TWI248183B - Method of manufacturing circuit device - Google Patents

Description

1248183 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明乃關於電 刻製程當中，採用了 之2片導電膜之薄型 【先前技術】 =置之製造方法，尤其是關於在姓 隔者作為阻障層之第3導電膜來層疊 的電路裝置之製造方法。 近年來，將1C封穿株田+A # ^ ^ 0 、用於t帶型機器或小型、高宓产 安裝型機器，使以往的Ic 尘同么度 、衣件及其安裝概念產生極大變 化。例如於日本特開2 王位人义 ' 3 6 7 8號公報所述者。JL #關 於採用本身為可拎★璉4c： /、你關 之聚醯亞胺（Polyimide)樹脂薄 板，士做為絕緣樹脂薄板之—例之半導體裝置之技術。 第6圖至第1 8圖為採用可撓式薄板50來做為内插板 (Interposer)基板之圖式。而於各個圖式的上方所顯示的圖 面為平面Η力各個圖式的下方所顯示的圖面為d線的 剖面圖。 百先於第16圖所示之可撓式薄板5〇上，利用黏著劑 來貼合銅箔圖案51。此銅箔圖案51的圖案雖然會隨裝設 的半導體元件是電晶體、IC而不同，但是一般而言，均形 成有焊墊（B0ndingPad)51A&轉接島（Island)51B。此外， 符號52為用於從可撓式薄板50的背面取出電極的開口 部’上述銅箔圖案5 1從此開口部露出。 接下來，如第17圖所示，此可撓式薄板50被送至黏 晶機（Die Bonder)，在其上安裝半導體元件53。之後，此 可撓式薄板50被送至焊線機（Wire Bonder)，以金屬細線 5 3]4950 1248183 M電:生連接焊墊51A及半導體元件53的焊塾。 取後如弟18圖（A)所示般，於可撓式薄板50的表面 上故置密封樹脂5 s I i ^ 〇钿55來加以密封。在此，進 (Transfer Mold)^ ¢7 ^ ^ , 一 设住焊墊5 1 A及轉接島5 1 B、半導體 元件53及金屬細線54。 之後’如第18圖（B)所示’設置焊錫或是錫球等連接 6 ’並藉由通過回焊爐來形成，透過開π部52與焊 塾5 1A融接之球妝、度级 、 、一 錫56。並且由於半導體元件53於可 撓式薄板5 0上形忐乾姑」,、 車狀’因此如第1 7圖所示，進行切 割而個別分離。 此外，* 1 8圖（C)所示之剖面圖，係顯示在可挽式薄 板5〇的兩面形成作為電極之5lA及仙。一般而言此 可撓式薄板5〇係兩面皆形成有圖案而由製造商所供库。 (專利文獻1) 美國專利第5976912號說明書（第23攔第4行至第24 搁第9行’第22圖a至第22圖g) 【發明内容】 (發明所欲解決之技術問題） 採用上述可撓式薄板5〇的半導體裝置，因為未採用眾 所皆知之金屬引線架’目此具有可實現極小型且為薄型的 封裝構造之優點，，然而實際上僅以設置於可撓式薄板Μ 的表面之i層的銅落圖案51來進行配線。這是因為可撓式 溥板較為柔軟’於導電膜的圖案形成前後會產生翹曲，於 層疊的層間的位置偏移較大，因而有不適合多層配線構造 314950 6 1248183 之問題。 為了抑制薄板的翹曲並提升支撐強度， 式薄板50的厚声@ 殳使了知 予度尽至大約200 // m之充分厚度，而盔法章 到薄型化的目的。 …法達 曰播再ϊ Y於製造方法當中，於上述製造裝置，例如於黏 、 干、"機、轉移模塑裝置、回焊爐等當中，運送可於 式薄板50 ’並將之農設於稱為平台或是承載台之部分上? 