 4.如申請專利範圍第1 2項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,更包含於該歐姆金屬凸塊與該 發光疊層之間形成一反射層。 1 5.如申請專利範圍第1 1項或第1 2項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該導電基板,係包含 選自GaP、GaAsP、AlGaAs、Si、Ge、SiC及金屬所構成材 料組群中之至少一種材料或其它可代替之材料。 1 6 .如申請專利範圍第1 1項或第1 2項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該金屬凸塊係包含選 自於In 'Sn、A1 、Au、Ρΐ、Zn、Ge、Ag 'Ti 'Pb 'Pd、
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、PbSn及ΑιιΖη所構成材料組群中之 Cu 、AuBe 、AuGe 、Ni 至少一種材料。 17·如申明.專利乾圍第u項或第12項所述之且 接觸之有機黏結發光元件,苴中,兮右 ’、 姆至屬 冬遝白於取終= 仵其f該有機黏結材料係包 3 l自於聚醯亞胺(PI)、笨并環丁烷(BCB)及過 (PFCB)所構成材料組群中之至少一種材料。 、、元 \8 ·如申請專利範圍第11項或第12項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黎結發光元件,纟中,該第一反應層係姆包金含屬 選自T1及C r所構成材料組群中之至少一種材料。 1,9 ·如申請專利範圍第丨丨項或第丨2項所述之具有歐姆金屬 舞觸之有機黏結發光元件,其中,該第二反應層係包含 選自Ti及Cr所構成材料組群中之至少一種材料。 2』〇 ·如申請專利範圍第丨3項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機點結發光元件,其中,該反射層係包含選自!n、Sll、 Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AnBe、 AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構成材料組群 中之至少一種材料。 2 1 ·如申請專利範圍第丨4項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該反射層係包含選自I n、Sn、
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A1、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AnBe、 AuGe、Ni、cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構成材料組群 中之至少一種材料。 22·如申#專利範圍第11項或第12項所述·之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中’該發光疊層係包含選 自AlGalnP、GaN、InGaN及A1 InGaN所構成材料組群中之 至少一種材料。 23·如申請專利範圍第u項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該導電基板第一表面區與該歐 姆金屬凸塊形成歐姆接觸。 24.如申請專利範圍第η項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第二反應層與該發光疊層形 成歐姆接觸。 25·如申請專利範圍第12項所述之具有^姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該發光疊層之第一表面區與該 歐姆金屬凸塊形成歐姆接觸。 2 6 ·如申請專利範圍第1 2項戶斤述之具有^錄金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第/反應層與該導電基板形 成歐姆接觸。
1270991 六、申請專利範圍 27. —種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一導電基板; 形成於該導電基板上之一歐姆金屬層,其中該歐姆金 屬層具有一凹凸面; 形成於該歐姆金屬層凹凸面上之一第一反應層; 形成於該第一反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第二反應層,其中藉由 該歐姆金屬層凹凸面之凸起部分使得形成於該金屬層凹 凸面之凸起部分上之第一反應層可部份或全部穿透該有 機黏結材料,與該第二反應層形成歐姆接觸;以及 形成於該第二反應層上之一發光疊層。 28. —種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一發光疊層; 形成於該發光疊層上之一歐姆金屬層,其中該歐姆金 屬層具有一凹ώ面; 形成於該歐姆金屬層凹凸面上之一第二反應層; 形成於該第二反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第一反應層,其令藉由 該歐姆金屬層凹凸面之凸起部分使得形成於該金屬層凹 凸面之凸起部分上之第二反應層可部份或全部穿透該有
