TWI254085B - Nonelectrolysis plating device and method thereof - Google Patents
Nonelectrolysis plating device and method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TWI254085B TWI254085B TW090126453A TW90126453A TWI254085B TW I254085 B TWI254085 B TW I254085B TW 090126453 A TW090126453 A TW 090126453A TW 90126453 A TW90126453 A TW 90126453A TW I254085 B TWI254085 B TW I254085B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- plating
- substrate
- plated
- electroless plating
- holding
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
-
- H10W20/033—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1678—Heating of the substrate
-
- H10P14/46—
-
- H10W20/037—
-
- H10W20/044—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 f 合 作 社 印 製 1 1254085 A7 B7 五、發明說明(1 ) [發明之背景] [發明之技術領域] 本發明係關於一種適用於半導體基板之配線形成(包 含有:對配線用之溝等進行之鋼等金屬之填充,或助生層 形成,或用以在該助生層上進行補強而形成之補助助生層 形成)或配線保護膜形成或擴散防止膜形成之無電解電鍍 裝置及方法。 [相關技術之概述] 無電解電鍍’係指在不會從外部形成電流的狀態下, 將電鍍液中的金屬離子以化學方式還原,以在被電鍍材的 被電鑛面上形成電鐘膜的方法’該方法廣泛地使用在耐腐 蝕、耐磨性之鎳磷、鎳硼電鍍,以及印刷配線基板用鋼電 鍍等。 該無電解電鍍裝置為一般所熟知的裝置,其係具備 有·用以使無電解電鑛液溢流同時予以保持之電鑛槽;及 配置於該電鍍槽之上部,可將基板等被電鍍材予以橫向保 持且可自由上下移動的保持部;可將利用該保持部而保持 之被電鍍材浸潰(所謂的浸鍍(DIP))在電鍍槽内的電鍍液 中此外,具備有·將基板等被電鍍材朝上(面朝上)保持 之保持部;以及將電鍍液供給至由該保持部所保持之被電 鍍材之上面(被電鍍面)之電鍍液供給部;其係使電鍍液沿 者由該保持部所保持之被電鍍材上面而流動之裝置,亦為 一般所熟知者。而在面朝上型電鍍裝置方面,則有一種由 電鍍液供給部對被電鑛材上面(被電鏡面)供給電鑛液,並 本紙張尺度適用中_家標準(CNS)A4規格⑽x 297公髮) 313133 — 14—-----------------訂 *--------^線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1254085
1254085 A7 B7__ 五、發明說明(3 ^ ' 但是,在以往的DIP型夾具固定式之電鍍,不易使基 板上的流向一致,而流塗放夕 έ 呈式之面朝上型電鍍,則在流向的 控制及液溫的均勻化上均有問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第11圖係以在之DIP型無電解電錢裝置之概略構成 圖。如第11圖所示’該無電解電鍍裝置係具備有:用以蓄 積電鑛液281之電鑛處理槽28G;用以保持半導體基板W 的基板保持裝置(基板保持機構)29G。無電解電鑛,由於在 半導體基板W的被電鍍面W1與電錢液之接液部分中的溫 度非預定溫度(例如6(rc)時,無法產生良好反應,因此, 為了將電鑛處理槽280内的電鍍液281加熱並保持在預定 之疋/見度,乃於電鍍處理槽2 80取出電鍍處理槽2 8〇内 之電鍍液,並以泵P連接循環之配管282,並裝設可在配 管282中將電鑛液加熱到預定溫度之加熱器等加熱裝置 (加熱機構)283。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面,基板保持裝置290,除形成可覆蓋半導體 基板W的被電鍍面W1以外的面的形狀外,並且使半導體 基板w的被電鍍面%丨上下豎立,以浸潰於電鍍處理槽28〇 内。使半導體基板w的被電鍍面W1於電鍍處理槽28〇内 上下豎立,係由於在進行無電解電鍍時,雖會因被電鍍面 W1上的電鍍反應而產生氣體,但當該氣體滯留於被電鍍 面W1上時,將阻礙該部分之電鍍反應,因此必須使該氣 體能夠很容易地從被電鍍面W1中脫離。 但是,在上述以往之無電解電鍍裝置中,由於必須使 半導體基板W的被電鍍面W1在電鍍處理槽28〇内上下豎 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 313133 1254085 ____B7 五、發明說明( 2 U ’因此有必要將電鍍處理槽28G予以加深,而無 '達到小型化目的’同時因為必須將加熱裝置283設置在 電鍍處理槽280之外邱 甘μ · 邵,基於此點,而產生無法達到裝置 整體小型化之問題。 另-方面’對半導體基板w進行銅電鑛時,電鑛液溫 :例如在峨左右時’若產…之變化,則在!分鐘的 電鍍時間内將產生約】e 、 約L8nm的膜厚差,因此需要有極正確 之溫度管理,但如前芦 斤述,因無法將電鍍處理槽28〇予以 型化,故所收容之電鍍液量將變多,而造成電鍍液之正 碟溫度管理難以進行,除 除此之外’尚有因電鍍液使用量增 而導致用以加熱·保溫之消耗電力也隨之增加之問題。 [發明之概述] 一本發明係鐘於上述問題而創作者,其第1目的在提供 電解電鍍裝置,可㈣於被電鑛材之被電鑛面上形 戚更均勻之臈厚之電鍍膜。 :外’本發明之第2目的在提供一種無電解電鍍裝置 二::,:僅可達到裝置之小型化,同時可減少電鏟處理 、文吏用里,以達到正確之溫度管理。 為達成上述第i目的’本發明之第 鍍裝置铩具備有:星右垴舳加』 U解電 Μ你 ’、有加熱和並使被電鍍面朝下以保持 «鍍材之保持部,將預定溫度之無電解電鍍液導入電鍍 ▲並使之溢流至溢流檔板同時予以保持之電鑛槽’· 係使由前述保持部所保持之被電鑛材與前述電 鑛液相接觸以進行電鍍處理。無電解電鍍液最 本紙張(CNS)A4規格⑵0 4
I 訂 線 313133 A7 1254085 五、發明說明(5 , 好藉由向上之流向而導入至電鍍槽内。 在此,加熱部雖可裝置在保持部或以一體成形方式内 裝於保持部中,但以内裝方式較能有效且均勻地傳導熱, 故較為理想。藉此,以保持部保持被電鍍材,並以内裝於 該保持部之加熱部將被電鍍材加熱至與電鍍液相同之溫 度,並藉由將被電鍍材浸潰於預定之溫度之電鍍液中以進 行電鍍處理,可防止在進行電鍍處理中,在被電鍍材之被 電鍍面内產生溫度不勻,或電鍍溫度於電鐘處理中產生變 化,同時,籍由在電鍍室内產生向上方流動且向外擴散之 電鍍液之一定且穩定的流向,使電鍍處理中之電鍍液相對 於被電鍍材之被電鍍面之垂直方向的速度分佈(擴散層或 父界層厚度)可於被電鍍面全域上呈均勻狀態。 導入至该電鍍槽的電鍍液溫度例如為25至9〇°c,理 想為55至801:左右,此外該電鍍液流量,例如在i至 30L(公升)/min,理想為i至2〇L/min,而更理想者為1至 10L/min左右。但是,該等最適當流量係因程序溫度、還 原反應形態而有所不同。 於本發明之最佳形態中,其特徵為:前述保持部係構 成可自由旋轉之形式。因此,藉由以保持部保持被電鍍材 並使之旋轉,可使電鍍處理中之電鍍液相對於被電鍍材之 被電鍍面之垂直方向的速度分佈更為均勻^該旋轉速度, 例如為0至10〇rpm(0至l〇0min-i),而以〇至5〇rpm(〇至 50mm·1)左右為佳。但是,該等最適當旋轉速度,係因還 原反應形fe、所要求之面内膜厚均勻性而有所不同 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 313133 IΛ ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 1254085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 297公釐) A7 五、發明說明(6 ) 而於t發明之最佳形態中,其特徵為:與前述電鍍室底 面之至少由前述保持部所保持之被 - 种且古紐u + 电鐵材相對向的區域, 係具有朝上方且向外擴張之2次曲 精此’在具有電鑛 ”一人、線的區域中’電鍵液可沿著電錢室之底面形 成層“順利流動,並在流動途中防止發生局部性之旋 渴。 本發明之理想形態’其特徵為:在前述電錢槽内部設 有用以對由該電鑛槽内所保持的電鍍液進行加熱的加熱 =’或可與外部進行隔熱的隔熱材。藉此,可防止例如高 溫的電鍍液在流經電鍍室之内部時逐漸冷卻。 、、本發月之最佳形態中’其特徵為:前述保持部係利 用真空夾盤或靜電夾盤來保持基板。 欲在基板上形成均勻的流向時,基板外圍的密封(WM) 的存在係擾亂流向之主要原因。為進一步提昇面内均句性 的精確度時,基板電鍍面以無密封的形式為佳。因此,夾 盤係使用背面作為真空夾盤或靜電夾盤,而在背面外圍去 除密封。 本發明之基板處理裝置之一形態,其特徵係具備有: 於基板表面形成電鍍膜之前述無電解電鍍裝置;在藉由前 述無電解電鍍裝置對基板表面進行無電解電鍍之前,形成 觸媒層之裝置。 為達成上述第2目的,本發明之第2形態,係一種無 電解電錢方法’其特徵為:係在基板之被電鍍面朝下的狀 1 T t該被電鍍面與無電解電鍍處理液相接觸以進行處 本紙張尺度翻中國國家標準(&)Α4規格(21〇 x 313133 — ΙΊΙΙΙΙΙΙΙΙ - — — — — III ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1254085 ----------- 五、發明說明(7 ) 理。藉此,可很容易地使電鍍處理液與被電鍍面相接觸。 此外,可減少所使用之電鍍處理液的量,使電錢處理液之 正確溫度管理易於進行,同時可降低用以加熱保溫之消耗 電力。 在此,若使前述被電鍍面以傾斜狀態接觸無電解電梦 處理液,即可有效地將被電鍍面上所產生之氣體從被電梦 面上去除。 此外藉由在前述被電鍍面上使無電解電鍍處理液形 成預定方向的流向,可使於前述被電鍍面上所產生的氣 體’隨耆無電解電鑛處理液的流動而從被電鍍面上去除, 而有效地去除氣體。 此外,本發明之第2形態之無電解電鍍裝置,其特徵 係具備有:在保持於預定之電鍍處理溫度之狀態下儲存電 鐘處理液之電鍛處理液保持裝置;以及在使該被電鍰面朝 下之狀態下保持基板,同時使所保持之基板之被電鍍面與 前述電鍍處理液相接觸之構造的基板保持裝置。藉由如此 構成,可達到電鍍處理液保持裝置之小型化,及裝置整體 之小型化。 在此,前述電鍍處理液保持裝置之理想構成,係在底 面設置加熱器,並且在加熱器周圍上設置用以保持電鍍處 理液的檔板。 [圖面之簡單說明] 第1A圖至弟1C圖’係電錢步驟之一例之圖示。 第2圖係本發明之第1樣態之第1實施形態之無電解 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 313133 --------------tiui. 丨訂---------線 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 1254085 A7 B7 五、發明說明(8 ) 電鍍裝置之剖視圖。 第3圖係本發明之第1樣態之第2實施形態之無電解 電鍍裝置之剖視圖。 第4圖係具備第2圖所示之無電解電鍍裝置之基板處 理裝置之平面配置圖。 第5圖係第2圖所示之無電解電鍍裝置之變形例之剖 視圖。 第6圖係本發明之第2樣態之無電解電鍍裝置基本構 造之概略構成圖。 第7圖係本發明之第2樣態之無電解電鍍裝置之其他 實施形態之概略構成圖。 第8圖係本發明之第2樣態之無電解電鍍裝置之其他 實施形態之概略構成圖。 第9圖係本發明之第2樣態之無電解電鍍裝置之其他 實施形態之概略構成圖。 第10圖係本發明之第2樣態之無電解電鍍裝置之其 他實施形態之概略構成圖。 第11圖係以往之無電解電鍍裝置之概略構成圖。 [元件符號說明] 基板 1 a 導電層 絕緣膜 3 接觸孔 配線用溝 5 阻障層 鋼層 7 助生層 保護膜 10 基板保持部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 313133 --T------------------訂--------·* 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1254085 A7 B7 五、發明說明(9 ) 12 殼體 14、 3 4、4 8 加熱部 16 主軸 18 封片爪 20 開口 22 無電解電鍍液 24 電鍍槽 26 電錢液供給路徑 28 電鍍室 28a 底面 30 溢流檔板 32 電鏡液棑出路徑 38 真空失盤或靜電夾盤 40 > 282 心 42 被覆材 44 配管 46 加熱媒體 50 設置板 52a 、52b 裝載卸載單元 54 > 56 洗淨裝置 58 活性化處理裝置 60 觸媒職予裝置 62 無電解電鍍裝置 64 > 66 洗淨·乾燥襞置 68 > 70搬送裝置 72 暫放台 110 、290 基板保持裝置 111 旋轉驅動袖 120 電鍍處理液保持裝 121 加熱保持部 123 ί哀狀樓板 125 、281電鍍液 280 電鍍處理槽 283 加熱裝置 Η 加熱器 W 半導體裝置 W1 電鍍面 I理想實施形態之詳細說明] 以下’參照圖面說明本發明之實施形態。而在下述例 中’乃針對在形成有接觸孔或配線用溝之半導體晶圓等基 板表面進行無電解鋼電鍍,並在該接觸孔或配線用溝之内 部埋入鋼後,藉由施以CMP程序以研磨基板表面,而於基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "' ' 9 313133 —?------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1254085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明(10 ) 板表面上形成鋼配線之情形進行說明。 參照弟1A圖乃至第1 C圖說明該電鍍步驟之一例。 在半導體基板W中,如第ία圖所示,形成有半導體 元件之基板1的導電層la之上堆積有由Si〇2所形成之絕 緣膜2,藉由平板(lithography)蝕刻技術形成接觸孔3與配 線用溝4,而於其上形成由TiN等所形成之阻障層5,並 於該阻障層上藉由無電解鋼電鍍形成助生層7。而助生層7 係預先藉由濺射等而形成,而在該助生層7上有時亦會藉 由無電解鋼電鍍形成用以補強該助生層7之補助助生層。 而如第1B圖所示,藉由在半導體基板貿的表面進行銅電 鍍,可使鋼填充於半導體基板W的接觸孔3及溝4内,並 於絕緣膜2上堆積銅層6。之後,則藉由化學機械式研磨 (CMP)去除絕緣膜2上的鋼層6,如第ic圖所示,使填充 於接觸孔3及配線用溝4内的銅層6的表面與絕緣膜2的 表面形成大略同一平面,並在露出之金屬表面上形成配線 保護臈8。 第2圖係表示本發明之第丨實施形態之無電解電鍍裝 置。該無電解電鍍裝置,具備有基板保持部1〇,其係可使 於表面(被電鍍面)S形成接觸孔或配線用溝之半導體晶圓 等基板(被電鍍材)W朝下(面朝下)並予以保持。該基板保 持部10係以可自由進行上下移動並與該殼體丨2 一體旋轉 之方式,收容在朝下方開口之殼體丨2内。使用第2圖所示 之…、電解電鍍裝置’可進行銅或銅合金或姑合金之電鍵, 以形成如第1A圖所示之助生層7,並可藉由鋼電鍍進行助 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵〇 X 297公爱) ---- 10 313133 . --------^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1254085 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 A7 五、發明說明(11 ) 生層7之補強,並可藉由鋼電錢形成第1B圖所示之銅層 6,此外’進行钻合金或錄合金或銅合金之電鑛,可形/ 圖所示之配線保護膜8。