然而，做為可撓式薄板50的基礎之絕緣 程度的話，則形成於表面之銅箱圖案二; Γ涛至9至35心，於此情況下，則容易產生如第19 圖所不之趣曲，而古、、， "有性很差’此外對平台或是承載台 、生2~ 之缺點。這可視為絕緣樹脂本身非常薄而 7』，以及銅箔圖案51與絕緣樹脂之間的赦膨脹係 數的差所導致之龜#。 …、恥係 此外’亦有因為開口邱 口ρ 2的邛刀於模塑之際是受到來 自上方的昼力，因此產生 旦am 使墊 的周邊往上翹的力 ϊ，而使知墊51八的黏著性惡化的情形。 此外，構成可撓式堃& < Α ΛΑ山 性，或是為了提高埶料本身不具備可撓 板變硬。於此狀態;=:::材料而使可撓式薄 植且…外’於轉移模塑之際，與 - ± b 0衣開此情形在有如第19圖所 不之翹曲的情況下更為顯著。 目前為止所說明的可摔彳笔 了杌式涛板50,乃未於背面形成電 314950 7 1248183 極者，但是亦可如帛18圖 _ 面形成電極5 1D。此時，*、不，於可撓式薄板50的背 接，或是與此製造裝置:為包極51D與上述製造裝置抵 此有在電極5^的背&、/、的運送機構之運送面抵接，因 月卸造成損俱 的狀態下形成電極，因此有之， "、。由於有在此損傷 身會裂開之問題點，或者在t後一旦加熱的話電極511D本 焊錫潤濕性降低的問題。〃主機板進行焊接之際，產生 此外，於轉移模塑之際，亦 $ 、 案與絕緣樹脂的黏著：，Μ式薄板5〇及銅羯圖 裝構造之問題。 又^，而热法實現充分密封的封 本發明者乃提出 膜隔著第3導電 ，採用將薄的第 膜層疊而成的層 為了解決上述問題， 1導電膜及厚的第2導電 疊板之提案。 (解決問題之技術手段） —本毛月係第1 ’具備：準備將薄的第1導電膜及严 :2導電膜隔著第3導電膜層叠而成的層疊板之::子 電圖案層之製…采用上述導電圖成微細的 述第3導電膜，以形成上述第3==遮罩來去除 案層彺内側凹陷而成之錫部之製程；、V, 上，利用絕緣黏著層來固定半導 U ¥電圖案層 著層充填入上述錯部之製程；電=上；使上述絕緣. 電極及預定的上述導電圖案層之f二接;^半導體元件1 上述半導體元件，並使上述密封：:二：封樹脂層包; 树加層充填入上述錨部二 3J4950 8 Ϊ248183 ’及去除上述第2導電膜而使上 弟3導電膜從背面露出之製程。並中較：：曰層及u 電圖案声作A、廣罢十丄 /、中車乂特別的是以上述導 —一曰作為‘罩來去除第3導電膜以 岔封樹脂層之錯定效果之點。 /成w，而具有 本發明係第2，於蝕刿卜、十、$ 7、音 述第3導… _上述矛1導電膜之際，採用上 +电膜來做為钱刻停止層。 本么月係第3 ’使用包含氯化 來做為進行上述敍刻之溶液。以疋乳化鐵之溶液’ 本發明係第4,以上述導 刻上述第3導電膜而形成上述錯部二曰仏為遮罩來過度钱 本發明係第5 ’上述蝕刻溶液為碘系之溶液。 本發明係第6’以上述導電圖案 ^電膜進行電場㈣，使之過度剝離3 本發明係第7,對上述第2導電膜進〜以“。 殘餘的上述第3導電膜及上 ：王面蝕刻而使 出。 之上迷岔封樹脂層露 本發明係第8,在殘餘的上述第 ， 而在背面形成球狀的外部^。 ^膜上附著焊料 〜本發明係第9,具備：準備將薄的 乐2導電膜隔著第3導電膜層疊而成的声 1及厚的 上述第1導電膜上選擇性地形成由第4導：：，於 墊之製程；藉由將上述第！導電膜㈣所形成之悍 形成微細的導電圖案層之掣程.浐 戶斤希望的圖案來 遮罩來去除上述第3導電膜，^^電圖案層做為 乂 、上述第3導電膜相較 314950 9 1248183 方；上述導電圖 導電圖案c 魏而成之錯部之製程；於上述 上述絕緣考占著声2絕緣黏著層來固定半導體元件，並使 導體元件的入上述4苗部之製程；電性連接上述半 程，·以^極及預定的上述W層的上述焊塾之製 乂在封樹脂層包覆上述半導 衣 _填入上述錯部之製程;二：第1:述密封樹 上述密封榭π思《 及去除上述弟2導電膜而使 t , 曰S上述第3導電膜從背面露出之f程。