TWI270313B

TWI270313B - Organic EL device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TWI270313B
Application number: TW094104979A
Authority: TW
Inventors: Kazuyoshi Takeuchi; Atsushi Kidokoro; Ryouichi Tomida; Kazunori Kitamura
Original assignee: Toyota Ind Corp
Priority date: 2004-03-30
Filing date: 2005-02-21
Publication date: 2007-01-01
Also published as: EP1587153A1; KR20060044954A; TW200539734A; CN100433403C; CN1678151A; KR100656137B1; JP2005285659A; US20050218803A1; CN101369637A

Description

1270313 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明一般係關於一種有機電致發光（EL)裝置，尤其是可以改善用在有機EL裝置之密封膜的特性。本發明還關於該有機EL裝置之製造方法。【先前技術】到目前爲止，因爲有機EL裝置可以自行發光而製作成 w 高亮度螢幕，所以有機EL裝置的實際應用非常廣，如用於 Φ 又輕又薄的行動輸出或類似裝置之顯示元件，或照明裝置。此種有機EL裝置具有一種結構，其中形成在基板上之 EL構件’包含一對至少其中之一爲透明電極之電極層，和夾在該對電極層之間的有機發光層。在該種有機EL裝置中，由於水份和氣體，如氧的滲透 ’恐怕會傷害EL構件的有機發光層和電極層，而造成影像品質劣化和壽命縮短。因此，爲了防止來自外部之水份和氣體的滲透，用密封膜覆蓋EL構件的表面已被提出。

例如，JP20 03 - 1 1 803 0A揭露一種EL裝置，其中氣體障壁層係利用乾式法形成在有機基底材料的表面上，由組成含有聚矽氮烷（polysilazane)之固化物質製成之固化物質層’係利用濕式法形成氣體障壁層的表面上，及當作密封膜之結果基底材料係放置在EL構件的表面上。但是’如JP2003 - 1 1 803 0A所揭露的技術，在有機基底材料的表面上形成氣體障壁層和固化物質層，及在EL構件的表面上放置結果基底材料，會導致EL裝置結構變得很複 1270313 « 雜’使其厚度增加的問題’而且EL裝置的製程也會變得很複雜。【發明內容】本發明係要解決上述關於先前技術之問題，因此，本發明的目的係要提供一種雖然結構簡單，但是能夠有效防止水份和氣體滲透之有機EL裝置。本發明的另一目的係要提供一種能夠得到該種有機 EL裝置之有機EL裝置的製造方法。

根據本發明之有機E L裝置，包含：基板；形成在基板表面上之EL構件’而其至少具有第一電極層、有機發光層、和第二電極層；及形成在EL構件表面上之密封膜，以覆盍E L構件，密封膜係由S i和S i N x製成，其中，砂原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率，等於或大於0.6，但等於或小於2.0。本發明的發明人認真地重複硏究，結果，淸楚地，當矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比 ^ 率，小於0.6或大於2 · 0時，成形的密封膜之水蒸氣滲透率爲不可忽略的値，而當比率等於或大於〇 . 6，但等於或小於 2 · 〇時’成形的密封膜之水蒸氣滲透率等於或小於量測精密度的限制値。基於此原因，可以判斷適當量的s i - S i鍵結鏈係分布在S i -N鍵結鏈之中，以增強密封特性。注意，還可藉由使用聚矽氮烷（polysilazane)，在密封膜表面上形成由S i 0 2製成之第二密封膜。根據本發明之有機EL裝置的製程，包含：在基板上， -6* 1270313 形成至少具有第一電極層、有機發光層、和第二電極層之 EL構件；及至少供應SiH4氣體和N2氣體，並調整siH4 氣體的流量，然後供應電能，藉由利用電漿CVD法，以等於或局於300nm/分鐘，但等於或低於600nm/分鐘之沉積速率，在EL構件表面上形成由Si和SiNx製成之密封膜，以覆蓋EL構件。由S i和S i N X製成之密封膜的沉積速率主要取決於〜 s 1Η 4氣體的流量和供應電能的量，而且，淸楚地，當沉積 φ 速率等於或高於3 00nm/分鐘，但等於或低於600nm/分鐘時 ’水蒸氣滲透率等於或小於量測精密度的限制値。注意，NH3氣體最好以NH3氣體的流量對siH4氣體的流量之比率，被設爲等於或高於0. 〇，但等於或低於〇 2之比率供應，以藉由利用電漿C VD法形成密封膜。