第23頁 1270991 六、申請專利範圍 及過氟環丁烷 含選自於聚醯亞腔(pi)、笨并環丁嫁0CB) (P F C B )所構成材料組群中之至少一種材料。、 34·如申請專利範圍第27項或第以項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該第一反應層係包含 選自T i及C r所構成材料組群中之至少〆種材料。 3 5·如申凊專利範圍第27項或第28項戶斤述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其_,該第二反應層係包含 選自Ti及Cr所構成材料組群中之至少一種材料。 3 b ·如申請專利範圍第2 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該反射層係包含選自In、Sn ' 1、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、 fGe、Ni、Ci:、PbSn、AuZri及氧化銦錫所構成材料組群 ’之至少一種材料。 3機7.黏V/光專元7圍Λ3 ^ 、A: Pt ; Γ其中A τ反射層係包含選自1n、Sn、 AuGe 、Ni 、Cr 、pbSn 、AuZ :: uBe 、 中之至少一種材料。乳化麵锡所構成材料組群 %如申請專利範圍第27項或第28項所述之具有歐姆金屬 1270991 六、申請專利範圍 接觸之有機黏結發光元件,其中,該發光疊層係包含選 自AlGalnP、GaN、InGaN及AlInGaN所構成材料組群中之 至少一種材料。 3 9.如申請專利範圍第2 7項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該導電基版與該歐姆金屬層形 成歐姆接觸。 4 0 .如申請專利範圍第2 7項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第二反應層與該發光疊層形 成歐姆接觸。 41.如申請專利範圍第2 8項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該發光疊層與該歐姆金屬層形 成歐姆接觸。 4 2.如申請專利範圍第2 8項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第一反應層與該導電基版形 成歐姆接觸。 43. —種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一金屬基板,其中該金屬基板之上表面具有第一表面 區及一第二表面區;
第26頁 1270991 六、申請專利範圍 形成於該金屬基板第一表面區上之一歐姆金屬凸塊; 形成於該歐姆金屬凸塊上之一第一反應層; 形成於該第一反應層上之一有機黏結材料; 形成於該有機黏結材料上之一第二反應層,其中藉由 該歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第一反 應層可部份或全部穿透該有機黏結材料,與該第二反應 層形成歐姆接觸;以及 形成於該第二反應層上之一發光疊層。 44. 一種具有歐姆金屬接觸之有機黏結發光元件,至少包 含: 一發光疊層,其中該發光疊層之上表面具有第一表面 區及一第二表面區; 形成於該導電基板第一表面區上之一歐姆金屬凸塊; 形成於該歐姆金屬凸塊上之一第二反應層; 形成於該第二反應層上之一有機黏結祐料, 形成於該有機黏結材斜上之一第一反應層,其中藉由 該歐姆金屬凸塊使得形成於該歐姆金屬凸塊上之第二反 應層可部份或全部穿透該有機黏結材料,與該第一反應 層形成歐姆接觸;以及 形成於該第一反應層上之一金屬基板。 4 5.如申請專利範圍第43項或第44項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該金屬基板,係包含
1270991 ------ 六、申請專利範圍 ___ 種 J自Cu、A1、Mo及MMC載體所構成 材料或其它可代替之材料。 科組群中之至少 巧·如申請專利範圍第4 3項所述之且者a J^ 機^結發光元件,其中,更包含於該有^金屬接觸之有 光疊層之間形成一反射層。 "一反應層與該發 4^ ·如申請專利範圍第4 4項所述之妓 機黏、、、口 lx光70件,其中,更包含於該 厶 發光疊層之間形成一反射層。 ^姆金屬&塊與該 紐如申請專利範圍第43項或第44項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該金屬凸塊係包含選 自於In、Sn、Al、An、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、 Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AiiZn所構成材料铍群中之 至少一種材料。 49·如中凊專利範圍第43項或第44項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中,該有機黏結材料係包 含選自於聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烷(BCB)及過氟環丁烷 (P F C B )所構成材料組群中之至少一種材料。 5 0 ·如申請專利範圍第4 3項或第4 4項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中’該第一反應層係包含