1 中較特別的是在上 出之衣备。其 部電極之點。 』木層上4擇性地設置焊墊及外 述第3導1〇A於姓刻上述第1導電膜之際，採用上 ¥电膜來做為名虫刻停止層。 本發明係第11 ’使用包含氯化銅 來做為進行上述蝕刻之溶液。 虱化鐵之么液， 本舍明係弟1 2，以上述導雷圖安 刻上述第3導電膜而形成上述：層做為遮罩來過度餘 =明係㈠，上述钱刻溶液為峨系之溶液。 本餐明係第1 4，以上述導雷m安 3導電膜進行電場剝離，使之過度曰^為遮罩對上述第 本發明係第15，對上述第二::形成上述-部。 殘餘的上述第3導電膜及上述、卩全面蝕刻而使 出。 P之上述密封樹脂層露 導電膜上附著焊料 本發明係第16,在殘餘的上述第 而在背面形成球狀的外部電極。 【實施方式】 314950 10 1248183 關於本發明的恭 ^路裝置之製造方法，參，昭苐]FI石a 1 4圖加以說明。 、弟1圖至身 本發明的電路爭 1導電膜u及厚的第2、t::方法一是由:、準備將薄的第 而成的層疊板!。之制：二12隔者弟3導電臈13層疊 <衣耘，於上述第1導雷暄 地形成由第4導^ u II上選擇性 故L 辑1 4所形成之焊墊1 4 A之f浐.“； 將上述第1導電膜〜刻成所希 二’猎由 電圖案層nA之製程 3木““細的導 來去除上述第3導+ 上述導電圖案層以做為遮罩 上乩弟3導電膜13，以 較於上述導電圖宰 成4弟3導電膜13相 程；於上、千，^ 側凹陷而成之錯部！5之梦 杜，於上述導電圖案声 衣 導體元件19，並使上曰 ’利用絕緣黏著層來固定半 卫便上述絕緣黏著層奋 製程；電性連接上述半導體元件⑽電極^苗部15之 電圖案層UA的上述焊塾14A /及預定的上述導 包覆上述半導體元件19，並使上;Γ ’以密封樹脂層22 上述錨部15之製程.s^ 处岔封樹脂層22充填入 <衣転，及去除上述第 杂 密封樹脂層22及 电膜1 2而使上述 汉上述弟3導電膜丨3 北 < 構成。以下說明各製程。 θ面露出之製程所 如第1圖所*，本發明的第 1導電膜11及厚的第2導電膜12隔著^、、’、準備將薄的第 而成的層疊板10之製程。 乐3導電膜13層疊 第1導電膜11形成於層疊板 :隔著第3導電膜13，第2導電膜]2、：、貝整個表面上， 背面的實質整個面上。弟”導電膜】 '成於層疊板1〇的 及第2導電膜12最 π 514950 I248183 好是以Cii為主材料來構成， 的材料來構成。帛i導電膜u t 4人戶斤皆知的引線架 膜、 弟2導電膜12、第3導雷 、 可用鍍敷法、蒸鍍法或是、、賤鲈、本十 黏貼雷铲报士从八p ^ /、鍍法來形成’用壓延法或 占兒鍍形成的金屬箱的方法 ^ 及第2導電膜12亦可用A1 f外’弟1導電膜1】 的嶋的材料來構成。 、e’、或是用眾所皆知 第3導電膜13的材料是椟 11及第@ ，不^被去除第1導電膜 久弟2 V電膜12之際所 此外，因為要在第3導*膜〗 刻液所钱刻之材料。 的外邱電才 书、的背面形成由焊錫等所形成 :電極24,因此亦需考慮到外部電 具體而言，第3導電膜13料 請者陡 < 丁十J妹用由金、銀、鈀 ladium)所構成之導電材料。 為了形成微細的圖案，第 薄，厚产在5 $ v $ 1 ¥讀的厚度形成得較 第2導：…广程度。而為了機械性的支標全體， …的厚度形成得較厚，厚度在35。 弟3導電膜13具有在蝕刻 ：度。 夕屯勝丄1及弟2導電膜η '之阻障層的功能，形成2至…m程度的厚度。