此外，還可以將聚矽氮烷（ρ 〇 1 y s i 1 a z a n e )應用到密封膜表面上，形成由S i O 2製成之薄膜，然後對其施以烘烤製程。聚矽氮院（polysilazane)也可以爲半乾狀。下面將參照附圖，詳細說明本發明之優選實施例。實施例1 第1圖爲根據本發明實施例1之有機電致發光（EL)元件的結構橫截面圖。E L構件2係形成在透明玻璃基板1之上。EL構件2包含形成在玻璃基板1表面上，當作第一電極層之陽極3，形成在陽極3上之有機發光層4，及形成在有機發光層4上，當作第二電極層之陰極5。密封膜6係 -7- 1270313 形成在EL構件2表面上，以覆蓋^構件2。

玻ί离基板1可以由可以穿透可見光之透明或半透明材料製成。因此’除了玻璃之外，符合該條件之樹脂也可以被用以當作基板的材料。EL構件2的陽極3可以具有當作電極的功能’還可以至少是透明或半透明的，使能夠穿透可見光。因此，例如，可以採用ΙΤ0當作陽極3的材料。在用於有機發光層4之材料中，至少包含有習知的有機電致發光材料，如Alq3或DCM。此外，在習知的有機EL裝置中所採用之一層或許多層，如電子傳輸層和電洞傳輸層，也適合形成在陽極3和陰極5之間。各層都適合由習知的材料製成。陰極5可以具有當作電極的功能，還可以至少具有對可見光反射的特性。因此，例如，可以採用A1、 Cr、Mo、A1合金，或Al/Mo層疊層或類似層當作陰極5 的材料。各層都可以利用習知的薄膜形成方法形成，如氣相沉積法。密封膜6係由Si和SiNx製成的。在此材料中，矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率，等於或大於0 · 6，但等於或小於2 · 0。使用此種密封膜6，使其可以得到良好的密封特性，並且可以防止水份和氣體自外部滲透進入EL構件2。在此有機EL裝置中，相對於具有EL構件2形成在其表面上之玻璃基板1的主要表面之表面爲光發射面。換言之’自有機發光層4發射的光係直接入射陽極3，或在藉由陰極5反射之後間接入射陽極3，以經由玻璃基板1，自 1270313 玻璃基板1的光發射面發射到外部。其次’下面將說明根據本發明實施例1之有機EL裝置的製造方法。首先，藉由利用習知的薄膜形成方法，如氣相沉積法，在玻璃基板1表面上，連續製作陽極3、有機發光層4、及陰極5，以形成EL構件2。

之後，將具有E L構件形成在其上之玻璃基板1運送到具有真空或惰性氣氛環境之電漿CVD系統的腔體位置，藉由利用電漿CVD法，在陰極5表面上形成密封膜6。此時 ’至少要供應SiH4氣體和N2氣體進入電漿CVD系統的腔體。然後，藉由調整SiH4氣體的流量和供應的電能，得到等於或局於300nm /分鐘，但等於或低於600nm/分鐘之沉積速率，在陰極5表面上形成密封膜6。結果，製作出有機EL裝置。此處，先將具有100mmX100mmX0.4mm尺寸之聚碳酸酯系膜板放入電漿CVD系統的腔體中，然後將腔體中的氣體抽出到1 X l(T3Pa的壓力。在此狀態下，使SiH4氣體、 NH3氣體、和N2氣體流入腔體，將腔體壓力調整到i〇〇pa 。然後，將1 3 · 5 6 ΜΗ z的高頻電源應用在具有2 0 m m空隙的電極對之間，使氣體放電，於是會沉積具有〇 . 5 μπι厚之密封膜在聚碳酸酯系膜板的表面上。此時，當ΝΗ3的流量和 1的流量被分別調整到50ml/分鐘和l〇〇〇ml/分鐘，而SiH4 的流量和應用在電極對之間的電能被分別調整，以多樣性改變密封膜的沉積速率，於是可以形成密封膜，及量測在各形成的密封膜中，矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和 -9 - 1270313 - 氮原子的鍵結數之比率，和水蒸氣滲透率時，可以得到下面示於表1之量測結果。注意，水蒸氣滲透率0. lg/m2 . > 表示等於或低於量測精密度的限制値。表1