第28頁 1270991 六、申請專利範圍 選自Ti及Cr所構成材料組群 r之至少—種材料。 中請專利範圍第43項或仏項所h目* 、愛之有機黏結發光元件,其中,詨八有歐姆金屬 、自Ti及Cr所構成材料組群之二弟一反應層係包含 r之至乂 —種材料。 5機2二申Λ專Λ範圍第4 6項戶斤述之具有歐姆金屬接廢 !VAu、Pt、Ζη,,、Pd、? An、Sn、 中之尽i PbSn、AuZn及氧化銦錫所構成材噂化破 Y之至少一種材料。 再风材4組群 機黎如於申森明…專_利範圍第47項所述之具有歐姆金屬接觸之有 、、、s發无凡件,其中,該反射層係包含選自丨 、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、pb、pd、Cu^^^^ Με =Νι、Cr、PbSn、AuZn及氧化銦錫所構成材雜 甲之至少一種材料。 , 54·如申請專利範圍第43項或第44項所述之具有歐姆金屬 接觸之有機黏結發光元件,其中’該發光疊層係包含'選 自AlGalnP、GaN、InGaN及AlInGaN所構成材料組群中之 至少一種材料。 5 5 ·如申請專利範圍第4 3項所述之具有歐姆金屬接觸之有
第29頁 1270991 六、申請專利範圍 機黏結發光元件,其中,該金屬基板第一表面區與該歐 姆金屬凸塊形成歐姆接觸。 5 6.如申請專利範圍第43項所述之具有歐姆金屬接觸之有 .機黏結發光元件,其中,該第二反應層與該發光疊層形 成歐姆接觸。 5 7.如申請專利範圍第4 4項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該發光疊層之第一表面區與該 歐姆金屬凸塊形成歐姆接觸。 5 8\如申請專利範圍第4 4項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第一反應層與該金屬基板形 成歐舞接觸。 5 9 .如申請專利範圍第1 1項、第1 2項、第2 7項、第2 8項、 第43項或第44項所述之具有歐姆金屬接觸之有機黏結發 光元件,其中,該發光疊層係包含: 一透明導電層; 形成於該透明導電層上之一第一接觸層; 形成於該第一接觸層上之一第一束缚層; 形成於該第一束缚層上之一發光層; 形成於該發光層上之一第二束缚層;以及 形成於該第二束缚層上之一第二接觸層。
第30頁 1270991 六、申請專利範圍 6 0 ·申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有機 黏結,光元件,其中,該透明導電層包含選自於氧化銦 錫、氡化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Be/Au、 Ge/Au及Ni /Αιι所構成材料組群中之至少一種材料。 6 1 ·如申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第一接觸層係包含選自於 GaP 、GaAs 、GaAsP 、InGaP 、AlGaInP 、AlGaAs 、GaN 、 InGaN及AlGaN所構成材料組群中之至少一種材料。 6 2 ·如申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第一束缚層包含選自於 AllnP、A1N、GaN、AlGaN、InGaN 及AlInGaN 所構成材粹 組群t之至少一種材料。 63·如申請專利範圍第59項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該發光層係包含選自AlGalnP、 GaN、InGaN及AlInGaN所構成材料組群中之至少一種材 斜。 6 4 ·如申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第二束缚層係包含選自 Μ 第31頁 1270991 六、申請專利範圍 AlInP'AIN、GaN、AlGaN、InGaN 及 AlInGaN 所構成材料 組群中之至少一種材料。 6 5 ·如申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金屬接觸之有 機黏結發光元件,其中,該第二接觸層係包含選自於 GaP 、GaAs 、GaAsP 、InGaP 、AlGaInP 、AlGaAs 、GaN 、 InGaN及AlGaN所構成材料組群中之至少一種材料。 6 6 ·如申請專利範圍第5 9項所述之具有歐姆金展接觸之有 機黏結發光元件,其中可包含在該第二接觸層之上形成 6 7 ·如申請專利範圍第6 6項所述之具有歐姆金屬接 機黏結發光元件,其令,該透明導電層包含選自.於 銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、、虱 Be/Au ' Ge/Au及Ni/Au所構成材料組群中之至少—
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |