TWI267965B - Electric circuit device and process for making same - Google Patents

Description

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五、發明說明G) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電路裝置及其製造方法，特別θ 用2片導電膜之薄型，同時可實現多層配線疋有關使 製造方法。 包路褒置的 【先行之技術】 近年、隨著可攜帶型機器、小型化·高密度安 =風行，對於傳統的I C組件及其安裝概念有相$ =裝機器 變。如特開2 0 0 0 - 1 3 3 6 7 8號公報所述一般。以的改 Α加 、乡巴緣榭π昆 1例’係與採用撓性層的聚醯亞胺樹脂層的丰遣遍Γ如層 &技術。 干¥體裝置相 弟12圖至第14圖為，採用撓性層50做為插入、把 基板的圖示。此外，顯示於各圖上方的圖面為二3^擇指 示於各圖下方的圖面為A-A線的剖面圖。 面圖’顯 ' 首先在第12圖所示之撓性層50的上方， 鋼荡圖案51貼合備用。㈣圖案51，配合所‘：：將 疋件為電晶體、或是1C，而有不同的圖荦，^ +導體 成接合焊墊51A、島邱51R。士冰 —α茶不過一般多形 既c 島邓51Β此外，符號52為，用以白娃a 層5 0的内部取出電極的開口部， 自撓性 笛圖案51。 自該開口部露出前述的銅 •接著’該撓性層50’被搬送至晶片接合裝置， 1 3圖所示，被安裝以半導體元件53。 第 被搬送至線搭接裝置，並萨由全屬 〜撓性層50， ^ A 精由金屬細線5 4以電性方式遠接 接合焊墊51A及半導體元件53的焊墊。 私注方式連接 最後，如第14(A)圖所示，y-a 坏丁 在撓性層50的表面，配 瞧

313706.ptd 第6頁 1267965 五、發明說明（2) 置拴封柄·脂5 5並加以密封。在此，進行移隸握 合焊塾…、島部51B、半導體元件53及金=;二覆蓋接 之後’如第14圖（B)所示，藉由裝設錄總 等連接襄置5 6，並通過銲錫回流接合爐，而介5 ‘錫球 形成與接合焊墊51A融接的球狀銲錫56。 * 口部52 性層5〇上，半導體元件53形成矩陣狀之故门\由，在撓 示—般，將其切割，而使其個別分離。 第14圖所 顯示在撓性層5 0 ’一般而言，其兩 此外’第1 4圖（C )所示之剖面圖， 的兩面形成電極51 A及51D。該撓性層5〇 面均形成有圖案並由製造廠商提供。 【發明所欲解決之課題】 因未使用眾所周 知之2 3之撓性層50之半導體裝1……… 停％ ί Ϊ垂而具有可實現小型化、薄型的組件構造之 vim，際上卻因其僅利用裝設於撓性層表面的 層鋼、_51進行配線’而有無法達成多層 造的 问題點。 声乂ur見多層配線構造必須具有-定的支撐強 J =生層50必須具有20 0 “的厚度 無 法達到薄型化的目的。 个 裝置此：如ΐϊ造方法上’撓性層50被搬送至前述之製造 ;流接八爐ΐ接ΐ ί ί、線搭接裝置、移轉模塑裝置、 分：“爐專，亚被女裝於被稱為載物台或工作台的部 然而，做為撓性層50之主材料之絕緣樹脂的厚度薄於

1267965 、發明說明（3) 日π ’形成於其表面的銅箔圖宰η的 為9至3Wra，此時，如第15圖所示、，將的/度亦隨之變薄 搬送性變差之外，·具有不便安袭於前述^二：導： 台的缺點。一般認為該問題係起因於絕 。或= 產生的翹曲、丨由銅箔圖案5 i與絕緣樹脂二：士身過溥所 差異所造成的翹曲。特別是像玻螭布纖維：K:: 質絕緣材料，產生如第15圖所示之鍾曲:有-=的= 下加壓時極易碎裂的問題。 月况4，在由上在 此^在開η部52的部分，模塑時由於係由行 泰’而在接合焊塾51 Α的周邊產生向上麵 有使接合焊墊5 1 A的接合性惡化的情形。 、 構成撓性層50的樹脂材料本身未 = 性而混入填料時，㈣使其變硬=狀^ 缝。此Ϊ ;裝置進行接合時’會在接合的部分產生裂 生裂缝。兮ί進仃移轉杈塑時，在模具抵接的部分亦會產 形嚴重。^清形在產生第15圖所示之翹曲情況下問題將更 極，二所說明的撓性層5° ’ “部㈤未形成有電. •極51D。此士圖（二所*，撓性層5〇内㈣時亦會形成 製造裝置二νΛΛ5,接前述M造以、純接該 產生損傷。/ ^ ^裝置的擻迗面，而造成電極5 1 D的背面 埶而使電搞ς !產生損傷的情況下形成電極時，之後將因加 …此外H本身產生裂縫。 仕繞性層5 0的背面裝設電極5 1 D時，在進行移

第8頁 Η 1267965 五、發明說明（4) 轉膜塑時，將發生無法面接觸載物台的問題。此時，若前 述撓性層5 0係以堅硬的材料形成，則因電極5 1 D變為支 點，電極5 1 D的周圍在下方受到加壓之故，而有撓性層5 0 產生裂縫的問題。 【用以解決課題之手段】 本發明係有鑑於上述問題而創作發明，本發明之第1 項發明為構造上，具備：第1導電膜；第2導電膜；將前述 第1導電膜及前述第2導電膜接合為薄片狀之絕緣樹脂；蝕 刻前述第1導電膜所形成之第1導電配線層；蝕刻前述第2 導電膜所形成之第2導電配線層；利用電性絕緣被固定於 前述第1導電配線層上的半導體元件；在所希望的位置上 貫通前述絕緣樹脂，以連接前述第1導電配線層與前述第2 導電配線層的多層連接裝置；覆蓋前述第1導電配線層及 前述半導體元件的密封樹脂層；裝設於前述第2導電配線 層的所望位置的外部電極。 利用極薄的絕緣樹脂對前述第1導電膜及前述第2導電 膜進行電性絕緣的同時，在物理上形成一體化的薄層，利 用第1導電膜形成第1導線配線層，以第2導電膜形成第Z導 電配線層，再利用多層配線裝置連接第1導電配線層及第2 導電配線層以實現多層配線構造。 此外，由於半導體元件係利用外層樹脂與第1導電配 線層進行電性絕緣並加以固定，因此可在半導體元件的下 方任意圍繞第1導電配線層。 本發明之第2項發明為製造方法上，係藉由具備以下

313706.ptd 第9頁 1267965 五、發明說明（5) 步驟，以解決上述之課題：以絕緣樹脂接合第1導電膜與 第2導電膜的電路基板的準備步驟；於前述電路基板的所 希望的位置的前述第1導電膜與前述絕緣樹脂上形成貫通 孔，選擇性地露出前述第2導電膜背面的步驟；在前述貫 通孔形成多層連接裝置，以進行前述第1導電膜及前述第2 導電膜的電性連接之步驟；將前述第1導電膜蝕刻成所希 望的圖案以形成第1導電配線層之步驟；於前述第1導電配 線層進行電性絕緣以固定半導體元件之步驟；以密封樹脂 層覆蓋前述第1導電配線層及前述半導體元件之步驟；將 _述第2導電膜蝕刻成所希望的圖案以形成第2導電配線層 之步驟；在前述第2導電配線層的所希望的位置形成外部 電極之步驟。 - 第1導電膜與第2導電膜形成一定的厚度，因此即使絕 緣樹脂的厚度較薄亦可維持薄板狀的電路基板的平坦性。 此外，在完成以密封樹脂覆蓋第1導電配線層及半導 體元件的步驟以前，係以第2導電膜維持機械性強度、之 後由於係利用密封樹脂層維持機械性強度，因此利用第2 導電膜即可輕易形成第2導線配線層。其結果將使絕緣樹 脂無需機械性強度，而能夠變薄並形成可保持電性絕緣的 度。 此外，由於移轉膜塑裝置的下膜與表面因可接觸整體 的導電膜，因此不僅不會產生局部加壓，同時亦可抑止絕 緣樹脂的裂縫的發生。 此外，因第1導電膜係在貫通孔形成多層連接裝置

313706.ptd 第10頁 1267965 五、發明說明（6) 後，形成第1導電配線層，因此其可在沒有遮罩的情況下 形成多層連接裝置。 【發明之實施形態】 以下說明電路裝置的第1實施形態。 本發明之電路裝置，如第1圖所示，係具備：第1導電 膜3;第2導電膜4;將前述第1導電膜3及前述第2導電膜4 接合為薄片狀之絕緣樹脂2 ;蝕刻前述第1導電膜3所形成 之第1導電配線層5 ;蝕刻前述第2導電膜4所形成之第2導 電配線層6 ;利用電性絕緣固定於前述第1導電配線層5上 的半導體元件7 ;在所希望的位置上貫通前述絕緣樹脂2， 以連接前述第1導電配線層5與前述第2導電配線層6之多層 連接裝置12;覆蓋前述第1導電配線層5以及前述半導體元 件7之密封樹脂層1 3 ;裝設於前述第2導電配線層6的所望 位置之外部電極1 4。 首先對絕緣樹脂層進行說明。第3圖，整體為絕緣樹 脂層1，中間配設有絕緣樹脂2。在該絕緣樹脂2的表面形 成有第1導電膜3，背面則形成有第2導電膜4。 亦即，在絕緣樹脂層1的表面的實質區域整體形成第' 1 導電膜3，其背面的實質區域整體則形成第2導電膜4。絕 緣樹脂2的材料，是由聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等高分子 所組成的材料所構成。此外，第1導電膜3及第2導電膜4， 最好使用以Cu為主的材料，或眾所周知的引線架的材料， 或是利用電鍍法、蒸著法或濺射法而以絕緣性樹脂加以覆 蓋，或貼以藉由壓延法、電鍍法所形成的金屬箔。

313706.ptd 第11頁 1267965 五、發明說明（7) 此外絕緣樹脂層1，可利用鑄模法來形成。以下簡單 說明其製造方法。首先在平膜狀的第1導電膜上塗抹一層 糊狀的聚醯亞胺樹脂，另在平膜狀的第2導電膜上亦塗抹 上一層糊狀的聚醯亞胺樹脂。在兩方的聚醯亞胺呈半硬化 狀態後將其貼合即形成絕緣樹脂層1。因此，絕緣樹脂層1 無需使用具補強效果的玻璃布纖維。 本發明之特點，係讓第2導電膜4形成較第1導電膜3為 厚的導電膜。 第1導電膜3形成約5至35/z m左右的厚度，儘量形成較 籲的導電膜以利於精細圖案的形成。第2導電膜4的厚度以 在7 0至2 0 0 /z m之間為佳，其必須具有一定的支撐強度。 如此，藉由增加第2導電膜4的厚度，可維持絕緣樹脂 詹1的平坦性，提升其後的步驟的作業性，並避免於絕緣 樹脂2上產生缺陷及裂縫等。 此外，由於可在維持平坦性的同時讓密封樹脂硬化， 因此組件的背面亦能維持平坦，形成於絕緣樹脂層1背面 的電極亦能以平面的方式配置。如此，即可使安裝基板上 的電極與絕緣樹脂層背面的電極相抵接，避免銲錫不良的 問題產生。 • 絕緣樹脂2的材料，以聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等為 佳。塗以漿狀物使其形成薄片之鑄模法，其膜厚約為1 0 // -in至1 0 0 // m的程度。此外，形成薄片狀時，一般市面所販 賣的，其最小膜厚多為2 5 // m的厚度。此外，考慮到樹脂 片的熱傳導性，可於其中混入填料。填料可為玻璃、氧化

313706.ptd 第12頁 1267965 五、發明說明（8) S i、氧化鋁、氮化A 1、S i碳化物、碳化硼等材料。 如上所述，絕緣樹脂2的材料，可由混入填料之低熱 抵抗樹脂、超低熱抵抗樹脂或聚醯亞胺樹脂中加以選擇， 並依所形成之電路裝置的性質加以區別使用。 第1導電配線層5係蝕刻第1導電膜3而成。第1導電膜 的膜厚約為5//m至35//Π1，藉由#刻於周邊形成接合銲塾 1 0以及由該接合銲墊1 0向中央延伸的第1導電配線層5。所 .搭載的半導體元件的銲墊數愈多則對於精細圖案化的要求 就愈高。 第2導電配線層6係蝕刻第2導電膜而成。第2導電膜4 的膜厚約為70"111至200//m的程度，並不適於精細圖案， 但係以形成外部電極1 4為主，可視需要形成多層配線。 半導體元件7係利用接合劑固定於覆蓋第1導線配線層 5的外層樹脂8上，半導體元件7與第1導線配線層5係以電 性絕緣。如此，精細圖案的第1導電配線層5即可在半導體 元件7的下方自由進行配線，而大幅地增加其配線的自由 度。半導體元件7的各電極銲墊係利用銲線1 1而與裝設於 周邊之第1導電配線層5的一部份的接合銲墊1 0相接。此‘ 外，為進行接合，接合銲墊1 0的表面被施以金或銀的電 镀。 多層連接裝置1 2，係在所希望的位置上貫通前述絕緣 樹脂2而連接前述第1導電配線層5與前述第2導電配線層 6。對於多層連接裝置12，具體而言係以銅的電鍍膜較為 適合。此外，其亦可為金、銀或鈀等的電鍍膜。

313706.ptd 第13頁 1267965 •五、發明說明（9) 該密封j ^脂層1 3覆蓋第1導電配線層5及半導體元件7。 撐作用。' 月曰層13同時兼具對已完成之電路裝置的機械性支 即，電極14被裝設於第2導電配線層6的所望位置。亦 出的第？ 2電配線層6的大部分為外層樹脂1 5所覆蓋，在露 表包配線層6上設有以銲錫所形成之外部電極1 4。 以實螅^第2圖，說明本發明之具體之電路裝置。首先， 案為第Γ道不的圖案為第1導線配線層5，而以虛線標示的圖 β塾（bo η線配線層6。第1導線配線層5係在周邊配設接合 ▼ 〇ndingpad)l〇以包圍车遑麟一 从丄 、、士於 藉由接合引的半導體元件7。接合銲墊10 精細圖宰化的^ ^ 7所對應的電極銲墊9相連接， 半導體元件7的下方’並藉由里由點接张合杯塾10以多數延伸至 連接第2導電配線層6。 …、”沾所不之多層連接裝置12 藉由上述之構造，即使具 元件，亦可利用第丨導電配绫、 以上的銲墊的半導體 造延伸於所望之第2導電配線^ 6的，細圖案以多層配線構 ^配線層6的外部電極丨4對外^卩 亚進行由裝設於第2導 擊說明電路裝置製造方法的°的的連接。 參照第1圖至第10圖，說 ^施形態。 棄造方法。 本發明之電路裝置的 本發明之電路裝的製造方法， 絕緣樹脂2接合第1導電膜3與第2带、具備以下之步驟· %膜4之絕緣樹脂層μ 313706.ptd 第14貝' 1267965 五、發明說明（ίο) 準備步驟；於前述絕緣樹脂層1的希望位置，於前述第1導 電膜3與前述絕緣樹脂2上形成貫通孔2 1，以選擇性地露出 前述第2導電膜4背面之步驟；在前述貫通孔21形成多層連 接裝置12，以進行前述第1導電膜3及前述第2導電膜4的電 性連接之步驟；將前述第1導電膜3蝕刻成所希望的圖案以 形成第1導電配線層5之步驟；於前述第1導電配線層5上進 行電性絕緣以固定半導體元件7之步驟；以密封樹脂層13 覆蓋前述第1導電配線層5及前述半導體元件7之步驟；將 前述第2導電膜4蝕刻成所希望的圖案以形成第2導電配線 層6之步驟；在前述第2導電配線層6的所希望位置上形成 外部電極1 4之步驟。 本發明之第1步驟，如第3圖所示，為準備利用絕緣樹 脂2接合第1導電膜3及第2導電膜4之絕緣樹脂層1。 絕緣樹脂層1的表面，其實質區域形成有第1導電膜 3，而在背面的實質區域則形成有第2導電膜4。此外絕緣 樹脂2的材料，是由聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等高分子組 成的材料所構成。此外，第1導電膜3及第2導電膜4，最好 使用以Cu為主的材料，或眾所周知的引線架的材料5可利 用電鍍法、蒸著法或濺射法而由絕緣性樹脂所覆蓋，或貼 以由壓延法、電鍍法所形成的金屬箔。 此外絕緣樹脂層1，可利用鑄模法來形成。以下簡單 說明其製造方法。首先是在平膜狀的第1導電膜3上塗抹一 層糊狀的聚醯亞胺樹脂，另在平膜狀的第2導電膜4上亦塗 抹上一層糊狀的聚醯亞胺樹脂。而在兩方的聚醯亞胺呈半

313706.ptd 第15頁 1267965 —:丨 , i、發明說明（11) 硬化狀態後將其貼合即形成^ 本發明之特點在於，第缘樹脂層1。 膜3 形成為厚的膜厚。 ‘電膜4係形成較第1導+ 第1導電膜3的厚度形成 ' 成為較薄的導電膜以利於精細=5至35 # m的厚度，儘量形 厚度以在70至2 0 0 # m之間為佳圖案的形成。第2導電膜4的 強度。 強調必須具有一定的支撐 、％緣樹脂2的材料，以取 。塗以塗漿狀使之形成薄|片驗亞胺樹脂、環氧樹脂等為 的程度。此外，以^鑄模法，其膜厚在1Mm 售的最小膜厚多為25 /ζ πι。此外狀形成時，一般市面所販 性，可於其中混入填料。填料’考慮到樹脂片的熱傳導 銘、氮化A 1、S i碳化物、破彳卜二為玻璃氧化S i、氧化 如上所述，絕緣樹脂2的材 抵抗樹脂、超低熱抵抗樹脂或 巧j由叱入填料之低熱 並依所形成之電路裝置的性質加，，胺树脂中加以選擇， 吩衣罝97旺貝加以區別使用。 本發明之第2步驟，如第4圖所示，私―妨a 2^1 ^ Μ m 2± 1 M選擇性地露出第2導電膜4。 节〃、路出形成第1導電膜3的貫通孔2 1的部分，並利用光 阻曾劑覆蓋全體。之後隔介光阻劑蝕刻第1導電膜3。由於第 I V電膜3係以Cu為主材料，因此蝕刻液可使用鹽化第2鐵 或鹽化第2銅以進行化學蝕刻。貫通孔2丨的開口徑，隨著 先微衫的解像度而有所變化，在此約為5 〇至1 〇 〇 # ^的程

1267965 五、發明說明（12) 度。此外，在進行蝕刻時，第2導電膜4係利用具接合性的 薄片加以覆蓋以避免蝕刻液的侵蝕。但是若第2導電膜4本 身具有一定的膜厚，在蝕刻後依然能夠維持一定的平坦 性，那麼輕微的蝕刻便不會對其造成影響。此外，第1導 電膜3多以A 1、F e、F e - N i或眾所周知的引線架為材料。 接著，在去除光阻劑之後，以第1導電膜3做為遮罩， 利用雷射去除貫通孔2 1正下方的絕緣樹脂2，以露出貫通 孔2 1底部的第2導電膜4的背面。雷射以二氧化碳雷射為 佳。此外，利用雷射蒸發絕緣樹脂後，開口部的底部如留 有殘渣，此時可利用過錳酸鈉鹼或過硫酸銨進行蝕刻，以 去除殘渣。 此外，在本步驟中，第1導電膜3的膜厚為10# m程度 的薄膜時，利用光阻劑覆蓋貫通孔以外的部分後，利用二 氧化碳雷射一併在第1導電膜3及絕緣樹脂2上形成貫通孔 2 1。此時必須先進行粗化第1導電膜3的表面的黑化處理步 驟。 本發明之第3步驟，如第5圖所示，於貫通孔21形成多 層連接裝置12，以進行第1導電膜3及第2導電膜4的電性連 在包含貫通孔21的第1導電膜3的全面上形成第2導電 膜4及用以進行第1導電膜3的電性連接的多層連接裝置12 的電鍍膜。該電鍍膜可藉由無電解電鍍或電解電鍍形成， 在此，利用無電解電鍍在至少包含貫通孔21的第1導電膜 全面形成約2// m厚度的Cu。藉此第1導電膜3與第2導電膜4

313706.ptd 第17頁 =t電性導通，因此再次以第丨與第2導電 進行電解電鍍，電鍍約2Mm^cu。藉此、，3*4做為電極 甚包埋’而形成多層連接裝置12。此外，，/摆\孔/1為 t Μ優自來的電鍍液時，即可選擇性地 =^ σο名為 此外’亦可利用遮罩進行部分電y^Au'Ag'pd等。 膜3餘刻為月所之希第望 1 ^查如第6圖及第7圖戶斤*，將第1導電 在笛〗Ϊ Π Q圖案，以形成第1導電配線層5。 在弟1 V包膜3上以所希望之圖案之光 ，利用化學則形成接合銲墊1〇以 覆：， 中央之第1莫帝献綠总c： 要口^塾10延伸至 料，因i H Λ 第1導電膜3係以cu為主材 】第！導電膜3形成約為3至 第K 一。 配線可形成低於50"m的精細圖案。4故第1導電 樹脂8覆蓋其他的部分。夕卜2匕的=_塾1〇，並以外層 劑溶解的聚醯亞胺曰树知8係利用網版印刷將以溶 此外，如第7圖所曰示與以附著並使之熱硬化。 g，而形成Au、Ag等的電在接合銲墊10上因考慮其接合 雪8做為遮罩，選擇性地％广膜2 2。該電鍍膜2 2係以外層樹 1 0上，或是以導電膜做由無電解電鍍附著於接合銲墊 本發明之第5步驟，^兒^極而利用電場電鍍附著於上。 上藉由電性絕緣以固定丰、、第8圖所不’於第1導電配線層5 半導體元件7以裸晶片¥體元件7。 的形式藉由絕緣性接合樹脂25 1267965 五、發明說明（14) 晶粒接合於外層樹脂8上。由於半導體元件7與在其下的第 1導電配線層5係利用外層樹脂8進行電性絕緣，因此即使 第1導電配線層5位於半導體元件7之下，依然能夠自由進 行配線，以達到實現多層配線構造之目的。 此外，半導體元件7的各電極銲墊9，係利用銲線1 1連 接於配設於周邊之第1導線配線層5的一部份的接合銲墊1 0 上。半導體元件7可以面朝下的方式來安裝。此時，半導 體元件7的各電極銲墊9的表面裝設有銲錫球或泵，而在絕 緣樹脂層1的表面，對應銲錫球的位置的部分則裝設與接 合銲墊10相同的電極（參考第11圖）。 說明在進行引線接合時，使用絕緣樹脂層1的優點。 一般而言，以Au線進行引線接合時，必須將溫度加熱至 2 0 0 °C至3 0 0 °C。此時，如果第2導電膜4的膜厚較薄，將導 致絕緣樹脂層1產生翹曲的現象，在此狀況下若介由接合 頭對絕緣樹脂層1進行加壓，絕緣樹脂層1極有可能產生龜 裂的現象。當絕緣樹脂2中混入填料時，因材料本身變硬 而喪失柔軟性，龜裂的現象將更形顯著。此外，因樹脂較 金屬柔軟，利用Au或A 1進行接合時，加壓、超音波的能量 將隨之發散。但是，可藉由形成較薄的絕緣樹脂2並加厚 第2導電膜4本身的膜厚來解決上述的問題。 本發明之第6步驟，如第9圖所示，係利用密封樹脂層 1 3覆蓋第1導電配線層5及半導體元件7。 絕緣樹脂層1，被安裝於膜塑裝置以進行樹脂膜塑。 在膜塑方法上，可利用移轉膜塑法、射出成形、塗抹、浸

313706.ptd 第19頁 1267965 .五、發明說明（15) 潰等。基於量產性的考量，則以移轉膜塑法及射出成形較 為理想。 在本步驟中，絕緣樹脂層1必須以平面抵接模製槽的 下膜，而厚層的導電膜3則可發揮該項功能。此外，自模 製槽取出後，一直到密封樹脂層1 3完全收縮為止，係利用 苐2導電膜4維持組件的平坦性。 亦即，在本步驟完成前係由第2導電膜4擔當機械性支 撐絕緣樹脂層1的任務。 本發明之第7步驟，如第1 0圖所示，係將第2導電膜4 馨刻成所希望的圖案以形成第2導電配線層6。 第2導電膜4，以所希望的圖案的光阻劑加以覆蓋，並 利用化學蝕刻形成第2導電配線層6。第2導電膜4具有較厚 的膜厚故其並不適於精細圖案化，但是由於其大部分係以 形成外部電極為目的故不會產生任何問題。第2導電配線 層6，如第2圖所示係以一定的間隔配列，介由多層配線裝 置1 2分別與第1導線配線層5進行電性連接以實現多層配線 構造。此外必要時可在余白的部分形成用以交差第1導電 配線層5的第2導電配線層6。 ‘ 本發明之第8步驟，如第1圖所示，係在第2導電配線 着6的所希望的位置上形成外部電極1 4。 第2導電配線層1 5將形成外部電極1 4的部分露出，並 -以網版印刷處理以溶劑溶解後的聚醯亞胺樹脂等，再以外 層樹脂1 5覆蓋其大部分。接著再藉由銲錫迴流在露出的部 分同時形成外部電極1 4。

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陣狀的電路裳 以切割以區分 為 表後’因絕緣樹脂層1中形成多數矩 置’故將密封樹脂層1 3及絕緣樹脂層1加 各個電路裝置。 第11圖顯示以面朝下方式安裝半導 與第！圖共通的構成要素標示以相同的符體號'件丰 =造。 :裝設有凸塊電極31，該凸塊電極31與平接電極：:件7 二真。依照該種構造可省去鲜線，心；==

2的厚度。此外’外部電極14亦可由钱刻導電膜3並=曰 或纪電鍍膜33覆蓋其表面的凸塊電極來達成。 I 【發明之效果】 根據本發明，在構造上具有以下優點。 第1，由於可形成較薄的第1導電膜，故可使第i導電 配線層達到精細圖案化，並可組裝具有i 〇〇以上的電極= 墊的半導體元件。 第2，可利用外層樹脂進行半導體元件與第丨導電配線 層的電性絕緣，配線可達半導體元件的下方，並大幅增加 第1導電配線層的配線自由度，而實現多層配線構造。‘ 第3，由於採用絕緣樹脂層，故相較於使用傳統的環 氧樹脂基板或撓性層等插入式選擇指基板，可藉由第2導 電膜及密封樹脂層來支撐機械性強度，實現極薄型的構 造 〇 第4，絕緣樹脂因使用低熱樹脂或超低熱樹脂，故不 僅可使絕緣樹脂變薄同時可大幅降低其熱抵抗，直接釋放

313706.ptd 第21頁 1267965 .五、發明說明（17) 半導體元件的發熱。 本發明，在製造方法上具有以下優點。 第1，絕緣樹脂層可利用第2導電膜解除翹曲問題，並 提昇搬送性。 第2，由於係利用二氧化碳雷射形成絕緣樹脂上所形 成的貫通孔，因此可立即進行多層連接裝置的電鍍，而簡 化製造的步驟。此外，在多層連接裝置上若使用銅電鍍， 將與銅製的第1導電膜與第2導電膜形成同一材料，而有助 於之後的步驟的簡化。 φ 第3，由於可利用電鍍膜實現多層連接裝置，故在形 成第1導電配線層前，可在無遮罩的情況下形成多層連接 裝置，並在形成第1導電配線層的同時形成圖案，如此在 开i成多層連接裝置上將變得更為簡化。 . 第4，在形成密封樹脂層前乃利用第2導電膜進行絕緣 樹脂層的機械支樓，而在第2導電配線層形成後則是利用 密封樹脂層進行絕緣樹脂層的機械支撐，因此不論絕緣樹 脂的機械強度如何，均可實現極薄型的安裝方法。 第5，不論絕緣樹脂本身為堅硬的物質，或是因混入 填料而變為堅硬的物質，由於其兩面係以第1及第2導電膜 II以覆蓋，故在製造過程中可提高絕緣樹脂層本身的平坦 性，並防止裂縫的產生。 第6，因絕緣樹脂層背面形成有厚厚的一層導電膜， 故可將其利用為進行晶片的晶粒接合、岔封線搭接裝置、 >導體元件時的支撐基板。此外，即使絕緣樹脂材本身具

313706.ptd 第22頁 1267965 五、發明說明（18) 有相當的柔軟性，同樣有助於引線接合時的能量搬移並提 昇引線的接合性。 mil 313706.ptd 第23頁 1267965 ,圖式簡單說明 【圖面之簡單說明】 第1圖為，說明本發明之電路裝置之剖面圖。 第2圖為，說明本發明之電路裝置之平面圖。 第3圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 圖。 第4圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 圖。 第5圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 參 第6圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 圖。 第7圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 ΐ 〇 . 第8圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 圖。 第9圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 第1 0圖為，說明本發明之電路裝置的製造方法之剖面 圖。 _ 第1 1圖為，說明本發明之其他電路裝置之剖面圖。 第12圖為，說明傳統之電路裝置的製造方法之面圖。 第1 3圖為，說明傳統之電路裝置的製造方法之面圖。 第14圖為，說明傳統之電路裝置的製造方法之面圖。 ‘ 第1 5圖為，說明傳統之撓性層之面圖。

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Claims (1)