進行銅電鍍時所使用的鋼電錢 液’係在硫酸銅液中加入次亞嶙酸納或乙駿酸等還原劑又 後’再加入錯化劑、pH緩衝劑、pH調整劑而形成。此外 藉由鎳合金進行電鍍時所使用的鎳電鍍液,係在氯化錄或 硫酸鎳中,為NU膜時以次亞碟酸鈉作為還原齊卜為_ 膜時則使用氫化蝴鈉作為還原劑,此外還加入有錯 pH緩衝劑等。 此外,在基板保持部10中,涵蓋較基板w之表面s 全區域s寬的锻,用以加熱基板%的加熱部(加熱器⑴ 以露出於其下方的狀態内裝於基板保持部1〇,該加敎部w 的下面係以封片18封住基板霄的形式而保持。藉此,基 板W係保持在加熱部14之下面,並藉由加熱部14,以ζ 會在基板W上產生局部性溫度不均的方式進行加熱。此 外’加熱部14具有溫度調節機㉟,藉此可將基 至任何溫度。 ’' 殼體12係連接於可進行上下動作及自由旋轉的主軸 Μ的下端,該下端設有朝内側突出且可密封基板w之周 圍部的封片爪18,此外,其周圍設置有可使基板w出入 的開口 20。 殼體12之下方配置有用以保持無電解電鍍液22的電 鍍槽24。該電鍍槽24係以例如特氟.(Tefi〇n)製造,以減 少與電鍍液之間的摩擦,其内部形成有與由底部中央延伸 本紙張尺度_巾關家標準(CNS)A4規格⑽x 297公^丁 313133 --_------I--·1111111 » — — — — — — — — IAHVI ί請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 1254085 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 發明說明(I2 ) 至上方的電鍍液供給路徑26相連 的電鍍室28。該電铲室28 . ν通用以保持電鍍液22 h、、 係以溢流檔板30包圍周円,品 在邊溢流檔板3 0的外侧,則> ° 而 藉此,電f夜22^ 有電鑛液排出路徑32。 電鍍液22從電鍍液供給 入至雷雜它9«咖 崎仏26以向上的流向被導 電鍍至28内,並溢流過溢 路徑32棑出至外部。 &板3〇而從電鏡液排出 在此,與由電鍍室28的底面28a H>所保持的基板W相對向的區域,伟;部 # '細具有例如形成牵牛 化t的流線形,朝上方向外擴展的2次曲面。藉此,在且 有電鍍室28的底面…的2次曲線的區域中,電鑛液2; 沿者電鍍室28的底面28a形成層流而暢流無阻,而不會在 流動途中發生局部性漩渦。 此外,在接近電鍍槽24内部的電鍍室28的底面 的位置上,埋設有沿著該底面叫的2次曲面而形成的加 熱部34。藉此,經加熱而由電鍍液供給路徑%導入電鍍 室28的電鍍液22即使在搬送過程中冷卻’仍可藉由該加 熱部34加熱到一定的溫度。此外,亦可設置隔熱材取代加 熱部34,而當例如電鍍液溫度不太高時,甚至可省略加熱 部或隔熱材。 ^ 本實施形態的無電解電鍍裝置,係先將基板w由開口 20放入殼體12之内部,並在載置保持於封片爪18上的狀 態下使基板保持部10下降,並以基板保持部1〇壓接保持 基板W。在該狀態下,利用内裝於基板保持部1 〇的加熱 部14將基板W全區加熱到與導入電鍍室28内的電錢液22 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) ' ------ 五 - --------訂--------^ 線 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁} 12 313133 A7 1254085
五、發明說明(D 溫度相同的一定溫度。 另一方面,由電鍍液供給路徑26將加熱至一定溫度 的電鍍液2 2導入電鍍室2 8内,並使之由溢流檔板溢流而 出。導入該電鍍槽24的電鍍液22溫度,例如在25至9〇 C ’並以55至80°C左右為佳,此外,該電鍍液22的流量, 例如在1至30L(公升)/min,而以!至2〇L/min為佳,最理 想則在1至l〇L/min左右。 在该狀態下’將基板W以例如〇至1 〇〇rpm(〇至 lOOmiir1) ’或較佳之〇至5〇rpm(〇至5〇mijrl),或更理想 之0至20rpm(0至lOmilr1)左右的旋轉速度旋轉並下降, 使基板W浸潰到電鍍室28内的電鍍液22内,以在基板w 表面進行銅電鍍處理。電鍍液的溫度及流量、基板的旋轉 速度的最適值,因各程序而有差異。 因此,藉由以基板保持部i 〇保持基板w,並以内裝 於該保持部10的加熱部14將基板w加熱到與電鍍液22 相同的溫度’同時使基板浸潰到預定溫度的電鍍液中進行 電鍍處理,以防止在電鍍處理中,基板w的表面s的面内 產生/m度不均,或電鍍溫度在電鍍處理中產生變化。同時, 藉由在電鍍至28内形成向上方流動且向外侧擴展的電鍍 液22的穩定流向,可使在電鍍處理中的電鍍液22相對於 基板W的表面S的垂直方向的速度分佈(擴散層或交界層 厚度)在該表面S的全區域形成均句狀態。藉此,可在基板 W的表面S i ’形成例如不會對CMP程序、平板程序造 成問題的具1句膜厚的鋼電鍍膜。此外,當目的在於助生 本紙張尺度適用中關家標準撕公爱.丁 313133 --------------------訂·--------- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 1254085
五、發明說明(I4 層的形成時’可使助生層厚度均勻,並可使連接於後的埋 孔性穩定。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 在疋成經過預定時間的電鍍處理後,使基板W上昇, 亚依照需要進行液切後,以前述相反動作將電鍍後的基板 W搬送到殼體〗2之外。當基板上的封片爪打亂流向而無 法維持均㈣膜料,如第5 ®所*,在基板保持部1〇 下面,裝設真空夾盤或靜電夾盤38,並以該真空夾盤或 靜電夾盤38,吸住保持基板w,並藉由將封片安裝在基板 W之背面侧而將該位置予以密封,即可省略封片爪。 第3圖係表示本發明之第2實施形態之無電解電鍍裝 置L在本實施形態的無電解電鍍裝置中,將電鍍槽24作成 覆蓋新材40與該心材40表面的被覆材42的積層構造將 配管穿過該心材40與被覆材之間,藉由在該配管44之内 部導入加熱媒體46,以構成外套構造之加熱部48。而在本 例中,係將加熱媒體46從電鍍槽Μ之外侧導入至配管44 之内部’加熱媒體46係朝電鍍槽24之内側依序流入於配 管44之内部。其他構成則與第2圖所示者大致相同。 根據本實施形態,電鍍液22係藉由朝外側流動於電 鍍室28内而慢慢冷卻,但可藉由加熱媒體46有效率地加 熱該經冷卻之電鍍液22,使電鍍液22的溫度變為一定。 第4圖係具傷第2圖及第3圖所示之無電解電鑛裝置 之基板處理裝置的整體構成圖。該基板處理裝置 矩形狀的設置板50上,其具備有:裝戴卸载單元52a、52b . 用以進行前置處理的洗淨裝置54、56;藉由電鑛時作為活 _ . --------^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 14 313133 1254085 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 性化劑的SnC“液等,進行活性化處理的活性化處理裝置 58 ;藉由進行無電解電鍍時作為觸媒之pdc込液等,進行 觸媒賦予處理’亦即進行Pd賦予處理的觸媒賦予裝置; 以及無電解電鍍裝置62。基板處理裝置亦具備有:進行電 鍍處理後之後序處理的洗淨•乾燥裝置64、66 ;在該等裳 置間進行基板W搬送的2台的搬送裝置(搬送自動裝 置)68、70 ;以及暫放台72。 在此,一方的洗淨•乾燥裝置64,在本例中,係由滾 輪清洗單元所構成’另一方的洗淨•乾燥裝置6 6則由具備 筆形海绵的旋轉乾燥單元所構成。