TWI261335B - Slicing method of the wafer back surface - Google Patents
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Description
1261335 案號〔)〇!⑽8;11 …车.[.；：] ϋ 五、發明說明（i:) 【發明領域】 本發明係有關於一種晶圓背面切割方法，其特別是有關於 將晶圓研磨過薄時需要利用支撐片予以支撐，因而晶圓切 割前無法去除該支撐片時，或其他特定因素如降低晶圓正 面受損之風險，因而無法利用晶圓正面進行切割時，必須 選擇利用晶圓背面進行切割之方法。 【先前技術】 第一圖揭示習用切割裝置從晶圓之正面劃割製程之示意 圖。請參照第一圖所示，於8 9年1 2月1 1日中華民國專利公 報公告第4 1 5 0 3 6號之「晶圓分割裝置及使用該裝置之晶圓 分割方法中揭示使用於晶圓分離方法」揭示晶圓分離方 法，該方法包含下列步驟：提供一晶圓1其具有複數半導 體元件；沿介於半導體元件間之劃割線劃割晶圓至預定深 度裝晶圓於具有複數真空抽取裝置之彈性層上，使個 別半體係對正對應的個別真空抽取裝置；以真空抽取裝 置夾持晶圓於彈性層上；沿劃割線藉施加機械力於晶圓而 將晶圓分離成個別半導體晶片。其中該晶圓切割方法係利 用切割裝置3之旋轉式鑽石頭刀或雷射劃割該晶圓1之晶圓 正面11，再將已劃割之晶圓1夾持於具有真空裝置之彈性 層上，最後以機械力施加於晶圓1之劃割線上，將該晶圓1 分離成個別半導體晶片。該第4 1 5 0 3 6號利用切割裝置3劃 割晶圓正面11之方式，該方式通常僅能適用於將晶圓背面 磨薄至預定厚度，以免晶圓厚度過薄導致晶圓本身在結構 上發生變形〔d e f 〇 r m a t i ο η〕，因而需要以支撐片補強支 撐該晶圓，使該晶圓無法利用習用的晶圓正面切割方式進
C:\Logo-5\Five Continents\PK7790a. ptc 第5頁 1261335 :¾¾ 90109834 I 1 日 分正 一 丨 ^―— —— _ -丨 -丨 i i ^一™™«τ·™ ™
五、發明說明：2、 I ί亍切割。當進行切割該晶圆正面時，該切割晶圓正面僅能 週用切割具有預疋厚度之晶圓。在切剖’品圓過程中尸/γ座生 的碎削往往發生污染晶圓正面之情事，因而增加晶圓正面 受損的風險。因此在晶圓正面進行切割不但具有晶圓厚度 不能過薄的限制條件，而且亦增加晶圓正面受損的風險。 由上所析，目前晶圓切割已趨向不適合使用晶圓正面直接 進行切割，因此必然尋找其他切割方法替代目前的晶圓正 面切割方式。 有鑑於此，本發明改良上述之缺點，提供選擇利晶圓背 面之切割方法，以替代習用之晶圓正面切割方法，其不但 在切割條件上不受晶圓厚度的限制，且必然降低晶圓正面 切割受損之風險而提升晶圓切割之製程良率。 【發明概要】 本發明之主要目的係提供一種晶圓背面切割方法，其提 擇利晶圓背面之切割方法，其在切割製程條件上不受 晶圓厚度的限制，使本發明具有提升晶圓之切割裕度之功 效。 本發明之主要目的係提供一種晶圓背面切割方法，其提 供選擇利晶圓背面之切割方法，其降低晶圓正面切割受損 之風險，使本發明具有提升晶圓切割之製程良率之功效。 根據本發明之晶圓背面切割方法，該方法包含下列步 驟；將一晶圓之正面結合於一支撐片，其背面設有數個輔 助切割記號；利用切割裝置在該晶圓之背面上沿該輔助切
C:\Logo-5\Five Continents\PK7790a. ptc 第6頁 1261335 案號 90109831 .弓 曰 五、發明說明ί 3) 為了讓本實驗之上述和其他目的、特徵，和優點能更明 確特徵，本文特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下。 本發明之晶圓背面切割方法主要提供選擇利晶圓背面之 切割方法，以替代習用之晶圓正面切割方法，其不但在切 割條件上不受晶圓厚度的限制，且必然降低晶圓正面切割 受損之風險而提升晶圓切割之製程良率。 第二圖揭示本發明較佳實施例晶圓正面之上視圖。第三 圖揭示本發明較佳實施例晶圓正面之局部放大圖^第四圖 揭示本發明較佳實施例晶圓背面切割之示意圖。 請參照第一、二、三及四圖所示，本發明較佳實施例之 晶圓背面切割方法：一晶圓1之正面11上疊置結合一支撐 片2，該正面11與支撐片2以適當方式結合並可去除，依一 圓晶圓臨時性定位方式而言，本發明係可選擇以夾 勒貼或真空吸持方式結合該正面1 1及支撐片2，及藉 由移除夾具、黏膠或停止抽真空等方式將該支撐片2由該 正面1 1去除。該支撐片2在該晶片1之正面1 1上形成保護 層，該晶片1之背面1 2上設有數個輔助切割記號 〔a 1 i g n m e n t m a r k〕1 3，如第三圖所示，該記號1 3係利用 磨床研磨該晶圓1之背面1 2時，一併設置形成在該背面1 2 上，該記號1 3供切割裝置定位切割晶圓，如第二圖所示； 將該晶圓1之背面12朝向切割裝置3之刀具32方向置於一平 臺3 1上，如第一圖所示，此時，該晶圓1之正面1 1之支撐 片2位於平臺3 1上，第四圖所示；該切割裝置3在該晶圓1 之背面1 2上沿該輔助切割記號1 3及預定路徑進行切割，如