SiH4的流量 (ml/min) 電能 (W) 沉積速率 (nm/min) S i原子和S i原子的鍵結數對S i原子和n原子的鍵結數之比率水蒸氣滲透率 (g/m2 ·天） 75 500 128.0 0.381 ^_ 0.4 100 600 167.1 0.401 0.39 200 700 242.8 0.484 0.39 200 800 332.4 0.742 0.1 300 700 403.3 1.169 0.1 300 800 441.9 1.375 0.1 500 800 543.3 1.717 0.1 500 1000 622.5 2.333 0.17

注意，在各形成的密封膜中’砂原子和砂原子的纟建,結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率，係使用X光光電子能譜儀，即AXIS ULTRA(由英國的KRATOS股份有限公司製造），量測分析各形成的密封膜。換言之，在高真空中，將X光應用到密封膜的表面，以量測自密封膜表面發射之電子的能量，於是可以定性和定量分析化學元素。在此4 測中，X光光電子能譜儀先用具有靠近S i的2 p軌道束縛能之Αιι的4f軌道束縛能（84.0 OeV)校正。然後將密封膜試 -10- 1270313 # F日修(更)正替換頁丨

片放入試片中，並將試片室中的氣體抽出到等於或低於i X l(T7Pa的壓力’及執行Ar離子蝕刻5分鐘，用以移除密封膜表面上的氧化物膜和污染物。然後得到結果試片之97 到1 0 3 e V的束縛能波形，以識別出在1 〇 1 . 9 e V具有峰値位置之波形（由矽原子和氮原子的鍵結所造成），和99.7eV具有峰値位置之波形（由矽原子和矽原子的鍵結所造成）。然後，將2個波形之間的面積比率，定義爲矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率。此外，水蒸氣滲透率係藉由利用mo con法量測。根據表1的量測結果，沉積速率和水蒸氣滲透率之間的關係示於第2圖。由第2圖可以瞭解，在沉積速率等於或高於3 00nm/分鐘，但等於或低於600nm/分鐘時，所形成之密封膜的水蒸氣滲透率等於或低於量測精密度的限制値，因此在此條件下所製造之密封膜展現良好的密封特性。

同樣地，根據表1的量測結果，矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率，和水蒸氣滲透率之間的關係示於第3圖。由第3圖可以瞭解，在矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率等於或大於〇 . 6，但等於或小於2.0時，密封膜的水蒸氣滲透率等於或低於量測精密度的限制値，因此在此條件下所製造之密封膜展現良好的密封特性。此外，流進電漿CVD系統的腔體之SiH4氣體的流量被調整到3 00 ml/分鐘，而應用在電極之間的供應電能被調整到700W，以得到約400n m/分鐘之密封膜沉積速率，而 1270313 且在此條件下，NH 3的流量作0、2 5、5 0、1 0 0、1 5 0和3 0 0 m 1 / 分鐘等多樣性的改變，以分別形成各自具有2.0 μπι厚之密封膜。注意，Ν2的流量係設爲1 000ml/分鐘，而供應電能的頻率則設爲1 3 · 5 6MHz。量測形成的密封膜之起始應力，和形成的密封膜被留置在保持溫度爲60 °C和相對濕度爲 90%之高溫和高濕容器中（由TABAIESPEC股份有限公司製造），5 0 0小時之後的應力，得到示於表2之量測結果。

表2 SiH4的流量 (ml/min) NH3的流量 (ml/min) NH3的流量對SfflU的流量之比率起始應力 (MPa) 500小時之後的應力 (MPa) 應力變化量 (MPa) 300 0 0.000 -50.94 -49.76 1.18 300 25 0.083 -73.49 -71.90 1.59 300 50 0.167 -70.52 -73.34 -2.82 300 100 0.333 -65.05 -101.92 -36.87 300 150 0.500 -77.20 -111.06 -33.86 300 ____ 300 1.000 -62.38 -116.39 -54.01 注意，密封膜係形成在已預先量好彎曲量之4吋Si晶圓上，然後再次量測密封膜在剛形成之後的矽晶圓彎曲量，及密封膜被留置在高溫和高濕容器中5 0 0小時之後的矽晶圓彎曲量，之後分別比較Si晶圓的最終彎曲量和在密封膜形成之前的矽晶圓彎曲量，於是可以計算密封膜的起始應力，和密封膜被留置在高溫和高濕容器中5 0 0小時之後 -12-

义;^曰修(更)正替換頁

1270313 的應力。然後將密封膜的起始應力和密封膜被留置5 00小時之後的應力間之差，定義爲應力變化量。根據表2的量測結果，NH3的流量對SiH4的流量之比率，和應力變化量之間的關係示於第4圖。由第4圖可以暸解，當NH3的流量對SiH4的流量之比率等於或大於0.0 ，但等於或小於〇 . 2時，應力變化量明顯很小。經由利用氣相沉積法或類似方法之習知的沉積製程，所得到之EL 構件的有機發光層和電極層具有很小的機械應力。因此，爲了防止EL構件的有機發光層和電極層破裂，形成以覆蓋 EL構件之密封膜需要很小的長期應力變化。然後，當密封膜係在NH3的流量對SiH4的流量之比率等於或大於〇.〇，但等於或小於〇 . 2的條件下形成時，密封膜可以得到很小的應力變化量，因此可以實現具有良好可靠度之有機EL 裝置。實施例2 第5圖係根據本發明實施例2之有機EL裝置的橫截面圖。此有機EL裝置係在示於第1圖之實施例！的密封膜6 表面上，形成第二密封膜7。具有使用聚矽氮烷（P〇lysilazane)形成之〇,〇1到2〇μιη 厚度的s i 0 2膜，被用以當作第二密封膜7。此處，在本專利說明書中，假設聚砂氮院（polysilazane)也含有介電質，其中氣原子和砂原子的鍵結部分係由院基或類似原子屢|耳又代。第二密封膜7包含烷基，尤其是具有小分子量之甲g ，於是可以改善與當作基底之密封膜6的黏著特性，胃i -13- 1270313 ' Si02膜具有可撓性，因此即使當第二密封膜7的厚度增加時，也可以抑制破裂的產生。至於烷基，其最好具有1到4 個碳原子。此外，聚矽氮烷（polysilazane)可以爲未形成的成份還留在其中之半乾狀。下面將說明根據本發明實施例2之有機EL裝置的製造方法。如根據本發明實施例1之有機EL裝置的製造案例， ^ 藉由利用習知的薄膜形成方法，如氣相沉積法，在玻璃基 • 板1表面上，連續製作陽極3、有機發光層4、和陰極5， # 以形成EL構件2。之後，將具有EL構件2形成在其上之玻璃基板1運送到電漿CVD系統的腔體位置，藉由至少將 SiH4氣體和N2氣體供應進入電漿CVD系統的腔體，在陰極5表面上形成密封膜6，而且，還藉由調整SiH4氣體的流量和供應電能，得到等於或局於3 0 0 n m /分鐘，但等於或低於6 0 0 n m /分鐘之沉積速率。

之後，將具有EL構件2和密封膜6形成在其上之玻璃基板1曝露在常壓下，將聚砂氮院（polysilazane)應用在密封膜6的表面上。至於應用方法，可以利用各種不同的習知方法，如旋佈法、浸泡法、流動法、滾動塗佈法、及細網印刷法。此外，當密封膜6已形成時，在常壓氣氛下，或在惰性氣氛壓力，而不是曝露在常壓下，也可以將聚石夕氮烷（polysilazane)應用在密封膜6表面上。接著，使用加熱單元’如烤箱或加熱板，將具有EL 構件2、密封膜6，及聚矽氮烷（p〇lysiiazane)形成在其上之玻璃基板1旋以烘烤製程，使得聚矽氮烷（p〇lysilazane)根 -14- 1270313 ¥ 據下列之反應式進行反應，以在密封膜6表面上形成第二密封膜7 : [-SiH2NH-] + 2H2〇 — Si02 + NH3 + 2H2 結果，製作出根據本發明實施例2之有機EL裝置。

在示於第6圖之案例中，在El構件2表面上存在有外來物質8，即使當在E L構件2表面上形成密封膜6，恐怕外來物質8不能被密封膜6完全覆蓋，因此，可能會在密封膜6中產生未黏著部分9。但是，在實施例2中，因爲聚矽氮烷（poly si Uz an e)係被應用在密封膜6之上，形成第二密封膜7，所以結果第二密封膜7會覆蓋住當作基底之密封膜6的未黏著部分9。因此，可以防止水份和氣體自外部滲透進入EL構件2。此外，因爲在EL構件表面上形成密封膜6之後，再將聚砂氮院（polysilazane)應用在密封膜6表面上，以形成第二密封膜7，所以可以防止EL構件2受到傷害。除了塵粒之外，玻璃粉末、光阻膜的附著物或類似物質都是可想得到的外來物質 8。但是，在任何情形下，未黏著部分9都可以用第二密封膜7覆蓋住，以防止水份和氣體滲透進入EL構件2。當在烘烤製程之製程中，應用的聚矽氮烷 (polysilazane)之未反應成份殘留在其中時，未反應的聚石夕氮烷（poly silazane)會與滲入的水份反應使得滲入水份會被阻止到達EL構件2。結果，可以防止EL構件2因滲入的水份而劣化。 -15- 1270313 在上述本發明之實施例1及2中，已說明關於控制底郃發光型有機EL裝置，其中透明陽極3、有機發光層4、及反射陰極5係連續製作在玻璃基板1上，因此自有機發光層4發射的光，會經由透明陽極3和玻璃基板1穿透發射到外部。但是，本發明並不打算要限於底部發光型有機 EL裝置。換言之，本發明也可以應用在頂部發光型有機EL 裝置，其中反射電極、有機發光層、及透明電極係連續製 • 作在基板上，因此自有機發光層發射的光會經由相對於基 ^ 板的透明電極穿透發射到外部。在此情形下，第一和第二街封膜係連續形成在透明電極上。因此，第一和第二密封膜每一個都必須是由採用可以穿透可見光之透明或半透明材料製成的。

根據本發明，形成在E L構件表面上之密封膜，係由矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率 ’等於或大於〇 · 6，但等於或小於2.0之S i和S iNx製成的。因此，雖然EL裝置的結構很簡單，但是可以防止水份和氣體滲透進入EL構件。範例1 具有由190nm厚的ITO製成之陽極，藉由利用反應機鍍法，形成在透明玻璃基板上。然後，在藉由氣相沉積法形成發光層之前，對於基板的淸洗，基板係使用烷基溶液淸洗，接著再用純水淸洗，並且在吹乾之後，再使用紫外光/臭氧淸洗源淸洗基板。具有陽極形成在其上之基板被輸送到氣相沉積系統，

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1270313 然後使用碳坩堝，在約5.0 X 1 0 ·5 P a的真空度下，以〆、 Λ 0 · 1 nmy 秒的沉積速率，在陽極表面上，沉積厚i m m的銅& 、陶’以形成電洞注入區。其次，使用碳坩堝，約在5 . Ο X 1 0 ·5 P a的真空度、

'J VX 0. lnm/秒的沉積速率，在電洞注入區表面上，沉積 ’翠 3 〇 n m 之三苯基胺的四聚物，以形成電洞傳輸區。再者’約在5.0X l(T5Pa的真空度下，以〇.lnm/秒的沉積速率，在電洞傳輸區表面上，沉積厚3〇11111之DpVBi(f% 光的光色：藍光），以形成發光區。使用碳坩堝，在約5 X 1 0 ·5 P a的真空度下，以〇丨n m / 秒的沉積速率，在發光區上沉積厚2 0 n m的A1 q 3，當作系列金屬合成物，以形成電子傳輸區。之後，使用碳坩堝，在約5 X 1 0 ·5 P a的真空度下，以 0.03nm/秒的沉積速率，在電子傳輸區上沉積厚0.5nm之 L i F，以形成陰極介面區。此外，再使用鎢板，在約5 X 1 〇 · 5 p a 的真空度下，以lnm/秒的沉積速率，在陰極介面區上沉積厚lOOnm的鋁，以形成陰極。以此方式在玻璃基板上形成EL構件之後，使用電漿 CVD系統，在EL構件表面上，形成由Si和SiNx製成的薄膜，當作密封膜。換言之，玻璃基板被放進電漿CVD系統的腔體中，並將腔體中的氣體壓力抽到1.0 X 10_3Pa。然後，分別將流量爲3 00 ml/分鐘、50ml/分鐘、和1 0 00ml/分鐘的SiN4氣體、NH3氣體、和N2氣體通入腔體中，以調整壓力到1 OOPa。其次，將1 3.56MHz和7 00W的高頻電源跨加 -17- 1270313 在具有2〇mm間隙的電極對上，使混合氣體放電，於是在 EL構件表面上，沉積並形成厚1 μπι的密封膜。在有機EL裝置的密封膜中，以此方式製造之矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率爲 1 . 1 6 9。此外，當要量測密封膜的水蒸氣滲透率時，水蒸氣滲透率會等於或小於量測精密度的限制値。在將形成的密封膜留置在溫度爲60°C和相對濕度爲90%之環境下500小時之後，應力變化量爲-2.8 2 Μ P a這麼小的値。