此外,位於裝載卸載單 元52a、52b側的搬送裝置68,係乾式自動裝置,而夾著 暫放台72而位於相反側的搬送裝置70,係具備反轉機構 的濕式自動裝置θ乾式自動裝置係用以搬送乾式(已乾燥) 之基板W,而濕式自動裝置則用以搬送濕式(濕潤型)之基 板W 〇 接著,說明由上述構成之基板處理裝置所進行之一連 串的電鍍處理步驟。首先,利用一方的搬送裝置68將由裝 載卸載裝置52a、52b所保持的基板W取出,並放置到暫 放台72上θ另一方的搬送裝置70,則將基板W搬送至洗 淨裝置54,在此進行前洗淨處理後,搬送至活性化處理裝 置5 8,在此,藉由包含SnC 12等活性化劑進行活性化處理。 其次將基板W搬送至與活性化處理裝置58鄰接的觸媒賦 予裝置60,在此,藉由PdC 12液等觸媒進行觸媒賦予處理 後進行沖洗處理0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 313133 „ --------訂--------Μ 線 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 1254085 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 五、發明說明(i6 ) 在上述過程中,於活性化處理裝置5 8中,來自活性 化劑SnCi2的離子Sn2+會吸附於基板W的表面。該離子Sn2 + 藉由觸媒賦予裝置60中的PdC 12的Pd2+而氧化成Sn4+, 相反地,Pd2+則還元為金屬Pd。該金屬Pd析出於基板W 之表面,而成為下一無電解電鍍步驟的觸媒層θ該過程亦 可使用Pd/Sn膠質的1液觸媒進行。此外,以上所述之觸 媒賦予步驟,如同本例,係以活性化處理裝置5 8與觸媒賦 予裝置60進行,亦可藉由其他裝置處理後移送基板w -此外,根據存在於半導體基板的凹部内表面材質、狀態, 有時可省略前述活性化處理及/或觸媒賦予處理β 搬送裝置70將基板W搬送至洗淨裝置56,在此進行 前洗淨處理後,再搬送到無電解電鍍裝置62,並在此使用 預定之還原劑與預定之電鍍液以進行無電解電鍍處理β此 時,在固液界面藉由還原劑之分解所產生的電子,經由基 板表面之觸媒供給至Cu2+ ’以作為金屬Cl!析出至觸媒上 而形成銅電鍍膜。在觸媒方面,除Pd之外5亦可使用遷 移金屬之Fe、Co、Ni、Cu、Ag等。 其次’利用搬送裝置6 8將電鍍後之基板w從無電解 電鍍裝置6 2中取出並搬送到洗淨•乾燥裝置6 4 6在該洗 淨•乾燥裝置64中,係藉由滾輪以清水將基板洗淨基板並 使之乾燥。然後,搬送裝置68將該基板搬至洗淨·乾燥裝 置66,並將該基板在洗淨*乾燥裝置中進行筆形海绵 所執行之洗淨及旋轉乾燥後,返回裝載卸載單元52a、 52b@基板在其後被搬送至電鍍裝置或氧化膜形成裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) 313133 —;------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17 1254085 A7 _ B7 五、發明說明(17 ) 處理步驟之其他例’係藉由洗淨裝置54進行觸媒賦 予之前處理洗淨,而以活性化處理装置58進行觸媒賦予程 序,以觸媒賦予裝置60進行觸媒賦予之後序處理以洗淨 裝置56進行電鐘前處理洗淨,以無電解電鍍裝置進行 電鍍處理程序,而在無電解電鍍裝置62中迅速進行電鐘後 洗淨,以防止電鍍之成長。 此外,在本例中,雖舉例以無電解電鍍形成鋼電鍍 膜,但以銅電鍍成膜的電鍍膜,除鋼之外,還有鎳侧、鎳 碟、姑鱗、鎳鎢罐、鎳鈷磷、鈷鎢磷等。 如以上之說明’藉由本發明,可在電鍍處理中,防止 在被電鍍材的被電鍍面内產生溫度不均,及電鏡溫度在電 鍍處理中產生變化,同時,使電鍍處理中的電鍍液相對於 被電鍍材的被電鍍面的垂直方向的速度分佈(擴散層或交 界層厚度)在該被電鍍面的全區域形成均勻狀態,並藉由被 電鍍材的被電鍍面,可形成具均勻膜厚的電鍍膜。 第6圖為本發明之第2樣態之無電解電鐘裝置之基本 構造之概略構成圖。如第6圖所示,該無電解電鍍裝置, 係具備:半導體基板W ;用以保持半導體基板w的基板保 持裝置(基板保持機構)11〇;用以保持電鍍液(電鍍處理 液)125的電鍍處理液保持裝置(電鍍處理保持機構)丨2〇。使 用如第6圖所示之無電解電鍍裝置,進行鋼或銅合金或鈷 合金之電鍍,可形成第1A圖所示之助生層7,藉由銅電鍍 可進行助生層7的補強,藉由銅電鍍可形成第1B圖所示 之鋼層6,此外進行鈷合金或鎳合金或銅合金之電鍍可形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 313133 —;------------------* 訂—-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1254085 A7 B7
五、發明說明(W 成第1C圖所示之支配綠 、 -線保濩膜8。進行銅電鍍時所使用的 銅電鍍液,係在硫酸鋼液中 履中加入次亞磷酸鈉或乙醛酸等還 原劑後,再加入錯化劑、Η (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) W PH緩衝劑、pH調整劑等。此外, 進行鎳合金電鍍時所伟田认 用的鎳電鍍液,係在氯化鎳及硫酸 鎳中,為Ni-P膜時,加 加入夂亞磷酸鈉作為還原劑,而為 Νι-Β膜時則使用氫化硼鈉令 閉作為遇原劑,在此之外,還加入 錯化劑、pH緩衝劑等。 在此,基板保持裝置110,係將半導體基板w以其被 電鑛面W1朝正下方(下方向)之方式予以保持的構造。此 時’半導體基板W的被雷♦而 ^ ^鍍面W1以外的面,則藉由以該 基板保持裝置110加以覆嘗的古_ 復盖的方式,以避免電鍍液附著於 上。此外基板保持裝置110的上面中央,裝設有用可旋轉 自由地支撐該基板保持裳置11G的旋轉驅動軸ln。旋轉 驅動轴111係連接於益1、去 "、、圖不之馬達等旋轉驅動裝置(旋轉 驅動機構)。 另一方面,電鑛處理液保持褒置120之構成上,係設 置有:以於内部設置有加熱器H的加熱保持部121作為底 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 面,將電鍍液125保持在加埶保捭邱 …你狩砟1 2 1周圍之上的環狀 檔板123。 然後在電鍍處理液保持裝置120的檔板123内側填入 無電解電鑛液125,並藉由加熱器H將該電鑛液昇溫到最 適合無電解電鍍的預定溫度(無電解電鍍處理溫度,例如6〇 °c )並保持在一定溫度。 接著,在前述基板保持裝置110的下方,將半導體基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 18 313133 1254085 A7 B7 五、發明說明(l9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板W以其被電鍍面wi向下的方式予以保持,使被電鍍面 W1浸潰於電鍍液125中並接觸電鍍液。同時,旋轉基板 保持裝置110(並不一定要回轉)。藉此,以在半導體基板w 的被電鍍面W1上進行銅電鍍。 根據如上所述之本發明,其構造係在將半導體基板w 的被電鍍面W1朝下的狀態下與電鍍液125接觸,因此在 構造上可降低電鍍液125的的深度,因此只需在電錢處理 液保持裝置120中保持最小需求量的電鍍液125即可,而 可實現電鍍處理液保持裝置120的小型化。此外,因於加 熱器保持部121内設置有加熱器Η,因此與第n圖所示之 以往的電鍍處理槽280相比,更能夠實現裝置的小型化。 此外’只需使用少量的電鍍液即可,而能夠達到正確的溫 度管理。另外,亦可降低用於電鍍液加熱的消耗電力。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面,如前所述,在無電解電鍍反應時,一般會 產生氣體(Η2氣體)’因此在第6圖所示之無電解電鍰裝置 之基本構成中,氣體有滯留於其下面之虞。此外,即使旋 轉基板保持裝置110,氣體之一部份亦會集中於半導體基 板W的下面中央的回轉中心部分,而不易排出。因此本案 之發明者為了有效去除前述氣體,乃進行以下之改進。 〔於電鍍液中溶入產生氣體之方法〕 一種選擇無電解電鍍液材質的方法,係將因無電解電 鍍反應而產生的氣體的量,減少到可完全溶解於電鍍液中 的程度。此時,無電解電鍍裝置的構成如第6圖所示一般。 在電鍍液中,以預定的溶解度溶解氩氣等氣體。因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公Ε--------- 19 313133 1254085 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 五、發明說明(2〇 此,若藉由減少所產生之氣體的量,而使所產生之氣體完 全溶解於電鍍液中,即可防止氣體殘留在被電鍍面明 上。 〔於電鍍液中形成排出氣體之流向之方法〕 本方法如第7圖所示,係在電鍵液125的底面附近設 置藉由來自外部的磁氣而產生回轉的電磁攪拌器S,益藉 由敎轉該檀摔器而於電鍍液中形成如第7圖之箭頭所示之 流向(從被電鍍面W1的中央朝向外周的流向),藉此以將 產生於被電鍍面W1下面的氣體朝外周方向排除。此外, 作為產生流向的方法,除電磁攪拌器s之外,無庸置疑地 尚有以馬達旋轉動葉輪(impeller)的方法或由喷嘴喷射電 鐘液的方法等各種方法皆可利用。 (於被電鍍面傾斜的狀態下,使之與電鍍液接觸的方法〕 本方法如第8圖所示,係在將基板保持裝置11〇、由 該裝置所保持的半導體基板胃以及旋轉驅動軸ui整體, 以相對於水平面傾斜預定角度的狀態下,使被電鍍面wi 浸潰於電鍍液125中,藉此,可使於被電鍍面W1下面所 產生的氣體,沿著傾斜設置的被電鍍面W1上昇排除。 〔將被電鍍面設置為傾斜狀態的同時,利用與該面垂直之 軸以外的軸使半導體基板W旋轉的方法〕 本方法如第9圖所示,係在將基板保持裝置ιι〇與由 該裝置保持的半導體基板W,以相對於水平面傾斜預=角 度的狀態下’只將徒轉驅動軸⑴垂直設置(亦即,將=轉 驅動轴111以相對於基板保持裝置u 〇的面傾斜的方式設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】0 X 297公釐) 313133 —;------------------訂--------h 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 A7 1254085 _____________一 五、發明說明(21 ) 置),在該狀態下’旋轉驅動旋轉驅動軸1 1 1。依照如此構 成,除了可使被電鍍面W1之下面所產生的氣體,沿著傾 斜設置的被電鍍面W1上昇之外,藉由基板保持裝置UQ 以及半導體基板w上下搖動,以攪拌電鍍液,而得以更有 效地排除氣體。 〔將被電鍍面設置為傾斜狀態的同時,利用與該面垂直之 軸以外的轴使半導體基板W旋轉,並將旋轉中心設置於半 導體基板W中心之外的位置的方法〕 本方法如第10圖所示,係在將基板保持裝置110與由 該裝置所保持的半導體基板W,以相對於水平面傾斜預定 角度的狀態下,只將旋轉驅動軸11〗垂直設置(亦即,將旋 轉驅動轴111以相對於基板保持裝置〗丨〇的面傾斜的方式 設置),此時,將旋轉驅動輛1U設置於半導體基板冒中 心之外的位置以旋轉驅動旋轉驅動軸U1。依照如此之構 成,除了可使被電鍍面W1之下面所產生的氣體,沿著傾 斜設置的被電鍍面wi上昇之外,由於基板保持裝置11〇 以及半導體基板W會上下搖動同時進行離心旋轉,因此可 攪拌電鍍液’而達到有效排除氣體的目的。 以上,係參照第6圖乃至第10圖說明本發明之實施 形癌,但本發明並不限於上述各實施形態,只要不超出專 利申請範圍及說明書與圖面所記載之技術性思想範圍者, 即可做各種變形。此外,即使為未直接記載於說明書及圖 面之任何形狀或構造、材質,只要可達到本發明之作用、 效果者,均涵蓋於本發明之技術性思想範圍内。例如,本 本g尺度適用中國國家標準((^S)A4規格⑵〇 χ 297公餐)-------- 313133 — I*------— — II嘿 ----- 丨訂---------線 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 I254085 A7 ------H__—___ 五、發明說明(22 ) " 1-- 备明之無電解電鐘裝置,並不限於助生層及配線用鋼層之 ^成上,亦可利用於配線保護膜形成或擴散防止膜形成 此外,本發明之無電解電鍍裝置,亦可使用在無電解 電鍍之前序處理步驟或觸媒處理步驟。亦即,可藉由使用 於前序處理步驟或觸媒處理步驟中所利用之其他無電解電 鍍處理液,來取代無電解電鍍液,而以無電解電鍍裝置進 行該等處理。此外,在上述實施形態中,雖舉出對半導體 基板W進行無電解電鍍之例子,但本發明亦適用於對半導 體基板以外的各種基板進行無電解電鍍之情況。 如上所述,藉由本發明之第2樣態可獲得以下優良效 果。 (1) 在將半導體基板之被電鍍面朝下的狀態下,可直 接接觸電鍍處理液,因此可降低電鍍處理液的深度,以達 到用以收容電鍍處理液之電鍍處理液保持裝置的小型化, 以及裝置整體的小型化。 (2) 在將半導體基板w的被電鍍面wi朝下的狀態 下’可直接與電鍍液接觸’因此可降低電鍍液的的深度, 並減少所使用之電鍍處理液的量,而容易達到電鍍處理液 之正確的溫度管煙,並且可減低用以加熱保溫的消耗電 力。 (3) 由於在被電鍍面傾斜的狀態下,可接觸無電解電 鐘處理液’故容易將產生於被電鍍面上的氣體從被電鍍面 上予以去除。 (4) 即使無電解電鍍處理液在被電鍍面上形成預定方 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 313133 j ------- 丨訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1254085 A7 B7 五、發明說明(Μ ) 向之流向,亦可使被電鍍面上所產生之氣體隨著無電解電 鍍處理液之流向輕易地從被電鍍面上予以去除。 (5)在電鍍處理液保持裝置本身設置加熱器時,可達到 裝置的小型化。 —^------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 23 313133
Claims (1)
1254085 站、::: 第90126453號專利申請案 申請專利範圍修正本 (94年9月8曰) 1· 一種無電解電鍍裝置(62),其係具備有:具有加熱部 (14) ’並使被電鍍面(s)朝下以保持被電鍍材(42)之保持 部(10);以及,將預定溫度之無電解電鍍液(22)導入電 錢室(28)内部,並使之溢流於溢流檔板(3〇)同時予以保 持之電鍍槽(24);其特徵為:係使由前述保持部(1〇)所 保持之被電鍍材(42)與前述電鍍槽(24)内的電鍍液(22) 相接觸以進行電鍍處理, 其中,前述保持部(10)係構成可自由旋轉之形式。 2.如申請專利範圍第1項之無電解電鍍裝置(62),其中, 刖述電鍍液(22)係藉由向上之流向而導入至前述電鍍 槽(24)内。 3·如申請專利範圍第i項之無電解電鍍裝置(62),其中, 前述電鍍室(28)底面(28 a)之至少與由前述保持部(10) 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 所保持的被電鍍材(42)相對向的區域,係具有朝上方且 向外擴張的2次曲面。 4.如申請專利範圍第1項之無電解電鍍裝置(62),其中, 在前述電鍍槽(24)内部設置有:用以將該電鍍槽(24)所 保持的電鍍液(22)進行加熱的加熱部(14)或可與外部進 行隔熱之隔熱材。 5· —種基板處理裝置,其特徵為具備有:無電解電鍍裝置 (62) ’其具有:具有加熱部(14),並使被電鍍面(s)朝下 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 313133修正本 1254085 以保持被電鍍材(42)之保持部(1〇);將預定溫度之無電 解電鍍液(22)導入電鍍室(28)之内部,並使之溢流至溢 流檔板(30)同時予以保持之電鍍槽(24);並且使由前述 保持部(10)所保持之被電鍍材(42)與前述電鍍槽(24)内 的電鍍液(22)相接觸以進行電鍍;以及 在藉由前述無電解電鍍裝置(62)對基板(1)表面進 行無電解電鍍之前,形成觸媒層的裝置, 其+" ’前述保持部(1〇)係藉由真空夾盤或靜電夾盤 (38)來保持被電鍍材(42)而構成者。 6· —種無電解電鍍裝置,其特徵為具備有:在保持於預定 之電鍍處理溫度的狀態下,儲蓄電鍍處理液(22)之電鍍 處理液保持裝置(120);以及 在使該被電鍍面(S)朝下的狀態下保持基板(1),同 時使所保持之基板(1)的被電鍍面(S)與前述電鍍處理液 (22)相接觸之構造的基板保持裝置(11〇), 其_,前述保持部(10)係構成可自由旋轉之形式, 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 而前述電鍍處理液保持裝置(12〇)之構成,係於底 面(28a)設置加熱器(H),並且於加熱器(η)的周圍上設置 用以保持電鍍處理液(22)的檔板。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 313133修正本