C:\Logo-5\Fi ve Cont i nents\PK7790a. ptc 第7頁 1261335 案妮 Π〇1Πί)8:]，ί I 1 日 五、諸丨H說明ί 4 ) 第四圖所示，使該晶圓1形成數個半導體晶片。在晶圓切 割後段製程上，利用適當製程方法去除晶圓1切割後殘留 在晶片正面上的支撐片2 1以便進行接續的封裝製程。 請再參照第二圖所示，晶圓1之支撐片2材質較佳由具有 剛性之物質如玻璃等製造，該支撐片2保護晶圓1之正面1 1 受製程污染，降低晶圓正面切割受損之風險。此外，支撐 片2防止晶圓1在結構上產生變形，因而任何厚度的晶圓1 皆可藉由該支撐片2予以支撐，使晶圓1在切割製程條件上 不受晶圓厚度的限制，本發明之切割方法提升晶圓之切割 裕度。 請再參照第一及四圖所示，在進行晶圓背面切割時，切 割裝置3沿預定路徑來回切割，該切割路徑沿縱向及橫向 ^形成網隔狀對應於晶圓1之切道〔未標示〕，該切割裝置3 具32較佳為旋轉式鑽石頭刀或雷射刀。 本^發明之晶圓背面切割方法相較於先前技術之正面切割 方法，本發明提供選擇利晶圓背面之切割方法，以替代習 用之晶圓正面切割方法，其不但在切割條件上不受晶圓厚 度的限制，且必然降低晶圓正面切割受損之風險而提升晶 圓切割之製程良率。 雖然本發明已以前述較佳實施例揭示，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内，當可作各種之更動與修改，因此本發明之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
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Claims (1)
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案號 ί)0! 0983.1 六、申請專利苑圍 1 、一種晶圓背面切割方法，該方法包含： 將一晶圓置於一切割裝置内，以便該切割裝置利用一 刀具在該晶圓之背面進行切割，且在該晶圓之背面進 行磨薄時，將數個輔助切割記號割劃該晶圓之背面上 ;及 利用該切割裝置沿該輔助切割記號切割該晶圓背面。 2、 依申請專利範圍第1項所述之晶圓背面切割方法，其 中在該晶圓之背面上設置形成數個輔助切割記號時， 該切割裝置在該晶圓之背面上沿該輔助切割記號及一 預定路徑進行切割。 3、 依申請專利範圍第2項所述之晶圓背面切割方法，其 中係利用一磨床研磨該晶圓之背面，以便在該背面上 一併設置形成該輔助切割記號供該切割裝置定位切割 晶圓。 依申請專利範圍第1項所述之晶圓背面切割方法，其 中該晶圓之正面上疊置結合一支撐片。 5、 依申請專利範圍第4項所述之晶圓背面切割方法，其 中該支撐片由具有剛性之物質製成，該剛性物質至少 選自玻璃。 6、 依申請專利範圍第4項所述之晶圓背面切割方法，其 中在晶圓切割後段製程上’去除晶圓切割後殘留在晶 片正面上的支撐片。 7、 依申請專利範圍第1項所述之晶圓背面切割方法，其 中該切割裝置為旋轉式鑽石頭刀。
C:\Logo-5\Five Continents\PK7790a. ptc 第10頁 1261335 a" r 案號 90109834 …羊 ，^Γ 日 ί冬正
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114025483A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-02-08 | 益阳市明正宏电子有限公司 | 一种提高碳油板电测良率的加工方法 |
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2001
- 2001-04-23 TW TW90109834A patent/TWI261335B/zh not_active IP Right Cessation
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