1267965案號91111250_w年I月[气曰 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種電路裝置，係具備：第1導電膜； 第2導電膜； 將前述第1導電膜及前述第2導電膜接合為薄片狀 之絕緣樹脂； 蝕刻前述第1導電膜所形成之第1導電配線層； 蝕刻前述第2導電膜所形成之第2導電配線層； 利用電性絕緣方式固定於前述第1導電配線層上的 半導體元件； 在所希望的位置上藉由設於前述第1導電配線層與 I前述絕緣樹脂之貫通孔以連接前述第1導電配線層與前 胃述第2導電配線層之多層連接裝置； 覆蓋前述第1導電配線層及前述半導體元件之密封 ' 樹脂層；以及 . 設於前述第2導電配線層的表面的預定位置的外部 電極。 2. 如專利申請範圍第1項之電路裝置，其中，前述第2導 電膜較第1導電膜的膜厚為厚並具有一定的支撐強度。 3. 如專利申請範圍第1項之電路裝置，其中，前述絕緣性 樹脂的主成分為聚酸亞胺樹脂或极氧樹脂。 4_如專利申請範圍第1項之電路裝置，其中，前述絕緣樹 脂較第2導電膜的膜厚為薄。 5.如專利申請範圍第1項之電路裝置，其中，前述半導體 元件係固定於覆蓋前述第1導線配線層之外層樹脂上。

313706(修正版）.ptc 第26頁 1267965 案號91111250 ^年ί月q 修正 六、申請專利範圍 6.如專利申請第1項之電路裝置，其中，前述多層連接裝 置為導電金屬的電鍍膜。 .如專利申請範圍第1項之電路裝置，其中，前述第2導 電配線層的大部分為外層樹脂所覆蓋，在露出於該外 層樹脂的希望位置上設由銲錫所形成的外部電極。 8. —種電路裝置之製造方法，係具備：以絕緣樹脂接合 第1導電膜與第2導電膜而形成之絕緣樹脂層的準備步 驟； 於前述絕緣樹脂層的預定位置的前述第1導電膜以 及前述絕緣樹脂上形成貫通孔，選擇性地露出前述第2 導電膜背面之步驟； 在前述貫通孔形成多層連接裝置，以電性連接前 述第1導電膜及前述第2導電膜之步驟； 將前述第1導電膜蝕刻成所希望的圖案以形成第1 導電配線層之步驟， 於前述第1導電配線層上進行電性絕緣以固定半導 體元件之步驟， 以密封樹脂層覆蓋前述第1導電配線層及前述半導 體元件之步驟； 將前述第2導電膜蝕刻成所希望的圖案以形成第2 導電配線層之步驟， 在前述第2導電配線層的希望位置上形成外部電極 之步驟。 9. 如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中，

3]3706(修正版）.ptc 第27頁 1267965案號9111125ο 年丨月w曰 修正_ 六、申請專利範圍 前述第1導電膜及前述第2導電膜係以銅箔形成。 1 0 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述第1導電膜形成較前述第2導電膜為薄的膜厚 ，使前述第1導電配線層形成精細圖案。 11.如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述第1導電膜形成較前述第2導電膜為厚的膜厚，在 以前述密封樹脂覆蓋的步驟完成以前係利用前述第2導 電膜做機械式支撐。 1 2 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， ^ 在完成以前述密封樹脂覆蓋的步驟後，係利用前 _述密封樹脂層進行機械式支撐。 1 3.如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述貫通孔在姓刻前述第1導電膜後，係以前述第 _ 1導電膜為遮罩以進行前述絕緣樹脂的雷射蝕刻。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之電路裝置之製造方法，其中 前述雷射蝕刻係使用二氧化碳氣體雷射。 1 5.如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述多層連接裝置係利用導電金屬的無電場電鍍 •及電場電鍍形成於前述貫通孔及前述第1導電膜的表面 〇 1 6 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 在形成前述第1導電配線層後，係以外層樹脂覆蓋 所希望的部分以外的部分。

313706(修正版）.ρ1χ 第28頁 1267965案號91111250_p3年，月π曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 7.如申請專利範圍第1 6項之電路裝置之製造方法，其中 在前述第1導電配線層的所希望的位置上形成金或 銀的電鍍層。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之電路裝置之製造方法，其中 ， 將前述半導體元件固定於前述外層樹脂上。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之電路裝置之製造方法，其中 係利用銲線將前述半導體元件的電極與前述金或 銀的電鍍層相連接。 2 0 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述密封樹脂層係以移轉膜塑法形成。 2 1.如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述第2導電配線層的大部分為外層樹脂所覆蓋。 2 2 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述外部電極係利用銲錫的網版印刷附著銲錫， 並加熱溶融而成。 2 3 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述外部電極係利用銲錫的迴流銲接形成。 2 4 .如申請專利範圍第8項之電路裝置之製造方法，其中， 前述外部電極係將前述第2導電膜蝕刻為所希望的 圖案並在其表面進行金或鈀電鍍而形成。

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