、12 因此’精由形成較厚的第2導電膜12，可維持層 、、坦性，並可提升之後的製程的作業性。 此外，在經過許多赞 .^ ^ 夕衣私之後’會使第2導電膜12產 以二而’因為較厚的第2導電膜12在之後的製“力生 夕去：，因此可防止到傷殘留在完成品的電路裝置上：： ;传：為一方面維持平坦性-方面使密封樹脂硬化，因 可使封裝件的背面平坦化，亦可平坦地配置形成於層： 12 1248183 ίο背面的外部 板10背面的… 的電極與層叠 旳电極相抵接，可防止焊接的不良。 接下來，針對上述的層疊板1〇的具體 敘述。層最此Ί η 衣1^方法加以 ’、 且板1 〇可藉由利用電鍍之層疊戋是厣证#人 造。於藉由電鑛法來製造層疊板心;厂 = :Γ12。然後於第2導電膜12的背面設置電極， 而猎由-¾錄法來層疊第3導電们3 轳法，於笙Q、曾+ 俊门仏的错由電 鍍法於弟3導電膜13上層疊第i導電膜u。 延法來製造層疊板的情況下，將 S 1 導電膜U、第2導電膜12、及第::成為缚板狀的第1 w膜 及弟3導電膜，藉由滾輪 寺來施加壓力以進行接合。 如第2圖至第4圖所示，本發明的第2製程為，於第 1導電膜η上’選擇性地形成由第4導電膜14所形成之 焊墊14Α之製程。 本製程係如第2圖所示，藉由電鍍，於第丨導電膜Η 的全面上形成第4導電膜14。為了讓第4導電膜ΐ4具有 與第1導電膜11之蝕刻選擇性，第4導電膜14最好為鍍 銀，並形成將在之後供焊接線固定的焊墊。再者，於第I 導電膜14上預定形成焊墊的區域上被覆光阻pR。 接下來，如第3圖所示，採用蛾系溶液來姓刻以光阻 PR做為遮罩而4出的第4導電膜]4，來形成焊墊1 4 a。 此時，因為第1導電膜u由銅形成，因此不會被碘系溶液 名虫刻。

再者，如第4圖所示，去除上述光阻pR而使焊墊“A Π4950 13 1248183 露出。 墊的f墊14A的形成方法，亦可以採用使預定形成焊 :广、路出，而以光阻被覆其餘的區域，再以鍍金或是 、又銀寻在預定的焊墊的區域上選擇性地形成焊墊。/ 由將!1=圖至第6圖所示般’本發明的第3製程為，藉 安岸4弟1¥電心蝕刻成所希望的圖案來形成導電圖 木層11A之製程。 於第1導電膜丨丨上， 霜，、，# 斤希！的圖案之光阻PR來被 工糟由化學蝕刻來形成作為配線的 因為第1導電膜"曰β 口木層1 ΙΑ 可护、& U為主材料來構成，因此#刻液 用峨或是氯化鐵彻^ 導弟3導電膜13亦會與钱刻液接觸，但是因為第3 刻：二的二枓不會被氯化銅或是氯化鐵姓刻，因此，触 的表面停止。由於此，因為第1導電 可m子4成為5至35"m程度，因此導電圖案層iiA 面=為5〇心以下之微細圖案。而第2導電膜η的背 阻叹或是保護薄膜來包覆，因此在進行導電圖案 _。的化學餘刻之際，可防止第2導電膜12被钱刻液 本製程的特徵在於，於姓刻第，導電膜u之際 心：::來做為触刻停止層。藉由此，可得到於晴 可；1之際，可進行第1導電膜"的全面㈣，故 導：：女定的餘刻之優點。於本製程當中，被㈣的第丨 '、11主要是由Cu所形成’因此，可使用氯化銅或是 ]4 1248183 氯化鐵來做為可選擇性地去除Cu之蝕刻液。相對的，因 為第3導電膜13是由不會被氯化銅或是氯化鐵蝕刻的導電 性材料所形成，因此’蝕刻會於第3導電膜13的表面停止。 關於第3導電膜13的材料，可採用金、銀、鈀。… 胃如弟7圖至第8圖所示，本發明的第4製程為，採用 \電+圖案層UA做為遮罩來去除第3導電膜13，以形成第 笔膜13相較於導帝岡安既 、¥包圖案層11A彺内側凹陷而成之錨部 1 5之製程。 知用由先則製程所形成的第】導電膜i i所 圖案層11A做為遮罩來選盤从上上+人斤 ^ 7 ^ ^ 罩來選擇性地去除第3導電膜13。關於 返擇性地去除第3導雷膣、 、、矛j蛉冤馭13的方法，可採用2種方法。 1種方法為’採用僅僅去除第 ㈣之方法…種方、、二 膜的姓刻液來進行 種方法為，藉由電場剝離法來 第3導電膜13的方法。 惶舌除 在此，說明為第！種方法之藉由敍刻來部分 3 導電膜13的方法。於此方法所使用之姓刻液，可採用可姓 刻第3導電膜13但不會飯刻導電圖案層" 膜12者。例如，於導電圖案層UA及第2導電膜12/由 以Cu為主體的材料形成， ¥电版12疋由 況下，可藉由採用诚夺之艇13為Ag膜的情 木用碘糸之蝕刻液來僅僅去 1 3。藉由蝕刻第3導電膜 兒月吴 成“版b，雖然第2導電膜12會接觸 碘糸之蝕刻液，但暑由以屯,， ^ ^ 導恭膜1?it DCu為主體的材料形成之第2 一 “不會被礙系之餘刻 會於第2導電膜12的表面 ㈡此在此，钱刻 T止。而於此蝕刻之際，藉由進 314950 15 1248183 =餘刻，來使第3導電膜13受到過度姓刻，因此形成 攸¥包圖案層11A的周端往内側凹陷之錨部B。 :&。兄明為弟2種方法之藉由電場剝離來僅僅去除 …冑膜13的方法。首先，使包含金屬離子的溶液與第 上!二13接觸。然後於溶液側設置正極，於層疊板i。 二法、極、，而進行直流電流之通電。藉此，藉由與利用 ^^13之錢敷膜形成原理相反的原理，來僅僅去除第3導 、。在此所使用的溶液，可採用對構成第3導電膜Η 的材枓進行鍍敷處理之際所使用者 僅僅剝離第3導電膜13。而於電場剝：方法中， 離，爽你楚，道兩* 电琢W離之際，進行過度剝 11Α的門”内二膜13過度剝離，因此形成從導電圖案層 Α的周鳊彺内側凹陷之錨部i 5。 本製程的特徵在於，藉由 離，來有目的地形成銷部15。“或疋過度剝 導電圖案層11A做為遮單 =相部15為採用 果，在導電圖案層u 、人：可猎由自對準的效 錯部15。 1A的周h平均地凹陷之方式來形成 心第:圖所示，本發明的第5製程為，於導電圖荦層 利用％緣黏著層16來 ” 性連接半導體元件19的電極及預件⑴並電 焊墊14Α之製程。 、、¥电圖案層11Α的 於預先形成有丰導_ ; 4 𠥓件19之晶圓背面黏著絕缘 片，亚將此黏著於晶圓切割片 、巴、，彖 切割，而形成於半導體元件 緣片-同 0月面具有絕緣黏著層1 ό 314950 16 1248183 之晶粒。 上述絕緣片可藉由真空壓合或是層疊之方法來進〜。 真空壓合是指，將由熱硬化性樹脂所形成之玻璃纖維： (Prepreg)加以疊合並於真空狀態下進行壓合之方法。 豐之方法為採用滾輪’於半導體晶圓上每次1片來心： 硬化性樹脂或是感光性樹脂片。於此方法中，回復‘，、、 (Aftercure)製程雖因批次處理而於其他製程當中進行 具有可精密控制厚度之優點。 但 半導體元件i 9在裸晶（Bare chip)的狀態下 著層16抵接於導電圖案層ΠΑ上，來進行黏晶（Die“ Bo — )。此時，絕緣黏著層16因加熱而溶融，並 :j於導電圖案層11A之錨吾p 15内，因而可實現強力的 黏著。 此外，半導體元件19的各個電極焊塾乃藉由焊接線 2〇、與設在其周邊之導電圖案層UA的預定處之焊墊^ :連接。而半導體兀件19亦可藉由朝下的“ D_n)的方 ^來裝設。於此情況下’於半導體元件19的各個電極焊塾 表面上設置錫球或是凸塊，並於層疊板iq的表 的位置對應之部分設置盥由導恭岡安& 〃、錫衣 直/、由V电圖案層11A所形成的焊墊 —樣的電極。 接下來敘述關於焊線時採用層疊板10之優點。一般於 進行焊接AU線之際，乃加熱至·。〇至3⑽。c。此時，一 旦第2導電膜12較薄的話’則層疊板】〇會產生趣曲，而 旦於此狀態下透過焊墊來加麼於層疊板】〇的話，則有可 314950 17 1248183 能使層疊板10產生損傷。然而 忐π耠戸W 便昂2導電膜1 2本身形 成付車乂厗的話，則可解決這些問題。 如第10圖所示，本發 29 έ, ^ ^ it ^ 乐^衣私為，以密封樹脂層 22包復+導體元们9’並使 部15之製程。 曰層22充填入上述錨 層疊板1 0被設置於模塑奘 衩』衣置上，來進行樹脂模塑。關 於杈塑方法，可採用轉移 麸而，1旦太 耵出杈塑、塗佈、浸入等。 …、而就I產性來考慮的話，則轉蒋握細 適合。 則轉私核塑及射出模塑較為 於本製程當中’以密封樹脂層22進行模塑之際，將穷 封树脂層22充填入由形成於第2導電膜 二 3導電膜13的凹陷所形成之錨部15中、， 弟 声2?组道° 中，具有使密封樹脂 圖案層"A之間的結合因錯定效果而變強之 於模二下Si程當中’有必要使層疊板1〇平坦地抵接 广:：方核具上’而較厚的第2導電膜12則具有此功 完全社 田中取出之後，在密封樹脂層22的收縮 月']'、可藉由第2導電膜12來維持封裝件的平 一 f生。亦即，到本勢 田 能，b由笛，道：為 層豐板10的機械性支撐的功 疋由弟2導電膜12來擔當。 如第11圖所$ , 不，本發明的第7製程為，去除上第2

i^電膜1 2，並使宓t U 。 ^对脂層22及第3導電膜13從背面露 山又製程0 於本製程當中’以不用遮罩的全面去除第2導電膜12 is "4950 1248183 的方式來蝕刻。此蝕刻可 刻，來全面去除第2導带胺木用乳化銅或是氯化鐵之蝕 12，可使第3導：、12。藉由全面去除第2導電用 述，第3導電膜13的：？封樹腊層22中露出。… 之際所使用的钱刻液所钱 之由材不料會被1 虫刻第2導電膜12 當中’第3導電膜〗3不會被餘刻所形成，因此於本製程 本製程的特徵在於，於 » 、稽由餘刻來去除繁？道Φ B替1 a 之際，第3導電膜13具有 “ 2¥電胰12 遮罩，而可平妇㈣成由層之功能’因而可不需採用 、 /成由在、封樹脂層22及第3導帝胺】1 所構成的背面。因為第2導 ^ ' , m 、12乃藉由姓刻加以全面去 除，因此於蝕刻的最終階段 面去 刻液。如上所述，帛3導電膜13；；=13亦會接觸到兹 r 、 的材料是由不會被用來名士 刻由Cu所構成的第2導電膜^ 刿夕姑极W f0氣化銅或疋氣化鐵所蝕 亥J之材枓所形成。因此，蝕刻會在第 it 5 1^1 l-l· ^ 、包膜13 的下面停 止口此第3導電膜13具有阻障> 你 ^ , 1早層之功能。而於本製程之 後’乃精由密封樹脂層22來進 +選仃全體的機械性支撐。 如第12圖至第14圖所示， ^ t 本發明的最後製程為形成 i栅陣列（Ball Grid Array)構造之製程。 於球柵陣列構造的情況下’第3導電膜i3係大部分由 卜放層樹脂2 3所被覆，僅要形成外 甘a 风外部電極24的部分露出， ：t，hi,^,„23„^,„Ep,j(Screen Printing)||^^ 劑〉谷化後之環氧樹脂等而形成。 ^ 钱下來，如第1 3圖所示， :由焊錫膏的網版印刷及焊錫回帛，於該露出的部分上形 成外部電極24。接下來’如第14圖所示，因為於層疊板 314950 19 1248183 ίο上形成有多數呈矩陣排列的電路 脂層22及外敷層樹脂23，使之分離Λ &切剎密封私 於本製程當中，因為可：由:二為：個電路裝置。 M m 猎由刀口欲封樹脂層2? 外敷 層樹脂23來分離各個電路裝置，因此可降低二2及 割器的損耗。 牛低進仃切割之切 接下茶第1 5圖，說明具體的根^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 之電路裝置。以虛線所龜一 aa“ Μ月的製造方法 灵所頌不的圖案為導電圖幸岛】彳Λ α 包圍半導體元…方式設置由導電圖宰？ 的焊塾，並於對應半導體元件】9的下方之木層UA所形成 圖案層11A所形成的 °°或形成由導電 风的烊墊。由此可得知，於 ^方之區域’亦可形成由導電圖案：體:件： 案。此外，於導電圖_11A^ 斤^成的圖 形成很多的外部電極24。 口茶而讦 之丰：2如上所述的構造，則即使是具有2〇〇個以上焊鲁 V體7L件19,亦可利用導 來形成微細圖案化之所希望的導電圖；因Γ細圖案’ 由外部電…外部電路之連接。0案0此’可進行趣 [發明之功效] 根據本發明’於形成導電圖案層的製 做為阻障層之第3導電膜! 精由㈠ 面蝕刻，因此I右… J對弟！―讀η進行全 不合對苴他㈠可谷勿的進行導電圖案層的钱刻，並及 θ I、他¥電膜進行不必要的姓刻之優點。 進行導電圖案層做為遮罩來對第3導電膜】3 又/或疋過度剝離’能利用在導電圖案層的周簡 214950 20 1248183 :陷之第3導電膜13以自對準的方 以 此 密 罩 被封樹脂層來包覆之際’密封樹脂層：：部，之後在 可使密封黏著層及絕緣樹脂 二-入鎢部，因 強’因而具有可實現優良封装狀態的優點。的接者變 再者，於全面去除繁9道 ^ 于、弟2導電膜之際，第3逡予 封樹脂層具有蝕刻的阻障芦 冷電膜及 认 早增之功能，因此可達到— 勺方式來去除第2導電膜之優點。 …、遮 【圖式簡單說明】 第！圖係說明本發明電路裳置之製造方法 弟2圖係說明本發明電路裳置之製造方法 ： ，第3圖係說明本發明電路I置之製造方法的:㈣ :4圖係§兄明本發明電路裝置之製造方法的剖 第5圖係說明本發明電路裝置之製造方法的剖面： 第6圖係說明本發明電路裝置之製造方法的剖面圖 第7圖係說明本發明電路裳置之製造方法的剖面= 弟8圖係說明本發明電路裳置之製造方法的剖面圖 Η圖係說明本發明電路裝置之製造方法的剖面圖 * 1。圖係說明本發明電路裝置之製造方法的剖面 圖。 圖 第11圖係說明本發明電⑬裝置之製造方法的 第12圖係說明本發明電路裝置之製遠方法的 第13圖係說明本發明電路裝置之製造方法的 剖面 剖面 剖面 3】4950 2] 1248183 圖。 圖。 圖。 1 4圖係說明本發明電路裝置之製造方法的剖面 1 5圖係說明根據本發明而製造之電路裝置的平面 1 6圖係說明以往的半導體裝置之製造方法的圖。 1 7圖係說明以往的半導體裝置之製造方法的圖。 1 8圖係說明以往的半導體裝置之製造方法的圖。 1 9圖係說明以往的可撓式薄板的圖。

10 11 A 13 14A、 16 20 23 50 51B 52 54 PR 層疊板 11 第1導電膜 導電圖案層 12 第2導電膜 第3導電膜 14 第4導電膜 焊墊 15 錫部 絕緣黏著層 19 半導體元件 焊接線 22 密封樹脂層 外敷層樹脂 24 外部電極 可撓式薄板 5 1 銅圖案 轉接島 51D 電極 開口部 53 半導體元件 金屬細線 56 球狀焊錫 光阻

314950

Claims (1)

1248183 拾 申請專利範圍·· 種：路裝置之製造方法，其係具備： >備將薄的第】導 導電膜層疊而成的… 導電膜隔著第 成的層豐板之製程； 藉由將上述第i導電膜蝕刻成所 成微細的導電圖案層之製程； d圖案來形 電膜述導電圖案層做為遮罩來去除上述第3導 电馭，以形成上述第3 ^ ¥ 内側凹陷之_之製程；車父於上述導電圖案層名 體元：上二導電圖案層上’利用絕緣黏著層來固定半導 上述絕緣黏著層充填入上述錨部之製程. 電性連接上述半導體元侔沾千4 I耘， 電圖案層之製程；㈣件的電極及預定的上述導 樹月匕^ =樹脂層包覆上述半導體元件，並使上述密封 于月曰層充填入上述錨部之製程；以及 第it上述第2導電膜而使上述密封樹脂層及上述 ^電膜從背面露出之製程。 2.如申請專利範㈣}項之電路裝置之製造方法，苴中， 刻上述第1導電膜之際，採用上述第3導電膜來做 為蝕刻停止層。 3·如申請專利範圍帛2項之電路裝置之製造方法，其中， 使用包含氣化銅或是氯化鐵之溶液，來做為進行：述蝕 刻之溶液。 4_如申請專利範圍f 1項之電路裝置之製造方法，其中， 314950 1248183 乂上述v%圖案層或是上述恭 Μ ^ ^ ^ ^ V包圖案層形成％之光阻 做為遮罩來過度蝕刻上 Μ 昂3V電膜而形成上述錨 部 〇 5·如申請專利範圍第4項之+攸# 卜n 貝之％路裝置之製造方法，其中 上述蝕刻溶液為碘系之溶液。 6·如申請專利範圍第1項 以卜、+、、曾+ 、之免路裂置之製造方法，其中 上^笔圖幸展式 3 , 做為避^ 導電®案層形成時之光阻 u為遮罩對上述第3 Μ二π 1 騰進仃電場剝離，使之過/Μ 離而形成上述錨部。 义心心度I 7·如申請專利範圍第丨 餅卜、+、> . 項之兒路裳置之製造方法，JL中 子上述弟2導電膜進行全 、 八 雷聘餘刻而使殘餘的上述箆3无 包馭及上述錨部之μ、+、_ 丄处弟3 ϊ 8如申&車田口p之上述岔封樹脂層露出。 •女申h專利範圍第 固乐/項之電路裝置 在殘餘的上述第3導電 法，其中， 極。 、膜上附著焊料而形成外部電 9.-種：路裝置之製造方法，其係具備： 準備將薄的第〗導雷 導電膜層疊而成的層疊板之製:的第2導電膜隔著第： 於上述第1導雷替 开3 4、 、上逆擇性地形成由繁4 Μ 圯成之垾墊之製程； 成由弟4導電膜所 藉由將上述第〗導電膜钱刻 成铋細的導電圖案層之製程； 9圖案來形 採用上述導雷fgj安 電膜，以形成上述第:導:為遮罩來去除上述第3導 冷电馭相較於上述導 、分电圖案層# 5M950 24 1248183 内側凹陷而成之錨部之製裎； 於上述導電圖崇爲 沪 ΰ木層上，利用絕緣黏著層來固定半導 並使上述絕緣黏著層充填人上制部之製 电性連接上述丰蓬- V祖凡件的電極及預定的上述導 口木層的上述焊墊之製程； 以密封樹脂層包覆上、^ 樹脂層充埴入卜、+、， 、千蜍版兀件，亚使上述密封 充/、入上述錨部之製程；以及 第3:除上述第2導電膜而使上述密封樹脂層及上述 弟3 V電膜從背面露出之製程。 ΐ()·:=:圍=1項之電路裂置之製造方法，其中， 為蝕刻停止：：W獏之際，採用上述第3導電膜來做 11 ·如申凊專利範圍第1 0項之♦敗壯 、 中，使用包含氯化鋼或是氣:衣《衣造方法，其 述钱刻之溶液。 疋乳化鐵之溶液，來做為進行上 2 ·如申请專利範圍第9項之帝 I、、 以上述導電圖案層或是上二之衣k方法，其中， 做為遮罩來過度钱刻上述；=案層形成時之光阻 部。 J ‘電膜而形成上述錫 3·如申請專利範圍第12 中，卜、十、总十， 貝之电路裝置之製造方法，其 14 ^ U蝕刻溶液為碘系之溶液。 .D申請專利範圍第9項之 以上述導電圖案層或是上、二：置之製造方法’其中， 做為遮罩對上述第3導電膜^圖案層形成時之光阻 ^進仃電場剝離，使之過度剝 314950 25 1248183 離而形成上述錨部。 15. 如申請專利範圍第9項之電路裝置之製造方法，其中， 對上述第2導電膜進行全面蝕刻而使殘餘的上述第3導 電膜及上述錨部之上述密封樹脂層露出。 16. 如申請專利範圍第15項之電路裝置之製造方法，其 中，在殘餘的上述第3導電膜上附著焊料而形成外部電 才虽〇 314950