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000327800A JP3938467B2 (ja) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | 無電解めっき方法及び装置 |
| JP2000376189 | 2000-12-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI254085B true TWI254085B (en) | 2006-05-01 |
Family
ID=26602874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090126453A TWI254085B (en) | 2000-10-26 | 2001-10-25 | Nonelectrolysis plating device and method thereof |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6716330B2 (zh) |
| EP (1) | EP1335038A4 (zh) |
| KR (1) | KR20020074175A (zh) |
| TW (1) | TWI254085B (zh) |
| WO (1) | WO2002034962A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI768749B (zh) * | 2021-03-05 | 2022-06-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 鍍覆裝置及鍍覆裝置之氣泡去除方法 |
| US12152312B2 (en) | 2021-02-25 | 2024-11-26 | Ebara Corporation | Plating apparatus and air bubble removing method of plating apparatus |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3998455B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-10-24 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 |
| US6991710B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-01-31 | Semitool, Inc. | Apparatus for manually and automatically processing microelectronic workpieces |
| US20030159921A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Randy Harris | Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces |
| US6787450B2 (en) | 2002-05-29 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio fill method and resulting structure |
| US7252714B2 (en) * | 2002-07-16 | 2007-08-07 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for thermally controlled processing of microelectronic workpieces |
| US6846519B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Blue29, Llc | Method and apparatus for electroless deposition with temperature-controlled chuck |
| US6908512B2 (en) | 2002-09-20 | 2005-06-21 | Blue29, Llc | Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids |
| US6699380B1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-03-02 | Applied Materials Inc. | Modular electrochemical processing system |
| WO2004046418A1 (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-03 | Ebara Corporation | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US7235483B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-06-26 | Blue29 Llc | Method of electroless deposition of thin metal and dielectric films with temperature controlled stages of film growth |
| US6881437B2 (en) | 2003-06-16 | 2005-04-19 | Blue29 Llc | Methods and system for processing a microelectronic topography |
| US6860944B2 (en) | 2003-06-16 | 2005-03-01 | Blue29 Llc | Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components |
| US7276801B2 (en) | 2003-09-22 | 2007-10-02 | Intel Corporation | Designs and methods for conductive bumps |
| US7253002B2 (en) | 2003-11-03 | 2007-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing vessels having colorimetrically verifiable leak-tightness, and method of making same |
