TWI261327B - Method for bonding a chip for chip-on-film package - Google Patents

Description

1261327 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜覆晶封裝方法，特別係有關 於一種薄膜覆晶封裝之晶片接合方法。 【先前技術】 薄膜覆晶封裝技術（COF，ChiP〇nFilm)可將驅動IC 及其電子零件直接接合在一薄膜（Film)上，省去傳統的印 • 刷電路板，達到更輕薄短小的目的，可運用於例如行動電 話、液晶顯示器等面積不大的產品上。 在1知薄膜覆晶封裝之晶片接合方法中，請參閱第1 圖，首先提供一壓合治具，該治具係包含有一壓合頭i i 及一壓焊座12,該壓合頭U與該壓焊座12係皆為硬質金 屬材料。提供一可撓性基板110，該可撓性基板11〇之一 上表面111係具有一線路層113及複數個連接墊114，該 線路層113上係形成有一覆蓋層115，防止該線路層113 瞻 X到污染。放置一晶片120於該壓焊座12上，該晶片120 之一主動面121上係設置複數個凸塊123，其中該些凸塊 123係包含金。 請參閱第2圖，接著熱壓合該可撓性基板11()與該晶 片120，加熱該壓合頭U與該壓焊座12並將該壓合頭n 下壓至該可徺性基板110之一下表面112，通常在薄膜覆 晶（cof)封裝製程中該壓合頭η之設定溫度係低於該壓焊 座12之設定溫度。該可撓性基板11〇之該些連接墊114 係對準於該晶片120之該些凸塊123，以電性導接該可撓 1261327 . * 性基板11 0與該晶片1 2 0。然而，該壓合頭11係為硬質材 料，其壓焊至該可撓性基板11 〇時，由於該可撓性基板η 〇 係為平坦狀，並且該晶片120上之該些凸塊123在製作形 成過程中會產生高度誤差，無法使得該些凸塊123之高度 完全一致，若該壓合頭11下壓之力量過大，容易使得先 接合之較高凸塊變形量過大而與相鄰凸塊產生電性短 路，若該壓合頭11下壓之力量不足，則該可撓性基板u〇 φ 之部分連接墊114與該晶片120之較低凸塊123無法完全 電性導接，進而產生假銲之情形。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於提供一種薄膜覆晶封裝之 晶片接合方法，一壓合治具之一壓合頭係具有一軟質表 面，利用一熱壓合步驟使一可撓性基板電性導接至一晶 片，藉由該壓合頭之該軟質表面下壓至該可撓性基板，使 該些連接墊與該些凸塊完全電性導接，防止假焊之情形產 • 生。 依據本發明，一種薄膜覆晶封裝之晶片接合方法係提 供一壓合治具，該治具係包含有一壓合頭及一壓焊座，其 中該壓合頭係具有一軟質表面，並提供一可撓性基板，該 可撓性基板係具有一上表面及一下表面，該上表面係具有 一線路層及複數個連接墊，該線路層上係形成有一覆蓋 層’防止該線路層受到污染。放置一晶片於該壓焊座上， 該晶片係具有一主動面及一背面，該主動面上係設置複數 個凸塊，進行一熱壓合步驟，其係加熱該壓合頭與該壓焊 1261327 % ·工〒俊碌口」镜 ’其中該壓合頭 座並將該壓合頭下壓至該可撓性基板 性基板之該些連接墊與該晶片之該些 之溫度係低於該壓焊座之溫度。 【實施方式】 請參閱第3圖，本發明之一具體實施例係揭示一種薄 膜覆晶封裝之晶片接合方法，首先提供一壓合治具，該治 具係包含有一壓合頭21及一壓焊座22,其中該壓合頭^ • 係具有一軟質表面23，在本實施例中，該壓合頭21係為 具有一硬質本體24以及一軟膜25，該軟膜25之厚度係約 為1〇〇微米，以提供該軟質表面23，該軟膜25之材質係 可為塑膠或橡膠類，該壓焊座22係為硬質金屬材料。此 外，該壓合頭21亦可直接選用一種單件式軟質壓合材料。 提供一可撓性基板2 1 0，該可撓性基板2丨〇係具有一 上表面211及一下表面212，該上表面211係具有一線路 層213及複數個連接墊214，該線路層213上係形成有一 • t蓋層215，以防止該線路層213受到污染。放置一晶片 220於該壓焊座22上，該晶片22〇係具有一主動面221及 一背面222，該主動面221上係設置複數個凸塊223，其 中該些凸塊223係包含金。 請參閱第4圖，接著進行一熱壓合步驟，其係加熱該 壓合頭21與該壓焊座22並將該壓合頭21下壓至該可撓 性基板210，該壓合頭21之溫度係介於25〜2〇(rc，該壓 焊座22之溫度係介於360〜420。(：，其中該壓合頭21之溫 度係低於該壓焊座22之溫度。該可撓性基板21〇之該些 7 1261327 連接墊214係對準於該晶片22〇之該些凸塊223，以電性 導接忒可撓性基板2 1 〇之該些連接墊2丨4與該晶片之 該些凸塊223，由於該壓合頭21之該軟質表面23壓焊至 該可撓性基板210時，該軟質表面23能產生一適當之變 形以使該可撓性基板2 1 〇之該些連接墊2丨4係完全電性導 接至該晶片220之該些凸塊223，防止假銲之情形產生。 本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 2為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保 圍。 【圖式簡單說明】 第1圖 習头薄膜覆曰曰封裝製程中晶片於熱壓合步驟前之 截面示意圖。 第2圖 習知薄膜覆晶封裝製程中晶片於熱壓合步驟時之 截面示意圖。 第3圖 依據本^明之具體實施例，在一種薄膜覆晶封 ^ 裝製程中一晶片於熱壓合步驟前之截面示意圖。 【主要元件符號說明】 第4圖&據本發明之一具體實施例，在該薄膜覆晶封裝 製程中該晶片於熱壓合步驟時之截面示意圖。 11 壓合頭 12 壓焊座 21 壓合頭 22 壓焊座 24 硬質本體 25 軟膜 110 可撓性基板 111 上表面 23軟質表面 下表面 8 1261327 113 線路層 114 連接墊 115 覆 蓋 層 120 晶片 121 主動面 122 背 面 123 凸塊 210 可撓性基板 211 上表面 212 下 表 面 213 線路層 214 連接墊 215 覆 蓋 層 220 晶片 221 主動面 222 背 面 223 凸塊

Claims (1)

1261327 十、申請專利範園： 1、一種薄膜覆晶封裝之晶片接合方法，包含： 提供-磨合治具，該壓合治具係包含有—壓合頭及一 壓焊座，其中該壓合頭係具有一軟質表面； 提供一可撓性基板，該可撓性基板係具有一上表面及 一下表面，該上表面係具有一線路層及複數個連接 墊； 放置一晶片於該壓焊座上，該晶片係具有一主動面及 一背面，該主動面上係設置複數個凸塊；以及 進仃一熱壓合步驟，其係加熱該壓合頭與該壓焊座並 將該壓合頭下壓至該可撓性基板，以電性導接該可撓 性基板之該些連接墊與該晶片之該些凸塊，其中該壓 合頭之溫度係低於該壓焊座之溫度。 2、 如申請專利範圍第丨項所述之薄膜覆晶封裝之晶片接 合方法，其中該些凸塊係包含金。 3、 如申請專利範圍第丨項所述之薄膜覆晶封叢之晶片接 合方法’其中該壓合頭之溫度係介於25〜2〇〇t。 4、 如申請專利範圍第丨項所述之薄膜覆晶封叢之晶片接 合方法’其中該壓焊座之溫度係介於360〜42〇t：。 5、 如申請專利範圍第1項所述之薄膜覆晶封裝之晶片接 合方法，其中該壓焊座係為硬質，且該壓合頭係具有 一硬質本體以及一軟膜。 6、 如申請專利範圍第5項所述之薄膜覆晶封裝之晶片接 合方法’其中該軟膜之材質係為塑膠或橡膠類。 1261327 7 如申請專利範圍第 _弟5項所述之薄 合方法，其中爷鉍捋+r 丁褒之日日片接 ^ 軟膜之厚度係約為100微米。 -種薄膜覆晶封裝之壓合治具，包含： 一壓合頭，其係具有一斂 頁軟貝表面，用以壓合一可撓性 基板；以及

一壓焊座，其係、為硬質金屬材料，用以承載一晶片。 9、如申請專利範圍第8項所述之薄膜覆晶封裝之:合治 具，其中該壓合頭係具有一硬質本體以及一軟膜。 1 〇、如申請專利範圍第9項所述之薄膜覆晶封裝之壓合治 具’其中該軟膜之材質係為塑膠或橡膠類。 11、如申請專利範圍第9項所述之薄膜覆晶封裝之壓合治 具，其中該軟膜之厚度係約為100微米。

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