範例2 類似於範例1，在透明玻璃基板上形成EL構件，和使用電漿CVD系統，在EL構件表面上形成由Si和SiNx製成的密封膜之後，使用具有轉速設爲500rpm的旋佈機，將 2 0%重量比的聚矽氮烷（pOlysilaZane)，即NL-120(由日本 CLARIANT股份有限公司製造）應用在密封膜表面上，然後使用加熱板，在9 0 °C下烘烤3 0分鐘，於是可以形成厚0.5 μπι ，由Si02製成的第二密封膜。【圖式簡單說明】第1圖爲根據本發明實施例1之有機EL裝置的結構橫截面圖；第2圖爲密封膜的沉積速率和其水蒸氣滲透率之間的關係圖；第3圖爲密封膜中，矽原子和矽原子的鍵結數對矽原子和氮原子的鍵結數之比率，和其水蒸氣滲透率之間的關係圖； -18- 1270313 第4圖爲在製造密封膜時，NH3氣體的流量對SiH4氣體的流量之比率’和製造的密封膜之應力變化量之間的關係圖；第5圖爲根據本發明實施例2之有機EL裝置的結構橫截面圖；及

第6圖爲當有外來物質存在在EL構件表面上時，實施例2之有機E L裝置的主要部分橫截面放大圖。 t $要元件符號說明】 1 玻璃基板 2 EL構件 3 陽極 4 有機發光層 5 陰極 6 密封膜 7 第二密封膜 8 外來物質 9 未黏著部分 -19-

Claims

1270313 第94 1〇49?9號「有機電致發光裝置及其製造方法」声利案 (2006年〇6月3〇日修正）十、申請專利範圍： 1 .一種有機EL裝置，包含：基板；形成在基板表面上之EL構件，而其至少具有第一電極層、有機發光層、和第二電極層；及

形成在EL構件表面上之密封膜，以覆蓋eL構件，密封膜係由S i和S i N x製成，其中，砂原子和砂原子的鍵結數對砂原子和氮原子的鍵結數之比率，等於或大於0.742，但等於或小於1.717。 2 ·如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中還包含形成在密封膜表面上之第二密封膜。 3 .如申請專利範圍第2項之有機EL裝置，其中第二密封膜係藉由使用聚砂氮院（polysilazane)形成之Si02膜。 4 .如申請專利範圍第3項之有機EL裝置，其中第二密封膜具有0.01到2·0μιη之厚度。 5 .如申請專利範圍第i項之有機EL裝置，其中有機EL裝置係底部發光型。 6 .如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中有機EL裝置係頂部發光型。 7 . —種製造有機EL裝置之方法，包含下列步驟：在基板上，形成至少具有第一電極層、有機發光層、和第二電極層之EL構件；及 1270313 攀至少供應SiH4氣體和N2氣體，並調整SiH4氣體的流量，及供應的電能，藉由利用電漿CVD法，以等於或高於3 3 2.4nm/分鐘，但等於或低於54 3.3 nm/分鐘之沉積速率，在EL構件表面上形成由Si和SiNx製成之密封膜，以覆蓋EL構件。

8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中NH3氣體係以NH3 氣體的流量對S iH4氣體的流量之比率，設爲等於或高於〇.〇,但等於或低於0.2之比率供應，以藉由利用電漿CVD 法形成密封膜。 9. 如申請專利範圍第 7項之方法，其中聚矽氮烷 (polysilazane)係施加到密封膜表面，且施以烘烤製程，以形成由Si02製成的第二密封膜。 1 0.如申請專利範圍第 9項之方法，其中聚矽氮烷 (polysilazane)係藉由利用旋佈法、浸泡法、流動法、滾動塗佈法及細網印刷法其中之一方法而施加者。 1 1 .如申請專利範圍第 9 項之方法，其中聚矽氮烷 (ρ ο 1 y s i 1 a z a n e)係在半乾狀。

-2- I27Q313 七、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第1圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 1 玻璃基板 2 E L構件 3 陽極 4 有機發光層 5 陰極八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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