| WO2005083159A2 (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-09 | E.I. Dupont De Nemours & Company | Apparatus adapted for membrane mediated electropolishing |
| DE102004024644A1 (de) * | 2004-05-18 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen metallischer Strukturen auf Substrate und Halbleiterbauelement |
| US7268074B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-09-11 | Enthone, Inc. | Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices |
| JP2006041453A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Ebara Corp | 配線形成方法及び配線形成装置 |
| US7686874B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Electroless plating bath composition and method of use |
| KR20070058310A (ko) * | 2005-12-02 | 2007-06-08 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법 |
| JP2008181924A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Ebara Corp | 磁性膜成膜装置および磁性膜成膜方法 |
| DE102007009912B4 (de) * | 2007-02-28 | 2009-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht durch ein fortschrittliches Integrationsschema |
| US8232647B2 (en) | 2008-02-21 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Structure and process for metallization in high aspect ratio features |
| US20090217950A1 (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-03 | Multimetrixs, Llc | Method and apparatus for foam-assisted wafer cleaning |
| JP2012525014A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 側部ガス出口を有する基板支持体および方法 |
| US20120088120A1 (en) * | 2009-06-05 | 2012-04-12 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Metal-clad laminate and method for production of metal-clad laminate |
| JP5725073B2 (ja) | 2012-10-30 | 2015-05-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法、半導体素子 |
| JP2018125499A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| TWI823970B (zh) * | 2018-07-31 | 2023-12-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板液處理裝置及基板液處理方法 |
| CN110218992A (zh) * | 2019-05-08 | 2019-09-10 | 金驰 | 一种基于远程操控的钢材化学镀层系统及其工作方法 |
| KR102323256B1 (ko) * | 2019-09-19 | 2021-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자의 자가조립 장치 |
| WO2021054550A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| CN110983304B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-08-20 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 化学镀设备及表面处理系统 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109612A (en) * | 1975-09-16 | 1978-08-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electroless plating apparatus for discrete microsized particles |
| DE3272891D1 (en) * | 1981-10-01 | 1986-10-02 | Emi Ltd | Electroplating arrangements |
| US5357991A (en) * | 1989-03-27 | 1994-10-25 | Semitool, Inc. | Gas phase semiconductor processor with liquid phase mixing |
| US6685817B1 (en) * | 1995-05-26 | 2004-02-03 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
| US6042712A (en) * | 1995-05-26 | 2000-03-28 | Formfactor, Inc. | Apparatus for controlling plating over a face of a substrate |
| US5938845A (en) * | 1995-10-20 | 1999-08-17 | Aiwa Co., Ltd. | Uniform heat distribution apparatus and method for electroless nickel plating in fabrication of thin film head gaps |
| US5660706A (en) * | 1996-07-30 | 1997-08-26 | Sematech, Inc. | Electric field initiated electroless metal deposition |
| JPH1187273A (ja) | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Ebara Corp | 微細窪みへの液浸入方法及び装置、及び微細窪みへのメッキ方法 |
| KR100586481B1 (ko) * | 1997-09-02 | 2006-11-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판을도금하는방법 |
| US6582580B1 (en) * | 1998-03-02 | 2003-06-24 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
| US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
| JP2000256896A (ja) | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Ebara Corp | めっき装置 |
| EP1029954A4 (en) | 1998-09-08 | 2006-07-12 | Ebara Corp | DEVICE FOR PLACING SUBSTRATES |
| US6267853B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
| KR100660485B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2006-12-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금장치 |
| JP2000212754A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-02 | Sony Corp | めっき方法及びその装置、並びにめっき構造 |
| EP1192298A4 (en) * | 1999-04-13 | 2006-08-23 | Semitool Inc | APPENDIX FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF A WORKPIECE |
| TW554069B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
-
2001
- 2001-10-24 WO PCT/JP2001/009337 patent/WO2002034962A1/ja not_active Ceased
- 2001-10-24 US US09/983,399 patent/US6716330B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-24 KR KR1020027007934A patent/KR20020074175A/ko not_active Ceased
- 2001-10-24 EP EP01978884A patent/EP1335038A4/en not_active Withdrawn
- 2001-10-25 TW TW090126453A patent/TWI254085B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-18 US US10/779,827 patent/US20040161529A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12152312B2 (en) | 2021-02-25 | 2024-11-26 | Ebara Corporation | Plating apparatus and air bubble removing method of plating apparatus |
| TWI768749B (zh) * | 2021-03-05 | 2022-06-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 鍍覆裝置及鍍覆裝置之氣泡去除方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002034962A1 (fr) | 2002-05-02 |
| EP1335038A1 (en) | 2003-08-13 |
| EP1335038A4 (en) | 2008-05-14 |
| US6716330B2 (en) | 2004-04-06 |
| US20040161529A1 (en) | 2004-08-19 |
| US20020127790A1 (en) | 2002-09-12 |
| KR20020074175A (ko) | 2002-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI254085B (en) | Nonelectrolysis plating device and method thereof | |
| US6824666B2 (en) | Electroless deposition method over sub-micron apertures | |
| TW200302295A (en) | Electroless deposition apparatus | |
| TW554069B (en) | Plating device and method | |
| TW412799B (en) | Method and apparatus for non-contact metal plating of semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly | |
| JP3960774B2 (ja) | 無電解めっき装置及び方法 | |
| TW568961B (en) | Plating apparatus and plating liquid removing method | |
| US20030143837A1 (en) | Method of depositing a catalytic layer | |
| CN1933143A (zh) | 无电电镀溶液及半导体器件 | |
| US6824613B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2003129250A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
| KR20020041777A (ko) | 무전해 Ni-B 도금액, 전자장치 및 이의 제조방법 | |
| TW554396B (en) | Plating apparatus | |
| TW544744B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| TW200540299A (en) | Electroless plating method | |
| JP3939124B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3998455B2 (ja) | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 | |
| JP3772973B2 (ja) | 無電解めっき装置 | |
| TW466729B (en) | Plating method and device, and plating system | |
| JP2003306793A (ja) | めっき装置及び方法 | |
| JP2990144B2 (ja) | プリント配線板のめっき装置 | |
| TW480580B (en) | Method and apparatus for treating semiconductor substrate | |
| JP2004263287A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2001348693A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3985857B2 (ja) | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |